Tugas HW 2 Elektronika I
Tugas HW 2 Elektronika I
Tugas HW 2 Elektronika I
NIM ; 14S16046
KELAS ; 12 TE 2
I. PILIHAN BERGANDA
01. B. 2
Transistor pn junction terdiri dari 2, yaitu npn transistor dan pnp transistor.Transistor NPN adalah: arus akan mengalir dari
kolektor ke emitor jika basisnya dihubungkan ke ground (negatif).Transistor PNP adalah arus akan mengalir dari emitter
menuju ke kolektor jika pada pin basis dihubungkan ke sumber tegangan.
03. D. Schockley
Transistor BJT pertama kali dibuat oleh William Bradford Schockley, John Bardeen dan Walter Houser Brattain pada tahun
1951.
05. C. 0,7 V.
Pada diode faktual (riil), perlu tegangan lebih besar dari 0,7V (untuk diode yang terbuat dari bahan silikon) pada anode
terhadap katode agar diode dapat menghantarkan arus listrik. Tegangan sebesar 0,7V ini disebut sebagai tegangan halang
(barrier voltage).
hubungan antara basis dengan kolektor adalah reverse bias. Dimana pada kondisi ini, bagian anoda disambungkan dengan
terminal negatif sumber listrik dan bagian katoda disambungkan dengan terminal positif. Pada saat Vce = 0.
Sebagian hole (sejumlah besar pembawa muatan mayoritas) akan bergerak melewati depletion region pada junction basis-
collector (diberi reverse bias ) akan keluar melalui collector. Terjadi karena base yang mudah di doping dan sangat tipis.
Sebagian besar elektron akan bergerak melewati depletion region pada junction basis-collector (diberi reverse bias ) yang
kemudian akan mengalir ke collector.
Ketika VBE meningkat, pon meningkatkan. Ketika Ib meningkat, Ic meningkat. Ketika Ic meningkat, VCE menurun.
Peningkatan arus basis atau VBE menyebabkan peningkatan arus kolektor.Kedua arus Ib dan Ic mengalir ke perangkat
(transistor, FET).Untuk arus kolektor dapat mengalir Rc yang harus menghubungkan resistor antara kolektor dan tegangan
suplai.Drop tegangan pada resistor Rc akan meningkat ketika arus kolektor meningkat, sehingga tegangan pada kolektor tetes,
menurun. Sinyal antara kolektor dan tanah yang lebih besar dan oppostie pada fase ke basis sinyal.
Bias maju pada persimpangan BE mengurangi potensi penghalang dan menyebabkan elektron mengalir dari emitor ke basis.
Karena alasnya tipis dan ringan diolah, ia terdiri dari sangat sedikit lubang sehingga beberapa elektron dari emitor bergabung
kembali dengan lubang yang ada di daerah dasar dan mengalir keluar dari terminal dasar. Ini merupakan arus basis, mengalir
karena rekombinasi elektron dan lubang (Perhatikan bahwa arah aliran arus konvensional berlawanan dengan aliran elektron).
Sisa sejumlah besar elektron akan melintasi persimpangan kolektor terbalik untuk membentuk arus kolektor.
17. D. It approximately equals the emitter current
Pada sebuah transistor BJT, emitor adalah sumber elektron maka emitor memiliki arus yang terbesar. Karena sebagian besar
elektron emitor mengalir ke kolektor, arus kolektor hampir sebesar arus emitor.
Ketika kaki basis diberi tegangan bias maju (tegangan +), maka kaki basis – emitor yang merupakan sebuah dioda mendapat
tegangan maju (forward voltage), akibatnya elektron bebas yang banyak terdapat di daerah emitor akan bergerak ke basis, zona
deplesi antara sambungan basis-emitor hilang. Karena jumlah elektron bebas pada daerah emitor lebih banyak dari pada jumlah
elektron bebas pada daerah kolektor, maka daerah kolektor akan bersifat lebih positif dibandingkan dengan daerah emitor.
