FATEC-SP Faculdade de Tecnologia de São Paulo

Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos - MPCE

Simulação de Processos e Dispositivos – SPD

Prof. Marcelo Bariatto

PROJETOS 03 E 04

CAPACITORES MOS
03/05/2006

Nome dos Alunos (GRUPO 8) Nº de matrícula

Christos A. Harissis 031765-9
Gabriel Ap. Guidil Ribeiro 031774-8

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OBJETIVOS

Abaixo, os principais objetivos dos projetos:

• construir (virtualmente) dois capacitores MOS com o simulador de processos SUPREM;

• obter os perfis em profundidade das concentrações de dopantes e cargas ativas;
• analisar os potencias existentes verificando a correspondência com os conceitos físicos
relacionados;
• obter as profundidades máximas de depleção e tensões de inversão e compará-las com os valores
teóricos;
• alterar a tensão de inversão de um dos capacitores por implantação de dopante no substrato.

INTRODUÇÃO TEÓRICA:

Trataremos aqui de alguns dos conceitos mais importantes para avaliar os resultados das simulações
e responder às questões dos exercícios. Será dada prioridade ao entendimento desses conceitos,
ficando o detalhamento matemático por conta do material bibliográfico citado no final do relatório.

Assim, trataremos fundamentalmente das bandas de condução e de valência de metais e

semicondutores e das “forças” que movem os portadores de carga rumo ao equilíbrio
termodinâmico. Em se tratando desses portadores, iremos focalizar os elétrons na camada de
condução; no entanto, tudo o que for aplicável a estes também o será a lacunas na camada de
valência (respeitadas as polaridades dos potenciais).

Equilíbrio Termodinâmico: Difusão versus Deriva

A definição de equilíbrio termodinâmico no nosso contexto é a condição em que o fluxo líquido de

elétrons ao longo do material é nulo.

Veremos adiante que ele é alcançado quando a tendência de difusão dos elétrons contra o
gradiente de concentração (da região mais concentrada para a menos concentrada) é
contrabalançada pela tendência de deriva a favor do gradiente de potencial elétrico (do menor
potencial para o maior). Não iremos considerar aqui as forças devidas aos campos magnéticos.

Entenda-se “concentração” de elétrons como o grau de ocupação dos estados energéticos. Este,
assim como a função de distribuição que o determina (função de Fermi-Dirac), é definido a seguir.

Função de Distribuição de Fermi-Dirac

É a função cujo valor expressa o grau médio de ocupação dos estados energéticos (“posições”
quânticas) dos elétrons. Segundo o princípio de exclusão de Pauli, cada estado admite apenas 1
elétron. Assim, o que essa função traduz é simplesmente a probabilidade que cada um desses
estados tem de estar preenchido. Em outras palavras, ela indica a fração dos átomos de um certo
material em que cada estado se encontra ocupado.

Os elétrons, atraídos pelos núcleos, tendem a preencher os estados quânticos disponíveis a partir dos
que têm menor energia potencial. A 0 Kelvin, não existe nenhum movimento ou oscilação que afete
essa tendência e, portanto, todos os estados até um determinado nível energético estão sempre
ocupados e todos os outros estão vazios, em todos os átomos. Isso estabelece um limiar de energia
abaixo do qual a função de Fermi vale “1” (100 % de ocupação) e, acima, vale “0”. Esse limiar é

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chamado de nível de Fermi e é a referência a partir da qual podemos dizer se um determinado
estado energético tem probabilidade maior de ser encontrado preenchido ou vazio.

No zero absoluto, portanto, existe uma descontinuidade na função de distribuição (de “1” para “0”)
em torno do nível de Fermi, resultando em um gradiente do grau de ocupação, ou da concentração,
infinito neste ponto. No entanto, não acontece nenhuma “difusão” por conta disso, pois não existe
nenhuma energia cinética para tal: as energias potenciais não variam e nunca um elétron irá migrar
para um estado superior ao seu.

Acima de 0 Kelvin, as oscilações de energia potencial dadas pelas vibrações permitem essa
“difusão” entre os níveis mais externos: alguns elétrons passam para estados superiores vazios,
disponibilizando suas posições para outros elétrons, que, ao ocupá-las, também deixam vagas as
suas, e assim por diante. Isso faz com que a função deixe de mudar abruptamente de “1” para “0”
no nível de Fermi e passe a ser contínua neste ponto.

A temperatura afeta muito mais essa função nos estados próximos ao nível de Fermi, onde os
gradientes de concentração são maiores. Quanto maior for a temperatura, mais elétrons tendem a
“difundir” para os estados superiores vizinhos, menos ocupados, de forma a reduzir esses
gradientes. Naturalmente muitos elétrons também retornam aos níveis anteriores e acaba ocorrendo
um movimento contínuo de “vai e vem” através dos estados vizinhos do nível de Fermi.

