1 Electronique Analogique 1 1ere Année ESTA
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ESTA
SUPPORT DE COURS
UE : Electronique analogique 1 (L1)
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Ecole Supérieure des 1ère année Formateur
Techniques Avancées (ESTA) COULIBALY Souleymane (70758839)
électronique analogique
OBJECTIFS :
Les objectifs visés par ce cours sont :
- Connaître les paramètres et le fonctionnement des composants électroniques
- Déterminer les paramètres statiques et dynamiques des circuits à diodes et à transistors.
- Maîtriser les lois et principes de l’électronique,
- Etudier les fonctions de base de l’électronique,
- Analyser et calculer les circuits électroniques,
- Câbler les montages électroniques.
CONTENU :
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V. Applications pratiques
Sources de références
Sources de tension :
- Rôles et caractéristiques ;
- Montages à diodes Zener, diode Zener et transistor, régulateurs intégrés de
tension.
Sources de courant :
- Rôles et caractéristiques ;
- Miroirs de courant à transistors bipolaires, à MOSFET.
Amplification
Amplification à transistor à un et à plusieurs étages
Amplificateur différentiel à transistor
Classes d’amplification
- Technologie et modélisation des transistors de puissance ;
- Technologie des amplificateurs de puissance intégrés, caractéristiques,
critères de choix, mise en œuvre ;
- Le dimensionnement des composants.
PREREQUIS :
Electricité générale, théorie des circuits électriques
BILBLIOGRAPHIE
[1] J-M Pointevin : "Composants discrets et méthode de calculs, Tome 1", Ed. Dunod, Paris
1995
[2] Thomas L. Floyd : "Electronique, composants et systèmes d’application", Ed. Dunod,
Paris 2000.
[3] Malvino Albert Paul, Bates David J. : '' Principes d'électronique''. Ed. Dunod, Paris, Mars
2008.
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1. STRUCTURE DE LA MATIERE
Un atome est composé d’un noyau central autour duquel gravitent des électrons.
Le noyau est composé de 2 sortes de particules de masse égale : les protons et les neutrons.
Les protons portent des charges électriques positives.
Le proton est chargé positivement et l’électron est chargé négativement. noyau électron
Le neutron ne porte pas de charge.
La charge de l’électron et du proton est la plus faible charge
électrique que l’on connaisse : e = 1.6 * 10-19 C
Un atome étant initialement neutre, il comporte autant
d’électrons que de protons. Si on arrache un ou plusieurs
électrons à un atome il devient un ion positif ou cation.
Si au contraire on lui apporte un supplément d’électrons il
devient un ion négatif ou anion.
Les divers corps se diffèrent par le nombre de protons de leur
noyau donc par le nombre d’électrons.
Les électrons tournent autour du noyau sur des orbites orbite
correspondantes à des niveaux d’énergie bien déterminés qu’on appelle niveaux
eee permis. Cette énergie
est d’autant plus grande que l’orbite est éloignée du noyau. Tout niveau intermédiaire entre 2 niveaux
permis est un niveau interdit.
Les électrons peuvent occuper les niveaux permis en suivant les règles suivantes :
-Les niveaux les plus bas sont occupés en priorité,
-Un électron recevant une énergie insuffisante pour le hisser à un niveau supérieur refuse cette
énergie et reste sur son orbite,
-Un électron qui quitte son orbite pour un niveau plus bas restitue la différence des énergies entre
les 2 niveaux sous forme d’un rayonnement qui peut être visible ou thermique.
3. BANDE DE CONDUCTION
Il existe des niveaux d’énergie pour lesquels l’électron quitte la bande de valence pour un niveau
permis supérieur appelé niveau de conduction. Leur ensemble s’appelle la bande de conduction.
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4. LES CONDUCTEURS
Dans les corps conducteurs de l’électricité la bande de
valence et la bande de conduction sont très proches et Niveau
s’interpénètrent. Chaque atome libère alors au moins un d’énergie Bande de
électron qui voyage dans le cristal : c’est un électron conduction
libre.
Si on relie les 2 bornes d’un générateur avec un
Bande de
conducteur, les électrons sont attirés par le pole + et
valence
repoussés par le pole -. Le déplacement d’électrons qui
en résulte constitue le courant électrique.
