Chapitre 2

Propriétés électroniques et optiques des semi-

conducteurs

1. Rappels sur la structure de la matière

1.1. Structure de l’atome

L’optoélectronique s’intéresse aux composants et techniques permettant l’émission ou la

réception de signaux lumineux par des systèmes électroniques. Elle exploite
essentiellement les phénomènes d'électroluminescence dans les semi-conducteurs pour les
photo-émetteurs et les phénomènes en quelque sorte inverses pour les photo-récepteurs.

L'électroluminescence, phénomène par lequel une excitation électrique donne lieu à l'émission
d'une radiation électromagnétique, fût constatée voilà plus de 70 ans, mais son explication
donnée bien plus tard sur la base d'une théorie des semi-conducteurs et par la recombinaison
radiative des porteurs de charges injectés au voisinage d'une jonction PN.

Parallèlement au développement des émetteurs, la technique des semi-conducteurs a permis

de réaliser des photo-récepteurs présentant des caractéristiques en parfaite concordance avec
les émetteurs et de concevoir des associations opto-électroniques de qualité.

2. Structure de bandes des semi-conducteurs

Un atome d'un élément donné présente donc des niveaux d'énergie bien définis auxquels on
peut associer des fonctions d'onde bien définies. Il en est de même dans un solide cristallin où
les atomes sont arrangés selon un réseau triplement périodique. Les électrons occupent alors
des niveaux d'énergie bien définis correspondant à des modes de propagation également bien
définis. Ces niveaux sont extrêmement proches les uns des autres et sont regroupés en
bandes appelées bandes d'énergie permise. Le nombre de niveaux par bande est proportionnel
au nombre d'atomes dans le cristal : environ 10 22 atomes/cm3 pour un cristal de silicium. Les
bandes d'énergie permise sont séparées par des zones appelées bandes interdites où il n'y a
pas de niveau d'énergie permise.

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 Chapitre 2 - Propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs

Variation des niveaux d'énergie en fonction de la période du réseau pour une rangée d'atomes
d'hydrogène; on notera la formation de bandes permises et de bandes interdites.
A mesure que les atomes se rapprochent, le couplage entre eux augmente et les niveaux
d'énergie se décomposent. Le problème est analogue à celui du couplage d'une série
d'oscillateurs électriques ou mécaniques

3. Notions sur les bandes d'énergie

Approche qualitative de la notion de bandes d’énergie dans les solides
● Lors de la formation du solide le rapprochement des atomes modifie le nombre des niveaux
d’énergie disponibles pour les électrons autour du noyau. l’influence des atomes les uns sur les
autres tend à modifier les niveaux d’énergie. Les électrons voient leur niveaux d’énergie non
plus distribués sur des états discrets mais plutôt sur des « bandes » discrètes d’énergie
comme le montre la figure ci-dessous, séparées par des bandes interdites.

Figure 2.1 : R

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 Chapitre 2 - Propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs

Aux couches les plus proches du noyau qui sont saturés pour l’atome isolé correspondent
ainsi des bandes saturées pour l’état solide. A l’intérieur de ces bandes, tous les niveaux
énergétiques sont occupés et aucun électrons supplémentaire ne peut y pénétrer.
La première bande présentant un réel intérêt est la bande de valence qui correspond aux
électrons de valence. Cette bande est généralement saturée mais ses électrons peuvent en
sortir plus ou moins facilement suivant la nature du solide.
de conduction; elle est suivant les
cas vide ou incomplète.
d’énergie Eg entre la bande de conduction et la bande de valence, appelée
largeur de la bande interdite, détermine le comportement électrique du corps.
● Un isolant est un corps dont la bande de valence est saturée alors que la bande de
conduction est entièrement vide ces deux bandes étant séparées par une bande interdite ou «
gap » de valeur Eg supérieure à 6 eV.

Figure 2.1 : R

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 Chapitre 2 - Propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs

4. Génération et recombinaisons des porteurs

4.1. Génération de paire électron-trou

Quand on éclaire un semi-conducteur à l’aide d’un faisceau lumineux tel que l’énergie du
photon satisfait la condition ℎ𝜈 ≥ 𝐸𝑔 = 𝐸𝐶 -𝐸𝑉 , on va exciter un électron de la bande de valence
qui passe vers la bande de conduction. On dit qu’il y a une génération d’une paire électron-
trou : c’est l’effet photoélectrique.
Cette génération n’est possible que si :
ℎ𝜈 ≥ 𝐸𝑔
etcomme :
𝐸𝑔 = ℎ𝜈0 = ℎ𝑐/𝜆0
Alors

ℎ𝑐 ℎ𝑐
≥
𝜆 𝜆0
Ce qui donne : 𝜆 ≤ 𝜆0
𝜆0 : est appelée longueur d’onde –seuil de génération- elle est donnée par :
ℎ𝑐
𝐸𝑔 = ou𝜆0 (𝜇𝑚). 𝐸𝑔 (𝑒𝑉) = 1,24
𝜆0

