Examen MX Pour Lénergie S6 2016 Sesssion Normale-Corrigé-converti
Examen MX Pour Lénergie S6 2016 Sesssion Normale-Corrigé-converti
Examen MX Pour Lénergie S6 2016 Sesssion Normale-Corrigé-converti
Exercice 1 :
1)
n N = 2 1014 cm − 3
D
On a : 2 16 − 6 2
n (1,1 10 10 )
p = i = = 6,05 10 5 cm − 3
n 2 1014
On en déduit que p << ni et p << ND
1
2) On a = = n + p = qn n + qp p alors sc = 20,8cm
1
Or métal = = 1,7 10 −7 cm
qn n
Donc métal sc
V V
3) On a J = E = et I = JS alors I = S
L L
VS 5 10 − 6
Donc I= AN : I= D’où I = 4,8 mA
L −3 −2
5 10 0,27 10
Exercice 2 :
1) Le Si est intrinsèque. Alors : p.n = ni2 d’où ni = p.n
A.N : ni= 7,07 1013 cm-3
1 ni2
1 = q ( n + p)
= = q(n n + p p )
2) On a
n
n
alors
p = ni
2
n 2 = n. p
i n
Alors q n n 2 − n + q p ni2 = 0 d’où = 1 − 4 q n p ni
2 2 2
n = 2,21014 cm − 3
1 1 − 4 2 q 2 n p ni2
1
Donc n = alors
2 q n n2 = 8,91011 cm − 3
Or ni= 7,07 1013 cm-3 et le Si et dopé par le phosphore donc il est
de type n alors n>ni
D’où n1 = 2,21014 cm−3 est la bonne réponse.
La concentration des porteurs minoritaires est donnée par:
1
p = 2,21013 cm −3
ni2
p= donc
n
Exercice 3
1
1/ Nous avons : 1= q (n1 n +p1 p) =
1
Le semiconducteur est de type P, alors 1 = p = q p1 p
1
p1 = 1 donc p1 = A.N. p1= 9,92 1018 cm-3 1019 cm-3
q p 1q p
- La densité des porteurs majoritaires est : p1 10 cm-3
19
ni2
- La densité des porteurs minoritaires est : n1 =
p1
A.N. n1 10-6 m-3 d’où n1 = 1 cm -3
2
1 1 2
Comme NA >> ND (i.e ) alors W1 = Vd1
ND NA qN D
A.N W1 = 0,47 m
6b) Nous avons montré que W1 = xn + xp et ND xn = NA xp
Ce qui nous donne :
1 1
xn = W1 et x p = W
ND NA 1
1+ 1+
NA ND
x N
On a n = A = 2.10 3 alors xn >> xp donc la zone de charge d’espace
xp ND
s’étend du côté du semiconducteur de type N (moins dopé). Alors,
le canal va se rétrécir plutôt du côté du semiconducteur de type N
et la zone de charge d’espace sera située dans le canal N.
S L D
a
xn=W1 (ZCE)
2d Si
Si (N)
(N)
Si (P)