Bande de
valence
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III IV V
Bore (B) Silicium (Si) Azote(N)
Aluminium (Al) Germanium (Ge) Phosphore (P)
Gallium (Ga) Arsenic (AS)
Indium (In) Antimoine (Sb)
Si Si
+4 P +4
+5
Si
+4 Covalence
+ +
+ Ions positifs
+ Trous minoritaires
+
Electrons majoritaires
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Si
+4
Si B Si
+4 +3 +4
Covalence
Si
incomplète +4
Covalence
–
–
- Ions négatifs
–
Déplacement
Trous (majoritaires)
des trous
– –
Electrons (minoritaires)
semi–conducteur est de
type P
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II- LA JONCTION PN
1. Introduction
En fonction de leurs propriétés électriques, les semi-conducteurs (types P et N) peuvent être
assemblés pour constituer des composants électroniques.
Parmi les applications de base de l’électronique, l’assemblage de deux semi-conducteurs de type P et
de type N permet de créer la diode à jonction PN. Mais en observant les propriétés de ce composant,
on remarque que plusieurs phénomènes peuvent être mis à profit pour constituer des diodes
disposant de fonctions particulières. De même l’assemblage des deux types de semi-conducteurs
avec plus de deux jonctions permet de créer d’autres composants tels que le transistor…
2. La Jonction PN
Ei
La zone vide de porteurs libres est appelée zone de transition ou zone de déplétion. La ddp U P – UN
est appelée barrière de potentiel UB.
b) JONCTION PN POLARISEE
Polarisation directe
Une jonction est dite polarisée en directe si par l’intermédiaire d’un générateur extérieur, on porte
l’extrémité de la région P à un potentiel supérieur à celui de la région N. Cela revient à superposer au
champ électrique interne Ei un champ électrique E de sens inverse de Ei.
Le champ résultant Er est plus faible que Ei et peut même être de sens contraire à Ei. La barrière de
potentiel est donc abaissée ou annulée. Les porteurs majoritaires peuvent donc franchir la barrière
de potentielle. Un courant électrique appelé courant direct Id traverse les jonctions.
Ei
P Er N
Id
E
Polarisation inverse
Une jonction est dite polarisée en inverse si UN > UP. Le champ E électrique appliqué est de même
sens que Ei. Le champ résultant Er = Ei + E ; la barrière de potentiel est donc surélevée interdisant
tout affranchissement des porteurs majoritaires. Aucun courant ne peut circuler à travers les
jonctions sauf un courant inverse ou courant de fuite négligeable
Ei
P Er N Ii
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Caractéristique courant-tension
Le courant est une fonction de la tension lorsque celle-ci est positive et atteint Ei.
Le courant inverse Iinv (courant de fuite) garde une intensité très faible (négligeable) et
pratiquement constante lorsque la tension est négative et inférieure à U Z (tension de Zener).
Quand la tension inverse atteint UZ le courant commence à croître : c’est le claquage ou l’effet
Zener. Après le claquage suit l’avalanche : Le courant croit rapidement entraînant la destruction de
la jonction si un élément extérieur ne limite pas le courant.
La destruction est due à l’échauffement provoqué par le passage du courant. Le seuil de la tension
pour lequel se produit le claquage dépend du dopage en impureté du semi–conducteur.
UZ
Iinv Ei U
Claquage
Avalanche
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Pont de diodes
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a. Polarisation direct
• Dans le sens direct (iD et uD positifs), la diode est passante; la tension uD est faible (≈0,6V à 0,7V)
et le courant croît très rapidement avec la tension E;
E – UD – URP = 0 ; (UD = 0,7V)
b. Polarisation inverse
• Dans le sens inverse (iD et uD négatifs), la diode est bloquée; le courant est faible quelque soit la
tension (courant de saturation). ID = 0 et UDinv = E = tension inverse. (Diode bloquée………circuit
ouvert)
3. Influence de la température
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La conséquence est que le courant direct croît plus vite : Pour une diode au silicium, il double environ
tous les 10 °C. La tension directe (donc de seuil) diminue pour une diode au silicium, elle décroît
linéairement de 2 mV par °C.
En inverse, le courant augmente avec T.
La modification résultante de la caractéristique apparaît à la Figure 5.
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L’usage du modèle complet est rarement nécessaire. On simplifie la caractéristique par étapes
successives comme l’indique le Tableau 1.
Le premier modèle montre la conduction au-delà de la tension de seuil VD0 (source de tension
associée) et linéarise le fonctionnement en conduction par une résistance en série rD. Puis, peu à peu,
chacun des éléments est éliminé. On obtient finalement le modèle « deux segments » de la diode.
L’étude précédente met l’accent sur le fonctionnement statique, c’est à dire lorsque les grandeurs
tension et courant sont établies. Quand ces grandeurs évoluent dans le temps, la diode peut passer
d'un état à l'autre (par exemple de l’état bloqué, en inverse, à l’état passant, en direct). C’est le
fonctionnement en commutation.