Remarque:
1- Si λ> 𝜆0 le photon traverse la matière sans perdre son énergie, on dit que le matériau
est transparent.
2- Absorption : l’absorption d’un flux lumineux dans un matériau suit une loi exponentielle,
si 𝛷0 est le flux envoyé 𝛷(x=0)), alors 𝛷(𝑥) = 𝛷0 𝑒 −𝛼𝑥

4.2. Recombinaisons des porteurs

Inversement, un électron de la bande de conduction (𝐵𝐶 ) peut retomber spontanément dans la

bande de valence (𝐵𝑉 ) (dans un état vide) en cédant un photon d’énergie ℎ𝜈 : C’est le
phénomène de recombinaison. L’énergie libérée lors de la recombinaison s’écrit :

ℎ𝜈 = 𝐸𝑔 = 𝐸𝐶 −𝐸𝑉
C’est l’effet électroluminescent.

La longueur d’onde émise est une caractéristique du matériau :

ℎ𝑐
𝜆0 =
𝐸𝑔
Il existe deux types de recombinaisons : radiative et non radiative.

4.2.1. Recombinaisons radiatives

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Pendant les recombinaisons radiatives, il y a émission photonique (émission de photon).Pour

ce genre de recombinaison on distingue :

a. Recombinaison bande à bande

C’est la recombinaison directe : un électron de la bande de conduction se recombine avec un

trou de la bande de valence.

b. Recombinaison excitronique

L’excitant est représenté par un électron peu lié, il faut lui fournir très peu d’énergie pour qu’il
devienne libre et l’énergie de recombinaison est légèrement inférieur à 𝐸𝑔 .

c. Recombinaison par l’intermédiaire des centres donneurs ou accepteurs

A basse température, un nombre d’atomes donneurs peuvent être encore neutre quand la
température augmente un peu, l’électron quasi-libre de centre donneur, au lieu de monter vers
la bande de conduction, il descend vers la bande de valence et se recombine avec un trou avec
l’émission d’un photon.

d. Recombinaison due aux centres isoélectroniques (complexes d’impureté)

On appelle impureté iso électronique des atomes (ou des molécules) qui ont la même valence
que l’atome (ou la molécule) qu’il remplace.

Ils n’ont par contre ni le même diamètre, ni la même électronégativité. Si électronégativité

d’un complexe est plus faible que celle des atomes du cristal, le complexe peut capter des
électrons ; dans le cas contraire il capte des trous.

4.2.2. Recombinaisons non radiatives

Ce sont des recombinaisons qui se font sans émission de photon, mais, avec émission de
phonons (particules fictives qui correspondent à la vibration du réseau et se dégage en
chaleur).On distingue :

a. Recombinaison Auger

Cette recombinaison se fait par transition direct : Bande à bande, ou par un centre de
recombinaison, cette recombinaison fait intervenir 3 particules : c’est-à-dire que la
recombinaison d’une paire électron-trou va libérer une énergie Eg = hν qui servira à exciter un
3ème porteur qui va passer vers les vallées d’énergie supérieures. Quand ce 3ème porteur
relaxe (revient à l’état initial), il y a émission de phonons (chaleur) qui va échauffer le semi-
conducteur.

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b. Recombinaison par l’intermédiaire d’un centre H-S-R (Sockley-Read-Hall)

Ce phénomène intervient surtout dans les semi-conducteurs à gap indirect tel que le
Silicium.En effet la présence d’impureté dans le silicium entraine l’existence de niveau
énergétique dans la bande interdite qui se comportent comme des centres de recombinaison
ou de centre de piégeage porteurs.

Ces centres interceptent les électrons de la bande de conduction dans son trajet vers la bande
de valence et la recombinaison électron-trou se fait par émission de phonons d’énergie égale à
𝐸𝑔 , (émission de chaleur).

Les niveaux énergétiques supplémentaires se trouvent dans la bande interdite et on les note
𝐸𝑇 , on a trois type de centre de recombinaison.

- Centre piège à électron : Ce niveau est voisin de bande conduction (probabilité de capture
d’un 𝑒 − est supérieur à celle capture d’un trou).
- Centre piégé à trou : il se trouve près de la bande de valence et la probabilité de capture
d’un trou est supérieure à celle de capture d’un électron.
- Centre de recombinaison : où la probabilité de capture d’un électron est voisine à celle de
capture d’un trou, conduisant au processus de recombinaison indirecte.

5. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

Ce mécanisme s’effectue dans un gaz d’atome, et on considère que l’atome a seulement 2

niveaux d’énergies.

Lorsqu’une onde électromagnétique entre en itération avec un atome, celui-ci prélève une
énergie 𝐸2 − 𝐸1 à l’onde, pour que l’un de ses électrons passe de niveau 1 (appelé fondamental)
au niveau 2 appelé excité.

5.1. Statistique de Boltzman

La statistique de Maxwell-Boltzmann est une loi de probabilité ou distribution utilisée

enphysique statistique pour déterminer la répartition des particules entre différents niveaux
d'énergie.
𝑛1
= 𝑒 −(𝐸1 −𝐸2)
𝑛2

n1 : est le nombre des électrons au niveau 1.

n2 : est le nombre des électrons au niveau 2.

