Cours D'electronique Des Composants Bon

REPUBLIQUE DU CAMEROUN
Ministère de l’Enseignement Supérieur
Support de cours
Electronique des composants
Destiné aux :
3éme licence ingénieur en Réseaux et Télécommunications et science de l’ingénieur.
Par
Dr. MATANGA Jacques
Année universitaire 2020 / 2021

Chapitre I : Introduction à la physique des composants électroniques
I.1. Introduction………………………………………………………..…………………... 2
I.2. Représentation des grandeurs………………………………………………………….. 2
I.2.1. La représentation analogique………………………………….…………… 2
I.2.2. La représentation numérique…………………………………….………… 3
I.3. Domaines d’application………………………………………………………...……… 3
I.4. Matériaux en électricité…………………………………………………………...…… 4
I.5. Champ électrique et différence de potentiel…………………………………………… 4
I.6. Courant électrique……...………………………………………………………………. 4
I.7. Effet Joule……………..…………………………………………………….................. 5
I.8. Lois fondamentales………………………..…………………………………………… 5
I.8.1. Loi des mailles…………………..……………………………….………… 6
I.8.2. Loi des noeuds……………………..……………………….……………… 6
I.9. Générateurs idéaux……………………………..……………………………………… 7
I.9.1. Générateur de tension idéal…………...…………………………………… 7
I.9.2. Générateur de courant idéal……………….……………………………….. 8
I.9.3. Groupement en série de deux générateurs (réels) ………………………… 8
I.9.4. Groupement en parallèle de deux générateurs (réels) …………………… 9
I.9.5. Modélisation d’un dipôle linéaire quelconque...…………………………... 9
I.9.6. Modélisation d’un générateur linéaire………...……….…………………... 10
I.10. Pont diviseur de courant….………….………………………..……………...….…….. 11
I.11. Pont Diviseur de Tension….…………………………………..……………................. 11
I.12. Théorèmes de Thévenin et de Norton…………….……..……………………………... 12
I.12.1. Théorème de Thévenin….…………………………………..……………... 12
I.12.2. Théorème de Norton….....…………………………………..……………... 12
I.12.3. Equivalence entre représentations de Thévenin et Norton……...…..……... 12
I.13. Théorème de superposition………………………………………….………...……… 13
I.14. Transformation triangle ⇔ étoile……………………………………………….…… 13
I.15. Classification des dipôles…………………………………………………….………... 13
I.15.1. Dipôles actifs et passifs………….……………………………….………... 13
I.15.2. Dipôles symétriques……………………………………………….………. 14
I.15.3. Dipôles linéaires…………………………………………………….……... 14
Chapitre II : Conduction électrique dans les solides
II.1. Rappel sur la structure atomique des isolants et des conducteurs……………………... 16

II.2. La structure de l’atome……………………………………………….……………....... 16
II.3. Notions sur la théorie des bandes d'énergie dans les solides…….….……………......... 17
II.4. Isolants, Semi-Conducteurs, Conducteurs………………………………………........... 18
II.5. Phénomènes de transport de charge dans les semi-conducteurs……………..…............ 19
II.5.1. Rappels sur le phénomène de conduction dans un métal…………….......... 19
II.5.2. Densité de courant………………………………………………………..... 19
II.6. Interprétation de la conduction électrique dans les métaux…………..………………... 20
II.7. Conduction par électrons et par trous………………………….…………………......... 21
II.8. Différents types de semi-conducteurs………………………………..……………........ 21
II.8.1. Semi-conducteur intrinsèque…………….……………………………........ 21
II.8.2. Semi-conducteur extrinsèque……………………………….…………....... 21
II.9. Conduction dans les semi-conducteurs……………………….……………………....... 23
II.9.1. Mobilité……………………………………...…………………………...... 23
II.9.2. Loi d’Ohm…………………………………..…………………………....... 23
II.10. Jonction PN…………………………………………………………………………...... 23
II.10.1. Jonction PN à l’équilibre thermodynamique…………………………......... 23
II.10.2. Jonction polarisée en direct……………………………………………....... 25
II.10.3. Jonction polarisée en inverse…………………………………………......... 26
Chapitre III : Composant Passifs
III.1. Définition des composants passifs………………………………….………………...... 28

III.2. Les types de composants passifs……………………………………………………..... 28
III.3. Résistance……………………………...……………………………………………..... 29
III.3.1. Modèle d’une résistance parfaite…..…………..………………………....... 30
III.3.2. résistivité (ρ) …………………..……………..…….…………………….... 30
III.3.3. Résistance de fils conducteurs……………………….…………………...... 31
III.3.4. Résistances techniques………………………………….………………..... 31
III.3.5. Le marquage des résistances………...…………………………………....... 32
III.3.6. Les résistances variables….……………………………….……………...... 33
III.4. Les condensateurs………………………………………………………...…………... 34
III.4.1. Définition de la capacité…………………….…………………………..... 34
III.4.2. Modelé d'un condensateur parfait…..………………………..………........ 34
III.4.3. Relation (V-I) pour un condensateur parfait…………….…..………......... 35
III.4.4. Charge du condensateur……...…….…………………………………...... 36
III.4.5. Décharge du condensateur……………………………………………....... 37
III.4.6. Modèle électrique des condensateurs réels………………………….......... 38
III.5. Les bobines……………………………….………………………………………….... 39
III.5.1. Inductances…………….………………………………………………....... 39
III.5.2. Réponse d’un dipôle RL à un échelon de tension………..……………....... 40
III.5.3. Filtres passifs……………………….…………………………………….... 41
III.5.4. Composants de protection contre des surcharges….....………………......... 42
III.5.5. Noyaux de ferrite……………...…………………………...……………..... 43
III.5.6. Encodeurs rotatifs……………..……………………………...…………..... 43
III.5.7. Haut-parleurs……………………………………………………………..... 43
III.5.8. Composants de microphone………...…………………………..………..... 44
III.6. Les applications nécessitent des composants passifs……..…………………….…....... 44
Chapitre IV : Composant actifs
IV.1. Diode à jonction PN……………………………..……………….…….…………….... 46

IV.1.1. Constitution – Symbole………………………...…….…….…………….... 46
IV.1.2. Caractéristique statique tension–courant……..…………….…………….... 46
IV.1.3. Association de diode………………...………………………………...…… 47
IV.1.4. Redressement…………………...…………………….…….…………….... 48
IV.1.4.1. Définition……………………….……….…….…………….... 48
IV.1.4.2. Redressement simple alternance…..…….…….…………….... 48
IV.1.4.3. Redressement double alternance à deux diodes………....…… 49
IV.1.4.4. Redressement double alternance à pont de Graetz………….... 50
IV.1.5. Modèle de la diode Zener…………………………….…….…………….... 51
IV.1.6. Autres types de diodes……………….……………….…….…………….... 52
IV.1.6.1. Diode Tunnel………...………………….…….…………….... 52
IV.1.6.2. Diode Varicap…………………..……….…….…………….... 53
IV.1.6.3. Diode Schottky………………………….…….…………….... 53
IV.2. Les Transistors………………………………………...………….…….…………….... 53
IV.2.1. Transistor bipolaire……..…………………………….…….…………….... 54
IV.2.1.1. Mode de fonctionnement………………..…….…………….... 55
IV.2.1.2. Effet Transistor………………………….…….…………….... 57
IV.2.1.3. Transistor monté en Emetteur commun……………………… 57
IV.2.2. Le Transistor MOS……………………..…………….…….…………….... 58
IV.2.3. Transistor à effet de champ (TEC ou FET) ………………..…………….... 59
IV.2.4. Le Transistor IGBT……………………….………….…….…………….... 59
IV.3. Circuits intégrés………………………………………….…………….…….………… 60
IV.3.1. Définition………………………………….………….…….…………….... 60
IV.3.2. Degré d’intégration des circuits intégrés………………..….…………….... 61
IV.3.3. Boîtiers de circuits intégrés…………….…………….…….…………….... 61
Chapitre V : Composant optoélectronique
V.1. Les diodes LED………………….…….……………………………………………..... 63

V.1.1. Electroluminescence……...…………..……………………………………. 63
V.1.2. Caractéristique……..……………………………………………………..... 64
V.1.3. Valeurs…………………….……………………………………………...... 65
V.1.3.1. LED standard………………………………………………..... 65
V.1.3.2. Les LEDs miniatures………………………………………..... 66
V.1.3.3. Les LEDs faible consumation………..……………………..... 66
V.1.3.4. Les LEDs avec résistance interne…………………………..... 66
V.1.3.5. Les LEDs clignotantes……………......……………………..... 66
V.1.4. Utilisations……………………………...………………………………….. 66
V.2. Diodes Laser……………………………………..…………………..……………….... 66
V.2.1. Principe de la diode Laser…………………………….…..……………...... 66
V.2.2. La caractéristique puissance-courant………….………………………........ 68
V.2.3. Courant de seuil d'une diode laser…………...………………...………....... 69
V.2.4. Influence de la température……………...…….………………………....... 69
V.2.5. Matériaux utilisés pour les diodes laser…………..……………………....... 70
V.2.6. Utilisation des diodes laser……………………..………………………...... 71
V.3. La fibre optique……………………………..………………………………………..... 71
V.3.1. Présentation et principe……...…………………………………………...... 71
V.3.2. La transmission……………………….…………………………………..... 72
V.3.3. Les différents types de fibre…………………….………………………..... 73
V.3.3.1. La fibre multimode………………….………………………..... 73
V.3.3.2. La fibre mono mode...………………………………………..... 74
V.3.4. Quelques applications de la fibre optique………………..……………........ 74
V.4. Les dispositifs photosensibles………………………………………………………..... 75
V.4.1. Photodiode…………...………………..………………………………….... 75
V.4.2. Schéma équivalent de la photodiode.………………..…………………….. 76
V.4.3. Phototransistor……………..……………………………………………..... 77
V.4.4. Photo-Thyristor…………………...….…………………………………...... 78
V.5. Photopile………………………………………………………….…….…………….... 78
V.5.1. Principe de fonctionnement……………………….……………………...... 79
V.5.2. Structure d’une cellule photovoltaïque…...……………………………....... 79
V.5.3. Caractéristiques électriques………..…………………..………………....... 81
V.5.4. Schéma électrique équivalent……….………………….………………...... 82
V.5.5. Architecture de la cellule photovoltaïque………...……………………....... 84
Références
Chapitre I : Introduction à la physique des composants
électroniques
I.1. Introduction
L'électricité est l'interaction de particules chargées sous l'action de la force électromagnétique.

Délicat d’attribuer la paternité de la découverte de l’électricité à un homme tant l’humanité
depuis l’antiquité à observer des phénomènes naturels d’origine magnéto-électrique:
triboélectricité, foudre, électricité statique de la laine, aimantation naturelle… S’il fallait se
risquer à donner un nom, il faudrait remonter à 600 av. J.-C., chez les Hellènes, et confier à
Thalès de Milet la paternité de la réflexion sur l'électricité et le magnétisme, avec une vision
animiste de la matière …. où faute de notions théoriques (les propriétés de l'électricité ont
commencé à être comprises au cours du XVIIIe siècle), on octroyait «une âme aux choses qu'on
croyait inanimées».
L’électrocinétique est une science de l’ingénieur, étudie la circulation des courants électriques
dans les circuits électriques composés d’un ensemble d’éléments appelés composants comme les
générateurs (piles, …), les composants passifs (résistance, bobine d’induction, condensateur) et
les composants actifs (transistor, amplificateur opérationnel, …). Ces éléments sont reliés entre
eux par des fils conducteurs.
I.2. Représentation des grandeurs
Nombreux sont les systèmes qui utilisent des grandeurs en entrée, les traitent et délivrent en
sortie des commandes ou des informations pour l'utilisateur. Les grandeurs peuvent être
représentées de deux façons:
1. Représentation analogique.
2. Représentation numérique.
I.2.1 La représentation analogique
La plupart des capteurs transforment une grandeur physique (température, pression...) en

grandeur électrique. De même, le microphone transforme la pression acoustique en grandeur
électrique proportionnelle. Ainsi une grandeur analogique peut prendre toutes les valeurs en
variant graduellement entre deux limites, par exemple une automobile peut avoir une vitesse
variant entre 0 et 220 km/h.
Dr. Matanga Jacques, Département GIT, ENSPD/UD 2

Les systèmes analogiques regroupent donc les montages utilisés pour le contrôle ou pour le
réglage de sorte que les composants utilisés fonctionnent de manière linéaire, sans discontinuité.
I.2.2. La représentation numérique
La grandeur mise sous forme numérique n'est plus proportionnelle à la grandeur d'entrée. Elle
s'exprime par symboles ou codes (chiffres). Par exemple, le tachymètre d'une automobile s'il est
numérique, indique une valeur par pas de 1km/h: la progression est discontinue; s'il est
analogique (à aiguille) la progression est continue. La représentation numérique est donc
discontinue.
Fig.1.1. Représentations et traitement du signal.
I.3. Domaines d’application
Le champ d'application des dispositifs électroniques est vaste. Nous pouvons citer entre autres:
• Télécommunications : Télégraphie, téléphonie, Radiodiffusion, télévision, Télémesure,
télécommande.
• Systèmes de détection : Radar, sonar, télédétection.
• Electroacoustique : Enregistrement et reproduction des sons.
• Traitement de l'information : Ordinateurs, calculatrices.
• Industrie : Commandes et réglages automatiques installations de surveillance.
• Instruments de mesures : Equipements industriels, scientifiques.
• Biomédical : automate de biochimie, électrocardiographe, incubateur.
• Electroménager : téléviseur, machine à laver.
Dr. Matanga Jacques, Département GIT, ENSPD/UD 3

I.4. Matériaux en électricité
Les électrons se déplacent dans les solides plus ou moins facilement selon le matériau. La charge
d’un électron est égale à 1,6.10-19 Coulomb. On distingue 3 types de matériaux:
• Les conducteurs: matériaux dans lesquels un champ très faible suffit à fournir une
énergie permettant le déplacement des électrons libres (porteurs de charges arrachés à
chaque atome). On a un à deux électrons libres en moyenne par atome. La concentration
en électrons dépend du matériau ; par exemple pour le cuivre, on a 1028 électrons par m3.
• Les isolants: pas d’électron libre. La qualité de l’isolant dépend de la pureté du matériau.
• Les semi-conducteurs: la concentration en électrons dépend du matériau et de la
température. Les électrons sont disposés dans des bandes permises séparées par des
bandes dites interdites. Une certaine quantité d’énergie permet de faire passer des
électrons d’une bande permise pleine (bande de valence) vers la bande vide (bande de
conduction) générant ainsi des trous électriquement équivalents à des charges positives
dans la bande de valence. Les semi-conducteurs sont utilisés dans la plupart des circuits
actifs.
I.5. Champ électrique et différence de potentiel
Si on applique une différence de potentiel VAB = VA −VB entre deux points A et B, les charges se
déplacent à cause du champ électrique . Le champ est dirigé vers les potentiels décroissants
(potentiel élevé vers potentiel faible). On a la relation:
V =V −V = Edr (I.1)
I.6. Courant électrique
Le débit de charge ou courant électrique est donné par la relation:
dq
I= (I.2)
dt
Dr. Matanga jACQUES, Département GIT, ENSPD/UD 4

