Scribd Logo
Cargar

¡Te damos la bienvenida a Scribd!

  • 149 vistas

    Guia Ejercicios Parte 3. Transistores BJT Universidad de Carabobo-Venezuela

    Cargado por

    Maguiña Polanco Eric
    Este documento presenta 13 ejercicios de circuitos con transistores BJT. Los ejercicios cubren temas como determinar puntos de operación de transistores, parámetros de modelos híbridos π, gráficos de rectas de carga, y análisis transitorio de circuitos con señales de entrada cuadradas. Los ejercicios involucran el análisis de múltiples circuitos con 2 o más transistores BJT cada uno.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    Guia Ejercicios Parte 3. Transistores BJT Universidad de Carabobo-Venezuela

    Cargado por

    Maguiña Polanco Eric
    149 vistas9 páginas
    Este documento presenta 13 ejercicios de circuitos con transistores BJT. Los ejercicios cubren temas como determinar puntos de operación de transistores, parámetros de modelos híbridos π, gráficos de rectas de carga, y análisis transitorio de circuitos con señales de entrada cuadradas. Los ejercicios involucran el análisis de múltiples circuitos con 2 o más transistores BJT cada uno.

    Descripción original:

    Guia Ejercicios Parte 3. Transistores BJT

    Derechos de autor

    © © All Rights Reserved

    Formatos disponibles

    PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    ¿Le pareció útil este documento?

    ¿Este contenido es inapropiado?

    Este documento presenta 13 ejercicios de circuitos con transistores BJT. Los ejercicios cubren temas como determinar puntos de operación de transistores, parámetros de modelos híbridos π, gráficos de rectas de carga, y análisis transitorio de circuitos con señales de entrada cuadradas. Los ejercicios involucran el análisis de múltiples circuitos con 2 o más transistores BJT cada uno.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como pdf o txt
    149 vistas9 páginas

    Guia Ejercicios Parte 3. Transistores BJT Universidad de Carabobo-Venezuela

    Cargado por

    Maguiña Polanco Eric
    Este documento presenta 13 ejercicios de circuitos con transistores BJT. Los ejercicios cubren temas como determinar puntos de operación de transistores, parámetros de modelos híbridos π, gráficos de rectas de carga, y análisis transitorio de circuitos con señales de entrada cuadradas. Los ejercicios involucran el análisis de múltiples circuitos con 2 o más transistores BJT cada uno.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como pdf o txt
    de 9

    UniversidaddeCarabobo

    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    Gua de Ejercicios

    Parte III. Transistores BJT

    1. Para el circuito que se presenta a continuacin, todos los transistores son


    exactamente iguales, Q1=Q2=Q3=Q4 y poseen una ganancia de corriente =200.
    Determinar:
    a. Punto de operacin de Q3.
    b. Punto de operacin de Q4.


    2. Para el circuito de la figura, ambos transistores poseen una ganancia de corriente
    =200, se encuentran a temperatura ambiente T=300K y su voltaje de Early es
    VA=200V. Determinar:
    a. Parmetros del modelo hbrido del transistor Q1.
    b. Parmetros del modelo hbrido del transistor Q2.
    c. Dibujar el circuito resultante de la introduccin de ambos modelos hbridos.
    UniversidaddeCarabobo
    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    3. En el circuito de la figura, la tensin de alimentacin Vcc=15V, todos los


    transistores poseen una ganancia de corriente =300. Determinar:
    a. Punto de operacin de Q1.
    b. Punto de operacin de Q2.
    c. Punto de operacin de Q3.
    UniversidaddeCarabobo
    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    4. En el circuito de la figura, ambos dispositivos poseen una ganancia de corriente


    =200. Determinar:
    a. Punto de operacin de Q1.
    b. Punto de operacin de Q2.
    c. Grfico de la recta de carga DC de Q1, indicando los valores de inters en el
    mismo.

    5. En el circuito de la figura, el transistor posee una ganancia de corriente =200.


    Determinar:
    d. Punto de operacin de Q1.
    e. Tensin en Re.
    UniversidaddeCarabobo
    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    6. Para el circuito de la figura, Q1=Q2 y poseen una ganancia de corriente =200.


    Determinar:
    a. Punto de operacin de Q1.
    b. Punto de operacin de Q2.

    7. Para el circuito de la figura, Q1=Q2 y poseen una ganancia de corriente =200.


    Determinar:
    a. Punto de operacin de Q1.
    b. Punto de operacin de Q2.
    UniversidaddeCarabobo
    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    8. Para el circuito de la siguiente figura, ambos transistores poseen una ganancia de


    corriente =150. Determinar:
    a. El punto de operacin de Q1, mencionando en que estado se encuentra.
    b. El punto de operacin de Q2, mencionando en que estado se encuentra.
    c. El mximo voltaje colector-emisor del transistor Q1 que puede estar presente
    en el circuito.
    UniversidaddeCarabobo
    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    9. Para el circuito de la figura la ganancia de corriente del transistor es de =100.


    Determinar:
    a. El punto de operacin de Q1, mencionando en que estado se encuentra.
    b. El punto de operacin de Q2, mencionando en que estado se encuentra.

    10. Para el circuito de la figura considerar que ambos transistores poseen una ganancia
    de corriente =150 y que la cada de tensin en sus uniones base-emisor es 0,7V
    cuando stas se encuentren polarizadas en directo. Determinar el punto de operacin
    de ambos transistores.
    UniversidaddeCarabobo
    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    11. Para el circuito de la figura considerar que todos los transistores poseen una
    ganancia de corriente =150 y que la cada de tensin en sus uniones emisor-base es
    0,7V cuando stas se encuentren polarizadas en directo. Determinar el punto de
    operacin del transistor Q3.
    UniversidaddeCarabobo
    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    12. Para el circuito de la _gura el transistor posee una ganancia de corriente =100, la
    tensin de alimentacin V2=10V, las resistencias son R1=2K y R2=1K. La seal de
    entrada V1 es una onda cuadrada que vara entre 0-5V, posee un perodo de 2ms y
    un ciclo til de 50%. Considerar la cada de tensin entre las uniones colector-
    emisor VCE=0V cuando el dispositivo se encuentre en saturacin. Graficar la cada
    de tensin en el diodo D1 durante tres ciclos de la seal de entrada V1.
    UniversidaddeCarabobo
    FacultaddeIngeniera
    DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
    ElectrnicaI
    Prof.CsarMartnezReinoso

    13. Para el circuito de la figura, ambos transistores poseen una ganancia de corriente
    =200. Determinar:
    a. El punto de operacin de Q1.
    b. El punto de operacin de Q2.
    c. Grfico de la recta de carga en DC correspondiente a Q1, indicando los
    lmites mximos de corriente de colector y tensin colector-emisor que
    pueden estar presentes en el circuito.

    También podría gustarte