Selain itu pada daerah kolektor terhubung langsung ke tegangan + sumber (VCC), yang jauh lebih besar dibandingkan dengan
tegangan bias basis,
daya yang dihamburkan oleh transistor sama dengan arus kolektor pada tegangan kolektor-emitor. Karena semakin tinggi nilai
dari arus kolektor maka nilai tegangn kolekor semakin tinggi juga. Dan berbanding lurus.
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching),
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, di mana
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari
sirkuit sumber listriknya.
25. A. 0
VBE = 0.7 volt untuk transistor silikon dan VBE = 0.3 volt untuk transistor germanium. Nilai ideal V BE = 0 volt. Short-
Circuited Base,karena pada kondisi short-circuit base kaki basis dihubungkan langsung ke emitor sehingga VE = VBE = 0.
Titik saturasi transistor adalah daerah kerja transistor dimana arus kolektor mencapai nilai maksimum, yaitu arus kolektor
ditentukan oleh nilai Vcc dan Rc karena nilai resistansi kolektor – emitor transistor kondisi minimum (≈ 0) sehingga
diabaikan.
29. A. 0
Jika tidak memberi tegangan pada bias basis atau basis diberi tegangan mundur terhadap emitor maka transistor akan dalam
kondisi mati (cut off), sehingga tak ada arus mengalir dari kolektor ke emitor sehingga Ic = 0.
II. ESAI
6-1 A transistor has an emitter current of 10Ma and a collector current of 9.95 m A. What is the base current?
Transistor memiliki arus emitor sebesar 10Ma dan arus kolektor sebesar 9,95 mA. Berapakah arus basis?
Dik: IE =10 m A
IC = 9.95 m A
Dit: IB = ... ?
Jawaban:
I E = IC + IB
IB = 10 m A - 9.95 m A
IB = 0.05 m A
6-3 A transistor has a current gain of 150 and a base current of 30µA. What is the colecctor current?
transistor memiliki gain arus 150 dan arus basis 30µA. Apa arus kolektor?
IB = 30µA
Dit : IC = ...?
Jawaban :
IC = βdc x IB
= 150 x 30µA
= 45 x 10−3 A
Jawab :
Multisim:
Ib = Vbb/ Rb
= 10 / 470 kΩ
= 0.0212 m A
6-7 If the 470 kΩ with tolerence of 5 percent, what is maximum the base current?
Dik : R1 = 470 kΩ
= 493.5 kΩ
Ib max = 10 / 493.5 kΩ
= 0.02 m A
= 446.5 kΩ
Ib min = 10/446.5 kΩ
= 0,0223 m A
6-9 If a transistor has a collector current of 100 m A and a collector current of 100 m A and a collector-emitter voltage of
3.5 V, what is its power dissipation?
Dik : IC =100m A
VCE = 3.5 V
Dit : P = ...?
P = IC x VCE
= 100 m A x 3.5 V
= 0,35 watt
6-11 A show a simple way to draw a transistor circuiit. It works the same as the circuit already discussed. What is collector-
emitter voltage ? the transistor dissipation power (give answer for the ideal and the second approximation)
Dik :
Vbe = 0
Ib = Vbb / Rb
= 5 V / 330 kΩ
= 15.15 µA
Ic = βdc x Ic
= 150x 15.15 µA
= 2.27 m A
Vce = Vcc- Ic x Rc
= 12.276 V
P = Ic x Vce
= 2.27 m A X 12.276 V
= 0.0279 Watt
Ie = 2.27m A + 15.15 µA
= 2.285515 x 10−3 A
Vbe = 0.7 V
Ib = (5 V - 0,7 V) / 330 kΩ
= 13 µA
Ic = 150 x 13 µA
= 1.95 m A
= 12.66 V
P = Ic x Vce
= 1.95 m A x 12.66 V
= 0.0246 Watt
6-15 A transistor has a power rating of 1 Watt. If the collector- emitter coltage is 10 V and the collector current is 120 m A
what happens to the transisstor ?
Dik :
PD = 1 W
VCE = 10 V
IC = 120 m A
Jawaban :
PD = IC X VCE
= 120 m A x 10 V
= 1.2 Watt
Pada hasil daya yang didapat melebihi daya rating pada sebuah transistor. Sehingga dapat mengakibatkan transistor mudah
panas.