I: s’exprime en ampère. Les lois du courant électrique ont été étudiées par Ampère (1755-1836)
au début du 19 ième siècle. Par convention le sens du courant est le sens contraire du
déplacement des électrons.
I.7. Effet Joule
Un phénomène important dans une résistance est l’effet Joule (du nom du physicien anglais
James-Prescott Joule qui a étudié les lois de la chaleur). Une résistance parcourue par un courant
reçoit un travail électrique et le transforme en transfert thermique. Quand le courant est
périodique, la puissance électrique P reçue (on parle de puissance dissipée par effet Joule)
s’exprime en fonction de la tension efficace U, de l’intensité efficace I du courant et de la
résistance R par l’une des trois formules, équivalentes grâce à la loi d’Ohm: P = UI = RI2
L’unité de puissance est le watt (symbole W), du nom de l’ingénieur écossais James Watt. On
emploie assez souvent en électronique son sous-multiple, le milliwatt (mW) qui vaut 10-3 W.
Dans tous les cas, même si le courant n’est pas périodique, le travail électrique We reçu entre
deux instants t1 et t2 par un conducteur ohmique de résistance R traversé par un courant
d’intensité i s’écrit:
W=R i dt (I.3)
L’unité de travail électrique est le joule (J). La puissance dissipée par effet Joule dans un
composant est un problème important en électronique. Tout d’abord, il s’agit d’une puissance
perdue pour le circuit électrique et qui doit donc lui être fournie (en général par une source de
tension continue), et ensuite, il se pose souvent un problème d’évacuation de la chaleur créée car
les petites dimensions des montages compliquent les échanges thermiques. Ces questions se
posent essentiellement d’une part, pour les montages qui traitent des courants assez élevés
comme les amplificateurs de puissance ou les alimentations et d’autre part, pour les circuits de
taille très réduite.
I.8. Lois fondamentales
Un réseau ou circuit électrique est un ensemble de conducteurs reliant entre eux des éléments
appelés composants : résistance, condensateur, bobine de self-induction, diode, transistor, …
Dr.Matanga Jacques , Département GIT ,ENSPD/UD 5

Dans un réseau électrique, on distingue:
• le noeud : point de raccordement entre au moins deux conducteurs.
• la branche : portion du réseau compris entre deux nœuds.
• la maille : partie du réseau qui se referme sur elle-même.
I.8.1. Loi des mailles
Une maille est constituée de plusieurs branches qui forment un circuit fermé. On choisit un sens
arbitraire de parcours:
On peut énoncer la loi ainsi : la somme des tensions qui indiquent un sens est égale à la somme
des tensions qui indiquent l'autre sens. Pour notre exemple, on a la relation:
UAD + UCB + UDC = UAB (I.4)

Règle d’écriture de la loi des mailles:
- On choisit un sens de parcours arbitraire pour la maille.
- On décrit la maille dans le sens choisi et on écrit que la somme algébrique des tensions est
nulle en respectant la convention suivante:
• si la flèche-tension est rencontrée par la pointe, la tension est affectée du signe (+);
• si la flèche-tension est rencontrée par le talon, la tension est affectée du signe (-).
Définition: La somme des différences de potentiel le long d’une maille est nulle. Cette loi est
baptisée loi des mailles ou première loi de Kirschhoff.

I.8.2. Loi des noeuds
Le mouvement des charges, créant le courant est soumis aux lois de la physique: conservation de
l’énergie, de la quantité de mouvement et de la charge (de la matière).
On choisit un sens arbitraire pour chaque courant. Par convention, les courants i se dirigeant dans
le même sens que les flèches seront comptées positivement.
Soit le noeud N un point de raccordement de plusieurs conducteurs traversés par des courants.
En un noeud, il ne peut y avoir accumulation de charges.
On a donc ici : =
Définition: La somme des courants entrant est égale à la somme des courants sortant. Cette loi
est baptisée loi des noeuds ou seconde loi de Kirschhoff.
I.9. Générateurs idéaux
I.9.1. Générateur de tension idéal
La tension U entre ses bornes, égale à E (force électromotrice du générateur), est indépendante du
courant qu’elle délivre. Pour les sources réelles, la tension de sortie diminue si le courant débité
augmente. Les accumulateurs au plomb, les alimentations stabilisées de laboratoire sont de
bonnes approximations des sources de tension idéales. Une pile électrochimique usagée présente
une forte résistance interne : sa tension diminue dès qu’elle débite dans une charge.
On représente ce générateur par les symboles suivants:

Ce générateur de tension n’existe pas et en pratique, la différence de potentiel en sortie d’un
générateur de tension décroit en fonction du courant de sortie.
I.9.2. Générateur de courant idéal
Le courant de sortie I, égal à J le courant électromoteur du générateur, est indépendant de la

tension entre les bornes de la source. La résistance interne est infinie. Il n’existe pas dans la vie
courante de modèle de source de courant. Il est possible de simuler une source de courant en
plaçant en série une source de tension et une résistance beaucoup plus grande que la charge. Des
circuits électroniques simples permettent de réaliser des sources de courant qui débitent un
courant pratiquement indépendant de la charge. On représente ce générateur par les symboles
suivants:
Un générateur idéal doit se comporter comme un récepteur idéal quand on inverse le sens
du courant qui le traverse. Les générateurs réels ne sont en général pas réversibles.
I.9.3. Groupement en série de deux générateurs (réels)
Les générateurs sont en série, lorsque la borne (-) de l'un des générateurs et reliée à la borne (+)
du générateur suivant:

Le groupement peut être remplacé par un seul générateur:
• Les tensions des sources de tensions s'additionnent: Ueq = U1+ U2

• les résistors en série s'additionnent: Req = R1 + R2
• le courant totale est égal au courant d'une seul source: Ieq=I1=I2
Note: on peut toujours câbler en série des générateurs de tension
I.9.4. Groupement en parallèle de deux générateurs (réels)
• Les tensions est égal à la tension d'une seul source: Ueq = U1= U2
• la résistance interne de l'ensemble est égale a la résistance interne d'une branche divisé par
le nombre de branches.
• le courant totale est égal a la somme des courants de chaque branche: Ieq=I1+I2
I.9.5. Modélisation d’un dipôle linéaire quelconque
La modélisation d’un dipôle consiste à le remplacer par un circuit équivalent (répondant aux
mêmes équations) constitué de dipôles idéaux. L’équation de la caractéristique d’un dipôle
linéaire est de la forme: U = a.I + b ou I = a’.U + b’
Cette caractéristique coupe les axes aux points : (U0, 0) et (0, I0). Si le dipôle est passif alors U0 et
I0 sont nuls. Pour un générateur, U0 est la tension à vide (courant débité nul) et I0 est le courant
de court-circuit.

I.9.6. Modélisation d’un générateur linéaire
On peut utiliser les deux modèles équivalents suivants:
Modèle source de tension:
On pose E = U0 et R = U0/I0 et donc: U = E - R.I
On peut remplacer le dipôle par une source de tension idéale de f.e.m. E en série avec une
résistance R.
Modèle source de courant:
On peut remplacer le dipôle par une source de courant idéale d’intensité J en parallèle avec une
résistance R.
où : I est le courant que débiterait le générateur dans un court circuit, qui est la valeur
théorique maximale de l' intensité que peut débiter le générateur. D'après ce schéma: I0 = i + I ⇔
I = I0 – i; comme: U = r.i alors i = G.U; donc: I = I0 - G.U
Si les dipôles ainsi modélisés sont des générateurs purs, la résistance R se nomme la résistance
interne du générateur. Elle est nulle pour un générateur de tension idéal et infinité pour un
générateur de courant idéal. E est la force électromotrice (f.e.m.) à vide c’est-à-dire sans charge

entre A et B. En électronique de nombreux dispositifs se comportent comme des générateurs de
courant, on privilégie alors la représentation I = g(U).
I.10. Pont diviseur de courant
Un diviseur de courant, c'est un montage très simple d'électronique. Il permet d'obtenir un

courant d'une valeur proportionnelle à un autre courant. Lorsque l'ont à 2 résistances en parallèle,
qui sont donc soumises à la même tension, il est possible de calculer le courant qui parcours une
des deux résistances.
Pour calculer un de ces deux courants (dans notre cas I1 ou I2), vous devez cependant connaître le
courant total (ici c'est le courant I) qui circule dans ces résistances et connaître la valeur des
résistances (c'est-à-dire connaître la valeur de R1 et de R2). La formule du pont diviseur de
courant est:
R
I ! ".I
R R (I.5)
I.11. Pont Diviseur de Tension
Le pont diviseur de tension est un montage électrique simple. Il permet de déterminer une tension
proportionnellement à une autre tension. Ce type de montage est utilisé couramment pour créer
une tension de référence dans un circuit électrique.

La plus simple représentation du diviseur de tension consiste à placer deux résistances électriques
en série (voir le schéma de droite). Ce type d'association de résistances étant omniprésent dans les
montages électriques, le pont diviseur en devient une des notions fondamentales en électronique.
Il est possible de calculer facilement la valeur de U1 dans le montage de droite, à la condition de
connaitre les valeurs des résistances et la valeur de la tension E. La première formule à utiliser est
celle de la loi d'Ohm qui permet de citer cette équation:
R
U =! ".E
R R
(I.6)
I.12. Théorèmes de Thévenin et de Norton
I.12.1. Théorème de Thévenin
Un réseau linéaire, ne comprenant que des sources indépendantes de tension, de courant et

des résistances, pris entre deux bornes se comporte comme un générateur de tension E0 en série
avec une résistance R0. La f.e.m. E0 du générateur équivalent est égale à la tension existant entre
les deux bornes considérées lorsque le réseau est en circuit ouvert. La résistance R0 est celle du
circuit vu des deux bornes lorsque toutes les sources sont éteintes.
I.12.2. Théorème de Norton
De même on peut remplacer tout réseau linéaire, ne comportant pas de sources

commandées, pris entre deux de ses bornes par une source de courant I0 en parallèle avec une
résistance R0. L'intensité I0 est égale au courant de court-circuit, les deux bornes étant reliées par
un conducteur parfait. La résistance R0 est celle du circuit vu des deux bornes lorsque toutes les
sources sont éteintes.
I.12.3. Equivalence entre représentations de Thévenin et Norton
L'application respective des théorèmes de Thévenin et Norton permet de montrer l'équivalence de

deux circuits suivants:

Avec: E0 = R0 I0
I.13. Théorème de superposition
Dans un réseau électrique linéaire, le courant (ou le tension) dans une branche quelconque est
égal a la somme algébrique des courants (ou des tensions) obtenus dans cette branche sous l'effet
de chacune des sources indépendantes prise isolément, toutes les autres sources indépendantes
ayant été remplacées par leur résistance interne.
Le théorème de superposition permet d'étudier un réseau électrique compliqué en remplaçant par

une somme de réseaux électriques plus simples.
I.14. Transformation triangle ⇔ étoile
Un circuit composé de trois résistances montées en triangle peut être transformé en un

circuit équivalent dans lequel les trois résistances sont montées en étoile.
- Transformation « triangle → étoile »:

R%R&
R (I.7)
R% R& R'

- Transformation « étoile → triangle »:
R R R R R R
R% (I.8)
R
I.15. Classification des dipôles
I.15.1. Dipôles actifs et passifs
Un dipôle passif consomme de l’énergie. Sa caractéristique passe par l’origine. (I = 0 si U = 0).

Un dipôle actif fournit de l’énergie au circuit dans lequel il est connecté. Le dipôle 1 est actif, 2 et
3 sont passifs.
I.15.2. Dipôles symétriques
La caractéristique est symétrique par rapport à l’origine. Un dipôle symétrique est toujours passif.
Son fonctionnement n’est pas modifié si on inverse le sens du courant : il n’est pas polarisé. Sur
la figure, le dipôle n°2 est symétrique.
I.15.3. Dipôles linéaires
La caractéristique est une droite d’équation: U = a.I + b ou I = p.U + q

En électronique, on utilise de nombreux dipôles non linéaires. Les circuits qui contiennent ces
dipôles ne peuvent, en général, pas être étudiés avec des méthodes analytiques rigoureuses. La
connaissance des caractéristiques permet alors l’analyse de ces circuits avec des méthodes
graphiques.

Chapitre II : Conduction électrique dans les solides
II.1. Rappel sur la structure atomique des isolants et des conducteurs
Pendant très longtemps les scientifiques croyaient que vis-à-vis de la conduction électrique, les
matériaux se subdivisaient en deux classes: conducteurs et diélectriques (isolants). Cependant,
vers 1830 on a découvert des matériaux dont les propriétés ne permettaient de les classer dans
aucune de ces catégories. A l'état pur, ces matériaux étaient à la fois de mauvais conducteurs et
de mauvais isolants: or leurs propriétés électriques, notamment la résistivité, variaient très
sensiblement sous influence des facteurs extérieurs de l’environnement (température, pression...),
de la présence des impuretés, de la lumière, etc... En occupant une place intermédiaire entre les
conducteurs et les isolants, ces matériaux ont été appelés « semi-conducteurs ». Pour comprendre
la nature et les propretés des semi-conducteurs, il conviendrait de présenter un cycle de
conférences sur la physique quantique et sur la physique des solides. Ici nous nous limitons par
introduire, d’une manière très sommaire et simplifiée, quelques cl´ es de compréhension du
phénomène semi-conducteur.
II.2. La structure de l’atome
Nous savons tous que les matériaux de notre planète sont constitués d'éléments chimiques,
comme l'hydrogène, l'oxygène, le fer, le nickel, etc.... Il y en a 106 dans le tableau périodique des
éléments de Mendeleef.
Ces éléments sont formés par des atomes, l'unité de base de la matière. Voici un modèle simplifié
de l'atome:

L'atome consiste en un noyau central composé de protons (charges positives) et de neutrons
(aucune charge), entouré d'électrons (charge négative) qui gravitent autour du noyau. Toute la
masse est concentrée dans le noyau, les électrons ayant une masse négligeable. La masse
atomique d'un atome est donc donnée par la masse du noyau, soit le nombre de protons + le
nombre de neutrons. Chaque atome possède un numéro atomique qui est donné par le nombre de
protons.
Si on monte d'un cran dans l'organisation de la matière, il y a les molécules qui sont formées d'un
assemblage d'atomes qui sont liés entre eux par deux principaux types de liens: les liens ioniques
et les liens covalents.
II.3. Notions sur la théorie des bandes d'énergie dans les solides
Les semi-conducteurs et les métaux ont une structure cristalline, c'est-à-dire que les atomes ou
molécules sont groupés en réseaux régulièrement disposés dans l'espace. Dans ces réseaux la
distance inter atomique étant faible (de l'ordre de quelques A) les atomes ne peuvent plus être
considérés comme isolés et il en résulte des interactions (de nature électrostatique entre les divers
atomes). Considérons un cristal constitué de N atomes du groupe IV a (C, Ge, Si, Sn) et
supposons que l'on puisse faire décroître la distance inter-atomique.
Fig.2.1. Diagrammes d'énergie des éléments du groupe IV lorsque la distance inter-atomique

décroît: apparition des bandes d'énergie.

