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    Electrónica Transistores

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    Roberto Luis Mejía
    Los transistores IGBT, BJT, FET y MOSFET comparten similitudes como su circuito de excitación, características de conducción y alta impedancia de entrada. Sin embargo, también tienen diferencias importantes como su mecanismo de control, tiempo de conmutación, área de funcionamiento, sensibilidad a la radiación y estructura del dispositivo. En general, cada transistor es más adecuado para diferentes aplicaciones dependiendo de factores como el manejo de potencia, linealidad, ruido, estabilidad de temperatura y costo.

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    Los transistores IGBT, BJT, FET y MOSFET comparten similitudes como su circuito de excitación, características de conducción y alta impedancia de entrada. Sin embargo, también tienen diferencias importantes como su mecanismo de control, tiempo de conmutación, área de funcionamiento, sensibilidad a la radiación y estructura del dispositivo. En general, cada transistor es más adecuado para diferentes aplicaciones dependiendo de factores como el manejo de potencia, linealidad, ruido, estabilidad de temperatura y costo.

    Descripción original:

    semejanzas y diferencias

    Título original

    electrónica-transistores

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    Los transistores IGBT, BJT, FET y MOSFET comparten similitudes como su circuito de excitación, características de conducción y alta impedancia de entrada. Sin embargo, también tienen diferencias importantes como su mecanismo de control, tiempo de conmutación, área de funcionamiento, sensibilidad a la radiación y estructura del dispositivo. En general, cada transistor es más adecuado para diferentes aplicaciones dependiendo de factores como el manejo de potencia, linealidad, ruido, estabilidad de temperatura y costo.

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    INGENIERA MECNICA

    ELECTRNICA ANALGICA Y DIGITAL

    NOMBRE: Roberto Meja


    FECHA: 17-04-2017

    TRANSISTORES

    SEMEJANZAS

    IGBT BJT FET MOSFET


    Circuito de Bajas prdidas en Dispositivos Dispositivos
    excitacin es como conmutacin como controlados por controlados por
    el del transistor los IGBT. tensin con una tensin con una
    MOSFET. alta impedancia de alta impedancia de
    entrada. entrada.
    Caractersticas de La puerta es el Caractersticas
    conduccin son terminal elctricas similares
    como las del equivalente a la a los FET.
    transistor FET. base del transistor
    BJT.
    Impedancia de Se utiliza en Se utiliza en
    entrada elevada circuitos digitales y circuitos digitales y
    como en los analgicos. analgicos.
    MOSFET.
    Bajas prdidas en Caractersticas
    conmutacin como elctricas similares
    los BJT. a los MOSFET.
    DIFERENCIAS

    Control por tensin Presentan mayor Generan menor Los MOSFET no


    ms lento que el linealidad que los ruido que los BJT. tienen el problema
    MOSFET. FET. de segunda ruptura
    como los BJT.
    Dispositivo para la Es ms barato que Mayor estabilidad Mayor rea de
    conmutacin en el FET y el de temperatura que funcionamiento
    sistemas de alta MOSFET. los BJT. que los BJT.
    tensin.
    Maneja ms Baja ganancia de Los FET de Alta impedancia de
    potencia que los corriente con potencia pueden entrada con
    MOSFET. respecto al disipar una respecto al BJT.
    transistor FET. potencia mayor que
    los BJT.
    Estructura de Alta ganancia de No son tan Estructura de
    dispositivo voltaje con sensibles a la dispositivo
    compleja respecto al FET. radiacin como los compleja
    comparada con BJT. comparada con
    BJT. BJT y/o IGBT.
    Dispositivo Dispositivo Dispositivo Resistencia
    accionado por controlado por controlado por controlada por
    control de puerta. corriente. voltaje. tensin.
    Conmutacin en Tiempo de Tiempo de Tiempo de
    sistemas de alta conmutacin conmutacin alta. conmutacin muy
    tensin. media. alta
    (nanosegundos).
    Mejores en manejo Son El control de un
    de potencia que los unidireccionales, MOSFET es muy
    BJT. en cambio los econmico
    MOSFET son en comparado con un
    ambos sentidos. BJT.

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