Enciclopedia Del Tecnico en Electronica, Componentes Electronicos - Francisco Ruiz Vassallo

www.elsolucionario.
org
co PONENTES
"
ELECTRONICOS
Para audio e imagen
J Francisco Ruiz Vassallo 1--______. '
~~~~~~~~ceac ediciones

~
,.,..~1 > 1
,

!f
COMPONENTES ELECTRNICOS
Para audio e imagen
'
En este libro se estudian todos aquellos

componentes electrnicos que son comunes a
cualquier aparato de consumo. Cada uno de los
.
componentes se estudia de manera monogrfica,
tanto desde el punto de vista de su diseo y
fabricacin como desde el de sus caractersticas
tcnicas, las cuales se desarrollan con gran
detenimiento, con el fin de que el lector pueda
interpretar correctamente los datos y curvas
dados por los fabricantes.
Merecen especial atencin las referencias
a los pequeos componentes de montaje
superficial (SMD), tan empleados en los modernos
aparatos electrnicos compactos.
'
ediciones
ceac

. ~ . .
E ti . (d
iSi
: . 1
'-'-~
~
~"""\
.:-. n ,
.
.~; ~J~~'""
. ..l'.'~
r~
~
' '
. a
Tcnico en electrnica
1
NENTE
,
ELECTRONICOS
Para audio e imagen
1 Francisco R-uz Vassallo 1
ediciones
cea e
-
www.elsolucionario.org
Aunque Se han tomado rodas las precauciones uecesaries parn asegun\r lu exactitud d~ tas informaerones proporclonadns c:11 este lbro, 11i el autor 111 el
edltor pccdcn ser oonoderados ri!:ff'('osohle~ dr lfl41 conseeuencras, denv11d&s Je infoan.i,c1one~ Jnoarrei.:t.l!\ o mal presentadas, {LSi come unnpoco de onu
SsC!ne' o crro<c.< que <e huberan poduJo prodlk;n en l rtal1Z<1Cin de ate hbro.
No se permite la reproducein 1utol o llarcit1I ~ e.it1eJibro. nl ~I reg.1slrl,) en un sistemn infor1titico, ni la tran.n11~H~n bajo cu.1lquier forn1n o a travs le
i:uaJquiei medio. )'ll Ka cleccrnii:o. rntcni.co. pc..r f01ooopi1, por Snlba~in o por OIJ'Os. ~lodo5, ~in el permiso previo y p:t escrito de J(}S lltlares. del
ropyrlght
Diseo de cubierta: Singular S.L.

Maquetacin y diseo: RBA Realizaciones S.A.
Ilustraciones: Luis Bogajo y Santiago Boix
Francisco Ruiz Vassallo

Grupo Editorial Ceac, S.A., 2000
Para la presente versin y edicin en lengua castellana
Ediciones Ceac es marca registrada por Grupo Editorial Ceac, S.A.
Grupo Editorial Ceac, S.A. Pcn1. l64 - 08020 Barcelona

Internet: hltp://www.ceacedilcom
Contenido
1 Conductores y circuitos impresos 7
2 Conectores 31
3 Resistencias 45
4 Resistencias ajustables y potencimetros 67
5 Condensadores 81
6 Bobinas y ferritas 115
7 Transformadores y autotransformadores 135
8 Resistencias no lineales 159
9 Diodos rectificadores 191
1O Diodos Zener 213
11 Diodos varicap y conmutadores de banda 225

12 Diodos emisores de luz 235
13 Transistores bipolares 249
14 Transistores unipolares 287

15 Circuitos integrados 313
16 Radiadores de calor 349
17 Cristales y cermicas piezoelctricas 365
18 Displays de cristal lquido 379

Abreviaturas 393
Indice 395
5
Conductores y circuitos
impresos
INTRODUCCIN
La conexin elctrica entre los componentes de un circuito electrnico se realiza mediante hilos y
cables de cobre, o mediante circuitos impresos.
Los circuitos irnpresos son lminas de material aislante, ms o menos rgidas, sobre las que se
disponen unas tiras de cobre -en una o en ambas caras- por las que circulan las seales elctri-
cas de unos componentes a otros.
El hecho de utilizar como elemento preferente de interconexin el circuito impreso no quiere de-
cir que no se utilicen hilos y cables conductores, empleados sobre todo para. la interconexin entre
placas de circuitos impresos y entre stas y otros componentes externos tales como, por ejemplo,
interruptores, altavoces, antenas, etc.
CLASIFICACIN DE LOS CONDUCTORES
En una primera clasificacin se pueden dividir los conductores en dos grandes Qrupos:
conductores para bajas frecuencias

conductores para a/tas frecuencias
Para las corrientes de baja frecuencia se utilizan hilos y cables conductores, aislados o no, as como
circuitos impresos. Para las lneas transmisoras de radiofrecuencia se emplean cables. especiales,
como, por ejemplo, los cables coaxiales, y los circuitos impresos.
Veamos las caractersticas tcnicas que deben presentar todos estos elernentos de intercone-
xin, empezando el estudio por los hilos y cables.
HILOS Y CABLES CONDUCTORES
Se denomina conductor todo material que permita el paso continuo de una corriente elctrica cuan-
do es sometido a una diferencia de potencial elctrico.
Todos los materiales en estado slido y lquido tienen propiedades conductoras. pero ciertos ma-
teriales son relativamente rneiores conductores que otros, y algunos estn casi totalmente despro-
vistos de esta propiedad. Por ejemplo, los metales son los mejores conductores, mientras que los
xidos y sales metlicas, minerales, materias fibrosas, etc., tienen conductividad relativamente baja
que, no obstante, queda afectada favorablemente por la absorcin de la humedad.
Aunque todos los metales son buenos conductores de la electricidad, la comparacin entre unos
y otros demuestra que la plata, el cobre y el aluminio, son los que presentan rnenor resistividad, por
lo que son los ms idneos para la fabricacin de hilos y cables para la conduccin de la corriente
elctrica. En la prctica, y salvo casos muy especiales, la plata, a pesar de ser el mejor conductor,
queda descartada por su elevado precio, por lo que la fabricacin de conductores queda limitada
a la utilizacin del cobre y el aluminio.
7
Comparando el cobre con el aluminio el primero resulta ser mejor conductor, pero su precio es
ms elevado. Sin embargo, y debido a que la cantidad de cobre que se utiliza en un circuito elec-
trnico es pequea, apenas si se encarece por la utilizacin de este metal, proporcionando a cam-
bio unas mejores caractersticas, por lo que el cobre es el metal ms utilizado en la fabricacin de
todo tipo de conductores para circuitos electrnicos.
Los conductores utilizados en electrnica para interconectar componentes que trabajan en baja
frecuencia se fabrican en forrna de hilos o de cables de cobre.
Recibe el nombre de hflo conductor aqul que est formado por un nico conductor, cilndrico o
plano. de seccin muy pequea en comparacin con su longitud, con y sin aislamiento (figura 1.1 ),
y cuya principal caracterstica, desde el punto de vista mecnico, es la de presentar una cierta rigi-
dez, tanto mayor cuanto mayor sea su seccin.
a)
b)
1. 1 a) Hilo conductor desnudo.

b) Hflo conductor aislado.
c) Hflo conductor plano sobre
soporte flexible. e)
Este tipo de conductor no debe someterse a esfuerzos mecnicos de torsin ni dobladura,

pues se rompe con facilidad. Su principal aplicacin se encuentra en la realizacin de puentes en-
tre pistas de circuitos impresos, pues debido a su rigidez resulta fcil introducirlo por los orificios del
circuito impreso.
Otra aplicacin importante es la fabricacin de bobinas, tanto de alta como de baja frecuencia,
y la de transformadores de baja frecuencia.
Los cables estn formados por un nmero ms o menos elevado de hilos conductores trenza-
dos entre si (figura 1 .2), lo que proporciona una gran flexibilidad y una gran resistencia mecnica a
la rotura por torsin o dobladura.
1. 2 Forma constructiva
de un cable conductor.
Su principal aplicacin se encuentra en la conexin entre componentes y circuitos que, por su

especial disposicin, pueden modificar su posicin entre ellos. As, por ejemplo, todas las conexio-
nes entre componentes de un televisor, corno el tubo de rayos catdicos. altavoz, potencimetros,
etc. (que estn dispuestos de forma fija en el mueble) y los circuitos impresos a ellos conectados
(que se deslizan mediante guas para extraerlos del mueble en caso de reparacin) se realizan me-
diante cables.
Tambin est obligado por norma el uso de cables en la conexin de los aparatos a la red elc-
trica de alimentacin, ya que el continuo uso de stos por parte del usuario dara lugar a la rotura
del conductor si fuese un hilo rgido.
Dado que en electrnica el sistema de conexin es normalmente la soldadura. la mayor parte
de los conductores de cobre estn estaados, tanto si son hilos como cables, facilitndose con ello
la soldadura.
Como la mayor parte de los circuitos electrnicos se alimentan con tensiones y corrientes de
pequeo valor, la seccin de los conductores es muy reducida, aunque siempre conviene cono-
cer la intensidad de corriente que ha de circular por ellos para evitar calentamientos y averas
inesperadas.
8
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
En algunos casos, cuando no existe posibilidad alguna de contacto elctrico entre conductores,
o entre stos y otras partes del circuito -lo que dara lugar a cortoclrcuitos-, se emplean conduc-
tores desnudos, es decir, sin aislamiento elctrico. Por el contrario, cuando se sospecha un posi-
ble contacto elctrico es imprescindible utilizar conductores recubiertos con material aislante.
Tambin se utilizan conductores aislados en aquellos casos en los que, aun sin existir posibili-
dad de cortocircuitos, interese distinguir unos cables de otros mediante recubrimientos de distintos
colores.
Para el recuorirnlento de los conductores se emplean materiales aislantes muy 'diversos, depen-
diendo el tipo utilizado de la tensin elctrica, temperatura, humedad y otras condiciones ambienta-
les. Actualmente est generalizado el uso de lacas y materiales plsticos, tales como el cloruro de
polivinilo y el tef!n, en distintos grosores de recubrimiento En muchos casos se aade una cubier-
ta de fibra de vidrio o de nailon.
En la industria electrnica se emplean gran variedad de conductores aislados, por lo que resul-
ta prcticamente Imposible researlos todos. As, adems de una amplia gama de secciones, los
conductores (figura 1.3) pueden ser unifilares, biflares, trifilares, etc., puesto que en muchos casos
se precisan mltiples lneas de interconexin entre los circuitos.
m 'Zttm nm!l" ~
a) ._.:.wtS
e)
b) . " '
d)
1.3 a} Cable conductor aislado unifilar. b) Cable conductor aislado bifilar con cubierta. e) Cable conductor
aislado trifilar con cubierta. d} Cable conductor aislado mu/titilar con cubierta.
Otra particularidad de los conductores aislados utilizados en electrnica es el color de su aisla-

miento, el cual adopta diferentes colores con el fin de facilitar el montaje y seguimiento de los cir-
cuitos. Este sistema de identificacin, mediante colores, es esencial en las mangueras de conduc-
tores, pues elimina la necesidad de marcar los extremos de cada uno de ellos.
El grupo de conductores de la figur? 1.4 recibe el nombre de conductor pleno.
1.4 Conductor plano formado

por cables aislados
Individualmente con PVC,
y codificados por colores.
Consiste en una serie de cables conductores aislados individualmente, dispuestos en un mismo

plano (uno al lado de otro) y recubiertos en su conjunto por un plstico transparente que losman-
tiene unidos y permite, al mismo tiempo, distinguir el color de cada uno. Estos conductores susti-
9
tuyen a las mangueras formadas por varios conductores sueltos, que deben mantenerse unidos me-
diante cintas aislantes u otros elementos de sujecin.
El plstico transparente que recubre los conductores posee escasa resistencia mecnica, por lo
que resulta fcil separar los conductores cuando el nmero que se precise de ellos sea inferior al
nmero de conductores que contiene el conductor plano, o cuando se deba efectuar la desviacion
de uno de ellos en el curso de la trayectoria del conjunto.
Estos conductores resultan idneos cuando deben interconectarse dos circuitos electrnicos
mediante conexiones enchufables, como ocurre, por ejemplo, entre dos mdulos de un televisor.
Cada uno de los cables que forman el conductor plano est formado por varios hilos trenzados de
pequea seccin; por ejemplo, siete hilos de 0,2 mm de dimetro.
Aunque la primera impresin es que los conductores de este tipo no soportarn intensidades o
tensiones altas, se puede afirmar que conductores planos como los de la figura 1.4 son capaces
de soportar 250 V de tensin alterna entre cables adyacentes, y dejar pasar corrientes elctricas de
hasta 1,4 A a una temperatura ambiente de 70 C.
Se fabrican en versiones de 10 y 20 vas (cables). Los colores utilizados para identiticar cada
uno de los cables siguen la misma norma del cdigo de identificacin de resistencias y condensa-
dores, tal y como se comprueba en la tabla 1.1.
cable
,. m.... 0 ~ co4or , . cablen. '
;. G<'j[Or ,~t: <tb1e p. *~1
L 1?'r . -~.ble n,0 c~lor J;
1 marrn 6 azul 11 marrn . 16 azul
2 rojo 7 violeta 12 rojo 17 violeta
. nararua 18 gris
3 naranja 8 gns 13
Tabla 1. 1 Cdigo 4 amarillo 9 blanco 14 amarillo 19 blanco

de colores para ta
identificacin de 5 verde 10 negro 15 verde 20 negro
cables planos.
Un dato que debe tenerse presente cuando se utilizan cables planos es la capacidad que se for-
ma entre ncleos adyacentes, ya que dos conductores elctricos separados por un aislante forman
una capacidad parsita que puede afectar al buen funcionamiento del circuito, sobre todo si se tra-
baja con seales de radiofrecuencia. En et caso de los cables de la figura 1.4 la capacidad entre
conductores adyacentes es de 50 pF por metro de longitud del cable.
El cable plano de la figura 1 .4 no es adecuado para ser utilizado en un sistema de conectores de cin-
ta. Para eso se fabrican cables planos de tipo IOC, codficados o no por colores, como el de la figura 1 .5.
1.5 Cable plano /OC.
El cable plano de la figura 1.5 presenta grandes ventajas en lo que respecta a la reduccin de
espacio y peso, y se utilizan en ordenadores y equipos de audio o digitales. Est formado por con-
ductores de hilo de cobre estaado trenzado, colocados en paralelo y laminados entre capas de
PVC (policloruro de vinilo) gris para formar el cable plano.
El paso entre conductores est normalizado en 1,27 rnm y la capacidad parsita entre ellos es
de unos 50 pF por metro de longitud. Soportan tensiones continuas entre cables adyacentes de
300 V y la corriente nominal que puede soportar cada uno de los cables es de 1 A.
10
Todos los concuctores citados son idneos para la circulacin de corriente continua o alterna
de baja frecuencia, pero si la seal a transportar es de alta frecuencia se produce una radiacin de
energa electromagntica que puede afectar a otros componentes y circuitos prximos (e incluso
alejados, si la energa transportada es levada), es decir, el aislamiento plstico no evita la radiacin
ni la captacin de seales de radiofrecuencia por parte del cable.
1.6 Cables apantallados para el transporte de seales de radiofrecuencia.
Para evitar esto, en las etapas de radiofrecuencia se utilizan cables apantallados, como los de
la figura 1.6. Estos cables son Idnticos a los anteriores, pero se les aade en fbrica una malla
de cobre flexible tejida sobre el aislante, que hace de pantalla para las seales de alta frecuencia.
La malla de cobr se recubre, en ocasiones, con una cubierta protectora aislante. El blindaje debe
conectarse siempre a masa del circuito para que sea eficaz.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS CONDUCTORES
Las caractersticas tcnicas de los conductores definen sus propiedades elctricas, mecnicas y fi-
scoqumlcas.
Dado que en electrnica los conductores no estn sometidos a elevados esfuerzos mecnicos
ni a agentes qumicos, slo estudiaremos laspropiedades elctricas, tanto del material conductor
como del aislante que lo recubre, aadiendo para este ltimo sus propiedades qumicas.
En lo que respecta al material conductor, las caractersticas elctricas principales son:
Resistencia elctrica.
Resistividad elctrica.
Conductividad elctrica.
Densidad de corriente.
Resistencia al paso de corrientes de alta frecuencia:
Respecto al aislamiento, las caractersticas tcnicas que debernos considerar son las siguientes:
Resistencia de aislamiento.
Rigidez dielctrica .
Constante dielctrica.
lnflamabilidad.
Temperatura de seguridad.
Resistencia af ozono.
Resistencia a la luz solar.
Resistencia elctrica
Por bueno que sea un material conductor siempre ofrece una cierta oposicin al paso de la corrien-
te elctrica, que debe tenerse presente en algunas aplicaciones.
Para un material conductor la resistencia u oposicin al paso de la corriente elctrica (R} es, en
general, independiente de la tensin a l aplicada(\.!) y de la corriente que por l circula (J); es, en rea-
lidad, un parmetro que depende de la naturaleza y dimensiones del material.
1 1
En conductores de seccin uniforme la resistencia es directarnente proporcional a la longitud (~

e inversamente proporcional a la seccin (S):
/
R=p
S
Siendo p un coeficiente de proporcionalidad distinto para cada material conductor, denominado re

sistividad.
Resistividad elctrica
La resistividad elctrica, o resistencia especfica, es la medida de la resistencia elctrica de una cantidad
de material dado, que permite su comparacin con la de otro material con las mismas dimensiones.
La frmula para el clculo de la resistividad es:
RS
p=-
1
Si R se mide en ohmios, S en milmetros cuadrados y I en metros, la resistividad queda expresada

en ohmios por milmetro cuadrado y metro, es decir:
Qxmm2
p=
m
Como en electrnica slo se utiliza el cobre en la fabricacin de hilos y cables, el nico valor de re-
sistividad que interesa es el de este material, cuyos valores ms corrientes se indican en la tabla 1.2:
Puro 0,0167
Recocido 0,0172
Duro 0,0176
Tabla 1.2 Resistividad a 20 C de Duro telefnico 0,0246

cobres utilizadosen electrnica.
Conductividad elctrica
La conductividad elctrica es la inversa de la resistividad, definida en el pargrafo anterior, y est
expresada por:
1 I
y=-=--
p RS
La conductividad se expresa normalmente en siemens por metro y milmetro cuadrado de seccin,

es decir:
Sxm
"{=
mm2
Siendo el siemens (8) la inversa de la unidad de resistencia elctrica {Q).

12

Densidad de corriente
Recibe fa denominacin de densidad qe corriente elctrica (J) el cociente de la intensidad de co-
rriente que circula por el conductor por su seccin.
Si se utiliza, como es normal, la seccnexpresata en mm", la.densidad de corriente viene dada
en amperios por milmetro cuadrado de seccin (A/mm2).
La frmula para el clculo de la densidad de corriente es:
I
J=
s
As, una densidad de corriente de 2 Nmm2 significa que por el conductor circulan 2 A por cada mi-
lmetro cuadrado que posea su seccin.
Los conductores elctricos presentan un lmite de densidad de corriente que no debe ser sobrepa-
sado con .el fin de evitar sobrecalentamientos excesivos y cadas de tensin anormales. Como orienta-
cin, diremos que la densidad de corriente mxima admitida por un hilo conductor est comprendi-
da entre 2 y 3 A por mm2 de seccin, lo que quiere decir que, considerando como valor medio el de
2,5 A/mm~. un conductor de 0, 159 n1rri2 de seccin slo admite una intensidad de corriente mXima de:
2,5 A O
I =J S = x,159 mm 2 = ,4A
1 mm 2
As, si se considera como lmite el de 2,5 A/mn12, y si por l conductor ha de circular una corriente
superior .a 400 mA, la seccin de O, 159 mm2 es insuficiente y deber tomarse otra mayor.
Resistencia en alta frecuencia

En electrnica es normal que se trabaje con corrientes elctricas de alta frecuencia, las cuales afec-
tan a los conductores (desde. el punto de vista de su resistencia) debido a que se producen fen-
menos de induccin electromaqntica en el interior del conductor, y cuyo efecto es una modifica-
cin de la distribucin de la corriente elctrica por su seccin.
Efectivamente, trabajando en alta frecuencia la densidad de corriente es mayor en la periferia ciel
conductor y va disminuyendo hacia el centro, donde puede llegar a ser prcticamente nula. Este fe-
nmeno se conoce con el nombre de efecto Kelvin o, tambin, efecto pelicular.
Por causa del efecto pelicular la resistencia elctrica de un conductor es mayor en corriente al-
terna que en corriente continua y, adems, resulta proporcional a la frecuencia de la corriente, es
decir, con seales de muy alta frecuencia la resistencia del conductor alcanza valores muy superio-
res a los que posee. cuando por l circula corriente continua.
Resistencia de aislamiento
Se denomina resistencia de aislamiento de un material aislante a la resistencia que opone. al paso
de la corriente elctrica, medida en la direccin en que deba asegurarse el aislarniento.
Como la corrente de fuga de un material aislante sigue dos caminos posibles, uno sobre la su-
perficie del rnatena y el otro a travs del cuerpo dl material, se distingue entre resistencia de ais
lamiento superficial y resistencia de elslemeato transversal o volumtrica.
La resistencia de aislamiento superficial es la resistencia que ofrece la superficie del material al
paso de la corriente elctrica cuando se aploa una tensin entre dos puntos de ella (figura 1.7).
+
Electrodos
1. 7 Resistencia de aislamiento
\ Material aslarrte superficial de un material aislante.
13
El valor de esta resistencia se refiere a la superficie comprendida entre las dos zonas sometidas
a tensin, las cuales estn en contacto con los electrodos, y suele medirse en megaohmios por
centmetro cuadrado (M~}/cm:>). A esta magnitud se la denomina tambin resistividad superficial.
La resistencia de aislamiento transversal corresponde a la resistencia que opone el material ais-
lante a ser atravesado por la corriente elctrica, cuando se aplica una tensin entre dos caras
opuestas del mismo {figura 1.8). Se denomina tambin resistividad transversal o volumtrica, y se
expresa en MQ cm2/cm.
Material aislante Electrodos
1.8 Resistencia de afslamento

transversal de un material aislante. -
En un mismo material aislante la resistividad transversal no posee un valor constante, como sue-
le ocurrir con los materiales conductores, sino que vara con la temperatura, la tensin aplicada, el
tiempo, la humedad, el espesor del material, etc., destacando los efectos debidos a la variacin de
temperatura, cuyo aumento produce una disminucin de la resistividad transversal. Por consi-
guiente, la resistencia de aislamiento se indica a la temperatura mxima que se prev tendr que
soportar el material. .
Cuanto mayor sea la resistividad del aislamiento de un conductor, tanto mejor acta como tal.
No obstante, este dato no basta por si solo para juzgar la calidad de un aislante, ya que deben con-
siderarse tambin otras propiedades elctricas, mxime si se tiene en cuenta que en electrnica
(salvo circuitos especiales como, por ejemplo, ros de la etapa de MAT de un televisor) las tensiones
con las que se trabaja no son ni mucho menos elevadas y, por lo tanto, no se exigen grandes ais-
lamientos.
Rigidez dielctrica
El material aislante perieclo no se conoce todava, lo cual quiere decir que, por bueno que sea el ais-
lamiento de un conductor, siempre se produce una pequea corriente de fuga. Con ella el material
aislante se callanta localmente y el calentamiento permite el paso de ms corriente (ya que disminu-
ye la resistividad transversal}. Este efecto es acumulativo, y si la tensin alcanza un valor suficiente-
mente elevado puede producirse la perforacin del aislante.
El falto se manifiesta por una superficie quemada o por una perforacin del material que, en
ocasiones, pasa desapercibida y resulta difcil de localizar.
Se denomina rigidez dielctrica a la propiedad de un material aislante de oponerse a ser perfo-
rado por la corriente elctrica. Su valor se expresa por la relacin entre la tensin rnxlrna que pue-
de aplicarse sin que el aislante se perfore (llamada tensin de perforacin) y el espesor de la pieza
aislante. Se expresa en kV/mm.
Debe tenerse presente que la rigidez dielctrica no es directamente proporcional al espesor del
aislante.
Es muy frecuente utilizar errneamente el concepto de rigidez dielctrica por no prestar la debida
atencin a este Importante concepto. As, por ejemplo, si un aislamiento de 2 mm de espesor se per-
fora a 20 kV, un aislamiento del mismo material de 1 mm de espesor no se perfora a 1 O kV. sino antes.
Tambin los aumentos de temperatura hacen disminuir la rigidez dlelctrica. Otros factores que
influyen sobre ella son la humedad y el envejecimiento del aislante.
14
Todo ello tiene especial importancia en los conductores aislados sometidos a tensiones eleva-
das, corno el conductor de MAT de un televisor, el cual soporta tensiones-superiores, en muchos
casos, a los 18 kV con respecto a masa. El calentamiento y el envejecimiento del aislamiento del ca-
ble, acompaados de una posible proximidad del potencial negativo. hacen que sea muy frecuen-
te la perforacin del aislante despus de unos aos de trabajo.
Constante dielctrica
Se llama constante dielctrica de una materia aislante a la relacin entre la capacidad de un con-
densador que utilice corno dielctrico el material considerado, y la capacidad del mismo conden-
sador LJtillzando como dlelctrico el aire.
En el caso de los conductores elctricos utilizados en electrnica, pueden producirse capacl
dades parsitas entre dos de distinta polaridad, o entre uno y masa. El aislante acta como dielc-
trico que favorece el aumento del valor de la capacidad parsita, la cual es generadora de muchas
anomalas de difcil localizacin.
Es conveniente realizar siempre conexiones lo ms cortas posibles, perpendiculares entre po-
tenciales distintos, alejadas entre s, y utilizar aislamientos cuya constante dielctrica sea lo ms pe-
quea posible. Siguiendo estos consejos se evita la creacin de capacidades parsitas, tan perju-
diciales en los circuitos electrnicos que trabajan en radiofrecuencia, y en el supuesto de que stas
se produzcan (por no poder llevar a cabo algunos de los consejos expuestos), su valor ser muy
pequeo.
lnflamabilidad
Es la facilidad que ltene un material para inflamarse. Algunos aislantes son muy inflamables mien-
tras que otros slo lo son ligeramente, y otros son completamente Ininflamables.
Siempre que sea poslble se deben preferir los hilos conductores cuyo aislante sea menos lnfla-
rnable, el cual ofrecer, en todo momento, una mayor seguridad de funcionamiento, sobre todo si
esta prximo a puntos donde la temperatura es elevada, o en lugares con peligro de produccin de
arcos o chispas.
Temperatura de seguridad
En ocasiones los conductores estn situados en zonas generadoras de calor (como sucede en las
etapas de potencia de baja frecuencia, o en las fuentes de almentacin) y, por lo tanto, han de so-
portar temperaturas superiores a la del medio ambiente.
El sometimiento de un aislante a una temperatura elevada altera sus caracterlstlcas, disminu-
yendo su reslstencia de aislamiento. su rigidez dielctrica y. tambin, su resistencia mecnica, ade-
ms cte aumentar su facilidad para ser atacado por agentes qumicos.
Por consiguiente, es muy importante conocer su capacidad de resistencia a la accin del calor,
es decir, la temperatura lmite a que puede estar sometido el aislante de un conductor sin que se
produzca la degradacin de sus caractersticas. Debe tenerse en cuenta que la perforacin del ais-
lante no se presenta inmediatamente al llegar a cierta temperatura crtica. sino que se produce por
la accin prolongada de dicha temperatura.
Antes de su destruccin, muchos aislantes al alcanzar cierta temperatura se ablandan y defor-
man: se dice entonces que han alcanzado su punto de reblandecimiento. En consecuencia, la tern-
peratura de seguridad antes citada. y que es la mxima a que puede trabajar el aislante, ha de ser
inferior a la temperatura en que se alcanza su punto de reblandecimiento.
Plnalmente diremos que muchos aislantes tienen un punto de reblandecimiento bajo, inferior a
90 "C, por lo que siempre resulta conveniente evitar su contacto directo con componentes que ra-
dien excesivo calor.
Resistencia al ozono
El ozono es una forma alotrpica del oxgeno, y su frmula qumica es 03, es decir, que tiene una
molcula constituida por tres tomos de oxgeno.
El ozono se produce al ionizarse el aire cor la accin de un campo elctrico. Es mucho ms oxi-
dante que el oxgeno ordinario y fcilmente reconocible por su olor a marisco.
15
Los materiales aislantes estn a veces sometidos a la accin del ozono desprendido; sobre
todo cuando las tensiones son elevadas. Al ser el ozono un poderoso oxidante, es la causa de que
se produzcan deterioros en los materiales aislantes.
Resistencia a la luz solar

Aunque la circuitera de un aparato electrnico no est normalmente sometida a la luz solar, s que
lo estn los cables de transmisin de la antena al receptor, por lo que estos cables han de sopor-
tar bien la accin de la luz solar.
Efectivamente. la luz solar posee en su composicin radiaciones ultravioletas que provocan reac-
ciones qumicas, especialmente en verano. Las quemaduras producidas por el sol son uno de sus
efectos, y otro son los cambios qumicos provocados en muchos materiales aislantes.
Los erectos de la luz solar sobre los aislantes son su decoloracin y transformacin en un ma-
terial frgil, que acaba por ser inadecuado para la misin que deba cumplir.
MATERIALES UTILIZADOS EN LA FABRICACIN DE HILOS

Y CABLES PARA ELECTRNICA
Una vez efectuado el estudio de las caractersticas tcnicas que deben exigirse a los materiales uti-
lizados en la fabricacin de hilos y cables, a continuacin se exponen los materiales conductores y
aislantes ms utilizados, con indicacin de sus principales aplicaciones cuando se preste a ello.
Cobre electroltico
Las caractersticas tcnicas del cobre electroltico coinciden. casi exactamente, con las del cobre
puro, ya que su contenido mnimo de cobre ha de ser del 99,9 %.
La resistividad del cobre electroltico es la ms baja de todos los tipos de cobre utilizados en la
fabricacin de conductores, pues a 20 C es de tan slo 0,01673.
Cobre recocido
El cobre recocido, llamado tambin cobre blando, tiene una resistencia a la rotura de 22 a 28 kg/mm2.
El cobre recocido es dotil y maleable, se maquina fcilmente y se utiliza, sobre todo, en la
fabricacin de conductores elctricos que no tengan que estar sometidos a grandes esfuerzos
mecnicos (por ejemplo, en Instalaciones elctricas interiores de viviendas y cables para circui-
tos electrnicos).
Cobre duro telefnico

Tiene una gran resistencia mecnica {de 50 a 70 kg/mm2) y su principal campo de aplicacin lo
constituyen las lneas de telecomunicacin.
El cobre duro telefnico contiene estao y cierta cantidad de fsforo. por lo que su denomina-
cin correcta debera ser bronce tostoroso.
De los diferentes tipos de cobre existentes, es el que posee mayor resistividad (0,0246 Q mm2/m
a 20 C), por lo que no es muy adecuado para el circuito de un aparato electrnico.
Polietileno
Desde el punto de vista de sus cualidades elctricas, el polietileno es uno de los ms importantes
materiales terrnoplstlcos. Actualmente es el material plstico ms utilizado para el recubrimiento
de conductores.
Es un material slido, incoloro, traslcido, graso al tacto, blando en pequeos espesores, siem-
pre flexible, inodoro y no txico. Tiene un aspecto similar al de la parafina.