Lorsque les distances inter-atomiques deviennent suffisamment faibles l'ensemble du cristal
devient un système électronique qui obéit au principe d'exclusion de Pauli. On a donc, une
dégénérescence des états d'énergie. Cette dégénérescence se traduit par la démultiplication des
niveaux d’énergie correspondants aux sous couches s et p en N sous niveaux qui constituent
autant d’états d’énergie possible pour les électrons. Ces N états distincts constituent une bande
d'énergie. On a donc 2 états -----> 2 N états.
On note l'existence d'une bande d'énergie appelée bande interdite qui ne comprend aucun état
possible. Lorsque la distance inter-atomique décroît encore, on a affaire à ce que l'on appelle des
interactions fortes et l'on obtient la structure représentée à la figure (b).
II.4. Isolants, Semi-Conducteurs, Conducteurs
Rappelons-nous que la couche de valence d’un atome représente une bande d’un certain niveau
énergétique et que les électrons de valence sont confinés à cette bande. Lorsqu’un électron
acquiert assez d’énergie additionnelle d’une source externe, il peut quitter la couche de valence,
devenir un électron libre et exister dans ce que l’on désigne comme étant la bande de conduction.
En terme d’énergie, la différence entre la bande de valence et la bande de conduction est appelée
un écart énergétique. Il s’agit en fait de la quantité d’énergie que doit avoir un électron pour
sauter de la bande de valence vers la bande de conduction. Une fois dans la bande de conduction,
l’électron est libre de se déplacer à travers le matériau et n’est plus lié à aucun
atome particulier.
On distingue isolants semi-conducteurs et conducteurs à partir de leur structure de bande
d'énergie (Fig.2.2). Notez à la partie (a) le vaste écart énergétique entre les bandes. Les électrons
de valence ne peuvent sauter vers la bande de conduction sauf lors d’une détérioration provoquée
par des tensions extrêmement élevées appliquées au matériau. À la partie (b), on remarque qu’un
semi-conducteur possède un écart énergétique plus restreint, permettant à quelques électrons de
sauter vers la bande de conduction et de devenir des électrons libres. Par contraste, la partie (c)
illustre les bandes énergétiques se chevauchant dans un conducteur. Dans un matériau
conducteur, il existe toujours un grand nombre d’électrons libres.

Fig.2.2. Diagrammes énergétiques pour les trois types de matériaux.
II.5. Phénomènes de transport de charge dans les semi-conducteurs
II.5.1. Rappels sur le phénomène de conduction dans un métal
Dans un métal chaque atome est susceptible de fournir un voire 2 ou 3 électrons à la bande de
conduction. Ces électrons ne peuvent être rattachés à aucun atome particulier et sont donc libres
de se mouvoir à l'intérieur du cristal; ce sont les électrons libres. A la température ambiante et en
l'absence de champ électrique les électrons sont animés de mouvement aléatoire dus aux
collisions avec les atomes. Le déplacement moyen de l'ensemble des électrons est nul dans ce
cas. Si l'on applique un champ électrique E à l'intérieur du métal la vitesse moyenne des électrons
sera non nulle et sera proportionnelle au champ électrique pour de faibles valeurs de celui-ci; on a
alors:
v μE (II.1)
µ: est appelée la mobilité des électrons et s'exprime en m2 /V.S. Ce déplacement d'électrons va
engendrer un courant dit courant d'entraînement
II.5.2. Densité de courant
Considérons un barreau de longueur L de section S contenant n électrons/m3.

La densité de courant J est:
J=nqv on a: J = n qµ E=σ E (II.2)
σ: est la conductivité du métal et la résistivité: ρ et σ = nq µ
n ∼ 1028/m3 pour un conducteur et n ∼ 107/m3 pour un isolant
II.6. Interprétation de la conduction électrique dans les métaux
Dans un métal certains électrons peu liés au noyau se déplacent d’un atome à l’autre : on les
appelle les électrons libres. Dans un circuit électrique ouvert les électrons libres présents dans le
métal se déplacent de manière désordonnée : il n’y a pas de courant électrique. Dans un circuit
électrique fermé, les électrons libres acquièrent un mouvement d’ensemble de la borne (-) à la
borne (+) du générateur. Le sens de déplacement des électrons est donc opposé au sens
conventionnel du courant électrique.
En l’absence de tension électrique On applique une tension aux extrémités
• Dans les matériaux isolants, il y a aussi des électrons mais ils ne peuvent pas se déplacer ; ils ne
peuvent donc pas conduire le courant.
II.7. Conduction par électrons et par trous
Dans les semi-conducteurs, il existe deux types de conduction: la conduction par électrons et la
conduction par trous. Dans un cristal semi-conducteur intrinsèque, certaines liaisons entre atomes
se cassent. L'électron est alors libre de se déplacer dans le cristal. Sur l'emplacement de la liaison
rompue on dit qu'il y a un trou. Pour chaque liaison rompue, il y a formation d'une paire électron-
trou. Sous l'effet du champ électrique les électrons (charge -e) se déplacent dans le sens inverse
du champ, les trous (charge +e) se déplacent dans le sens du champ.

II.8. Différents types de semi-conducteurs
II.8.1. Semi-conducteur intrinsèque
Dans un semi-conducteur intrinsèque, les électrons de la bande de conduction proviennent

uniquement de la bande de valence et laissent derrière eux des états vacants, appelées trous. Les
niveaux du bas de la bande de conduction sont donc peuplés par des électrons, alors que les
niveaux du haut de la bande de valence sont peuplés par des trous (Fig.2.3).
Fig.2.3. Population des porteurs dans un semi-conducteur intrinsèque.
II.8.2. Semi-conducteur extrinsèque
L’utilisation du semi-conducteur pur présente assez peu d’intérêt. L’utilisation de semi-

conducteur dans la plupart des composants électroniques se fait dans un état dit dopé (semi-
conducteur extrinsèque), par opposition avec le semi-conducteur pur, ou intrinsèque. Lorsqu'on
dope un semi-conducteur avec des atomes de dopant convenablement choisi, on modifie de façon
remarquable les propriétés de conductivité. Si les atomes du dopant sont pentavalents (Semi-
conducteur de type N), les niveaux du bas de la bande de conduction sont de plus en plus remplis
par des électrons qui proviennent des atomes de dopant (Fig.2.4).

Fig.2.4. Libération des électrons par des atomes de phosphore.
Par contre, si les atomes de dopant sont trivalents (Semi-conducteur de type P), les niveaux du
haut de la bande de valence sont de plus en plus remplis par des trous qui proviennent des atomes
de dopant (Fig.2.5).
Fig.2.5. Libération des trous par des atomes de bore.
II.9. Conduction dans les semi-conducteurs
II.9.1. Mobilité
En l’absence d’un champ électrique, le mouvement des porteurs de charge (électrons

et trous) dans le semi-conducteur est erratique. En présence d’un champ électrique , à ce

mouvement désordonné s’ajoute une vitesse moyenne proportionnelle au champ.
Pour les électrons on a: v = μ E et pour les trous on a: v = μ E
µ : est la mobilité des porteurs de charges, plus faible pour les trous que pour les électrons.
Valeurs numériques: Pour le silicium: = 0,14 = 0,05 en m2/Vs
Pour le germanium: = 0,38 = 0,17 en m2/Vs
II.9.2. Loi d’Ohm
La densité de courant due à n électrons ou pour p trous par unité de volume:

ȷ = −qnv = qn μ E = σ E
(II.3)
ȷ = +qnv = qn μ E = σ E
" et " sont les conductivités dues respectivement aux électrons et aux trous.
La densité de courant totale vaut donc:
ȷ = ȷ + ȷ = (σ + σ )E = σE (II.4)
Cette expression représente la loi d’Ohm généralisé. La quantité : s est la conductivité du semi-
conducteur.
σ = (σ + σ ) (II.5)
Pour un semi-conducteur extrinsèque, le terme dû aux porteurs majoritaires est
prépondérant, et l’effet des porteurs minoritaires étant négligeable.
II.10. Jonction PN
II.10.1. Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
Elle résulte de la juxtaposition dans un même matériau semi-conducteur de deux zones:
ni2
• l'une de type P (majoritaire en trous p p = N a , minoritaire en électrons n p = );
Na
ni2
et l'autre de type N (majoritaire en électrons nn = N d , minoritaire en trous pn = ).
Nd
Dès la juxtaposition, des courants de diffusion de trous et d'électrons se développent autour de la

jonction, et créent au voisinage immédiat de celle-ci une barrière de potentiel, qui s'oppose aux

courants de diffusion des porteurs majoritaires de chaque zone. Lorsque l'équilibre est atteint, le
champ électrique créé par la barrière de potentiel est suffisant pour équilibrer les courants de
diffusion des porteurs majoritaires et des porteurs minoritaires, d'où un courant global de
diffusion nul. Les niveaux d'énergie au voisinage de la jonction sont alors donnés par la (Fig.2.6).
Fig.2.6. Jonction PN à l’équilibre thermodynamique.
On sait que la variation d’énergie potentielle ∆E d’un électron soumis à une différence de
potentiel ∆V est telle que : ∆E = - q ∆V. Dans ces conditions, à la différence d’énergie ∆E entre
les bandes, on fait correspondre une différence de potentiel interne appelée hauteur de barrière de
potentiel ∆VΦ telle que:
KT  N a N d 
VΦ = .ln 2

 (II.6)
q  ni 

II.10.2. Jonction polarisée en direct
Le fait de polariser la jonction sous une tension Vdirect réduit la hauteur de barrière qui devient :
VΦ - Vdirect, entraînant une diminution de l’épaisseur de la zone de charges d’espace (Z.C.E).
De nombreux électrons de la région N et de trous de la région P peuvent alors franchir cette
barrière de potentiel, pour passer dans la zone opposée où ils se recombinent (Fig.2.7). Cette
recombinaison consomme près de la Z.C.E, des trous dans la région P et des électrons dans la
région N. Pour rétablir l’équilibre, les trous de la région neutre P se mettent en mouvement vers
la zone où se produit la recombinaison (déficit en trous). Les électrons de la région neutre N sont
soumis à un phénomène analogue. C’est ce phénomène de recombinaison locale qui explique la
circulation du courant direct IA dans la jonction. Ce courant s’écrit:
 V − Vdirect 
I 0 exp − Φ  (II.7)
 UT 
Fig.2.7. Jonction PN polarisée dans le sens passant.

II.10.3. Jonction polarisée en inverse
Lorsque la jonction est polarisée en inverse, la hauteur de barrière entre les régions P et N devient
renforcée par la tension extérieure appliquée Vinv, et devient VΦ + Vinv (Fig.2.8).
Le champ électrique dans la Z.C.E augmente ainsi que son étendue. Les porteurs majoritaires des
régions N et P n’ont pas l’énergie nécessaire pour sauter cette barrière de potentiel.
La jonction est alors traversée par le très faible courant de saturation IS. Ce courant issu du
phénomène d’ionisation thermique du silicium, dépend uniquement de la température.
Fig.2.8. Jonction PN polarisée en inverse.
La jonction PN est constituée de deux charges opposées immobiles. Elle se comporte donc
comme un condensateur, dont la Z.C.E est le diélectrique, et les régions N et P les électrodes.

Chapitre III : Composant passifs
III.1. Définition des composants passifs
Un composant électronique est un élément destiné à être assemblé avec d'autres afin de réaliser
une ou plusieurs fonctions électroniques. Les composants forment de très nombreux types et
catégories, ils répondent à divers standards de l'industrie aussi bien pour leurs caractéristiques
électriques que pour leurs caractéristiques géométriques. Leur assemblage est préalablement
défini par un schéma d'implantation. En effet, si quelques composants peuvent fonctionner seuls,
c'est très rare, et bien souvent, différents composants sont associés pour répondre aux besoins de
l'électronicien. Les composants électroniques passifs sont des composants qui, dans un système
électrique ou informatique, n'ont pas besoin d'une source d'énergie pour fonctionner. Ils ne
peuvent pas gagner en puissance. Les composants passifs incluent les condensateurs, les
résistances fixes, les inductances, les composants de protection contre des surcharges.
Les composants passifs ne peuvent pas amplifier ou augmenter la puissance du signal.
Cependant, ils peuvent augmenter la tension ou le courant par l'intermédiaire d'un circuit LC qui
conserve l'énergie électrique. En général, les passifs se rangent en deux catégories : dissipatif et
sans perte.
• Dissipatif: ces composants ne peuvent pas absorber l'énergie d'un circuit externe. Le plus
souvent, le terme passif dissipatif renvoie aux résistances.
• Sans perte: ces composants n'ont pas de flux d'énergie net entrant ou sortant. Ils incluent
les oscillateurs, transformateurs, condensateurs et inductances.
La plupart des composants ont deux terminaisons reliées par un réseau électronique (aussi
appelés paramètres à deux ports). Ils incluent les transistors et les filtres électroniques. D'autres
composants passifs utilisent une architecture de circuit, tels que les condensateurs et les
transformateurs.
III.2. Les types de composants passifs
Dans les modèles de circuit, on considère chaque composant électronique passif comme un
composant parfait. Il existe trois sortes de composants parfaits et leurs caractéristiques dépendent
de la manière dont ils traitent l’énergie qu’ils reçoivent.

