Technologie Des Couches Minces II

École Nationale Polytechnique - Oran
Département de Génie des Procédés et

Matériaux
Technologie des couches mince

II- Techniques de caractérisation
Prof. N. HAMDADOU
[email protected]
Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 1

Plan du cours
I- Généralités
I.1- Méthodologie de l’élaboration des couches minces
I.2- Introduction sur la caractérisation des couches minces
I.3- Mesure de l’épaisseur d’une couche mince
I.3.a- Méthodes de mesure in situ
i- La balance à quartz
I.3.b- Méthodes de mesure ex situ
i- La gravimétrie
ii- Le palpeur mécanique
iii- Mesure de l’épaisseur par microscopie électronique à balayage
II- Techniques de caractérisation structurale

II.1- Diffraction des rayons X
II.1.1- Les configurations de la DRX
a) Montage de Bragg-Brentano
b) L’incidence rasante
II.2- Application: Analyse de diffractogrammes de couches minces de
FeSe2

II.2- Microscopie électronique à balayage (MEB)
II.2.1- Historique
II.2.2- Les interactions électron-matière
II.2.3- Préparation de l’échantillon
II.2.4- Principaux organes
a- La source d’électrons
b- L'optique de focalisation
c- Le balayage
d- La mise au point
e- Les parties annexes
f- La formation des images
II.3- Microanalyse électronique

II.3.1- Principe de base
II.3.2- Exemple: Analyse d'un alliage Al-Ni brut de fusion
II.3.3- Exemple de résultats de la microanalyse

II.4- Spectroscopie de Photoélectrons X (XPS)
II.4.3- Méthodologie et instrumentation
III- Techniques de caractérisation électrique

III.1 - Technique de la pointe chaude
III.2- Mesures de l’effet Hall
III.3- Mesures de la conductivité en fonction de la température
VI- Techniques de caractérisation optique

IV.1- L’absorption optique
IV.1.1- Principe de base
IV.1.2- Méthodologie de mesure

I.1- Méthodologie de l’élaboration des couches minces
La méthodologie suivie dans l’élaboration des couches peut être résumée
dans la fig. I.1.
Élaboration d’une
couche mince
Choix de la Choix du Choix des paramètres

technique substrat
d’élaboration de travail: T, P, V,..
Structure,
Épaisseur,
Adhérence..
Caractérisation
Figure I.1- Méthodologie de l’élaboration d’une couche mince

Les techniques d’élaboration des couches minces utilisées dans les
applications sont rassemblées dans la fig. II.2.
Techniques d'élaboration des couches minces
Techniques d'élaboration par voie Techniques d'élaboration par

physique (PVD) voie chimique (CVD)
En milieu vide poussé En milieu plasma En milieu de gaz réactif En milieu liquide
Evaporation sous vide Pulvérisation CVD Sol gel

cathodique
Ablation laser Laser CVD (LACVD) Spray
Plasma CVD (PECVD) Electrodéposition
Figure II.2- Techniques d'élaboration des couches minces

I.2- Introduction sur la caractérisation des couches minces
L’élaboration d’un matériau ou d’une couche mince n’a d’intérêt pour la
recherche ou l’industrie, que si ses différentes propriétés physiques sont
connues de façon précise.
La méthode expérimentale utilisée pour accéder à la mesure d’une propriété
physique d’une couche minces est appelée technique de caractérisation.
Les techniques de caractérisation sont nombreuses, le choix d’une technique
est intimement lié à l’application visée.
Une technique de caractérisation est appelée technique non destructive si
l’échantillon étudié (couche mince) garde les mêmes propriétés physiques à
l’issue de son analyse.

Dans le cas ou ses mêmes propriétés sont modifiées de façon irréversible
on parle de technique destructive.
Dans le domaine des couches minces les techniques utilisées sont classées
comme suit:
a- Techniques de caractérisation structurales
b- Techniques de caractérisation électriques
c- Techniques de caractérisation optiques
La caractérisation structurale sert à identifier le matériau élaboré en couche
mince, ainsi elle est pré requise à tout autre analyse.

I.3- Mesure de l’épaisseur d’une couche mince
La caractéristique essentielle d'une couche mince étant sa faible épaisseur, il
parait logique de préciser celle-ci en premier lieu.
Les propriétés physiques d'une couche mince et tout particulièrement les

propriétés électriques et optiques sont très fortement dépendantes de l'épaisseur,
il importera donc de connaître celle-ci avec la plus grande précision possible.
Plusieurs résultats des techniques de caractérisation établies sur des couches

minces sont impossibles à interpréter sans la connaissance préalable et exacte
de l’épaisseur de la couche analysée.

Deux grandes familles de méthodes de mesure de l'épaisseur sont
utilisées dans les applications:
a- Méthodes de mesure in situ: sont celles qui permettent la mesure en temps
réel au moment de l’élaboration de la couche mince.
b- Méthodes de mesure ex situ: sont celles qui permettent la mesure en temps
différé après l’élaboration de la couche mince.
I.2.a- Méthodes de mesure in situ

Les techniques les plus utilisées sont:
- La balance à quartz
- Les méthodes optiques
i- La balance à quartz:
La balance à quartz est actuellement l’appareil le plus utilisé, pour contrôler
la valeur de l’épaisseur, pendant le dépôt de couches minces, fig.I.3.