Se descompone a unos 300 C. Sin plastificantes se reblandece a 1~5 C; es importante sea-
lar que su punto de fusin est muy prximo al de reblandecimiento, por lo que se recomienda no
utilizarlo con temperaturas superiores a 80 C.
Cuando se utiliza como aislante de cables sometidos a la intemperie, deben aadrsele estabili-
zadores, especialmente antioxidantes, que le proporcionan mayor resistencia frente al oxgeno y la
16
conocida accin destructiva de los rayos ultravioletas de la ILrZ solar, que provocan el endureci-
miento del material y una disminucin de sus cualidades elctricas y rneonloas.
Es muy resistente a la humedad, de la que absorbe. menos del 0,005 %. Es uno de los plst-
cos ms resistentes a los agentes qumicos que se conocen actualmente. Presenta excelentes pro-
piedades elctricas, especialmente a altas frecuencias.
Mediante la adicin de cargas de negro de carbono, puede mejorarse su resistencia al calor y a la
luz. Posee adems la gran ventaja, ya indicada, de ser siempre flexible, sin necesidad de plastificantes.
Arde entre fcil y moderadamente, con ligero resplandor, con llama azul en la parte baja y ama-
rilla en la parte alta. Funde y gotea mientras arde. Huele a parafina .quemada.
Polietileno reticulado
El polietHeno reticulado es un material resultante de las tentativas de eliminar la condicin termo-
pisnca del polietileno, aumentando as las temperaturas de trabajo y de fusin del material.
Aunque no sea lo mismo, podemos comparar la reticulacin con la vulcanizacin de L!n elast-
mero, ya que se proporciona al producto tratado la propie.dad de fundirse a alta temperatura sin re-
blandecimiento previo; por esta razn, al polietileno r.eticulado se le conoce tambin con el nombre
(inapropiado) de polietlleno vulcanizado.
Cabe distinguir el polietileno reticulado sin carga, de caractersticas dielctricas semejantes a las
del polietileno termcplstico, del polietileno. reticulado cargado con negro de carbono, en el que
las propiedades dielctricas quedan ligeramente disminuidas, pero en el que sus propiedades me-
cnicas y de estabilidad a la intemperie quedan notablemente reforzadas.
El polietlleno reticulado admite perfectamente temperaturas de trabajo de unos 90 C, pudien-
do alcanzar, en casos de emerqencia y durante corto tiempo, hasta 130 "C sin que la estructura del
aislamiento quede afectada. Alrededor de los 300 C se carbonza sin previa fusin.
Estas excelentes caractersticas trmicas, junto con sus propiedades elctricas, superiores a las
que poseen la mayor parte de los materiales aislantes, convierten al polietileno retcuado en el ma-
terial idneo para constituir et aislamiento de cables expuestos a fuertes puntos de carga, o utili-
zar-lo en circuitos expuestos a temperaturas ambientales elevadas o con escasa refrigeracin.
Policlorurode vinilo
El po/icloruro de vinilo (PVC) se denomina tambin cloruro de polivinilo. Es un material plstico cu-
yas excelentes cualidades hacen que sea el aislante ms utilizado, es decir, es el ms importante
de todos los materiales plsticos, a lo cual ha contribuido tambin su mdico precio.
Como aislante elctrico, el policloruro de vinilo es ampliamente utilizado para el recubrimiento
de cables elctricos que han de trabajar a la frecuencia industrial de 50 Hz (cables de conexin a
la red elctrica), no .siendo adecuado su uso en alta frecuencia debido a que sus prdidas dielc-
tricas resultan elevadas en esas condiciones, por lo que a elevadas frecuencias es preferible utilizar
cables aislados con polletileno.
A pesar de ello, es muy utilizado como aislante de conductores en el alambrado de aparatos
electrnicos, debido, entre otras cosas, a la facilidad d diferenciar los div.ersos conductores gracias
al gran nmero de colores que pueden obtenerse por mezcla de colorantes y pigmentos.
El policloruro de vinilo es inodoro, inspido y no txico. Es insoluble en 'aqua. Resulta excepcio-
nalmente resistente a los agentes qumicos, tales como cidos, lcalis, aceites, alcoholes, etc. Po-
see una gran resistencia al ozono y al oxgeno atmosfrico.
Arde con dificultad y su llama se extingue por s sola; la llama es de color arnarillento, con tono
grisceo en el borde. Sin llegar a arder, se ablanda por la accin del calor y despide olor a cloro.
Sus propierades mecnicas son solamente medianas.
Poltetrauoretleno
El po/itetraf/uoretileno, conocido con el nombre comercial de tefln, fue descubierto en 1941 por los
laboratorios Du PoNT,
Se trata de un material aislante que conserva las mismas propiedades fsicas y qumicas que el
polietileno, con la particularidad de que la cresencia de flor en su composicin le proporciona una
excepcional resistencia a los aqentes qumicos.
17
Es traslcido, blanco o grisceo, e inalterable a la luz solar y a los agentes atmosfricos. Posee
nula absorcin de la humedad; y gran resistencia al envejecimiento por oxidacin, especialmente a
altas temperaturas.
En funcionarniento permanente abarca una gama de temperaturas comprendida entre -55 C
y +325 C sin perder ninguna de sus propiedades. Se descompone a una temperatura de 450 a
500 C. No arde. pero se pone incandescente.
Presenta excelentes propiedades elctricas. incluso a altas temperaturas y altas frecuencias. No
le atacan los cidos ni los disolventes. ni siquiera a temperaturas elevadas; en cambio, s pueden
atacarlo los lcalis concentrados.
Su precio es muy elevado (unas diez veces mayor que el del polietileno). lo que lo hace prohibitivo
como aislante de conductores elctricos. Sin embargo, se emplea como aislamiento de conductores
sometidos a condiciones de runcionamiento rnuy exigentes, y en el campo de las altas frecuencias.
IDENTIFICACIN DE LOS CONDUCTORES
La cubierta aislante de los conductores utilizados en electronica se tie de diversos colores con el
fin de facilitar el montaje y seguimiento del circuito, sobre todo si ste es muy complejo.
El cdigo utilizado depende en gran parte de la complejidad de los circuitos, por lo que en oca-
siones es necesario recurrir a conductores con varias bandas de color para su identificacin. A titu-
lo de ejemplo, exponemos un cdigo muy utilizado en el alambrado de circuitos electrnicos:
Conexiones a masa: negro

Positivo de alimentacin: rojo
Emisores de transistores: amarillo
Bases de transistores:

verde
Negativo de alimentacin: violeta (prpura)
En el caso de los conductores de alimentacin de red, el cdigo est normalizado segn los si-
guientes colores: azul para una fase y negro para la otra; para el conductor de puesta a tierra: fran-
jas amarillas y verdes.
CIRCUITOS IMPRESOS
Bsicamente un circuito irnpreso es una placa de material aislante, a una de cuyas caras se han ad-
herido tiras de cobre desnudo, niqueladas o plateadas. que hacen las funciones de conductores. En
la otra cara de la placa aislante se sltuan los componentes del circuito {resistencias, condensadores.
transistores, circuitos integrados, etc.), los cuales,
a travs de unas perforaciones existentes en la
placa y unos puntos de soldadura, se ponen elc-
tricamente en contacto con las tiras de cobre de la
otra cara, siendo stas las que sirven de conduc-
tores elctricos entre los distintos componentes,
formando de esta manera un circuito de dimen-
siones reducidas.
La denominacin de circuito impreso procede
del hecho de que en su fabricacin se utilizan pro-
cesos de imprenta.
En la figura 1 .9 se puede ver parte de una pla-
ca de circuito impreso. Las pistas de cobre se han
dibujado en negro, y cada una de ellas termina en
LJn topo con orificio para introducir y soldar los ter- 1. 9 Dibujo de un fragmento
minales de los componentes. de un circuito tmpreso.
18
Tipos de placa base para circuitosimpresos

Para la fabricacin de un circuito impreso se parte de una placa de material aislante, la cual debe
poseer una serie de cuakaoes.tales como la de ser ligera, resistente y no atacable por cidos co-
rrosivos.
Los materiales de uso ms frecuente en la fabricacin de placas de circuitos Impresos son los
siguientes:
Baque/itas.
Fibra de vidrio.
Po/lamidas de vidrio.
Keviar.
Compuestos de cuarzo.
Alrninas (cermicas).
lnvarcobre.
La baquellta (laminado de papel y compuestos fenlicos) se utilizaba mucho en if'l. fabricacin de.
circuitos impresos para equipos de gran consumo (radio, televisin, amplificadores de audio, etc.).
La razn de ello era su precio, mucho ms barato que el de otros materiales.
La fibra de vidrio ha sustituido prcticamente a las placas de baquelita. Se emplea en la fabri-
cacin de circuitos impresos profesionales y en los equipos de gran consumo, debido a que ya no
es tanta la diferencia de precio con las de bacuetta y a que resulta de fcil mecanizado y poco
peso. Como desventaja hay que citar su mala conductividad trmica. Su coeficiente trmico de ex-
o-
pansin es del orden de 13 a 1 7 x 1 6/K.
Las poliamidas de vidrio tienen, aproximadamente, el mismo coeficiente de expansin trmico
que la fibra de vidrio, pero su conductividad trmica es muy superior. Como desventaja cabe citar
S!.J precio, que es unas cuatro veces el de la fibra de vidrio.
El keviar tiene la ventaja de ser el material ms ligero, no tiene problemas de din1ensiones y su
coeficiente trmico de expansin es del orden de 4 a 8 x 1 O~/K. Como desventaja podemos des-
tacar su difcil mecanizado y que es propenso a la absorcin de agua.
Los compuestos de cuarzo tienen un coeficiente de expansin trmica comprendido entre 6 y
12 x 1 o-o/K; su conductividad trmica es buena y sus propiedades dielctricas son excelentes.
Como inconveniente diremos que son muy difciles de mecanizar.
Las alminas (cermicas) son muy utilizadas en la fabricacin de circuitos hbridos y en aplica-
ciones militares de alta fiabilidad. Es un material muy frgil, pesado y difcil de mecanizar. Otro in-
conveniente radica en que el proceso de implantacin de pistas es muy laborioso.
El invar-cobre posee un coeficiente de dilatacin que puede elegirse, ya que slo es necesario
variar la proporcin de cobre e invar. Es un materil difcil de fabricar y, por lo tanto, caro.
Todas estas placas de circuitos impresos se fabrican en dos versiones, denominadas e y e, y
cuyas dimensiones se Indican en la tabla 1.3.
e 2,54 mm 1,3 0,05 mm 1,7 rnrn
0,635 mm 0,8 0,03 mrn 1,1 mm Ttfb/a 1.3 Dimensiones de

las placas de circuito impreso.
De todo lo expuesto se deduce que, en el campo del gran consumo (radio, televisin. etc.), la
fabricacin de los circuitos impresos se realiza actualmente utilizando corno soporte la fibra de vi-
drio, de la cual existen diferentes versiones y calidades que resumimos en la tabla 1.4, con el fin de
poder compararlas y as elegir, entrelas diferentes opciones, aquella que ms se acomode a las ne-
cesidades concretas.
19
,, ,,, w~ ''~.
f~ d~'p1aclilt!e~bta dsiJlbr1~
:
H 111t "'''" P'' #
Car~cteri~tjcas <
, ~\
' 104!\ l1\1g
YtlJG
8$t
q~ l"l ~ R4 ,ijfi
"~~ FR5. '
Tefln
fii'
'""
"
Resina epoxi epoxi epox epox tefln
Densidad 1 ,8 1,8 1,8 1,8 1, 7
Resistencia superticial
(Q cm) 2 X 1012 2 X 1012 2 X 1012 2 X 1012 1X1011
Rigidez dielctrica (kV/mrn) 30 30 30 30 30
Constante dielctrica 5 5 5 5,2 2,6
Absorcin de agua(%) 0,3 0,3 0,3 0,3 0,01
Temperatura mxima
de servicio (C) 145 145 145 145 250
Resistencia en el bao
de soldadura (s/C) 10/250 10/250 20/260 20/260 20/260
Tabla 1.4 Caractersticas tcnicas de las planchas de fibra de vidrio utilizadas en Ja fabricacin de circuitos
Impresos.
FABRICACIN DE CIRCUITOS IMPRESOS
A las placas base se les adhiere, en una de sus caras, una lmina de cobre extremadamente puro.
Es conveniente que la cara de la lmina de cobre que est en contacto con la placa aislante sea ru-
gosa, con la finalidad de lograr una rneior adherencia.
El pegado de la lmina de cobre sobre la placa base suele hacerse mediante prensa y a eleva-
da temperatura, utilizando pegamento de caractersticas dielctricas semejantes a la placa aislan-
te. EJ espesor de la lmina de cobre oscila entre 0,025 y 0,070 mm.
Una vez efectuado el pegado de la lmina de cobre sobre la placa aislante, se imprime sobre la pri-
mera el cableado del circuito. A continuacin, se procede a proteger toda la parte impresa contra la ac-
cin del cido en el que posteriormente se sumergir la placa. De esta forma el cido ataca el cobre
no protegido (destruyndolo) y deja en la placa aislante nicamente el cobre perteneciente al circuito.
Una vez realizada esta operacin se procede a retirar la capa protectora que se haba coloca-
do, con lo que el circuito ya impreso puede pasar a su mecanizado.
El mecanizado consiste en la realizacin de las perforaciones que deben servir para la introduc-
cin de los terminales de los componentes y la tornillera, y su posterior soldadura a las pistas del
circuito impreso.
Veamos ahora distintos procedimientos de impresin de circuitos Impresos.
Mtodo offset
Este procedimiento se basa en el sistema offset de imprenta. Se prepara una plancha de aluminio
o de cinc, en la que se graba el circuito a imprimir, quedando ste en relieve. Esta plancha se en-
tinta y se imprime sobre la cara de cobre de las placas de los futuros circuitos impresos.
Se procede luego a proyectar un haz pulverizado de betn o resina que se adhiere slo a las
partes entintadas. Mediante un procedimiento trmico se calienta la placa, con lo que el betn ad-
herido y la tinta forman una sustancia protectora que cubre parte de la lmina de cobre (la que co-
rresponder a las pistas).
20
La placa as dispuesta se sumerge en cido corrosivo, atacando ste las partes de la placa no
protegidas. Posteriormente se procede al lavado de la placa, normalmente con agua, procurando
que quede desprovista por completo de cido, grasa o cualquier otra materia molesta para e1 pos-
terior montaje de los componentes (figura 1 .1 O) .
. .
1 ' 2
.
a) b)
'
''
''
''
'
-----
-- ---
-----
-----
--
---- --- -- - -
-------i
--- -- --- - -
--- -- ~- .. --
... ---
---
d)
e)
''
'
''
''
'
1.10 Fabricacin de un circuito
impreso mediante el mtodo offset.
a} Unin de la placa base (1) con la
de cobre (2). b) ln1presin del
circuito. c) Aadido de betn o
resina (3). d) Inmersin en cido
--- _ .. -' --- .....- (4). e) Lavado del circuito con
--- chorro de agua (5).
e)
Mtodo de serigrafa
En este procedimiento el entintado de la placa se efecta mediante una plantilla, en la cual se re-
corta el circuito a Imprimir.
Se superpone luego la plantilla a la plancha de cobre del futura circuito impreso y se entinta el
conjunto, quedando el circuito dibujado sobre la plancha de cobre cuando se retira la plantilla.
Segn el tipo de tinta empleada, sta pt,Jede ser ya suficiente para proteger al circuito de la
accin del cido. En caso de que no sea as, se puede seguir el procedimiento utilizado en el
mtodo offset de adherir a la tinta betn o resina. El resto del procedirnlento a segt,Jir es el mis-
mo (figura 1 .1 O),
21
Mtodo fotomecnico
Bsicamente, consiste en realizar en tinta negra el dibujo del circuito impreso, sobre un pape' que no
modifique sus dimensiones con la humedad o temperatura (por ejemplo, en polister), y a mayor ta-
mao del definitivo. Actualmente da mejores resultados dibujar el circuito con pistas adhesivas, espe-
cialmente diseadas para este menester, ya que cubren mejor el papel que el trazado con tinta china.
Una vez realizado el dibujo, se fotografa para obtener un clich o negativo, en el que los trazos
correspondientes al dibujo (pistas del crcuito impreso) son transparentes y el resto completamen-
te opaco.
Mediante una copiadora se coloca el clich sobre cada una de las placas del crculto, que han
sido previamente cubiertas con material fotosensible, por ejemplo, un lquido que se torna viscoso,
o incluso slido, al recibir luz ultravioleta.
Al proyectar la luz requerida sobre el conjunto formado por el clich y la placa, en sta queda
endurecido el material fotosensible expuesto a la luz, que corresponde nicamente a las partes
transparentes del clich, es decir, al circuito a imprirnir. La plancha queda as preparada para ser
atacada con cido, de forma igual a la descnta en los apartados anteriores.
El mtodo fotomecnico es el que ofrece ms precisin en las pistas. por lo que es el ms uti-
lizado.
Mtodo artesano
Este mtodo se utliza slo para la realizacin de prototipos, ya que resulta caro desde el punto de
vista industrial; adems de que los resultados no son tan limpios como los anteriores.
Para fabricar un circuito impreso de forma artesanal, primero se dibuja sobre la lmina de cobre
las diferentes pistas del circuito que se desea fabricar, para lo cual se utiliza un rotulador de tinta
grasa especial, o bien pistas y crculos de transferencia por presin.
Una vez dibujado el crculto sobre la placa de cobre, se introduce en un bao de cido, el cual
elimina todas aquellas partes no protegidas por la tinta. La sustancia ms utilizada es el percloruro
frrico (C13Fe). Para un buen ataque al cobre es conveniente que se trabaje con temperaturas com-
prendidas entre 25 y 30 C.
Advertimos que este caso conlleva los riesgos propios del trabajo con cidos, por lo que se debe
operar con la mxima atencin y cuidado, con el fin de evitar accidentes que, en ocasiones, pueden
ser muy peligrosos, como ocurre, por ejemplo, con las salpicaduras de cido sobre los ojos.
Una vez atacada la placa, se extrae sta de la cubeta con unas pinzas de plstico (sin tocar con
los dedos el cido) y se introduce en otra cubeta con agua. en donde se agita y limpia a fondo, de
forma que no quede el menor rastro de cido. Finalmente, con un disolvente para grasas se quitan
las protecciones de las pistas, se pulen ligeramente y se pasa a su mecanizado mediante minitala-
dradoras.
Destacamos que las pistas de circuitos impresos son fcllmente oxidables, por lo que es con-
veniente que una vez realizados se protejan con un barniz protector, dejando slo sin cubrir los
puntos donde deban efectuarse las soldaduras.
CLCULO DE LAS PISTAS DE COBRE
En lo que atae al diseo de los conductores y a la colocacin de Jos componentes en el circuito

impreso, se busca la mxima reduccin de volumen y, al propio tiempo, una cierta facilidad en el
seguimiento prctico del circuito para casos de posibles avenas.
Uno de los cuidados a tener en cuenta a la hora de realizar el diseo de un circuito impreso es
evitar que los elementos semiconductores se encuentren cerca de posibles fuentes calorficas, que
como se sabe los perjudican extraordinariamente.
Otro detalle a tener presente es calcular si las superficies y las secciones de las tiras de cobre
son suficientes para las intensidades de corriente que por ellas circularn, ya que en caso contra-
rio se produce calentamiento en las tiras de cobre, lo cual puede ser perjudicial. Este problema. sin
embargo, lo han resuelto fcilmente los fabricantes de circuitos impresos, ya que poseen tablas en
las que se reflejan las intensidades y las secciones necesarias para cada pista.
22
A ttulo orientativo, diremos que con planchas de cobre para circuitos impresos de 35 um de es-
pesor, la resistencia de la pista, medida en ohmios por metro, es de:
R = 0,5
L
Donde L es el ancho de la pista en milmetros.

La intensidad de corriente mxima admisible por una pista de estas caractersticas es de:
De esta frmula se deduce que el ancho de la pista puede calcularse a partir de la expresin:
s
L=
27
As1, si por una pista de 35 m de espesor debe circular una intensidad de corriente de 1.5 A, el an-
cho de la pista debe ser de:
I3 (1,5A)3
.. ~
-~
o, 13 = 0,35 mm
L=
27 27
CIRCUITOS IMPRESOS MULTICAPA
El constante aumento de la complejidad de los circuitos electrnicos, asl como la necesidad de re-
ducir el volumen ocupado por los mismos, ha exigido una nueva solucin al alambrado.
Esta solucin son los denominados circuitos impresos n1v/tcapa. en los cuales se aplican dos
tcnicas bsicas. En la primera, se unen los circuitos de una o dos caras convencionales para for-
mar placas multicapa. La segunda consiste en ir formando capas sucesivas de material aislante y
conductores, siguiendo el trazado de los originales correspondrentes.
La primera solucin presenta el inconveniente de la conexin entre capas, para cuya solucin
existen varios mtodos: agujeros metalizados (pasadores metlicos, que se hacen fundir en su po-
sicin entre capas) y ojetes (los cuales tambin se hacen fundir en las mismas condiciones).
La segunda tcnica en la fabricacin de circuitos Impresos rnultcapa no presenta problema al-
guno en la conexin entre capas. ya que los conductores estn metalizados sobre los puntos de
conexin de las capas precedentes. Esta solucin, sin embargo, resulta cara.
Una gran ventaja de los crcutos lrnpresos multioapa es la de ofrecer la posibilidad de un blih-
daie integral, en forma de planos de masa entre capas, que eliminen la intermodulacin o interfe-
rencia entre stas. El blindaje acta asimismo como disipador de calor.
CABLES PARA RADIOFRECUENCIA
En la transmisin de energra elctrica de radiofrecuencia a travs de cables e hilos conductores se

presentan fenmenos fsicos que hacen intll la utilizacin de cables o hilos convencionales. Por este
motivo en la tcnica de la radiofrecuencia se ulizan cables especiales, los cuales pueden ser sim-
tricos o asimtricos.
La caracterstica simtrica o asimtrica de un cable de radiofrecuencia es n1uy importante para
efectuar correctamente las adaptaciones generador-cable y cable-receptor.
Se dice que un cable es simtrico cuando los dos conductores que constituyen la lnea son igua-
les. al margen de que estn o no apantallados. En las figuras 1.11 y 1.12 se han dibujado un par de
23
cables simtricos, ambos de 240 n (el de la figura 1.11 sin cubierta y el de la figura 1.12 con ella).
Tanto en uno como en otro. los dos conductores que forman el cable son iguales y, por lo tanto.
existe simetra.
1.11 Cable simtrico de 240 W 1.12 Cable simtrico de 240 W

de impedancia. de impedancia, con cubierta.
Se dice que una lnea es asimtrica cuando la forma constructiva de los conductores no es la
misma. En la figura 1.13 se muestran cuatro cables asimtricos de 75 n. En este caso existe un
nico conductor central y el segundo (coaxial) lo rodea, actuando, adems, como pantalla.
1.13 Cables asimtricos de 75 W de impedancia.
A continuacin se dan a conocer las caractersticas tcnicas de estos cables.
Velocidad de propagacin
Cuando una onda de radiofrecuencia se propaga por una lnea de transmisin, su velocidad no es
de 300.000 km/s sino bastante menor, dependiendo del dielctrico de la lnea, de tal forma que
cuanto menos dielctrico posea mayor es la velocidad de propagacin.
La velocidad de propagacin se expresa en%, y oscila entre un 66 % para las lneas coaxiales
y un 98 % para las lfneas planas con hilos desnudos.
Conociendo el factor de velocidad de propagacin del cable, es posible determinar la longitud
de onda de la seal que por l circula, lo cual resulta necesario para ciertas aplicaciones. En este
caso la frmula a aplicar es la del clculo de la longitud de onda de las ondas radioelctricas, mul-
tiplicado el resultado por el factor de velocidad V.
As, supongamos que se desea conocer la longitud de onda de una seal de radiofrecuencia de
100 MHz que se transmite por una lnea coaxial con dielctrico de polietileno, cuyo factor de pro-
pagacin es del 69,5 %. La longitud de onda vale, en este caso,
A. = v V = 300 Mm/s x O 695 = 2 09

f 100 MHz ' ' m
Lo cual signmca que en cada 2,09 metros de la lnea se repite el valor Instantneo de la amplitud
de onda de la seal que por ella circula. La longitud de onda en la lnea tiene por tanto un valor ms
pequeo que en el espacio libre, que en ese caso sera de 3 metros.
24
Resistencia hmica
Como en cualquier cable, tambin los de radiofrecuencia ofrecen una resistencia hmica al paso de
la corriente elctrica, lo cual provoca una prdida de potencia que se disipa en forma de calor, se-
gn la frmula:
Las prdidas resistivas dependen de la pureza del cobre, y son independientes de la frecuencia de
la seal elctrica que circula por la lnea.
Prdidas en el dielctrico
Dado que no existe el dielctrico perfecto, siempre se tlenen unas prdidas en el dielctrico, las cua-
les dependen de su espesor, tipo y del valor de la frecuencia de la seal que por el cable circule.
Cuanto ms fino sea el dielctrico y ms alta la frecuencia de la seal, mayores sern las prdidas.
Las prdidas se expresan en dB por rnetro, aunque algunos fabricantes lo expresan en dB por
cada 100 metros. Las prdidas en el dielctrico suponen una atenuacin de la seal que debe ser
tenida muy en cuenta.
Al comparar dos cables debe tenerse presente que uno. ser.tanto mejor con respecto al otro
cuanto ms baja sea su atenuacin. Si no se conocen los datos tcnicos de los cables comparados,
se deber tener presente que cuanto mayor sea el dlrnetro de una lnea coaxal menores sern sus
prdidas, ya que el dielctrico ser ms grueso. Asimismo, cuanto mejor sea el dielctrico, meno-
res sern las prddas. Un cable aislado con espuma de po.liuretano es rnejor que uno aislado con
polietileno, siendo el aire el mejor aislante.
Las lneas simtricas tienen una atenuacin muchlsirno ms baja que cualquiera de las coaxiales.
Impedancia caracterstica
La impedancia de un cable es la oposicin que ofrece ste al paso de la corriente alterna.
Depende de las caractersticas constructivas del cable. Sin embargo, y dado que los cablesde
radiofrecuencia deben adaptarse en impedancia tanto al generador de seal como al receptor de se-
al a que se conectan, los fabricantes de cables normalizan las impedancias siendo valores norma-
lizados los de 50 n, 75 o, 240 n y 300 .Q a 200 MHz.
Capacidad nominal
Los dos hilos que forman el cable, tanto si ste. es simtrico como asimtrico, forman las placas de
un condensador parsito, cuyo dielctrico es el aislante existente entre ellos.
Esta capacidad es muy pequea, del orden de 50 a 100 pF por cada metro de cable, pero debe
tenerse presente en segn qu aplicaciones, sobre todo cuando se trabaja en las gamas de frecuen-
cias de UHF y SHF.
Tensin mxima de servicio

Es el valor mximo de tensin que se,puede aplicar entre los dos conductores del cable sin que el
dielctrico sufra dao alguno.
Depende, lgicamente, del material con el que est construido el aislante y su espesor: Actual-
mente la tensin mxima que puede soportar un cable, con los buenos materiales aislantes que se
fabrican, oscila entre unos 750 V y 1 l kV,
Temperatura lmite de cubierta

La temperatura lmite de la cubierta depende exclusivamente del material con que est fabricada.
Como orientacin, en la tabla 1.5 se Indican las temperaturas lmite de los diversos tipos de cu-
bierta para cables.
25
.. ,
Umrte de
~. temweratg[a (G}'"
Tipo 1 Cloruro de polivinilo negro -40 a +80
Tipo 11 Cloruro de polivinilo gris -25 a +80
Tipo lla Cloruro de polivinilo negro o gris -40 a +90
Tipo llla Polietileno negro -55 a +85
Tipo V Fibras de vidrio trenzadas -55 a i-250
Tabla 1.5 Temperaturas Tipo VII Tefln (politetrafluoruro de etileno} -55 a +250
llmite de los materiales
utilizados para cubiertas Tipo IX Tefln (fluorato etlico proplico) -55 a +200
de cables.
CABLES SIMTRICOS
El cable simtrico est compuesto por dos conductores paralelos, separados por una distancia de-
terminada, siempre constante.
Se fabrican cables simtricos de 75 o, 150 o, 24 O n y 300 o.
Entre los cables simtricos ms utilizados caben citar los siguientes:
Cinta plana bifilar.

Cinta oval bifilar.
Tubo bifilar.
Cable biflar apantallado.
A continuacin estudiaremos las caractersticas ms importantes de cada uno de estos cables.
Cinta plana bifilar

Este cable (figura 1 .14) se fabrica con 75 Q, 150 n, 240 o o 300 n de impedancia caracterstica,
siendo el ms utilizado el de 300 n.
Aislamiento de po/iet/leno
\ Conductor de cobre
\
\

1. 14 Constitucin de una cinta
plana bifilar.
Su atenuacin, a 100 MHz, es de unos 8 dB por cada 100 metros en el cable de 150 Q, y de
unos 4,5 dB por cada 100 metros en el de 300 Q.
La cinta plana bifilar se encuentra en el comercio en los colores transparente, blanco, marfil, gris
y negro. Las tres primeras son de aplicacin en interiores, las de color gris se utilizan tanto en inte-
riores como en exteriores. y las de color negro se emplean en exteriores.
Las inclemencias de tiempo agrietan estos cables, y la humedad y el polvo provocan cortocir-
cuitos o cambios de mpeoancla, que hacen variar sus caractersticas. Por tanto, las cintas planas
26
bifilares para exteriores, eje color negro, tienen el aislamiento de polietileno mezclado con negro de
carbono. lo cual las hace ms resistentes a la Intemperie.
En general se aconseja que las instalaciones con este tipo de cable se renueven peridicamen-
te, por ejemplo, cada ao, lo cual ha sido la causa de que su uso quede limitado a.Interiores.
Es totalmente desaconseJable su empleo en UHF, debido a las variaciones de caractersticas
que sufren.
Cinta oval bifilar

Este cable (figura 1.15.) se fabrica con una impedancia caracteristica de 300 n, y su atenuacin a
100 MHz es de tan slo unos 3 dB por cada 100 metros.
Proteccin de polcloruro de vinilo

\\1
\\ Aislamiento de polietileno ce/u/ar

\
\
/
Conductor de cobre
1.15 Constitucin de una cinta
oval bit/lar.
Su aislamiento es de polietileno celular o expenso, protegido por una capa de PVC. Su forma
oval permite que el agua y el polvo resbalen por su superficie, lo que le confiere una mayor dura-
cin que la cinta plana bltilar. Se fabrican en los colores blanco o gris, que so.n tos colores de aGa-
bado del policloruro de vinilo.
Tubo bifilar
El tubo bifilar (figura 1.16) se fabrica con una impedancia de 300 n y una atenuacin. a 100 MHz.
de unos 3 dB por cada 100 metros.
Tubo de polet/eno
Conductor de cobre
1.16 Constitucin
de un tubo bififar.
Su duracin es superior a la de la cinta plana bifilar, aunque debe evitarse la entrada de agua o
humedad en el interior del tubo, la cual puede condensarse en su interior y cambiar, por tanto, 19
constante dielctrica de la lnea; en este caso, puede considerarse' que el dielctrico es el aire. Este
Inconveniente lo hace menos utilizado que el cable oval bifilar, anteriormente descrito.
