Divais - Kelompok 2

Wavelength/frequency tuning on
InGaN/GaN laser diode with

external cavity diode laser system
Kelompok 2
1. Almer Rashad (1906384150) 6. Raehan Khalifsyah (1906383993)
2. Ivan Surya Fadhilah (1906304383) 7. Syehu Izmazul Adam (1906308002)
3. Muhammad Naufal Athallah
8. Alya Zhafira Putri (1906304401)
(1906305373)
4. Firas Irfansyah Kurniawan 9. Anis Mumtaz Atsilah (1906302781)
(1906307460) 10. Nabila Ramadhani (1906305915)
5. Muhammad Rizqi Naufal Saragih
(1906305266)
Laser Diode
Laser diode merupakan komponen semikonduktor yang
dapat menghasilkan cahaya tampak (gelombang
elektromagnetik/gelombang inframerah) ketika dialiri arus
listrik.
Laser diode memiliki waveguide yang berfungsi
membatasi gelombang agar tidak tersebar dan
mengarahkannya ke lensa optik.
Cara kerja laser diode pada dasarnya merubah
listrik menjadi cahaya, yang timbul dari pancaran
foton akibat hole yang terisi elektron pada active
layer PN Junction yang berisi GaAlAs/GaAs (merah),
GaAsP/GaP (hijau/kuning), dan InGaN/GaN (biru).
Warna panjang gelombang Material Semikonduktor
6
Kelebihan laser diode dari jenis laser lainnya
karena lebih ergonomis, lebih murah dalam
pembuatannya, longer lifetime, serta membutuhkan
arus yang lebih rendah.
Aplikasi laser diode, khususnya blue laser, dalam
kehidupan antara lain bio-scanner, alat ukur jejak
gas, laser pendingin, holographic display dan
penyimpanan data pada CD/ DVD, serta
meningkatkan resolusi laser printer.
External cavity diode laser (ECDL) adalah
laser dioda yang rongganya (resonatornya)
dilengkapi dengan elemen optik eksternal
setelah elemen lensa utama.
Sumber gambar: https://www.rp-photonics.com/external_cavity_diode_lasers.html
InGaN / GaN
Laser dan
aplikasinya
11
InGaN/GaN Laser Diode
InGan(indium gallium nitride) Kelebihannya dapat digunakan
/GaN (gallium nitride) merupakan dalam berbagai aplikasi,
semikonduktor yang lebih aman contohnya: Visible Light
dan efisien dalam pencahayaan Communication(VLC)
infrastruktur. Karena mengurangi
kebutuhan energi hingga 1/5 dari
yang digunakan saat ini.
12
InGaN/GaN memiliki panjang gelombang emisi
sebesar 450nm-520nm sehingga menyebabkan
spektrum warna yang keluar adalah biru/violet
13
14
Blue Laser Wavelength
Tuning Range
15
Sistem tuneable Semiconductor laser diode di daerah
warna biru-ungu banyak diperlukan di berbagai aplikasi
laser, seperti:
⦿ Laser Cooling
⦿ High Resolution atomic and molecular spectroscopy
⦿ Gas Trace Measurement
16
Tabel Penelitian dari tahun ke tahun
Tuning Narow
Tahun Gelombang Laser SMSR keterangan
Range Linewidth
2014 445nm ~3nm 40dB ~20pm
2016 ~450nm ~6nm >20dB ~20pm 80mW
2017 ~450nm 7,2nm ~35dB ~100pm
2018 439,5-450,4nm 10,9nm 10-20dB Threshold
442,2-450,5nm 8,3nm 10-20dB 300mA
2019 445nm 4,3nm 20mW
2020 442,69-454,8nm 12,11nm >15dB ≤110pm
*SMSR = Side-Mode-Suppresion-Ratio
17
Variabel yang mempengaruhi Jarak Tuning
⦿ Injection Current: Arus injeksi pada laser

⦿ Cavity Length: Panjang rongga/resonator
⦿ Suhu
⦿ Stabilitas: Ketahanan laser dalam mempertahankan
jarak tuning
18
Metode Tuning: Littrow & Littman-Metcalf
configuration
Metode paling sering digunakan dan paling sukses dalam
filter gelombang pada daerah warna biru, pada konfigurasi
Littrow & Littman-Metcalf menggunakan kisi difraksi
untuk tuning panjang gelombang pada laser biru
19
20
a.High Reflection System(HRS)
b. Low Reflection System(LRS)
*OSA = Optical Spectrum Analyzer berfungsi sebagai pendeteksi sinyal keluaran dioda laser.
21
(a) Grafik L-I-V (Light-Current- Voltage), arus
threshold = 124 mA
(b) Grafik daya pada cahaya terhadap panjang
gelombang
(c) Grafik daya laser terhadap arus injeksi 22
Pengaruh Terhadap arus injeksi
23
Pengaruh Terhadap Panjang Rongga
Panjang rongga:
-(a) dan (b) 22 cm
-(c) dan (d) 16 cm
24
Pengaruh Terhadap Suhu
Panjang rongga:
-(a) dan (b) 22 cm
-(c) dan (d) 16 cm
25
Stabilitas Sistem dengan panjang Cavity 22 cm
dengan panjang waktu 30 menit
26
Stabilitas Sistem dengan panjang Cavity 16 cm
dengan panjang waktu 30 menit
27
Referensi
1. Blue Laser Diode System With an Enhanced
Wavelength Tuning Range:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9050898
2. InGaN/GaN Laser Diodes and their Applications:
https://core.ac.uk/download/pdf/161514726.pdf
28
THANKS!
29

Divais - Kelompok 2

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Divais - Kelompok 2

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Deskripsi Asli:

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Divais - Kelompok 2

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Wavelength/frequency tuning on

InGaN/GaN laser diode with

2014 445nm ~3nm 40dB ~20pm

2016 ~450nm ~6nm >20dB ~20pm 80mW

2017 ~450nm 7,2nm ~35dB ~100pm

2018 439,5-450,4nm 10,9nm 10-20dB Threshold

442,2-450,5nm 8,3nm 10-20dB 300mA

2019 445nm 4,3nm 20mW

2020 442,69-454,8nm 12,11nm >15dB ≤110pm

⦿ Injection Current: Arus injeksi pada laser

Anda mungkin juga menyukai