1.1.

ELEKTRON DAN HOLE PADA SEMIKONDUKTRO

1. Semi Konduktor Intrinsik (Bahan Semi Konduktor Murni)
Pada bahan semi konduktor intrinsik, hantaran listrik yang terjadi disebabkan
oleh mengalirnya elektron karena panas. Apabila temperatur naik, maka akan
terjadi random thermis sehingga akan ada elektron yang terbebas dari ikatan
atomnya (elektron pada kulit terluarnya). Dengan terlepasnya elektron ini, maka
terjadilah kekosongan elektron yang sering disebut “hole”. Hole ini mempunyai
sifat seperti partikel-pertikel yang dapat menghantarkan arus listrik karena dapat
berpindah-pindah, dan dianggap sebagai partikel yang bermuatan positif sebesar
muatan elektron. Gerakan hole ini menyebabkan gerakan elektron yang terikat.
Sifat-sifat semi konduktor intrinsik:
a. jumlah elektron bebas sama dengan hole
b. Hantaran arus disebabkan oleh elektron bebas dan hole
c. Arah pergerakan hole sama dengan arah polaritas medan listrik E dan
berlawanan arah dengan pergerakan electron
d. Umur rata-ratanya adalah antara 100-1000 detik atau lebih. Umur rata-rata dari
sepasang elektron-hole (electron-hole pair) adalah jumlah waktu saat
tertutupnya pasangan elektron-hole sampai bertemunya elektron bebas dengan
hole. Adapun yang mengisi hole pada umumnya adalah elektron yang terikat
dilapisan sebelah bawahnya.

2. Semi Konduktor Ekstrinsik (Semi Konduktor Tidak Murni)

Jenis bahan semi konduktor ekstrinsik didapat dengan jalan mengadakan
doping antara bahan semi konduktor intrinsik dengan bahan yang valensinya
berada dibawah atau di atas bahan intrinsik tersebut. Atas dasar tersebut,
dibedakan dua jenis semi konduktor ekstrinsik, yaitu :
a. N-type semi konduktor
b. P-type semi konduktor

N-type semi konduktor

Apabila atom semi konduktor intrinsik yang bervalensi empat didoping
dengan atom lain yang valensinya lebih tinggi (misalnya valensi 5), maka molekul
bahan campuran tersebut akan mengalami kelebihan satu elektron, selanjutnya
elektron ini merupakan elektron bebas (lihat gambar -3 diatas).
 Pendopingan dapat dilakukan melalui proses pemanasan, sehingga akan
terjadi penyesuaian diri dari dua macam atom yang berbeda valensinya dalam
membentuk suatu molekul/kristal. Atom yang menyebabkan terjadinya elektron
bebas dalam satu susunan kristal atom disebut atom donor, dan jenis bahan
macam ini dinamakan N-type semi konduktor.
Di dalam tubuh N-type semi konduktor dapat diperoleh dua pembawa muatan
yaitu :
a. Elektron sebagai majority carrier
b. Hole sebagai minority carrier
Dengan adanya kelebihan elektron, maka akan memberikan level energi baru
dimana elektron akan mudah ber-eksitasi ke pita valensi. Jadi pada N-type semi
konduktor akan terjadi level energi baru yang disebut energy level donor (Ed),
dimana pada level ini berisi penuh dengan elektron, sehingga apabila ada elektron
berpindah ke pita valensi, maka elekatron ini akan meninggalkan muatan positif
pada level donor. Akibatnya pada atom bervalensi 5 terkumpul muatan positif.

P-type semi konduktor

Apabila atom semi konduktor intrinsik yang bervalensi 4, didoping dengan
atom yang bervalensi 3, maka pada pencampuran ini akan terjadi kekurangan
elektron atau akan terdapat lubang (hole). Seperti halnya pada N-type semi
konduktor, maka doping ini dilakukan dengan pemanasan, sehingga setiap atom
dapat menyesuaikan dirinya dengan baik dan akan membentuk kristal.
Dengan adanya hole (kekurangan elektron), maka hole ini akan menarik
elektron dari atom yang berdekatan dan selanjutnya atom yang telah kehilangan
elektron tersebut akan menjadi lubang. Dengan demikian maka hole dapat
berganti-ganti, seakan-akan merupakan muatan listrik positif yang sedang
bergerak.
Atom yang menyebabkan timbulnya hole dalam susunan kristal disebut
atom acceptor, dan jenis bahannya dinamakan P-type semi konduktor. Ada dua
pembawa muatan pada P-type semi konduktor , yaitu:
a. Hole sebagai majority carrier
b. Elektron sebagai minority carrier
 Dengan prinsip energi level band, keterangan diatas dapat dijelaskan sebagai
berikut:
Dengan adanya kekurangan elektron, maka akan memerlukan suatu energi
baru dimana elektron yang terdapat pada pita valensi akan berpindah keenergy
level band yang baru tersebut. Level yang kosong tersebut dinamakan energy level
acceptor.