Se presenta en el comercio con los colores blanco o gris.
Cable bifilar apantallado

Existen en el comercio varios tipos constructivos de. cables l)ifilares apantallados, todos basados en
una misma Idea: la de evitar la captacin de Interferencias y disturbios ndustriales en lq. linea, as
27
como la influencia de las paredes y objetos metlicos inmediatos al recorrido de la lnea. A ttulo de
ejemplo, describiremos el cable bifilar apantallado de la figura 1 .17, ya que son pequeas las dife-
rencias con otros fabricados.
Proteccin de policloruro de vinilo

Trenza pantalla de cobre
/ Aislamiento de polietileno
/
/ // / Conductor de cobre
/
~.11f;,rtz"~1 /
1.17 Constitucin de un cable

apantallado.
Se fabrica con las siguientes impedancias caractersticas: 75 .Q, 150 .Q y 300 .Q. La atenuacin
de estos cables es ms elevada que la de los anteriormente descritos; as, el de 75 .Q tiene una ate-
nuacin de unos 1 O dB por cada 100 metros, y el de 300 .Q unos 6,5 dB por cada 100 metros (me-
didas tomadas a 100 MHz}.
La presencia de la pantalla de cobre en estos cables aumenta su capacidad parsita, la cual in-
fluye en las prdidas. As, el cable bifilar apantallado de 75 .Q tiene una capacidad de unos 57 pF/m,
el de t 50 .Q unos 30 pF/m y el de 300 .Q unos 18 pF/m. Este inconveniente lo hace inadecuado
para lneas de ms de 20 metros, ya que las prdidas seran muy elevadas.
Los cables simtricos tienen como principal desventaja el que siempre presentan una cierta ra-
diacin a lo largo de la lnea, lo que puede causar interferencias en otros aparatos y, por los mis-
mos motivos, son perfectos captadores de interferencias.
Cables coaxiales
Los cables coaxiales pertenecen al grupo de los asimtricos, ya que estn constituidos por un con-
ductor central de cobre y otro conductor concntrico al anterior, que acta, adems, como panta-
lla. Ambos conductores estn aislados entre s por un dielctrico de polietileno slido o polietileno
celular.
La principal ventaja de los cables coaxiales radica en que no son influidos por seales parsitas,
ni por paredes, masas metlicas u otras lneas elctricas, razn por la cual pueden colocarse direc-
tamente sobre cualquier estructura.
Conductor de cobre

l Aislamiento de poletileno
1'
1

// Conductor pantalla de cobre
1
''
/
. \
1
Cubierta de PVC
1' // \
:
/ \ ',
\
'
;

coaxial.
En la figura 1.18 se muestra la forma constructiva de uno de estos cables, el cual se fabrica con
impedancias de 50 a 150 .Q, aunque las ms usuales sean las de 50 .Q, 72,5 .Q y 75 .Q, ya que son las
que poseen menores prdidas y se adaptan mejor a las antenas dipolos de radio y televisin.
Su atenuacin es algo ms elevada que la de los cables bifilares no apantallados, pero tiene la
ventaja de que permanece constante e invariable en el transcurso del tiempo, con lo que, a la larga,
resultan ms econmicos, ya que no se renuevan tan a menudo.
28
CONDUCTORES Y CJRCUITOS IMPRESOS
Una variante de los cables coaxiales es ta que se muestra en la figura 1.19, en el cual el dielc-
trico es el aire.
Conductor de cobre
1
.! Espiral de hilo de polieti/eno
Tubo de polietileno
j !
~onductor pantalla de cobre
. ,., Cubierta de PVC
\. \\
/,....-~,~~-,----+.-..,~~~~-
coaxial con dielctrico de aire.
El conductor central se mantiene en su lugar gracias a un espaciador en espiral, de hilo de po-

lietlleno. Este cable tiene muy pocas prdidas, pero debido a su constitucin algo difcil y poca
adaptabilidad a las instalaciones en edificios, no es muy utilizado, limitndose su empleo a grandes
lneas de transmisin de alta frecuencia.
De los tres tipos fundamentales de cables coaxiales (con aislamiento de polietileno slido, con
aislamiento de polietileno celular y con asilamiento de aire), el segundo es el ms utilizado, ya que es
el que presenta ms. ventajas si consideramos tas caracterstlcas tcnicas y econmicas de la ins-
talacin. La nica precaucin a tomar con los cables aislados con polietileno celular consiste en evi-
tar recodos muy pronunciados en el tendido de la lnea y el apriete excesivo de las abrazaderas de
sujecin, ya que el aislamiento de espuma podra quedar aplastado.
29
Conectores
INTRODUCCIN
Recibe el nombre de conector (o conectador) todo dispositivo completo de conexin elctrica,

formado por una clavija de contacto y una hembrilla donde se aloja. Mediante estos dos ele-
mentos es posible establecer o interrumpir una continuidad elctrica entre dos circuitos o entre
dos aparatos.
Los conectores siempre se disponen en el extremo de un cable o grupo de cables, efectun-
dose la unin mecnica y elctrica entre cable y conector por (jiferentes procedimientos, tales
como soldadura, tornillo, presin, etc.
Actualmente hay una enorme variedad de conectores, por lo qu resulta imposible la descrip-
cien de todos ellos; pero s es posible, y esto ser lo que veremos en este captulo, la descripcin
de los modelos ms importantes y algunas de sus variantes.
TERMINALES
En los aparatos electrnicos con dos o ms cir-

cuitos impresos resulta muy ventajosa la cone-
xin elctrica entre ellos mediante terminales y
clips, como los que se muestran en las iiguras
2.1 y 2.2, ya que permiten la desconexin rpida
de un circuito impreso y su sustitucin por otro
en caso de avera. Esta forma de conexin est
diseada para ser manipulada slo por personal
cualificado, no siendo accesible al usuario del
aparato. 2. 1 Terminales para conexin
a placa de circuito tmpteso.
Los terminales de la figura 2.1 son unas
pequeas lengetas metlicas, terminadas en
punta por uno de sus extremos, y con un pe-
queo orificio en el otro que permite la intro-
duccin y soldadura del extremo de un cable si
( '
se prefiere la conexin permanente. El extremo

en punta de flecha permite su fcil introduc-
cin en los orificios de un circuito mpreso, has-
ta la muesca.
Una vez introducido el terminal en el orificio del
circuito impreso, se efecta un punto de soldadu-
ra para garantizar el perfecto contacto elctrico
entre la psta del circuito impreso y el terminal.
En la figura 2.3a puede verse el dibujo de uno 2.2 Clips tipo faston para conexin
de estos terminales con un cable soldado a l, y de un cable a una lengeta o trminsl
en la figura 2.3b el mismo terminal; pero al que como los de la figura anterior.
31
se ha enchufado un clip (tipo faston) como los de la figura 2.2. El hilo conductor se une al clip fas-
ton mediante presin y punto de soldadura.
Soldadura Clip tipo tasto n
--
'
'
-
Soldadura Soldadura
a) b)
2.3 a) Conexin fija de un cable a un terminal como el de la figura 2.1. b) Conexin de un cable dotado de clip
tipo faston a un terminal como el de la figura2.1.
Para finalizar diremos que los terminales y clips tipo faston se fabrican en una amplia gama de
medidas, lo que permite su utilizacin con todo tipo de cables, aunque en electrnica se utilicen
para secciones de cables comprendidas entre 0,25 y 1,64 mm2.
Otro tipo de terminal, muy utilizado, es el que se muestra en la figura 2.4, consistente en una
pequea lmina metlica en forma de U que permite su fcil introduccin en un borne con tornillo
y tuerca. Este tipo de terminal es rnuy utilizado para la conexin de lneas de 300 n simtricas a la
entrada de antena de receptores de radio fabricados en Estados Unidos y Japn.
2.4 Terminal de cable para

conexin mediante bornes con
tornillo y tuerca.
CLAVIJA BANANA
Las denominadas clavijas banana no son otra cosa que simples clavijas de enchufe unipolares. Se
fabrican en infinidad de modelos y tamaos, con manguitos flexibles o rgidos. con sistema de fija-
cin del cable mediante tornillo o por soldadura, etc., as como en una amplia gama de colores, lo
cual permite adaptar el color de la clavija al del cable y evitar conexiones errneas. En la figura 2.5
se muestra una clavija banana as como la hembrilla unipolar empotrable utilizada con ella.
2.5 Clavija tipo banana con

su correspondiente hembrilla.
Actualmente se emplea mucho un grupo de tres bananas, como las que se muestran en la fi-
gura 2.6, que permiten conectar cmaras de vdeo a magnetoscopios y televisores, bien sea direc-
tamente (mediante las correspondientes hembrillas) o mediante un adaptador de 21 contactos a
eu roconector.
Estas bananas son bipolares, es decir, poseen cada una de ellas dos conexiones elctricas de
forma coaxial. Una de ellas es un esprrago central, conectado al alma del cable, rodeado de un tubo
cilndrico, metlico, que se conecta a la malla del cable (masa).
32
CONECTORES
2.6 Bananas tipo S para

conexin entre aparatos
de audio y vdeo.
Est normalizado que la banana amarilla corresponda a la seal de vdeo, y la roja y blanca a las
dos seales de audio (estereofona).
Jack
Una variante de ta clavija banana es el jack, consistente en una clavija capaz de establecer una co-
nexin bipolar o tripolar sobre un nico esprrago (figura 2.7).
~14.s-j-20
t:
__J
~~+-::i-1-g-4--.
- nY-4
L-34.S .
4.4 -15.911.5
1.~~
2. 7 Clavija y base
10.S lipa jack.
La hembrilla de una clavija lack debe ser adecuada a las especiales caractersticas de conexin
de sta. En la figura 2.7 se muestra tarnbin una hembrilla para clavija jack.
Los jacks se utilizan en aparatos de radio, televisin y alta fidelidad, siendo su aplicacin la de
conectar un circuito a la vez que desconecta otro. Este proceso de conmutacin se muestra grfi-
camente en la figura 2.8.
~
t
2
- h
~
- _,,__
L-
aj A
~ -
---<-
a)
2.8 Conmutacin de dos

8 circuitos mediante clavija
tipojack. a) Cuando el jack
.
est fuera de su hembrilla,
el circuito A alfmenta al B.
~I 1 - b) Cuando el jack esta
e ~-
-e- ~
-<> '-
introducido en su l1embra,
'L A el circuito A alimenta al C
-~ y desconecta el B.
b)
33
En la disposicin de la figura 2.8a, el circuito A alimenta al componente o circuito B; por ejem-

plo, un amplificador {A) que alimenta a su altavoz (8).
En la disposicin de la figura 2.8b el circuito A (amplificador) pasa a alimentar al componente C
(un auricular por eemplo), y al mismo tiernpo se desconecta el altavoz 8, ya que la introduccin de
la clavija jack en la hembrilla abre los contactos cerrados de esta ltima,
El anillo de la hernbrilla conecta con el manguito de ta clavija y el muelle con la punta. Al intro-
ducir la clavia jack, la punta deforma el muelle de la hembrilla, abrindose los contactos de ruptu-
ra. Al extraer la clavija jack de la hembrilla, el muelle vuelve a su posicin de reposo y se restable-
ce de nuevo el contacto elctrico en et contacto de ruptura.
Se fabrican clavijas jack con dos o tres contactos (figura 2.9). La de dos contactos se utiliza
para circuitos bipolares, como los de las fuentes de alimentacin exteriores en receptores de radio,
preparados mediante este sistema para ser alimentados por pilas o por red.
.
1 '
; t
'
<_
2. 9 Clavijas tipo jack de

dos y tres contactos
/
respectivamente.
Las de tres contactos son muy utilizadas en la conmutacin de altavoces a auriculares, en equi-
pos de alta fidelidad estereofnicos, ya que en ellos se precisan tres cables (uno para cada canal y
un tercero comn que sirve de retorno y de blindaje a los otros dos).
Las clavijas y hembrillas tipo jack se fabrican en diferentes longitudes y dimetros, siendo las
ms corrientes las de 5,25 mm y 6,35 mm (1/4 de pulgada).
Para finalizar, en la figura 2.10 se muestran los smbolos rnediante los cuales se representan las
clavijas y hembrillas tipo jack en los esquemas electrnicos.
a)
2.10 Smbolos de bases y clavijas
jack. a) Clavija bpolar. El trazo
largo representa la punta y el corto b)
el manguito de la clavija. b) Base
jack bipolar. El anillo conecta con '
el manguito de la clavija y el ~
muelle con la punta. c) Base jack
bipolar con contacto de ruptura. ~
d) Base jack tripolar con contactos '

de ruptura. e) d)
CONECTORES PARA ALTAVOCES DIN 41529
Para la conexin de los baes a los amplificadores se utilizan, entre otros, los conectores seqn
norma DIN 41529, uno de los cuales se puede ver en la figura 2.11. En la figura 2.12 se muestran
dos bases de enchufe para estos conectores.
34
CONECTORES
___
ts mm ,_
2.11 Conector para altavoces segn norma DIN 41529 y forma de conectarlo.
Los conectores para altavoces DIN 41529 son idneos para cumplir esta funcin, sobre todo
en equipos estreo, en donde deben conectarse dos bafles, ya que el especial diseo de sus ter-
minales {uno central plano y el otro lateral cilndrico) evita errores de conexin, permitiendo que arn-
bos bafles queden siempre conectados con todos los altavoces en fase.
----'~,s"',. -
;~twv~~ , Vi 22 Ir..:
..;
18 1B
2.12 Bases de enchufe para conectores de altavoces segn Ja norma DIN 41529.
CONECTORES BIPOLARES PARA CONEXIN A LA REO
Para la conexin de los aparatos a la red elctrica pueden utilizarse cables que partan directamen-
te de stos; sin embargo, en el caso de aparatos porttiles, esto no es aconsejable, ya que el ca-
ble de conexin a la red supone una molestia durante el traslado y el funcionamiento con pilas o
acumuladores.
En ese caso se recomienda la utilizacin de conectores bipolares como 10$ que se muestran en
la figt.1ra 2.13, los cuales forman parte del receptor, y consisten en dos clavijas macho de conexin
elctrica, ms una toma de tierra para seguridad, convenienternente protegidas de posibles golpes
que pudieran doblarlas o romperlas.
2. 13 Conectores bipolares.
mss tierra para conexin a
la red elctrica.
8 cable de conexin a la red dispone en uno de sus extremos de la clsica clavija macho, y en
el otro del conector hembra que se muestra en la figura 2.14, el cual se introduce en el conector
macho de la figura 2.13 por simple presin, desconectando al mismo tiempo el.circuito de alimen-
tacin por pilas.
2.14 Conector hembre acoplable

a fos conectores machos de la
iiqurs anterior.
35
La idea de que la hembra forme parte del cable de conexin a la red y el macho se disponga en
el receptor se debe a motivos de seguridad, ya que con este diseo resulta imposible un acciden-
tal contacto elctrico entre la persona que conecta el cable al aparato y cualquier parte activa con-
ductora de la corriente.
CONECTORES MULTIPOLARES CIRCULARES (DIN)
Existe una gran variedad de conectores multipolares. con el fin de satisfacer exigencias muy diver-
sas: espacio, intensidad de corriente, nmero de conexiones. etc.
Los conectores multipolares son muy utilizados en equipos de audio, tanto para la conexin de mi-
crfonos como de altavoces, auriculares, sintonizadores, etc., as como en algunos equipos de vdeo.
2.15 Conector tnecno multipolar b)

circular. a) Conector montado.
b) Conector desmontado.
El conector multipolar circular de la figura 2.15 es de dimensiones reducidas, con tres a ocho
contactos dispuestos tal y como se muestra en la figura 2.16.
~
12
7
- 60
45
---.. . .
1 60"
r, 45 45
--,
..._
\

'
1

/

1
/
.. -.-
}

/
~ I
' r, - 1 . '
1
141
'/
2. 76 Disposicin de los contactos en los conectores multipolares circulares.
En la figura 2.1 Sb puede verse el despiece de uno de estos conectores, y en la figura 2.17 una
hembra para prolongador y otra hembra para montaje sobre chasls. Observe que todos estos ele-
mentos disponen de una gua que evita cometer errores al enchufar el conector en la hembrilla.
d
2.17 Conectores hembra
multipolares circulares.
a) Hembra para prolongador
montada y desmontada.
b) Hembra para montaje
sobre panel.
-~ a) b)
La conexin de los diferentes cables al conector se efecta mediante soldadura, y para evitar
que el cable se desprenda, a causa de un tirn, se presiona ste mediante un ojete.
36
C.ONECTORES
Todos estos conectores poseen un blindaje, consistente en dos semiaros rnetcos que rodean
la pastilla aislante contenedora de las clavijas. En la figura 2. i 5b puede apreciarse con todo deta-
lle ste blindaje.
Se fabrican en diferentes versiones, de las cuales destacamos por su importancia la de la figu-
ra 2.18 (acodada) y las de la figura 2.19, que incorporan un aro de seguridad roscable que evita la
desconexin accidental del conector.
2.18 Conector multipolar

circular acodado.
2.19 Conectores multipolares
con aro de seguridad roscable.
CONECTORES PARA CIRCUITOS IMPRESOS
Los conectores para circuitos impresos se fabrican rectos o en forma angular.

La conexin puede realizarse directamente sobre el circuito impreso (figura 2.20) o mediante un
adaptador (figura 2.21 ). En los tipos de Insercin directa la localizacin se hace normalmente me"
oante una ranura extra en la parte hembra c:leJ conector.
2.20 Conector para circuito lmpreso. 2.21 Conector para circuito Impreso.
Conexin directa. coneaon mediante adaptador.
EA los de insercin mediante adaptador E;JS usual disponer un vstago o vstagos de alineacin,
engarzados a. las patas del conector para conseguir el rnnimo error de desalneacin (figura 2.22}'.
2.22 Vstagos de alineacin

del conector al circuito impreso.
37
En ambos tipos de conectores es importante que los contactos tengan una pelcula de oro de
espesor razonable (como mnimo 0,05 mm}. El paso entre contactos suele ser de 2,54 mm (O, 1 "),
aunque tambin se fabrican con pasos de 3,81 mm, 3,96 mm y 5,08 mm.
Para finalizar, en la figura 2.23 se Indica la forma de establecer contacto entre los conectores
macho y hembra de un conector bilateral, el cual puede soldarse a la placa del circuito impreso por
inmersin o mediante conexiones arrolladas (wirewrap).
2.23 Corte en seccin

mostrando la forma de efectuar
la conexin elctrica entre el
contacto macho y la 17embra --::::a.~--r._.__.. -- -
de un conector bilateral.
EUROCONECTOR (SCART)
ESCART es el nombre por el que se conoce el sistema europeo de conexin audio/vdeo, segn la
norma ENS0-049.
El euroconector es por tanto un conector normalizado, adoptado -o incluso de uso obligatorio-
en algunos pases europeos, cuya finalidad es la de ser utilzado por usuarios de televisores a los
que se conecten perifricos tales como grabadores de vdeo. juegos electrnicos, ordenadores
personales, equipos de Hl Fl, etc.
El euroconector fue una idea del SYNOICAT FRANQAIS DES CONSTRUCTEURS D'APAREILS DE RADIO ET
TCLEVlSION, por lo que en Francia se le conoce con la abreviatura SCART, siendo ste el pnmer pas
que oblig a su uso en todos los aparatos de televisin. .
El euroconector o conector SCART es un conector hembra
mltiple, con un total de 20 contactos ms uno de masa, los
cuales estn dispuestos alternndose en dos filas, tal y como se
ha dibujado en la figura 2.24. A esta parte se acopla un conec-
21
tor macho. dotado igualmente de 20 contactos (figura 2.25).
Los contactos. tanto los machos como las hembras, estn
~
1~ fabricados con plancha de latn estaado, de forma que se
establezca una buena conexin elctrica y permita, al mismo
~
1~ tiempo, que su coste sea reducido.
1~ sb6 La forma asimtrica del euroconector (figura 2.24) evlta todo

posible error de conexin por parte del usuario. Todos los televiso-
~4 res, grabadoras de vdeo, ordenadores personales, etc .. han de
1~ llevar obligatoriamente el conector hembra. por lo que la conexin
entre uno y otro aparato se realiza mediante cables de conexin en
~
1~ cuyos extremos se disponen sendos conectores machos.
~o
99
~
7~
~
5~
)
~4
39 [ 1
2.24 Disposicin 19 ~
1111111111'
2.25 Conector 111acho
de los 21 contactos 1111111111
de un euroconector. de un euroconector.
38
C'ONECTORE$
Lo ms lrrjportante-cel euroconector es su normalizacin en el orden d13 utilizacin de cada con-

tacto, de forma que una entrada de vdeo tiene el mismo nmero de contacto en el emisor que en el
receptor, lo cual significa que en los cables de unin (acabados con contactos macho) los cables es-
tn cruzados; as, por ejemplo, una salida de audio de canal derecho, cuyo borne es el t , est co-
nectado al borne '2 del otro. conector, en el cual se encuentra la entrada de audio del canal derecho.
Contactosdel euroconector
Por su especial importancia, a continuacin se relacionan cada una de las funciones re los 21 con-
tactos del euroconeotor:
i. Salida de seal de audio (canal derecho). En este borne se obtiene una seal de.audio con
una.amplitud de 0,5 V efcaces y una impedancia de salida de, por lo menos, i kQ.
2. Entrada de seal de audio (canal derecho). En este borne se podr aplicar unaseal de
audio con una amplitud de 0,2 a 2 V eficaces, y una mpedanca de entrada de 1 O kfl.
3. Salida de seal . de audio (canal izquierdo). L? amplitud de I~ seal de audio obtenida en
este borne es de 0,5 V y su impe.dancia de, por lo menos, 1 kQ.
4. En este borne se encuentra la masa comn de los dos canales de audio.
5. En este borne se encuentra la masa de la componente de croma azul (B).
6. Entrada de la seal de audio (canal izquierdo o monotnico). La seal aplicable a esta en-
trada deber tener una amplitud cornprendida entre 0,2 y 2 V eficaces, con una impedan-
cia de entrada de 1 o kn.
7. Entrada de la componente decroma azul (B). La sefial de. croma aplicable a este borne de-
ber tener un valor eficaz de, O, 7 V, con una impedancia de entrada de 75 Q.
8. Entrad de conmutacin lenta. A travs oe esta entrada se puede pasar de la ima.gen del
televisor a la proporcionada por una grabadora de vdeo. Con ima tensin de entrada de O a
1 V se est en posicin TV, y aplicando de 1 o a 12 V se conmuta a vdeo. La impedancia
de esta carga es, como mnimo . de 47 k11.
9. En este borne se encuentra la masa de la.componente de croma verde (G).
1 O. Linea de intercomunicacin.
11. Entrada de la componente de croma verde (G). La seal de croma aplicable a este borne
deber tener un valor eficaz de 0,7 V, con una impedancia de entrada de 75 Q.
12. Linea de intercomunicacin.
13. Masa de la componente d croma roja (R).
14. Masa de ntercomunicacin.
15. Entrada de la componente de croma roja. (R). La seal d croma aplicable a este borne de-
ber. tener un valor eficaz de O, 7 V, con una impedancia de entrada de 75 Q.
16. Entrada de conmutacin rpida (RGB). Este borne es utilizado para la conmutacin rpida,
necesaria para la insercin de una imagen a otra, por ejemplo caracteres. Con una tensin
de O a 0,4 V la imagen sera la del televisor, mientras que con una tensin de, 1a3 V la se-
al ser de vdeo, procedente del cable d.e conexin. La impedancia. es d 75 Q.
17. Masa de la salida d vdeo compuesta (CVBS).
18. Masa de c.onrnutacin rpida.
19. Salida de la seal compuesta de video (CVBS). La tensin eficaz de salida en este borne
es de 1 V y su impedancia de 75 Q.
20. Entrada de. la seal compuesta de vdeo (CVBS). La tensin eficaz aplicable a este borne
es de 1 V y su impedancia de 75 Q.
21. Masa de blindaje del euroconector,
CONECTORES PARA RADIOFRECUENCIA
En el caso de lneas de transporte de seales de radiofrecuencia superiores a 1 MHz deben em-

plearse conectores especiales, todos ellos coaxiales, especialmente diseados para ser utilizados
como terminales de cables coaxiales.
39
Dado que existe una gran diversidad de modelos. hemos elegido aquellos conectores para ra-
diofrecuencia que consideramos de mayor lnters para ser utilizados en radio y televisin.
Las figuras 2.26 y 2.27 corresponden a unos conectores (macho y hembra respectivamente)
segn normas USA. En estos conectores, la malla del cable coaxial debe estaarse y soldarse en
la cara interior del collarn estaado. El aislante del conductor debe tocar la espiga central.
2.26 Conector coaxial macho,

segn norma USA.
2.27 Bases nemars de

conectores coaxiales, segn
norma USA.
En el conector coaxial segn normas DIN (figura 2.28), el montaje es muy simple. El conductor
central hace contacto en una base de resorte, mientras que el conductor externo queda apretado
al cono por un manguito (figura 2.29).
------llll
2.29 Forma de efectuar
la conexin del cable
coaxlal a un conector
2.28 Conectores macho y como el de la figura
hembra para cables coaxiales. anterior.
segn normas DIN.
/
En la figura 2.30 se muestran unos conectores de la serie N; el de la figura 2.30a es una hem-
bra para panel, el de la figura 2.30b una hembra area, y el de la figura 2.30c un macho areo.
a) b) e)
2.30 Conectores de Ja serie N para radiofrecuencia. a) Hembt para panel. b) Hembra area. c) Macho areo.
40
CON.ECTORES
Los conectores de la serie N son completamente estancos, con acoplamiento por rosca, y son
los ms populares.
De impedancia constante, para cables coaxiales RG8/U, RG9/U y RG1 O/U, pueden ser utilza-
dos en lneas por las que circulen frecuencias de microondas (1 O GHz), con mnimo desequilibrio
en la lnea o Incremento de la relacin de onda estacionaria.
Se fabrican en versiones de 50 Q y 70 Q y, aunque los de 50 Q no se acoplan con los de 70 Q,
s que puede ernplearse cable de 75!1 con un conector de 50 Q cuando la impedancia no es crtica.
Soportan tensiones de pico de 500 V, o eficaces de 1.500 V durante un minuto. El tamao de
estos conectores es mediano.
h)
2.31 Mangutos de
acoplamento para conectores
de la serie N. a) Manguito recto
hembra. b) Manguito recto
macho. c) Manguito acodado.
d) Manguito en T.
En la figura 2.31 se muestran varios manguitos de acoplamiento entre conectores oe la serie N,

utilizables para prolongar lneas.
Los conectores de la figura 2.32 son de la serie BNC; los modelos a y b son hembras para pa-
nel, de los cuales el b posee un anclaje para cable, el e es una hembra area, y el d un macho areo.
a) b)
2.32 Conectores de la serie BNC

para radiofrecuencia. a) Hembra
para panel. b) Hembra para panel
con anclaje de cable. c) Hembra
i;) d) are,a. d) Macho areo.
Los conector.es de la serie BNC son pequeos, estancos y de conexin y desconexin rpida
por bayoneta.
La conexin se. efecta introduciendo el macho en la hembra, de forma que los dos pequeos
pivotes que posee sta se Introduzcan en las ranuras que a tal efecto lleva eJ macho, .y a continua-
cin se hace .girar el macho un cuarto de vuelta en l sentido de. la agujas del reloj, quedando as
un acoplamiento estanco y robusto'.
Los conectores de la serie BNC se emplean con cables coaxiales finos (RG55/U, RG59/U,
RG62/U y RG71 /U), con impedancia de 50 n. Operan satisfactoriamente hasta 1 O GHz con ten-
siones de 500 V de pico.
41
Al igual que en la serie N, tambin se fabrican manguitos de acoplamiento para conectores de

la serie BNC, de los cuales mostramos algunos modelos en la figura 2.33.
2.33 Manguitos de acoplamiento

para conectores de la serie BNC.
a) Manguito hembra areo.
b) Manguito recto macho.
c) Manguito acodado.
d) Manguito en T.
Los conectores de la figura 2.34 son de la serie C. Los de las figuras 2.348, 2.34b y 2.34c son
hembras para panel. El de la figura 2.34d es una hembra area, y el de la figura 2.34e un macho
areo.
a) b) e)
2.34 Conectores de la serie

e para radiofrecuencia.
a), b) y c) Hembras para
panel. d} Hembra area.
e) Macho areo. d) e)
Los conectores de la serie C son de tamao mediano, estancos y de impedancia constante de

50 .Q, por lo que se utilizan con cables coaxiales de 50 n, aunque pueden ser utilizados con cables
de 70 n cuando la impedancia no sea crtica.
Operan satisfactoriamente a 1,5 kV en un margen de frecuencias de O a 1 O GHz y a 4 kV en el
margen de O a 2 GHz.
El sistema de conexin es por bayoneta, al igual que los de la serie BNC. Los cables coaxiales
utilizables con estos conectores son los RG8/U, RG9/U, RG55/U y RG58/U, todos ellos de 50 n.
La figura 2.35 corresponde a un manguito recto, uno acodado y otro en T para el acoplamien-
to de conectores de la serie C.
a) b) e)
2.35 Manguitos de acoplamiento para conectores de la serie C. a) Manguito recto. b) Manguito acodado.
c) Manguito en T.
42
CONECTORES
En la figura 2.36 se muestran una hembra.para panel, una hembra recta area y un macho rec-
to areo de conectores de la serie HN. Estos conectores son estancos, .de impedancia constante
de 50 .(~. y estn diseados para aplicaciones de alta tensin hasta 1.500 V de pico a 5.000 V efi-
caces durante un minuto.
a) b) e)
2.36 Conectores de la serie HN para radiofrecuencia. a) Hembra para panel. b) Hembra recta area. c) Macho
recto areo.
B margen de frecuencia est comprenoldo entre O y 1 O GHz y su aco.plamiento es por rosca.

Los cables coaxiales que deben utilizarse con estos conectores son los RG8/U, RG9/U y RG10/U,
todos ellos de 50 .Q.
El manguito de la figura 2.37 es acodado, para conectores de la serie HN.
2.37 Manguito acodado para

acoplamfento de conectores
de la serie HN.
La figura 2.38 muestra un conector hembra para panel y un conector macho, recto, areo de la
serie UHF. Los conectores de esta serie se fabrican en dos tamaos diferentes, con uno o dos con-
tactos. Es una serie econmica, de aplicacin general y de impedancia no constante.
2.38 Conectores de Ja serie UHF.

a) Hembra para panel. b) Macho
areo.
a) b)
Trabajan satisfactoriamente hasta 200 MHz con tensiones de pico hasta 500 V, aunque pueden
utlzarse con precaucin hasta 500 MHz.
Los conectores de la serie UHF se fabrcan para cables coaxiales RG8/U, RG9/U, RG19/U,
RG11/U y RG12/U, mientras que los de la serie Bl-UHF se fabrican para cables RG22/U. Tanto en
una como en otra.serie las dos piezas del contacto se conectan mediante rosca.
Las fotografas de la figura 2.39 corresponden a algunos manguitos de la serie UHF, y la de la
figura 2.40 a un reductor para pasar de uno a otro tipo de cable. 2.39 Manguitos
para conectores
de la serie UHF.
a) Manguito recto.
b) Manguito para
paso de paneles.
t) Manguito
acodado.
a) e) d) Manguito en T.
