Modul 2: Karakteristik BJT

Samuel Zatulo Harefa (14S15059)

Johan Prianto Ambarita (14S15045)

Daniel Simarmata(14S15047)

Tanggal Percobaan: 13/03/2017

ELS2203 Praktikum Elektronika 1
Laboratorium Dasar Elektro Teknik Elektro
Institut Teknologi Del

Abstrak
Transistor adalah alat semikonduktor yang 1. PENDAHULUAN
dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
Tujuan praktikum ini adalah untuk
pemutus dan penyambung (switching),
mempelajari karakteristik bipolar junction
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau
transistor atau lebih dikenal dengan sebutan
sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat
transistor.
berfungsi semacam kran listrik, dimana
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan
inputnya (FET), memungkinkan pengaliran 2. STUDI PUSTAKA
listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber 2.1 Karakter keluaran transistor
listriknya. Pada umumnya, transistor memiliki 3
memperlihatkan hubungan antara arus
colektor (Ic) dengan tegangan kolektor-
terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan emitor (VCE) pada arus basis (IB)
Kolektot (C). Tegangan yang di satu konstan,Ic= f(VCE).Dari karateristik
keluaran bias dihitung konduktansi
terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai
keluaran dengan rumus :
untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih
besar daripada arus input Basis, yaitu pada
keluaran tegangan dan arus output Kolektor.

2.2 Karakteritik control arus

memperlihatkan hubungan antara
colektor (Ic) dan arus basis (IB) pada
tegangan kolektor emitor (VCE)

1
 konstan,Ic = f(IB).Karakteritik ini 3.2 Langkah Percobaan :
disebut juga dengan karakteristik
transfer. Dari karakteristik ini dapat Percobaan 1:
diperoleh factor penguatan arus : Faktor
penguatan arus dc, Karakteristik Input Transistor IC-
VBE
hff =

Faktor penguatan arus ac, Ubah setting Sinyal Generator

hfe = (pastikan osiloskop ber-kopling DC)

a. Gelombang Segitiga ~1KHz.

2.4 Karakteristik masukan memperlihatkan b. Amplituda sinyal 0,8V
hubungan antara arus basis ( IB) dan c. Set Ofsett positif sehingga nilai
tegangan basis emitor (VBE) pada minimum
tegangan kolektor-emitor ( VCE ) sinyal berada di titik nol (ground).
konstan,IB =f (VBE).Karakteristik ini
dapat digambarkan dengan data dari
karakteristik control tersebut di atas.
Dari karakteristik ini dapat diperoleh Susunlah Rangkaian seperti pada
impedansi masukan transistor. Besar
impedansi masukan dapat dinyatakan :

Hubungkan osiloskop :

a. Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik B,

b. Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
c. Ground osiloskop ke titik A.

3. METODOLOGI
3.1 Alat dan Bahan : Gunakan setting osiloskop :
- Skala X pada nilai 0,1V/div dengan
Sumber tegangan DC kopling AC,
Kit Percobaan Karakteristik - Skala Y pada nilai 1V/div dengan
kopling DC, dan
Transisitor dan Rangkaian Bias tekan tombol invert nya.
Sumber arus konstan
Multimeter (2 buah)
Osiloskop
Tempatkan tegangan X minimum pada
garis grid paling kiri (nilai VBE = 0).
Tempatkan tegangan Y terkecil
(minimum) pada garis grid kedua paling
bawah (nilai IC = 0). Apabila kurva
tampak sebagai dua garis, naik atau
turunkan frekuensi generator sinyal

2
Gambar 1: Rangkaian percobaan 1 Gambar2: Rangkaian percobaan 2

Percobaan 3:
Early Effect
Percobaan 2:
Karakteristik Output Transistor IC-VCE
Gunakan lah rangkaian pada
Ubahlah settingan Sinyal Generator
sesuai yang diminta

Pilihlah nilai IB yang kemiringian

Susunlah Rangkaian sesuai dengan
gambar 2

Hitunglah nilai tegangan Early

Amati lah kurva arus IC-VCE pada osiloskop

Lakukan kembali hal yang sama

dengan IB yang lain.
Ubah-ubahlah nilai IB untuk sesuai

Percobaan 4:
Pengaruh Bias Pada Penguat
Transistor

3
 Gambar 3 : Rangkaian Percobaan 4

Ubah setting Sinyal Generator

sesuai ketentuan yang diminta

Susunlah Rangkaian seperti pada

Amati kurva yang muncul

4. Hasil dan Analisis

5. Kesimpulan

Transistor memiliki karakteristik yang unik yaitu

Lakukan hal diatas dengan arus IB merupakan fungsi dari VBC dan arus IC
mengubah RC menjadi min dan yang merupakan fungsi dari penguatan IB sebesar
maks serta mengubah arusnya. . Transistor juga memiliki 3 wilayah kerja yaitu
saturation region, active region, dan cut-off
region. Early effect dapat diperoleh dari
persamaan hubungan antarah IC dan VBE.

6. Daftar Pustaka
Pandapotan, Siagian, Praktikum Elektronika
ELS2203, Hal. 11-22, Laboratorium Dasar
Teknik Elektro IT Del, Sitoluama, 2015