• Résistance idéale: L’énergie fournie à une résistance est consommée et dissipée sous
forme de chaleur. Une résistance agit toujours comme un récepteur (puissance absorbée).
• Bobine idéale: L’énergie absorbée par une bobine est stockée sous la forme d’énergie
magnétique. Elle agit alors comme un récepteur (puissance absorbée). La bobine peut
ensuite rendre cette énergie stockée au circuit électrique en transformant l’énergie
magnétique en énergie électrique. Elle agit alors comme un générateur (puissance
fournie).
• Condensateur idéal: L’énergie absorbée par un condensateur est stockée sous la forme
d’énergie électrique. Il agit alors comme un récepteur (puissance absorbée). Le
condensateur peut ensuite rendre cette énergie stockée au circuit électrique. Il agit alors
comme un générateur (puissance fournie).
Cependant, en pratique, la technologie ne permet pas de fabriquer des composants parfaits. Ainsi
une résistance est légèrement inductive (résistance bobinée) ou capacitive suivant les cas. Il en va
de même des inductances ou des capacités qui présentent aussi des caractéristiques parasites.
Suivant les conditions d’utilisation, ces caractéristiques parasites peuvent être négligeables ou au
contraire devenir prépondérantes.
Les formes et les fonctions des composants passifs créent une multitude de types utilisés dans de
très nombreux dispositifs. La liste suivante réunit certains des types les plus communs, avec des
informations spécifiques.
III.3. Résistance
La résistance électrique d’un conducteur est le quotient de la tension appliquée à ses bornes par
l’intensité du courant qui le traverse.
• Symbole de la résistance électrique: R
• Et par formule : R=
Unité (SI) de la résistance: Ω (Ohm). Comme l’unité SI de la tension est le Volt (V), celle de
l’intensité du courant l’Ampère (A),
On a: 1Ω = 1

Si un courant de 1 Ampère circule à travers un conducteur lors qu’on applique une tension
de 1 Volt à ses bornes, la résistance de ce conducteur 1Ω.
III.3.1. Modèle d’une résistance parfaite
Le symbole utilisé pour représenter une résistance parfaite dans les schémas de circuit est le
suivant. On utilise généralement une convention réceptrice pour caractériser une résistance (le
courant va dans le sens des potentiels décroissants comme indiqué sur (Fig.3.1.). Avec cette
convention, la puissance absorbée a une valeur positive.
Fig.3.1. Symbole d’une résistance parfaite
III.3.2. résistivité (ρ)
La résistivité (ρ) est l’unité qui mesure la propriété d’un corps à avoir des électrons libres dans la
bande de conduction. Elle s’exprime en ohm-mètre. Elle est variable en fonction de la
température. La résistivité à la température T (°C) par rapport à 0 °C se déduit de la relation
suivante:
ρT = ρ0 (1 + αT) (III.1)
Avec:
Substance ρ [n Ω .m] à 0 °C α [1/°C]

Argent 15.0 0.00411
Cuivre 15.9 0.00427
Aluminium 26.0 0.00439
α: est le coefficient de température qui peut être positif (la plus part de conducteurs) ou négatif
(un grand nombre de semi-conducteurs, isolants et quelques alliages). L’ordre de grandeur des
résistivités pour les conducteurs correspond à quelques n .m et pour les isolants,

il atteint 1018 Ω.m. Pour une tension donnée, la résistance est d’ autant plus élevée que l’intensité
du courant est faible. A une température donnée, la résistance R d’un conducteur est:
• inversement proportionnelle à l’air S de la section du conducteur (si l’aire de la

section est grande, les électrons peuvent plus facilement passer à travers les
obstacles formés par les noyaux atomiques).
• proportionnelle à la longueur l du conducteur (si le conducteur est plus long, les
électrons rencontreront plus d’obstacles sur leur chemin).
Ou encore: R=ρ (III.2)
R: résistance en ohm [Ω], L: longueur en mètre [m], S: section en mètre carré [m2], ρ: résistivité
en ohm-mètre [Ω .m]
III.3.3. Résistance de fils conducteurs
Pour éviter une perte importante d’énergie électrique (en chaleur) dans les fils conducteurs, on
a intérêt à choisir des conducteurs à faible résistance électrique. Si on veut cependant utiliser
l’effet électrique du courant (dans les chauffages électriques, les sèche-cheveux, ...), il faut
utiliser des fils à résistance élevée.
III.3.4. Résistances techniques
Dans les circuits électriques et électroniques, il faut parfois limiter l’intensité du courant
afin d’éviter l’endommagement de certaines composantes. On utilise à ces fins des «résistances
techniques» : ce sont des composantes électriques/électroniques dont la résistance a une valeur
bien déterminée. Usuellement, elles sont de forme cylindrique et sont constituées d’un support en
porcelaine, autour duquel on a enroulé une couche hélicoïdale en carbone. L’ensemble est
recouvert d’une couche de vernis protecteur.
III.3.5. Le marquage des résistances
Il s’effectue soit en clair, soit selon le code des couleurs normalisé.
• En clair: Pour les résistances de puissance, de précision, à haute stabilité et les modèles
spéciaux.

• Code des couleurs: Pour les résistances agglomérées ou à couche d’usage courant. Le
code de couleur est indiqué sur (Fig.3.2.).
Si la résistance est trop petite pour recevoir toutes les indications normalisées, elles sont
portées sur l’emballage. Les résistances marquées selon le code des couleurs sont petites et ne
peuvent recevoir sur le corps que leur valeur ohmique et la tolérance au moyen des anneaux
colorés.
Couleurs Chiffres Coefficient de

significatifs multiplication Tolérance
Argent 0.01 10 %
Or 0.1 5 %
Noir 0 1
Brun 1 10 1 %
Rouge 2 10 2 2 %
Orange 3 10 3
Jaune 4 10 4
Vert 5 10 5
Bleu 6 10 6
Violet 7
Gris 8
Blanc 9
Fig.3.2. Code international des couleurs
On peut voir sur une résistance des anneaux de couleur. Chaque couleur correspond à un
chiffre (tableau au-dessus). La correspondance entre les chiffres et les couleurs des anneaux
constitue ce qu’on appelle le code des couleurs et permet de déterminer la valeur en Ohm
d’une résistance. Pour lire cette valeur, il faut d’abord placer la résistance dans le bon sens.
En général, la résistance a un anneau doré ou argenté, qu’il faut placer à droite. Dans d’autres
cas, c’est l’anneau le plus large qu’il faut placer à droite. Les deux premiers anneaux sont les
chiffres significatifs et le troisième est le multiplicateur (la puissance de 10 avec laquelle il
faut multiplier les chiffres significatifs). Le 4 éme anneau correspond à la tolérance.
Valeur de la résistance = [chiffre 1er anneau][chiffre 2éme anneau] · 10 [chiffre 3`eme anneau]

Exemple : La résistance de la Fig.3.2. est caractérisée par les anneaux
rouge bleu orange argent
On a donc : R = 26 · 103 Ω ±10%
R = 26 kΩ = 26.000 Ω
III.3.6. Les résistances variables
Les résistances variables fonctionnent principalement en continu et sont communément

appelées:
• Potentiomètres: On utilise les trois bornes de la résistance variable séparément pour

régler la tension aux bornes de la charge (montage parallèle).
Fig.3.3. Résistance variable montée en potentiomètre.
• Rhéostats: On utilise deux bornes de la résistance variable pour régler l’intensité du

courant dans la charge (montage série).
Fig.3.4. Résistance variable montée en rhéostat

III.4. Les condensateurs
III.4.1. Définition de la capacité
Deux corps conducteurs, séparés par un isolant, constituent un condensateur. Donc,

tout conducteur isolé possède une capacité par rapport aux autres conducteurs et par
rapport à la masse. La valeur de cette capacité est:
C = 8,85 . 10
C: Capacité en farad [F], S: Surface des conducteurs traversés par le champ et placés en
regard [m2], e : Épaisseur du diélectrique qui sépare les deux conducteurs [m], ε0:
Constante diélectrique ou permittivité relative du diélectrique par rapport au vide (dans le
vide = 1).
• Le farad: est une unité beaucoup trop grande pour les applications
pratiques. On utilise couramment:
Microfarad (µ F) = 10-6 F; Nanofarad (nF) = 10-9 F; Picofarad (pF) = 10-12 F
III.4.2. Modelé d'un condensateur parfait
Le symbole utilisé pour représenter un condensateur parfait dans les schémas de

circuit est montré dans la Figure 6. Le condensateur est un élément de stockage
d’énergie (il peut absorber ou fournir de la puissance). On utilise généralement une
convention réceptrice pour caractériser un condensateur (le courant va dans le sens des
potentiels décroissants comme indiqué sur la (Fig.3.5.)). Avec cette convention, la
puissance absorbée a une valeur positive.
Fig.3.5. Symbole d’un condensateur parfait.

III.4.3. Relation (V-I) pour un condensateur parfait
Le condensateur idéal est un élément de circuit (dipôle) qui laisse passer un courant
proportionnellement aux taux de changement de la tension appliquée entre ses bornes. En
convention récepteur, on a:
= . (III.3)
La constante de proportionnalité (C) est appelée la capacitance (ou capacité) de l’élément.
• La quantité de charge électrique: emmagasinée par un condensateur est:
Q = C.V (III.4)
Q: Charge électrique en coulomb [C]; C: Capacité en farad [F]; V: tension en volt [V].
La quantité d’énergie emmagasinée par un condensateur dépend directement de la

tension à ses bornes et de la valeur de la capacitance. La tension est limitée par la
nature et par l’épaisseur du diélectrique. Lorsqu’elle dépasse une certaine valeur, un arc
prend naissance entre les armatures et détruit l’isolant.
. .
W= =
2 2
(III.5)
W: Energie en joule [J]; C: Capacité en farad [F]; V: tension en volt [V].
III.4.4. Charge du condensateur
Supposons qu’au temps t = 0 le condensateur est déchargé (pas d’excès de charge (+)
ou (-) sur ses plaques) et que l’on ferme l’interrupteur sur le schéma de la (Fig.3.6.)
(Interrupteur en position 1).

Fig.3.6. Charge du condensateur à travers la résistance R
Les charges positives du générateur1 sont alors attirées par le condensateur à un

potentiel inférieur et viennent s’accumuler sur sa plaque (+). Cet excès de charges (+)
repousse les charges (+) présentes sur la plaque opposée où apparaît alors un excès de
charges (-). Ces charges (+) repoussées vont rejoindre la borne - du générateur. Donc,
même si des charges ne traversent pas l’espace entre les plaques du condensateur, un
courant Ich s’installe dans le circuit RC. Au fur et à mesure que le condensateur se
charge, la tension à ses bornes augmente et la différence de potentiel entre la borne +
du générateur et celle du condensateur diminue. Les charges sont donc de moins en
moins attirées et la charge ralentit. Lorsque ces deux tensions finissent par devenir
égales, le mouvement des charges s’arrête : le condensateur est chargé. La différence
de potentiel aux bornes du condensateur vaut alors VC = Vg = V0 et le courant dans le
circuit est nul. Intuitivement, on s’attend donc à une augmentation de la différence de
potentiel aux bornes de C très rapide au début puis de plus en plus lente.
Graphiquement, on doit s’attendre à une évolution de la tension aux bornes du
condensateur telle que celle esquissée à la (Fig.3.7.).

Fig.3.7. Esquisse du graphe de la charge d’un condensateur.
La différence de potentiel aux bornes du générateur correspond à la somme des chutes de

potentiel entre les bornes de la résistance et entre les armatures du condensateur. Les
équations de la charge pour la tension aux bornes du condensateur:
(
" #t% = &1 ' )" * (III.6)
On définit le temps de demi-vie de la charge T1/2 comme le temps nécessaire pour que la
tension aux bornes du condensateur atteigne la moitié de sa valeur maximale.
III.4.5. Décharge du condensateur
Supposons maintenant qu’au temps t = 0 le condensateur est chargé (une tension VC = V0

est donc appliquée à ses bornes) et que l’on modifie la position de l’interrupteur, comme
sur le schéma de la (Fig.3.8.) (Interrupteur en position 2). Le générateur n’intervient plus
car la branche du circuit dans laquelle il se trouve est ouverte. Les charges + de la plaque
supérieure vont traverser la résistance R et aller neutraliser une charge - de l’autre plaque
jusqu’à ce que le condensateur soit complètement déchargé (plus de charge nette sur les
plaques).

Fig.3.8. Décharge du condensateur à travers la résistance R
On peut à nouveau analyser le phénomène à partir de l’équation pour le potentiel dans le

circuit de droite de la (Fig.3.8.) et on obtient finalement.
( (
" #t% = )" et I#t% = - )" (III.7)
On définit le temps de demi-vie de la décharge T1/2 comme le temps nécessaire pour que la
tension aux bornes du condensateur diminue de moitié.
Fig.3.9. Décharge du condensateur.
III.4.6. Modèle électrique des condensateurs réels
Il n’existe pas de technologies qui permettent de réaliser un condensateur parfait. Un

condensateur consomme toujours une partie de puissance qui est dissipée sous la forme
de chaleur (résistance parasite). Le modèle d’un condensateur réel établi avec des
composants parfaits est montré dans (Fig.3.10.).

Fig.3.10. Modèle d’un condensateur réel.
RS: Résistance série qui est fonction de la résistance des connexions des armatures et
des caractéristiques du diélectrique; RP : R ésistance parallèle qui représente les
défauts d’isolement entre les armatures; LS : I nductance qui dépend de la
technologie de fabrication.
• L’impédance du condensateur en régime sinusoïdal est donnée par la relation

suivante:
1
Z = /01 2 &31 4 ' *
4
(III.8)
L’utilisation d’un condensateur est donc limitée par sa fréquence de résonance au-delà
de laquelle il a le même comportement qu’une inductance.
III.5. Les bobines
III.5.1. Inductances
Ces composants passifs conservent l'énergie dans un champ magnétique et délivrent cette
même énergie selon les besoins. Ils incluent un noyau cylindrique qui contient plusieurs
bobinages de fil conducteur. Ils sont différents des condensateurs, qui stockent l'énergie dans
un champ électrique, alors que les inductances la conservent dans un champ magnétique.
Les inductances servent à maintenir un courant constant.
Selon le théorème d'Ampère tout courant parcourant un circuit crée un champ magnétique à
travers la section qu'il entoure, c'est le phénomène d'induction électromagnétique.
L'inductance de ce circuit est le quotient du flux de ce champ magnétique par l’intensité du

courant traversant le circuit. L’unité de l’inductance est le henry (H). En toute rigueur ce
terme n'a d’intérêt que pour les situations dans lesquelles le flux est proportionnel au courant.
Fig.3.11. Principe de base de fonctionnement d’une inductance
Le bobinage plonge alors dans son propre champ magnétique. Son comportement électrique
s'oppose aux variations de courant le traversant. Lorsque le courant qui traverse l'inductance
varie, il apparait une tension u à ses bornes:
56 (III.9)
5(
U = L.
56
: est la dérivée du courant dans le temps, L: est l'inductance (mesurée en Henry, de symbole
5(
H), U: est la tension instantanée aux bornes de l'inductance.
La présence d'un courant électrique créé alors un champ magnétique dans l'espace, dont la
configuration exacte peut être complexe, fonction du tracé du circuit lui-même potentiellement
complexe.
III.5.2. Réponse d’un dipôle RL à un échelon de tension
Un dipôle RL est l’association en série d’un résistor de résistance R et d’une bobine d’inductance
L. On dispose d’un générateur de tension continue, d’un résistor de résistance R, d’une
d’inductance L et d’un interrupteur K. La diode permet d’avoir un courant d’intensité i > 0 après
l’ouverture de K.