43
2.40 Adaptador para reduccin

de cable.
Para finalizar diremos que, en ocasiones, es preciso conectar entre s dos lneas cuyos conec-
tores pertenecen a distintas series. En estos casos se utilizan adaptadores especiales, uno de cu-
yos extremos est diseado segn una serie y el otro segn la otra. As, existen adaptadores de la
serie N a la UHF, de la N a la BNC, de la BNC a la UHF, etc. En la figura 2.41 se muestran tres de
estos adaptadores.
2.41 Algunos modelos de

adaptadores para unir
conectores de distinta serie.
44
Resistencias
INTRODUCCIN
Las resistencias, tambin denominadas resistores, son el componente ms utilizado en los circui-
tos electrnicos.
Se trata de un componente de enorme importancia, a pesar de su sencillez, y al que debe pres-
tarse tanta o ms atencin que a los componentes activos (transistores, circuitos integrados, etc.).
Es muy corriente, sobre todo en principiantes, que. las resistencias se elijan por sus valores
hmicos y se descuiden factores tan Importantes como sus tolerancias, potencias de disipacin,
o incluso el tipo de resistencia ms adecuado para cada caso. Un buen profesional es conscien-
te de la importancia que este componente. tiene en un circuito electrnico, hasta tal punto que una
resistencia mal elegida puede ser la causa de serios y repetidos defectos en un sofisticado apa-
rato electrnico.
Dentro de un circuito las resistencias cumplen diversas funciones, tales como polarizacin, car-
ga, filtrado, atenuacin, divisor de. tensin, !imitador de corriente, etc.
Sea cual sea la misin que cumpla una resistencia en un circuito, su funcionamiento es siempre
el mismo: oponer una cierta dificultad al paso de la corriente elctrica. Esta dificultad se traduce en
una generacin de calor, es decir, en una prdida de la energa, puesto que dicho calor no es apro-
vechable, al menos en los circuitos electrnicos.
CLASIFICACIN DE LAS RESISTENCIAS
Las resistencias se clasifican, segn su construccin, en tijas, variables y ajustables.

Su denominacin bsica es, adems, consecuencia del elemento resistivo en s, que puede ser
una composicin de carbn, una pelcula depositada o un bobinado. De acuerdo con esto las re-
sistencias se clasifican en:
resistencias de carbn aglomerado

resistencias de pelcula de carbn
resistencias de pelcula metlica
resistencics de pelcula de cermet
resistencias bobinadas
resistencia .bobinadas vitrificadas
resistencias sobre. circuitos impresos
resistencias SMD n}inlatura de pelcula metlice
resistencias SMD miniatura de pelcula gruesa.
Resistencias de carbn aglomerado

En las resistencias de carbn aglomerado, el elemento resistivo es una masa homognea de grafi-
to o negro de humo finamente pulverizado y mezclado con una resina que acta como aglomeran-
te. Esta mezcla es luego fuertemente prensada en forma cilndrica y encapsulada .en un manguito
de material aislante (como el plstico) o revestida con un barniz protector sobre el que se Imprimen
45
las bandas de color que indican su valor hmico (figura 3.1). Los extremos del elemento resistivo es-
tn unidos a sendos terminales metlicos que facilitan la conexin del componente al circuito .

Manguito
-,
Elemento resistivo
3.1 Constitucin de una Terminal de conexin
resistencia de carbn aglomerado.
El valor hmico de la resistencia de carbn aglomerado depende de las proporciones de grafi-

to y aglutinante empleadas en su fabricacin. Para pequeos valores de resistencia la cantidad de
grafito (que es conductor) ser mayor.
El principal inconveniente de este tipo de resistencia es que no es de precisin, ya que segn
se efecta la mezcla de los materiales que la forman puede haber una gran disparidad de valores,
incluso dentro de la misma fase de fabricacin. Como resultado de ello, no suelen fabricarse resis-
tencias de carbn aglomerado con tolerancias por debajo del 5 %. Se fabrican con tolerancias del
5, 10 y 20 %.
Otro inconveniente que presentan es la oxidacin del carbn, lo cual da lugar a una variacin
importante del valor nominal de la resistencia, e incluso a su descomposicin. Esto ltimo es el mo-
tivo de que sea un componente muy propenso a averas, o causndolas asimismo en otros com-
ponentes del circuito al que pertenecen, tales como transistores, circuitos integrados, etc.
Un tercer inconveniente de estas resistencias es su elevada tensin de ruido. lo que las hace
poco idneas para ser utilizadas en etapas preamplificadoras, donde una alta tensin de ruido ser
muy amplificada por las etapas siguientes, dando lugar a un fuerte ruido en el altavoz.
Como virtud cabe citar su bajo precio, debido a lo barato de la materia prima utilizada, siendo
el tipo de resistencia ms econmica.
Resistencias de pelcula de carbn

En las resistencias en capa o pelcula de carbn el elemento resistivo es una finsima capa de gra-
fito cristalizado sobre un cuerpo aislante de forma cilndrica.
La composicin y el grosor de la capa vara segn el valor de la resistencia. La capa es conti-
nua para resistencias de hasta unos iO kW (figura 3.2) y en forma de espiral para valores ms al-
tos (figura 3.3}.
3.2 Resistencia de pelcula de 3.3 Resistencia de pelcula

carbn en torme de manguito. de carbn en forma de espiral.
El cuerpo aislante central es, en algunos casos, un minsculo tubo de cristal con los terminales
de conexin Insertados en cada extremo (figura 3.4). Una vez depositada la capa de grafito sobre
el tubo de cristal, sta se recubre con una capa de resina aislante.
En otros casos el soporte aislante es una barrita de material cermico sobre el que se deposita
la capa resistiva. Una vez depositada la capa, se aplican a presin, en cada extremo de la barrita,
46
RESISTEN.CIAS
3.4 Corte en seccin de una

resistencia de pelcula de carbn.
unas cazoletas metlicas sobre las que se sueldan los terminales de conexin. El conjunto se pro-
tege finalmente con varias capas de barniz que protege el carbn de posibles roces y facilita la di-
sipacin del calor.
Sobre el barniz se pintan luego las tres o cuatro bandas de color que hacen referencia a su va-
lor hmico y tolerancia.
Este tipo de resistencia es muy utilizado debido a su excelente estabilidad frente a cambios en
las condiciones de carga o en los niveles de. humedad, junto con un nivel .de ruido muy reducido y
bajo precio (poco ms que el de las de carbn aglomerado).
Son capaces de. resistir temperaturas de 70 Cal aire libre en montaje horizontal. La ternperatu-
ra superficial mxima permitida en el punto ms caliente del cuerpo de la resistencia es de 155 C.
Resistencias de pelcula metlica

Las resistencias de pelcul metlica son una variante de las de carbn estudiadas en el apartado
anterior. Consisten en sustituir la capa de grafito cristalizado por una aleacin metlica de alta cons-
tante resistiva (nquel y cromo, o bin oro y platino) o por un xido metlico (xido de estao).
La capa metlica ha de ser inoxidable para que mantenga su valor hmico constante durante
toda su vida. A pesar de ello, se las recubre con barnices que impiden la accin del oxgeno atmos-
frico sobre ellas.
Al igual que en las de pelcula de carbn, se efecta un esplralado en la capa metlica para au-
mentar su resistencia y conseguir as resistencias de elevado valor.
Aunque el proceso de taorcaoin de estas resistencias es complejo, ya que conlleva una serie
de severos controles de calidad y la materia prima utilizada es ms cara que el grafito, el precio de las
resistencias de pelcula rnetlica.es relativamente bajo (de tres a sis veces superior al de las de car-
bn aglomerado), lo cual justifica su utilizacin en aparatos de gran precisin y fiabilidad.
Efectivamente, un coste tres veces superior en la partida dedicada a las resistencias no afecta
en gran medida al precio total del producto acabado y, sin embargo, la fiabilidad y precisin de ste
aumenta consider.ablemente, pues mientras las resistencias de carbn no se pueden fabricar con
tolerancias por debajo del 5 %, en las de pelcula se obtienen tolerancias del O, 1, 0,5, 1 y 2 %.
Como inconveniente de estas resistencias cabe citar su baja potencia de disipacin, ya que so-
portan mal el calor. Tngase en cuenta que el sobreceentarolerto da lugar a una deformacin de la
capa superficial, alterndose con ello el valor hmico nominal de la resistencia. Esto ltimo hace que
su uso quede limitado a potencias de hasta unos pocos vatios.
Resistencias de pelcula de cermet

B cetmet es un material refractario formado por una mezcla ntima de productos cermicos y me-
tales en polvo. La presencia de los productos cerrniccs en la capa resistiva hace que sta ad-
quiera un alto valor hmico, razn por la cual las resistencias fabricadas con este material poseen
elevados valores de resistencia hmica (por encima de los 10 M.Q).
Los cermets presentan una gran resistencia a la corrosin, soportan muy bien altas temperatu-
ras, as como cambios bruscos de sta; y poseen notable resistencia mecnica.
En la figura 3.5 se puede ver una resistencia de pelcula de cermet de alto valor hmico. Cons-
ta de un sustrato cermico sobre el que se deposita una fina capa de cerrnet. sta se protege con
un revestimiento de resina ignfuga.
3.5 Resistencia de pelcula

de cermet.
47
Son resistencias apropiadas para circuitos con gran impedancia de entrada, redes de tempori-
zacin y circuitos osciladores de cuarzo.
La resistencia de la figura 3.5 puede disipar hasta 0,4 W a una temperatura de 70 C; su tole-
rancia es de 5 %; el coeficiente de temperatura es de 300 pprn/C; la tensin continua mxima
de trabajo es de 1 kV y pueden operar en el intervalo de temperaturas ambientes comprendidas en-
tre O C y +130 C.
Resistencias bobinadas
Para la fabricacin de las resistencias bobinadas se utiliza hilo conductor que posea una resistivi-
dad elevada.
Como material resistivo se utilizan aleaciones metlicas en las que no slo la resistividad es alta,
sino que la variacin de la resistencia por cambio de temperatura sea el menor posible. Un ejem-
plo tpico es el constantn, que se compone de un 54 % de cobre, un 45 % de nquel y un 1 % de
manganeso. En comparacin con el cobre, su resistencia especfica es 30 veces ms alta, mien-
tras que la alteracin de la resistencia por causa de la temperatura es 400 veces menor.
El hilo conductor, de elevada resistencia especfica, se arrolla sobre un cuerpo aislante, gene-
ralmente un tubo de cermica (figura 3.6).
3. 6 Corte en seccin de
una resistencia bobinada.
Los extremos del hilo generalmente se fijan con abrazaderas que, a su vez, pueden servir como
conexiones para el montaje. Si las abrazaderas son desplazables se pueden obtener resistencias
parciales (figura 3. 7).
3. 7 Aspecto externo de dos

resistencias bobinadas con
abrazaderas desplazables.
Otros materiales utilizados en la fabricacin del bobinado de estas resistencias son el nicromo,
el aluminio y el hierro.
La base aislante (de cermica, esteatita, mica u otro aislante adecuado) ha de ser hueca (vase la
figura 3. 7) ya que estas resistencias se utilizan en partes del circuito donde el paso de corriente es ele-
vado y, por- tanto, su potencia de disipacin ser tambin alta. Con un diseo hueco de la base ais-
lante se favorece la refrigeracin de la resistencia y, en consecuencia, sus condiciones de trabajo.
Para evitar posibles cortocircuitos entre espiras del arrollamiento (o entre ste y otras partes del
circuito en donde se dispongan) el cuerpo de la resistencia se recubre con una capa de esmalte vi-
trificado, el cual permite, adems, soportar elevadas temperaturas de trabajo.
Las dimensiones de estas resistencias son considerables, ya que han de soportar potencias de
disipacin que en ocasiones alcanzan los 1 .000 W.
Las resistencias bobinadas slo se fabrican hasta, aproximadamente, 220 kQ, ya que el valor
hmico de las mismas viene dado por la igualdad:
I
R=p-
S
48
RESISTENCIA$
donde res la resistividad del hilo utilizado en Q:.mm2/m, /la longitud del hilo en metros y S su sec-
cin en mm2, por lo que, incluso utilizando hilos de slo 0,03: mm de dimetro, las drnenelones de
la resistencia alcanzan valores excesivos.
Cuando la resistencia bobinada deba soportar cambios bruscos de temperatura se recurre. a
tropicallzarla, fo cual consiste en recubrir la resistencia con algn aislante y disponer el conjunto
dentro de un tubo cermico o de vidrio cerrado, del cual slo salen al exterior los terminales de co-
nexion.
Resistencias bobinadas vitrificadas

Las resetencle: vitrificadas son una variante de las estudiadas en el apartado anterior.
En esencia son de constitucin idntica, pero con la particularidad de que el bobinado est re-
cubierto por un prisma cermico vitrificado, de seccin cuadrada, y de gran espesor comparado
con el tamao de la resistencia, permitiendo con ello un mejor aislamiento trmico de la resistencia
respecto de cornponentes cercanos que disipen gran cantidad de calor. Esto ltimo hace que sean
idneas para disponerlas en fuentes de alimentacin, cerca del transformador o de los radiadores
de calor de transistores de potencia. En la figura 3.8 se puede ver el aspecto externo de un par de
resistencias bobnadas vitrificadas.
3.8 Aspecto externo de dos

resistencias bobinadas vitrificadas.
Resistencias sobre circuitos impresos

Otra forma constructiva de resistencia, mucho menos utilizada que todas las anteriores, es la que
emplea una base de circuito impreso (figura 3.9).
3.9 Resistencia sobre base

de circuito impreso.
Se trata de depositar sobre un material aislante (fibra de vidri, baquelita, etc.) una capa muy
fina de material resistivo, cuyo espesor y superficie.sea adecuado aJ valor hmico que se desea ob-
tener. El material utilizado puede ser oro, platino o el mismo cobre; pero de espesor muy pequeo,
lo cual hace que el proceso sea muy delicado ya que es fcil qwe se cometan interrupciones en l.
En estas resistencias la longitud del material resistivo ha de ser grande, por lo que para reducir
superficie la resistencia se disea en forma de greca (figura 3.9). Los valores obtenidos con este
tipo de r.esistencias son bajos y no estn normalizados, ya que es un proceso de fabricacin sobre
el propio circuito impreso.
49

Para obtener resistencias de valores ms elevados se utiliza como material resistivo la fibra de
vidrio metalizada, o bien pequeas plaquetas de dimensiones variables de material cermico con
los extremos baados en oro, para efectuar en ellos las conexiones.
Resistencias SMD miniatura de pelcula metlica

Se trata de resistencias para montaje superficial (SMD), es decir, resistencias de dimensiones muy
pequeas, sin terminales de conexin, cuya conexin a las pistas de los circuitos impresos se rea-
liza mediante procesos robotizados.
Las ventajas de esta tecnologa se pueden resumir en los siguientes puntos:
- Gran densidad de componentes sobre la placa y una elevada miniaturizacin de los mdu-
los electrnicos, gracias a las reducidas dimensiones de los componentes.
- No es necesario doblar ni cortar terminales.
- Mejores cualidades elctricas en circuitos de radiofrecuencia, pues se reducen las capaci-
dades e inductancias parsitas.
- No se necesita mecanizar la placa de circuito impreso (taladrado}.
- Se pueden utilizar placas de circuito impreso flexibles.
- Se reduce el nmero de pistas en los circuitos impresos.
- La robotizacin permite disponer simultneamente un elevado nmero de componentes so-
bre la placa del circuito impreso.
- Reduccin del trabajo posterior de revisin de las placas, pues disminuye el nmero de erro-
res en el montaje.
Todas estas ventajas se resumen en una: menor coste en la fabricacin y, por lo tanto, un aba-
ratamiento del producto final.
Existen dos tipos de resistencias para rnontaje superficial: las miniatura de pelcula metlica (fi-
gura 3.1 O) y las de chip basado en la tecnologa de pelcula gruesa (figura 3.11 ).
3.10 Resistencia miniatura de

pelcula metlica para montaje
superficial. 3.11 Resistencia
miniatura de pelcula
gruesa para montaje
superficial.
Las resistencias miniatura de pelcula metlica, tambin llamadas MELF (Metal Electrode Face
Bonding), se obtienen por disposicin de una fina pelcula metlica sobre un ncleo cilndrico de ce-
rmica, aislado por un encapsulado con resina epoxdica. Sus terminales son dos cpsulas metli-
cas, una en cada extremo, que reemplazan a los terminales de las resistencias convencionales (fi-
gura 3.10).
Las dimensiones de estas resistencias son de 3,6 mm de largo y 1,4 mm de dimetro. Se fa-
brican con valores comprendidos entre 0,22 n y 1 O Mn y tolerancias del 0,2, 0,25, 0,5, 1, 2 y 5 o/o.
La potencia mxima de disipacin a 70 C es de 250 mW.
Resistencias SMD miniatura de pelcula gruesa

Las resistencias chip de pelcula gruesa se fabrican mediante la serigrafa de una pasta resistiva so-
bre un sustrato cermico (almina). El valor de la resistencia se obtiene por sinterizado.
50
RESISTENCIAS
Los terminales de conexin de estas resistencias son dos pequeas lminas metlicas, en for-
ma de U, que se disponen firmetnente en cada uno de sus extremos (figura 3.11).
Estas resistencias. con forma de paraleleppedo rectangular. se fabrican en dos tamaos: 2 x
1,25 x 0,5 mm y 3,2 x 1,6 x 0,6 mm.
Se fabrican con valores comprendidos entre O f.! y 1 O M.O y tolerancias del 2, 5 y 1 O % .
La potencia mxima de disipacin a 70 Ces de 63 mW para las ms pequeas, y de.250 mW
para las de dirnensiones mayores.
REDES DE RESISTENCIAS
Se fabrican tambin redes d resistencias dispuestas en encapsulado cermico Dual In Line (DIL), en
encapsulado moldeado Single In Line (SIL) y en encapsulado DIL para montaje superfcial (SMD),
corno las que se muestran en las figuras 3.i2, 3.13 y 3.14 respectivamente.
. ,,; .~ ' ,:: ,.,. ., . 1

. ~. :;.
,. i
. 'I .. 1,.., __,
' .. -
. ' ~'. .r y
1 2 3 4 5 6 7 8
3.12 Resistencias 3.13 Resistencias dispuestas

dispuestas en encapsulado Vista superior. en encapsulado moldeado
cermico Dual In Line (DIL). Single In Lfne (SIL).
Cada cpsula contiene siete u echo resstencias individuales, o trece o quince resistencias co-
nectadas, cada una de ellas de idntico valor.
Son muy tiles en el diseo de circuitos digitales, donde se requieren muchas resistencias igua-
les de elevacin (pullup) o de cada (pu/1down).
Otra de las ventajas de estas cpsulas con resistencias es el ahorro de espacio y tiempo rec
querido para el montaje.
Se fabrican siguiendo los valores normalizados de la EIA y con potencas de dtsipacin de 0, 125 W
y 0,25 W (por resistencia individual).
7,62 --
11.~18 _ 5,59
r
, 2,03 \ 3.14 Resistencias
!-'-' o,31 ~ ~!
dispuestas en encapsulado
DIL para montaje
0.44 0,61 superficial (SMD).
51
-
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LAS RESISTENCIAS
No resulta econmico la fabricacin de todos los valores posibles de resistencias, ya que ello su-
pondra un proceso artesanal que las encarecera notablemente. Por este motivo, las resistencias
se fabrican con unos valores normalizados en todas sus caractersticas, que cubran toda una serie
de necesidades tcnicas y econmicas.
Con el fin de que el diseador de un circuito electrnico pueda elegir la resistencia ms ade-
cuada a las necesidades del circuito, los fabricantes de resistencias suministran toda clase de da-
tos sobre sus caractersticas de funcionamiento, dimensiones, etc. Estas caractersticas tcnicas
son las siguientes:
Potencia de disipacin.
Valor hmico.
Tolerancia.
Estabilidad.
Tensin mxima de trabajo.
Coeficiente de tensin.
Resistencia crtica.
Tensin de ruido.
Temperatura mxima de trabajo.
Lmites de frecuencia.
-
Coeficiente de temperatura.
Soldabilidad.
Almacenamiento.
Veamos por separado, y con todo detalle, el significado de cada uno de estos conceptos.
Potencia de disipacin
Siempre que una corriente elctrica circula por una resistencia se genera calor en ella.
En la resistencia, como elemento constructivo, el calor es sumamente inoportuno por tres razones:
1. El calor producido no es aprovechable, por lo que supone una prdida de energa.

2. El calor aumenta la temperatura, con lo cual se modifica el valor de la resistencia. Despus de
cierto tiempo se establece un estado de equilibrio entre el calor producido y el calor irradia-
do, con lo que la temperatura ya no sigue aumentando.
3. El calor producido por las resistencias puede afectar el correcto funcionamiento de otros
componentes vecinos, tales como los semiconductores, cuya corriente de fuga aumenta con
la temperatura.
De ninguna manera debe acumularse tanto calor que la resistencia resulte perjudicada, por lo
que hay que eliminar este problema. En los equipos de radio, televisin y de alta fidelidad las resis-
tencias se refrigeran por conveccin.
Efectivamente, dado que el aire caliente pesa menos que el aire fro y que, por tanto, tiende a su-
bir hacia arriba, la resistencia al calentarse calienta al mismo tiempo el aire que la rodea, el cual sube
hacia arriba y su lugar es ocupado por el aire fresco existente debajo de la resistencia o del circuito.
Esto es fcil de comprobar, por ejemplo, en un televisor en marcha, en el cual la superficie superior
del mueble est ms caliente que la superficie inferior del mismo. Existe pues una continua circu-
lacin de aire fro ascendente que refrigera todos los componentes en los que se produce calor,
como es el caso de las resistencias. Lgicamente, para que una refrigeracin de ese tipo sea eficaz
el mueble ha de disponer de los suficientes orificios de ventilacin que permitan la libre circulacin
natural del aire desde la parte inferior a la superior.
De todas formas. por muy bien ventilado que est el aparato, las resistencias siempre se calien-
tan; pero lo importante es que ese calor no las dae. Por este motivo las resistencias se fabrican
para un determinado lmite de carga, lo que evita que el calor generado las perjudique.
52
RESISTENCIAS
El lfn1rte de carga se indica en vatios. Pr eiernplo, una resistencia de 2 W tiene como lmite de
carga esos 2 W, es decir, que la potencia elctrica que se le suministre no debe sobrepasar los 2 W,
pues si los sobrepasa se destruir.
Es muy importante no confundir la potencia mxima de disipacin, o capacidad de carga de
una resistencia, con la potencia realmente radiada por ella, la cual debe ser menor.
La potencia disipada por una resistencia viene dada por la frmula:
P= VI
Donde V es la tensin aplicada a sus bornes e I la corriente que por ella circula.
As, suoenqarnos una resistencia de 47 Q a, la que se le. aplica una tensin de 1 O V. En estas cir-
cunstancias de funcionamiento, la intensidad de. corriente que por ella circula es de:
1= V= 10V ,,,Q213A
R 47Q '
y la potencia disipada en ella ser:
P =VI= to V x 0,213 A: 2,13 W
S.i fa resistencia es capaz de disipar esta potencia no ocurrir nada, pero si a.cotenca mxima
de dsipaciu de la resistencia fuese de tan slo 1 W, sta se calentara excesivamente y acabara
por destruirse.
La potencia disipada por una resJstencia puede tambin calcular-se con la frmula:
P= PR
La potencia. rnxma de disipacin de las resistencias vara con su tamao. Cuanto mayor sea
el tamao, mayor ser la superficie de la resistencia en contacto can el aire circundante y mayor
ser su poder de di$ipacin de calor.
Las resistencias de carbn aglomerado se fabrican para 1/8 W, 1/4 W, 1/2 W, 1 W y 2 W de
disipacin.
Las resistencias de pelcula de carbn se fabrican para 1/1 O W (o 1/8 W), 1/4 W, 1/3 W, 1 /2 W,
1 W, 1 ,5 W y 2 W.
Las resistencias de. pelcula metlica s fabrican normalmente para 1/4 W y /2 W.
Finaln1ente, en las resistencias bobinadas existe una amplia gama de formatos y potencias de
disipacin que van desde 1 W a 180 W.
Pero no es suficiente conocer el valor de la potencia de disipacin de una resistencia y sus con-
diciones de trabajo para qu,e sta funcione correctamente en un clrcuto electrnico dado; adems,
debe conocerse la temperatura ambiente en la que ha .de trabajar.
Efectlvamente, la potencia de disipacin de una resistencia queda seriamente afectada por la tempera-
tura ambiente, puesto que resulta ms fcil disipar
calor con una temperatura baja que alta. Por
esta razn, los fabrcantesdan el valor de lapo-
tencia mxima de disipacTn para una tempera- Tamao natural a 40 G e 70 e
tura ambiente dada, la cual suele ser de 70 C. (lDJ! 0,25 w 0,125 w
As, la capacidad de carga de una resisten-
cia de pelcula de carbn es, por ejemplo, de
St.'< 05W 0,25 w
0,5 W trabajando a una temperatura ambiente, '
de 40 C, y de slo 0,25 W si la temperatura 1,(J w

~ 0,5 w
ambiente es de. 70 C.
En la figura 3.15 se puede ver el tamao de
-~ 1,5 w 1,0 w
algunas resistencias de pelcula de carbn a ta-
mao natural y, al lado, la capacidad de carga 3.15 Potencia.s de disipacin mxirna a 40 y 70 "C
admisible a 40 C y a 70 C. de algunas resistencias de pelcula de carbn.
53
Ante la duda de cul debe ser la potencia de disipacin que debe tener una resistencia, lo me-
jor es elegir una resistencia con elevada potencia de disipacin; sin embargo, han de considerarse
dos importantes factores que influyen en la eleccin:
1 . Elegir todas las resistencias con elevada potencia de disipacin presupone aumentar consi-
derablemente el volumen ocupado por .el circuito .
2. Las resistencias de mayor potencia de disipacin son ms caras y, por lo tanto, se encare-
ce el producto.
Por estos motivos deben realizarse clculos sobre las condiciones de funcionamiento del cir-
cuito, de forma que cada resistencia tenga su potencia de disipacin adecuada.
Para elegir una resistencia sin temor a que sea destruida por un exceso de temperatura, se pro-
cede de la siguiente forma:
1 . Se calcula la potencia que disipar multiplicando la tensin que se le aplica por la intensidad
de corriente que por ella circula.
2. Se determina bajo qu condiciones de temperatura trabajar y qu influencia ejercer sta
sobre la potencia de disipacin.
Veamos un ejemplo de clculo: Para ello supondremos una resistencia de 200 Q a la que se le
aplica una tensin de 1 O V. La corriente que por ella circular ser:
V 10V
I = - = -- -- es O 05 A
R 200 Q '
y su potencia disipada:
P = VI = 1 O V x 0,05 A= 0,5 W
Supongamos que se trata de una resistencia de pelcula de xido metlico de alta estabilidad,
cuya variacin de la potencia mxima de disipacin en funcin de la temperatura ambiente viene
determinada por la curva de la figura 3.16.
100
...... 90
<. 1 -
-,
-.
1
Cl.."' 80 -
* 10
.._
-
~
:Q 60 r..
.!!
~ 50 -
"' 40
e::
~~
<,
-
'<::>
<> 30
<,
"'
.B-
.!Q 20
1
3. 16 Porcentaje de fa potencia e
10
1
<,
de disipacin en funcin de fa <,
o
1
temperatura ambiente, en una 1
resistencia de pelcula de xido o 25 50 100 150 200 235

metlico. Temperatura ambiente (C)
Si la resistencia ha de trabajar con una temperatura ambiente Inferior a 25 C, no existe, terica-

mente, inconveniente alguno en utilizar una resistencia con una potencia mxima de disipacin de
0,5 W; ahora bien, si la citada resistencia ha de trabajar con una temperatura ambiente de 100 C, la
potencia de disipacin admisible queda reducida en un 35 o/o, es decir, al 65% de su valor nominal:
65 65
Pmx = Pn = 0,33 W
100=0,5W100
54
RESISTENCIAS
Por lo que la resistencia se destruir,

A la temperatura ambiente. de 100 C se deber: por tanto utilizar una resistencia con una po-
tencia nornlnal de disipacin de:
100 Pmx _ 100 X 0,5 W = O ]? W

P= 65 '
65
Como no se fabrican resistencias de este valor, se utilizar su inmediato superior es decir, 1 W.

La temperatura. ambiente es aquella en la que el circuito trabaja a pleno funcionamiento, I~ cual
en ocasiones es superior a la temperatura del local en donde se encuentre el aparato debido al ca-
lor aesprendfdo por los componentes.
As, por ejempl, en un pequeo aparato de radio porttil el circuito no se calentar en exceso,
ya que trabaja con pequeas intensidades de corriente, por lo que en este caso se toma como
orientacin la mxima temperatura ambiente a la que ha de trabajar, aunque a veces pueda ser ex-
cedida (por ejemplo, cuando el usuario se lo lleva a la playa y lo expone al sol directo).
En los televisores no sucede este caso, ya que siempre trabajan en locales protegidos de la luz
directa solar (para una mejor visin). por lo que la temperatura ambiente de estos locales no suele
sobrepasar las propias del verano de cada lugar geogrfico; pero el receptor s trabaja con intensi-
dades de corriente ms elevadas, con etapas de poteneia que generan mucho calor (el cual se con-
centra en el interior del rnueble, aunque est bien ventilado), superndose en varios grados la tem-
peratura ambiente del local.
Se ha comprobado que, aun conocierro el valor de la potencia mxima sumlntstrada a la re-
sistencia, este valor no coincide con el valor mximo que es capaz de disipar cuando cambian las.
condiciones ambientales de tunconarnlento.
Como regla general de seguridad se elegirn las resistencias de forma que la disipacin nomi-
nal sea, como mximo, el doble de la real.
Finalmente, diremos que algunos fabricantes eligen la pintura protectora exterior de tal forma que
adquiera un marcado color tostado cuando la temperatura de la resistencia puede ser causa de al-
teraciones en sus caractersticas, aconsejndose en este caso la sustitucin por otra de mas po-
tencia de disipacin nominal.
Valor hmico y tolerancia de las resistencias

El valor hmico de las resistencias, es decir, la oposicin que ofrecen al paso de la corriente elc-
trica, no tiene ninguna relacin con su tamao, sino con las materias constituyentes de las mismas.
As, una resistencia de 47 n puede tener el mismo tamao que otra de 47 k.b, por la simple ra-
zn de poseer la misma potencia de disipacin nominal, o bien incluso ser ms grande de tamao
(siendo ms pequea de valor), debido a poseer una potencla de disipacin nominal mayor.
Lgicamente, en la prctica resulta imposible fabricar resistencias cuyos valores hmicos abarquen
todos los posibles. Por esta razn los tabrtcantes han adoptado una serie de valores determinados,
los cuales siguen una progresin definida matemticamente. Esta serie d.e valores fue confeccio-
nada durante los aos 40 por la E.LA. (ASOCIACIN DE INDUSTRIAS ELECTRNICAS DE EE UU).
Para su confeccin se tuvieron en cuenta las inevitables tolerancias de fabri.cacin de los com-
ponentes, de tal forma que conclclera la mxima tolerancia de un determinado valor con la mlnlma
del siguiente. Ello es debido a que en todo proceso de fabricacin debe preverse un determinado
margen de tolerancia en las caractersticas del producto acabado.
