Scribd Logo
Unggah

Selamat datang di Scribd!

  • 189 tayangan

    1D4EB - 045 - DIMAS AW - Laporan Resmi PHOTODIODA DAN PHOTOTRANSISTOR

    Diunggah oleh

    Dimas Aditya Wiranata

    Hak Cipta:

    © All Rights Reserved
    Unduh sebagai PDF, TXT atau baca online dari Scribd

    1D4EB - 045 - DIMAS AW - Laporan Resmi PHOTODIODA DAN PHOTOTRANSISTOR

    Diunggah oleh

    Dimas Aditya Wiranata
    189 tayangan7 halaman

    Judul Asli

    1D4EB_045_DIMAS AW_Laporan Resmi PHOTODIODA DAN PHOTOTRANSISTOR

    Hak Cipta

    © © All Rights Reserved

    Format Tersedia

    PDF, TXT atau baca online dari Scribd

    Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

    Apakah konten ini tidak pantas?

    Hak Cipta:

    © All Rights Reserved
    Unduh sebagai PDF, TXT atau baca online dari Scribd
    Unduh sebagai pdf atau txt
    189 tayangan7 halaman

    1D4EB - 045 - DIMAS AW - Laporan Resmi PHOTODIODA DAN PHOTOTRANSISTOR

    Diunggah oleh

    Dimas Aditya Wiranata

    Hak Cipta:

    © All Rights Reserved
    Unduh sebagai PDF, TXT atau baca online dari Scribd
    Unduh sebagai pdf atau txt
    dari 7

    PRAKTIKUM 2

    EVALUASI KARATERISTIK PHOTODIODE DAN


    PHOTOTRANSISTOR

    Oleh :
    Dimas Aditya Wiranata (2120600045)
    1 D4 Teknik Elektronika B

    SARJANA TERAPAN TEKNIK ELEKTRONIKA


    DEPARTEMEN TEKNIK ELEKTRO
    POLITEKNIK ELEKTRONIKA NEGERI SURABAYA
    2021
    Praktikum 2
    EVALUASI KARATERISTIK PHOTODIODE DAN
    PHOTOTRANSISTOR

    A. TUJUAN
    1. Mahasiswa mampu merangkai rangkaian evaluasi photo diode dan photo
    transistor.
    2. Mahasiswa memahami konsep bahwa radiasi cahaya bisa mempengaruhi besar
    arus pada rangkaian photodiode dan phototransistor.
    3. Mahasiswa memahami prinsip kerja photo diode dan photo transistor.

    B. TINJAUAN TEORI
    1) Photo diode
    Photodiode adalah sebuah diode yang sensitif terhadap cahaya sehingga
    dapat difungsikan sebagai detektor optik. Apabila diode mendapat bias reverse,
    maka elektron bebas dan hole akan bergerak menjauhi junction, jumlah sedikit,
    sehingga arus yang mengalir pada rangkaian luar dioda terbias reverse juga
    kecil.

    Photo diode bekerja pada pembiasan reverse, saat cahaya mengenai, akan
    terbentuk pasangan elektron bebas dan hole dan menyebabkan arus pada
    rangkaian luar photo diode menjadi besar. Power density dan flux optik yang
    mengenai photo diode akan mempengaruhi besar arus yang mengalir. Jika tidak
    mendapatkan radiasi optik, pada photo diode hanya mengalir arus yang sangat
    kecil (dark current, ID). Photo diode dapat dioperasikan dalam 2 mode yang
    berbeda.
    1. Mode Photovoltaic : seperti pada solar sel, penyerapan optik pada
    photodiode menghasilkan tegangan yang dapat diukur. Tidak perlu ada
    pembiasan, karena photodiode sudah menghasilkan tegangan sendiri.
    Bagaimana pun, tegangan yang dihasilkan dari tenaga cahaya ini sedikit
    tidak linier dan range perubahannya sangat kecil.
    2. Mode photokonduktif : pada saat photodiode mendapat radiasi optik dan
    pembiasan reverse, daerah sekitar junction akan memiliki medan listrik yang
    sangat tinggi, sehingga elektron bebas dan hole tidak dapat melewati daerah
    tersebut (daerah itu bersifat resistif).

    Karateristik bahan photodiode diantaranya :


    1. Silikon (Si) : arus kecil saat gelap, kecepatan tinggi, sensitivitas yang bagus
    antara 400 nm sampai 1000 nm (terbaik antara 800 nm sampai 900 nm).
    2. Germanium (Ge) : arus tinggi saat gelap, kecepatan lambat, sensitivitas baik
    antara 600 nm sampai 1800 nm (terbaik 1400 nm sampai 1500 nm).
    3. Indium gallium arsenida (InGaAs) : harga mahal, arus kecil saat gelap,
    kecepatan tinggi sensitivitas baik pada jarak 800 nm sampai 1700 nm
    (terbaik antara 1300 nm sampai 1600 nm).