Principe: L’élément principal de l’appareil, figs. I.3 et 4, est constitué d’un
monocristal de quartz sous forme de disque plan, de dix millimètres de diamètre
et d’épaisseur inférieure à un millimètre, une électrode conductrice, en général
une couche mince d’or, est placée sur chacune de ses faces. Cet élément est
inséré dans un circuit oscillateur.
Placé dans un circuit résonnant, la fréquence d’oscillation du quartz va
diminuer avec l’augmentation de la masse du système vibrant.
Cette modification de masse est liée à l’épaisseur déposée, on y a donc
accès en connaissant deux paramètres:
- Le premier est le Z-ratio, étant une constante liée à l’élasticité du matériau à
évaporer.
- Le second paramètre est la densité du même matériau.

Ainsi la variation relative de la fréquence propre du quartz, est une fonction
linéaire de la masse  m déposée :
ΔF Δm
2 
F m
La mesure des épaisseurs des couches minces par ce dispositif, se fait avec
une précision de 10 Å.
L’épaisseur maximale tolérée par le quartz est d’environ 20m.
La lame de quartz doit être nettoyée à chaque dépôt.

Oscillateur
Quartz Fréquencemètre
a b
Figure I.3- a- Schéma simplifié d’une balance à quartz

b- Montage de la balance à quartz dans une enceinte à vide

Figure I.4- Composants de la tête de la balance à quartz
I.2.b- Méthodes de mesure ex situ
Les techniques les plus utilisées sont:
- La gravimétrie
- Le profilomètre
- Les méthodes optiques (Interférométrie, Ellipsométrie, ..)
- La microscopie électronique à balayage
i- La gravimétrie
Principe: La masse de la couche mince m déposée est déduite par pesée du
substrat avant et après dépôt. Connaissant m, l’épaisseur de la couche est
calculée par la relation suivante:
m
e
ρ Ll
Avec: ρ: la masse volumique du matériau, L et l: la longueur et la largeur de la
couche mince (et du substrat).
ii- Le profilomètre
Principe: Le mouvement mécanique d’un pointe métallique, fig. I.5, sur la

surface de la couche mince est tracé point par point à l’aide d’un traceur
électrique, figs. I.6 et 7.
Le mouvement de la pointe commence sur le substrat, la couche mince

forme une sorte de marche conçue par le collage d’un cash sur le substrat,
avant le dépôt. La hauteur de cette marche, une fois mesurée par le profilomètre,
représente l’épaisseur de couche mince.
Solénoïde
Sens du amplificateur
mouvement
Substrat
Couche mince
Figure I.5- Schéma simplifié du profilomètre
(a) (b)
Figure I.5- Photographies d’un profilomètre (a) et de la pointe métallique (b)

Figure I.7- Exemple de tracé du mouvement du profilomètre
iii- Mesure de l’épaisseur par microscopie électronique à balayage
Principe: L’épaisseur de la couche mince est estimée à l’aide d’une photographie

de microscope électronique à balayage prise sur une coupe transversale de la
couche mince sur substrat, figs. I.8 et 9.
Couche
Vide mince Substrat
Figure I.8- Photographies MEB de coupe transversale d’une couche mince

de FeSe2

Figure I.9- Photographies MEB de coupe transversale d’une couche mince
de CuFeSe2

II.1- Diffraction des rayons X
Notée XRD : X Rays Diffraction
II.1.1- Les configurations de la DRX
La diffraction des rayons X par une couche peut s'étudier à partir de montage
différentes: - Bragg-Brentano - Incidence rasante.
a) Montage de Bragg-Brentano
Dans ce montage, fig. II.1, le volume qui participe à la diffraction a une
profondeur de quelques dizaines de microns. Ce volume varie en fonction de la
longueur d'onde des rayons X utilisée, et du matériau à analyser. L'angle
d'incidence, qui est égal à l'angle de diffraction (angle de Bragg), est lié à ces
plans (hkl) et à la longueur d’onde 𝝀 du rayonnement, par la relation de Bragg:
𝟐 𝒅𝒉𝒌𝒍 𝒔𝒊𝒏𝜽 = 𝒏 𝝀
Où 𝒅𝒉𝒌𝒍 et 𝜽 sont la distance interréticulaire et l'angle de diffraction pour la famille
de plans diffractants (hkl)
Figure II.1- Diffractomètre à géométrie de Bragg-Brentano.
Lors de l'étude de couches de faibles épaisseurs, le volume diffractant n'est

plus suffisant, l'intensité diffractée est très faible. Il est, alors, difficile d'obtenir
suffisamment d'informations pour étudier la texture de ces couches.
Dans ce cas les rayons X atteignent le substrat, si ce dernier est de structure
amorphe un bruit de fond est observé sur le diffractogramme, et s’il est cristallisé
des pics indexés à sa structure apparaissent sur le diffractogramme.

b) L’incidence rasante
Pour palier à cet inconvénient, la géométrie sous incidence rasante est
adoptée, fig. II.2. Par ce moyen le chemin parcouru par le faisceau incident dans
l'échantillon est allongé, conduisant à une augmentation du volume diffractant.
L'un des avantages de cette géométrie est de fournir le même type

d'informations que celle de Bragg-Brentano, mais pour une faible épaisseur de
l'échantillon ou pour une couche mince déposée sur un substrat.
L'angle en incidence rasante est compris entre un dixième de degré et

quelques degrés. Dans ces conditions, la pénétration du faisceau est faible allant
de quelques dizaines à quelques milliers d'Angstroms et dépend du matériau et
de la longueur d'onde des rayons X.