É estabelecido um equilíbrio dinâmico entre os movimentos de “difusão” para os estados mais

externos e os resultantes da atração eletrostática dos núcleos para os mais internos. É esse equilíbrio
que determina como é a distribuição dos graus de ocupação dada pela função de Fermi-Dirac.
Exatamente no nível de Fermi as duas tendências se equiparam e a função vale ½ (50 % de
ocupação). A “difusão” promovida pela energia térmica tende a igualar as concentrações dos
estados ao redor desse nível, aproximando-as do mesmo valor (½). Por outro lado, a atração
eletrostática tende a ocupar os estados abaixo do nível de Fermi e a desocupar os que estiverem
acima, sendo essa tendência tão maior quanto mais distantes tais estados estiverem desse nível.
Assim, o valor da função depende fundamentalmente da relação entre as energias dos estados,
medidas a parir do nível de Fermi, e a temperatura, conforme a expressão, abaixo.

f(ε) = 1/(1 + exp((ε – εf)/K.T))

onde f(ε) é a função de Fermi-Dirac, que representa o grau de ocupação de cada estado energético;
ε é energia potencial do estado em questão;
εf é a energia de referência, chamada nível de Fermi, em que o grau de ocupação é ½;
K é a constante de Boltzmann;
T é a temperatura absoluta da região em que a função é aplicada.

O Nível de Fermi em Condutores e Semicondutores

Nos condutores sólidos, a qualquer temperatura todos os estados energéticos até pelo menos a base
da banda de condução, inclusive, são totalmente ocupados. Portanto, necessariamente o nível de
Fermi está dentro dessa banda.

Nos semicondutores intrínsecos (sem dopantes) a 0 Kelvin, todos os estados até a banda de
valência, inclusive, estão ocupados e não há nenhum elétron na banda de condução. Assim, o nível
de Fermi se situa em algum lugar entre ambas, na banda proibida. Além disso, as distribuições das
densidades de estados disponíveis no topo da primeira e na base da segunda são mais ou menos
simétricas com relação ao nível de Fermi – ver ref. Bibliográfica [1]. Isso, portanto, o posiciona
próximo ao centro da banda proibida. O aumento da temperatura faz com que cada elétron que
atinja a banda de condução deixe um estado vago na de valência, e dada a simetria citada acima,
não há variação significativa do nível de Fermi em função da temperatura.

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Já nos semicondutores extrínsecos tipo “N”, temos todos os estados até a banda de valência
completos e o primeiro estado da banda de condução parcialmente ocupado, com grau muito menor
que ½ . Com isso, o nível de Fermi também fica na banda proibida, porém mais próximo à banda de
condução. Com o aquecimento, o número de elétrons nesta e o de estados vazios na de valência
aumentam igualmente, deslocando o nível de Fermi em direção ao centro da banda proibida.

O oposto ocorre para semicondutores extrínsecos tipo “P”: como a banda de valência é a primeira
parcialmente ocupada, porém com grau muito maior que ½, o nível de Fermi se encontra próximo a
ela, na banda proibida; o aumento da temperatura aqui também tende a deslocá-lo para o centro.

O Equilíbrio Termodinâmico na Junção de Materiais Diferentes

De maneira bastante simplificada, pode-se dizer que as transferências de elétrons entre os átomos
ocorrem através dos estados vagos (verificar). Como esses são muito mais numerosos nas bandas
de condução e de valência (conforme a função de distribuição), é através dessas bandas que as
correntes fluem, obedecendo à tendência que for maior, de difusão ou de deriva.

No momento em que dois materiais com níveis de Fermi diferentes são colocados em contato,
mesmo que no primeiro momento não haja diferença de potencial entre eles, será iniciada certa
transferência de elétrons de um para o outro devida à diferença de concentrações destes nas bandas
de condução ou de valência (corrente de difusão). Isso faz crescer uma diferença de potencial (ddp)
que se contrapõe a esse movimento de difusão e também produz movimento de elétrons no outro
sentido (corrente de deriva). Quando as duas tendências se equiparam, o equilíbrio é estabelecido.

Por que os Níveis de Fermi se Igualam no Equilíbrio?

A despeito das variações dos potenciais e dos graus de ocupação das bandas externas ao longo dos
materiais, no equilíbrio nenhum ponto tem tendência maior que outro de receber ou perder elétrons
(é por isso que o fluxo líquido é nulo). Como essa tendência é dada pelo “balanço” entre as energias
potenciais dos estados e os seus graus de ocupação, podemos afirmar que no equilíbrio, em todos os
pontos, os estados com o mesmo grau de ocupação têm a mesma energia potencial.

O nível de Fermi é apenas um desses estados em que o grau de ocupação é constante, que, neste
caso, vale ½. No equilíbrio, portanto, a sua energia potencial também será a mesma em qualquer
ponto. Isso também permite afirmar que, se existir qualquer corrente entre dois pontos, certamente
os níveis de Fermi destes terão energias potenciais diferentes (já que os graus de ocupação são os
mesmos) e que a corrente sempre fluirá no sentido em que essa energia potencial é menor.

O Nível de Fermi como Medida do Potencial Elétrico

Como ele representa uma energia potencial, dividindo seu valor pela carga do elétron temos o
potencial correspondente. Se a unidade utilizada para expressar a energia for eV (elétron-volt), a
unidade do potencial de Fermi será V (volt).

