Relatorio de Eletronica Analogica-Pratica 06
Relatorio de Eletronica Analogica-Pratica 06
Relatorio de Eletronica Analogica-Pratica 06
CAMPUS SOBRAL - CE
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA
PROFESSOR: DOUGLAS
AQUINO
PRÁTICA 06
TRANSISTORES MOSFET
Sobral
2018
O relatório apresentado pretende informar e
dissertar acerca dos fatores práticos e teóricos da
prática de transistores mosfet dessa forma contribuindo
para a fixação do assunto abordado e prova da
realização da atividade.
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SUMÁRIO
1. INTRODUÇÃO........................................................................................................ 3
2. OBJETIVOS ............................................................................................................ 5
3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL ................................................................ 6
4. RESULTADOS .........................................................................................................9
5. CONCLUSÃO ........................................................................................................ 11
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS...................................................................... 12
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1. INTRODUÇÃO
O MOSFET possui quatro portas: Dreno (Drain), Fonte (Source), Porta (Gate), Substrato
(Body) porém na nossa pratica no qual trabalhamos apenas com três portas, descartando a porta
‘body’.
FONTE: https://pt.wikipedia.org/wiki/Ficheiro:Mosfet-wp.svg
Região de corte: Ocorre quando 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇𝐻 , onde 𝑉𝐺𝑆 é a tensão da comporta e 𝑉𝑇𝐻 é a tensão
de condução do transistor, a chamada tensão de Threshold. Nessa condição, o transístor
permanece desligado, e não há praticamente corrente entre o dreno e a fonte. Enquanto a
corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada, há uma
fraca corrente invertida.
Região de tríodo: Ocorre para 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻 𝑒 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 onde 𝑉𝐷𝑆 é a tensão entre o
dreno e a fonte. O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre
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o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tensão na comporta.
Nesse funcionamento temos que destacar duas áreas de funcionamento uma aproximadamente
linear com 𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝐺𝑆 e outra sub linear com 𝑉𝐷𝑆 ≈ 𝑉𝐺𝑆 .
Região de saturação: Ocorre para 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻 𝑒 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 . Nessa região, o transistor
fica ligado, o que permite que ocorra uma corrente entre o dreno e a fonte. A tensão do dreno
é maior do que a tensão da comporta, uma parte do canal é desligada, essa região é chamada
de pinch-off ou região de pinçamento. Com isso, a corrente no dreno é relativamente
independente de sua tensão sendo controlada apenas pela a região da comporta. Em circuitos
analógicos é principal configuração utilizada.
A figura mostra em um gráfico como se comporta as regiões de funcionamento de um
MOSFET.
FONTE: https://pt.wikipedia.org/wiki/Ficheiro:MOSFET_enhancement-mode_n-channel.svg
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2. OBJETIVOS
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3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL
Voltímetro
Amperímetro
Fonte CC
Mosfet 1RF540
Vamos falar logo das especificações do mosfet, visto que seus parâmetros vão influência
diretamente no resultado do procedimento. Para esse mosfet, considerando uma temperatura de 25℃
teremos:
𝑉𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 = 100𝑉
𝑉𝐺𝑆𝑚𝑎𝑥 = ±20𝑉
Esse são valores máximos absolutos, visto que é importante saber para não danificar o mosfet.
Para montar o circuito, utilizamos um resistor de 1KΩ no Rd, duas fontes ajustáveis para
colocar no circuito, e um mosfet. Com isso montamos o seguinte circuito abaixo.
Com os dados da tabela, podemos ter uma curva característica do mosfet para diversos casos,
dado pelo gráfico abaixo:
2500
3.1
2000
MileVolts
3.2
1500
3.3
1000 3.4
500 3.5
0 3.6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
MicroAmper
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Com isso, montamos o circuito do experimento, e fizemos a mesma analise utilizando
os mesmos valores do experimento simulado para analisar a diferença entre o processo simulado e o
processo real. Assim preenchemos a seguinte tabela:
2500
3.1
2000
MileVolts
3.2
1500
3.3
1000 3.4
500 3.5
0 3.6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
MicroAmper
Através dos gráficos e dos dados, podemos observar que experimentalmente temos
algumas variações, que pode ser causada tanto pelos componentes do circuito, quanto o instrumento
utilizado para obter os dados.
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4. RESULTADOS
Curva Vds:
2500
3.1
2000
MileVolts
3.2
1500
3.3
1000 3.4
500 3.5
0 3.6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
MicroAmper
Curva Vgs:
2500
3.1
2000
MileVolts
3.2
1500
3.3
1000 3.4
500 3.5
0 3.6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
MicroAmper
Percebe-se que o MOSFET opera com uma resistência linear cujo valor é controlado por Vgs.
Para o MOSFET conduzir, um canal tem que ser induzido. A corrente que deixa o terminal da fonte
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é igual a corrente que entra no terminal de dreno. A região de saturação ocorre quando Vds é maior
ou igual a Vgs – Vi.
DMOS ( Double-Diffused MOS): sua estrutura é de um MOS duplo difundido, seu nome vem
da sequência em que o substrato p-dopado é difundida em primeiro lugar e seguido pelo altamente n-
dopado. Tem o poder de resistir a tensões extremamente alta com intervalos de quilovolts.
UMOS: A fonte apresenta-se na parte superior do dispositivo enquanto o dreno fica na parte
inferior o que da um formato de U ao componente. Nesse caso a corrente não irá fluir horizontalmente
e sim verticalmente.
MOSFET de potência: é o switch mais usado para baixa voltagem, é controlado por tensão ,
constratando um transistor bipolar que é um dispositivo controlado por corrente.
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5. CONCLUSÃO
Percebe-se que o MOSFET é um dispositivo essencial nas aplicações da eletrônica e com o
advento da prática pode-se conhecer mais acerca do seu funcionamento bem como os seus vários
modos de operação e os limites de seu uso. Conhecendo sua estrutura química e física é possível
monta-lo de diversas formas, cada uma com um uso diferenciado que serve para diversas
aplicações.
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REFERÊNCIAS BILIOGRÁFICAS
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