    Karateristik utama dari photo diode (dan juga piranti optik yang lain) adalah
    sebagai berikut :
    1. Range spectral
    2. Output daya (emitter)
    3. Sensitivitas (sensor)
    4. Waktu respon
    5. Petimbangan mekanik

    Photo diode memiliki panjang gelombang yang lebar, arus output kecil,
    respons time yang cepat dan mampu menjadi kontroller yang baik dalam
    berbagai aplikasi.

    2) Photo transistor
    Photo transistor merupakan sensor optik dimana arus kolektor dan
    emitternya memiliki hubungan dengan intensitas cahaya yang mengenai daerah
    basis. Photo transistor memiliki beberapa fitur unik yang membuatnya lebih
    sensitif dan responsif terhadap panjang gelombang tertentu.
    Saat cahaya datang dengan panjang gelombang tertentu menyinari
    transistor, pasangan elektron bebas – hole terbentuk dan menimbulkan aliran
    arus basis. Arus basis akan menghasilkan arus kolektor dan arus emitter. Basis
    kecil arus basis dipengaruhi oleh intensitas cahaya yang mengenai basis. Prinsip
    kerja photo transistor dapat dilihat pada gambar 2.2.
    Pada transistor biasa, arus emitter IC, setara dengan Ib(hFE+1), tetapi pada photo
    transistor, arus diode harus diperhitungkan. Sehingga persamaannya menjadi :
    𝑖𝐶 = (𝑖𝑃 ± 𝑖𝑏 )(ℎ𝐹𝐸 + 1)
    IP adalah arus yang dihasilkan oleh optik, IB adalah arus yang dihasilkan
    oleh sinyal input ac, hFE merupakan gain forward DC dari transistor.

    Karena basisnya biasanya merupakan rangkaian terbuka, Zin-nya lebih


    tinggi dari pada diode. Semakin tinggi konstanta waktu maka semakin lambar
    waktu responsnya. Ini adalah parameter yang paling penting saat diaplikasikan
    pada rangkaian switching.
    Output phototransistor dapat diambil pada kolektor maupun emitter. Gambar 2.3
    (a) dan 2.3 (b) menunjukkan dua model rangkaian. Gambar 2.3 (c) menunjukkan
    bagaimana arus photo transistor bisa ditingkatkan dengan menambahkan
    transistor lain.
    Arus emitter transistor dapat digunakan sebagai sumber arus untuk
    amplifier kedua dengan beban RL. Beban ini dapat berupa resistor, relay,
    selenoid, atau piranti lain yang diaktifkan oleh arus. Rangkaian ini disebut
    sebuah rangkaian photo – darlington.
    Bila dibandingkan antara photodiode dan phototransistor maka arus yang
    dihasilkan photodiode biasanya dalam microampere, sedang phototransistor
    dapat menghasilkan arus dalam orde miliampere. Namun, dalam hal respons
    time, photodiode lebih cepat dari phototransistor.

    C. PERALATAN PRAKTIKUM
    1. Base station EFT – OPE – 1
    2. Modul EFT – OPE – 1A
    3. Digital Multimeter
    4. Oscilloscope
    5. Function Generator
    6. Jumper

    D. PROSEDUR PRAKTIKUM
    1. Photo Diode
    a) Pasang modul EFT – OPE – 1A pada rel Base Station EFT – OPE – 1.

    b) Gunakan digital multimeter untuk mengukur tegangan +10 Volt pada base
    station.
    c) Pelajari rangkaian pada modul EFT – OPE – 1A.
    d) Rangkai rangkaian seperti gambar 2.4.
    e) Nyalakan power supply.
    1) Ukur nilai tegangan forward VF dekat IRED dengan digital multimeter.
    2) Hitung arus IF yang melewati IRED
    3) Ukur tegangan reverse pada photodiode VP
    4) Hitung arus IP
    5) Hitung dark currentnya (bila tidak bisa gunakan data sheet untuk
    mendapatkan dark current)
    f) Atur function generator pada sinyal sinul 1 kHz, 100 mV peak to peak.
    Gunakan oscilloscope untuk mengamati sinyal input (channel 1) dan sinyal
    output pada photodiode (channel 2).
    g) Catat amplitudo output yang diperoleh. Gambarkan hasilnya di kertas grafik
    dalam satu sumbu.
    h) Ubah frekuensi function generator sesuai tabel 2.1. Lengkapi tabel 2.1.
    i) Ulangi lagi langkah 6 – 8 dengan mengubah sinyal input menjadi pulsa.
    Amati perbedaan yang terjadi jika bentuk sinyal inputnya berbeda.
    j) Matikan power supply dan kembalikan peralatan ke tempatnya.
    Tegangan Output peak to peak (Volt)
    Frekuensi (Hz)
    Input Sinus Input Pulsa
    5k
    10k
    100k
    500k
    800k
    1M
    2M

    2. Photo Transistor
    a)
    E. PERTANYAAN
    1. Terangkan prinsip kerja dari LED.
    Jawaban :

    2. Gambarkan kurva karateristik LED dan IRED.


    Jawaban :

    3. Bagaimana hubungan antara arus dan LED dan intensitas cahaya.


    Jawaban :

    Anda mungkin juga menyukai