Assim, e considerando o que foi visto logo acima sobre o Nível de Fermi e o equilíbrio, podemos
dizer que, quando medimos a tensão entre dois pontos quaisquer, na verdade estamos medindo a
diferença entre os seus potenciais de Fermi. Da mesma forma, os valores de potencial elétrico
atribuídos aos diversos pontos de um circuito, material etc., se referem ao potencial de Fermi
(verificar).

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O Nível de Fermi e a Função Trabalho

A função trabalho dos materiais é definida como a energia média necessária para arrancar os
elétrons menos ligados dos seus átomos. O nível de Fermi é uma excelente estimativa da energia
potencial mais provável desses elétrons. Assim, a função trabalho é dada pela diferença entre a
energia potencial dos elétrons “no vácuo” (que é zero, pois nele os elétrons já estariam totalmente
desligados dos átomos) e o nível de Fermi.

Outra grandeza relacionada é a afinidade eletrônica dos materiais, que corresponde à diferença
entre a energia dos elétrons “no vácuo” e a energia da base da banda de condução.

O Exemplo dos Termopares

Estes são formados por junções de metais com diferentes níveis de Fermi, o que implica em
diferentes concentrações de elétrons nas bandas de condução de ambos para um mesmo potencial e,
portanto, na difusão destes e criação de uma ddp, conforme já citado. Como a variação da
temperatura da junção não muda muito a quantidade de elétrons livres, pois os materiais são
condutores, a atuação desta na ddp formada é devida principalmente à variação correspondente da
energia cinética destes elétrons. Se as extremidades opostas de cada fio do termopar também forem
unidas, também será criada um0a tensão nessa nova junção, correspondente à sua temperatura. A
tendência de difusão da junção mais quente irá sobrepujar a da mais fria, gerando uma corrente
proporcional à diferença entre as tensões (ou entre as temperaturas). Um voltímetro conectado em
série pode medir a diferença entre as duas tensões, da qual pode-se calcular a diferença entre as
temperaturas. Enquanto o circuito estiver fechado, os elétrons difundidos acabam retornando pela
malha, o que faz com que essa difusão não cesse e a corrente continue circulando indefinidamente.
A energia que a mantém é fornecida termicamente pelo ambiente, pois os elétrons difundidos
através da barreira de potencial da junção mais quente são aqueles que têm maior energia total, o
que diminui um pouco a energia térmica média (temperatura) da região de onde eles partem e
permite a transferência de calor do ambiente para essa região, repondo a energia consumida.

Depleção e Acumulação

Quando os materiais com níveis de Fermi diferentes postos em contato são condutores, a diferença
de potencial criada faz com que as cargas fiquem acumuladas na interface, atraídas pelo campo
elétrico. Diz-se que, neste caso, as cargas são peliculares.

Se algum dos materiais for semicondutor (ou os dois), também haverá a acumulação naquele em
que as cargas a serem geradas forem portadores. Se forem íons, eles não se deslocam para a
interface pela atração eletrostática, permanecendo em suas posições originais; ao contrário, os
portadores é que são afastados, ou depletados, para a criação dessas cargas. Com a mesma diferença
de potencial, quanto menor for a dopagem maior será a espessura da região de depleção, pois os
íons são justamente os dopantes e, portanto, mais espaço deverão ocupar.

Assim, a região em que ocorre a acumulação é condutora e a região depletada, por ter seus
portadores afastados, isolante.

O Capacitor MOS

Maiores detalhes sobre o capacitor MOS serão dados nas respostas às questões dos exercícios. Aqui
serão abordados os conceitos mais importantes.

O MOS é um capacitor em que uma das placas é composta por um metal, o dielétrico pelo óxido de
silício e a outra placa pelo substrato de silício dopado; daí, a designação MOS. O terminal ligado à
placa metálica recebe o nome específico de porta (gate).

5
O Campo Elétrico e o Potencial ao Longo do Óxido no Capacitor MOS

Num óxido ideal o campo elétrico é constante, já que as placas são paralelas e não há cargas que o
modifiquem conforme se percorre esse óxido.

Se considerarmos apenas o campo elétrico, e não a resistência do óxido, a energia potencial de uma
carga que pudesse atravessá-lo iria variar linearmente, pois esse percurso seria feito sob força
eletrostática constante (no sentido a favor dessa força, a energia aumentaria e, contra ela,
diminuiria). O potencial elétrico, portanto, também iria variar linearmente.

A Carga, o Campo Elétrico e o Potencial ao Longo da Depleção no Capacitor MOS

A densidade de cargas na região depletada é praticamente a mesma dos dopantes, pois os portadores
majoritários fornecidos por estes é que são afastados pelo campo elétrico, deixando os íons. Assim,
pode-se dizer que a densidade de cargas é constante para uma dopagem homogênea.

