CARACTERIZACIN DE TRANSISTORES

BJT
Luis Andrs Puerto, Fabin Hernando Ros, Javier Santiago Salgado.
Universidad Nacional de Colombia

Abstract: A continuacin se presentara un nuevo

dispositivo de tres terminales denominado transistor de
unin bipolar o BJT que a diferencia de los elementos
de dos terminales, presenta mayor cantidad de
aplicaciones entre las que comprende la amplificacin
de seales, los circuitos lgicos digitales y de memoria.
Su principio de funcionamiento se basa en el uso de
tensin en dos de sus terminales para controlar la
corriente en la tercera.

I. MARCO TEORICO
1.

Palabras claves Transistor de unin bipolar

(BJT), emisor, base, colector, transistor npn,
transistor pnp, modo corte, modo activo, modo
activo inverso, modo saturacin.

INTRODUCCIN

L transistor de unin bipolar o BJT es un

dispositivo semiconductor que consta de tres
zonas distintas determinadas por dos uniones pn,
una de ellas la unin emisor-base o tambin
conocida como EBJ (Emitter-Base junction) y la
otra de ellas dada por la unin colector-base o
tambin conocida como CBJ (Collector-Base
Junction) y cada regin con su correspondiente
terminal. Su nombre de transistor bipolar se debe
a que el flujo de corriente es dada gracias al
desplazamiento de portadores de ambas
polaridades, es decir tanto de huecos como de
electrones. Su modo de operacin depende de la
polarizacin en cada una de las dos regiones que
lo conforman, EBJ y CBJ. El modo activo o activo
directo est dado por una polarizacin directa en
EBJ e inversa en CBJ. El modo activo inverso est
dado por una polarizacin inversa en EBJ y
directa en CBJ, por otra parte los modos de
operacin tanto de corte como de saturacin estn
dados por el mismo tipo de polarizacin en ambas
uniones, inverso para el modo corte y directo para
saturacin.

Emisor:
Una de las regiones que conforma el
transistor de unin bipolar es el emisor
que a diferencia de las otras dos regiones
tiene un dopaje superior, es decir consta
de mayor cantidad de impurezas que por
lo general son metales y a mayor
cantidad de dopaje mayor cantidad de
portadores podr aportar a la base. Su
funcin como el nombre lo indica es
emitir portadores de carga y es por eso su
representacin con una flecha en el
modelo del transistor indicando el
sentido de emisin, como se puede
observar en la figura 2.

Fig1. Estructura del dispositivo.

2.

Base:
Otra regin que conforma al transistor
BJT es la base, que se caracteriza por
estar ubicada en el centro de las regiones
y es encargada de recibir los portadores
mayoritarios emitidos por la base.
Huecos en el caso del transistor npn y
electrones en el caso de un transistor pnp.
A dems la base tiene un dopaje inferior
a la zona del emisor y consta de un
espesor muy inferior en relacin a las
otras dos regiones que ayuda a controlar
el paso de la corriente. Su representacin
en el modelo del transistor se puede ver
en las figuras 2 y 3 dependiendo del tipo

del transistor y su ubicacin en la

estructura del dispositivo en la figura 1.

Fig2. Modelo Transistor npn.

3.

Colector:
Al igual que la regin de base el colector
consta de un dopaje inferior al emisor y a
la base. Como su nombre lo indica es
encargada de recoger los portadores que
han sido capaces de atravesar la base
provenientes del emisor.

Fig3. Modelo Transistor pnp.

4. Transistor npn y pnp:

El transistor al contar con tres zonas
puede formar dos clases una de ellas se
presenta cuanto la base de tipo N est
rodeada por materiales tipo N, formando
as un transistor pnp. La otra posibilidad
est dada cuando la base es de tipo P y
est rodeada por regiones tipo n, dicho
transistor es llamado npn.
Cabe resaltar que en la actualidad son
ms ptimos los transistores bipolares
npn ya que los electrones presenta mayor
movilidad que los huecos en los
semiconductores permitiendo as mejores
corrientes y velocidades de operacin. Su
modelo representativo se puede detallar
en la figura nmero 2 y para su caso

opuesto es decir pnp en la figura nmero

3.
5. Modo corte
En la regin de corte se puede afirmar
que no existe un flujo de corriente a
travs de sus terminales. En este caso el
voltaje del circuito est presente en
colector-emisor y como no hay corriente
circulando no existir una cada de
tensin y el transistor se comporta como
un interruptor abierto. Este modo en el
transistor se presenta cuando existe una
polarizacin inversa tanto en la unin
EBJ como CBJ.

