La fabrication des cellules

photovoltaïques
L'énergie solaire photovoltaïque provient de la transformation directe d'une partie du rayonnement solaire en énergie
électrique. Cette conversion d'énergie s'effectue par le biais d'une cellule dite photovoltaïque, basée sur un
phénomène physique appelé effet photovoltaïque qui consiste à produire un courant lorsque la surface de cette
cellule est exposée à la lumière.

Deux technologies de cellules photovoltaïques sont présentes aujourd'hui :

 Les cellules dites cristallines (poly et mono)

 Les cellules dites couches minces

Le constituant essentiel d'une cellule photovoltaïque responsable de l'effet photovoltaïque est un semi-conducteur. Le
semi-conducteur le plus utilisé aujourd'hui est le silicium. Nous évoquerons donc uniquement le silicium dans cette
présentation, mais d'autres semi-conducteurs existent tel que le sélénium, le tellure de cadmium, etc.

La fabrication des cellules photovoltaïques en 4 étapes :

1. La silice: matière première d'une cellule photovoltaïque

2. Extraction purification du silicium photovoltaïque
3. Obtention des lingots de silicium
4. Obtention des wafers photovoltaïques
5. Le dopage et jonction P-N
1. La silice : matière première d'une cellule photovoltaïque

La silice est un composé chimique nommé aussi dioxyde de silicium, de

formule chimique SiO2. La silice est l’élément le plus répandu dans la
croûte terrestre après l’oxygène. Il représente 25 % de la masse de la
croûte terrestre.

La silice se présente sous la forme d'un minéral dur. Dans la nature, on

la trouve en grande quantité dans :

 Les roches sédimentaires détritiques (sables, grès),

 Les roches métamorphiques, (schistes, gneiss, quartzites) (Les
roches métamorphiques sont formées par la recristallisation (et
généralement la déformation) de roches sédimentaires ou de roches
magmatiques sous l'action de la température et de la pression qui
croissent avec la profondeur dans la croûte terrestre ou au contact
d'autres roches.
 Les roches magmatiques.

L'extraction de la silice s'effectue dans des carrières de

silice.
En 2010, la production annuelle des carrières de silice en
France s’élève à environ 8 millions de tonnes.

La photo ci-contre est une carrière de silice en Haute-Savoie (France).

La photo ci-contre est une carrière de sable silice à Fontainebleau

(France). Considérés comme un des meilleurs gisements mondiaux de
sables siliceux, avec celui de Mol en Belgique, ces sables s’étendent de
Nemours à Etampes et Dourdan sur près de 50 km.

Il y a 33 millions d'années, la mer envahit la région parisienne et dépose 60 m de sable dans la région d’Etampes : ce
sont les sables de Fontainebleau.

Les gisements fournissent des sables fins blancs de très grande pureté (97 à 99 % de silice).
La fabrication des cellules photovoltaïques
L'énergie solaire photovoltaïque provient de la transformation directe d'une partie du rayonnement solaire en énergie
électrique. Cette conversion d'énergie s'effectue par le biais d'une cellule dite photovoltaïque, basée sur un
phénomène physique appelé effet photovoltaïque qui consiste à produire un courant lorsque la surface de cette
cellule est exposée à la lumière.

Deux technologies de cellules photovoltaïques sont présentes aujourd'hui :

 Les cellules dites cristallines

 Les cellules dites couches minces

2. Extraction et purification du silicium

Extraction du silicium à partir de la silice

Le silicium est un élément chimique de symbole Si. Il n'existe pas à l'état pur dans la nature.
Le silicium (Si) est donc extrait de la silice (SiO2) grâce à la réaction chimique simplifiée suivante : SiO2 + 2 C → Si + CO

Cette réaction se réalise dans un four à arc car elle nécessite de faire fondre la silice. La température du four peut
atteindre 3 000 °C. La puissance du four peut aller jusqu’à 30 MW, afin d’enclencher les réactions chimiques.

En réalité, la réaction de réduction de la silice en

silicium résulte d'un grand nombre de réactions
chimiques intermédiaires. La puissance du four peut
aller jusqu’à 30 MW, afin d’enclencher les réactions
chimiques.