Fig.3.12. Circuit RL
Le rapport: τ =
9
est homogène à un temps, mesuré en seconde, et appelé constant de temps
du dipôle RL. On réécrit l’équation différentielle du premier ordre sous une forme canonique :
di =
2 =
< 3
(III.10)
La constante de temps τ, en seconde (s), représente le temps nécessaire pour que l'intensité du
circuit atteigne 63 % de sa valeur maximale.
On la détermine graphiquement à partir de la courbe i(t).
III.5.3. Filtres passifs
Un filtre en électronique est un circuit qui réalise une opération volontaire de mise en forme d'une
grandeur électrique (courant ou tension). Le filtre transforme l'histoire de cette grandeur d'entrée
(c'est-à-dire ses valeurs successives sur une période de temps ∆t) en une grandeur de sortie. Un
filtre passif se caractérise par l'usage exclusif de composants passifs (résistances, condensateurs,

bobines couplées ou non). Par conséquent, leur gain (rapport de puissance entre la sortie et
l'entrée) ne peut excéder 1. Autrement dit, ils atténuent le signal, différemment selon la
fréquence. Les filtres les plus simples sont basés sur des circuits RC, RL définissant une
constante de temps et une fonction de transfert du premier ordre. Les circuits LC ou Circuit RLC
permettent des filtres du second ordre, passe-bande ou coupe-bande et des résonateurs (circuits
accordés). Des configurations plus complexes peuvent être nécessaires. Des logiciels de
conception assistée par ordinateur permettent de les déterminer à partir de la réponse en
fréquence et en phase ou de la réponse impulsionnelle.
Fig.3.13. Schéma d’un filtre passe-haut.
Les filtres passifs peuvent traiter des courants importants. Ils sont rarement sujets à des
phénomènes de saturation, sauf s'ils comportent des bobines avec noyau. Les filtres
passifs apportent les caractéristiques exactes des fréquences requises pour le fonctionnement du
circuit. Les exemples les plus courants de ce type de filtres incluent les filtres passe-bas, qui
éliminent les fréquences hautes, et les filtres passe-haut qui éliminent les fréquences basses. Ils
sont souvent utilisés dans les amplificateurs. D'autres types incluent les filtres passe-bande, les
filtres coupe-bande, les filtres céramiques.
III.5.4. Composants de protection contre des surcharges
Les suppresseurs de surcharge sont maintenant présents dans la plupart des foyers et des bureaux.
Ils apportent à des dispositifs électroniques coûteux une protection supplémentaire, qui leur évite
de recevoir des surcharges électriques, susceptibles de les endommager/ détruire. Les principaux
composants d'une protection contre les surcharges peuvent inclure un varistor à oxyde métallique,
une diode à suppression de transitoires, un dispositif de protection thyristor, un tube à décharge
gazeuse, un suppresseur de tension au sélénium, un suppresseur de surtension à anode de
carbone, un suppresseur de tension coaxial à quart d'onde, et des suppresseurs à mode sériel. Il

est toujours conseillé de protéger contre les surcharges électriques tous les dispositifs
électroniques utilisés, au travail comme dans le privé, avec un système de qualité suffisante.
III.5.5. Noyaux de ferrite
Ces noyaux sont fabriqués en ferrite, un composé céramique qui combine du fer et un autre
métal. La ferrite est très courante dans de nombreux types de composants électriques, incluant les
antennes, par exemple. Ce noyau magnétique se caractérise par des éléments de bobinage, tels
que les bobinages de transformateurs et d'inductances. Son utilité est basée sur sa faible
conductivité électrique et sa haute perméabilité magnétique. Les utilisations les plus courantes
des noyaux de ferrite incluent les transformateurs de signal et les transformateurs de puissance.
Ils sont utilisés dans un grand nombre de dispositifs électroniques de toutes tailles. Les
transformateurs de signal qui utilisent ces noyaux sont généralement petits et ont des fréquences
élevées. Les transformateurs de puissance sont plus grands et ont des fréquences plus basses. Les
noyaux de ferrite sont disponibles dans différentes formes, cylindriques, toroïdaux et autres.
III.5.6. Encodeurs rotatifs
Ces composants sont aussi appelés roues codeuses. Ces dispositifs changent ou convertissent le
mouvement ou la position d'un axe en fonction d'un code analogique ou numérique. Les deux
principaux types d'encodeurs rotatifs sont incrémentiels et absolus. Ils sont très utilisés dans de
nombreux domaines, tels que la robotique, les dispositifs de saisie informatique, les plateformes
de radar rotatives, et les contrôles industriels.
III.5.7. Haut-parleurs
Les haut-parleurs, aussi appelés timbres électriques, utilisent des électroaimants et du courant
électrique. Il sert à générer un signal audio. Ils sont très utiles pour les alarmes, les compteurs et
autres dispositifs similaires. Ils peuvent confirmer des frappes de clavier, ou des clics sur une
souris. Les dispositifs peuvent être mécaniques, électromécaniques ou piézoélectriques. Ils
fonctionnent souvent en conjonction avec des composants passifs dans des systèmes et des
dispositifs électroniques.

III.5.8. Composants de microphone
Les composants d'un circuit de microphone traitent ensemble un son acoustique pour créer un
signal électrique. Ils incluent des transducteurs et des capteurs qui convertissent les sons reçus en
signaux électriques. Les microphones qui utilisent ce système simple sont présents dans un grand
nombre de dispositifs très courants actuellement, et pas seulement dans des microphones d'audio
public. D'autres types d'applications incluent les téléphones, les prothèses auditives, les radios.
III.6. Les applications nécessitent des composants passifs
Les composants passifs sont nécessaires pour garantir le fonctionnement d'une multitude
d'applications. Parmi elles, les applications de filtrage. Elles ont besoin de résistances et de
condensateurs. En outre, des solutions sont créées pour fournir les performances et les fréquences
spécifiquement requises. Les filtres incluent par exemple les filtres passe-haut, les filtres passe-
bas, les filtres passe-bande, les filtres coupe-bande, les filtres passent tout, les filtres coupe-bande
à flancs raides, les filtres d'égalisation.
Les composants passifs jouent un rôle important dans l'électronique numérique parce qu'ils
contribuent à maintenir la stabilité opérationnelle. Ils protègent les puces intégrées dans ces
systèmes pour qu'elles ne reçoivent pas un niveau de bruit excessif avec le signal de puissance.
Sans les composants passifs, un bruit excessif peut causer des comportements étranges et
imprévisibles dans les dispositifs.
Les applications de détection capacitive sont de plus en plus courantes dans variété accrue de
dispositifs, incluant l'électronique grand public. Les condensateurs sont très utiles dans ce
domaine et ils jouent un rôle essentiel pour garantir le bon fonctionnement des applications. Les
applications de détection mesurent différents facteurs tels que l'accélération d'un objet, le niveau
d'un fluide, la position et l'humidité. Elles peuvent aussi mesurer des changements dans le
condensateur. Souvent, les condensateurs sont installés dans des dispositifs qui ont besoin de
laisser passer le courant alternatif et de bloquer le courant continu.

Chapitre IV : Composant actifs
IV.1. Diode à jonction PN
IV.1.1. Constitution – Symbole
Une diode à jonction est un composant constitué d’une jonction PN (Fig.4.1.) rendue accessible
par deux contacts électriques (obtenus par métallisation). Son symbole et les notations sont
représentés à la (Fig.4.2.) (pour le retenir, noter que le sens du courant est celui du triangle).
Fig.4.1. Constitution d'une diode à jonction Fig.4.2. Symbole de la diode
IV.1.2. Caractéristique statique tension–courant
Le fonctionnement est traduit par le lien entre la tension et le courant : la caractéristique tension–
courant. Elle est relevée dans les quatre quadrants en polarisant la diode en suivant le schéma de
la (Fig.4.3.). Le résultat est décrit à la (Fig.4.4.).
Fig.4.3. Polarisation de la diode

Fig.4.4. Caractéristique tension–courant d'une diode.
L’observation de cette caractéristique permet de distinguer deux régimes de fonctionnement :
• Dans le sens direct (iD et uD positifs), la diode est passante; la tension uD est faible
(≈1V) et le courant croît très rapidement avec la tension ;
• Dans le sens inverse (iD et uD négatifs), la diode est bloquée; le courant est faible
quelque soit la tension (courant de saturation).
IV.1.3. Association de diode
a) Parallèle
Montées en parallèles permet de diviser le courant I dans chaque diode:

Toutefois ce type de montage comporte un risque. En effet les diodes ne sont pas parfaites. Une
diode peut laisser plus courant qu'une autre. De ce fait elle chauffera plus que les autres et risque
de se détruire rapidement.
b) Série
Mettre des diodes en série peut être intéressant pour certaines applications, si on cherche à
obtenir une tension constante quelque soit le courant qui passe.
IV.1.4. Redressement
IV.1.4.1. Définition
Le redressement consiste à transformer une tension bidirectionnelle en une tension

unidirectionnelle appelée tension redressée.
IV.1.4.2. Redressement simple alternance
Schéma de montage:
Fig.4.5. Redresseur simple alternance
avec : u = UM sin ωt et ω = 2πf

• Principe de fonctionnement :
Hypothèse : On suppose que la diode est idéale.
Pendant l’alternance positive de la tension u (u > 0), la diode D est polarisée en direct donc elle
est passante (i > 0 et ud = 0) donc uR = u – ud = u. Pendant l’alternance négative de la tension u (u
< 0), la diode D est polarisée en inverse donc elle est bloquée (i = 0 et ud < 0) donc uR = 0.
Fig.4.6. Allures des tensions u et uR
IV.1.4.3. Redressement double alternance à deux diodes et transformateur à point milieu
Schéma de montage:
u = u1 – u2 = UM sin ωt avec ω = 2πf;
Fig.4.7. Redresseur double alternance à deux diodes et transformateur à point milieu
• Principe de fonctionnement:
Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.
Pendant l’alternance positive de u:

• u1 est positive, D1 conduit donc .
• u2 est négative, D2 bloquée.
Pendant l’alternance négative de u:
• u2 est positive, D2 conduit donc .
• u1 est négative, D1 bloquée.
IV.1.4.4. Redressement double alternance à pont de Graetz
Schéma de montage :
Fig.4.9. Redresseur double alternance à pont de Graetz
• Principe de fonctionnement:
Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.
Pendant l’alternance positive de u:

• D1 et D3 conduisent, D2 et D4 bloquées donc uR = u.
Pendant l’alternance négative de u.
• D2 et D4 conduisent, D1 et D3 bloquées donc uR = - u.
La période d’une tension redressée double alternance est .
IV.1.5. Modèle de la diode Zener
Dans le sens direct, cette diode se comporte comme une diode normale, dans le sens
inverse la diode zener est équivalente à une source de tension de f.e.m Vz et de résistance
interne rz (Fig.4.11.):
Fig.4.11. Modèle, symbole et caractéristique de la diode Zener

• En polarisation directe, une diode Zener est équivalente à une diode normale.
• En polarisation inverse, la diode conduit lorsque la tension inverse Ui devient supérieure
à la tension Zener Uz. La caractéristique linéarisée conduit à l’équation : Ui = Uz + Rz . Ii
où Rz est la résistance dynamique inverse. Dans ce cas La diode Zener est équivalente au
modèle suivant :
Fig.4.12. Schéma équivalent à une diode Zener polarisée en inverse
Si la résistance dynamique Rz est négligée, la tension aux bornes de la diode lorsqu’elle conduit
en inverse est constante quelque soit le courant qui la traverse. La diode Zener est idéale.
Fig.4.13. Schéma équivalent d’une diode Zener idéale passante en inverse
IV.1.6. Autres types de diodes
IV.1.6.1. Diode Tunnel
C'est une diode dont la caractéristique présente localement une pente négative lorsqu'elle est
polarisée dans une zone médiane de sa caractéristique directe. Cette propriété est utilisée pour la
réalisation d'oscillateur LC, la résistance dynamique négative étant ajustée pour annuler les pertes
du réseaux LC parallèle et garantir l'existence d'une oscillation d'amplitude constante.
Symbole:

IV.1.6.2. Diode Varicap
Lors de l'étude du fonctionnement interne de la diode à vide, on a fait apparaître le champ

électrostatique de la barrière de potentiel. A l'origine de ce champ, il y avait une réparation de
charges, des ions de signes opposés, de part et d'autre de la jonction ce qui constitue une capacité
(on peut électivement voir ce phénomène comme 2 plaques recouvertes de charges opposées et
séparées par un diélectrique). D'une façon générale, les différentes accumulations de charges dans
la jonction d'une diode font apparaître un comportement dynamique capacitif de la diode.
Symbole:
IV.1.6.3. Diode Schottky
C'est une diode de redressement réalisée sous la forme d'une jonction métal/semi-conducteur et
dont la barrie de potentiel est plus faible que celle d'une diode usuelle (de 0:2V à 0:4V ). Son
utilisation est intéressante dans les applications en basse tension car sa faible barrière de potentiel
limite les pertes en conduction et favorise le rendement.
Symbole:
IV.2. Les Transistors :
Deux transistors sont principalement utilisés en électronique : le transistor bipolaire et le

transistor MOS. Dans une proportion moindre, on trouvera également des transistors à effet de
champ.

IV.2.1. Transistor bipolaire
Le transistor (inventé en 1948 par les physiciens américains John Bardeen, Walter
Houser Brattain et William Shockley) a remplacé, pratiquement partout, le tube électronique.
C’est celui dont les processus de fabrication ont été les premiers à être dominés
industriellement. Il a pour inconvénient majeur une consommation relativement importante,
ce qui limite la densité d’intégration. Formé par l'association de deux jonctions P-N placées
en opposition (transistor N-P-N ou P-N-P), il contrôle le déplacement de charges électriques à
travers les jonctions, entre un émetteur et un collecteur, le contrôle étant assuré par une
troisième électrode appelée base.
Fig.4.14. Schéma d’un transistor de type npn et pnp
L'émetteur est toujours repéré par une flèche qui indique le sens du courant dans la jonction entre
base et émetteur. C'est l'effet transistor qui permet à la diode qui est en inverse de conduire quand
une tension est appliquée sur la base. On peut considérer le transistor comme l’association de
deux diodes dont la représentation ci-dessus peut aider.

Le transistor NPN est constitué d’une jonction NP (Collecteur-Base) et d’une jonction
PN (Base-Emetteur). Suivant le mode de polarisation de ces deux jonctions (bloquée =
inverse ou passante = directe), quatre modes de fonctionnement du transistor peuvent
apparaître:
Jonction collecteur-base Jonction base-émetteur Mode de fonctionnement

Inverse Direte Normal
Bloquée Bloquée Bloqué
Directe Directe Saturé
Directe Inverse Inverse
IV.2.1.1. Mode de fonctionnement
On peut voir le transistor bipolaire comme la juxtaposition de deux jonctions PN:
• la jonction Base-Emetteur (tension directe VBE).

• la jonction Base-Collecteur (tension inverse VBC).
Chacune de ces jonctions pouvant avoir 2 états:
• bloqué (VBE < 0, VCB > 0).