Veamos un ejemplo de lo que acabamos de exponer: supongamos que se estn fabricando re-
sistencias de 150 Q, pero debido a las tolerancias del proceso de.fabricacin, se obtienen resis-
tencias cuyos valores no son exactamente de 150 a, sino valores prximos a ste.
Nos encontramos as con dos valores: uno terco de 150 n y otros reales que oscilan alrede-
dor de los 150 n. La diferencia entre ambos valores se llama desviacin absoluta.
Si una resistencia mide 14 7 .Q y su valor terico, es decir, el que se quiere obtener, es de 150 .Q,
la desviacin absoluta ser:
150 Q - 147 Q = 3 .Q
55
Normalmente, en lugar de la desviacin absoluta es preferible utilizar el concepto de desviacin

relativa, la cual se obtiene con la frmula:
valor real valor terico %

1 00
valor terico
La tolerancia de una resistencia es la mxima desviacin, normalmente relativa, admisible en

ella. Como consecuencia, si una resistencia tiene una desviacin relativa que sobrepasa el valor de
la tolerancia, esa resistencia no se considera aceptable.
As, supongamos que al medir el valor de una resistencia obtenemos 154,5 D., siendo su valor
terico de 150 n. En esta circunstancia la desviacin relativa ser:
154,5D.-150Q 1009{ = 4,5Q 1 009{ = 450Q

%=3%
150 n 150 n 150 n
Si la tolerancia de fabricacin admitida es del 5 %, la resistencia en cuestin es vlida, puesto

que el 3 % de desviacin es inferior al 5 % . Pero si la tolerancia de fabricacin admitida es de tan
slo un 1 %, entonces la resistencia debe desecharse por mala.
La tolerancia puede dar un valor real de la resistencia superior o Inferior al valor terico, por este
motivo se indica siempre con los signos .
As, si se tiene una resistencia de 560 .Q con una tolerancia de 5 %, el valor real de dicha re-
sistencia estar comprendido entre:
560 n+ 5
x
560
n = 560 n+ 2 00 n = 560 n + 28 n = 588 n
100 100
560 n- 5
x
560
100
= 560 n- 2
800
100
= 560 n - 2a .o = 532 n
Es decir, que si la resistencia posee un valor real comprendido entre 532 Q y 588 .Q, se puede dar
por buena, pero nunca si ese valor es superior o inferior a estos valores lmites.
Las resistencias no se construyen, por tanto, en todos los valores posibles, sino en ciertos va-
lores normalizados. Esto simplifica la fabricacin, abarata sus costes de fabricacin y facilita el al-
macenaje. Adems, hay una razn obvia: una resistencia con un valor terico de 150 .O y una tole-
rancia de 5 o/o puede tener cualquier valor real comprendido entre 142 ,5 n y 157,5 n. por lo que
sera ilgico introducir otros valores tericos en este campo, ya que entonces podran aparecer dos
resistencias con diferente valor terico pero con el mismo valor real. Por esto, los valores tericos
se fijan de manera que sus lfmites de tolerancia se solapen un poco entre s.
En la tabla 3.1 puede ver los valores normalizados segn E.l.A.
En la parte superior de cada columna de la tabla 3.1 se ha puesto la letra E y un numero. Esta
letra y su nmero definen la tolerancia de todos los valores indicados debajo de ella. Las toleran-
cias correspondientes a cada columna son las siguientes:
COLUMNA TOLERANCIA
E192 . . . . . . . . . . . . . . . . 0,5 %
E96 . . . . . . . . . . . . . . . . 1 %
E48 . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 %
E24 . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 %
E12 10%
-20
E6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 %
E3 % +80 %
-0%+100%
56
RESISTENCIAS
1,00 1,00 1,00 1,78 1,78 1,78 3, 16 3, 16 316 5,62 5,62 5,62 1,0 1,0 1,0
1,01 1,80 3,20 ' 5,69 1 '1
1,02 1,02 1,82 1,82 3,24 3,24 5,76 5,76 1-,2 1,2
1,04 1,84 3,28 .5,83 1,3
1,05 1,05 1,05 1,87 1,87 1,87 3,32 3,32 3,32 5,90 5,90 5,90 1 ;5 1,5 1,5
1,06 1,89 3,36 5,9.7 1,6
1,07 1,07 1,91 1,91 3,40 3,40 6,04 6,04 1,8 1,8.
1,09 1,93 3,44 6,12 2,0
1'1 o 1, 1 o 1, 10 1,96 1,96 1,96 3,48 3,48 3,48 6,19 6,19 6,19 2,2 2,2 2,2
1, 11 1,98 3,52 6 .26 2.4
1,13 1, 13 2,00 2,00 3,57 3,57 6,34 6,34 2,7 2,7
1, 14 2,03 3,61 6,42 3,0
1, 15 1, 15 1, 15 2,05 2,05 2,05 3,65 3,65 3,65 6,49 6,49 6,49 3,3 3,3 33
'
1. 17 2,08 3,70 6,57 3,6
1, 18 1, 18 o
2, 1 2.1 o 3,74 3 74
'
6,65 6,65 3,9 3,9
1,20 2, 13 3,79 6,73 4,3
1,21 1.21 1,21 2 15 2, 15 2,15 3,83 3,83 3.83 6,81 6,8"1 . 6,81 4,7 4,7 4,7
' 6,90 5,1
1,23 2, 18 3,88
1,24 1,24 2,21 2 21 3,92 3,92 6,98 6,9.8 5,6 5,6
'
1,26 2,23 3,97 7,06 6,2
1 27
1. 1,27 1,27 2,26 2,26 2,26 4.02 4,02 4,02 7, 15 7,1.5 7,15 6,8 6,8 6,8
1,29 2,29 4,07 7,23 7,5
1,30 1,30 2,32 2,32 4,12 4, 12 7:32 7,32 8,2 8,2
1,32 2,34 4,17 7,41 9, 1
1,33 1,33 1,33 2,37 2 37 2,37 4,22 4,22 4,22 7,50 7,50 7,50
'
1,35 2,40 4,27 7,59
1,37 1,37 2,43 2,43 4,32 4,32 7,68 7,68
1,38 2,46 4,37 7,77
1,40 1,40 1,40 2 49 2,49 2,49 4,42 4,42 4,42 7,87 7,87 7,87
1,42 '
2,52 4,48 7,96
1,43 1,43 2.55 2,55 4 '. 53 4,53 8,06 8,06
1,45 2,58 4,59 8, 16
1,47 1,47 1,47 2,61 2,61 .2,61 4,64 4,64 4,64 8.25 8,25 8,25
1,49 2,64 4,70 8,35
1,50 1,50 2,67 2,67 4,75 4,75 8,45 8,45
1,52 2,71 481 8,56
1,54 1,54 1,54 2,74 2,74 2,74 4,87 487 4,87 8,66 8,66 8,66
'
1,56 2,77 4,93 8,76
1,58 1,58 2,80 2,80 4,99 4,99 8,87 8,87
1,60 2,84 5,05 8,98
1,62 1,62 1 ,62 2;87 2.87 2,87 5;11 5, 11 5. 11 9,09 9,09 9,09
1,64 2,91 5, 17 9,20
1,65 1,65 2,94 2,94 5,23 5,23 9,31 9,31
1,67 2,98 5,30 9,42
1 69 1,69 1,69 3,01 3,01 3,01 5,36 5,36 5,36 9,53 9,53 9,53
'
1,72 .3,05 5,42 9,65 Tabla 3. 1 Serie
1,7.4 1,74 3,09 3,09 5,49 5,49 9,76 9,76 de valores
1,76 3,12 5,56 9,88 normalizados segn
El.A.
57
-
.
As, en la columna E24 de la tabla 3.1 todos los valores de esta columna corresponden a una relacin
de tolerancia de +5 %. Si las necesidades del circuito admiten una tolerancia del 10 %, se puede pasar
con menos valores: partiendo de la columna E24, se deja uno de cada dos valores y as resulta la colum-
na E12. De igual forma se obtiene la columna E6 (dejando uno de cada dos valores de la columna E12).
Tambin se observa en la tabla 3.1 que los valores obtenidos se solapan debido a las toleran-
cias de fabricacin.
Sin duda el lector se preguntar qu ocurre con los valores de resistencias elevadas, ya que las
columnas E de la tabla 3.1 estn compuestas de nmeros formados por una unidad y uno o dos
decimales. Pues bien, la obtencin de los dems valores de resistencias se realiza multiplicando es-
tos valores bsicos por 1 O, 100, 1.000, etc. As, del valor bsico 6,8 Q resultan los valores deriva-
dos: 68 Q, 680 Q, 6,8 kQ, 68 kQ, 680 kQ, etc.
Finalmente, cabe decir que en los circuitos electrnicos para radio y televisin se utilizan resis-
tencias de las columnas E12 y E24, debido a que corresponden a tolerancias bastante aceptables
(+ 1 O% y 5 % respectivamente) y as no se encarecen en exceso los aparatos. En circuitos de pre-
cisin, como en los aparatos de medida, donde lo ms importante no es el precio sino la calidad,
se utilizan resistencias de precisin con tolerancias 9e1 1 % , e incluso menos.
Estabilidad
La estabilidad y la precisin son trminos que a veces pueden crear confusiones.
La estabilidad es el cambio de valor de la resistencia en condiciones de almacenamiento o de
trabajo, mientras que la precisin es la tolerancia de la resistencia al ser fabricada o seleccionada
As, se puede definir la estabilidad como el grado de independencia del valor hmico de la re-
sistencia frente a la temperatura, humedad, envejecirniento, etc.
Est demostrado que la variacin de temperatura (bien sea del medio ambiente, bien sea por el calor
generado en las resistencias), origina incrementos permanentes en el valor hmico de las resistencias,
mientras que altos ndices de humedad aumentan transitoriamente el valor hmico de las resistencias.
En general, las resistencias ms estables son las bobinadas (del orden del 1 al 2 %), seguidas,
en este orden, por las de pelcula metlica, las de pelcula de carbn y las aglomeradas.
Tensin mxima de trabajo

La tensin mxima de trabajo es la tensin mxima que .puede aplicarse a una resistencia en fun-
cin del valor hmico, con el fin de no sobrepasar la potencia mxima de disipacin.
As, para una resistencia de 2.000 Q y 2 W, la tensin mxima aplicable es de 20 V, puesto que:
V 20 V
I = R = 200 Q = O, 1 A
P =VI= 20 V x 0,1A=2 W
Tambin la longitud de la resistencia influye sobre la tensin mxima que debe aplicrsele. Pue-
de admitirse que para una resistencia de 5 cm de longitud la tensin mxima aplicable es de unos
1 .000 V, mientras que para resistencias de longitud 1 /4 de la anterior, es decir, 1,25 cm, la tensin
mxima de trabajo es inferior a 50 V.
De todas formas este parmetro difiere de uno a otro tipo de resistencia, por lo que los fabri-
cantes especifican este dato en sus catlogos.
Coeficiente de tensin
Cuando a una resistencia se le aplica una tensin entre sus terminales, el valor de sta sufre una
variacin, la cual es proporcional a la calidad de la resistencia. Esta variacin del valor de la resis-
tencia es, a su vez, tanto mayor cuanto mayor sea el valor hmico de la resistencia, siendo por tan-
to acusable para valores elevados, por encima de los 100 kQ.
En las resistencias de carbn la variacin que sufre el valor hmico de la resistencia es del orden
del 0,02 % por cada voltio aplicado; en las resistencias de pelcula metlica esta variacin es de tan
slo el 0,0001 % por voltio aplicado; y en las bobinadas la variacin es prcticamente nula.
58
RESISTENCIAS
En los catlogos de los fabricantes este valor suele expresarse en partes por milln (ppm). As,
por ejemplo, una resistencia de pelcula de carbn que tenga un coeficente de tensin inferior a
5 ppm, significa que su valor hmico vara en 5 ohmios por cada milln de ohmios y por voltio apli-
cado. Si la resistencia es de 100 kQ y la tensin a ella aplicada es de 1 O V, la variacin que sufrir
el valor de dicha resistencia ser interior a:
5
100.000 .Q X -1-_0-0-0.-00,_-0-
X 10 V = 5 .Q
Valor que es totalmente despreciable.
Resistenciacrtica
Se denomina resistencia crtica aquel valor de resistencia que para su potencia nominal de disipa-
cin provoca una cada de tensin igual al mximo admisible por el tipo de resistencia.
As, si V es la tensin mxima admisible por la resistencia y P la potencia de disipacin nominal
de sta, el valor de resistencia crtica. Re ser:
v2
Rc=- p
Dado qjJe la tensin mxima de trabajo es del orden de 200 a 800 V y la potencia de disipacin
no sobrepasa los 2 W (por el tamao de la resistencia), la resistencia. crtica variar de una a otra.
Tensin de ruido
La tensin de ruido o ruido de. fondo de una resistencia es un factor muy importante a la hora de
elegir un tipo determinado de resistencia, pues afecta a la calidad del aparato fabricado.
Efectivamente., en toda resistencia se generan dos. tipos de ruido:
1. Ruidos de agitacin trmica.

2. Ruidos debidos a /os cambios internos en la resistencia cuando la corriente circula a travs.
de e/fa.
El primero es debido a la agitacin molecular que se genera en cualquier conductor sometido a

temperaturas superiores al cero absoluto.
El segundo se debe a que, cuando una corriente circula por una resistencia, aparece en ella una
cada. de tensin que no es absolutamente constante, variando continuarnente dentro de unos l-
rnites. A esto se le da el nombre de ruido de fondo, y es independiente del primero.
La tensin de ruido depende del tipo de resistencia y se. expresa en V por voltio de cada de
tensin.
A mayor resistencia ms tensin de ruido se genera, ascomo a menor potencia d disipacin, tal y
como se puede apreciar en la figura 3.17, donde se. muestran las curvas de tensin de ruido, en funcin
del valor hmico, de diferentes resistencias 'de pelcula de carbn de potencias de disipacin distintas.
4tJC
2 1--1-
3. 17 Curvas caracterfsticas
de la tensin de ruido en
funcin de fa resistencia
hmica y de la potencia
de disipacin, en varias
O, 1 ~__..~-l...J...U.....u. Ll..l..LLL_....L--l.....1---'-1.!J resistencias de pelfcula
10k 20 50 100k 200 500 1M 2 5 10MR0(Q) de carbn.
59
As, por ejemplo, una resistencia de pelcula de carbn, de 0,33 W de potencia de disipacin a
40 C y 20 .Q de valor nominal, genera una tensin de ruido de unos 0,6 V por voltio aplicado,
mientras que una resistencia de 2 M.Q y 2 W de potencia de disipacin a 40 C genera ms de 1 V
por voltio aplicado.
De estas curvas se deduce que son preferibles las resistencias de elevada potencia de disipa-
cin y bajo valor hmico para las etapas de preamplificacin, ya que de lo contrario la tensin de
ruido ser elevada y, corno ser amplificada en etapas siguientes, se reproducir en el altavoz con
intensidad apreciable.
Las resistencias de pelcula de metal y las de pelcula de xido generan una tensin de ruido
muy baja, siendo por tanto idneas para ser utilizadas en etapas preamplificadoras.
La experiencia demuestra que en las resistencias de composicin (compuestas por diversos
materiales) el ruido de fondo crece linealmente con la corriente, mientras no se pase de unos 15 mA.
Para corrientes ms elevadas el ruido de fondo presenta un curso parablico.
Como se ha dicho, y lo repetimos por su importancia a veces olvidada, la tensin de ruido afec-
ta en gran medida a las etapas preamplificadoras de baja frecuencia, puesto que se amplifica en
sucesivas etapas y puede llegar a aparecer con gran amplitud a la salida de la etapa final; por esta
razn en los equipos de cierta categora es imprescindible utilizar resistencias de elevada calidad en
las etapas preamplificadoras.
Temperatura mxima de trabajo

La temperatura ambiente afecta en gran medida a las resistencias. As, las resistencias aglomera-
das de carbn soportan temperaturas de hasta unos 100 C; sobrepasada sta, se producen cam-
bios en la estructura de la envolvente usada para la amalgama de la resistencia.
La temperatura mxima recomendada en la superficie es de unos 11 O a 115 C.
Las resistencias pirolticas pueden funcionar con temperaturas superficiales mximas de 150 C,
las de pelcula metlica a 200 C y las de pelcula de xido a 300 C.
Para las resistencias bobinadas recubiertas de barniz, o con esmalte vtreo protector del arrolla-
miento, la temperatura mxima de trabajo depende de la cubierta protectora. Con cubierta de barniz
la temperatura mxima recomendable es de 130 C, mientras que para los tipos de cubierta vtrea
el lmite es muy superior, por encima de 320 C (algunas pueden trabajar a 450 C).
Lmites de frecuencia
En corriente alterna, las resistencias aglomeradas de carbn con valores hmicos alrededor de los 1 O k.Q
se comportan corno resistencias puras hasta frecuencias de varios MHz. Para frecuencias ms altas
la capacidad de derivacin de la resistencia llega a ser predominante y la impedancia desciende.
La inductancia de las resistencias aglomeradas de carbn no es causa, generalmente, de per-
turbaciones con frecuencias inferiores a los 100 MHz.
En los circuitos atenuadores, de carga, o divisores de tensin utilizados en VHF y UHF, debe te-
nerse en cuenta que las resistencias de capa espiralada y, sobre todo, las bobinadas presentan una
autoinduccin nada despreciable. Por ello, en estos circuitos es aconsejable utilizar las resistencias
aglomeradas o las de capa sin espiralar.
En las resistencias de pelcula sin espiralar, el valor hmico sufre menos alteracin a elevadsi-
mas frecuencias, debido al efecto pelicular de la corriente alterna, pues el elemento resistivo es pre-
cisamente una pelcula.
Los fabricantes de resistencias indican en sus catlogos la influencia de la frecuencia sobre la
resistencia.
En la figura 3.18 se han dibujado las curvas caractersticas del cociente Z/Rn de tres resisten-
cias de 1 O k.Q, 100 k.Q y 1 M.Q en funcin de la frecuencia. Se observa que cuanto mayor es el va-
lor de la resistencia menor es el cociente Z/Rn, es decir, ofrece menor impedancia al paso de la alta
frecuencia.
Veamos un ejemplo de lectura de las curvas de la figura 3.18: supongamos una resistencia de
1 O k.Q y otra de 100 k.Q trabajando en un circuito por el que circula una corriente de 1 O MHz; en
esta circunstancia, el cociente Z!Rn de la resistencia de 1 O k.Q es de 1, es decir, que ofrece una im-
pedancia de 1 O k.Q al paso de la corriente alterna.
60
RESISTENCIAS
1
0,9
0,8
~tttm:rn:os. . tttm[=t=J~j=
1
... ...
1
"'
\
~
O, 7 k.-l--:-R-H--MH-H+N--Rl-l--101-lo-l--~HR_.,___10-k-HH--l-+-l-i-
. "=1 Q \ "= kQ = Q
06 -'1..4-h-- - \- 1 IX
O, 5 l-l-1---Y.-,-,
.-H-H--Hl-'~-\-1-f--'--h--:+!-,'.
----.-1-H--l-'--H--l
~~f-
0,4 1-1-1---+-:"~+H+il--l-\l-l--l--+-+l-~o:H~H---l+rl
' -H--l-+'-:.~l-l--+frl--~'IJ:,
0,3 1-1-1--1--Hi+c-l ~ ~
3.18 Curvas caractersticas
0,2 - del cociente Z/Rn en funcin
l-l-l-++-l-l l~'-"'1 ..... 1'1-, -
O, 1 --l--1--'l-l-""--LI -- ---l>-~-1-1+1 de la frecuencia, en tres
,..... 1 .....
resistencias de pelcula de
1 to 1d' ~MHt) carbn espiralado.
Sin embargo, la resistencia de 100 kQ presenta un cociente Z/Rn de, aproximadamente, 0,68, lo
que quiere decir que, aunque su resistencia hmica sea de 100 kQ, su impedancia al paso de la co-
rriente alterna es de slo 68 kQ, lo cual influye, sin duda, en el correcto funcionamiento del circuito .
.Como consecuencia de lo expuesto se puede afirmar que, en los circuitos que han de trabajar
con altas frecuencias, las resistencias Man pe tener las siguientes caractersticas generales:
Dimensiones lo ms pequeas que sea posible.

Resistencia teoucice.
Ser del tpo de pelcula.
Son preferibles las resistencias largas y finas que fas cortes y QrUesas.
Las conexiones deben S?r tan eones como sea posible.
No deben presentar deformaciones geomtricas bruscas a lo largo de su longitud.
Coeficientede temperatura
El valor nrnico de cualquier resistencia difiere de una temperatura a. otra. La variacin del valor h-
mico d la resistencia con la temperatura puedecalcularse por medio del denominado ccetctent
de temperatura.
En la tabla 3.2 se ndican los coeficientes de temperatura aproximados para cada clase de re-
sistencia.
Aglomeradas de carbn +20a +70 0, 12
Pelcula metlica oro platino -40 a +150 +0,025 a + 0,06

segh composicin
nquel cromo -40 a +150 +0,015 a +0,02

segn composicin
Pelcula de xido -40 a +300 -0,05 a +0,05
Bobinadas de uso general +20 a +130 +0,02 Tabla 3.2

Coeficientes de
de precisin +20 a +130 +0,0005 temperatura de las
resistencias.
61
De la tabla 3.2 se deduce que para instrumentos de precisin ras mejores resistencias son las
bobinadas de precisin, ya que son tas menos afectadas por el coeficiente de temperatura. Las re-
sistencias aglomeradas de carbn son las ms susceptibles a la temperatura, ya que su valor h-
mico vara un 0.12% por cada grado centgrado de variacin de la temperatura.
Los fabricantes de resistencias suelen indicar en sus catlogos el coeficiente de temperatura
mediante datos numricos o mediante curvas caractersticas, como la de la fgura 3.19, referida a
resistencias de pelcula de carbn.
p.p.m. Intervalo de confianza del 90 %

e
100
o
- - -
1 ~ ,.,. 1
i rl .~ ... ...J 1
- - - n- -
!'-.
u
1
200 - !- .... "1
300 ~
~
3.19 Coeficiente 400 ,_ - ,. '". , .,.
~
1 1 .
'--' - 14 .
~ L
de temperatura en 1.
500 r,
partes por milln
- "
1
1 ' ... ....
y grado centgrado 600 1
. 1
. '. IX
en funci.n del valor 700 1 .... Valor
.1 medio
nomlns), en una 800 '
1 1 1 111 1
'
resistencia de 10 100 1k 10 k 100 k 1M 10M
pe/fcula de carbn. R0 (n)
En las curvas caractersticas de la figlJra 3. 19 se comprueba que el coeficiente de temperatura

se expresa en partes por milln por grado centgrado, en funcin del valor hmico.
A partir de cierto valor hmico (unos 10 kQ) el coeficiente de ternperatura desciende rpida-
mente, mientras que perrnanece constante entre 1 O n y 1 O kQ. Por debajo de 1 O Q el coeficiente
de temperatura puede ser positivo e inferior a 150 pp1n/C.
En la curva de la figura 3.19 se ha indicado un intervalo de confianza del 90 % (lneas a trazos)
ya que el valor medio (lnea continua} est tomado de una muestra de resistencias bajo prueba, cu-
yos coeficientes de temperatura oscilan por encima y por debajo de dicha lnea continua hasta los
lfn1ites dados por las lneas discontinuas.
Veamos finalmente un eje111plo de utilizacin de esta curva; para ello, tomaremos como referen-
cia la lnea continua de valores medios y supondremos que a 25 C el valor hmico de una resis-
tencia es de 100 kQ.
De la figura 3. 19 se obtiene un coeficiente de temperatura de, aproximadamente, 21 O ppm/C,
el cual es negativo por ser de carbn.
Si en esta circunstancia, y debido al funcionamiento del aparato, la temperatura ambiente sube
a, por ejemplo, 45 C, el valor hmico de la resistencia bajar a:
R~5 = R25 [ 1 -1.0~~.~00 (45 C - 25 C)] =
= 100.000 Q (1 - 0,00021 X 20 C) = 99.580 Q
Es decir, el valor hmico de la resistencia ha disminuido en 420 ~1.

Para finalizar, diremos que si bien en las resistencias de carbn el coeficiente de temperatura es
negativo, como en el ejemplo expuesto, en las metlicas el coeficiente es positivo. As, una resis-
tencia de pelcula metlica suele tener un coeficiente de temperatura de 100 ppm/C, valor ste
muy bajo y que la hace muy estable ante cambios de temperatura.
Bajo pedido especial los fabricantes de resistencias de pelcula metlica pueden suministrar re
slstencias con coeficientes de temperatura de tan slo 50 ppm/C.
62
RESJSTENOIAS
Soldabilidad
El sobrecalentamiento a que es sometida cualquier resistencia al ser soldada a un circuito puede
provocar alteraciones en la misma, sobre todo en las. aglomeradas eje carbn y, en menor exten-
sin, en las plroltcas.
Este cambio, debido al sobrecalentamiento, puede llegar a ser bastante importante (del orden
de un 25 %, de forma permanente) al soldar conexiones excesivamente cortas en equipos minia-
tura. Para evitar estos cambios de varar es aconsejable no efectuar soldaduras a distancias inferio-
res a 1 ,25 cm de la resistencia.
Estos efectos tambin pueden rnltiqarse efectuando soldaduras rpidas, uniendo el terminal de
conexin de la resistencia. a un elemento metlico que absorba el exceso de calor (por ejemplo las
puntas de unos alicates) y el cual no deber separarse antes de 15 segundos despus de quitar el
soldador, conservando limpias todas las superficies de las soldaduras, estaando los terminales de
la resistencia antes de efectuar la soldadura y manteniendo un buen contacto trmico entre el sol-
dador y el punto de unin.
Almacenamiento
Durante el alrnacenamento las resistencias sufren cambios en su valor hmico, ms o menos im-
portantes segn el tipo.
Las resistencias aglomeradas pueden cambiar en un 5 %, las bobinadas en un 0,5 % y las de
pelcula metlica en slo un O, 1 o/o. (e Incluso menos).
INDICACIN DEL VALOR DE UNA RESISTENCIA
El valor hmico de una resistencia se indlca por medio de cifras (en las bobinadas, por ejemplo} o
por anillos de color grabados sobre el cuerpo de la resistencia (en las aglomeradas de carbn y en
las de pelcula metlica o de carbn).
El sistema de Indicacin del valor hmico mediante anillos de color presenta las siguientes ven-
tajas:
En resistencias muy pequeas es ms perceptible l color que unas Cifras impresas.

Los anillos de color son bien legibles desde cualquier punto de vista, lo que es especial-
mente ventajoso si las resistencias estn en lugares poco accesibles.
A las ventajas expuestas se contraponen las siguientes desventajas:
La impresin en color del valor de las resistencias es ms cara que la impresin en cifras.
Es necesario aprender de memoria el cdigo para no tener que mirarlo constantemente.
Existen dos mtodos de indicar el valor hmico de una resistencia mediante anillos de color. El
primero se utiliza para las resistencias de las series E6, E12 y E24, y consiste en cuatro anillos de
color (tres para el valor hmico y uno para Ja tolerancia); el segundo se Utiliza para resistencias
de las series E48 y E96, y consiste en cinco anillos de color (cuatro para el valor hmico y uno para
la tolerancia).
En la tabla 3.3 se indican los valores de la clave de colores internacional, o cdigo de colores,
para las resistencias de las series E6, E12 y E24, puesto que como se puede comprobar en la ta-
bla 3.1 los valores normalizados de estas tres series estn constituidos por dos cifras significativas
y un factor por el que se multiplican.
El cuarto anillo corresponde a la tolerancia, la cual es de 20 % para la serie E6, + 1 O % para la
serie El2 y 5 % para la serie E24.
Los anillos se leen desde un extremo hacia el centro de la resistencia, tal y como se indica en la
figura 3.20, aunque en ocasiones los anillos en vez de estar dispuestos a un lado estn pintados
en el centro, en cuyo caso se deber disponer el anillo correspondiente a la tolerancia. en el lado
derecho.
63
-
Negro o 10
Marrn 1 1 101
Rojo 2 2 102
Naranja 3 3 103
Amarillo 4 4 i04
Verde 5 5 1 O"
Azul 6 6 106
Violeta 7 7 107
Gris 8 8 108
Blanco g g 109
Tabla 3.3 Plata 0,01 10o/o

Cdigo de colores
internacional para O, 1 5%
identificacin de Oro
resistencias de las
series EB, E12 Ninguno 20 o/o
y E24.
El anillo correspondiente a la tolerancia, que normalmente es dorado o plateado, se lee en uno

y otro caso en ltimo lugar.
1.er anillo (11 cifra)

2.9 anillo (2 cifra)
3. er anillo (Factor multiplicador)
i Tolerancia
3.20 Orden de lectura de los

anillos de una resistencia de las
series E6, E12 o E24.
El primer anillo indica la primera cifra del valor de la resistencia y el segundo anillo la segunda ci-
fra. Ambos anillos indican un nmero de dos cifras, que ha de estar incluido en las columnas nor-
malizadas E6, Ei 2 o E24 de la tabla 3. i.
El tercer anillo indica el factor por el cual se tienen que multiplicar las dos primeras cifras para
obtener el valor definitivo de la resistencia en ohmios. El cuarto anillo indica la tolerancia.
64
RESISTENCIAS
En la tabla 3.4 se puede ver el cdigo de colores de identificacin de resistenclas de las series
E48 y E96.
Consta de un total de cinco anillos, puesto que las columnas E48 y E96 poseen tres cifras sig-
nificativas. Se trata de resistencias de precisin, menos utilizadas que las anteriores.
Negro o o 10
Marrn 1 1 1 101 1 %
Rdjo 2 2 2 102 2%
Naranja 3 3 3 103
Amarillo 4 4 4
Verde 5. 5 5 105 0,5 %
Azul 6 6 6
Vileta 7 7 7
Gris 8 8 8 1 o
Blanco 9 9 9 109
'Tabla 3.4
Cdigo de colores
Plata 0,01 internacio.nal para
fdentificacin de
Oro 0,1 resistencias d las
series E48 y E96.
En la figura 3.21 se puede ver la forma de leer los anillos de estas resistencias, muy similar a la.
indicada para la figura 3.20, pero con la particularidad de que el tercer anillo corresponde ahora a
la tercera cifra significativa en lugar del factor multiplicador.
1. er anillo (1. 1 cifra)

2. Q anillo (2. i cifra)
3."' anillo (3. 1cifra)
4. g anillo (Factor multiplicador)
Tolerancia
' l 3.21 Orden de lectura de los

anillos de una o~sistencia de
las series E'48 o E96.
65
ELECCIN DE LA RESISTENCIA ADECUADA
En este captulo hemos visto las resistencias utilizadas en electrnica y sus caractersticas tcnicas.
Tambin hemos subrayado, en repetidas ocasiones, que no todas las resistencias son utiliza-
bles en cualquier circuito electrnico, ya que es fcil que no le proporcionen la calidad final que de
ellos se espera, como ocurre por ejemplo con las resistencias aglomeradas de carbn, las cuales
generan mucho ruido y, por lo tanto, no son utilizables en etapas preamplificadoras.
Mediante la tabla 3.5 se puede elegir la mejor resistencia para un determinado circuito, pues en
ella se resumen las caractersticas generales de los diversos tipos de resistencias, en aquellos pun-
tos que ms influyen en la eleccin.