Fluorescence Faisceau diffracté
Faisceau incident Faisceau réfléchi
Couche mince Faisceau transmis
Substrat
Figure II.2- Les rayons X en incidence rasante
Chaque signal produit lors de l’impact du faisceau incident, fig. I.2, fourni des
informations sur les propriétés structurales de la couche mince.

I.1.2- Application I: Analyse de diffractogrammes de couches minces de FeSe2

I.1.3- Application II: Analyse DRX de couche mince par configuration en incidence
rasante
Le réglage de la configuration en incidence rasante d’une couche mince, se fait
en respectant les étapes suivantes.
Figure II.3 a- Dévisser à fond pour descendre le beam stop (petite plaque grise
entre le porte échantillon et le détecteur). Tourner la plaque plomb-laiton se
trouvant au bas du détecteur de 90°.
Figure II.3 b- Allumer le logiciel de
pilotage du moteur Mot32.exe.

Figure II.3 c- Placer la rotation
Omega à 0°, soit pratiquement
parallèle au faisceau.

Figure II.3 d- Placer l'échantillon
le plus bas possible en utilisant
la translation Z. Ceci, dans le but
d'être sûr que l'échantillon ne
masque pas le faisceau direct
pour la première mesure.

Figure II.3 e- Ouvrir le logiciel d'acquisition sur le bureau ou dans
C:\Inel\exe\acqCps.exe. Faites une acquisition de 2 secondes du faisceau
direct. Placer les fentes numériques de part et d'autre du faisceau direct
(autour du maximum) en cliquant-glissant les lignes violettes ou en entrant
les positions désirées directement dans les champs "left slit" et "right slit".

Figure II.3 f- Décocher la case "autoshutter". Ouvrez l'outil "Scantime" en
cliquant dessus. Une fenêtre s'ouvre dans laquelle le nombre de coups
reçus par le détecteur dans un temps donné (integration time) entre les
fentes numériques vont être reportés graphiquement en fonction du nombre
d'acquisition successives (scan number).

g- Dans le champ "integration time" entrez la valeur 2. Ainsi chaque
acquisition durera 2 secondes. Dans le champ "scan number" entrez la valeur
1000 afin d'avoir un nombre d'acquisitions suffisant pour le réglage.
h- Ouvrir le shutter, et cliquer sur "Start" dans la fenêtre de scantime, le
comptage commence. Si au cours du réglage, les 1000 scans sont atteints,
mettez une valeur plus grande et cliquez sur start. Dans la fenêtre du
scantime, s'affiche alors le nombre de coups reçus par le détecteur au niveau
du faisceau direct. Cette valeur est l'intensité du faisceau direct I0.
i- Suivre alors la procédure suivante :
1) Monter l'échantillon en modifiant la position de la translation Z jusqu'à ce
que la valeur du comptage soit divisé par 2 (I0/2). Le pas de modification de Z
est 10µm (0.01 mm), le réduire à 1µm (0.001 mm) quand on approche la valeur
de I0/2.

2) Une fois la valeur I0/2 obtenue, faire varier l'angle de l'échantillon en utilisant
un petit incrément (0,01°) pour la rotation omega. Si le taux de comptage
diminue, tournez l'échantillon dans l'autre sens.
Si le taux de comptage augmente, répétez le point a) et b) jusqu'à ce que le taux
de comptage diminue quel que soit le sens dans lequel vous faite varier l'angle
de l'échantillon.
A ce moment, vous êtes sûr que l'échantillon est placé à la bonne hauteur et
qu'il est parfaitement parallèle au faisceau.
j- Dans l'application Mot32.exe, faire un clic droit dans le champ Move to et
entrer la valeur 0 pour Z et Omega. Ceci définira l'offset de la rotation pour
vous donner l'incidence exacte entre le faisceau et l'échantillon.

k- Remettre le beam stop (petite plaque grise entre le porte échantillon et le
détecteur) à sa position initiale. Tourner la plaque plomb-laiton se trouvant au
bas du détecteur de 90°dans le sens inverse pour la remettre dans sa position
initiale. A ce moment, l’acquisition peut être lancée.

II.2- Microscopie électronique à balayage (MEB)
Notée SEM: Scanning Electron Microscopy
II.2.1- Historique
La conception du MEB date de 1929 par H. Stintzing, Le premier microscope
électronique à balayage fut réalisé en 1938 par M. von Ardenne.
Il a fallu attendre le début des années 1960 pour voir la première
commercialisation, mais depuis lors la technique s'est considérablement
développée et le MEB est maintenant considéré comme un outil standard en
sciences des matériaux.
Il existe des microscopes à transmission, à balayage, à effet tunnel, et à effet
de champ.
Le tableau II.6 donne un rappel historique succinct.

Year Event Author
1897 Discovery of the electron J. J. Thompson
1924 Particule and wave theory L. de Broglie
1926 Electromagnetic lens H. Busch
1927 Demonstration of electron diffraction C. J. Davisson and L. H. Germer
1929 Theoretical description of SEM H. Stintzing
1932 Construction of first electron microscope transmission M. Knoll and E. Ruska
1935 Demonstration of scanning electron microscope theory M. Knoll
1938 First SEM constructed M. von Ardenne
1939 First commercial transmission electron microscope B. von Borries and E. Ruska
1942 Production of electrostatic lens SEM V. K. Zworykin, J. Hillier and R. L. Synder
1956 Production of electromagnetic lens SEM K. C. A. Smith
1956 X-ray microanalyzer with a scanning probe V. E. Cosslett and P. Duncomb
1960 Improved secondary electron detector T. E. Everhart and R. F. M. Thornley
1960 First commercial SEM Cambridge Instrument Co., Ltd.
1971 Construction of a STEM with a field emission source A. V. Crewe and J. Wall
Tableau II.6 : Principales étapes du développement du MEB