• saturé (VBE > 0, VCB < 0).
Il existe donc 4 configurations possibles pour l'état de ces 2 jonctions.
a) Commutation : mode saturé, mode bloqué
Dans ce mode, les jonctions sont soient passantes, soient bloquées:
• jonctions bloquées (VBE < 0, VCB > 0) : le transistor est dit bloqué et aucun courant ne
circule dans le transistor. Si la Base est vu comme la broche de commande, le transistor se
présente alors côté Collecteur-Emetteur comme un interrupteur ouvert.
• jonctions saturées (VBE > 0, VCB < 0) : le transistor est dit saturé. Il se comporte comme un
interrupteur fermé vu de sa sortie (connexion Collecteur-Emetteur).

b) Effet transistor : zone de fonctionnement linéaire - Approche physique qualitative
Les lois de la physique permettent une étude analytique complète du fonctionnement de la

jonction PN et par extension du transistor bipolaire. Dans le cadre de ce cours, nous nous limitons
à une compréhension du phénomène de fonctionnement dans la zone linéaire par une approche
totalement qualitative. La figure suivante illustre ce mode de fonctionnement :
Fig.4.15. transistor bipolaire NPN en fonctionnement linéaire
La jonction VBE > 0 impose un champ électrostatique orienté positivement vers le bas dans
la junction Base-Emetteur. Les électrons majoritaires de la jonction Base-Emetteur sont donc
propulsés vers la base (flèches 1 et 2). Par ailleurs, la tension VCB > 0 provoque l'apparition d'un
champ électrostatique orienté également vers le bas (la jonction Collecteur-Base est ainsi
polarisée en inverse). Les électrons de l'émetteur lorsqu'ils arrivent dans la base (flèche 1) alors
qu'une faible portion de ces électrons se recombinent dans la base (flèche 2). La
jonction Collecteur-Base étant polarisée en inverse, on assiste à un mouvement des porteurs
minoritaires, les trous des paires de thermo-génération du collecteur qui se recombinent dans la
base (flèche 3). En sens inverse du déplacement des électrons, on peut visualiser les courants mis
en jeu dans le fonctionnement du transistor.
Le courant IE est celui qui circule dans l'émetteur. Il a pour origine les courants de base IB et de
collecteur IC. La majeure partie des électrons de l'émetteur circulant vers le collecteur, on a donc
un courant de base IB petit devant le courant dans le collecteur IC.

IV.2.1.2. Effet Transistor
C’est le fait de véhiculer un fort courant collecteur à partir d’un faible courant de base (IC >> IB).
On définit l’amplification statique en courant:
IC
β (IV.1)
IB
IC : courant Collecteur, IB : courant de Base
IE : courant Emetteur.
IE = IC + IB
VCE = VCB + VBE
Fig.4.16. Transistor NPN et ses grandeurs électriques
IV.2.1.3. Transistor monté en Emetteur commun
Soit le schéma du transistor et de ses grandeurs électriques principales.
Fig.4.17. Schéma du transistor et de ses grandeurs électriques principaux
En fonction des grandeurs électriques principales du transistor, on peut établir les caractéristiques
statiques suivantes:

Fig.4.18. Caractéristiques statiques du transistor
IV.2.2. Le Transistor MOS
Un transistor à effet de champ à grille isolée MOSFET (Metal Oxide Semiconductor field
Transistor) est un FET qui module le courant qui le traverse à l’aide d’un signal appliqué à sa
grille qui est isolé du canal par une couche de dioxyde de silicium (SiO2). Il y a MOSFET de type
P et des MOSFET de type N.
Pour le MOS de type N, le transistor est constitué d’un substrat de P faiblement dopé, dans lequel
on diffuse deux zones de N+ fortement dopés. Pour la MOSFET de P, c’est tout à fait l’inverse.

IV.2.3. Transistor à effet de champ (TEC ou FET)
On trouvera aussi la dénomination anglo-saxonne FET (Field Effect Transistor) ou encore JFET
(Jonction FET). A l’instar du transistor MOS, ce transistor est comprend trois électrodes:
• une grille G de commande (l’équivalent de la base d’un transistor bipolaire);

• deux électrodes de « puissance » dites drain D est source S (respectivement l’équivalent
sur le transistor bipolaire du collecteur et de l’émetteur). Comme pour le transistor
bipolaire, le circuit de commande grille source est composé d’une diode, mais celle-ci
sera polarisée à l’état bloqué. Ce transistor n’absorbe donc pas (ou peu) de courant du
côté de la commande.
Deux types de transistors existent, le canal N et le canal P, sachant que comme pour les
transistors bipolaires et MOS, on passe de l’un à l’autre en inversant le signe des grandeurs. Sur
les symboles, la flèche indique le sens passant de la jonction grille source.
IV.2.4. Le Transistor IGBT
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) : Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est un
dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur
électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance.

Les transistors IGBT ont permis d’envisager des développements jusqu’alors non viables en
particulier dans la vitesse variable ainsi que dans les applications des machines électriques et des
convertisseurs de puissance qui nous accompagnent chaque jour et partout, sans que nous en
soyons particulièrement conscients: automobiles, trains, métros, bus, avions, bateaux, ascenseurs,
électroménager, télévision, domotique, etc. Ils sont utilisés comme un transistor bipolaire à porte
isolée.
IV.3. Circuits intégrés
IV.3.1. Définition
Un Circuit Intégré CI désigne un bloc constitué par un monocristal de silicium (Puce) à

l’intérieur duquel se trouve inscrit en nombre variable des composants électroniques
élémentaires (Transistors, diodes, résistances, condensateurs,...). Les circuits intégrés sont classés
selon leurs caractéristiques et leur domaine d'emploi. Le classement est montré dans la figure
suivante:
Fig.4.19. Différentes circuits intégrés

• ASIC: Ce sont des circuits intégrés fabriqués à la demande. Ils peuvent intégrer des
structures analogiques et logiques.
• Circuits analogiques: ce sont des circuits intégrés qui mettent en forme des informations
analogiques.
• Circuits programmables: ils nécessitent des informations virtuelles (un programme)
• Circuits logiques: regroupent les structures logiques intégrées non programmées.
IV.3.2. Degré d’intégration des circuits intégrés
Le tableau suivant résume les cinq degrés d’intégration des circuits intégrés.
Degré d’intégration Nombre de portes

Intégration à petite échelle (SSI) Moins de 12
Intégration à moyenne échelle (MSI) 12 à 99
Intégration à grande échelle (LSI) 100 à 9999
Intégration à très grande échelle (VLSI) 10 000 à 99 999
Intégration à ultra grande échelle (ULSI) 100 000 et plus
IV.3.3. Boîtiers de circuits intégrés
Les circuits intégrés sont encapsulés dans plusieurs types de boitiers. Ces boitiers se
distinguent par le nombre de broches externes, les conditions ambiantes de fonctionnement et
la méthode de montage sur la plaquette de circuits. Les boîtiers illustrés à la (Fig.4.20.) sont des
composants DIP (double rangée en ligne) à 14 broches.
Fig.4.20. Boîtiers de CI à 14 broches

Chapitre V : Composant optoélectronique
L'Optoélectronique est l'étude des composants qui interagissent avec de la lumière. Elle est
généralement considérée comme une sous branche de la photonique. Les interactions
rayonnement électromagnétique – semi-conducteurs sont le principe des composants
optoélectroniques dont le rôle est la conversion d’un signal optique en un signal électrique ou
réciproquement. Ce sont donc des transducteurs électronique vers optique ou optique vers
électrique.
V.1. Les diodes LED
Les D.E.L (Diode Electro Luminescente) ou en Anglais: L.E.D (Light Emitting

Diode) éclairent lorsqu' elles sont parcourues par un courant de l'anode vers la cathode. Cette
diode émet de la lumière quand elle polarisée en direct. Elle est maintenant très utilisée pour
l'éclairage des habitations et depuis 1975 comme voyants lumineux dans les appareils
électroniques.
Fig.5.1. Symbole de la LED
V.1.1. Electroluminescence
La physique des semi-conducteurs nous enseigne que les électrons dans les solides cristallins
se situent à des niveaux d'énergie spécifiques. Ces niveaux très proches les uns des autres,
sont regroupés en "bandes d'énergie".
Un électron de la bande de valence peut passer dans la bande de conduction à condition
d'acquérir une énergie supplémentaire au moins égale à ∆E. C'est l'effet photoélectrique.

Un électron de la bande de conduction peut passer dans une bande de valence. Dans ce cas il
libère une énergie au moins égale à ∆E. Cette énergie peut être:
• Dissipée sous forme de chaleur (phonons),

• émise sous forme de lumière (photons).
C'est l'effet électroluminescence (visible ou non).
V.1.2. Caractéristique
Une LED se comporte électriquement comme une diode. Pour émettre elle doit être polarisée
en direct.
La tension de seuil dépend de la couleur et donc de la composition chimique du dopage
Fig.5.2. Caractéristiques IF=f (VF) d’une diode LED

La tension de seuil dépend de la couleur et donc de la composition chimique du dopage.
Couleurs Tension de seuil VF (V) IF (mA) Longueur d'onde (nm)

Rouge 1,6 à 2 6 à 20 650 à 660
Jaune 1,8 à 2 6 à 20 565 à 570
Vert 1,8 à 2 6 à 20 585 à 590
Bleu 2,7 à 3,2 6 à 20 470 nm
blanc 3,5 à 3,8 30
Il existe actuellement plusieurs types de LED donnant chacun des spectres différents. Cela est
obtenu par la variété des semi-conducteurs utilisés pour fabriquer les jonctions PN.
Exemples dans le tableau suivant pour l'obtention de certaines longueurs d'onde:
Matériaux Rayonnement Longueur d'onde
InAs ultra-violet 315 nm
InP infra-rouge 910 nm
GaAsP4 rouge 660 nm
GaP vert 560 nm
Dans certains cas, on peut avoir besoin de polariser en inverse la LED. La diode est alors
éteinte: elle n'émet plus d'intensité lumineuse. Mais attention, la diode LED ne peut pas
supporter des tensions inverses trop importantes comme une diode de redressement par
exemple. Les valeurs courantes se situent telles que VR max = ± 3 V à 5 V (reverse voltage) ; au
de la de ces valeurs il y a endommagement ou destruction du composant. En cas de besoin
nous plaçons une diode normale en série avec la LED.
V.1.3. Valeurs
V.1.3.1. LED standard
LEDs rondes de diamètre 3 mm ou 5 mm comportent un plat sur la base pour repérer la

cathode (ou lorsqu' elles sont neuves la patte la plus courte). La consommation moyenne est
d'environ 20 mA.

V.1.3.2. Les LEDs miniatures
LED de diamétre1,9 au pas de 2,54 mm pour implantation directe sur un circuit ayant une
consommation de 20 mA.
V.1.3.3. Les LEDs faible consumation
Elles consomment de 2 mA à 6 mA.
V.1.3.4. Les LEDs avec résistance interne
Avec ces LEDs vous n'avez pas besoin d'utiliser de résistance extérieur, elles peuvent
fonctionner directement sur une tension de 5V ou 12V.
V.1.3.5. Les LEDs clignotantes
Ces LEDs ont un circuit électronique permettant le clignotement avec une fréquence de 1 à
2,5 Hz/seconde .La plage d'alimentation est de 3,5V à 5V et pour une utilisation avec des
tensions supérieurs il faut ajouter une résistance .Il y a maintenant aussi des LEDs avec
résistance intégré pour une utilisation en 12 V.
V.1.4. Utilisations
L'avantage d'utiliser des LEDs est qu'elles ne s'usent pas. Elles sont moins chères que des
voyants. Elles consomment moins d'énergie. L'inconvénient et qu'elles ne peuvent
fonctionner qu'avec une faible tension, et qu'elles n'éclairent pas beaucoup par rapport aux
ampoules classiques. Il faut donc ajouter une résistance en série pour utiliser un LED.
V.2. Diodes Laser
Les diodes Laser reposent sur des technologies bien différentes en fonction de la couleur
émise. En fonction de la couleur du Laser, le principe sera différent: diode laser simple ou
diode laser de pompage et cristaux spécifiques.
V.2.1. Principe de la diode Laser
Une diode Laser a la forme d'un parallélépipède rectangle dont les deux faces clivées
perpendiculairement au plan d'une jonction de semi-conducteurs émettrice, constituent un

résonateur Fabry-Pérot. Ce résonateur est à l'origine de l'émission stimulée de photons
caractéristique de l'émission Laser.
Fig.5.3. schéma d'une diode dont la largeur est d'un demi-millimètre environ
Afin d'obtenir une émission Laser continue et puissante à température ambiante, la jonction de
semi-conducteurs sera une structure complexe telle que la double hétérojonction (DH) de la
figure précédente. Cette dernière présente l'avantage de confiner les porteurs par une barrière
de potentiel électrostatique dans un volume très réduit appelé zone active. Ce confinement
permet d'obtenir pour un faible courant d'injection, une densité de porteurs élevée et par
conséquent un gain élevé. Pour fixer l'échelle de taille de la zone active, sachez que L ~ 100 à
500 µm, d ~ 0,1 à 0,5 µm, s ~ 2 à 5 µm.
Fig.5.4. Jonctions émettrices. a) Homojonction. b) Double-hétérojonction

Retenons qu'une diode Laser monomode est un émetteur de lumière intense ~ 100 mW, quasi
monochromatique (une seule longueur d'onde) et de grande cohérence temporelle
(interférences avec différence de chemin optique de plusieurs mètres).
V.2.2. La caractéristique puissance-courant
Elle représente la variation de la puissance émise par la diode laser en fonction de son courant
de polarisation. Cette caractéristique dépond fortement du courant de seuil qui correspond au
seuil de l’émission laser et de la température de fonctionnement du composant.
• Lorsqu’un faible courant lui est appliqué, l’émission stimulée ainsi que les
recombinaisons Auger sont négligeables, une diode laser émet de la même manière
qu’une LED. La puissance rayonnement émis est proportionnelle au courant de
polarisation. L’inversion de population n’a encore pas lieu (Fig.5.6.).
• Lorsque le courant qui traverse la jonction devient supérieur au courant seuil,
l’inversion de population a lieu. Les photons émis vont générer des photons
cohérents qui vont atteindre les faces clivées du laser en se multipliant par émissions
stimulées.
• Les courants seuils typiques varient de 1 à 25 mA et les puissances émises sont de
l’ordre de 15 à 25 mW pour un courant de 100 mA.
• En régime laser la caractéristique Φ(I) est quasiment droite.
• A fort courant, la courbe s’éloigne de la droite à cause de l’échauffement du
composant.
Fig.5.6. Caractéristique puissance-courant de la diode laser.