Après cette opération, le silicium est obtenu sous forme

liquide. Sa pureté est de 98 %.
Il faut le purifier encore de plusieurs ordres de grandeur afin
d'obtenir un matériau adéquate pour les applications
photovoltaïques.

Purification du silicium

Il s'agit, en partant du silicium métallurgique, de faire une purification

chimique. De nombreux procédés ont été développés par les différents
producteurs mondiaux de silicium.
Au final, le procédé de purification aboutit à l'obtention de lingots de
silicium purifiés à 99.99 % :
 3. Obtention des lingots de silicium
Une fois l'étape de purification terminée, vient l'étape de cristallisation du silicium liquide. Le produit issue de cette étape est
un lingot de silicium à l'état solide. Il existe deux grandes méthodes de cristallisation. La première permet d'obtenir du silicium
polycristallin (composé de plusieurs cristaux). La deuxième permet d'obtenir du silicium monocristallin (composé d'un seul
cristal).

• Le silicium polycristallin
Le silicium liquide est mis dans un creuset en graphite. La technique est simple et peu énergivore.

Le silicium polycristallin est obtenu par coulage en lingotière dans laquelle s'opère un refroidissement lent, de l'ordre
de quelques dizaines d'heures.

On obtient au final des lingots cubique. Cette forme est recherchée afin d'optimiser l'espace lorsque les plaquettes
(obtenues par découpage en lamelles des lingots de silicium) seront placées en série sur un module photovoltaïque.
Le silicium polycristallin présente une couleur grise. Il est constitué d'une mosaïque de cristaux monocristallins de silicium,
d'orientation et de tailles différentes.

• Le silicium monocristallin
Une des méthodes pour fabriquer du silicium monocristallin est la méthode dite de Czochralski.
Le silicium est placé dans un creuset de quartz et maintenu liquide à l'aide d'éléments chauffants. Lorsque la surface est à la
température limite de solidification, on y plonge un germe monocristallin. Le silicium se solidifie sur ce germe selon la même
orientation cristallographique. On tire lentement le germe vers le haut, avec un mouvement de rotation, tout en contrôlant
minutieusement la température et la vitesse.

Le silicium monocristallin ainsi obtenu, sous forme de

lingots circulaires, est constitué d'un seul type de
cristal et présente une couleur uniforme grise.

Le silicium monocristallin, plus élaboré que le

silicium polycristallin, présente un rendement
(conversion de l'énergie lumineuse en énergie
électrique) supérieure. Sa production demande
cependant une plus grande dépense énergétique.
 L'équeutage consiste à éliminer les extrémités du
lingot soit mal cristallisées soit riches en impuretés.
Les extrémités sont ensuite refondues pour le départ
d'un nouveau cycle de production.

Lors du tirage, le diamètre du lingot varie légèrement

ce qui constitue des ondulations à sa surface. Pour
obtenir des plaquettes de même diamètre un
polissage cylindrique est nécessaire.

4. Obtention des wafers photovoltaïques

Les lingots cylindriques (silicium monocristallin) ou parallélépipédiques (silicium polycristallin) de silicium obtenus à l'issue de
l'étape de solidification sont ensuite sciés en fines plaques de 200 micromètres d'épaisseur qui sont appelées « wafers » (en
anglais, "wafer" signifie "galette"). La coupe des lingots est effectuée par une scie à fil.

Compte-tenu de la faible épaisseur des tranches à découpées (300 μm), le principal problème du sciage est la perte de
découpe. Afin de minimiser ces pertes, la solution technique retenue est la scie à fil. En effet, la perte de découpe (kerf)
typique des scies à fil est de 200 μm à 240 μm, ce qui représente 55% de perte en moins par rapport aux scies à diamètre
intérieur (perte de découpe de 310 μm à 350 μm).

Avec une scie à fil, il faut donc 570 μm de silicium pour produire une tranche de 350 μm. L'étape du sciage représente un
élément déterminant dans le coût de la production des cellules photovoltaïques.
 5. Dopage du silicium
Les wafers de silicium obtenus à l'issue de l'étape de sciage sont alors introduits dans un réacteur de croissance dans lequel va
se dérouler l'étape de dopage.