Fig4. Modo corte transistor BJT.

6. Modo activo.
El modo de operacin activo del
transistor es el normal de operacin, es
decir ya que la principal aplicacin del
transistor es amplificacin de seal, el
modo activo es la base de su
funcionamiento. En este modelo el
transistor presenta corrientes en cada una
de sus terminales y las tensiones
existentes en sus uniones establecen las
condiciones de polarizacin para
asegurar el modo activo, en donde el
voltaje base-emisor provoca que la base
de tipo p tenga mayor potencial que el
emisor tipo n y presentado en dicha
unin una polarizacin directa. Por otra
parte el voltaje colector base origina que
el colector de tipo n presen mayor
potencial que la base de tipo p, de modo
que la unin colector base tiene una
polarizacin inversa. En este modo el
transistor presenta los siguientes modelos
matemticos.

En donde
es el voltaje trmico dado
por la expresin
y con un valor
aproximado de 25mV a temperatura
ambiente,
es denominada la ganancia
de corriente de la base comn y
es
llamada la ganancia de corriente del
emisor comn.

Fig5. Modo saturacin transistor BJT.

II. PROCEDIMIENTO Y ANLISIS DE

RESULTADOS
La prctica de caracterizacin se dividi en dos
partes, la primera en relacin con curvas
caractersticas en el transistor y la segunda
algunos circuitos de polarizacin en los cuales se
realizan anlisis en corriente directa del
funcionamiento del transistor.

Fig4. Modo activo transistor BJT.

7. Modo Activo Inverso

El modo o zona activa inversa tiene muy
pocas aplicaciones y muy limitadas, es
por eso que su importancia radica en su
estudio conceptual. Dicha zona se
presenta cuando se presenta una
polarizacin inversa en la unin EBJ y
una directa en la unin CBJ.
8. Modo saturacin.
En el desarrollo prctico se ha
encontrado que al reducir la tensin de
colector-base aproximadamente por
debajo de 400mV, el transistor de unin
bipolar BJT entrara en el modo de
operacin de saturacin. En esta zona a
diferencia de la zona activa el voltaje
colector-base presenta gran influencia en
la corriente de colector , ya que a
mayor tensin menor corriente. Su
operacin se puede representar mediante
la siguiente expresin matemtica:

En esta expresin ambos miembros de

lado derecho son el resultado de la
polarizacin directa en las uniones, EBJ
y CBJ respectivamente, de donde
podemos observar que a medida que la
tensin en la unin CBJ aumenta el
segundo trmino aumentara haciendo
tender la corriente del colector a 0A.

Para la primera parte tenemos la curva

caracterstica de relacin entre la corriente de
colector contra el voltaje de colector emisor. Para
esta seccin se hace uso del siguiente circuito.

Fig6. Circuito implementado para anlisis Ic VS Vce.

Para este circuito se pide implementar una seal

de entrada de tipo sinusoidal con un offset de 1v.
La amplitud de esta seal se puede considerar
observando el data sheet del dispositivo, en el cual
vemos que un valor tpico de voltaje en baseemisor es de alrededor de 0.7v. Para fines
ilustrativos usamos un voltaje de 1v pico, dado
que de esta forma es posible observar la regin de
saturacin en la curva caracterstica.
En principio se pide variar el voltaje de Offset
para que la salida vare entre 0 y 10v. Sin embargo
se nota experimental que el voltaje Offset de 1V
permite que el voltaje de salida vare entre estos
valores bajo accin de la fuente DC.
A continuacin presentamos las curvas.

Fig 7. Curva caracterstica experimental

Fig 9. Circuito para anlisis Ic VS Vbe

Fig 8. Curva caracterstica simulada.

El comportamiento de las curvas es bastante

similar, en ambas podemos localizar los
segmentos en que la relacin es constante como
las zonas de operacin de corte y saturacin, Y la
parte recta con una determinada la zona de
operacin activa que es la zona de la que se hace
uso en las aplicaciones de amplificacin.
La presentacin de estas dos graficas difiere en el
sentido de las zonas de operacin ya que en
osciloscopio se puede ver que pasa de saturacin a
activa y posteriormente a corte, esto puede
deberse a una polarizacin invertida en algn
elemento del circuito, sea la fuente o sea los
aparatos de medicin. Con las zonas de operacin
definidas es posible determinar entonces el
comportamiento de la corriente respecto al voltaje
de control Vbe que es la curva caracterstica del
transistor y que permite visualizar el concepto por
el cual es posible ver la ventaja que tiene el
transistor como dispositivo modulador de
corriente.