Les microscopes optiques sont limités dans leur résolution R car elle dépend
entre autre de la longueur d'onde selon la relation suivante :
0.61
R
n sin u
Avec: n indice du milieu, u ouverture du faisceau,
λ longueur d’onde du rayonnement, λ = h/mv pour un rayonnement de masse
m et de vitesse v, h est la constante de Planck.
On constate donc, qu'un faisceau d'électrons a une longueur d'onde beaucoup
plus faible que celle d'un faisceau de lumière, d'où une résolution beaucoup
plus petite.
De plus, si la vitesse des électrons est plus élevée, la longueur d'onde diminue.
On obtient des résolutions pratiques fournies dans le tableau II.7.

Microscope optique Microscope électronique
Faisceau de lumière Faisceau électronique

λ (photons) = 400 à 700 nm λ(électrons) = environ 0,001 nm
Lentilles optiques Lentilles électromagnétiques
R pratique (photons) = 500 nm R pratique (électrons) = 0,2 nm
Tableau II.7 : Résolutions des microscopes optique et électronique
II.2.2- Les interactions électron-matière

L’impact d’un faisceau d’électrons convenablement accélérés et finement
focalisés à la surface donne naissance à plusieurs signaux, fig. II.10, tels que :
les électrons secondaires, les électrons rétrodiffusés, les électrons transmis et
les radiations électromagnétiques comprenant l’étendue spectrale allant des
infrarouges au rayons X.

Faisceau d’électrons primaires
Photons X Électrons secondaires
Photons U.V., visible, I. R. Électrons rétrodiffusés

(Cathodoluminescence)
Électrons Auger
Échantillon
Électrons absorbés
Électrons transmis
Figure II.10 – Les différents signaux émis par l’impact d’un

faisceau d’électrons à un échantillon
Chaque particule émise, absorbée ou transmise lors de l’impact du faisceau

primaire, conduit à des effets exploitables pour certaine application, tableau II.8.

Type de collision Effets Applications
Électrons rétrodiffusés "backscattered Contraste atomique

Élastique
electrons" Effets de diffraction
- " Bremmstrahlung " ou rayonnement
de freinage entraînant l'émission de Microanalyse X
rayons X caractéristiques
- Électrons Auger Analyse de surface
- Effets radiatifs Cathodoluminescence
Inélastique
- Émission d'électrons secondaires Topographie
Contraste de potentiel
- Génération de paires électron-trou
Courant induit (EBIC)
- Électrons transmis État cristallin - Composition
- Électrons absorbés Topographie - Composition
Tableau II.8 – Les différents effets produits par l’interaction électron-matière

et leurs applications
Dans le cas d’une visualisation en surface d’une couche mince, un

échantillon de surface 3x3 mm2 est découpé et collé à l’aide de la laque d’argent
sur un support cylindrique (d~0.5cm, h~1cm) en cuivre. Une bande de largeur de
2 mm en laque d’argent est étalée sur le bord de la couche. Avant l’introduction
de l’échantillon dans l’enceinte à vide du MEB, il doit subir une métallisation,
consistant à déposer sous vide une fine couche de platine.
Le rôle de la couche en Pt et la bande en laque d’Ag, consiste à éviter

l’accumulation des charges électriques provenant du faisceau d’électrons sur la
surface de la couche mince, cet effet est néfaste pour la résolution du MEB.
Dans le cas d’une visualisation de la section transversale d’une couche

mince un support en cuivre de géométrie différente est utilisé, fig. II.11.

Couche mince
Laque d’argent
Support en
cuivre
Figure II.11- Préparation d’un échantillon pour visualisation:

a- De la surface d’une couche b- D’une section transversale

Les microscopes électroniques, fig. II.12 utilisent des faisceaux d’électrons
pour la formation des images.
Un faisceau très fin d'électrons, monocinétique, balaie la surface d'un
échantillon où se produisent des interactions détectées par un capteur qui
contrôle la brillance d'un oscilloscope cathodique dont le balayage est
synchronisé avec celui du faisceau d'électrons; on peut ainsi comparer le MEB à
un système de télévision en circuit fermé.

Figure II.12- Schéma de principe du microscope électronique à balayage

II.2.5- Principaux organes
a- La source d’électrons
Les électrons sont produits par effet thermoionique, fig. II.13, à partir d'un
filament de tungstène porté à haute température puis extraits au niveau du
"Wehnelt" qui a aussi pour fonction, grâce au dessin de ses lignes de champ, de
focaliser les électrons en un point ("cross over") qui sera l'équivalent d'une
source lumineuse ponctuelle dans la suite.
Le diamètre du faisceau produit varie de 30 à 200 Å, suivant la tension
d’accélération appliquée entre le filament ’’source d’électrons’’ et le porte
échantillon (support). Cette tension peut être régulée progressivement de 0 à 50
kV. La meilleure résolution est obtenue aux hautes tensions, fixant l'énergie des
électrons qui forment un faisceau presque monocinétique avec :
1
 2eV  2
v   
 me 
Figure II.13- Schéma de la source d’électrons
1
 1.5 
I nm   
2
Le diamètre du faisceau est donné par: I  h ou 
me v  V volts  

b- L'optique de focalisation
La trajectoire d'un électron en mouvement est déviée quand il traverse un

    
champ électrique ( F  eE ) ou magnétique ( F  ev  B ).
Dans le microscope électronique, on utilise habituellement des bobines
magnétiques qui introduisent moins d'aberrations. Elles sont constituées d'un
enroulement enfermé dans une armature en acier canalisant le flux et comportant
une ouverture, fig. II.14. La forme des lignes de champ magnétique est telle qu'un
électron sera d'autant plus dévié que sa trajectoire diverge plus par rapport à l'axe
du système qui se comporte donc comme une lentille convergente : on parle donc
de lentilles magnétiques, dont on peut faire varier aisément la distance focale en
variant le courant passant dans la bobine.