Carbn aglon1erado 0,25 10Q-10Mfl 5 - 10 - 20 150

0,5 3,3 .Q - 22 MQ 5-1 o- 20
<20
250
-0.4 a-2 1
1 10 Q - 22 M.Q 5 - 1 o - 20 500
2 220 Q - 22 MQ 5 - 1 o - 20 500
Pelcula de sin espiralado 0,5 3,3 Q - 22 Mn 5 - 10 300

<2 -0,2 a-0.5 1,31
carbn 1 10 f2 - 22 MQ 5 - 10 450
con espiralado 1/8 1 o .Q - 330 kQ normal: 125

0,25 1 Q - 1 Mfl 2-5 - 10 250
<2 -0,2 a-0,5 1,54
0,5 1 il - 22 MQ envejecida: 500
1 3,3 !1- 22 MQ 0,5 - 1 - 2 750
2 10 Q- 22 MQ 750
Pelcula de nquel 0,25 1 Q - 1 M~l 200

y cromo aleados 0,5 0,47 Q 1 ,5 MQ O, 1 - 0,5 - 1 - 2 < 0,3 300 -0,1a+0,1 3a6
1 1 i1 - 4,7 Q 500
Pelcula de oro 0,25 0,33 Q - 220 kQ

y platino aleados 0,5 0,33 Q - 220 kQ o '5 - 1 < 0,1 0,25 a 0,35 7,7
1 0,33 !1 - 220 kQ
Pelcula de xido de estao 10 .Q - 10 MQ 1 -2-5 0,5 - 2 -0,4 a +0,4 3
Bobinadas 1 a 1000 0,1 Q - 220 kQ 2-5-10 -0, 1 a +O, 1 rruy variable
Tabla 3.5 Caractersticas generales de las resstencas.
66
Resistencias ajustables
y potencimetros
INTRODUCCIN
Todas las resistencias estudiadas en el captulo precedente poseen un valor nominal fijo, no variable.
No obstante, se fabrican tambin resistencias c:uyo valor hmico puede modificarse entre un valor
mnimo (generalmente cero ohmios) y un valor mximo. Para ello se les aaden unos. dispositivos m-
viles. Estas resistenelas reciben el nombre de resistencias ajustables (o restatos) y potencimetros.
Las resistencias ajustables estn dotadas de un dispositivo mvil, con el que se toma parte de
su valor total y ste se fija despus permanentemente. '\ .
Estas resistencias se utilizan para ajustar el valor total de una cadena de resistencias a un valor
fijo, bien determinado, que permita el funcionamiento en unas determinadas condiciones. Normal-
mente el dispositivo de ajuste no es accesible directamente desde el exterior. del aparato, con el fin
de evitar su manipulacin por profanos.
Como ejemplo de aplicacin de estas resistencias podemos citar la utilizada para equilibrar una
etapa de potencia en contratase.
Los potencimetros son resistencias dotadas de un dispositivo mvil mediante el cual se toma
parte del valor total (al igual que las ajustables), pero con la importante diferencia de que forman un
divisor de tensin, es decir, en todo momento circula corriente por la totalidad del elemento resisti-
vo, y una conexin central, variable en posicin, toma parte del valor total de la resistencia.
Al igual que las ajustables, tambin se utilizan para hacer funcionar un circuito. bajo unas condi-
ciones dadas, pero permitiendo su modificacin. El dispositivo mvil es normalmente .accesole
desde el exterior del aparato, pudiendo ser manejado por cualquier persona.
Como ejemplos de estos potencimetros podemos citar el de regulacin de volumen de un am-
plificador de audio, o el de regulacin de brillo de un televisor.
RESISTENCIAS AJUSTABLES
Las resistencias ajustables estn constituidas por una lmina de carbn aglomerado, con una co-
nexin fija al exterior por uno de sus extremos. sobre Ja lmina de carbn aglomerado se desliza
un segundo contacto (figura 4.1).
4. 1 Constitucin de una

11 / resistencia ajustable de carbn
Ietmlmte de la teststenci aglomerado.
6.7
Segn sea la posicin del cursor sobre la capa de carbn, as ser el valor de la resistencia.
Otro tipo de resistencias ajustables son las bobinadas, las cuales estn dotadas de una abra-
zadera deslizante por el cuerpo de la resistencia, y que segn sea su posicin tomar uno u otro
valor del total (figura 4.2).
4.2 Constitucin de una Anillo deslizante

resistencia ajustable bobinada.
Tanto en uno como en otro caso estas resistencias poseen slo dos elementos de conexin, lo
cual las diferencia de los potencimetros (dotados detres elementos de conexin).
El valor hmico de la resistencia est comprendido entre un valor nulo (cuando el cursor est
junto al contacto fijo) y un valor mximo que depende del valor hmico total del elemento resistivo
(cuando el cursor se encuentra en el extremo opuesto de la resistencia).
Cuando el cursor est junto al contacto fijo, o prximo a l, la resistencia es nula (o casi nula), por
lo que la intensidad de corriente que por ella circula es muy elevada, dando lugar a un calentamiento
excesivo del elemento resistivo y, por lo tanto, se corre el riesgo de su destruccin. Por este motivo,
las resistencias de ajuste se utilizan siempre en asociacin con una resistencia en serie, de valor fijo,
que limita la intensidad de corriente, evitando que se produzca un cortocircuito directo (figura 4.3).
4.3 La resistencia R, en serie con

la resistencia ajustable RA, limita la
intensidad de corriente que circula
por esta lti111a cuando su
resistencia es muy baja.
De todas formas, es absurdo utilizar una resistencia ajustable entre los dos polos de una fuen-
te de alimentacin, ya que su misin, como ya se ha indicado, es ajustar el valor hmico de una ca-
dena de resistencias a su valor correcto. As, en el caso de la figura 4.3, la resistencia R forma con
RA un divisor de tensin que, por exigencias del circuito, deber ser de valor exacto o variable en-
tre dos lmites muy estrechos. Si, por ejemplo, la tensin en bornes del conjunto ha de ser dividida
exactamente por dos, se pueden utilizar dos resistencias iguales pero, debido a las tolerancias de
fabricacin de las resistencias, esto es difcil de obtener. Sustituyendo una de ellas por una resis-
tencia ajustable resulta mucho ms fcil obtener el valor de tensin deseado.
Para finalizar, en la figura 4.4 se muestra el aspecto externo de algunas resistencias ajustables.
4.4 Fotografas de cuatro

resistencias ajustables
{dos de ellas miniatura),
para disposicin vertical
y horizontal sobre circuito

impreso.
68
RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCtMETROS
POTENCIMETROS
Los potencimetros son muy similares a las resistencias ajustables, aunque en ellos se aade un
tercer termina! que hace que su funcionamiento sea totalmente distinto.
Adems de la resistencia variable, existe una resistencia fija formada por toda la capa de car-
bn. Por la totalidad de la capa de carbn siempre circula corriente.
En la figura 4.5 se puede ver la constitucin de un potencimetro de carbn. Comparndola
con la figura 4.1 se aprecia la existencia del tercer terminal.
4.5 Constituc6n de un
potenc6metro de carbn
aglomerado.
Entre los terminales extremos existe siempre una resistencia de valor fijo. Entre el terminal cen-
tral (el del cursor) y cada uno de los extremos el valor hmico es variable entre un valor nulo y el
mximo propio del elemento resistivo, segn sea la posicin del cursor.
Se puede comparar el potencimetro con un divisor de tensin formado por dos resistencias en
serie cuyos valores individuales cambian de valor segn la posicin del cursor, pero cuyo valor h-
mico total es siempre el mismo; es decir, un divisor de tensin en el cual el aumento de valor de una
de sus resistencias supone una disminucin del mismo valor en la otra.
Clasificacin de los potencimetros

Existe gran variedad de potencimetros, cada uno de ellos diseado para fines concretos. En un
principio se pueden clasificar en dos grandes grupos:
Potencimetros ajustabfes
Potenciometro: variables
Los potencimetros ajustables son aquellos cuyo cursor se desplaza, durante el ajuste del apa-
rato, a una posicin bien determinada, permaneciendo en ella de forma fija durante prcticamente
toda la vida del aparato al que pertenece, a menos. que el envejecimiento o reparacin del mismo
aconseje un nuevo ajuste.
Los potencimetros variables son aquellos que pueden accionarse en cualquier momento para
variar las condiciones de funcionamiento del aparato, para lo cual se disponen de forma que sean
fcilmente accesibles por el usuario.
Adems de esta primera clasificacin, los potencimetros tambin pueden clasificarse en po-
tencimetros de uso general y en potencimetros de precisin.
Los de uso general pueden subdividirse en potencimetros de hilo bobinado y en potencime-
tros de carbn. Normalmente siguen leyes lineales y logartmicas.
Los potencimetros de precisin son siempre de hilo bobinado y, generalmente, siguen leyes li-
neales, senodales, cosenoidales u otras funciones matemticas.
Ya se ha dicho que los potencimetros, tanto los de ajuste como los variables, se fabrican de
numerosas formas constructivas. Dado que exponerlas todas resulta de difcil y larga exposicin, a
ttulo de ejemplo, exponemos q. continuacin algunas de ellas.
69

a) b) e) d)
4. 6 Fotografas de ocho
potencimetros de ajuste
(cuatro de ellos miniatura)
para disposicin vertical y
tiotizontst sobre circuitos
impresos. e) f) g) h)
En la fgura 4.6 se muestran varios potencirnetros de ajuste. En todos ellos se observa la pre-
sencia de tres terminales de conexin (en lugar de los dos que tienen las resistencias ajustables de
la figura 4.4).
Observando con atencin la figura 4.6, n la cual todos los potencimetros estn fotografiados
con la misma ampliacin, se puede observar que los cuatro primeros (a, b, c y d) son miniatura.
Los potencimetros b, e, f y g de la figura 4.6 tienen el terminal del cursor dispuesto entre los
terminales extremos, mientras que los potencimetros a, d, e y h lo tienen dispuesto en el centro,
pero en el extremo opuesto del cuerpo del componente.
Tambin se puede observar en la fgura 4.6 que unos modelos son para conexin vertical y
otros para conexin horizontal sobre circuito impreso.
Con todo ello queremos hacer patente que son innumerables los diseos que el fabricante pone
en manos del profesional, de forma que siempre se puede encontrar el modelo que mejor se ajus-
te a las necesidades del montaje.
Todos los potencimetros de ajuste de la figura 4.6 estn dotados de una ranura en su rgano
mvil. En dicha ranura se introduce la punta de un destornillador para girar a derecha o izquierda el
elemento deslizante de ajuste. De esta forma slo los entendidos procedern al ajuste del poten-
cimetro, evitando que manos inexpertas manipulen el interior del aparato y provoquen el desajus-
te del circuito. Como ejemplo de aplicacin de estos potencimetros citamos el control automtico
de ganancia de receptores de radio y televisin.
En la figura 4.7 se muestran varios potencimetros de ajuste dotados de un pequeo botn de
plstico, mediante el cual se acciona el cursor del potencimetro, haciendo innecesario el uso del
4.7 Fotografa de varios

potencimetros de ajuste,
dotados de un botn de
plstico que facilita la
labor de ajuste.
70
RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIMETROS
destornillador. Estos potencimetros suelen utilizarse en aqueJlas partes de un aparato en las que
el accionamiento de los mismos no presupone un grave desajuste del circuito. Al igual que los an-
teriores, se fabrican en unidades independientes o con varios en un mismo cuerpo, para montaje
horizontal o vertical, etc.
En la figura 4.8 se muestran varios potencimetros de carbn, de los denominados de mando,
los cuales se utilizan en aquellas partes del conjunto de circuitos que han de ser controladas por el
usuario, por ejemplo, los controles de tono, volumen, brillo, contraste, etc., de un televisor.
4. 8 Fotografa de varios potencimetros de carbn para msndo.
Se fabrican con ejes de diferente longitud, lo que permite su salida al exterior del mueble por los
orificios preparados para ello, aunque en ocasiones es preciso cortar parte del extremo del eje para
adaptarlo a las dimensiones que exija el botn de mando. Los ejes suelen ser cilndricos, aunque
tambin se fabrican con un pequeo rebaje lateral que evite el deslizamiento del botn de mando,
ya sea mediante un tornillo de presin o mediante un botn de mando cuyo orificio se adapte e la
forma del esprrago del potencimetro.
Se observa, en la figura 4.8, que los terminales de conexin de estos potencimetros se dispo-
nen en la parte lateral o en la posterior de sus cuerpos, con terrninales rectos o doblados, lo cual
facilita la conexin al circuito segn el diseo de ste.
Si bien los potencimetros de ajuste estudiados anteriormente se sujetan por soldadura de los
terminales, los de mando se sujetan rnediante tuerca y contratuerca (figura 4.8), ya que estn so-
metidos a mayores esfuerzos mecnicos.
Tambin se fabrican grupos de dos o tres potencimetros de. carbn dispuestos en un mismo
cuerpo y gobernados por un nico eje, o bien con dos ejes coaxiales que permiten el gobierno por
separado de cada uno de los potencimetros. Mediante estos potencimetros es posible regular
simultneamente. dos etapas electrnicas, o bien regularlas por separado, con un botn especial
cuya parte posterior gobierna un potencimetro y la parte anterior el otro.
En aparatos de radio porttiles de pequeo tamao alimentados por pilas, en los que la inten-
sidad de. corriente es pequea, se utilizan potencimetros miniatura dotados de interruptor, como
los de la figura 4.9. En estos potencimetros los dos terminales extremos (ms anchos) corres-
ponden al interruptor y los tres centrales al potencimetro. Al inicio del recorrido se abre o se cie-
rra el circuito de alimentacin, de forma que la puesta en marcha y apagado del aparato siempre
se realiza con volumen sonoro a cero.
4.9 Pequeos
potencimetros de
carbn dotados de
interruptor, muy
utilizados en receptores
ae.tedio porttiles.
71
4.10 Potencimetro de
accionamiento longitudinal
dotado de terminales con ojete
para conexin a cableado.
En la actualidad, suelen utilizarse bastante los potencimetros de control de volumen, brillo,

contraste, etc., de accionamiento longitudinal en vez de rotacional (figura 4.1 O). Este tipo de poten-
cimetros tiene la ventaja, respecto a los giratorios, de ofrecer una mejor visualizacin de la posicin
del cursor por parte del usuario, mediante la colocacin de una escala longitudinal.
Son muy utilizados en aquellos circuitos donde existe una gran concentracin de componentes,
pues admiten su montaje en batera aprovechando de forma ptima el espacio disponible.
Trimmers potenciomtricos SMD

La creciente miniaturizacin de los circuitos electrnicos afecta a todos los componentes y, natu-
ralmente, los potencimetros no son una excepcin.
En la figura 4.11 se muestran varios potencimetros para montaje superficial (SMD).
. -~ ~t
1.6 _,
D

t.s
1 09
4.11 Trimmers potenciomtricos -------r-- - -- . 4.6
1.0
D.L.~:~+-D
1
para montaje superficial (SMD),
con las respectivas plantillas 1.3 11.'.:
'~j
2
de los contactos para el ~-1.2
diseo del circuito impreso. .
, ---3.2
Se fabrican en estructura abierta y cerrada, con dimensiones de 2 a 12 mm2 segn modelo. Es-
tos potencimetros soportan muy bien la soldadura de reflujo y la manual . siendo ideales para el
montaje autorntlco.
El ajuste del valor hmico se realiza mediante una huella en cruz en la parte superior del poten-
cimetro. Pueden soportar potencias de 150 y 250 mW a 70 C. El elemento resistivo es el cermet,
que posee unas buenas caractersticas de temperatura.
Potencimetros multivuelta
En aplicaciones donde se requiere una gran precisin en el ajuste de los circuitos resulta interesan-
te que los potencimetros utilizados en ellos sean del tipo multivuelta, es decir, que para obtener el
valor mximo se deba girar el cursor (tornillo) varias vueltas, que pueden superar las veinte.
En la figura 4.12 se muestran varios potencimetros de esta clase. Las diferencias que se pue-
den observar entre unos y otros se encuentran en el acceso al cursor de ajuste, que puede reali-
zarse por la parte superior o por una de las caras laterales, y en la disposicin de las patitas de co-
72
RESISTENCIAS. AJUSTABLES Y POTENCIMETROS
4.12 Potencimetros
-
i~4 254
' --635 multivuelta.
1 1 1
t- ~ 1
,
1,a2 1,02
1 $ 2 <V 2.54;
1 2 31;;) '4,32
2,54 1 3 I l
-' $
- ~.35
- --1-.
--~'54 2'.S4
'
-
,
.. G
2,54 _ 2 4,83
1 3
<P
9,53 - 9.53
-----
-,o-----i:r
2,4 2,54
2,41 j
1 3 1
4.83
5.23
' G.
1
. j .
~ 1
. 1 9,53
2,54L_ -e-
i.L
3 1
2
2,54 2,54
9,53
nexin. Esto permite al diseador elegir aquel modelo que mejor se adapte al circuito, tanto por su
volumen como por la forma de acceso al ajuste.
Las dimensiones de estos potencimetros .son muy pequeas, tal y como se Indica en los aco-
tados de la figura 4.12.
En todos estos potencimetros el cursor queda inoperante en los extre.mos del recorrido.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS POTENCIMETROS
Al igual que las resistencias, los potencimetros se fabrican de forma que cubran toda una serie de
necesidades tcnicas y econmicas. Con este fin, los fabricantes suministran datos tcnicos sobre
sus caractersticas de funcionamiento, dimensiones, etc. Entre las caractersticas tcnicas de ma-
yor inters para el profesional electrnico caben citar las siguientes:
Valor hmico.
Disipacin mxima.
Linealidad.
Res.o/ucin.
Tensin m.xima admisible.
Tolerancia.
Resistencia efectiva mnima.
Resistencia a la humedad.
ngulo de rotacin.
Variacin del valor .hmico en funcin del ngulo de rotacin.
Nivel de ruido.
Estabilidad.
Par de accionamiento.
Par extremo.
73
Velocidad de accionamiento para potencimetros de servicio continuo.

Comportamiento ante las vibraciones.
A continuacin analizaremos cada uno de los parmetros citados.
Valor hmico
Los potencimetros de hilo bobinado para uso general se fabrican con valores superiores a los 500 Q,
y los de carbn hasta 5 MQ. El lmite inferior es, aproximadamente, de 1 .Q para los potencime-
tros de hilo bobinado y de 1 O .Q para los de carbn, aunque .resulta difcil mantener la estabilidad
de la resistencia por debajo de los 250 .Q.
Los potencimetros de precisin se fabrican con una resistencia en el lrrute superior de, apro-
ximadamente, 100 k.Q; por encima de este valor el tamao del potencimetro excede de los 13 cm
de dimetro.
Los potencimetros SMD se fabrican con resistencias .de 100 .Q a 1 M.Q, segn modelo, y los
multivuelta se fabrican con valores de hasta 5 MQ.
Los valores citados pueden hacerse variar, del mnimo al mximo, de forma lineal, logartmica,
antilogartmica, etc., segn las necesidades y aplicaciones del potencimetro. En radio y televisin
slo se utilizan los potencimetros que siguen leyes lineales y logartmicas.
El valor hmico de un potencimetro viene indicado mediante cifras y letras en su propio cuerpo.
As, la indicacin 4K7 fin advierte que se trata de un potencimetro cuyo valor mximo de resistencia
es de 4.700 .Q siguiendo una ley lineal, y la indicacin 10K log, advierte que el potencimetro en cues-
tin tiene una resistencia mxima de 1 O kQ y sigue una ley logartmica.
Potencia de disipacin mxima

La disipacin mxima, o potencia mxima de trabajo de un potencimetro, depende de la seguri-
dad requerida por lo que respecta a la elevacin de temperatura del mismo. Los fabricantes espe-
cifican en sus catlogos la potencia mxima de trabajo para una o dos temperaturas ambientes
dadas. las cuales suelen ser de 40 C y 70 C. As, por ejemplo, la potencia mxima de disipacin
de un pequeo potencimetro lineal puede venir expresada de la siguiente forma:
Potencia nominal a 40 C: 0,25 W

Potencia nominal a 70 C: 0, 1 O W
En otras ocasiones la potencia mxima de trabajo se representa en funcin de la temperatura

mediante una curva caracterstica como la de la. figura 4.13. La ordenada se ha dividido en por-
centajes de la potencia mxima admisible, mientras que la abscisa se divide en C. De su lectura se
deduce que entre O y 40 C el potencimetro admite una potencia de disipacin mxima del 100 % de
su valor, mientras que a partir de 40 "C el porcentaje de la potencia de disipacin mxima decre-
ce rpidamente, de forma que a 70 C el potencimetro puede resultar daado.
r, (o/o W)
100%
; <,
1
1
<,
-,
1
1
- --
1
1
40 % 1- - - - - - - - - ----1---- - - -- - - - -
1
1
1
1
4.13 Potencia nominal 1

1
de un potencimetro en
funcin de Ja temperatura. 40 70 T(C)
74
As, un potenotrnetro cuya potencia nominal sea de 400 mW a 40 C, slo admite 320 n1W a
50 C (un 80 % d la nominal), 240 mW a 60 C (un 60' 9'o de la nominal) y 160 mW a 70 "C (un 40 %
de la nominal).
A ttulo orientativo, se puede decir que las potencias mximas de trabajo en tos potencimetros
de hilo bobinado oscilan entre 0,5 W y 120 W (segn modelo} a 70 C, y entre 1 W y 150 W a 40 C.
En los potencimetros de carbn, las potencias mximas de trabajo son bastante inferiores, varian-
do segn el modelo entre 40 mW y 1 W a 70 C. y entre O, 1 W y 2 W a 40 C, En lo que respecta
a los potencimetros SMD las potencias de disipacin no superan los 250 mW a 70 C,
Finalmente cabe, decir que los potencimetros que siguen una ley logartmica soportan, a. igual-
dad de las dems condiciones, una potencia mxima de disipacin algo inferior a los lineales.
Linealidad
Se dice que un potencimetro posee una linealidad ideal cuando a cada incremento igual del n-
gulo de rotacin (o del movimiento longitudinal} del contacto deslizante, corresponde un cambio
constante de resistencia,
En la prctica esto nunca se. logra, por lo que la linealidad, o la precisin lineal, es la cantidad que
vara la resistencia real, en cualquier punto del contacto deslizante sobre la pastilla de carbn o del hilo,
de la esperada lnea recta que se obtendra en un grfico de coordenadas resstenciangulo de giro o
resistenciarecorrido. Por ejemplo, si un potencimetro de 100 kQ proporciona una linealidad d 0, 1 %,
ello quiere decir que su valor no debe variar en ms de 100 n a cada lado de la lnea de error nulo.
Resolucin
Recibe la denominacin de reeoiuaon la variacin de resistencia producida por un cierto cambio de
la posicin del contacto deslizante (generalmente la resistencia por vuelta del hilo resistivo). As, la re-
solucin es funcin del nmero de espiras del potencimetro.
Por ejernplo, un potencimetro de 200 .Q, conteniendo 50 espiras de hilo, tiene una resolucin
de 4 .Q, es decir, 4 Q por espira.
La resolucin puede definirse ms especficamente corno resolucin en resistencia (ohmios por
vuelta}, resolucin en tensin (cada de tensin por vuelta) o resolucin angular (cambio mnimo en
el ngulo del contacto, necesario para producir- una variacin de resistencia).
En general la resolucin en resistencia es la mitad de la linealidad. As, si la linealidad es de
0.1%, la resolucin en resistencia ser del 0,05% o incluso menos.
Coeficiente de temperatura
Para obtener el coeficiente de te1nperatura de un potencimetro se procede corno sigue:
1 . Se mide la resistencia del potencimetro, despreciando la. resistencia del contacto deslizan-
te, a la temperatura ambiente y se anota el valor obtenido.
2. Se eleva la temperatura ambiente y se mantiene hasta que el valor de la reststenca se esta-
biliza de nuevo, anotndose tanto la temperatura como el valor hmico del potencimetro.
3. Las operaciones citadas se repiten tres o cuatro veces.
El coeficiente de temperatura para cada una de las operaciones se calcula mediante la frmula:
donde:
a.= coeficiente de temperatura en partes por milln,

R1 = resistencia a la temperatura inferior, T,, en ohmios.
R2 = resistencia a la temperatura superior, T, en ohmios.
T, = temperatura inferior en "C.
T2 = temperatura superior en C.
75
El coeficiente de temperatura medio de las tres o cuatro operaciones efectuadas no debe ex-
ceder de 250 partes por milln por grado centgrado (es decir, 0,025 %/ce para los potenci-
rnetros de hilo bobinado de uso general, o de +1.200 partes por milln por grado centgrado en los
potencimetros de carbn (0, 12 %/C).
Normalmente, los fabricantes de potencimetros suministran este dato en sus catlogos me-
diante curvas caractersticas como las de la figura 4.14, referida a un potencimetro de carbn, En
esta curva la ordenada se ha dividido en partes por milln y C de temperatura, mientras que la
abscisa se ha dividido en valores hmicos siguiendo una ley logartmica.
2500 ..---,...,~~l-~11~1
~ll 1~11~1
1 -~lll
~ -~l~~~
l ,~
tf
p.p.m.lC
2.000 --1~- 1 1 1 11 -j- .. -

1.500 ,_ l-H-ll---~-1--
1
1.000 H+it--l-t--'-mttt---r-1
4.14 Curva caracterstica del
coeficiente de temperatura
en partes por milln y C de
temperatura, en funcin del
valor nominal de un too 1k to ioo 1M 10M
potencimetro de carbn. {Lmite de confianza 95 %) Rn (n)
En la figura 4.14 se ha indicado tambin, mediante lnea recta discontinua, el valor aceptable se-
gn norma CEl-190, la cual es fcilmente superable por la tecnologa actual.
La lnea continua corresponde a los coeficientes de temperatura, obtenida con valores medios y
con un lmite de confianza del 95 % sobre el valor dado. Se observa que el coeficiente de tempera-
tura oscila entre poco ms de 500 ppm/C para los potencimetros por debajo de 200 n y por en-
cima de 600 kO, y algo menos de 500 ppm/C para los que poseen una resistencia comprendida
entre estos dos valores. Por encirna de 1 MQ el coeficiente de temperatura se eleva rpidamente.
La lectura de la curva de la figura 4.14 se efecta de la siguiente forma. Supongamos que se
tiene un potencimetro de carbn de 1 O k. Segn la citada curva, el coeficiente de temperatura
de este potencimetro es de, aproximadamente, 300 ppm/C, es decir, que su resistencia dismi-
nuir un 0,030 % por cada grado centgrado que aumente la temperatura, puesto que se trata de
un potencimetro de carbn y este material posee un coeficiente de temperatura negativo (dismi-
nuye su valor hmico al aumentar la temperatura). De acuerdo con este dato, y si el potencimetro
posee una resistencia de 1 O kQ a 40 C, su resistencia a 70 C ser:
R70 = R40 [1 -T.Q~~~OO (70 C- 40 C)] = 10 k~2 (1 - 0,009) = 9.910 O
(90 ohmios inferior al valor nominal).
Tensin mxima admisible

En los potencimetros cabe distinguir entre tensin mxima de trabajo a travs del elemento resis-
tivo y tensin mxima de trabajo entre el eje y el elemento resistivo. Tanto uno como otro dato vie-
nen dados por el fabricante.
Por lo general la tensin mxima de trabajo oscila entre unos 250 V para los potencimetros de
tamao pequeo y 1 kV para los de mayor tamao.
El valor de tensin mxima admisible tambin es variable segn sea el potencimetro lineal o no
lineal. As, si un potencimetro lineal admite una tensin mxima de, por ejemplo, 500 V, un poten-
cimetro logartmico de igual resistencia hmica slo admite 350 V.
76
Tolerancia
Al igual que en el caso de las resistencias, en los potencimetros la tolerancia determina la preci-
sin con la que ha sido fabricado.
Para los potencimetros de carbn de uso general, ncluldos los de montaje superficial SMD, la
tolerancia suele ser de 20 %, mientras que para los de hilo bobinado de uso general la tolerancia
es, aproximadamente, de + 1 O %.
Resistenciaefectiva mnima
Todo potencimetro posee algn sistema de terminales del elemento resistivo, lo cual produce
unas zonas muertas en las qwe el contacto deslizante gira unos pocos grados sin originar cambio
en el valor de la resistencia.
Hay un pequeo intervalo (que se conoce con el nombre de resistencia de despegue) hasta que
el contacto deslizante hace contacto elctrico con el elemento resistivo.
Para. los potencimetros de carbn de uso general la resistencia de despegue ha de ser inferior
al 5 % del valor nominal, y para los potencimetros de hilo bobinado slo del 3 %.
Resistenciaa la humedad
La causa ms frecuente de avera en los potenclrnetros .es la humedad. Para evitar los daos pro-
vocados por ella (tales como corrosin de las partes metlicas, deformacjones de las partes pls-
ticas, etc.), los potencimetros se fabrican en su parte metlica. con materiales no corrosivos, o
bien disponen de anillos de estanqueidad entre la caja y el eje de giro.
Para determinar la,resistenca.a la humedad de un potencimetro el fabricante lo somete a una
prueba, consistente en mantenerlo un gran nmero de horas (por ejemplo, 500 h} en un recinto con
un 95 % de humedad relativa y midiendo despus el valor nominal del potencimetro, el cual ha de
variar lo menos posible.
En un potencimetro de carb6n de uso general la prueba antes citada provocara una variacin
del valor resistivo nominal interior al 1 O % .
En la figura 4.15 puede verse la curva caracterstica de incremento porcentual de resistencia en
funcin del valor hmico de potencimetros de carbn, sometidos a la prueba de calor hmedo es"
tablecida por la norma DIN 41450, consistente en someter el potencimetro a un preacondiciona-
miento de 23 2 C y 50 5 % de humedad relativa durante 24 horas, despus de las cuales se mide
su resistencia y, a continuacin, se almacena durante 250 horas a 40 C con una. humedad relativa
del 90 al 95 %. Pasada esta prueba el potencimetro se extrae del almacn y se mide su resistencia
pasadas 24 horas y a temperatura y humedad relativa-normal (25 + 5 C y 45. a 70 % de humedad
relativa).
En la fig.ura 4.15 se observa que los incrementos de resistencia despus de esta prueba se en-
cuentran por debajo del 5 %, siendo aceptables .segn la norma DIN 41450 incrementos del 15 %
hasta valores de 100 kQ, y del 20 % para valores por encima de 100 kn (lnea a trazos).
t.R 30 1 1
(o/o) 1 11 1
1
20 -
1 1
., -
1 1 111
Valor aceptable DIN41450
' .
1
to
4.15 Curva.caracterstica del
. ,_ incremento porcentual de
1 1 1 ' 1 resistencia en funcin del valor
1 ohmico de unos potencimetros
o100 1
1k 10k 100k
1
1M 10M de carbn sometidos a calor

(Lmite de confianza 95 %) R0 (!.1) hmedo durante 250 11.
77
ngulo efectivo de rotacin

Al tratar el concepto de resistencia efectiva nominal se mencionaba que en todo potencimetro
existen unas zonas muertas que se corresponden con dos ngulos de giro ineficaces. Estos ngu-
los generalmente no exceden del 1 O % del ngulo total de rotacin en los potencimetros de hilo
bobinado de uso general, y del 30 % en los potencimetros de carbn.