1.2. DOPING
Sebenarnya banyak bahan-bahan dasar yang dapat digolongkan sebagai bahan
Semikonduktor, tetapi yang paling sering digunakan untuk bahan dasar komponen
elektronika hanya beberapa jenis saja, bahan-bahan Semikonduktor tersebut
diantaranya adalah Silicon, Selenium, Germanium dan Metal Oxides. Untuk
memproses bahan-bahan Semikonduktor tersebut menjadi komponen elektronika,
perlu dilakukan proses “Doping” yaitu proses untuk menambahkan
ketidakmurnian (Impurity) pada Semikonduktor yang murni (semikonduktor
Intrinsik) sehingga dapat merubah sifat atau karakteristik kelistrikannya. Beberapa
bahan yang digunakan untuk menambahkan ketidakmurnian semikonduktor antara
lain adalah Arsenic, Indium dan Antimony. Bahan-bahan tersebut sering disebut
dengan “Dopant”, sedangkan Semikonduktor yang telah melalui proses “Doping”
disebut dengan Semikonduktor Ekstrinsik.

1.3. DISTRIBUSI QUASI-FERMI

Seperti telah dibahas sebelumnya bahwa elektron mengikuti statistik Fermi-
Diract, maka dapat dihitung banyaknya pembawa muatan n (elektron) adalah :

Jika diambil batas integrasi dari 0 sampai EF, maka pada suhu 0 K, diperoleh
energi fermi pad T = 0 K,

dimana n adalah rapat elektron persatuan volume. Energi Fermi sebagai

fungsi suhu besarnya dapat dinyatakan sebagai:
Perhatikan gambar berikut

Gambar diatas. Semikonduktor ekstrinsik. (a). Skema diagram pita. (b). Rapat
keadaan. (c). Fungsi distribusi Fermi. (d).Konsentrasi pembawa.

1.4. GENERASI DAN REKOMBINASI ELEKTRON DAN HOLE

Proses generasi (timbulnya pasangan elektron-lubang perdetik permeter
kubik) tergantung pada jenis bahan dan temperatur. Energi yang diperlukan untuk
proses generasi dinyatakan dalam elektron volt atau eV. Energi dalam bentuk
temperatur T dinyatakan dengan kT, dimana k adalah konstanta Boltzmann.
Analisa secara statistic menunjukkan bahwa probabilitas sebuah elektron valensi
menjadi elektron bebas adalah sebanding dengan e eVG kT/ . Jika energi
gap eVG berharga kecil dan temperatur T tinggi maka laju generasi termal akan
tinggi. Pada semikonduktor, elektron atau lubang yang bergerak cenderung
mengadakan rekombinasi dan menghilang. Laju rekombinasi (R), dalam pasangan
elektron-lubang perdetik permeter kubik, tergantung pada jumlah muatan yang
ada.Jika hanya ada sedikit elektron dan lubang maka R akan berharga rendah;
sebaliknya R akan berharga tinggi jika tersedia elektron dan lubang dalam jumlah
yang banyak. Sebagai contoh misalnya pada semikonduktor tipe-n, didalamnya
hanya tersedia sedikit lubang tapi terdapat jumlah elektron yang sangat besar
sehingga R akan berharga sangat tinggi.
 Dimana r menyatakan konstanta proporsionalitas bahan. Dalam kondisi
setimbang, besamya laju generasi adalah sama dengan besarnya laju rekombinasi
atau dengan kata lain perkalian konsentrasi elektron dan lubang menghasilkan
suatu konstanta, jika salah satu dinaikkan (melalui proses doping), yang lain harus
berkurang. Bahan Semikonduktor 61. Jika kita menambanhkan atom pengotor
pada semikonduktor murni, praktis semua atomdonor atau aseptor terionisasi pada
suhu ruang. Pada semikonduktor tipe-n, konsentrasiatom donor ND>>ni, dengan
konsentrasi elektron sebesar.
Untuk merubah jumlah pembawa muatan, semikonduktor intrinsic harus
diberi pengotor atau impurities. Pengotor akan menciptakan sebuah tingkatan
energi diantara pita valensi dan pita konduksi. Semikonduktor tipe-n
adalah semikonduktor dengan kelebihan muatan negative, pada silicon,
penambahan atom dengan lima electron valensi (seperti phosphor) akan
meciptakan tingkat energy baru dengan posisi sedikit di bawah pita konduksi yang
dinamakan tingkatan donor.
Tambahan electron dari phosphor akan menempati tingkat energy baru ini
dan dengan hanya sedikit saja jumlah energy akan menaikkan electron ini ke pita
konduksi sehingga akan menambah jumlah pembawa muatan
negative. Semikonduktor tipe-p adalah semikonduktor dengan dengan kelebihan
pembawa muatan positif, pada silicon, penambahan atom dengan tiga electron
valensi akan menciptakan tingkat enegi baru dengan posisi sedikit di atas pita
valensi yang dinamakan tingkatan akseptor. Electron pada pita valensi akan
berpindah ke tingkat energy ini sehingga menciptakan lubang atau hole pada pita
valensi dan akan menambah jumlah pembawa muatan positif.
Jika semikonduktor tipe-p dan tipe-n digabungkan maka pada sembungan
akan terjadi proses difusi akibat ketidak seimbangan muatan diantara kedua
material semikonduktor, semua hole pada sambungan akan terisi oleh electron
sehingga tidak ada lagi electron bebas. Difusi ini menyebabkan terbentuknya
lapisan pengosongan atau deplesi, pada lapisan ini semikonduktor kembali pada
sifat isolatornya. Jika ujung tipe-n disambungkan dengan kutub negative suatu
tegangan dan tipe-p disambungkan dengan kutub positif tegangan, maka electron
pada lapisan deplesi akan terdorong keluar dari hole dan kembali menjadi elekron
bebas sedangkan hole yang ditinggalkannya akan terisi kembali oleh electron
(terjadi rekombinasi) dari tipe-n begitu seterusnya.