Para este circuito previamente se pide que Vb

tenga un valor mximo determinado, este se da
cuando el potencimetro est ubicado en 0,
entonces
por
clculos
en
polarizacin
encontramos que Vb debe tener un valor menor a
2.66v, lo que coincide a los valores de operacin
dados en la hoja de especificaciones. A
continuacin se procede por medio del
osciloscopio a graficar el voltaje de colector y el
voltaje de emisor para visualizar la curva
caracterstica. Estos son los resultados.

Fig 10. Curva caracterstica experimental

Para la siguiente parte de la prctica se utiliza el

circuito presentado a continuacin.

Fig 11. Curva caracterstica simulada

Se puede observar que el comportamiento es

bastante similar al esperado, adems de tener
similitud bastante marcada con los mosfet en las
curvas caractersticas. De igual forma es posible
en estas curvas denotar las regiones de operacin
del transistor, donde la zona de recta con
pendiente encontramos la zona de saturacin y en
la zona de corriente constante encontramos la
zona de operacin activa.
Cuando hacemos uso del potencimetro para
realizar la variacin de voltaje en base-emisor
tenemos las diferentes curvas de corriente que
ofrece el dispositivo, y de igual forma comprobar
que ciertas aproximaciones que se usan en estos
dispositivos se encuentran bien sustentadas en la
prctica.
Por ltimo en la seccin final de la prctica
tenemos el anlisis en polarizacin de varios
circuitos a los cuales, con valores previamente
diseados, se deben corroborar valores de voltajes
de nodo en el BJT, y tambin como parte de un
ejercicio bastante interesante se analiza bajo
condiciones de temperatura diferentes como
cambian estos valores, esto mediante el uso de un
cautn ubicado cerca al dispositivo. A
continuacin presentamos los circuitos y el
anlisis de polarizacin y temperatura.

Fig 13. Diseo 2 de polarizacin.

Para esta configuracin

siguientes valores.

se

obtuvieron

los

Param.(v)

Calc.

Sim.

Med.

A tempert.

VRc
VRb
VRe

5
3
2

5.137
3.305
2.61

5.15
3.46
2.58

5.073
3.335
2.46

Tabla 2. Valores del diseo 2.

Fig 14. Diseo 3 de polarizacin.

Fig 12. Diseo 1 de polarizacin

Para esta configuracin

siguientes valores.

se

obtuvieron

Param.(v)

Calc.

Sim.

Med.

A tempert.

VRc
VRb
VRe

4
9
0

4.11
9.17
0

3.631
9.25
0

3.480
9.13
0

Tabla 1. Valores del diseo 1.

los

Para esta configuracin

siguientes valores.

se

obtuvieron

los

Param.(v)

Calc.

Sim.

Med.

A tempert.

VRc
VRb
VRe

5
100m
-0.8

5.023
0.1
-0.815

5.103
0.112
-0.81

5.053
0.098
-0.82

Tabla 3. Valores del diseo 3.

En las tablas presentadas se recopilan los datos

tomados en los circuitos de polarizacin, de los
cuales vemos que funcionan muy bien dadas las
condiciones de diseo, adems presentan un
fenmeno bastante interesante que depende
netamente de la temperatura y que se hace
evidente en cambios pequeos de temperatura.

Algunos datos difieren por las aproximaciones en

los valores de resistencias

Respuestas a respuestas sugeridas

Qu comportamiento se observa en Vo
en comparacin a la entrada sinusoidal
VS?
RTA:
De la misma manera en que la entrada del
circuito es una seal de tipo alterno, la salida
constituye una proporcin dada de esta seal,
aunque dependiendo del circuito puede que
los picos de la seal de salida se vean
cortados por accin del transistor y sus
caractersticas. Esto quiere decir que el
transistor sale de zona de operacin y no tiene
la capacidad de amplificar esos rangos de
voltaje. Sin embargo es claro que Vo tiene
componente AC relacionado con la seal de
entrada.