El ngulo efectivo de rotacin ser por tanto igual a:
360 - (2 x ngulo muerto+ espacio ocupado por Jos terminales}
Variacin del valor hmico en funcin del ngulo de rotacin

Como hemos visto, para cada ngulo de giro del cursor se tiene un valor hmico diferente.
Los fabricantes proporcionan las denominadas curvas de variacin del valor hmico en funcin
del ngulo de rotacin (figura 4.16}, que permiten conocer el valor hmico del potencimetro para
cada ngulo de rotacin.
R 100 ,----''--r-:::;;;;;;""'""":"71
(%)
80 1---+-
60
e A 8
40
4.16 Variacin del valor l1n1ico

de un potencimetro en funcin
del ngulo de rotacin.
A, potencimetro lineal; o ~~t'.::.._ __ _J_ _ _J
8, potencimetro logartmico; O 90 180 210 360
C, potencimetro antlogartmico. Rotacin del cursor
En esta figura se han dibujado, sobre un mismo sistema de coordenadas cartesianas, tres cur-
vas pertenecientes a otros tantos potencimetros; la curva A corresponde a un potencimetro li-
neal, la B a un potencimetro logartmico, y la C a un potencimetro antilogartmico.
En el caso de potencimetros con eje deslizante longitudinal, las curvas citadas no se repre-
sentan, naturalmente, en funcin del ngulo de rotacin, sino en funcin del % de deslizamiento
longitudinal del cursor (figura 4.17).
R 1 DO r--~--:----::::;;;o--;"11
(%)
80
60
40
4. 17 Variacin del valor hmico 20

de un potencimetro en funcin
del porcentaje de deslizamiento
lineal. A, potencimetro lineal; o ~....:::::::::::..__J _J
8, potencimetro logarftmico; o 25 50 15 100%
C, potencimetro antilogartmico. Desplazamiento del cursor
78
En el caso de los potencimetros lineales, el valor hmico de su resistencia vara de forma di-
rectamente proporcional al ngulo de giro o de desplazamiento del cursor. As, en el caso de la figu-
ra 4.17, cuando el cursor se encuentra al 50 % de su recorrido, la resistencia del potencimetro en-
tre el cursor y cada uno de los terminales extremos es tambin del 50 %.
Los potencimetros lineales ideales son aquellos cuya curva caracterstica es una lnea recta perfec-
ta, lo cual se cumple salvo en las zonas extremas, debido a la resistencia de despegue ya estudiada.
En los potencimetros logartmicos, el valor hmico existente entre el cursor y cada uno de los
extremos sigue una ley logartmica; es decir, que por cada ngulo de giro ex el valor hmico sernul-
tiplica por 1 O.
As, un potencimetro logartmico de 1 O k.Q tendr una resistencia entre el cursor y uno de sus
terminales extremos de 1 O kQ cuando el cursor est situado en un ngulo de 360, de 3 kQ a 270,
de 1 k~2 a 180", de 300 na 90, y de o Q a o-.
El potencimetro antilogartmico (curva C de las. figuras 4.16 y 4.17) es, lgicamente, de com-
portamiento opuesto al logartmico, es decir; aumenta logartmicarnente su resistencia al aumentar
el ngulo de giro o de desplazamiento del cursor.
Nivel de ruido
El nivel de ruido se obtiene aplicando una tensin continua de valor conocido (normalmente 1 O V)
a los terminales extremos del elemento resistivo y midiendo la tensin parsita de ruido en mV. La
relacin entre ambas magnitudes se expresa en dB.
A ttulo orientativo diremos que un potencimetro lineal de carbn para uso general suele tener
un nivel de ruido Inferior a 20 dB (nivel O dB =O, 1 mV a 1 kHz), y en los modelos logartmicos el
nivel de ruido es interior a 5 dB hasta el 5 % aproximadamente de la resistencia total y menor de
25 dB para valores mayores del citado 5 %.
Estabilidad
Mediante el dato estabilidad es posible conocer los cambios que sufrir la resistencia de1 poten-
cimetro en el transcurso del tiempo o bajo condiciones severas de funcionamiento.
Como dato orientativo diremos que en los potencimetros de carbn de uso general la tolerancia
de la estabilidad es del 15 % , y para los de hilo de uso general del 26 %.
La resistencia hmica entre el eje de accionamiento y el elemento resistivo se denomina resistencia
de aislamiento.
Esta resistencia ha de ser de valor muy elevado (generalrnente no inferior a 1.000 MQ), con el fin
de evitar prdidas de corriente y elminar peligros al operador cuando acciona el eje.
Para medir la resistencia de aislamiento se aplican 500 V (corriente continua) entre el eje y los
terminales del elemento resistivo. Dichos terminales se cortocircuitan para efectuar la prueba, la
cual se lleva a cabo durante un minuto.
Par de accionamiento
Se denornina par de accionamiento la fuerza necesaria para que el contacto deslizante comience a
moverse. Se mide en gcm, y su valor aumenta con el tamao del ootencirnetro.
Como ejemplo diremos que un potencimetro SMD suele tener un par de accionamiento de 1 O
a 150 gcm.
Durante el accionamiento el par es ligeramente inferior al d.el momento de arranque.
Actualmente la tendencia es expresar en los catlogos la fuerza de accionamiento en Newton.
As, a un potencimetro de carbn, del tipo de accionarnlento longitudinal, es preciso aplicarle una
fuerza de 1 a 3 . 5 N para que el cursor se desplace.
Par extremo
El cursor del potencimetro puede deteriorarse si se fuerza al llegar a los extremos de su recorrido;
para evitarlo, el potencimetro debe estar dotado de unos slidos topes, los cuales no deben su-
frir deterioro alguno al recibir el impacto. del contacto deslizante en su uso normal.
79
Las normas establecen una prueba, segn la cual, colocando el contacto deslizante en uno de los
extremos de su recorrido y aplicando un par al eje comprendido entre 5,7 y ,4 kq-cm, no debe
producirse dao alguno.
En la actualidad los fabricantes de potencimetros indican en sus catlogos el esfuerzo en el
tope en Newton. As, un potencimetro de carbn de accionamiento longitudinal es capaz de so-
portar una fuerza de 50 N a 1 O mm de la base de la corredera.
Velocidad de accionamiento
El desgaste y, por lo tanto, la vida del potencimetro, dependen de la velocidad de rotacin y de la
presin de contacto. sta debe ser, por lo tanto, lo ms baja posible.
Comportamientoante las vibraciones

En un potencimetro pueden presentarse serios problemas si el contacto deslizante vibra.
Entre stos, podemos destacar contactos intermitentes y cambio de la resistencia por desliza-
miento del cursor al ser sometido a una vibracin como, por ejemplo, en los receptores de radio
utilizados en automviles.
En consecuencia, es necesario evitar, o al menos disminuir, las vibraciones, situando incluso el
potencimetro en otro lugar si fuera necesario.
80
Condensadores
INTRODUCCIN
Los condensadores son dispositivos capaces de arnacenar una determinada cantidad de electrici-
dad. Estn compuestos por dos superficies conductoras enfrentadas, llamadas placas o armadu
ras, aisladas entre s por un material dielctrico
La capacidad de un condensador para almacenar electricidad es directamente proporcional a la
superficie de las placas conductoras enfrentadas e inversamente proporcional a la distancia de se-
paracin entre ellas, y depende de la constante dielctrica del aislante existente entre las placas.
Si el dielctrico es el aire ta constante dielctrica es 1. Si entre las armaduras se interpone una
lmina de papel impregnado, cuya constante dielctrica es 3,5, se obtiene un condensador con 3,5
veces, ms capacidad que el que utiliza el dielctrico de aire.
CLASIFICACIN DE LOS CONDENSADORES
El dato ms importante de un condensador es su capacidad, la cual puede ser fija o variable.

Esto los divide en dos grandes grupos:
Condensadores fijas.
Condensadores variables.
Segn el tipo de dielctrico utilizado los condensadores fijos se clasifican en:
Condensadores de mica.
Condensadores de pape/.
Condensadores de poliestlreno (styroex).
Condensadores de polipropilJJO.
Condensadores de pD!ister.
Condensadores de policsubcnetc.
Condensadores de pelcula plstica metalizada.
Condensadores cetrmcos.
Condensadores de sulfuro de polifenileno (SMD).
Condensadores electrolticos de aluminio.
Condensadoreselectrolticos de tantalio.
Se fabrican condensadores con otros tipos de dielctrico, pero que por su poca aplicacin no
hemos credo necesario citarlos en esta obra.
Condensadores de mica
La mica es un silicato de aluminio con una mezcla variada.de sales cuya resistividad es muy eleva-
da, del orden de 1015 a 1017 .Q cm, lo que la hace un excelente dielctrico para la fabricacin de
condensadores.
81
5. 1 Corte en seccin Armadura metlica

de un condensador con / Cuerpo de plstico n1ofdeado
dielctrico de mica.
/ / Dielctrico de mica
Terminal
de conexin
Los condensadores de mica consisten en un conjunto formado por una o ms hojas de mica y
otras ms pequeas de aluminio colocadas alternativamente (figura 5. 1 ).
Las hojas de aluminio de nmero par se desplazan ligeramente en un sentido y las impares en
sentido contrario, de forma que unas bridas metlicas -que mantienen apretado el paquete- unan
elctricamente las hojas pares con uno de los terminales y las impares con el otro (figura 5.2}.
Placas
1\
/ ' Cuerpo de plstico
I \'
._.--...;._
motoesdo
5.2 Fonna de establecer conexin

entre todas fas placas pares por Terminal
un lado y las impares por otro, Abrazadera
\ \metlica
en un condensador de mica. Dielctrico
Finalmente, el conjunto se protege con un plstico moldeado sobre el que se imprime el valor
del condensador.
Una variante ms reciente en la fabricacin de esta clase de condensadores consiste en la sus-
titucin de las hojas de aluminio por un metalizado superficial de la lmina de mica con plata.
Dado que la mica es un dielctrico muy estable y de elevada resistividad, estos condensadores
resultan idneos para ser utilizados en circuitos que trabajan en alta frecuencia, tales corno las eta-
pas osciladoras de radiofrecuencia, que admiten tensiones entre placas de varios miles de voltios
con espesores de mica de unas pocas micras.
Se fabrican con capacidades que oscilan entre 5 pF y 100 nF.
Los condensadores de mica metalizada no admiten frecuencias de trabajo tan elevadas como
los de lmina. Para obtener elevadas capacidades debe utilizarse un mayor nmero de placas y au-
mentar la cantidad de plata depositada sobre la mica durante el proceso de fabricacin.
Los condensadores de mica resultan en la actualidad de elevado precio, razn por la cual se li-
mita su empleo a aparatos profesionales.
Condensadores de papel
Los condensadores con dielctrico de papel son de uso general. Se fabrican enrollando una hoja
de papel entre dos hojas metlicas y aadiendo al conjunto una sustancia impregnada (figura 5.3).
Las hojas metlicas, que normalmente son de aluminio, se disponen desplazadas haca uno y otro
lado, de forma que al enrollar las lminas sobresalgan cada una d~ ellas por un extremo del dielctrico.
Cada lmina queda conectada a un terminal de conexin, y todo el conjunto se encierra en una
resina termoplstica moldeada, saliendo al exterior slo los terminales de conexin.
82
CONDENSADORES
Dielctrico de papel Cubierta tubular n1etlica sobre Jos dos

-------- ----
(Dos o ms /1ojas) Juegos de discos extremos
-- ------
Disco de baque/ita ..
----
F=====~ -
----~-:::.--
Hojas 1netlicas
Disco de cermica \ ' 5.3 Constitucin

o de neapreno \ Disco nretlico prensada ' de u11 condensador
contra los extremos de / \
con dielctrico de
-
las !1ajas
-~- -~ ;/
papel.
Zonas extremas no metalizadas

Cubierta de cartulina.
~~ baque/Izada
~
Hojas de papel
Ca/a tubular metllca metalizado
rebordeada
Disco de neopre110
7

Terminal
\\ Disco de baque/ita y 5.4 Conslituoin de
Elemento de retencin soldado un condensador de
\~n el extremo del cuerpo central papel 1netalizado.
Una variante de los condensadores de papel son los de papel metslizeck. En stos un lado del
papel est metalizado (figura 5.4). Este procedlrnientc defabricacin evita los posibles huecos en-
tre dielctrico y armadura.
Como principales caractersticas de estos condensadores cabe destacar su pequeo tamao y su
poder autorregenerante despus de apcare una sobr.etensin. Cuando el dielctrico se perfora, debi-
do a una sobretensin, el metal en la zona perforada se evapora, evitando el cortocircuito entre placas.
Esta forma constructiva es la ms usual en este tipo de condensadores, aunque para capaci-
dades elevadas se adopta el modo tubular, en forma de botes cilndricos o paraleleppedos. En este
caso es usual que los d.os terminales del condensador salgan al exterior por una de las bases.
Tambin se fabrican condensadores con dielctrico de papel impregnado en aceite. Se hacen
as para mejorar la rgidez dielctrica del papel, ya que el aceite la aumenta y, por tanto, permite
que puedan apficarse tensiones mayores entre las placas del
condensadot
Adems, el aceite es un material refrigerante que aumen-
ta los mrcenes de temperatura en los que puede trabajar .el
condensador, mantiene estable la capacidad y asla del me-
dio ambiente a todo el conjunto.
Los condensadores de papel impregnado en aceite son
muy utilzados en las emisoras de radio, ya que son idneos
para trabajar en circuitos donde las tensiones de funciona-
miento permanentes alcanzan varios miles de voltios.
Debldoa las elevadas tensiones y corrientes a las que son
sometidos estos condensadores, sus terminales tienen bor-
nes de conexin de gran seccin y, en ocasiones, roscados
con tuerca.de sujecin (figura 5.5). 5.5 conaeossoot con dietctrico de papel metalizado,
de elevada capacidad.
83
Condensadores styrof/ex (poliestireno)

Los condensadores styrotlex (o estiroflex) fueron uno
de los primeros condensadores con dielctrico de /
plstico.
Su dielctrico es el poliestireno, nombre con el que
tambin se les conoce aunque sea ms extendida la
denominacin comercial de styrotlex.
El poliestireno tiene una constante dielctrica ms
baja que la de otros materiales plsticos, pero tiene la
ventaja de no desintegrarse con las ondas ultracortas
ni con las frecuencias de televisin. Adems, resiste la
/
humedad, el cido sulfrico concentrado y la acetona.
En la figura 5.6 se muestra la fotografa de un con- 5.6 Condensador styroflex de
densador styroflex. Tambin se fabrican en forma de configuracin cilndrica.
paraleleppedo.
En estos condensadores el dielctrico es bastante
ms ancho que las hojas de aluminio o estao que forman sus placas. Las hojas de poliestireno y
las de aluminio se enrollan y, a continuacin, se colocan sendos alambres de conexin en cada uno
de los extremos, los cuales se sueldan a las armaduras (figura 5. 7).
Hojas de aluminio
o estao
Terminales soldados
a las hojas metlicas
5. 7 Constituci11 de un
condensador styroflex . ~~
(poliestireno). ~Extremos contrados
El conjunto de lminas de aluminio y dielctrico se calienta luego, con el fin de que se contrai-
ga el exceso de plstico y el condensador se cierre.
Los condensadores styroflex son muy populares ya que presentan una serie de ventajas desde
el punto de vista de su utilizacin, entre las que cabe citar:
Reducido factor de prdidas.

Gran resistencia de aislamiento.
Coeficiente de temperatura negativo con respuesta lineal.
Se fabrican con tensiones de trabajo comprendidas entre 30 y 600 V, dependiendo su tamao

de la tensin (a mayor tensin mayor tamao).
Su precio es ms elevado que los de papel y los de mica, pero su coeficiente de temperatura
negativo, que compensa en parte las variaciones que sufren las inductancias con ncleo de ferrita,
hace que sean muy utilizados en las etapas de radiofrecuencia.
La tolerancia de estos condensadores puede alcanzar valores muy bajos, del orden del 0,25 %,
por lo que son muy adecuados para circuitos de radiofrecuencia de gran precisin.
Slo en los casos en que no deba extremarse la fiabilidad del circuito, pueden ser sustituidos
por los de polister, al ser estos ltimos de precio ms bajo.
84
CONDENSADORES
Condensadores de poliprop ileno

El polipropileno es un plstico que posee propiedades anloqas a las del polietileno, pero tiene n1a-
yor resistencia al calor, a los disolventes orgnicos y a la radiacin nuclear,
Los. condensadores de. pollpropileno se fabrican igual qu los de pollestir.eno, pero sustituyen-
do. lgicamente, un dielctrico por el otro.
Son idneos y muy efectivos para ser utilizad.os en circuitos resonantes, en particular cuando
stos han de trabajar a temperaturas cercanas a los .85 C.
Al igual que los styroflex, su coeficiente de terrperatura es negativo, por lo que pueden sustltulr
y ser sustituidos por ellos. El aspecto externo de estos condensadores es muy similar a los de sty
roex.
Condensadores de polister
Los condensadores de polister han sustituido a. los de papel. Su construccin es idntica, con la
nica dferencia de sustituir el dielctrico de papel por uno de polister y metalizar los extremos sa-
lientes de las cintas de aluminio de forma que las espiras de dichas cintas queden cortoclrcuitadas,
reducindose as la inductancia parsita creada por las espiras. A dichos condensdores se les de-
nomina, por tal motivo, condensadores inductivamente pobres.
B eonjunto as fabricado se recubre Juego con una cera sinttica, o sustancia similar, sobre la
que se lmprime el valor del condensador. En algunas ocasiones la cubierta externa es transparen-
te, lo que permite apreciar su configuracin.
Se fabrican en forma cilndrica o plana, de tamao normal o miniatura. Presentan varias ventajas
sobre los de papel. entr.e las que cabe citar su mayor resistencia mecnica, no ser higroscpicos
y soportar un amplio margen de temperaturas que va desde.-55 Ca +150 C, con gran rigidez
dielctrica.
El dielctrico de polister carece de poros y sLI espesor es ms pequeo que el dielctrico de
papel (inferior a 1 m). En el caso de los, condensadores miniatura de pelcula ultradelgada de po-
lister el espesor del dielctrico est comprendido entre 1,5 y 2 m (de 15 a 20 veces ms fino que
un cabello humano normal).
La capacidad de estos condensadores tiende a aumentar ligeramente cuando aumenta la tern-
peratura, mientras que disminuye al aumentar la. frecuencia. Como dato orientativo diremos que su
capacidad 'disminuye un 3 % cuando se le aplica una frecuencia de 100 kHz. A partir de este valor
de frecuencia el porcentaje de disrninucin de capacidad aumenta mucho, por lo que no es acon-
sejable su utilizacin a frecuencias por encima del algunos megahercios.
Se fabrican con capaeidades comprendidas entre 2 pF y 1 O F segn tipo y modelo, con ten-
siones de servicio comprendidas entre 30 y 1.000 V.
Condensadores de policarbonato
Los condensadores de cocarbonato se fabrican en una gama de capacidades que va desde 1 nF
hasta 1 O F, es decir, con valores de capacidad bas.tante grandes.
Su margen de temperatura es similar a los de polister y su tensin de trabajo es mu,y supe-
rior a la de los anteriores, ya que abarca desde los 60 a los 1 .200 V con un bajo coeficiente de
prdidas.
Se fabrican normalmente con cuerpo cilndrico, y terrninales de conexin por arntos lados o
con salida por una sola de las bases.
Condensadore.s de pelcula plstica metalizada

Con el fin de reducir tas dimensiones de los condensadores de polister, pollcarbonato, pollpropl-
leno. etc., se ha desarrollado una nueva tcnica de fabricacin en la cual las lminas de alumlno se
sustituyen por un metalizado superficial del dielctrico. Estos condensadores reciben la denomina-
cin de condensadoresde pelfcula plstica metalizada.
Al igual que los de papel metalizado antes citados, tienen propiedades autorregenerantes si se
perforan por sobretensin. .
Los condensadores de plstico metalizado estn diseados para ser utilizados en circuitos im-
presos. Por esta razn, acostumbran a devanarse las cintas metalizadas en forma plana en lugar de
85
5.8 Corte en seccin de un ..

condensador con dielctrico ''

de plstico metalizado.
,
'
' .
'

~:
~
/i
'
. n
"' '
11 ~
cilndrica, y los terminales suelen salir paralelamente en lugar de axialmente, tal y como se muestra
en la figura 5.8.
El condensador se presenta recubierto de laca, en forma de paraleleppedo y, muy raramente,
en forma cilndrica.
Existen dentro de este grupo los condensadores de polister metalizado, los de acetato de ce-
lulosa metalizada, los de policarbonato metalizado y los de polipropileno metalizado.
Condensadores cermicos
Los condensadores cermicos son los que ms
se acercan al condensador ideal, pues su induc-
tancia, factor de potencia y tangente de prdidas
son prcticamente nulas.
r'i ,.,
1 1
Se fabrican en forma tubular, paraleleppeda y
en disco (figura 5.9).
Los condensadores cermicos tubulares con-
sisten en un tubito de cermica obtenida por extru-
sin. El tubito se metaliza interiormente, de forma 1 1
que uno de los extremos del metalizado sobresal-
ga y cubra una estrecha faja en la parte exterior {fi-
gura 5.1 O). 5.9 Condensadores cermicos.
El resto de la superficie exterior se metaliza de
forma que deje una faja libre para que no haga con-
tacto elctrico con la anterior.
Tubo certnico
Laca protectora
!
,/ Armadura exterior
/ /
/
Armadura
interior
5.10 Corte esquematizado de un !1 \

condensador cermico tubular. Terminales
86
CONDENSADORES
Las armaduras del condensador quedan as formadas por las dos capas metlicas que cubren
interior y exteriormente al tubo cermico.
Los terminales de conexin estn formados por dos espiras de alambre, soldadas sobre la ar-
madura exterior y la prolongacin de la armadura interior.
El conjunto se recubre de una laca protectora, sobre la que. se imprime con cifras o franjas de
color el valor capacitivo del condensador u otros datos que en su momento veremos.
El terminal correspondiente a la armadura exterior se sita de forma que quede ms alejado del
extremo del tubo que el otro terminal (figura 5.1 O).
De los dos terminales, el de la armadura exterior es el que debe conectarse a masa por razo-
nes de seguridad y de radiacin de la armadura vlve (la interior, no conectada a. masa).
Los condensadores cermicos de disco estn constituidos por un disco cermico cuyas dos
caras han sido metalizadas y sobre las cuales se sueldan los termlnales de conexin (figura 5. 11 ).
5.11 Corte esquematizado de un

condensador cermico de disco.
Se fabrican tambin condensadores cermicos rnulticapa, consistentes en varias capas de ce-

rmica metalizada, de modo que estn conectadas entre s, por un lado, todas las capas pares y,
por el otro, tedas las impares. El resultado de esta disposicin es la.suma de todas las superficies,
con lo cual se aumenta la capacidad del conjunto. En las figuras 5.12 y 5.13 se muestra el corte
esquematizado de dos condensadores cermicos rnulticapa con indicacin de sus partes consti-
tuyentes.
El modelo de la figura 5.12 no posee patitas de conexin, sino unas terminaciones longitudina-
les a ambos lados, cuyo fin es la de servir corno puntos de soldadura sobre circuito impreso en ca-
denas de rnontaje automatizadas (condensador SMD). Su tamao es minsculo: tan slo 3,45 mm
de largo por 1,85 mm de ancho en el formato industrial estndar 1206; o de 2 mm de largo, por
1,25 mm.de ancho y 0,7 mm de es.pesar en el formato industrial estndar 0805.
Dielctrico ceamico
5.12 Corte esquematizado

Tennnaciones de de un conde11sador
paladiun1plata cermico multicspe. del tipo
chip, para montaje
eutomsuco sobre circuito
Capas e metal impreso (SMD).
87
Dielctrico cermico Terminaciones de

paladiumplata
Cubierta
~ Capas de metal
5.13 Corte esquematizado de un

condensador cermico multicapa
con terminales para montaje Patitas de
conexin
manual sobre circuito impreso.
El modelo de la figura 5.13 posee patitas de conexin y, por lo tanto, es el utilizado para mon-
taje por soldadura manual sobre circuito impreso.
El titanato de bario es una cermica especial cuya utilizacin en la fabricacin de condensado-
res hace que stos sean muy eficaces en el acoplamiento, filtrado y supresin de interferencias. Se
fabrican con capacidades de 1 O a 220 nF y tensiones nominales de hasta 63 V.
Una clase especial de condensadores cermicos son los denominados pasantes o pasamuros
(figura 5.14).
Casquillo roscado (metlico)
Casquillo metlico
<,
I !
Hilo pasante
5.14 Corte esquematizado

de un
, .
condensador Plateado
cetsmico pasamuros.
Estos condensadores se emplean all donde la corriente continua o la corriente alterna de baja
frecuencia debe atravesar una pared apantalladora, mientras que la corriente alterna de alta fre-
cuencia debe derivarse a masa.
El condensador pasante consta de un manguito, roscado o no, que se atornilla o se suelda en
el apantallamiento, y que est unido a la armadura externa del condensador.
Una particularidad de los condensadores cermicos es la gran variedad de propiedades dielc-
tricas que pueden conseguirse aadiendo determinados aditivos a la masa cermica. Por este mo-
tivo la E.l.A. ha dividido los materiales cermicos en dos grandes grupos.
Los del grupo I poseen unas prdidas muy pequeas, del orden de 0,3 x 10-3, y su capacidad
est afectada por un coeficiente de temperatura perfectamente determinado. Se fabrican segn ta-
blas E12, e incluso E24 (vase la tabla 3.1 del captulo 3), desde unas fracciones de picofaradio
hasta 1 nanofaradio,
Los coeficientes de temperatura normalizados ms corrientes en este grupo son: + 100, O, -33,
-150, -330, -750 y -1.500 partes por milln del valor nominal.
88
CONDENSADORES
De todas estas caractersticas se deduce que' los condensadores cermicos del grupo 1 son
idneos para ser utilizados en-circuitos sintonizadores, funcionando perfectamente con frecuencias
de varios miles de MHz debido a sus reducidas prdidas e inductancia parsita prcticamente. nula.
Los materiales cermicos del grupo JI poseen una constante dielctrica muy elevada, de i .000
a i0.000 veces superior a la del aire, lo que permite obtener unos condensadores muy pequeos
pero con elevadas capacidades (hasta 1 O nF). B coeficiente de temperatura en este grupo es ele-
vado e irregular, y las prdidas elevadas (de i O a 30 x 1 o-3}.
Por todos estos motivos no son utilizables en circuitos. sintonizadores, pero s resultan ideales
para ser utilizados en etapas de alta frecuencia para. desacoplo o paso.
La tolerancia en la capacidad de los condensadores cermicos del grupo 11 es elevada, debido
a inconstancias del dielctrico. Para garantizar un valor rnnmo se fabrican con tolerancias asim-
tricas, es decir, que el valor de la capacidad del condensador tiende ms al lmite alto que al bajo.
Los condensadores cermicos del grupo 11 se fabrican segn las tablas E12, E6 y E3, siendo la
ms normal la E6.
Los condensadores cermicos miniatura tienen unas dimensiones que pueden llegar a ser de
tan slo 3,7 mm de ancho por 5,2 mm de alto. Estos condensadores son muy utilizados en circui-
tos de sintona translstortzados, y se fabrican con capacidades de 1 a 150 pF.
Condensadoresde pelcula de sulfuro de polifenileno(PPS) para montaje

superficial
Los condensadores.de pelcula de sulfuro de polifenileno constan de varios dielctricos, apllables y
metalizados,
. de
. este material aislante. .
Se fabrican para. montaje superficial (SMD}, por lo que su aspecto externo es el que se muestra
en la figura 5.15.
5.15 Condensadores de pelcula

de sulfuro de polifenfleno (PPS)
para montaje superficial (SMD).
Soportan tensiones continuas entre placas de hasta 50 V.. perforndose si se les apllca durante
un tiempo de 1 a 5 segundos una tensin del 175 % del valor nominal.
Se fabrican con valores comprendidos entre 100 pF y 100 nF. Las dimensiones d.e estos dimi-
nutos condensadores dependen de su capacidad, segn se indica en la fabla 5.1.
de 100 pF a 2,2 nF 2,0 1,25 0,8
4,7 nF 3,2 1,6 0,8
10 nF 3,2 1 6 1,0
'
22 nF 3,2 2,5 1,4
Tabla 5.1
47 nF 4,8 33
'
1,4 Dimensiones en mm de los
condensadores de pelcula
100 nF 4,8 3,3 2,0 de sulfuro de polifenileno
oets montaje superficial.
89
Condensadores electrolti
cos de aluminio
Para grandes capacidades (desde 1 .F hasta 20.000 F) se ha desarrollado una clase especial de
condensadores: los electrolfticos.
El condensador electroltico generalmente es un condensador formado por dos folios de alumi-
nio arrollado, que estn separados por un papel absorbente. El papel est impregnado de un elec-
trlito, es decir, un lquido conductor de la corriente elctrica.
El papel no es el dielctrico en s, por la sencilla razn de que un dielctrico no puede ser nun-
ca conductor. 8 dielctrico lo constituye una pelfcula finsima de xido de aluminio (Al20Jl que se
forma sobre el folio positivo cuando al condensador se le aplica una tensin continua.
Bajo la accin de esta tensin circula una fuerte corriente, que luego va decreciendo a medida
que aumenta el espesor de la pelcula no conductora de xido de aluminio. La corriente residual que
finalmente aparece es tan slo de, aproximadamente, 50 mA en un condensador de 1 F cuando se
le aplica una tensin continua de 100 V. Esto corresponde a una resistencia de carga superior a 2 M.Q.
La elevada capacidad del condensador electroltico no se consigue con la extensa superficie de
las armaduras, sino mediante la clase de dielctrico.
En efecto, la constante dielctrica del xido de aluminio es slo de 6,87, pero el espesor de la
pelcula de xido de aluminio es sumamente pequeo, aproximadamente 0, 1 mm. A mayores ten-
siones de servicio el espesor de la pelcula de xido crece algo, pero este crecimiento tiene tambin
sus lmites, ya que la mxima tensin admisible es de unos 550 V. Por encima de este valor se pro-
ducen chispas en el electrlito.
La misin del electrlito estriba en proporcionar el oxigeno necesario para la formacin del xi-
do de aluminio y en establecer una unin conductora entre el folio negativo y la superficie oxidada
aislante del folio positivo. El folio negativo no es, por tanto. ninguna armadura del condensador, sino
que tan slo sirve para la conduccin de la corriente.
Existen dos tipos de condensadores electrolticos: Jos de superficie lsa y los de superficie ru
gosa El funcionamiento en ambos es exactamente el descrito en las lneas anteriores, diferencin-
dose nicamente por la capacidad obtenlda.
Efectivarr1ente. al objeto de ampliar la superficie til del folio positivo, ste se hace rugoso en
la parte que est en contacto con el electrlito, y sobre la cual se formar el xido de aluminio
que har de dielctrico. Esta rugosidad se obtiene mediante la accin de un cido o por proce-
dimientos mecnicos. En la lgura 5. 16 se ha dibujado la constitucin de un condensador slec-
trolttlco de superficie rugosa; se puede observar que la superficie de las armaduras enfrentadas
(folio positivo y electrlito) aumenta considerablemente en comparacin con la superficie lisa del folio
positivo.