Figure II.14- Schéma d’une bobine (lentille) magnétique

c- Le balayage
Le contrôle du balayage de la surface de l'échantillon est assuré par des
bobines de déflexion, alimentées par une source électrique délivrant un courant
en dents de scie (déviation en x) et un courant en escalier (déviation en y) : le
faisceau se déplace donc sur la surface de l'échantillon suivant des lignes xx' qui
se décalent parallèlement à elles mêmes selon la direction y.
Un oscilloscope cathodique est synchronisé avec ce balayage.
Le grossissement obtenu est le rapport des dimensions balayées sur
l'échantillon et sur l'écran, fig. II.15, il peut atteindre 400 000 sur les instruments
récents.

Figure II.15- Principe du balayage d’un MEB
d- La mise au point
Une bobine finale, fig. II.12, permet de focaliser le faisceau d'électrons
exactement sur la surface de l'échantillon : en effet la résolution maximale
(capacité à séparer deux points) est directement liée au diamètre du faisceau à la
surface.

e- Les parties annexes
La colonne du microscope est maintenue sous vide (<10-6mbar) pour deux
raisons :
- d'une part pour éviter l'oxydation de la source
- d'autre part pour éviter le freinage et la déviation des électrons par collision
avec les molécules d'air.
f- La formation des images
On distingue trois modes de fonctionnement du M.E.B. :
i)- Par mise en œuvre des électrons secondaires.
ii)- Par mise en œuvre des électrons rétrodiffusés.
iii)- Par la mesure d’un courant transmis (le courant qui traverse l’échantillon).

1 μm 100 nm
1 μm 100 nm
a b
Figure II.16- Photographies MEB de couches minces

Figure II.17- Photographies MEB de couches minces (suite)


Figure II.20- Tête de fourmi vue au MEB

II.3- Microanalyse électronique
Notée EPMA : Electron Probe Micro-Analysis
Le spectre de raies X d'un élément spécifique, fig. II.21 peut être défini par
deux paramètres, l'énergie E et la longueur d'onde λ. Suivant le paramètre retenu
pour la détermination des raies X, l'analyse se fait par:
-Spectrométrie à sélection de longueur Faisceau d’électrons
Fais ceau d'électrons
d'onde λ. Cathodolumines cence
-Spectrométrie à sélection Electrons rétrodiffusés
Raies X
Rayons X Electrons secondaires
d'énergie E.
Electrons Auger
Electroconduction
Courant abs orbé
Figure II.21 – Principe de la microanalyse

L'émission se produit dans une "poire" de dimensions de l'ordre du
micromètre, fig II.22, avec deux conséquences :
Électrons
faisceau des
électrons
électrons
incidents
primaires (ep)
Détecteu
Auger
Détecteur
r
électrons
secondaire Rayons X
s
électrons
rétrodiffusés
RXA
RXB
Couche
mince
A
interface
B
substrat
Figure II.22 – Volume d’émission

La résolution spatiale de l'analyse est de l'ordre du µm .
La profondeur analysée est également de l'ordre du micron, ce qui peut
poser des problèmes particuliers pour l'analyse de petites particules ou de
couches très minces.
Le volume analysé, en forme de poire, s’étend sur une profondeur de

pénétration D des électrons, donnée par
D= A V20 /Zρ
où A est la masse atomique du matériau, ρ sa densité, Z le numéro atomique et
V0 l’énergie d’accélération du faisceau d’électrons incidents. En fonction de
l’épaisseur de l’échantillon et surtout des éléments à analyser, on utilise des
énergies d’accélération allant de 5 à 20 keV.

L’intensité du faisceau d’électrons incident est comprise entre 10 nA et 0.5 A,
dans les conditions normales d’utilisation d’une microsonde électronique.
Le diamètre de la sonde est de l’ordre du micromètre.
L’épaisseur de l’échantillon doit être de l’ordre du micromètre.

Les types d’analyses possibles sont :
1- Analyse d’un point.
2- Profil de répartition d’un élément pré-sélectionné
suivant une direction donnée.
3- Une image X qui donne la répartition d’un élément
pré-sélectionné, sur toute la surface analysée.