Terjadinya rekombinasi berarti electron dari tingkat energy yang lebih tinggi
“jatuh” ke tingkat energy yang lebih rendah atau biasa disebut dengan deeksitasi.
Rekombinasi electron-hole ini bisa bersifat radiatif (mengemisikan foton) dan
non-radiatif bergantung pada struktur pita dari semikonduktor. Ada dua
kemungkinan struktur pita darisemikonduktor yaitu pita energy langsung (direct
bandgap) dan pita energy tak langsung (indirect bandgap).
Silikon adalah material dengan struktur pita energi tidak langsung (indirect
bandgap), di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari
pita valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. Ini berarti agar
terjadi eksitasi dan rekombinasi dari pembawa muatan diperlukan perubahan yang
besar pada nilai momentumnya atau dapat dikatakan dibutuhkan bantuan sebuah
partikel dengan momentum yang cukup (seperti phonon) untuk mengkonservasi
momentum pada semua proses transisi. Dengan kata lain, silikon sulit
memancarkan cahaya. Sifat ini menyebabkan silikon tidak layak digunakan
sebagai piranti fotonik/optoelektronik.
GaAs adalah material semikonduktor dengan struktur pita energy langsung (direct
bandgap), dimana, nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari
pita valensi bertemu pada satu harga momentum yang sama. Pada material ini
electron bebas pada minimum pita konduksi dapat melakukan rekombinasi
denganhole di maksimum pita valensi, karena momentum dari kedua “partikel”
sama, maka, foton dapat diemisikan sebagai konsekuensi dari hokum konservasi
energy

1.5. EMISI CAHAYA PADA SEMIKONDUKTOR

1. Prinsip Dasar Emisi Cahaya
Atom, molekul dan Kristal semi-konduktor menyerap danmemancarkan
gelombang elektromagnetik dalam bentuk cahaya dengan panjang gelombang
tertentu. Menurut teori mekanika kuantum, energi internal dari sebuah atom,
molekul atau semikonduktor hanya dapat terdiri dari nilai distrik-distrik tertentu,
yang disebut dengan level kuantisasi.
2. Prinsip Dasar Emisi Cahaya Pada semikonduktor
Sumber cahaya dari bahan semikonduktor (LED dan Laser dioda) merupakan
sumber utama pada komunikasi optik. Akibat larangan Pauli maka electron-
elektron dari atom-atom Kristal semikonduktor padatingkat energy yang hampir
sama akan membentuk tingkat-tingkat energi yang sangat berdekatan yang
disebut dengan pita energi. Pita energy yang berhubungan dengan pemancaran
cahaya adalah pita energi valensi dan pita energi konduksi, jika electron dari pita
valensi karena medapatkan energy maka tereksitasi ke pita konduksi maka tempat
kosong yang ditinggalkan oleh electron disebut dengan hole yang dipandang
dengan bermuatan positif. Electron pada pita konduki ini dapat turun kembalike
pita valensi mengisi hole, peristiwa ini disebut rekombinasi, pada peristiwa
rekombinasi akan dipancarkan cahaya bersesuaian dengan selisih kedua pita
energy tersebut.
Pada LED emisi spontan lebih mendominasi dibandingkan dengan emisi
terangsang.