Aplikasi Dari Proses Pengerasan Permukaan PVD Dan CVD
Aplikasi Dari Proses Pengerasan Permukaan PVD Dan CVD
Aplikasi Dari Proses Pengerasan Permukaan PVD Dan CVD
1506674690
Perlakuan Panas dan Rekayasa Permukaan -01
CVD atau Chemical Vapor Deposition adalah proses kimia untuk memberi
lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan mikro
sistem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi di permukaan wafer dan
membentuk lapisan tipis. Material pelapis yang digunakan berbentuk dalam gas,
Moh Waqyan Ghani Fahmi
1506674690
Perlakuan Panas dan Rekayasa Permukaan -01
dengan reaksi thermochemical untuk membentuk coating tool. Proses CVD ini
kemudian material dipanaskan mendekati temperatur 1,000 C atau dikenal
sebagai "Hot Process". Salah satu aplikasi dari deposisi uap kimia (CVD) yaitu
pelapisan titanium pada SiC fiber dengan Ti2 system.
Serbuk Ti (kemurnian 99,99 wt%) dan serbuk I 2 (kemurnian 99,99 wt%)
digunakan sebagai raw material, sedangkan Ar murni (kemurnian 99,99 %wt)
digunakan sebagai pengencer dan pembawa gas. Serat Tungsten-core-SiC fiber
dengan diameter sekitar 100 m tanpa lapisan karbon digunakan sebagai substrat
deposisi. Untuk menghindari pengaruh kontaminasi permukaan pada tingkat
deposisi lapisan titanium, permukaan serat SiC dibersihkan dengan alkohol murni
dan dikeringkan sebelum melakukan pengujian deposisi. Gambar 2 menunjukkan
skema perangkat pengujian yang digunakan untuk pembuatan lapisan titanium.
Perangkat pengujian yang utama mencakup tungku tabung dan tabung kuarsa.
Tungku tabung digunakan sebagai penyedia energi, dan tabung kuarsa digunakan
sebagai reaktor deposisi yang merupakan ruang pengendapan horisontal dan
panas. Substrat dalam tabung kuarsa dipanaskan hingga suhu tertentu dengan
mengendalikan suhu tungku tabung. Menurut jalur transformasi reaktan, ruang
pengendapan dapat dibagi menjadi daerah terhalogenasi dan daerah pengendapan.
Daerah yang terhalogenasi adalah untuk serbuk Ti yang bereaksi dengan bubuk I 2
untuk membentuk iodida, sedangkan daerah pengendapan untuk reaksi
disproporsionasi dari titanium halida rendah. Tungku pertama dipanaskan sampai
600 C dari suhu kamar dalam 30 menit, dan kemudian dipanaskan sampai sekitar
1000 C dalam 80 menit untuk pengendapan. Selama proses pemanasan, reaksi
halogenasi akan selesai. Setelah pengendapan, pelapis yang diendapkan
didinginkan sampai suhu kamar oleh pendingin tungku.
Moh Waqyan Ghani Fahmi
1506674690
Perlakuan Panas dan Rekayasa Permukaan -01
REFERENSI
- Luo, Xian, Shuai Wu, Na Jin. 2017. Deposition of titanium coating on SiC fiber
by chemical vapor deposition with Ti-I2 system. State Key Lab of Solidification
Processing, Northwestern Polytechnical University
- Maruo, Yasuko Y., Tohru Maruno. 2017. Tetrathiafulvalene
tetracyanoquinodimethane thin films grown by physical vapor deposition:
Influence of substrate structures and substrate materials. NTT Energy and
Environmental System Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi,
Kanagawa