V.2.3. Courant de seuil d'une diode laser
La lumière "LASER" ne commence à être émise qu'à partir d'un certain courant (10 à 25% du
courant maximum). Par exemple, il faut au moins 80mA pour commencer à voir le faisceau
laser rouge pour la diode laser 300mW. Ce phénomène n'existe pas sur les LED.
V.2.4. Influence de la température
La longueur d'onde d'émission d'une diode laser augmente avec la température du semi-
conducteur. Cela est dû au fait qu'en augmentant la température l'indice de réfraction et la
longueur de la zone active (et donc celle du résonateur) augmentent à leur tour. Au-dessus
d'une certaine température il devient difficile à un mode donné d'osciller dans le résonateur.
Pourra osciller un mode différent pour lequel les conditions sont plus favorables. Parce que
l'intervalle de mode du très court résonateur (300 µm) est très grand, le saut de
mode est d'environ 0,3 nm. Si on réduit ensuite la température, le laser tend à retourner vers sa
longueur d'onde initiale. Le saut de retour ne se fait pas selon le mode initial (c'est l'analogue
d'un phénomène d'hystérésis). Les applications qui nécessitent une variation parfaite de
longueur d'onde de la diode laser devront être menées dans les régions des courbes (voir
figure I-4) qui sont en dehors des sauts.
Fig.5.7. Variation de la longueur d'onde avec la température
le courant seuil varie, avec la température, suivant la loi :

T
I T I . Exp
T (V.1)

Où T0 est la température caractéristique de la diode. Sa valeur varie de 120 à 230 K
Pour les diodes laser à base de GaAlAs et de 60 à 80 K pour les lasers à base de
GaInAsP. Iso est le courant de seuil caractéristique.
• L’expression montre que la réaction de la diode laser aux changements de temperature
est d’autant plus importante que la température caractéristique T0 est faible.
• Pour une bonne fiabilité avec conservation d’une puissance lumineuse optimale, il est
nécessaire de réguler en température la diode.
V.2.5. Matériaux utilisés pour les diodes laser
La longueur d'onde de la lumière émise d’une diode laser est directement liée au matériau
de la région active, région où a lieu le maximum d’émissions stimulées. Elle est une fonction de
la largeur de la bande interdite et est déterminée par la concentration de dopants et la
configuration de la zone active. Ainsi, Les mêmes types de matériaux et alliages utilisés pour les
LED sont aussi utilisés pour les diodes laser.
• Les premières diodes laser étaient réalisées à base d’homojonction GaAs en 1962 sans
confinement latéral. Elles sont utilisées en régime pulsé à cause des fortes densités de
courant d’injection qu’elles nécessitaient pour leur fonctionnement.
• Les diodes Laser actuelles sont à hétérojonctions et à base d’alliages ternaires
(exemple : GaAlAs) et quaternaires (exemple : GaInAsP) et peuvent fonctionner en
régimes continus et pulsés.
Ainsi en variant la fraction x d’aluminium dans le mélange Ga1-x Alx As, une jonction
PN au GaAlAs peut émettre de 750 nm à 900 nm et couvrir entièrement la gamme de
la première fenêtre optique (cf. chapitre fibres optiques): λ = 850 nm ➾ Ga0.9Al0.1As
L’InGaAsP est principalement utilisé pour la fabrication de composants qui émettent
vers 1300 nm et 1550 nm.
L’InGaAlP est utilisé pour les lasers à semi-conducteurs dans la plage visible à partir
de 630 nm. Ces lasers sont adaptés pour la transmission de données avec des fibres
plastiques synthétiques. Dans de nombreuses applications Ils remplacent le laser
HeNe, par exemple pour les scanners de codes à barres.

V.2.6. Utilisation des diodes laser
Les diodes laser sont utilisées dans de nombreuses applications, d'une part comme substitut
des lasers à gaz car elles présentent sous un volume réduit sans haute tension et à moindre
prix une puissance équivalente, d'autre part comme laser pompe pour le laser à cristaux. Mais
leur utilisation principale concerne les télécommunications où elles permettent grâce à leurs
fréquences de modulation élevées d'alimenter les réseaux de transmission à fibres optiques.
Les imprimantes laser en font également usage.
V.3. La fibre optique
En communication, et plus particulièrement au niveau des télécommunications, l’homme a

toujours recherché et recherche encore la perfection. Du télégraphe de Chappe, vu
précédemment, l’homme a su évolué et concevoir un moyen de télécommunication
révolutionnaire : la fibre optique. En effet, nous savons que la lumière a une certaine tendance
à se propager en ligne droite, ainsi pour transporter de l’information d’un point quelconque
vers un autre point quelconque ce n’est pas très pratique…La fibre optique, elle permet cette
circulation de l’information et donne encore d’autres avantages.
V.3.1. Présentation et principe
La fibre optique est une fibre ou une fine tige de verre ou d’un autre matériau transparent,
possédant un indice de réfraction élevé, permettant la propagation guidée de la lumière.
Grossièrement, la fibre optique est composée:
• d’un fil de verre très fin, le cœur (quelques microns), d’un seul tenant, parfois très
long (jusqu’à plusieurs centaines de kilomètres),
• d’une gaine qui emprisonne la lumière dans le cœur en la réfléchissant pratiquement
sans perte (généralement, une enveloppe transparente d’un indice de réfraction
inférieur (certains se rappelleront leur cours de physique),
• d’un revêtement de protection qui peut réunir plusieurs dizaines à plusieurs centaines
de fibres,
• d’un système de connexion très spécifique (sinon la lumière butte aux extrémités et ne
sort pas).

Fig.5.8. Principe fibre optique
Le type de propagation des fibres optiques repose sur le principe de la réflexion totale. Les
rayons lumineux qui se propagent le long du cœur de la fibre heurtent sa surface avec un
angle d’incidence supérieur à l’angle critique : la totalité de la lumière est alors réfléchie dans
la fibre. La lumière peut ainsi se propager sur de longues distances, en se réfléchissant des
milliers de fois. Afin d’éviter les pertes de lumière liées à son absorption par les impuretés à
la surface de la fibre optique, le cœur de celle-ci est revêtu d’une gaine en verre d’indice de
réfraction beaucoup plus faible ; les réflexions se produisent alors à l’interface cœur-gaine.
V.3.2. La transmission
Pour une conversation téléphonique, la voix est traduite en un signal électrique. Ce signal est
transmis jusqu'au récepteur par un câble de cuivre. Le signal électrique est alors décodé pour
reproduire le message de départ. La fibre optique transporte l'information sous forme de
lumière, pour réaliser cette même conversation téléphonique, un dispositif doit être mis en
place : l’IOE (interface optique d’émission) appelé aussi « transceiver » transforme le signal
électrique de départ en signal optique; il s’agit essentiellement d’une diode
électroluminescente (DEL) ou d’une diode laser. L’IOR (interface optique de réception) aussi
appelé « détecteur », qui contient une photodiode, transforme le signal optique à la sortie du
système en signal électrique, puis, finalement, en son.
L'information est généralement transmise en code binaire, soit sous forme de 0 et de 1. Le
signal qui est transporté dans la fibre est alors formé d'impulsions lumineuses. Le défi des
compagnies de télécommunications est d'arriver à transmettre un maximum de données en un
temps record tout en minimisant les pertes de signal. Pour augmenter le débit de transmission,
on réduit la largeur des impulsions, ce qui correspond à une augmentation de la fréquence de
transmission. Les télécommunications par fibres optiques ont été rendues possibles grâce à

l'invention du laser au début des années 1960. Sans cette source lumineuse très intense, le
signal lumineux ne se rendrait que difficilement à destination.
V.3.3. Les différents types de fibre
V.3.3.1. La fibre multimode
Dans cette famille, nous trouvons deux sous catégories:
• La fibre à saut d'indice
C’est le type de fibre le plus simple, directement issue des applications optiques
traditionnelles. Le cœur a un relatif gros diamètre, par rapport à la longueur d'onde de la
lumière (de l'ordre du µm dans l'infrarouge). La gaine otique joue un rôle actif dans la
propagation, et ne doit pas être confondue avec les revêtements de protection déposés sur la
fibre. Le rayon est dans ce cas guidé par réflexion totale au niveau de l’interface cœur-gaine,
sinon il est réfracté dans la gaine. Ceci reste vrai si la fibre cesse d’être rectiligne, à condition
que le rayon de courbure reste grand devant son diamètre. Tous les inconvénients vus plus
haut se manifestent ici. Observez l'allure de l'impulsion de sortie, comparée à celle de
l'impulsion d'entrée. Ce sont bien entendu des informations non quantitatives, un aperçut.
• La fibre à gradient d'indice
Ces fibres sont spécialement conçues pour les télécommunications. Le guidage est cette fois
dû à l’effet du gradient d’indice. Les rayons guidés suivent une trajectoire d’allure
sinusoïdale. La gaine n’intervient pas directement, mais élimine les rayons trop inclinés.

Ici, deux améliorations sont apportées:
• Le diamètre du cœur est de deux à quatre fois plus petit.

• Le cœur est constitué de couches successives, à indice de réfraction de plus en plus
grand. Ainsi, un rayon lumineux qui ne suit pas l'axe central de la fibre est ramené "en
douceur" dans le droit chemin.
L’avantage essentiel de ce type de fibre est de minimiser la dispersion du temps de

propagation entre les rayons.
V.3.3.2. La fibre mono mode
C'est le "top". Le diamètre du cœur est très petit, les angles d'incidence le sont donc aussi. Les
résultats sont excellents, mais, compte tenu de la faible section de cette fibre, seul la lumière
laser est ici exploitable. Il n'y a pas de miracle, c'est la solution la meilleure, mais aussi la plus
onéreuse.
V.3.4. Quelques applications de la fibre optique
De nos jours, les stations de travail sont connectées entre elles a l’aide de réseaux utilisant la
fibre optique car son utilisation permet des débits d’informations plus rapides et une plus
grande sûreté lors des transmissions.
En téléphonie, les câbles coaxiaux sont remplacés peu à peu par des fibres optiques. En effet,
elle est plus économique sur longues et courtes distances et le nombre de composants
nécessaires est moins important. Son utilisation est particulièrement intéressante pour les
militaires car elle leur apporte certains avantages: faible poids. taille de la fibre, insensibilité
au brouillage et à la détection. On se sert aussi de la fibre optique pour examiner des petits
objets d’habitude inaccessibles. Au niveau médical pour les endoscopies, pour la recherche
sur le cerveau et le cœur en utilisant des filaments de fibres sans revêtement, l’image est alors
visualisée sur un écran de télévision.

V.4. Les dispositifs photosensibles
Le fonctionnement des différents éléments photosensibles à semi-conducteur est basé sur le

même principe physique. Lorsqu'un cristal semi-conducteur absorbe un photon d'énergie (E =
hν), supérieure à la largeur de sa bande interdite, il y a création d'une paire électron-trou ; un
électron passant de la bande de valence à la bande de conduction laissant à sa place un trou.
V.4.1. Photodiode
Considérons une jonction P-N polarisée en inverse (Fig.5.9.). Lorsque cette jonction est dans
l'obscurité, elle est le siège d'un courant de fuite que l'on appelle courant d'obscurité.
Si l'on illumine cette jonction avec une radiation de longueur d'onde (λ) suffisamment faible,
il y a création de paires électron-trou au sein du cristal.
Fig.5.9. Photodiode à jonction PN
Les porteurs ainsi générés sont balayés par le champ électrique présent dans la zone de
déplétion. Il en résulte un courant électrique proportionnel à la densité du flux de photons
incident. En fait, le circuit se comporte comme un générateur de courant commandé par la
lumière. Le coefficient de température est faible et le temps de réponse très court (inférieur à
la microseconde). L'absorption de la lumière dans le silicium décroît lorsque la longueur
d'onde (λ) augmente. Cependant, lorsque la longueur d'onde de la radiation incidente décroît,
une plus grande quantité de paires électron-trou est générée près de la surface. De ces deux

phénomènes contradictoires, il résulte une sensibilité maximale de la photodiode pour
une certaine longueur d'onde (Fig.5.10.).
Fig.5.10. Réponse spectrale d'une photo diode au silicium
Dans la pratique les photodiodes ne sont jamais utilisées seules du fait de la faiblesse du
courant qu'elles peuvent délivrer. Elles sont donc généralement associées à un amplificateur
qui est souvent intégré à la même puce. Les caractéristiques du composant ainsi formé
deviennent alors celles de l'ensemble photodiode (+) amplificateur.
V.4.2. Schéma équivalent de la photodiode
La photodiode étant habituellement polarisée en inverse, son schéma équivalent est celui
d’une diode en inverse en parallèle avec un générateur de courant (Iph). Ceci se traduit par le
circuit de la (Fig.5.11.):
Fig.5.11. Schéma équivalent de la photodiode

Rj est la résistance dynamique de la jonction polarisée en inverse, sa valeur est très élevée,
elle est de l’ordre de 1010 Ω .
Rs est la résistance série: c’est la résistance d’accès, elle est essentiellement due à la résistance
du substrat et à la résistance des contacts. Rs est très faible, elle est de l’ordre de 10 Ω.
Cj est la capacité de jonction: c’est la capacité de la zone de charge d’espace. Elle est
inversement proportionnelle à la largeur de la zone de charge d'espace W:
(V.2)
Où A est la surface de la photodiode.
L’épaisseur de la zone de charge d’espace W étant proportionnelle à la polarisation inverse,

Cette capacité oscille autour de 100 pF pour les faibles polarisations à quelques dizaines de
pF pour les polarisations élevées.
V.4.3. Phototransistor
Le phototransistor est la combinaison la plus simple d'une photodiode et de son amplificateur.

En dirigeant la lumière sur la jonction collecteur-base (qui est polarisée en inverse) on génère
un courant base d'origine photonique qui est amplifié par le gain en courant β du transistor
(Fig.5.12.). Si la base est accessible de l'extérieur une polarisation du transistor est possible,
Fig.5.12. Fonctionnement d’un phototransistor
On remarque que la sensibilité et la réponse du phototransistor varient avec le gain du

transistor, c'est-à-dire avec le niveau de courant, la polarisation éventuelle et la température.
La vitesse de réponse du phototransistor est très inférieure à celle d'un transistor équivalent.

V.4.4. Photo-Thyristor
Fig.5.13. Photo thyristor et son schéma équivalent
La (Fig.5.13.) Illustre le fonctionnement de ce dispositif. Le schéma équivalent du thyristor à

l'aide de deux transistors NPN et PNP permet de mieux saisir le mécanisme d'amorçage.
Le courant d'origine photonique généré dans la jonction collecteur-base du transistor NPN
provoque la conduction de celui-ci entraînant l'amorçage du thyristor de manière identique à
un courant injecté dans la gâchette.
V.5. Photopile
Une cellule solaire photovoltaïque est un dispositif qui permet de transformer la lumière qu’il
reçoit en énergie électrique. Les matériaux de base utilisés pour fabriquer des cellules
photovoltaïques sont les semi-conducteurs qui possèdent un gap suffisamment faible pour
absorber le maximum du spectre solaire, qui se situe principalement entre 1eV et 5eV. De
tous les semi-conducteurs qui possèdent un tel gap (Ge, Si, GaAs, InP, ...), le silicium est le
plus prometteur, car il est non-toxique et très abondant sur la terre. De plus, ce matériau étant
déjà à la base de toute la technologie de l’électronique, son utilisation est relativement mieux
maîtriser.
Les premiers prototypes de cellules solaires développés en laboratoire utilisaient du silicium
monocristallin, c’est-à-dire du cristal de silicium pur. En laboratoire, une simple jonction PN
de silicium monocristallin suffit pour atteindre des rendements de plus de 20%. Depuis,
beaucoup de types de silicium différents, moins coûteux à la fabrication, ont été étudiés afin
d’aborder le point crucial des coûts de production. Ainsi, on produit actuellement beaucoup
de panneaux solaires en silicium poly-cristallin.