Lors de la mise en conduction, le courant s’établit dans le circuit en apportant des charges qui sont
stockées au niveau de la jonction. Ceci procure une faible chute de tension en conduction. Mais en
contrepartie, leur évacuation ralentit la commutation lors de la phase de blocage. Ceci est
caractérisé par le temps de recouvrement trr.
6 fiche technique
Les fabricants de semi-conducteurs préparent des fiches techniques regroupées dans un manuel. Ces
fiches indiquent l’ensemble des caractéristiques des composants et comprennent généralement :
-une identification du composant (ex : diode 1N4002) ;
-une description du composant à l’aide d’un dessin coté ou d’une photographie ;
-les différentes caractéristiques électriques, thermiques et mécaniques présentées sous
forme de tableaux ou de courbes ;
-des schémas de quelques exemples typiques.
Les trois catégories de paramètres suivants sont bien définies :
-les limites absolues d’utilisation (maximum ratings)
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Ces paramètres difficilement mesurables par l’utilisateur doivent être considérés comme des
contraintes maximales d’utilisation dans un circuit.
-La tension inverse de crête répétitive VRRM : tension que peut supporter la diode à l’état
bloquée sans limitation de durée.
-La tension inverse de crête non répétitive VRSM : tension que peut supporter la diode à
l’état bloquée pendant un temps très court.
-Le courant direct moyen I0 : courant qui peut traverser la diode en permanence sans
limitation de durée.
-le courant direct de surcharge non répétitive IFSM : courant accidentel de très courte
durée qui peut traverser la diode.
-La température maximale de la jonction TJmax : température à laquelle une diode peut
fonctionner sans risque d’être détériorée.
Les caractéristiques électriques peuvent être mesurées par l’utilisateur. Le fabricant peut donner :
-Les caractéristiques maximales ou minimales qui sont des limites garanties ;
-la caractéristique typique qui est une moyenne pour l’ensemble d’une même pièce.
En général on y trouve :
-la chute de tension directe VF aux bornes de la diode lorsqu’elle est à l’état passant ;
-le courant direct maximum IF supporté par la diode en continu.
-la tension inverse maximale VRRM
-la résistance interne de la diode RD
-la puissance maximale Pmax
-le temps de recouvrement inverse (trr) et direct (tdt) : temps que met la diode pour passer
de l’état passant à l’état bloqué ou de l’état bloqué à l’état passant.
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8. Diodes spéciales
A côté du principe redresseur des propriétés secondaires sont mises à profit pour donner lieu à
d’autres types de diodes.
La diode ZENER est une diode à jonction pour laquelle la tension de claquage (d’avalanche) est connue
avec précision et l’effet d’avalanche est contrôlé et est non destructeur. Après le claquage, la
tension à ses bornes reste constante. Cette tension s’appelle <<tension de ZENER>> notée UZ.
Celle-ci est destructive pour la plupart des diodes. Mais l’effet Zéner permet le contrôle des
porteurs pour limiter le courant et assurer la réversibilité du processus (fig.6).
Sens direct
A K
Iz
Sens
inverse
Une diode Zener se polarise en inverse et présente à ses bornes, quel que soit le courant qui la
traverse, une tension quasiment constante appelée tension zener. Cette tension zener est toujours
marquée en clair sur son boîtier ( ex. BZX85C5V6). On y trouve des valeurs allant de quelques
dixièmes de volt à plusieurs dizaines voir centaines de volts.
URp
Iz
Rp
E
Dz Vz
Applications :
Les diodes Zener sont appréciées pour leur tension zener très stable. Ainsi, on les retrouve souvent
associées aux fonctions : référence de tension ; écrêtage de tension ; stabilisation (alimentation
continue de faible puissance).
Cette propriété est très utilisée dans des montages régulateurs de tension où l’on l’exploite comme
référence de tension.
Caractéristiques limites
.Le courant IZ : Courant qui peut traverser la diode sans dommage.
.La tension UZ : tension aux bornes de la diode quand elle est traversée par IZ.
.La puissance PZ : puissance maximale que peut dissiper la diode ZENER : PZ = UZ*IZ
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Ces diodes s’emploient dans les redresseurs rapides petits signaux (haute fréquence) et dans les
composants logiques rapides. Critère de choix : fréquence limite d’utilisation.
Quand la jonction de la diode est polarisée en inverse, la barrière de potentiel est renforcée. La
zone de charge d’espace apparaît comme un isolant entre les deux parties semi-conductrices : La
jonction se comporte comme un condensateur dont la capacité est fonction de la tension inverse.