6-17 does the collector- emitter voltage increase, decrease , or remain the same for each of these troubles?
C. 820 is shorted
D. 820 is open
F. No collector supply
Jawaban :
A. VCE = decrease
B. VCE = Remain
C. VCE = Remain
D. VCE = decrease
E. VCE = Remain
F. VCE = decrease
Dit: Rb = ... ?
Jawaban :
Vce = Vcc – Ic x Rc
= 10 V – (Ic x 820 Ω)
Ic = 4.02 m A
Ic = βdc x Ib
4.02= 200 x Ib
Ib = 0.02 m A
Ib = Vbb/ Rb
0.02 m A = 10 V / Rb
Rb = 500 kΩ
6-23 Suppose we connect an LED in series with the 820 Ω of fig. 6-20 What does the LED current equal?
Jawaban : Arus LED memilki nilai arus yang sama dengan arus collector jika rangkaiannya di rangkai seri.
8-1 What is the emitter voltage in Fig. 8-20 ? The collector voltage ?
Jawaban :
VBB = (R2/(R1+R2)) x Vcc
= (2.2 kΩ / ( 10 kΩ + 2.2 kΩ )) x 25
= 4.5082 V
IE = VE / RE
IE = I C
VC = VCC – IE RC
= 25V - 1.98V
= 23.02 V
8-3 What is the emitter voltage in fig. 8-22? The collector voltage?
Jawaban :
= 2.3255 V
VE = VBB - VBE
= 2.3255 - 0.7
= 1.6255 V
IE = VE / RE
= 1.6255 / 51000
= 0.031 m A
Vc = VCC – IE x RE
= 10 - 0.031 m A x 150 k Ω
= 10 - 4.781
= 5.218 V
Berdasarkan Multisim :
8-5 All resistor in fig. 8-22 have a tolerance of 5%. What is the lowest possible value of the collector voltage?The higest?
Jawaban :
5 % x R1 = 16500 Ohm.
5% x R2 = 500 Ohm.
5% x Rc = 7500 ohm.
5% x Re = 2550 ohm.
= 2.2483 V.
VE = VBB - VBE
= 2.2483 - 0.7
= 1.5483 V
IE = VE/ RE
= 1.5483 / 53550
= 0.029 m A
VC = VCC – IE x RC
= 10 - 0.029 m A x 157500
= 10 - 4.5538 = 5.45 V
= 2.409 V.
VE = VBB - VBE
= 2.409 - 0.7
= 1.7092 V
IE = VE / RE
= 1.7092 / 53550
= 0.035 m A
VC = VCC – IE X RC
= 10 - 0.035 m A x 142.5 kΩ
= 10 - 5.027 = 4.97 V
Maka, Tegangan maksimum Collector adalah 5.45 V dan tegangan minimumnya adalah 4.97 V.
= 4.5 V
Ve = 4.5 V - 0.7 V
= 3.8 V
Ie = 3.8 V / 1 kΩ
= 3.8 m A
= 11.32 V
= 7.52 V
Ie = 3.8 V/ 2.2 kΩ
= 1.72 m A
= 18.8 V
=15 V
R1 || R2 = 10kΩ || 2.2 kΩ
= 1.8 kΩ
= 200 kΩ
= 1.09 m A
Therefore a new Q point will be Ql and will have coordinates of 1.72 m A and 15 V. On the other hand, if we decrease the
emitter resistance to
= 3.77 m A
= 11.428 V
= 7.628 V
Normal Q point adalah Ic = 3.808 mA and Vce = 19.212 V
IE = VE / RE
= 3.808 / 2000
= 1.904 m A.
Vc = Vcc – IE X RE
= 25 - 1.904 m A x 3600
= 25 - 6.8544 = 18.1456 V
Vc = Vcc – IC x RC
= 25 - 0.007616 x 3.6 kΩ
= 25 - 27.4176
= -2.4176 V
In this case, Q point shift to a new position at Q h with coodinates of 3.77 m A and 7.628 V.