Na interface entre o óxido e o silício, o campo elétrico é máximo, pois todas as cargas positivas
estão de um lado e as negativas do outro. Conforme se percorre a região de depleção no sentido do
substrato, as cargas que vão ficando para trás compensam gradativamente as do óxido, que têm
polaridade oposta. Com isso, a “carga líquida” diminui linearmente até o final da região de
depleção, onde será nula. Isso faz com que o campo elétrico também diminua linearmente ao longo
da região de depleção no sentido do substrato.

O deslocamento de uma carga através de um campo elétrico que varia linearmente resulta em
variação parabólica da sua energia potencial e, portanto, do potencial elétrico.

A Depleção Máxima e a Inversão no Capacitor MOS

Tomemos como exemplo capacitores de substrato N, sendo os efeitos similares para os do tipo P.

Na depleção, o deslocamento dos potenciais das bandas de condução e de valência também desloca
as concentrações de elétrons nessas, por conta do equilíbrio termodinâmico. Isso afasta a banda de
condução do nível de Fermi e aproxima a banda de valência, aumentando a probabilidade de criação
de lacunas nesta (que são minoritárias em materiais do tipo N). Devido à alta declividade da função
de distribuição em torno do nível de Fermi, essa probabilidade somente passa a ser significativa se o
deslocamento for tal que a diferença do nível de Fermi para a banda de valência chegue a ser tão
pequena quanto a “natural” para a banda de condução (antes da depleção). A partir desse ponto,
temos o efeito chamado de “inversão”, caracterizado, neste exemplo, pela presença substancial de
portadores típicos de substrato P (lacunas) dentro da região de depleção do substrato N.

A inversão acontece na região mais próxima à interface com o óxido, onde o deslocamento do
potencial (e das bandas) é maior. A diferença de potencial em que ele ocorre é chamada de tensão
de limiar, VT (threshold). A partir desse valor, qualquer aumento da tensão entre as placas gera
aumento somente da tensão sobre o óxido; no substrato, o efeito é o aumento da quantidade de
portadores próximos à interface e a conseqüente redução da resistividade dessa região. A
profundidade da depleção e a diferença de potencial nela, portanto, são limitadas pelos valores
correspondentes à tensão de limiar.

Nota: a região da inversão é o “canal” dos transistores MOS; ele pode ser “aberto” ou “fechado”
aplicando entre a porta e o substrato níveis de tensão maiores ou menores que VT.

6
EXERCÍCIO 1: CAPACITOR MOS EM SUBSTRATO P

Características do Substrato: dopado com boro, NA = 10.1015 cm-3, orientação <100>.

Concentração Efetiva de Cargas no Óxido (QSS/q): 2.1011 cm-2.

Descrição das Etapas

Obs.: os parâmetros em negrito foram propostos para cada grupo, individualmente.

1. Oxidação térmica úmida a 1050 ºC e 35 minutos.

2. Remoção de todo o SiO2 formado.
3. Oxidação térmica úmida a 950 ºC e 35 minutos.
4. Deposição de 100 nm de nitreto se silício para utilização como máscara da oxidação de campo.
5. Processo de formação do óxido de campo:
- Aquecimento da lâmina em N2 a partir de 800 ºC por 20 minutos, aumentando a
temperatura à taxa de 10 ºC por minuto.
- Deposição de 400 nm de óxido de silício a 1000 ºC.
- Resfriamento da lâmina em N2 a partir de 1000 ºC até 800 ºC, diminuindo a temperatura à
taxa de 25 ºC por minuto.
6. Remoção do óxido de campo da região ativa.
7. Remoção do nitreto de silício da região ativa.
8. Remoção do óxido da interface da região ativa.
9. Oxidação térmica seca a 1000 ºC e 30 minutos.
10. Deposição de 400 nm de silício policristalino intrínseco a 650 ºC e pressão de 2.10-6 Torr
11. Difusão de fósforo a 1050 ºC por 40 minutos para dopagem degenerada do silício policristalino
de porta.
12. Deposição de 400 nm de óxido de silício.
13. Corrosão de todo o silício depositado para a abertura da janela de contato.
14. Deposição de 500 nm de alumínio.
15. Recozimento térmico a 450 ºC e 30 minutos em ambiente de N2.

Questões Solicitadas no Exercício

a) Perfis esperados ao final de cada etapa.

Os desenhos abaixo representam esquematicamente em duas dimensões dos perfis esperados

após cada etapa. Apenas a profundidade representada está em escala e corresponde
aproximadamente aos valores obtidos na simulação.

A graduação à esquerda representa a profundidade a partir da linha imaginária (tracejada)

correspondente à superfície inicial do substrato. A seta com o texto “SUPREM” aponta para o
ponto a partir do qual a profundidade é “contada” pelo simulador ao final de cada etapa (e por
onde a simulação inicia na etapa seguinte).

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x (μm)

SUPREM
SUPREM SUPREM
SUPREM
Si3N4
SiO2 SiO2

P P P P

x (μm)

SUPREM SUPREM
SUPREM SUPREM

SiO2

P P P P

x (μm)

SUPREM SUPREM SUPREM SUPREM

SiO2 Si (poli) N (poli)

P P P P

x (μm)

SUPREM SUPREM
SUPREM
Al
SiO2

P P P

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b) O arquivo simulado.