Les diodes varicap sont des diodes à capacité variable. Cette diode se comporte comme un
condensateur dont la capacité varie suivant la tension inverse. La capacité diminue quand la tension
inverse augmente.
Application : modulation de fréquence (MF ou FM).
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Cet effet est obtenu avec une jonction créée avec des semi-conducteurs fortement dopés. La
conséquence s’apparente à un effet d’avalanche en direct. Le courant qui augmente rapidement puis
décroît et reprend sa croissance exponentielle (comme pour une diode classique).
Il en résulte la caractéristique représentée à la Figure 12. La portion où le courant décroît en
fonction de la tension est la partie utile (entre la tension de pic Vp et la tension de vallée Vv). On y
observe une conductance négative, linéarisée autour du point de repos (Vr, Ir). L’utilisation de la
zone autour de ce point nécessite une polarisation particulière qui permet de travailler en variations.
Cette résistance (ou conductance) dynamique est mise à profit dans les oscillateurs hautes
fréquences pour compenser la résistance d’un circuit LC due aux imperfections des éléments.
Si Vak > 0 sans courant préalable dans la gâchette, le thyristor est bloqué
(zone 2).
Si I<Ih le thyristor se bloque mais il faut appliquer une tension Vak négative pendant le temps de
recouvrement (tr) du thyristor pour que Vak puisse redevenir positive sans provoquer la remise en
conduction.
Pendant tr le thyristor peut conduire en inverse.
Limites électriques :
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11. Optoélectronique
Opto : photon, lumière, faisceau.
Ce sont des composants ayant un lien avec la lumière ou faisceau lumineux
* ils émettent une lumière visible ou invisible ou infrarouge quand ils sont alimentés ;
* ils conduisent le courant quand ils reçoivent un faisceau lumineux.
On utilise souvent l’abréviation LED (Light Emitting Diode) pour cet élément. Polarisées en direct,
ces diodes ont la propriété d’émettre un rayonnement visible (ou proche de cette bande) dont la
couleur dépend du matériau semi-conducteur utilisé (infra rouge pour l’arséniure de gallium –GaAs,
rouge, verte ou jaune pour le phosphure de gallium –GaP et bleue pour le nitrure de gallium –GaN). Si
la caractéristique tension-courant reste identique, on observe une tension de seuil plus élevée
(jusqu’à 2 V). Elles ne supportent pas les tensions inverses très élevées (jusqu’à 5 V).
DEL Tension de A
Méplat identifiant
polarisation
la cathode
Rouge 1.6V
jaune 2.2V Borne courte
K
vert 2.4V identifiant la cathode
bleu 3.0V symbole
Model physique
Caractéristiques
► Tension inverse maximale : 3V à 5V.
► I0 = 20 à 200 mA selon les models ; l’énergie lumineuse augmente linéairement avec l’intensité du
courant, à monter toujours avec une résistance de protection.
► Temps d’allumage et d’extinction presque instantanés, de 5ns à 1μs.
► Ne résiste pas aux choques, une chute d’un mètre peut être fatale.
► Tension de polarisation directe de la diode
Applications
o Voyants ou témoins lumineux
e
o Afficheurs 7 segments a
o Afficheurs alphanumériques a
f
Dans ce type d’afficheur chacun des segments f b
est associé à un DEL simple. Une combinaison de g b
g
ces segments permet d’obtenir un affichage
numérique ou alphanumérique. c
e c
d cathode
d
Les diodes à infrarouge ont la même présentation que les diodes électroluminescentes de couleur.
Elles se distinguent par leur boîtier transparent et incolore, souvent teinté en gris foncé.
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Comme l’œil humain ne perçoit pas son rayonnement, seul une photodiode ou un phototransistor peut
témoigner de leur fonctionnement. La tension de polarisation en sens directe se situe à environ
1.35V. Tout comme les LED, une tension inverse supérieur à 4V provoque sa destruction. Comme son
coût est assez élevé, on recommande fortement l’utilisation en série d’une diode de redressement
pour éliminer les courants inverses.
Les diodes à infrarouge servent non pas comme voyants, mais plutôt comme sources d’infrarouge
pour les dispositifs photo–électriques, de détection, de télécommande et même de transmission de
signaux.
Certains models haut de gamme sont pourvus d’une lentille de focalisation afin d’obtenir un faisceau
étroit de longue portée. L’avantage des commandes à infrarouge provient surtout de leur
indépendance vis-à-vis de la lumière ambiante.
Elles assurent la discrétion dans les applications comme les systèmes d’alarme.