Jawaban:
= 2.325 V
Ve = 2.325V - 0.7 V
= 1.625V
Ie = 1.625V / 51 kΩ
= 0.03 m A
= 5.21 V
= 3.59 V
Ie = 1.625 V/ 100 kΩ
= 0.01625 m A
= 2.4375 V
= 0.1825 V
The thevenin resiistance of the voltage divider is:
R1 || R2 = 330kΩ || 100 kΩ
= 76.744 kΩ
= 10.2 µ Ω
= 0.03 m A
Therefore a new Q point will be Ql and will have coordinates of 1.72 m A and 15 V. On the other hand, if we decrease the
emitter resistance to
In this case, Q point shift to a new position at Q h with coodinates of 0.03 m A and 3.875 V.
IE = VE / RE
= 1.6255 / 76.5 kΩ
= 0.0212 m A
Vc = VCC – IE XC
= 10 - 0.0000212 x 150000
= 10 - 3.187
= 6.8127 V
VC = 0.438 V
IE = VE / RE
= 1.6255 / 25500
= 0.0637 m A
Vc = Vcc – IE x RC
= 10 - 0.0637 m A x 150 kΩ
= 10 - 9.561 = 0.438 V
8-11 All resistors in fig. 8-22 have a tolerence of ±5 percent. What is the lowest value of the collector current ? the highest?
Jawaban :
Untuk +5% =>
= 2.2483 V
VE = VBB - VBE
= 2.2483 - 0.7
= 1.5483 V
IE = VE/ RE
= 1.5483 / 53550
= 0.035 m A
= 2.409 V.
VE = VBB x VBE
= 2.409 - 0.7
= 1.709V
IE = VE / RE
= 1.7092 / 53550
= 0.035 m A
Maka, arus collector maksimum adalah 0.035 m A. dan arus collector minimum adalah 0.035 mA.
8-13 what is the emitter current in fig. 8-24? The collector voltage ?
Jawaban :
= 11.3 V
IE = VE/RE
= 11.3 / 10 kΩ
= 1.13 m A
Vc = Vcc – Ic x Rc
= 12 – 1.13 m A. X 4700 Ω
= 6.689 V
8-15 All resistors in fig. 8-22 have a tolerence of ±5 percent. What is the lowest possible value of the collector voltage? the
highest?
Jawaban :
5% x RB = 500
5% x RC = 235, 5% x RE
= 500.
= 11.3 V .
IE = VE/RE
= 11.3 / 10500
= 1.076 m A.
VC= VCC- IC X RC
= 12 – 1.076 m A X 4935 Ω
= 6.6889 V.
= 11.3 V .
IE = VE/RE
= 11.3 / 9500
= 0.001189 A.
VC = VCC – IC X RC
= 12 - 0.001189 A. X 4465 Ω
= 6.689 V.
Maka, tegangan collector maksimum adalah 6.689 V dan tegangan collector minimum adalah 6.6889 V.
8-17 Does the collector voltage increase, decrease, or reamin the same in Fig. 8-23 for small increase in each of the following
circuits values?
A. R1
B. R2
C. Re
D. Rc
E. Vcc
F. Βdc
Jawaban ;
A. Decrease
B. Increase
C. Increase
D. Decrease
E. Increase
F. Increase
8-19 What is the approximate value of the collector voltage in Fig.8-25 for each of these troubles?
A. R1 open
B. R2 open
C. Re open
D. Rc open
E. Collector-emitter open
Jawaban :
A. R1 open, VC ≈ 62,493 µV
B. R2 open, VC ≈ 7,295 V
C. RE open, VC ≈ 5,93 µV
D. RC open, VC ≈ 9,612 V
E. Collector-Emitter open, VC ≈ 1,669 Mv
V = 1,8 V – 0,7 V
V = 1,1 V
IC ≈ IE = 1,1 mA
VC = IC xRC = (1,1 mA)(3,6kΩ) = 3,96 V
VE =10 V – 1,1 V = 8,9 V
VCE = VC – VE = 3,96 – 8,9 V = -4,94 V
VBE = 0,7 V
Jawaban :
VE = VBB - VBE
V E = -1,8 V + 0,7 V
V E = -1,1 V
IC ≈ IE = 1,1 mA