TITLE CAPMOS
INITIALIZE SILICON <100> BORON CONCENTR=10E15 DX=2E-3 + THICKNES=0.75
DIFFUSION WETO2 TEMPERAT=1050 TIME=35
ETCH OXIDE
DIFFUSION WETO2 TEMPERAT=950 TIME=35
DEPOSITION THICKNES=0.1 NITRIDE
DIFFUSION NITROGEN TIME=20 T.RATE=10 TEMPERAT=800
DEPOSITION OXIDE TEMPERAT=1000 THICKNES=0.4
DIFFUSION NITROGEN TEMPERAT=1000 T.RATE=-25 TIME=8
ETCH OXIDE
ETCH NITRIDE
ETCH OXIDE
DIFFUSION DRYO2 TEMPERAT=1000 TIME=30
PRINT OXIDE LAYERS FILENAME=MOS_SP1.REP LINES/PA=1000
DEPOSITION POLYSILI TEMPERAT=650 PRESSURE=2E-6 THICKNES=0.4
DIFFUSION PHOSPHOR SOLIDSOL TEMPERAT=1050 TIME=40
DEPOSITION OXIDE THICKNES=0.4
ETCH OXIDE
DEPOSITION ALUMINUM THICKNES=0.5
DIFFUSION NITROGEN TEMPERAT=450 TIME=30
PLOT NET ACTIVE
PRINT NET ACTIVE CONCENT FILENAME=MOS_SP2.REP LINES/PA=1000
ELECTRICAL FILE.OUT=ELC1.REP
BIAS LAYER=3 V.MAJORI=1
END.ELECTRICAL
STOP

Nota: Não foi utilizado o comando “STEP”; em vez disso, as polarizações da porta foram
alteradas em simulações sucessivas modificando o parâmetro “V.MAJORI” (pareceu-nos mais
prático proceder dessa forma). A polarização efetiva variou entre -1,35 a 1,02 V.

c) Qual a espessura do óxido do capacitor MOS (Xox)?

Xox = 31 nm.

d) Perfil da concentração ativa de dopantes em função da profundidade após o processamento.

Capacitor MOS
1,00E+20

1,00E+19
Densidade de Carga Ativa (cm-3)

Silício Poli N+

Substrato P

1,00E+18
Alumínio

1,00E+17
Óxido

1,00E+16

1,00E+15

1,00E+14

1,00E+13

1,00E+12
0,000 0,200 0,400 0,600 0,800 1,000 1,200 1,400
Profundidade (μm)

9
 Nota: A concentração efetiva de dopante no substrato foi reduzida na região próxima à
interface, devido à difusão do fósforo do silício poli através do óxido, ficando em torno de
6E15 at/cm3.

e) Calcular os valores da tensão de banda plana (Vfb) e de limiar de inversão (Vt) deste capacitor.

Observação 1: utilizamos a dopagem especificada (teórica) e não a obtida na região próxima à

interface (6E15 at/cm3). Isso produziu algumas diferenças entre os resultados obtidos na
simulação e os teóricos, conforme será visto adiante.

Observação 2: o SUPREM considera o óxido sem cargas. Nos cálculos, utilizamos a carga
especificada no exercício e, adiante, veremos que isso também irá determinar algumas
divergências com os resultados da simulação.

Dados:

εSi = 1,06.10-12 F/cm

εox = 3,45.10-13 F/cm
ni = 1,45.1010 At/cm3
φm = φAl = 4,15 V
χSi = 4,15 eV

φf = (KT/q) . ln(NA/ni) = 0,026.ln(10.1015 / 1,45.1010) = 0,35 V

φms = φm - χSi - Eg/2 - φf = 4,15 - 4,15 - 0,55 - 0,35 = - 0,90 V
Cox = εox / Xox = 3,45.10-13 / 31.10-7 = 1,11.10-7 F/cm2
Qss = (Qss/q) . q = 2.1011 . 1,6.10-19 = 3,2.10-8 C

Vfb = φms – Qss / Cox = - 0,90 - 0,29 = - 1,19 V

Vt = Vfb + Raiz(2.q.NA.εSi.2. |φf|) / Cox + 2 . φf = -1,19 + 0,44 + 0,70 = - 0,05 V

f) Apresentar o diagrama de bandas de energia do capacitor projetado, em duas condições:

• Antes do equilíbrio termodinâmico (sem contato), indicando os valores de Φm e Φsi.

Φ(m) = 4,15
eV
χ(Si) = 4,15 Φ(Si) = 5,05

M O S
P
M

Εc
Εi
Εf
Εv

• Após o contato e em equilíbrio termodinâmico com Vg = 0, explicando qual o regime de

operação do capacitor nessa condição.

10
 Φ(ms) = -0,90 E0
Vox = 0,49
0,7
Qss/Cox = 0,29

Φ(m) = 4,15 χ(Si) = 4,15 Φ(Si) = 5,05

eV
M O S P
M
φs = 0,70 Εc
Εi
Εf
Εv

Como Vg é ligeiramente maior que Vt e o substrato é P, o capacitor está no início da

inversão (praticamente no limiar).

g) Apresentar os gráficos de potencial do capacitor MOS para as tensões Vg de forma que o

mesmo esteja nos modos abaixo; explicar esses gráficos e indicar os potenciais Vg aplicados.