La photodiode est une cellule photoconductrice à jonction. En mode de fonctionnement normal, elle
est polarisée en sens inverse. Dans l’obscurité, elle se comporte comme une diode de redressement
polarisée en sens inverse et bloque tout passage de courant. Au contraire lorsque la surface
photosensible devient éclairée, la résistance inverse de la photodiode diminue, ce qui se traduit par
le passage d’un courant appelé <<photo courant>>. Ce courant inverse réagit proportionnellement avec
l’intensité lumineuse.
i
symbole
R
DC D
Application :
-détecteurs de fumée
-différentes sortes de capteurs : intrusion, lecteurs de barres imprimées, triage
automatique de courrier…
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Avant le redresseur, on a presque toujours un transformateur qui sert à abaisser la tension secteur et à
isoler les montages du secteur.
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IV – LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
1. Définition
2. Constitution et symbole
Un transistor bipolaire est constitué par la juxtaposition de deux jonctions PN. La zone centrale aux
deux jonctions peut être du type P ou du type N. Il en résulte l’existence de deux types de
transistors bipolaires : le transistor NPN et le transistor PNP. Les trois zones sont de dopage
différent et correspondent aux trois bornes du transistor : la Base (B), le Collecteur (C) et
l’Émetteur (E).
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3. Principe fonctionnement
La flèche de l’émetteur indique le sens du courant et permet de différencier les deux types de
transistors. On peut associer six grandeurs électriques au transistor : trois courants (IB, IC et IE) et
trois tensions (VBE, VCE et VCB).
VCB IC -VCB IC
Avec IE = IB + IC et VCE = VCB + VBE IB IB
VCE
-VCE
VBE IE -VBE IE
5. Polarisation du transistor
Polariser un transistor, c’est l’alimenter de telle sorte à lui imposer un point de fonctionnement, en
régime continu, caractérisé par la définition des quatre grandeurs IB, IC, VBE et VCE. Le transistor
est alimenté par deux sources de courant continu :
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RC
RC
VCB IC
VCB IC
RB IB
RB IB -VCE
VCE -VCC
VCC
VBB -VBE
VBE -VBB
IE IE
dans la zone linéaire d’une caractéristique IC = f(VCE); on dit que le transistor est en
fonctionnement linéaire. On admettra que VBE = 0,7V.
dans la zone de saturation de la caractéristique IC = f(VCE) ; on dit que le transistor est
saturé et on a VCEsat = 0,2 à 0,3 V (voire VCEsat = 0). Ceci est causé par un courant de base
trop important.
Dans la zone de blocage de la caractéristique, si la tension VBE est trop faible, Ic tend vers 0. Le
transistor est alors bloqué. Et VCE=VCC
Considérons le montage ci-dessous : Lorsqu'on applique sur la base du transistor une tension V E à
travers une résistance RB, un Courant IB circule de la base vers l'émetteur. Un courant IC circule
alors du collecteur vers l'émetteur (IE = IC + IB) en transitant la jonction BC en inverse : c’est l’effet
transistor. On dit que ce type de transistor bipolaire est commandé en courant.
IC = βIB ; IC = α IE ; β = α /(1-α)
Transistor bloqué : jonction BE en inverse ou jonction BE en direct mais V BE < 0,7V (tension
de seuil de la diode Base –Emetteur) alors IB = 0 ; IC = 0 et VCE = VCC. Le modèle équivalent
est un interrupteur ouvert.
Transistor passant : jonction BE en direct et VBE=0,7V ; IB > 0 ; IC = βIB et VCE > 0. Le modèle
équivalent est un générateur de courant.
Transistor saturé : jonction BE en direct et VBE=0,7V ; IBsat > 0 ; ICsat = βIBsat et VCE = VCEsat =
0,2V. Le modèle équivalent est un interrupteur fermé.
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IC
ICsat
IC = IS*eVBE/VT ; VT = kT/q
IB
Fonctionnement Fonctionnement
bloqué Fonction. saturé
linéaire
Le fonctionnement d’un transistor est décrit par les courbes caractéristiques qui lient les grandeurs
électriques précédemment définies.
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6. Caractéristiques techniques
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Valeurs limites
VCE 150v
VBE 6v
IC 50A
IB 20A
PD 250W
TJ 200°C
Pour une température de jonction de 25°C, un VCE de 4v et un IC de 30A, le courant de base est
0,4A. Cela correspond à un gain statique de 30/0,4 = 75.
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Polariser un transistor consiste à lui fixer un point de fonctionnement bien défini dans la zone
linéaire ou une région précise des courbes caractéristiques afin de l’utiliser comme amplificateur,
commutateur ou autre, grâce aux résistances de polarisation et sources d’alimentation.
Il y a différents procédés de polarisation.