Para cual valor mnimo de VBE el

transistor cambia su estado a encendido?
RTA:
La aproximacin que se hace en general en la
literatura y muchas veces en los diseos es
decir que empieza a conducir alrededor de los
0.7V. Esto viene dado por que la unin NP
tiene el comportamiento del diodo
semiconductor, para el cual existen modelos
en los cuales se asocia una cada de este
voltaje entre terminales, todo con el fin de
facilitar anlisis. Experimentalmente es fcil
observar en las curvas que alrededor de este
valor las graficas de corriente-tensin se
encuentran en modo activo.

RTA:
La diferencia radica en la precisin en el
trazo, por puntos se pierde bastante
informacin de la curva mientras que en lo
visto en el osciloscopio se puede ver por
ejemplo de manera ms clara cul es el punto
de conduccin en el transistor. Sin embargo
por ambos mtodos se encuentra la forma
general de este comportamiento. Como
anotacin tambin se tiene el error en el
sentido de la grfica por efectos de polaridad
en los elementos.

Qu puede concluir acerca del del

transistor?

RTA:
Beta es un parmetro muy importante que fija
condiciones en las corrientes del circuito con
BJT para el punto de polarizacin en corriente
directa sin embargo pese a que tiene un alta
dependencia de la temperatura es posible que
para ciertos diseos no sea tan recomendable
trabajar con circuitos transistorizados con
BJT que se expongan a temperaturas lmite.
III. CONCLUSIONES

Es importante resaltar que en el circuito

en que se toma la relacin entre el voltaje
de colector contra el voltaje de emisor
para ver la curva caracterstica del
transistor, Vc no es realmente lo que se
est mostrando en el osciloscopio, sin
embargo para efectos prcticos funciona
igual dado que circula la misma corriente
que es en ltimas lo que necesitamos
comparar.

Hasta ahora se puede identificar una clara

ventaja que tienen los dispositivos BJT
sobre los MOSFET, y esta es que
presentan una ms alta resistencia a los
fenmenos electrostticos, lo que hace
que aumente su tiempo de vida til y que
no haya tantas restricciones respecto de
su uso y de los cuidados a la hora de
manipularlo..

Qu regiones de operacin puede

identificar en los grficos?

RTA:
En ambos grficos es posible ver las 3
regiones de operacin caracterstica de los
transistores BJT, de algn modo se hace ms
grafico observar esto en la primera grfica,
pues se encuentra bastante claro que la zona
de operacin activa es la que consiste de
mayor riqueza de operacin Sin embargo para
aplicaciones de tipo digital las regiones corte
y saturacin entran a jugar un papel bastante
importante.

Qu diferencia puede encontrar entre la

grafica de VO vs VBE mostrada en el
osciloscopio y la grafica obtenida a partir
de los puntos?

El efecto trmico que se ve en el

transistor es un ultimas el mismo que se
puede apreciar en los diodo, dado que
como se sabe las uniones np tienen una
fuerte dependencia del calor. Tal y como
se mencion para los diodos los
transistores tambin cambian su voltaje
alrededor de 10mV/C. Lo que puede
llegar a ser un problema en muchas
circunstancias.

Al ser Beta un parmetro que depende

fuertemente de la temperatura, esto se
convierte en un punto dbil para el
diseo de circuitos analgicos que deben
operar bajo cualquier condicin trinca.
Esto hace que se piense en realizar
diseos en los que se dependa del
parmetro alfa ya que este puede llegar a
ser ms fcil de manejar para cambios
como los que se muestran en las hojas de
especificaciones.

Aunque ahora existe una conexin fsica

entre los terminales de los transistores y
no como en los MOSFET, resultan ser
dispositivos bastante parecidos, en tanto
que sus zonas de operacin como en las
variables que definen sus caractersticas
(para los transistores voltajes de base o
gate con respecto a corrientes de colector
o drain) son completamente anlogas.
Aunque se tengan ciertas ventajas de
unos sobre el otro puede pensarse que
tecnologas complementarias tendran
caractersticas muy especiales.

IV. BIBLIOGRAFIA

http://cvb.ehu.es/open_course_ware/cast
ellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema4-teoria.pdf.
Electrnica de potencia, circuitos
dispositivos y aplicaciones, tercera
edicin. Muhammad H. Rashid.
http://iesvillalbahervastecnologia.files.w
ordpress.com/2008/04/transistores.pdf.
http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Gui
as/tema5.pdf.