Qu'est-ce que le dopage ?

Le dopage est une méthode permettant de réaliser la jonction P-N. Cela consiste à introduire des impuretés dans un cristal
intrinsèque pour modifier ces propriétés électriques. Le semi-conducteur dopé est alors appelé "semi-conducteur
extrinsèque".
Il existe deux types de dopage : le type N (Négatif) et le type P (Positif).

Dopage de type N
Le dopage de type N consiste à ajouter un atome de phosphore au sein de la structure cristalline du silicium. Le phosphore
disposant de 5 électrons sur sa couche électronique externe va s'associer avec 4 atomes de silicium, laissant ainsi libre un
électron : Cet ajout a pour effet de donner à la structure cristalline une charge globale négative.

Dopage de type P
Le dopage de type P consiste à ajouter un atome de bore au
sein de la structure cristalline du silicium. Le bore disposant de
3 électrons sur sa couche électronique externe va s'associer
avec 4 atomes de silicium, laissant ainsi libre un trou :

Cet ajout a pour effet de donner à la structure cristalline

une charge globale positive.

Les 3 méthodes de dopages :

• LA DIFFUSION - On utilise un four, dans lequel

on injecte des gaz avec une solution dopante pour
le silicium. Avec la chaleur, le dopant a une énergie
suffisante pour entrer dans la plaquette de silicium.
Cette méthode est assez ancienne, et nécessite
d'avoir une température uniforme dans le four.
• LE CROISSANCE EPITAXIALE - Cette
méthode utilise toujours un four, mais cette fois-ci
les atomes du dopant sont déposés sur le silicium
qui se présente sous la forme d'une plaquette. On a
ainsi un dépôt en surface, et non pas une insertion
comme pour la méthode de dopage par diffusion.
La température du four doit avoisiner les 1 200 °C.
• LE BOMBARDEMENT IONIQUE - Une source
(appelé faisceau ionique énergétique) produit des
ions, qui sont ensuite accélérés, et par le biais d'un
contrôle très précis, ceux-ci vont alors se positionner sur la plaquette. L'avantage de ce principe est que l'opération se
déroule à température ambiante. Le défaut de cette technique est qu'elle peut provoquer des dommages au silicium
induisant un réarrangement indésirable de sa structure cristalline, exigeant ainsi une recristallisation subséquente.
 La filière photovoltaïque utilise majoritairement le dopage par diffusion.

Dans le processus de fabrication d'une cellule photovoltaïque, les wafers, obtenus par sciage des lingots de silicium purifié,
subiront soit un dopage de type N soit un dopage de type P.

La suite du procédé est d'associer un wafer dopé N avec un wafer type P :

Les électrons en excès de la région dopé N ont tendance à diffuser vers la région P (où ils sont minoritaires). Il en est de
même pour les trous en sens inverse.

Les électrons et les trous se concentrent alors au niveau de l'interface entre les deux tranches.
Cela a pour effet de créer un champ électrique créant une barrière de potentiel au niveau de la zone centrale. Cette
zone devient un isolant et s'appelle la jonction P-N.

Le champ électrique ainsi créé a tendance à repousser les électrons vers la zone N et les trous vers la zone P. De ce fait,
lorsque la zone dopé N est exposé au rayonnement lumineux, un électron de la couche de valence du silicium est arraché,
laissant parallèlement un trou. Sous l'effet de champ électrique créé par la jonction P-N, l'électron diffuse à l'extrémité de la
zone N, et le trou se déplace à l'extrémité de la zone P. Lorsque les deux faces de ces deux zones sont reliés par un
conducteur, un courant se créé, car l'électron va combler le trou. Une cellule photovoltaïque est constituée d'une tranche
dopé N posée sur une tranche dopé P. L'interface entre les deux tranches s'appelle la jonction P-N. La tranche dopé N
correspondra à la partie de la cellule exposée au rayonnement solaire.
Identique

ici à

la Réunion