RC
7-1. Point de repos
Le point de repos ou point de fonctionnement du transistor IC VCE
UA
correspond à déterminer les grandeurs IB, VBE, VCE et IC
(notées aussi : IBo, VBEo, VCEo et ICo). UB RB
IB
DC VBE
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C’est l’ensemble de deux transistors montés tel que ci-contre, de façon à avoir une amplification
élevée et une puissance élevée. Déterminer l’amplification de l’ensemble.
IC T2 IE
C C
E
B T1: β1 élevée et Pt1 faible T1
T1 T1 = PNP de puissance
T2: β2 faible et Pt2 élevée
T2 T2 = NPN avec β2 élevé
Ic ≈ β1 β2 IB IB
Ic ≈ β1 β2 IB
B
E
9. Catégories de transistors
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Le transistor fonctionne en commutation si les deux seuls états de fonctionnement sont l’état saturé
et l’état bloqué. Il fonctionne comme un interrupteur. On dit que le transistor fonctionne en « tout
ou rien». Ce mode de fonctionnement est aussi appelé digital ou binaire. Par sa capacité
d’amplification le transistor peut commander une puissance importante en ayant recours seulement à
une faible quantité d’énergie de commande (dissiper moins de puissance).
Le générateur de commande délivre des signaux en créneaux qui saturent et bloquent
périodiquement le transistor.
IC
Transistor bloqué : IC = 0, VCE = UA RC
B
Bilan des puissances VCE
Etat bloqué : Pe = VBE * IB = 0 VB
Ps = RC * IC2 = 0 U E
Ps = RC * IC2 UE
= RC (UA / RC)2
= UA2 / RC VBE
La puissance dissipée dans le transistor :
Pt =VCesat * ICsat ≈ 0 car VCesat ≈ 0
VCE = UA
Le transistor en commutation est appelé
interrupteur commandé.
URC = UA
C
C
IB= IBsat Exemple1
IB=0
B B
E E R1
Transistor bloqué Transistor saturé
VCC
R2 18V
Exemple 2 : bascule Astable
R3
US
UA Ue
11-1. Définition
Un système amplificateur est un montage électronique qui délivre à sa sortie le même signal qu’à
l’entrée avec une puissance plus élevée.
Le signal de sortie Vs a même fréquence que le signal
Système
Ve Vs d’entrée Ve ; Vs ne doit pas être déformée (distorsion)
amplificateur
Le transistor est un amplificateur puis que le courant d’entrée Ib est amplifié en un courant Ic, β
fois.
L’un des principaux intérêts du transistor bipolaire consiste à faire varier ses différents paramètres
électriques autour du point de fonctionnement ; on parle alors de fonctionnement dynamique.
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v BE
h12e iB 0 ; IC = IS*eVBE/VT ; VT = kT/q
vCE
Sur les fiches signalétiques, les chiffres sont remplacés par des lettres :
11 i: (input); 21 f: (forward)
hie hre
22 o: (output); 12 r: (reverse) D’où hije .
e: common emitter h fe hoe
h11= r : résistance d’entrée
h12 : très faible (= 0)
h21= β : gain en courant
h22= 1/ρ très faible d’où ρ (résistance de
sortie) très élevée
ib ic
B βib C
r
vbe
uce
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Les paramètres Y
Ce modèle est aussi bien utilisé en basse fréquence comme en haute fréquence.
b- Schéma équivalent :
L’amplificateur est donc un circuit linéaire qui fonctionne en régime de petits signaux. C’est un
quadripôle linéaire qui, par analogie avec le transistor, peut être substitué par un schéma
équivalent. Figure VI-2 et figure VI-3.
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R1 RC
C2
C1
RL
Rg
R2 CE
eg RE
Schémas en dynamique
Rg Rg ib ic
RC io
RL 1/hoe
eg RB hie β.ib RC RL vo
eg vi
R2//R1
; ; avec
Gain en tension composite :
;
- Gain en courant :
;
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R1
C1
C2
Rg Rg
vi R2 RE RL vi RB RE RL
eg vo eg vo
Gain en courant :
; ;
.
- Impédance d’entrée : ;
- Impédance de sortie : .
R1 RC C2
En dynamique, la base est reliée à la
masseR
g
C1 Rg
RL
vo eg RE RC RL
CB
R2 RE
eg vi
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Alimentation
Pf
Pe Ps
Entrée Ampli. de puissance Sortie
Pd
Pf : puissance fournie par l’alimentation,
Pe : puissance reçue à l’entrée de l’ampli.,
Ps : puissance restituée en sortie de l’amplificateur,
Pd : puissance perdue par échauffement dans les composants.