Modos: acumulação, banda plana, depleção, Vg = 0 V, limiar e inversão

Capacitor MOS - substrato P

1,00
Porta

Óxido

Substrato

Vg = 1,02 (inversão)

Vg = 0,25 (limiar de inversão)

0,50
Vg = 0,02 (depleção)
Potenciais (V)

Vg = -0,48 (depleção)
0,00
Vg = -0,88 (banda plana)

Vg = -0,98 (acumulação)

-0,50 Vg = -1,35 (acumulação)

-1,00

-1,50
0,85 0,95 1,05 1,15 1,25 1,35 1,45

Profundidade (μm)

Como se pode ver, para tensões de porta entre -0,88 e +0,25 V, o capacitor se encontra em
depleção, com o potencial φs e a profundidade de depleção acompanhando o aumento dessa
tensão. A partir da inversão, essas duas variáveis praticamente não mudam mais e somente a
tensão no óxido varia com Vg. Também pode-se notar o aspecto parabólico das curvas de

11
 potencial na depleção. A acumulação é observada em Vg de -0,98 e -1,35 V, com a nítida
concentração das cargas na região da interface.

Pode-se notar também que, na depleção, as declividades das curvas ao passarem do óxido para
o substrato caem na razão de aproximadamente 1/3. Isso porque o campo elétrico neste é cerca
de três vezes menor no óxido, o que é coerente com a relação entre as permissividades de
ambos. Após a inversão essa relação é maior, pois os portadores criados limitam o valor do
campo elétrico.

h) Determine graficamente o valor de Xdmax (profundidade máxima de depleção) e compare com

o valor obtido teoricamente.

- Pelo gráfico: Xdmax = 1,33 – 0,93 = 0,4 μm = 400 nm

- Teórico: Xdmax = Raiz(2. εSi.2.φf / q.NA) = 305 nm

- Motivo provável da diferença: a concentração de dopante obtida na região de depleção foi

um pouco menor que 10E15 (ver gráfico), resultando em profundidade um pouco maior.
Utilizando a dopagem obtida, em torno de 6E15, calcula-se a profundidade de 393 nm!

i) Determine a tensão de limar de inversão do capacitor graficamente (φs = 2φf) e compare com o
valor teórico.

- Pelo gráfico: Vt = 0,25 V

- Teórico: Vt = -0,05 V

- Motivo provável da diferença: o SUPREM considera o óxido ideal. Subtraindo a tensão

“Qss/Cox” (0,29 V) do valor obtido no gráfico, temos -0,04 V, praticamente idêntico ao
teórico!

EXERCÍCIO 2: CAPACITOR MOS EM SUBSTRATO P

Idem ao exercício 1, porém com Substrato dopado com Fósforo, ND = 1.1015 cm-3.

Questões Solicitadas no Exercício

a) Perfis esperados ao final de cada etapa.

São os mesmos do exercício 1 a menos da dopagem do substrato.

b) O arquivo simulado.

Idem. (Foram modificados o tipo de dopante e a concentração)

c) Qual a espessura do óxido do capacitor MOS (Xox)?

Xox = 31 nm.

d) Perfil da concentração ativa de dopantes em função da profundidade após o processamento.

12
 Capacitor MOS
1,00E+20

Silício Poli N+
1,00E+19

Substrato N
Densidade de Carga Ativa (cm-3)

Alumínio
1,00E+18

Óxido
1,00E+17

1,00E+16

1,00E+15

1,00E+14

1,00E+13

1,00E+12
0,000 0,200 0,400 0,600 0,800 1,000 1,200 1,400
Profundidade (μm)

Nota: A concentração efetiva de dopante no substrato foi aumentada na região próxima à

interface, devido à difusão do fósforo do silício poli através do óxido, ficando em torno de
1,5E16 at/cm3.

e) Calcular os valores da tensão de banda plana (Vfb) e de limiar de inversão (Vt) deste capacitor.

Observação 3: aqui também utilizamos a dopagem especificada (teórica) e não a obtida na

região próxima à interface (1,5E16 at/cm3). Assim como no exercício 1, houve algumas
diferenças entre os resultados obtidos na simulação e os teóricos.

Observação 4: tal como no exercício 1, será utilizada a caga no óxido especificada, o que
também gerou algumas divergências entre os resultados, já que o SUPREM considera o óxido
sem cargas.

