Dawon Kahng

Dawon Kahng
Nama asal	강대원
Lahir	(1931-05-04)4 Mei 1931 Seoul, Korea
Meninggal	13 Mei 1992(1992-05-13) (umur 61) New Brunswick, New Jersey
Kebangsaan	Korea Selatan Amerika Serikat
Pekerjaan	Insinyur listrik
Dikenal atas	MOSFET (transistor MOS) PMOS dan NMOS Diode Schottky Transistor berbasis lapisan nano Floating-gate MOSFET Memori floating-gate Reprogrammable ROM
Penghargaan (2009) National Inventors Hall of Fame (en) (1975) Stuart Ballantine Medal (en)

Dawon Kahng (4 Mei 1931 – 13 Mei 1992) adalah seorang penemu dan insinyur listrik Korea-Amerika Serikat, yang dikenal atas pekerjaannya dalam elektronika solid-state. Dia dikenal karena menemukan MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), disebut juga transistor MOS, bersama Mohamed Atalla pada tahun 1959. Atalla dan Kahng mengembangkan proses PMOS dan NMOS untuk fabrikasi semikonduktor MOSFET. MOSFET adalah jenis transistor yang paling banyak digunakan, dan merupakan bagian paling dasar dari kebanyakan peralatan elektronik modern.

Atalla dan Kahng kemudian mengusulkan konsep sirkuit terpadu MOS, dan mereka mengerjakan diode Schottky dan transistor berbasis lapisan nano pada awal 1960-an. Kahng kemudian menciptakan floating-gate MOSFET (FGMOS) bersama Simon Sze pada tahun 1967. Kahng dan Sze mengusulkan bahwa FGMOS bisa digunakan sebagai sel memori floating-gate untuk memori non-volatile (NVM) dan memori hanya baca (ROM) yang bisa dibaca, yang menjadi dasar untuk teknologi EPROM (erasable programmable ROM), EEPROM (electrically erasable programmable ROM) dan memori kilat. Kahng dimasukkan ke dalam National Inventors Hall of Fame pada tahun 2009.

Penghargaan

Kahng dan Mohamed Atalla diberikan Medali Stuart Ballantine pada Franklin Institute Awards 1975, untuk menemukan MOSFET. Pada tahun 2009, Kahng dimasukkan ke dalam National Inventors Hall of Fame. Pada tahun 2014, penemuan MOSFET dimasukkan ke dalam daftar pencapaian IEEE dalam elektronika.

Meskipun MOSFET telah memungkinkan terobosan-terobosan yang memenangkan Penghargaan Nobel seperti efek Hall kuantum, and the charge-coupled device (CCD), penemuan MOSFET sendiri tidak pernah menerima Penghargaan Nobel. Pada tahun 2018, Royal Swedish Academy of Sciences yang memberikan Penghargaan Nobel mengakui penemuan MOSFET oleh Atalla dan Kahng sebagai salah satu penemuan terpenting dalam mikroelektronika dan dalam teknologi informasi dan komunikasi.