Amplification en puissance :
Gain en puissance :
Conservation de puissance :
Rendement : .
Le rendement est une caractéristique très importante de l’amplificateur de puissance. Les
puissances Ps et Pf ne doivent être trop différente.
Par convention le 0 dB correspond à une tension de 0,774V appliquée à une résistance de 600Ω
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A : classe A
B : classe B
AB : classe AB
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Rendement : .
Pu = puissance utile de sortie
Pf = puissance fournie par la source continue
B.5.2 La classe B
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Autres raisonnements
si
Note : au repos.
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Une telle méthode de polarisation permet à la classe AB de fonctionner en classe A pour les
signaux de faible amplitude puis de se comporter comme un amplificateur de classe B pour
les signaux de forte amplitude.
Tout comme pour les amplificateurs de classe B, les amplificateurs de classe AB sont
souvent utilisés en configuration push-pull afin de diminuer le taux de distorsion lors de
l'amplification de signaux de forte amplitude.
Le principal inconvénient des push-pull de classe AB survient lorsque l'on amplifie des
signaux de forte amplitude : une partie du signal est amplifiée par deux transistors (zone de
fonctionnement en classe A) tandis que le reste du signal est amplifié par un seul transistor
(zone de fonctionnement en classe B).
Ainsi, le gain en courant du montage n'est pas constant au cours d'un « cycle »
d'amplification. Cette variation du gain en courant engendre des distorsions hautes
fréquences lors du passage entre la zone où deux composants amplifient le signal et celle où
un seul composant l'amplifie.
Pour un montage à émetteur commun, une polarisation en classe C signifie que la tension de
repos a été choisie inférieure à la tension seuil de conduction du transistor. Ainsi, le signal
ne sera pas amplifié tant qu'il ne porte pas la tension base-émetteur du transistor au-dessus
de sa tension limite de conduction (voir figure ci-dessus).
Les amplificateurs de classe C sont plus couramment utilisés dans les émetteurs radio, où le
taux de distorsion peut être réduit grâce à l’utilisation d’une charge accordée dans
l’amplificateur. Le signal d’entrée est utilisé pour faire commuter le composant actif de
passant à bloqué. Cette tension pulsée crée un courant à travers un circuit accordé. Le
circuit accordé ne résonne que pour une gamme de fréquences, éliminant ainsi les
fréquences non désirées. Le signal désiré (une sinusoïde) est alors transmis à la charge
accordée. Si la gamme de fréquences à amplifier n’est pas très importante, ce genre de
système fonctionne correctement. Les derniers harmoniques résiduels peuvent être
éliminés à l’aide d’un filtre.
Les amplificateurs de classe C sont utilisés pour réaliser des amplificateurs ultrasoniques,
hautes fréquences sélectifs et micro-ondes ainsi que des oscillateurs hautes fréquences. Les
amplificateurs de classe C sont aussi utilisés pour réaliser des multiplicateurs de fréquence.
Classe A B ou AB C D
Avantages - un seul transistor - 2 transistors - un seul - 2 ou 4 transistors
- distorsion quasi - rendement transistor fonctionnant en
nulle compris entre 0,6 - rendement > tout ou rien,
et 0,7 0,7 - rendement élevé >
0,9
Inconvénients - rendement très montage push utilisation bande - nécessite un filtre
faible pull avec étroite de sortie passif
- consommation distorsion et point élaboré
permanente de repos difficile à - distorsion non
stabiliser optimale
Applications ampli de faible - ampli audio, - ampli sélectif - ampli audio,
puissance (<1W) - étage de sortie - multiplieur de - pilotage de moteur
d'AOP fréquence
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V- Applications pratiques
Sources de références
V-1 Sources de tension :
- Rôles et caractéristiques ;
- Montages à diodes Zener, diode Zener et transistor, régulateurs intégrés de
tension.
1- Principe
Un générateur de tension constante débite une tension constante quel que soit la charge.
L’application la plus courante des circuits à diodes est l’alimentation.
Tout montage électronique nécessite une alimentation continue. Lorsque la puissance
nécessaire est faible, on peut utiliser des piles ou des accumulateurs. Au-delà de quelques
watts, il faut prélever l’énergie du secteur à l’aide d’un convertisseur alternatif-continu.
On distingue deux types d’alimentation :
- les alimentations à régulation linéaire,
- les alimentations à découpage.
Dans la suite, nous nous intéresserons aux alimentations à régulation linéaires.
- Abaisser : permet de passer d'une tension sinusoïdale de valeur élevée à une tension de
même forme mais de valeur plus faible.