II.3.2- Exemple: Analyse d'un alliage Al-Ni brut de fusion
Le faisceau n'est plus piloté par
le système de balayage du MEB
mais par l'ordinateur du système
de microanalyse et déplacé selon
une ligne, choisie à l'avance
sur l'image, de point en point
avec un pas déterminé par l'opérateur.
Figure II.23 – Analyse d’un alliage Al-Ni

L'analyse de l'alliage Al-Ni, fig.II.23, pour les régions de contraste gris et clair
montrent que la région de contraste noir est de l'aluminium presque pur.
Le spectre de l’analyse globale est donné par la fig. II.24
Figure II.23 – Spectre de l'alliage Al-Ni (analyse globale)

II.3.3- Exemple de résultats de la microanalyse
-PGT Bulk sample analysis Wed Mar 3 14:08:11 2004
Phi-Rho-Z Method, fixed-width filter
Sample /export/home/imix/PHYSIQUE.dir/040303.dir/A112_1.spt
Accelerating Voltage: 10.00 keV
Takeoff Angle: 37.00 degrees
Library for user standards:
/imix/spectra/Standards_Ge12.dir/Standards_10.dir/Std_10.dir
Elm El wt% Norm wt% Prec. Atomic % Line

Cu 53.90 52.93 1.05 53.17 L line
In 39.78 39.06 1.09 21.72 L line
O 3.99 3.92 0.26 15.63 K line
Al 1.97 1.93 0.22 4.58 K line
Pt 0.00 0.00 0.00 0.00 M line
Si 2.19 2.16 0.20 4.89 K line
Total 101.83 100.00 99.99
Goodness of fit 0.73

II.4- Spectroscopie de Photoélectrons X
Notée XPS : X rays Photoelectron Spectroscopy

Le principe de cette technique, consiste à l’irradiation de la surface de
l’échantillon placé sous vide. Généralement, la radiation utilisée est CuKα, AlK
ou MgK, pour le faisceau primaire de rayons X.
L’absorption des photons incidents, par les atomes de l’échantillon, produit
l’émission d’électrons qui sont analysés.
La spectroscopie de photoélectrons est une technique d’analyse de la surface
de l’échantillon, elle permet l’accès aux énergies des liaisons des niveaux de
cœur ou de valence, susceptibles d’être ionisés par le rayonnement.
La connaissance des valeurs des énergies de liaison, permet l’identification
des éléments chimiques présents et de leur état de liaison.

Photoélectron
Photons: hn
Rayons X: XPS
Photoélectron
Photons: hn
u.v. : UPS
Figure II.24- Schéma de

principe de l’ XPS et l’UPS

Dans le cas d’une analyse par XPS d’une couche mince, un échantillon de
surface 3x3 mm2 est découpé et collé à l’aide de la laque d’argent sur un
support rectangulaire (L~0.5cm, l~1cm) en cuivre ou en aluminium.
Figure II.25- Préparation d’un échantillon pour l’analyse par l’XPS

II.4.3- Méthodologie et instrumentation
Pratiquement, le travail de sortie du spectromètre est tenu en compte, car
son réglage fait partie des procédures de calibrage du spectromètre. Cependant
l’énergie de liaison est décrite par la formule :
EL  h  E`c  Wéch
Chaque élément possède un ensemble d'énergie de liaison unique, donc avec

l'XPS nous pouvons identifier un élément et sa concentration à la surface d'un
matériau.

Enceinte sous vide et protection magnétique
Échantillon Électrons Analyseur

photo éjectés d’énergie
Détecteur
Source de
rayons X Écran de
visualisation du
signal
Figure II.26- Schéma de l’appareillage XPS

L’environnement chimique influe de façon directe sur l’énergie de liaison.
La profondeur de provenance des photoélectrons est située entre 0.5 et 3 nm
environ. Ceci amène à dire que la spectroscopie XPS caractérise la région
superficielle de l’échantillon, ainsi la technique est non destructive.
Dans le cas où l’étude des couches atomiques en profondeur (composition

atomique, interface) serait nécessaire, il est possible de réaliser un profil. Ceci
est fait par un décapage ionique de l’échantillon. Les décapages successifs
permettent de creuser l’échantillon, ainsi le procédé est destructif.
Le décapage se fait par canon à ions d’argon (intensité du courant 10mA,

tension d’accélération 3keV), s’étendant sur toute la surface de l’échantillon.

L’analyse par XPS se fait dans un environnement ultra vide.
Le vide est nécessaire:
- Pour que le électrons émis ne soient pas diffusés.
- Pour que la surface des échantillons ne soit pas contaminée.
Le matériel utilisé:
- Pompes ioniques pour la chambre d’analyse et turbo moléculaire pour

celle de préparation.
- Pas de mise à l’air, sinon un dégazage par chauffage est nécessaire

(200°C).
- L’échantillon doit être en contact électrique avec le spectromètre.

III.1- Technique de la pointe chaude
III.1.1- Principe de base
Cette méthode permet de déterminer le type de porteurs majoritaires des
couches minces, son principe est le suivant.
Considérons un échantillon en forme rectangulaire (fig. III.1) dont les deux
extrémités sont soumises à un gradient de température. Dans le cas où les
porteurs majoritaires sont des électrons (matériau de type n). L’énergie cinétique
des électrons de l’extrémité chaude est plus élevée à celle des électrons de
l’extrémité froide. Ces derniers tendent de diffuser vers cette extrémité. Si
l’échantillon est électriquement isolé, et il n’est soumis à aucun champ extérieur,
les électrons tendent à s’accumuler du côté froid laissant les ions du côté chaud.
Il en résulte la création d’un champ électrique interne pour équilibrer l’effet de
diffusion des électrons en régime permanent.

Dans le cas où l’échantillon est un matériau de type p (les porteurs
majoritaires sont les trous), le même raisonnement reste encore valable en
remplaçant les électrons par les trous, ainsi le champ interne est de sens opposé
à celui d’un matériau de type n.
En pratique, la tension mesurée est comparée à celle produite par un
semiconducteur de type connu (généralement type p).
+ - - +
ΔT ΔT
p n
a b
Figure III.1- Méthode de la pointe chaude dans le cas d’un semiconducteur de :
a- Type p b- Type n
III.2- Mesure de l’effet Hall
L’effet Hall est un effet galvanomagnétique découvert par E. H. Hall en 1879.