Dados:

εSi = 1,06.10-12 F/cm

εox = 3,45.10-13 F/cm
ni = 1,45.1010 At/cm3
φm = φAl = 4,15 V
χSi = 4,15 eV

φf = - (KT/q) . ln(ND/ni) = - 0,026.ln(1.1015 / 1,45.1010) = - 0,29 V

φms = φm - χSi - Eg/2 - φf = 4,15 - 4,15 - 0,55 + 0,29 = - 0,26 V
Cox = εox / Xox = 3,45.10-13 / 31.10-7 = 1,11.10-7 F/cm2
Qss = (Qss/q) . q = 2.1011 . 1,6.10-19 = 3,2.10-8 C

Vfb = φms - Qss / Cox = - 0,26 - 0,29 = - 0,55 V

Vt = Vfb - Raiz(2.q.ND.εSi.2.|φf|) / Cox + 2 . φf = -0,55 - 0,13 - 0,58 = - 1,26 V

13
f) Apresentar o diagrama de bandas de energia do capacitor projetado, em duas condições:

• Antes do equilíbrio termodinâmico (sem contato), indicando os valores de Φm e Φsi.

Φ(m) = 4,15
eV
χ(Si) = 4,15 Φ(Si) = 4,41

M O S
N
M

Εc
Εi
Εf
Εv

• Após o contato e em equilíbrio termodinâmico com Vg = 0, explicando qual o regime de

operação do capacitor nessa condição.

Φ(ms) = -0,26 Cox E0

Qss/Cox = 0,29

Φ(m) = 4,15 χ(Si) = 4,15 Φ(Si) = 4,41

eV
M O S N
M

Εc
Εf
Εi
φs Εv

Como Vg é maior que Vfb e o substrato é N, o capacitor está na acumulação.

g) Apresentar os gráficos de potencial do capacitor MOS para as tensões Vg de forma que o

mesmo esteja nos modos abaixo; explicar esses gráficos e indicar os potenciais Vg aplicados.

Modos: acumulação, banda plana, depleção, Vg = 0 V, limiar e inversão

14
 Capacitor MOS - substrato N
0,75

Substrato
Porta

Óxido
0,25
Potenciais (V)

-0,25

Vg = 0,56 (acumulação)

Vg = 0,00 (acumulação)
-0,75
Vg = -0,21 (banda plana)

Vg = -0,49 (depleção)

-1,25 Vg = -0,94 (depleção)

Vg = -1,29 (limiar de inversão)

Vg = -1,54 (inversão)
-1,75
0,85 0,95 1,05 1,15 1,25 1,35 1,45
Profundidade (μm)

Para tensões de porta maiores que -0,21 V (banda plana), o capacitor se encontra em
acumulação (onde se pode observar a pequena profundidade das cargas); abaixo desse valor e
até a tensão de limiar (-1,29 V), ele está em depleção e, abaixo desta, entra na inversão
(caracterizada pelo fato de φs ter atingido um limite, dado por 2.φf).

É interessante notar que φs não decai parabolicamente como era de se esperar para uma
distribuição de cargas uniforme. Como o gráfico das concentrações mostra, de fato a dopagem
decresce com a profundidade, o que “prolonga” o decaimento do potencial. Isso dificulta a
determinação gráfica da profundidade da depleção para tensões baixas, pois não deixa muito
claro o ponto em que se deve considerar que o potencial φs foi a zero.

h) Determine graficamente o valor de Xdmax (profundidade máxima de depleção) e compare com

o valor obtido teoricamente.

- Pelo gráfico: Xdmax = 1,45 – 0,93 = 0,52 μm = 520 nm

- “Teórico”: Xdmax = Raiz(2. εSi.2.φf / q.ND) = 877 nm

- Motivo provável da diferença: a fórmula utilizada assume a distribuição homogênea de

cargas e considera a dopagem proposta no exercício. Devido à difusão de fósforo através do
óxido, a concentração de cargas na região próxima à interface ficou muito maior que a
especificada e o decaimento dessa concentração com a profundidade deixou a distribuição
bastante heterogênea. Adotando a concentração média de cargas em 3E15 at/cm3 (o que
parece coerente com o gráfico), obtém-se o valor teórico.

i) Determine a tensão de limar de inversão do capacitor graficamente (φs = 2φf) e compare com o
valor teórico.

- Pelo gráfico: Vt = -1,29 V

- Teórico: Vt = -1,26 V

15
 - Nota: a princípio, deveria haver uma diferença maior entre os dois valores, visto que o
SUPREM considera o óxido ideal (sem carga). A transição entre a depleção e a inversão não
ocorre exatamente em um “ponto” mas é gradual, daí as variações na determinação de Vt.

EXERCÍCIO 3: AJUSTE DA TENSÃO DE LIMIAR

Acrescentar as etapas abaixo na simulação do exercício 1 para atender ao solicitado adiante.

9.1 - Implantação iônica do elemento E e dose D cm-2 com energia de 30 Kev;

9.2 - Recozimento térmico a 1000 ºC e 30 minutos.
16. Remoção de todo o SiO2 formado.

Questões Solicitadas no Exercício

a) Projetar o elemento E e a dose D a serem utilizados na implantação para ajuste da tenção de

limiar do capacitor de um modo que Vt seja 1 V. Justifique a sua resposta.

O elemento implantado foi Boro, aumentando a dopagem já existente do mesmo. Isso aumenta
todas as tensões de porta necessárias para um mesmo potencial de superfície (φs). O motivo é
que a conseqüente redução da profundidade de depleção faz com que uma parcela maior da
soma Vox + φs se concentre no óxido, aumentando a tensão necessária na porta para um dado
potencial de superfície.