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Remarques

- A l’équilibre E1 < 𝐸2 ce qui implique que n1 > n2 c’est-à-dire que niveau le plus bas est plus
rempli par rapport au niveau haut.
- Transition : il s’agit d’un phénomène d’émission ou d’absorption.

5.2. Absorption
La transition du niveau E1 à E2 se fait par l’absorption d’un photon de fréquence convenable.

Figure 2.1 : R

On suppose qu’on a un gaz d’atomes n1 +n2 , et on s’intéresse aux photons dont

E2 − E1 = hν

Le nombre d’atomes passés du niveau E1 au niveau E2 sous l’effet de l’énergie Uν est :

𝑑𝑛1 = −𝐴𝑛1 𝑈𝜈 𝑑𝑡

A : Probabilité d’absorption, c’est une caractéristique du milieu.

n1 : Nombre d’atomes présents dans l’état fondamental E1

Uν : Densité spectrale volumique d’énergie

dt : Temps d’interaction

5.3. Emission
La transition de E2 à E1 peut avoir deux origines : d’émission spontanée ou d’émission stimulée.

5.3.1. Emission spontanée

On parle d’émission spontanée lorsque le processus de recombinaison radiative est
entièrement aléatoire : quand l’électron passe au niveau E2 et l’énergie s’écoule, il retombe (on

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 Chapitre 2 - Propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs

a retour spontané) et les photons émis le sont à des instants indépendants, et ne présentent
aucune sorte de corrélation entre eux.

Figure 2.1 : R

Le nombre d’électrons qui passent de E2 à E1 spontanément :dn2 = −B1 n2 dt

B1 : Probabilité d’émission spontanée

n2 : Nombre d’électrons dans le niveau 2

5.3.2. Emission stimulée

Un photon possédant une énergie hν égale à celle de la largeur de la bande interdite Eg est
susceptible d’induire une transition radiative, avec production d’un second photon de même
fréquence 𝛎 et par conséquent de même énergie hν que le photon inducteur. De plus, le photon
induit possède la même phase que le photon inducteur. Ce processus constitue l’émission
stimulée c’est la base du fonctionnement des Lasers.

Le nombre d’électrons qui passent de E2 à E1 sous l’effet d’une excitation :

dn2 ′ = −B2 n2 Uν dt

B2 :Probabilité d’émission stimulée

n2 : Nombre d’électrons dans le niveau 2

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 Chapitre 2 - Propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs

Figure 2.1 : R

Pour qu’un ensemble d’atome reste en équilibre il faut que le passage au niveau haut
s’équilibre avec ceux du retour au niveau bas :

dn1 = dn2 + dn2 ′

En remplaçant−An1 Uν dt = −B1 n2 dt − B2 n2 Uν dt
n1
On peut déduire :B1 = (A − B 2 ) Uν
n2

hν
n1
D’après les statistiques de Boltzman : = e−(E1−E2 ) = eKT
n2

Et on a :

8πhν3 1
uν (T) =
c3 hν
eKT −1

On remplace

hν 8πhν3 1
B1 = (AeKT − B2 )
c3 hν
e KT −1

Si T tend vers l’infini (∞), on aura : B1 = (A − B2 ). ∞

Pour éviter la solution non triviale il faut que : A − B2 = 0

Ce qui donne : A = B2 (Probabilité d’absorption =probabilité d’émission stimulée)

Et on déduit :

8𝜋ℎ𝜈 3
𝐵1 = 𝐴.
𝑐3

5.3.3. Propriétés de l’émission spontanée et l’émission stimulée

On a :

dn2 −B1 n2 dt hν
′ = = eKT − 1
dn2 −B2 n2 Uν dt

Lorsque
hν
 ≪ 1 cas des Radiofréquences
KT

dn2 hν
≈ ≪1
dn2 ′ KT

Dans ce cas : dn2 ≪ dn2 ′

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 Chapitre 2 - Propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs

L’émission stimulée est plus importante que l’émission spontanée.

hν
 ≫ 1cas du visible
KT

Dans ce domaine, l’émission spontanée est plus importante que l’émission stimulée.

5.3.4. Durée de vie moyenne dans un état excité

Prenant l’expression Le nombre d’électrons qui passent de E2 à E1 spontanément :

dn2 = −B1 n2 dt

dn2
= −B1 n2
dt

La solution de cette équation différentielle est de la forme :

𝑛2 = 𝑁2 𝑒 −𝐵1𝑡

n2 : Le nombre d’électrons passé au niveau bas spontanément.

Nous avons l’expression du flux des photons

t
∅ = ∅0 e−τ = n2 . hν

Par analogie :

1
B1 =
τ

τ : la durée de vie moyenne dans un état excité.

6. Composants d'optoélectroniques

Une multitude de variantes de composants optoélectroniques envahit le marché. Les

photoémetteurs, photodétecteurs, fibre optique, LED, DL, afficheurs LCD……..et qui seront
détaillés dans les chapitres qui suivent.

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