Les mesures d’effet Hall permettent de connaître le type de porteurs
majoritaires, grâce au signe de la constante de hall RH, et donnent accès aux
valeurs de leur mobilité μH, ainsi qu’à leur concentration (densité) n ou p, par
les relations suivantes:
μH = |RH| σ
n = - 1 / e RH
Où e est la charge élémentaire et RH est donnée par:
RH = VH d / I B
Avec VH tension de Hall, d l’épaisseur de la couche, I le courant électrique et B
l’intensité du champ magnétique.

Dans le cas des couches minces, la géométrie des échantillons ne permet
pas la mesure directe de la tension de Hall.
La méthode de Van der Pauw s’applique à tout échantillon plan et homogène
en épaisseur. Cette méthode utilise quatre contacts placés sur la périphérie de
l’échantillon, lesquels servent à mesurer les courants et les tensions.
Les contacts sont en or déposés par évaporation flash sous vide, fig. III.2.
Couche mince
FeS
Laque d'argent
Contact en or
Fil en cuivre
Figure III.2- Schéma illustrant les contacts utilisés pour les mesures
par la méthode de Van der Pauw.
III.3- Mesure de la conductivité électrique en fonction de la température
III.3.1- Préparation de l’échantillon et principe de base
Deux électrodes en or, fig. III.3, sont déposés sous vide par flash évaporation,
sur lesquels des fils en cuivre sont collés à la laque d’argent.
Couche mince
Laque d'argent
Fil en cuivre
Contact en or
Figure III.3- Schéma illustrant les contacts utilisés pour les mesures
de la conductivité électrique.

L’accès à la conductivité électrique est établi par la mesure de la résistance
électrique. La conductivité σ est ensuite déduite de la relation définissant la
résistance d’un échantillon en fonction de ses dimensions:
σ= L/Rdl
Avec L: la distance entre les deux électrodes, d : l’épaisseur de la couche mince
et l : sa largeur.
III.3.2- Domaine des hautes températures

Cet intervalle s’étend de la température ambiante 300 K à 850 K, la montée en
température se fait par chauffage et par palier de 5 à 10 K, à l’aide d’une
résistance électrique.
III.3.3- Domaine des basses températures
Cet intervalle s’étend de la température ambiante 300 K à celle de l’ Hélium
liquide ou à défaut celle de l’Azote liquide.
La descente se fait par palier de 5 à 10K,
à l’aide d’un compresseur d’He
Carte
(ou N2). d’effet Hall 4
1
2
IEEE
3
Les principaux appareils Cryostat
Scanner K 705
composant le dispositif utilisé
pour la caractérisation Source de
Régulateur de
courant
Keithley 220 température
électrique sont représentés LTC-10
par la figure III.4.

Voltmètre
Keithley 182
Ordinateur
Carte IEEE
Figure III.4- Synoptique du montage pour la caractérisation

électrique.
L’intérêt crucial du comportement de la variation de la conductivité électrique
en fonction de la température est du au fait qu’il permet de connaître le
mécanisme physique régissant la conduction électrique.
III.3.3- Théories de la conduction électrique

a- Loi d’Arrhenius:
Dans un semiconducteur cristallin la conductivité électrique en fonction de la
température, est donnée par la loi d’ Arrhenius:
  Ea 
σ   0 exp 
 kT 
Avec Ea énergie d’activation, k constante de Boltzman, σ0 constante et T la
température absolue.

Un semiconducteur polycristallin est caractérisé par la présence de joints de
grains. Le joint de garin est un milieu désordonné présentant un effet sur le
mécanisme de conduction électrique. Si cet effet est important comparé à celui
du grain, la loi d’Arrhenius n’est plus valide.
b- Lois des joints de grain

La conductivité électrique des semiconducteurs en couches minces
polycristallines dépend essentiellement des joints de grains, comme les couches
sont polycristallines formées de grains, on peut dire que la conductivité
électrique est régie par les joints de grains.
La théorie concernant les phénomènes de conductivité au niveau des joints de
grains a été développée par Seto (1975) puis par Lu et al. (1981) et Baccarini et al
(1984).

Ils mettent en évidence les effets de piégeage des porteurs de charges
mobiles aux joints de grains sur la conductivité électrique des couches minces
polycristallines.
Ces auteurs supposent la création d’une région dépeuplée de porteurs due à la
capture des charges mobiles par les pièges présents au niveau des joints de
grains (milieu hautement désordonné). Il en découle la formation de barrières de
potentiel aux abords des grains qui réduisent considérablement le passage des
charges mobiles d’un grain à un de ses voisins. Par conséquent il en résulte une
augmentation de la résistivité électrique.
1- Modèle de Seto
Seto a montré que dans le cas d’un échantillon polycristallin la conductivité
est exprimée par :

12
2  1    qVB 
σ  Lq p  exp 
   
*
2ππ kT kT
i.e.
  qVB 
σT 1 2
 exp 
 kT


 
Avec σ : la conductivité, L : la taille du grain, p : la densité des porteurs libres,
m* : la masse effective du porteur de charge, k : la constante de Boltzman, T : la
température absolue, q : la charge élémentaire et VB la hauteur de la barrière de
potentiel au niveau du joint de grain.
Pour une taille de grain donnée L, deux mécanismes de conduction sont

possibles, ceci dépend de la concentration des porteurs libres p et de la
concentration des pièges des porteurs Qt, localisés au niveau des joints du grain.