- Redresser : ne garde que la partie positive (ou négative) de la sinusoïde d'entrée.
- Lisser : cette fonction a pour rôle de maintenir la tension de sortie supérieure à une
certaine valeur.
- Réguler : La tension de sortie de cette fonction doit être constante quel que soit le courant
demandé.
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La diode branchée en parallèle inverse sur les régulateurs permet la décharge des
condensateurs à l'arrêt, sans passer par les circuits internes des régulateurs, qui pourraient
être endommagés sans cela.
c- Le LM 317
C'est un circuit intégré, régulateur de
tension positif ajustable de 1,2 V à 37
V avec un courant maximum de 1,5 A.
Il faudra simplement la tension
différentielle (entre l'entrée et la
sortie) qui devra être comprise entre
3 V mini et 40 V maxi.
Le brochage et le schéma de montage
sont donnés dans la figure ci-dessous
:
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Exemple : En prenant R1=240 ohms et R2=5 kΩ, Us pourra varier entre 1,25V et 28V pour Ue
comprise entre 31 et 41V.
Le LM337 est identique au LM317 mais fournit une tension négative.
d- stabilisation en tension
Tension de sortie : US
US = UZ – VBE
UZ = constante IC IC + IB
US = constante
IS
VBE = constante RP
VBE
IB
Courant de sortie : IS
RC
UA US
IS = IB + IC = IB + βIB = IB (1+β)
Uz
Puissance de sortie : PS
PS = US * IS
Application numérique IS
RP VBE
Calculer la puissance de sortie, la puissance 200Ω 0.7V
dissipée dans le transistor et le rendement UA
IB
US
RC
30V 10V
Uz
10.7V
Conclusion
-La puissance dissipée dans le transistor est très élevée
-Le rendement est très faible
Pt = (UA – US)*IS le seul moyen de diminuer la puissance P t dissipée dans le transistor ballast est
de réduire l’écart (UA – US) mais (UA – US) doit être assez grand pour que ni les fluctuations du
secteur ni les crêtes minimales des ondulations ne puissent amener U S en dessous de la valeur
imposée.
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Les transistors de puissance ont un β faible et les transistors ayant un β élevé sont de faible
puissance. Or un ballast prévu pour une alimentation doit avoir à la fois un β élevé et une forte
puissance. Ces 2 conditions contradictoires sont réunies dans le montage DARLINGTON.
C IC IE E
T2 IC IE E
C
T1 IB
B
IB
B T1: β élevée et Pt faible
T2: β faible et Pt élevée
Ic = β1 β 2 IB
C IC IC
IE IE
T2 C E
E
T1 IB
T1 = PNP de puissance B
T1 = NPN avec β élevé
IB
Ic = β1 β2 IB
B
e- Limitation d’intensité
Si la charge branchée à la sortie à une résistance inférieure à une certaine limite, PT augmente et
l’échauffement qui en résulte détruit le ballast. Cela devient évident si la sortie est court-circuitée.
PT = (UA – US)*IS
PT =(UA – US)* √PS/RC
IS = √(PS/RC)
si RC √(PS/RC) PT
Il faut alors limiter le courant I S. Le schéma ci- dessus montre un moyen très simple pour limiter le
courant. r
IC IC + IB ≈ IS La résistance r est ajustée de telle
T2
IS manière que lorsque l’intensité
RP VBE2 VBE1
maximale est atteinte la tension à
IB
T1 RC
ses bornes soit juste supérieure à la
tension de seuil de la base de T1.
UA US
Uz VBE1 = ISmax * r
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Pour la conception des alimentations régulées simples on fait recourt aux régulateurs intégrés qui
offrent une facilité de montage. Ils sont munis de trois bornes :
E = entrée, S = sortie, R = référence.
78XX
-UE
-US
D1
UE
US
D1
79XX
D2
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F
78XX
UE
US
D1
C1 C3 C5
INT
-UE
-US
D1
TR redresseur C2 C4 C6
79XX
D2
int fusible D1 D2 r
RP T1
C
US
220V
TR T3
D3 D4 DZ
0V
7812
12V
int fusible D1 D2
C
US
220V
TR D3 D4
0V
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Un générateur de courant constant débite un courant constant quel que soit la charge.
Conclusion :
URE = ---------------------------------- DZ
VBE
L’intensité régulée :
I0 =------------------------------------
La tension limite UE
IS = I0
UL = -----------------------------------
R
La charge limite
RCL =----------------------------------- RC US
Avantages de ce montage :
La diode Zéner stabilise mieux la tension de base du transistor
donc I0 est plus constant quand RC varie.
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VBE1
VBE2
RE1 RE2
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