V.5.1. Principe de fonctionnement
L’effet photovoltaïque est la transformation directe d’une énergie électromagnétique

(rayonnement) en énergie électrique utilisable de type continu.
A chaque photon, on associe une énergie Eph = hν, où ν est la fréquence associée à la
longueur d’onde du photon (λ = c / ν, avec c la célérité de la lumière dans le vide).
Pour passer de l’énergie du photon Eph à la longueur d’onde, on utilise la relation suivante:
1.24
E ph (eV) = Où λ est en µm. (V.3)
λ(µm)
La cellule solaire n’est sensible que dans un domaine de longueur d’onde particulier, et seul
un matériau semi-conducteur dispose de la structure de bande nécessaire à la génération, à
partir du rayonnement solaire, de paires électron-trou utilisables.
Dans un semi-conducteur, la structure des bandes de conduction et de valence définissent un
gap plus faible que dans le cas des isolants : de 0,3 à 3 eV. Si le minimum de la bande de
conduction coïncide avec le maximum de celle de valence, le gap est dit direct, les
transitions sont donc directes et radiatives.
V.5.2. Structure d’une cellule photovoltaïque
Une cellule photovoltaïque est un dispositif qui permet de transformer l'énergie solaire en
énergie électrique. Cette transformation est basée sur les trois mécanismes suivants:
• Absorption des photons (dont l'énergie est supérieure au gap) par le matériau
constituant le dispositif ;
• conversion de l'énergie du photon en énergie électrique, ce qui correspond à la
création de paires électron-trou dans le matériau semi-conducteur ;
• collecte des particules générées dans le dispositif.
Le matériau constituant la cellule photovoltaïque doit donc posséder deux niveaux d'énergie,
et être assez conducteur pour permettre l'écoulement du courant: d'où l'intérêt des semi-
conducteurs pour l'industrie photovoltaïque.
Afin de collecter les particules générées, un champ électrique permettant de dissocier les
paires électrons-trous créées est nécessaire. Pour cela, on utilise le plus souvent une jonction
PN. D'autres structures, comme les hétérojonctions et les schottky peuvent également être

utilisées. Le principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque est illustré sur la
(Fig.5.14.).
Fig.5.14. Structure et diagramme de bande d’une cellule photovoltaïque.
Les photons incidents créent des porteurs dans les zones N et P, et dans la zone de charge
d'espace. Les photo-porteurs auront un comportement différent suivant la région:
• Dans la zone N ou P, les porteurs minoritaires qui atteignent la zone de charge

d'espace, sont "envoyés" par le champ électrique dans la zone P (pour les trous) ou
dans la zone N (pour les électrons), où ils seront majoritaires. On aura un photo-
courant de diffusion.
• Dans la zone de charge d'espace, les paires électrons-trous créées par les photons
incidents sont dissociées par le champ électrique : les électrons vont aller vers la
région N, les trous vers la région P. On aura un photo-courant de génération.
Ces deux contributions s'ajoutent pour donner un photo-courant résultant Iph. C'est un courant
de porteurs minoritaires. Il est proportionnel à l'intensité lumineuse. Comme la longueur de
diffusion des électrons photo-générés (Ln) est supérieure à celle des trous photo-générés (Lp),
on dope préférentiellement la base de type P. De plus, elle est faiblement dopée (1015 à 1016
at/cm3) afin de limiter les recombinaisons. Le fort dopage de la zone de type N, appelée
émetteur, assure l’existence d’un champ électrique suffisant dans la Z.C.E et minimise la
résistance série au niveau du contact métallique.

V.5.3. Caractéristiques électriques
Sous l’obscurité, le courant dans une telle structure de type jonction PN est appelé courant
d’obscurité et a la forme suivante:
  qV  
I abs = I s  exp  − 1 (V.4)
  gKT  
Avec: q: charge élémentaire; V: tension aux bornes de la jonction; T: température;
k: constante de Boltzmann; Is: courant de saturation inverse de la jonction PN; g: coefficient
d’idéalité de la jonction
Le courant d’obscurité correspond au courant de diode (Id) ; il résulte de la polarisation de la

jonction. Le courant délivré sur une charge par une cellule photovoltaïque éclairée s’écrit
alors:
  qV  
I(V ) = I −I (V ) Soit : I(V ) = I ph − I s  exp  − 1 (V.5)
ph abs  gKT  

Ainsi, dans une cellule photovoltaïque deux courants s’opposent: le courant d’éclairement et
le courant d’obscurité. La caractéristique d’une cellule sous obscurité est identique à celle
d’une diode, sous éclairement la caractéristique à l’allure présentée sur la (Fig.5.15.).
Fig.5.15. Caractéristiques I=f (V) sous obscurité et sous éclairement.

Les grandeurs caractéristiques suivantes peuvent être extraites de ce graphique:
• Vco : tension de circuit ouvert : elle représente la tension aux bornes de la cellule sous
éclairement sans circuit de charge. Vco est donnée par la relation :
KT  I CC 
V= Ln  − 1 (V.6)
q  Is 
• Icc : courant de court-circuit correspondant à V=0 ;
• Vm : tension correspondant à la puissance maximale fournie ;
• Im : courant correspondant à la puissance maximale fournie.
Le point de fonctionnement est imposé par la résistance de charge et non par la cellule elle-
même. Un choix judicieux de la résistance de charge permettra donc d’obtenir la puissance
maximale, soit:
Pm = Vm.Im (V.7)
On définit les deux autres paramètres suivants :
• FF : facteur de forme, il détermine la qualité électrique de la cellule.

Vm × I m
FF = (V.8)
VCO × I CC
Dans le cas d’une cellule idéale, le facteur de forme FF ne peut pas être supérieur à 0,89 du
fait de la relation exponentielle liant courant et tension.
• η : rendement : le rendement est le rapport entre la puissance électrique fournie par la

cellule et la puissance incidente.
Vm × I m
η= (V.9)
E×S
Avec, E: Eclairement énergétique en W.m ; S: Surface de la cellule en m.
V.5.4. Schéma électrique équivalent
L’analogie entre le fonctionnement de la cellule photovoltaïque sous éclairement, et celui

d’un générateur de courant produisant un courant Iph auquel se soustrait le courant de la diode
en polarisation directe, n’est qu’une représentation simplifiée du fonctionnement réel de la

cellule. Pour tenir compte des différentes limitations de la cellule photovoltaïque, on introduit
le modèle à deux diodes représenté sur la (Fig.5.16).
.
Fig.5.16. Modélisation électrique d’une cellule photovoltaïque.
Les différents paramètres de ce modèle sont:
• Le générateur de courant: il délivre le courant Iph correspondant au courant photo-

généré.
• La résistance série Rs: elle prend en compte la résistivité propre aux contacts entre les
différentes régions constitutives de la cellule, à savoir l’émetteur, la base et les
contacts métalliques.
• La résistance parallèle Rp: également connue sous le nom de résistance de court-
circuit. Elle traduit l’existence de shunts à travers l’émetteur.
• La diode d1: elle modélise la diffusion des porteurs dans la base et l’émetteur. Son
influence sera d’autant plus grande que le matériau présentera une bonne longueur de
diffusion.
• La diode d2: elle modélise la génération-recombinaison des porteurs dans la zone de
charge d’espace.
Le courant au sein de la cellule photovoltaïque est donné par la relation:
  q (V − IR s )     q (V − IR s )   V − IR s
I = I S1  exp  − 1 + I S2  exp
 
 − 1 +
 − I ph (V.10)
  g 1 KT     g 2 KT   RP
Le terme en IS1 correspond au courant de diffusion dans la base et l’émetteur ; IS1 à

proprement parler est le courant de saturation de ce phénomène. Le paramètre g1 est le facteur
d’idéalité de la diode d1, et doit être proche de 1 dans ce cas.
Le terme en IS2 traduit la recombinaison de porteurs au sein de la zone de charge d’espace. IS2
est le courant de saturation, et g2 est le facteur d’idéalité de la diode d2, qui doit être ≥ 2.

V.5.5. Architecture de la cellule photovoltaïque
L'architecture des dispositifs photovoltaïques modernes se révélant particulièrement

complexe, nous allons nous limiter à une description simplifiée de la cellule. Comme nous
l'avons vu précédemment, la jonction PN constitue le cœur de la cellule photovoltaïque. Les
porteurs vont être photo-générés, soit dans les zones N ou P, soit dans la zone de charges
d'espace. Les contacts métalliques, en face avant et en face arrière, constituent la structure de
collecte, permettant de récupérer les porteurs photo-générés. La quantité de photons pénétrant
la cellule photovoltaïque dépend de la réflectivité de sa surface. La réflectivité caractérise la
quantité de photons réfléchie par la surface, soit une perte du rayonnement incident. Pour
minimiser la réflexion de la lumière en surface, cette dernière est recouverte d'une couche
anti-reflet (CAR). Le rôle de la couche anti-reflet est d'adapter l'indice optique entre le milieu
extérieur et la cellule, pour minimiser la réflexion du flux de photons incident.
La texturisation de la surface peut également être utilisée pour limiter la réflectivité de la

surface. La texturisation consiste à modifier la planéité de la surface en introduisant un relief
bien déterminé. Ce dernier, tout en augmentant la surface, induit des réflexions multiples sur
les facettes le constituant, piégeant ainsi un maximum de lumière. Une importante source de
perte des porteurs est la recombinaison de ces derniers en face avant et arrière. La (Fig.5.17.)
représente une cellule photovoltaïque au silicium poly-cristallin.
Fig.5.17. Cellule solaire au silicium polycristallin.
Les rendements et les domaines d’application des cellules solaires fabriquées à base de
différents types de silicium sont rassemblés dans le tableau suivant:

Type Rendement Rendement Rendement Domaine
de silicium théorique en laboratoire Commercial d'application
Modules de grandes
Silicium dimensions pour toits et
27,0℅ 24,7℅ 4,0 − 16,0%
monocristallin façades, appareils de faibles
puissances, espace (satellites)
Modules de grandes
dimensions pour toits et
façades, générateurs de toutes
Silicium tailles (relies réseau ou sites
27,0℅ 19,8℅ 2.0 − 14,0%
Polycristallin isolés)
Appareils de faible puissance,

production d’énergie
Silicium embarquée (calculatrice
25,0℅ 13,0℅ 6,0 − 8,0%
amorphe montres...), modules de
grandes dimensions
(intégration dans le bâtiment)
Systèmes de concentrateur,
GaAs 29.0% 27.5% 18.0-20.0%
espace (satellites).

Références
[1] T. Neffati, "Introduction à l’électronique analogique", Dunod, Paris, (2008).
[2] H. Mathieu, H. Fanet, "Physique des semi-conducteurs et des composants

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Dunod, Paris, (2006).
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[5] R. Breahna, "Les composants électroniques passifs", Les Presses de l’Université Laval.
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[11] A. Ghatak, K. Thyagaraja, "Introduction to fiber optics", Cambridge University press,

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[12] B. Zaidi, "Cellules solaires", Éditions Universitaire Européennes, (2016).
[13] T. Zéno, "Optoélectronique, composants photoniques et fibres optiques", Edition

Ellipse, (2001).
[14] B. Zaidi, I. Saouane, C. Shekhar, “Simulation of Single-Diode Equivalent Model of

Polycrystalline Silicon Solar Cells” International Journal of Materials Science and
Applications, Vol 7, (2018).
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[16] B. Zaidi, I. Saouane, M. V. Madhava Rao, R. Li, B. Hadjoudja, S. Gagui, B. Chouial, A.

Chibani, “Matlab / Simulink Based Simulation of Monocrystalline Silicon Solar
Cells” International Journal of Materials Science and Applications, Vol 5, (2016).
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Electronique des composants

Année universitaire 2020 / 2021

Chapitre II : Conduction électrique dans les solides

II.1. Rappel sur la structure atomique des isolants et des conducteurs……………………... 16

Chapitre III : Composant Passifs

III.1. Définition des composants passifs………………………………….………………...... 28

Chapitre IV : Composant actifs

IV.1. Diode à jonction PN……………………………..……………….…….…………….... 46

Chapitre V : Composant optoélectronique

V.1. Les diodes LED………………….…….……………………………………………..... 63

L'électricité est l'interaction de particules chargées sous l'action de la force électromagnétique.

I.2. Représentation des grandeurs

I.2.1 La représentation analogique

La plupart des capteurs transforment une grandeur physique (température, pression...) en

Dr. Matanga Jacques, Département GIT, ENSPD/UD 2

I.2.2. La représentation numérique

Fig.1.1. Représentations et traitement du signal.

I.3. Domaines d’application

Dr. Matanga Jacques, Département GIT, ENSPD/UD 3

I.5. Champ électrique et différence de potentiel

I.6. Courant électrique

Le débit de charge ou courant électrique est donné par la relation:

Dr. Matanga jACQUES, Département GIT, ENSPD/UD 4

I.7. Effet Joule

I.8. Lois fondamentales

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I.8.1. Loi des mailles

UAD + UCB + UDC = UAB (I.4)

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I.9. Générateurs idéaux

I.9.1. Générateur de tension idéal

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I.9.2. Générateur de courant idéal

Le courant de sortie I, égal à J le courant électromoteur du générateur, est indépendant de la

I.9.3. Groupement en série de deux générateurs (réels)

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• Les tensions des sources de tensions s'additionnent: Ueq = U1+ U2

Note: on peut toujours câbler en série des générateurs de tension

I.9.4. Groupement en parallèle de deux générateurs (réels)

I.9.5. Modélisation d’un dipôle linéaire quelconque

Dr.Matanga Jacques , Département GIT ,ENSPD/UD 9

On peut utiliser les deux modèles équivalents suivants:

Modèle source de tension:

On pose E = U0 et R = U0/I0 et donc: U = E - R.I

Modèle source de courant:

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I.10. Pont diviseur de courant

Un diviseur de courant, c'est un montage très simple d'électronique. Il permet d'obtenir un

I.11. Pont Diviseur de Tension

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I.12. Théorèmes de Thévenin et de Norton

I.12.1. Théorème de Thévenin

Un réseau linéaire, ne comprenant que des sources indépendantes de tension, de courant et

I.12.2. Théorème de Norton

De même on peut remplacer tout réseau linéaire, ne comportant pas de sources

I.12.3. Equivalence entre représentations de Thévenin et Norton

L'application respective des théorèmes de Thévenin et Norton permet de montrer l'équivalence de