1
 8 ε p VB  2
Qt est donnée par la relation : Q t   

 q 
Avec ε la permittivité électrique de l’échantillon, définie par: ε  k ε0
Où k : constante diélectrique et la permittivité du vide: ε 0  8.85 10 12 (SI)
- Premier mécanisme : Dans le cas où L p < Qt les grains sont complètement
dépeuplés de porteurs et les pièges sont partiellement remplis .

- Deuxième mécanisme : Dans le cas où L p > Qt seulement une partie du grain est
dépeuplée.

2- Modèle de Werner
Werner (1994) a apporté une nouvelle contribution qui stipule que la variation de
l’énergie d’activation avec la température, peut être attribuée à des fluctuations de
la hauteur de la barrière de potentiel au niveau des joints de grains. Par ailleurs la
conductivité électrique est donnée par la relation.
 A B  
 
 K T exp     C 
 T2 T 
ie
𝜎 𝐴Φ 𝐵𝜎Φ
∝ exp − + +𝐶
𝑇 𝑇2 𝑇
Avec Φ la valeur moyenne de la hauteur de la barrière de potentiel.

𝜎Φ La valeur de l’écart type sur la valeur de Φ .

c- Cas des très basses températures
1- Conduction par saut
Modèle de Mott
Modèle d’Efros
2- Conduction par effet tunnel

IV.1- L’absorption optique (Spectrophotométrie)
Cette technique permet la mesure de plusieurs grandeurs importantes telles
que:
- Le coefficient d’absorption optique
- La nature et la largeur de la bande interdite
IV.1.1- Principe de base
Lorsqu’une lumière d’intensité I0 passe à travers une couche mince, une partie
de celle-ci est absorbée par la couche mince. L’intensité I de la lumière transmise
est donc inférieure à I0. On définit l’absorbance par:
A = Ln (I0/I)
On parle aussi de transmittance définie par la relation:
T = I / I0

La transmittance T d’un échantillon s’exprime en fonction de l’absorbance A
(ou la densité optique D.O. = A / 2.3) par:
T = 1 / exp A
En mesurant les absorbances A1 et A2 de deux échantillons d’épaisseurs e1 et

e2 différentes, il est possible de déduire le coefficient d’absorption optique α par
la relation:
A1  A 2 DO1  DO2 1 T 
α  2.3  Ln 2 
e1  e 2 e1  e 2 e1  e2  T1 
La largeur de la bande interdite Eg d’un semiconducteur est un paramètre

optique crucial elle s’exprime en fonction du coefficient d’absorption optique α et
l’ énergie du photon incident hν par la relation:
α hν = A (hν – Eg)n

Avec A une constante et :
- n = 1/2 pour un matériau à bande interdite directe.
- n = 2 pour un matériau à bande interdite indirecte.
Ainsi en traçant (α hν)1/n en fonction de l’énergie hν, il est possible de déduire
la valeur de Eg.
IV.1.2- Méthodologie de mesure

L’appareil utilisé dans les mesures d’absorption optique, est un
spectrophotomètre.
Une lumière non polarisée est utilisée en incidence quasi normale et les
mesures sont faites à température ambiante.
En tenant compte de l’absorption due au substrat, l’absorbance de la couche
mince est enregistrée dans la gamme du spectre couvrant le proche infrarouge
et le visible (190 nm à 2000 nm).

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École Nationale Polytechnique - Oran

Département de Génie des Procédés et

Technologie des couches mince

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 1

II- Techniques de caractérisation structurale

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 2

II.3- Microanalyse électronique

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 3

III- Techniques de caractérisation électrique

VI- Techniques de caractérisation optique

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 4

Choix de la Choix du Choix des paramètres

Figure I.1- Méthodologie de l’élaboration d’une couche mince

Techniques d'élaboration des couches minces

Techniques d'élaboration par voie Techniques d'élaboration par

Evaporation sous vide Pulvérisation CVD Sol gel

Figure II.2- Techniques d'élaboration des couches minces

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 7

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 8

a- Techniques de caractérisation structurales

b- Techniques de caractérisation électriques

c- Techniques de caractérisation optiques

La caractérisation structurale sert à identifier le matériau élaboré en couche

mince, ainsi elle est pré requise à tout autre analyse.

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 9

Les propriétés physiques d'une couche mince et tout particulièrement les

Plusieurs résultats des techniques de caractérisation établies sur des couches

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 10

I.2.a- Méthodes de mesure in situ

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 11

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 12

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 13

Figure I.3- a- Schéma simplifié d’une balance à quartz

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 14

Principe: Le mouvement mécanique d’un pointe métallique, fig. I.5, sur la

Le mouvement de la pointe commence sur le substrat, la couche mince

Figure I.5- Photographies d’un profilomètre (a) et de la pointe métallique (b)

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 18

iii- Mesure de l’épaisseur par microscopie électronique à balayage

Principe: L’épaisseur de la couche mince est estimée à l’aide d’une photographie

Figure I.8- Photographies MEB de coupe transversale d’une couche mince

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 20

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 21

Lors de l'étude de couches de faibles épaisseurs, le volume diffractant n'est

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 24

L'un des avantages de cette géométrie est de fournir le même type

L'angle en incidence rasante est compris entre un dixième de degré et

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 25

Faisceau incident Faisceau réfléchi

Couche mince Faisceau transmis

Figure II.2- Les rayons X en incidence rasante

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 26

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 27

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 29

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 30

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 31

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 32

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 33

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 34

Spécialité: Analyse Physico-Chimique des Matériaux 35