A contribuição do aumento de 2φf no potencial φs máximo é pequena comparada com o fato

acima.

b) O arquivo completo simulado

TITLE CAPMOS
INITIALIZE SILICON <100> BORON CONCENTR=10E15 DX=2E-3 + THICKNES=0.75
DIFFUSION WETO2 TEMPERAT=1050 TIME=35
ETCH OXIDE
DIFFUSION WETO2 TEMPERAT=950 TIME=35
DEPOSITION THICKNES=0.1 NITRIDE
DIFFUSION NITROGEN TIME=20 T.RATE=10 TEMPERAT=800
DEPOSITION OXIDE TEMPERAT=1000 THICKNES=0.4
DIFFUSION NITROGEN TEMPERAT=1000 T.RATE=-25 TIME=8
ETCH OXIDE
ETCH NITRIDE
ETCH OXIDE
DIFFUSION DRYO2 TEMPERAT=1000 TIME=30
IMPLANT BORON ENERGY=30 DOSE=1.5E12
DIFFUSION NITROGEN TEMPERAT=1000 TIME=30
DEPOSITION POLYSILI TEMPERAT=650 PRESSURE=2E-6 THICKNES=0.4
DIFFUSION PHOSPHOR SOLIDSOL TEMPERAT=1050 TIME=40
DEPOSITION OXIDE THICKNES=0.4
ETCH OXIDE
DEPOSITION ALUMINUM THICKNES=0.5
DIFFUSION NITROGEN TEMPERAT=450 TIME=30
PLOT NET ACTIVE CMIN=1E13
PRINT NET ACTIVE CONCENT FILENAME=MOS_SP2.REP LINES/PA=1000
ELECTRICAL FILE.OUT=ELC1.REP
BIAS LAYER=3 V.MAJORI=1
END.ELECTRICAL
STOP

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c) Apresentar o gráfico do perfil de dopantes ativos da estrutura resultante.

Capacitor MOS
1,00E+20

1,00E+19
Densidade de Carga Ativa (cm-3)

Substrato P
Silício Poli N+

Óxido
Alumínio
1,00E+18

1,00E+17

1,00E+16

1,00E+15

1,00E+14

1,00E+13

1,00E+12
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
Profundidade (μm)

d) Apresentar os gráficos de potencial do capacitor MOS para Vg de modo que o capacitor esteja
em acumulação, banda plana, depressão, 0 V, limiar e inversão. Explique a diferença com
relação aos gráficos do exercício 1.

Capacitor MOS - substrato P (Vt = 1 V)

2,00

1,50 Vg = 1,52 (inversão)

Porta

Óxido

Substrato

1,00 Vg = 1,02 (limiar de inversão)

Potenciais (V)

Vg = 0,52 (depleção)
0,50

Vg = -0,92 (banda plana)

0,00
Vg = -1,35 (acumulação)

-0,50
Seqüência3

-1,00

-1,50
0,85 0,95 1,05 1,15 1,25 1,35 1,45
Profundidade (μm)

As diferenças mais notáveis são a redução da profundidade de depleção e o conseqüente

aumento das tensões de porta (conforme explicado no item a). Praticamente não se observa
aumento no potencial φs máximo, uma vez que o aumento da dopagem em uma ordem de
grandeza aumenta a função trabalho (φf) em apenas 0,06 eV (0,026.ln10 = 0,06).

17
e) Determine o valor de Xdmax (profundidade máxima de depressão) graficamente e compare
com o valor obtido teoricamente.

- Pelo gráfico: Xdmax = 1,08 – 0,93 = 0,15 μm = 150 nm

- “Teórico”: Xdmax = Raiz(2. εSi.2.φf / q.Na) = 190 nm

- Nota: foi estimada, a partir do gráfico, a concentração média de dopante de 3E16 at/cm3.
Como já mencionado, essa cálculo é apenas aproximado dada a distribuição não homogênea
das cargas.

CONCLUSÃO

Das diversas conclusões que podem ser tiradas a partir de tudo o que foi visto, destacamos o fato de
que a dopagem do substrato funciona, no ajuste das tensões de porta, como uma espécie de “ganho”
dos potenciais de superfície, ou seja: quanto maior a dopagem, maiores as tensões de porta
necessárias para produzir tais potenciais e, com isso, levar o capacitor para os modos desejados.

Com isso, podem-se produzir capacitores com as tensões de limiar que sejam convenientes às
aplicações destes, como os diversos transistores MOS.

BIBLIOGRAFIA

[1] EISBERG, Robert, RESNICK, Robert; Física Quântica; Rio de Janeiro - RJ, Elsevier; 1979,
22ª tiragem.

[2] FURNARI, Laura; Física do Estado Sólido; São Paulo – SP, Fatec.

[3] NICOLETT, Aparecido S.; Dispositivos Semicondutores I (apostila); São Paulo – SP, Fatec –
MPCE.

[4] Simulador de Processos SUPREM, Fatec – MPCE.

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