Folio positivo de superficie conoide

Pe/fcula de xido {dielectrico)
'
! Electrlito
i
'
j Folio negativo
I ,, /
5. 16 Principio de funcionamiento
+
de un condensador electroltico
de superficie rugosa.
Los condensadores electrolflicos de superficie no rugosa son, a igualdad de capacidad, ms vo-

luminosos que los de superficie rugosa, pero generalmente ofrecen mejores parmetros elctricos,
de modo que son imprescindibles para aplicaciones especiales, como por ejemplo en las etapas de
audio de receptores de radio y televisin o de equipos de alta fidelidad.
En la figura 5. 17 se muestra la fotografa de un condensador electroltico de aluminio. Consta de
un tubo de aluminio cerrado en el que se aloja el condensador propiamente dicho, con un tapn
90
CONDENSADORES
de caucho que asegura una buena estanqueidad con-

tra la evaporacin del electrlito y que acta como vl-
vula de seguridad que SB abre en caso de ebullici n del
electrlito, evitando as BI riesgo de explosin.
Los terminales pueden ser paralelos, saliendo am-
bos a travs del tapn de caucho, o axiales, cuando uno
de ellos est soldado al tubo de aluminio. Otros mode-
los poseen una rosca en el tubo de aluminio que per-

mte la unin mecrca del condensador a un chasis
metlico que, al mismo tiempo, sirve corno terminal de
conexin elctrica (polo negativo).
Los condensadores electrolticos de aluminio des-
critos son componentes polarizados, por lo que sus 5.17 Condensador electroltico
terminales no deben ser cambiados. Por tal motivo, en de aluminio.
estos condensadores s.e indica por lo menos el polo
positivo con un signo +. El terminal positivo tambin
se reconoce por salir aislado de la cubeta, mientras que el terminal negativo generalmente est dis-
puesto sobre la misma cubeta. Tambin es frecuente encontrar el terminal negativo designado por
un siqno s-, una lnea o un aro negro.
Como consecuencia de la polarldad de los condensadores eJectroltcos, no deben aplicarse a
ellos tensiones de polaridad carnbiante. Solamente se pueden aplicar tensiones continuas o ten-
siones alternas superpuestas a tensiones continuas mayores qu~ no modifiquen la polaridad.
Efectivamente, si se. comete un error en la conexin de estos condensadores, de forma que se
aplique un potencial negativo al follo positivo con respecto ?I electrlito, se produce continuamen-
te la formacin de una capa de xido sobre la hoja del ctodo; simultneamente con la disipacin
excesiva de calor interno y la produccin de gas, lo cul conduce finalmente a la destruccin del
condensador, el cual puede llegar a explotar si no se desprende a tiempo el tapn de caucho que
lo cierra. Por lo tanto debe respetarse la polaridad del condensador, aunque -
.. se puede. admitir una
polarizacin inversa de hasta unos 2 V, ya que el c}odo posee una capa de xido que se forma
autornticamente al contacto con el aire. Lgicamente, en todos aquellos esquemas en los que fi-
guren condensadores electrolticos deber indicarse la polaridad del mismo con objeto de evitar
errores.
En el caso de aplicar una. tensin alterna superpuesta a una continua a un condensador elec-
troltico polarizado, deber tenerse presente el valor de cresta o pico negativo de la componente al-
terna Vrvi ya que sta, restada de la componente continua positiva, no debe sobrepasar la linea
cero (figura 5.18).
5.18 La cresta o pico negativo

de la componente alterna,
o>~~~~~~~~~~~~~ superpuesta a una tensin
1 continua y aplicada a un
condensador electrolltico, no debe
sobrepasar nunca la lnea cero.
As, si a un condensador electroltico se le debe aplicar una tensin alterna de 6 V eficaces. esta
tensin corresponde a una tensin mxima de:
VM=VRMS~ =6Vx1,41 =8,46V
91
es decir, la tensin alterna citada de 6 V eficaces es la mxima que puede ser superpuesta a una
tensin continua de 8,46 V para que el pico negativo de la componente alterna no sobrepase el va-
lor O V y el condensador quede polarizado en sentido correcto.
Existen otros tipos de condensadores electrolticos, los cuales no estn polarizados (bipolariza
dos). En estos condensadores el ctodo y el nodo tienen las mismas dimensiones (en volumen y
tamao), por lo que ambos poseen la misma capacidad de carga. Con este diseo el condensador
puede trabajar con tensin continua en cualquier sentido, as como con tensin alterna pura.
Dado que la tensin alterna produce autocalentamiento, debe permanecer muy por debajo de
la tensin nominal continua.
Como consecuencia de la conexin en serie de las dos capacidades parciales, la capacidad to-
tal es en estos condensadores la mitad de una capacidad simple, razn por la cual, a Igualdad de
capacidad, un condensador no polarizado posee doble volumen que uno polarizado.
Los condensadores electrolticos tienen elevadas capacidades y reducido volumen. A esta ven-
taja se le oponen algunos inconvenientes, tales como:
No se puede despreciar su resistencia de carga. En un condensador de 500 F circula, por

ejemplo, una corriente de 1 mA al serle aplicada una tensin de servicio de 500 V. Esto co-
rresponde a una resistencia de carga de 0,5 MQ. En comparacin con l, un condensador
arrollado con dielctrico de plstico de alta calidad presenta una resistencia de carga de,
aproximadamente, 106 MQ.
La tolerancia de capacidad de los condensadores electrolticos es mucho mayor que en otras
clases de condensadores. La capacidad puede llegar a ser el 100 % mayor que el valor no-
minal impreso. La tolerancia en sentido negativo es ms pequea, aproximadamente -1 O % .
La temperatura ejerce una gran influencia, tanto sobre la capacidad como sobre la resisten-
cia de carga.
Por todos los motivos apuntados los condensadores electrolticos slo se emplean en electr-
nica en aquellos casos en que se precise una gran capacidad, pero que no exijan un valor exacto
de ella. Entre las aplicaciones ms destacadas estn los circuitos de filtrado y desacoplo de las eta-
pas de audio y de filtrado de la tensin rectificada de las fuentes de alimentacin.
Tambin se fabrican condensadores electrolticos de aluminio para montaje superficial (SMD),
los cuales pueden trabajar con temperaturas de hasta 85 C y son ideales para aplicaciones de
PCB con elevada densidad de componentes.
Se fabrican con capacidades que cubren una gama comprendida entre O, 1 y 100 F y tensio-
nes de perforacin de 6,3, 1 O, 16, 25, 36 y 50 V.
Sus dimensiones son extremadamente pequeas, tal y como corresponde a los componentes
para montaje en superficie (de 4,3 x 4,3 mm2, 5,3 x 5,3 mm2 y 6,6 x 6,6 mm2, siendo la altura en
todos ellos de 5,4 mm).
Condensadores electrolticosde tantalio

La tendencia a la miniaturizacin de los aparatos electrnicos exige,
cada vez ms, condensadores electrolticos de tamao ms peque-
o para una determinada capacidad. Un gran paso en este sentido
se ha conseguido sustituyendo el xido de aluminio por el xido de
tantalio (Ta205).
En estos condensadores la constante dielctrica alcanza el 27,3 (fren-
te al 6,87 del xido de aluminio), logrndose adems mejores tole-
rancias de valor (20 %), menor corriente de fuga y, sobre todo, una
reducidsima inductancia que los hace adecuados para ciertos desa-
+ coplas en circuitos de alta frecuencia. En la figura 5.19 se muestra el
corte esquematizado de un condensador electroltico de tantalio.
5.19 Dibujo esquematizado
de ta constitucin interna de El tantalio es un metal refractario no maleable ni dctil, que puede
un condensador electroltico trabajarse solamente por sinterizacin. La sinterizacin consiste en so-
de tantalio. meter a elevada compresin y temperatura el polvo de tantalio mez-
92
CONDENSADORES
ciado con una sustancia aglomerante. Con ello se obtiene un prensado del material y, de esta for-
111a, la configuracin deseada.
Los cuerpos sinterizados ofrecen una superficie til mucho mayor que los folios corrodos de xido
de aluminio, aumentando con ello la.capacidad del condensador-a iguq.ldad de superficie de sus placas.
Existen dos tipos de condensadores de tantalio: los de electrlito lquido y los deelectrlito slido.
Los de electrlito lquido son similares a los de aluminio, con la diferencia de que el lquido va
dentro de una capa absorbente de.bixido de manganeso.
En el caso de que el bixido de manganeso venga en forma de pastilla, se obtiene el conden-
sador de tantalio con eleotrlito slido.
Todo el conjunto se recubre de una capa de grafito que hace de ctodo, y de un revestimiento
de resina sobre la que se imprime el valor del condensador as como la indicacin de su polaridad,
ya que son condensadores polarizados.
Los condensadores de tantalio de electrlito slido se caracterizan por la escasa dependencia a
la temperatura de su capacidad y resistencia de carga. Por otro lado, presentan la ventaja de no po-
der perder electrlito, el cual puede destruir n algunas ocasiones otros componentes del circuito.
Algo desventajosa resulta la circunstancia de que los de electrlito slido no puedan emplearse
para tensiones de servicio superiores a 80 V (corriente continua), y a 125 V (corriente continua) los
de electrlito liquido.
Existen muchas formas de presentacin de estos condensadores, destacando corno 111s usua-
les las de forma cilndrica con encapsulado metlico y las de forma de perla.
El principal inconveniente de estos condensadores es su elevado precio, muy .superor al de los
de xido de aluminio, por lo que. se procura prescindir de ellos siempre que sea posible.
Para finalizar diremos que en los condensadores electrolticos, tanto los de aluminio como los de
tantalio, se ha generalzado o extendido an menos la normalizacin de los valores de capacidad y
de las tensions de servicio. Sin emoarqo, debido a que casi nunca se exige de ellos un valor de
capacidad determinado, esto no resulta ser un gran inconveniente y se emplea, sencillamente, aquel
condensador que ofrezca el mercado, de valor inmediato superior al calculado o nominal. El hecho
de emplear un condensador electroltico de 100 o 125 F no tiene Importancia, ya que la toleran-
cia es superior a la diferencia entre ambos valores citados.
Condensadores ajustables (trmmers)

Los. condensadores ajustables, tambin denominados trimmers y oedaere segn su tamao, son
pequeos condensadores de hasta, aproximadamente, 500 pF, los cuales se utilizan para ajustar a
un valor correcto la capacidad total de un circuito.
Para variar la capacidad se recurre a tres procedimientos:
Variando la superficie de /as armaduras.

Variando la separacin entre arn1aduras.
Variando el dielctrico.
En la prctica se utilizan los tres (figura 5.20).

En los trimmers el ajuste de la capacidad se realiza urra sola vez, con el fin de conseguir un va-
lor determinado de capacidad. Si este valor de capacidad se altera con el tiempo (envejecimiento),
el valor puede reajustarse.
5.20 Tresposlbilidade.s para

... el ajuste de la capacidad de
un condensador: a) variando
la superficie enfrentada de las
armaduras; b) variando la
separacin entre armaduras;
a) b) e) e) variando el dielctrico.
93
a)
5.21 Diferentes tipos de trlmmers: a) trimmer de d)

presin; b) trimmer de disco; c) trimmer de placas;
d) trrnmer tubular o cilndrico.
Para el ajuste se utiliza generalmente un destornillador de plstico, ya que si se utiliza uno me-
tlico se alterara la capacidad del condensador cuando la punta del destornillador entrase en con-
tacto con el tornillo de ajuste del trimmer.
En la figura 5.21 pueden verse diferentes formas de trirnmers, denominados respectivamen-
te como:
trimmer de presin (figura 5.21 a).

trimmer de disco (figura 5.21b}.
trimmer de placas (figura 5.21c}.
trimmer tubular o cilndrico (figura 5.21d).
La capacidad de un trlmmer puede variar de 1,4 pF a 50 pF, segn el modelo; en los trimmers
de disco con dielctrico cermico pueden conseguirse mayores capacidades. Generalmente la re-
lacin entre la mayor y la menor capacidad ajustable es de 1: 1 O.
En la actualidad se fabrican trmmers de dimensiones reducidsimas para montaje superficial
(SMD}, como los de la figura 5.22.
- 3,2
-
1 --
C6 !J 1.4
- -
04
y
-t-5 1 - 0.5 p,qf c.s
/
/Prvl IJ,5
(]) 2,J 2.i}

_,_
/ o '
~
_J
!.O
8 1J) 8 ,z. : 4.0
.1
1
4,5
1
1
45 '
-1
82.5 ~.o
-1
1 1
' '
l .. ,/
(),5
- -
'
--
1
'
32 8 0,8 1-- 0.75 ()
2.8 1,2
L 5.0
_r--lf::=::gl=!---.1 ~..'m I !J,.,

.- ... ~ 1
. 1 '' 1' .
j 1 :
o, 12 1 1 ..... ...... . - .. ~-.v, ' '
5.22 Trirnmers para montaje superficial (SMO).
94
CONDENSADORES
Los trimmers de la figwra 5.22 son cermicos para montaje superficial, de 2, 3 y 4 mm, disea-
dos para su empleo en aparatos muy compactos de telecomunicacin, audio y vdeo.
En todo trimmer cabe, distingwir entre la armadura fija o estator y la armadura despfazabLe o ro
tor. Esta ltima se ajusta rnediante un tornillo que ejerce ms o menos.presin sobre dicha.arma-
dura segn el ngulo de giro, o bien la hace desplazar de forma que una mayor o menor superficie
de. ella queda enfrentada con el estator.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS CONDENSADORES
Corno cualquier otro componente electrnico, las condensadores poseen una serie de caracters-
ticas tcnicas mediante las cuales es posible seleccionar aquel que resulte ms adecuado para un
circuito determinado.
Las principales caractersticas tcnicas de los condensadores son las .siguientes:
Valor capacitivo.
Tolerancia.
Tensin mxima de trabajo.
Tensin de prueba.
Corriente de C/rga.
Tangente de delta.
Inductancia parsita.
Frecuencia de resonancia propia.
Factor de potencia.
A continuacin se estudian cada uno de los citados parmetros.
Valor capacitivo
La capacidad de elmecenemieoto de electricidad de un condensador se expresa en faradios (F). Sin
ernbargo, dad que esta unidad resulta excesivamente grande, en la prctica se utilizan los sub-
mltiplos pF, nF y F.
La unidad de capacidad, el faradio. corresponde a la capacidad de almacenar una cantidad de
electricidad de 1 culombio en un condensador al que se le aplica una tensin de 1 voltio, es decir:
1 F = _:!_~
1 V
Al igual que en las resistencias, en la fabricacin de condensadores se recure a las tablas. E (va-
se la tabla 3.1 del captulo 3), mediante las cuales es posible disponer de toda una gama de Valo-
res capacitivos sin que las tolerancias de los mismos se interfieran y, por lo tanto, se repitan valores de
capacidades reales en condensadores de distinta capacidad terica.
Dado que uno de los factores que ms influye en la capacidad de un condensador es su die-
lctrico, resulta lgico pensar que no todos los tpos de condensadores estudiados a lo largo de
este capitulo cubren toda la gama de capacidades necesarias en el diseo de un aparato electro-
nco, es decir, que cada tipo de condensador tiene unos lmites de capacidad determinados.
En la tabla 5.2 se resean la gama de valores disponibles en el comercio para cada tipo de con-
densador, segn la tensin mxima de trabajo admisible por cada uno de ellos.
Tolerancia
El valor real de la capacidad de un condensador discrepa, dentro de ciertos lmites, del valor teri-
co o nominal indicado en el condensador. Estas discrepancias son debcas al proceso de fabrica-
cin y se designan por tolerancias.
95
Mica Mica Aluminio o depsito 2 pF a 22 nF 250 a 4.000 V

de plata
Papel Papel Aluminio 1nFa10F 250 a 1.000 V

parafinado
Styroflex Poliestireno Aluminio 10pFa4,7nF 25 a 63 V

4,7pFa22nF 160 a 630 V
Polister Polister Aluminio 4, 7 nF a 1,5 F 100a160V

1 nF a 470 nF 400 a 1.000 V
Polister Polister Aluminio depositado 47nFa10F 63 a 100 V

metalizado al vaco 10 nF a 2,2 F 250 a 400V
10 nF a 470 nF 630 a 1.000 V
Poi icarbonato Policarbonato Aluminio depositado 47 nF a 10 F 63a100V

metalizado al vaco 10 nF a 2,2 F 2.50 a 400 V
10nFa470nF 630a1.000 V
Cermico Cermica Depsito de plata 0,56 pF a 560 pF 63 a 100 V

(Grupo I} 0,47 pF a 330 pF 250 a 500 V
Cermico Titanato Depsito de plata 4,7 nF a 470 nF 15 a 50 V

(Grupo 11) de bario 220 pF a 22 nF 63 a 100 V
100 pF a 10 nF 250 a 500 V
470 pF a O nF 1.000 V

Electroltico Oxido de Aluminio 100Fa10mF 4 a 10 V
de aluminio aluminio 2,2 Fa 4,7 mF 16 a 40 V
470 nF a 2,2 mF 63 a 160 V
2,2 Fa 22 F 200 a 450 V
Electroltico xido de Positivo: Tantalio 2,2 Fa 100 F 3 a 10 V

de tantalio tantalio Negativo: Metalizado 220 nF a 22 F 16 a 40 V
Tabla 5.2 Valores de capacidad y tensiones mximas de trabajo segn el tipo de condensador.
Las tolerancias para cada tipo de condensador se resumen en la tabla 5.3.

En algunos casos la tolerancia negativa no es igual a la positiva, es decir, que en un condensa-
dor, por ejemplo, electroltico, de 125 rnF con una tolerancia de -1 O o/o +50 %, el valor real del con-
densador est comprendido entre:
125 F x 10
Cmn = 125 F - =125F-12,5F=112,5F
100
125 Fx 50
Cmx = 125 F + = 125 F + 62,5 F = 187,5 F
100
96
CONDENSADORES
Tabla 5.3 Gan1a de tolerancias

para los condensadores.
Mica 0,5 % a 20 %
Papel 5 %, 10 %, 20 %
Styroflex (Poliestireno) +1 pF (< 50 pF), 2,5 %, 5. %, 10 %
Pelcula de polister 5 %, 10 %, 20 %
Polister metalizado 5 o/o., 10 %, 20 %
Policarbonato metalizado 5 %, 10 %, 20 %
Cerrnicos (grupo 1) 2 %, 5 %, 10 %
Cermicos (grupo 11) (-20 +50 %)

(-20 +80 %)
20%
Electroltico de aluminio (-10 +50 %)

(-10 +100 %)
(-20 +30 %)
Electr.oltico de tantalio 20%

(-20 +50 %)
Tensin mxima de trabajo

Otra magnitud importante de los condensadores es su. tensin tnxlme de trabajo, tambin llama-
da tensin nominal o tensin de servico. Corresponde al valor mximo de tensin admisible entre
las placas del condensador.
Cuando se aplica una tensin alterna a los terminales del condensador, hay que cuidar que su
valor de pico o cresta no sobrepase el valor nominal indicado.
En muchos casos la tensin nominal desciende. al aumentar la frecuencia, por lo que se debe
asegurar que el condensador trabaje. en las condiciones ptimas de tensin y frecuencia. Este dato
suele ser suministrado por los fabricantes mediante las curvas caracterlsttces de variacin de la
tensin nominal en funcin de la frecuencia.
En la figura 5.23 se muestran cuatro curvas de variacin de la tensin nominal (Ve11) en funcin
de la frecuencia, en diferentes condensadores de polipropileno con distintas tensiones nomlnaes y
capacidades.
VeH
100V!63V
v,11 160V!90V
101 - ~ .
-
. 103 - .
7 7
5 . 5 ' - 5.23 Curvas
csrsctetisticss de
1 3
3 variacin de la
z ,_ . - 2 - j ~
tensin nominal
102 -
-
J~~ tri -'--
- -,.. f- cr-'
"'" en funcin de la
"'"" ~ .eo6l 0-1"";::--
~
7 7
frecuencia en
f
1
'1';
C) ,.,,.,,
5 -'-- -q /(,<' .......
5 ,_ o:
i:S'R.-<-' '
diferentes
- ,_ ,.,,.,., .....
... -...
l...
- t ,'e" condensadores
.,//~"' 1
+
3 . 3 .(/:'
2 - 2 ,_
... .... - ,. de polipropileno.
101 101 's ' (Contina en la
1r! 2 3 s lt(j12 s s 11a4 2 J s lt{ff(Hz) (j! 2 J 5 l(f 2 3 5 110' 2 s 11a6t(Hc) pgina siguiente)
97
5.23 250V!120V ~ 400V/160V

(Continuacin) 1 ....
'1 - 1-
7
~
5
3
-
3 -
- --
2 ~
tr! ''
2
__ . _,
- ~ '" 1(/
~,
1:: 1
~,~-
7 ~~&,
1 !?:
1 7
- 1 ~01
.
'
5 ~....
-
5 !"-
" ~ ~1- - , ; 11,<
--o'
......
3
2
- il ..... - ... 3 1-
....
2
101 Jjj ro- ....
101 1 1 1 1
td' 2 3 s lf(j 2 3 s iio 2 3 5 lf{f t(Hz) td' 2 3 s 1104 2 s s t1rf 2 3 s 11(1 t(Hz)
La primera de ellas hace referencia a condensadores de polipropileno de 0,022 F, 0, 1 F y

0,4 7 F, con una tensin nominal continua de 100 V y alterna de 63 V eficaces. Entre 100 Hz y 20 kHz
el condensador de 0,47 F admite una tensin alterna entre sus placas de 63 V eficaces, pero a
partir de dicha frecuencia la tensin nominal desciende rpidamente, de forma que si se le aplica
una corriente alterna de 100 kHz, slo admite unos 25 V eficaces entre placas.
Esto es particularmente importante al elegir un condensador para un determinado circuito, ya
que si ha de trabajar con frecuencias y tensiones elevadas deber comprobarse que el condensa-
dor soporte dicha tensin, aunque en su cuerpo se indique un valor de tensin nominal suficiente.
Tensin de prueba
Otro dato que indican los fabricantes de condensadores es la tensin de prueba, cuyo valor es
siempre superior al de la tensin nominal de servicio.
Si la tensin aplicada al condensador sobrepasa la tensin de prueba, puede ocurrir que se per-
fore el dielctrico. En la mayora de los condensadores ocurre entonces que esta perforacin con-
duce a un cortocircuito permanente en el interior del condensador, que lo inutiliza completamente.
En la. tabla 5.2. se indican las tensiones mximas de trabajo para cada tipo de condensador.
Corriente de carga
Al conectar un condensador descargado a una fuente de alimentacin de corriente continua, o en-
tre dos puntos de un circuito bajo tensin, circula una corriente que tiende a disminuir a medida
que el condensador se carga, hasta desaparecer al quedar totalmente cargado. A esta corriente se
la conoce con el nombre de corriente de carga.
Si la fuente de alimentacin es alterna, el condensador sufre sucesivas cargas y descargas al
ritmo de los cambios de sentido de la corriente alterna, por lo que circula una corriente de carga en
ambos sentidos. Esta corriente de carga tiene la particularidad de estar desfasada 90 en adelan-
to con respecto a la tensin aplicada al condensador.
Efectivamente, en la figura 5.24 se aprecia cmo en el instante t0, es decir, cuando el conden-
sador queda conectado a la fuente de alimentacin, la corriente es mxima, siendo la tensin nula.
- ---
,
'' ,,,
' . 90 ,
270",,
, 360
'
,
t15,,
, , t18 t20 !24
''
5.24 Desfase entre '
---- ,
la corriente de carga
y la tensin aplicada tensin
a un condensador. corriente
98
CONDENSADORES
A medida que avanza el tiempo, es decir, en los instantes t1, t2, t3 ... , la corriente de carga va dis-
minuyendo progresivamente de valor, puesto que las armaduras del condensador van asimilando la
carga elctrica y, por lo tanto, se van saturando.
Como consecuencia de este aumento de la cantidad de electricidad almacenada en el conden-
sador la tensin va aumentando hasta que la corriente alcanza el valor cero amperios (corriente
nula e inicio del carnbio de sentido), en cuyo Instante el condensador comienza la carga en senti-
do opuesto y la tensin entre placas disminuye.
Se demuestra as que la corriente de carga se presenta con un cuarto de onda (90c) de ade-
lanto con r:especto a la tensin.
Esta circunstancia slo se da en un condensador ideal, ya que en la prctica.este ngulo es li-
geramente inferior a 90'', tal y como. se ver a continuacin.
Tangente de delta
En todo condensador, adems de la corriente de carqa, circula una pequea corriente de fuga en
fase con la tensin aplicada. Esta corriente de fuga se debe a que el dielctrico no es perfecto, y
por lo tanto deja pasar a travs de l la citada corriente.
B hecho de que un dielctrico no sea perfecto equivale a poner en paralelo con el.condensa-
dor ideal una resistencia de elevado valor, tal y como se muestra en la fgura 5.25.
La corriente de fuga queda en fase con la tensin aplicada al condensador ( I A en fase con V en
la figura 5.26), mientras que la corriente de carga ideal le queda desfasada 90 en adelanto con
respecto. a la tensin V.
le - - - - - - - le res:'
e
5.25 Un condensador real, cuyo dielctrico
no es perfecto, equivale a fa conexin en 5.26 La intensidad de corriente que circula
paralelo de un condensador ideal, de igual por un condensador real ( I creai) es igual a
capacidad que el real, con una resistncia la. suma vectorial de la corriente de taga
cuyo valor f1mico es el del diefctrico. a travs del dielctrico IR y la corriente
de carga y descarga del condensador I e
El ngulo que forma en realidad la corriente qwe circula por el condensador con respecto a la
tensin a l aplicada es igual a la suma vectorial de la corriente de fuga IR ms la corriente ideal
I C es decir, el ngulo del vector resultante Icreai de la figura 5.26 con respecto al vector V, y cuyo
valor es igual a:
El ngulo que forman la corriente de carga ideal Ic con la corriente de carga real fcreai se deno-
mina ngulo d/ta (S).
Dado que la tangente trigonomtrica es la relacin entre las intensidades de. las corrientes de
fuga e ideal, el coeficiente de prdidas de un condensador se expresa como tangente de delta (tg S),
es decir:
tg O= JA
le
99
5.27 Cuanto mayor le ----------------, lcrua1 le ------------ lc,al le------- lcreal

sea el dielctrico 1
1
menor sera la 1
1
corriente de fuga I 1
1
y ms se acercara el
valor de la corriente
real I creat al de la
corriente ideal I e,
disminuyendo el
ngulo 8 y, como
consecuencia,
la tg 8. "--------{::>'IR '----C> 111
o
Cuanto ms bajo sea el valor de tg menor ser el ngulo de prdidas S y, en consecuencia,
ms perfecto ser el condensador.
Efectivamente, de la figura 5.27 se deduce que cuanto menor sea el valor de IR (mejor dielc-
trico). ms se acerca el valor de Icreai al valor de la corriente ideal Ic. disminuyendo el valor del n-
gulo S, es decir, reducindose el cociente IR/ le que corresponde a la tangente de o.
El ngulo de prdidas S viene dado por los fabricantes para una frecuencia y una temperatura
dadas. Ello se justifica por los siguientes motivos:
La corriente de carga y descarga de un condensador Ideal viene dada por la frmula:
donde Xc es la reactancia capacitiva del condensador, cuyo valor viene dado por la igualdad:
1
Xc= 2rc.fC
De esta ltima igualdad se deduce que el nico parmetro que puede hacer variar la reac-
tanela de un condensador dado es f, por lo que si f influye sobre Xc es lgico deducir que
tambin lo har sobre la corriente le.
La temperatura influye sobre el valor hmico del dielctrico y, como consecuencia, sobre la
intensidad de corriente de fuga 1R a travs de l.
De todo lo expuesto se deduce que la frecuencia y la temperatura influyen sobre el cociente

IR/ le, es decir, sobre la tg S, por lo que es preciso conocer en qu condiciones se han realizado
las pruebas para poder comparar un condensador con otro.
En la figura 5.28 se muestra, a ttulo de ejemplo, la curva caracterstica tg Sen funcin de la tem-
peratura para un condensador de papel impregnado. Se lee en ella que la tg disminuye de valor o
tg o. to:
160
120 ,+
~
80
~ ~y
5.28 Curva caractersticadel 40 - -
valor de tg 8 en funcin de la
temperatura de un condensador
de papel impregnado, para una o
frecuencia constante. 30 2C!..15 o +15 +30 +45 +60 +75
+85
+90 +105 +120 C
.
100
CONDENSADORES
tgo.1rft
100
-
10
-
1
-
5.29 Curva caracterstica
del valor de tg o en
funcin de Ja frecuencia
0, 1 1
1 de un condensador de
(f 5 5
1rr 5
1a5 f (Hz) polister metezsoo.
desde -20 C hasta unos 50 C; es decir, que aproximadamente a 50 C el condensador presenta

la menor corriente de fuga IR. A partir de 50 C la.tg o vuelve a incrementar su valor, aumentando
con ello la corriente de fuga IR.
En la figu~a 5.29 puede verse la curva caracterstica de la variacin del ngulo de prdidas en o
funcin de la frecuencia, a temperatura constante, de un condensador de polister metalizado.
En esta curva caracterstica cuanto mayor es la frecuencia de 1(3 corriente alterna aplicada ma-
yor es la tg o, puesto que aumenta el cociente R!Xc, ye que ><e disminuye. de valor.
Como se sabe, Ja conductividad de muchos conductors elctricos vara con la temperatura. El valor
en ohmios de los hilos y las resistencias viene por ello afectado ms o menos por la temperatura.
Este fenmeno se presenta tambin en los condensadores, slo que aqu sta es una propie-
dad del dielctrico.
La influencia de la temperatura sobre 1<:! capacidad se expresa a travs del llamado coeficiente
de temperatura TK.
La variacin de capacidad tiC, se calcula con la frmula:
tic = TK . e . 11T
en la que Ces la capacidad del condensador, en pF y a 20 "C.
El coeficiente de temperatura tiene un valor muy pequeo, por ejemplo, del orden de 100 1 o-6.
Escribindolo de esta forma, el coeficiente de temperatura es igual a la variacin de capacidad en pF
que se presenta al variar la ternperatura en 1 "C por cada pF de capacidad del condensador.
A continuacin, y a ttulo de ejen1plo, se calcula la variacin de capacidad de un condensador de
4, 7 n F al subir la temperatura de zo
a 50 C, siendo su coeficiente de temperatura TK = 1 00 x 1 6. o-
En este caso la variacin de temperatura ser:
T = 50 C - 20 C = 30 C
y la variacin de capacidad resulta con ello ser de:
!iC = TK x C x T = 100 x 10-i) x (4,7 x 103 pF) X 30 C = 14, 1 pF
es decir, la capacidad pasa a valer:
e= 4,7 nF + 0,0141 nF = 4,7141 nF
Los materiales dielctricos pueden poseer un coeficiente de temperatura positivo o negativo. En

el primer caso, la capacidad aumenta con la temperatura, y en el segundo disrnlnuye al aumentar
la temperatura.
101
Conectando un condensador con coeficiente de temperatura positivo con otro de coeficiente

negativo, es posible compensar las variaciones de capacidad debidas a los cambios de tempera-
tura, eligiendo convenientemente los valores de capacidad de cada uno de ellos para que el con-
junto d el valor de capacidad que se necesite.
En la tabla 5.4 se relacionan los coeficientes de temperatura de los diferentes tipos de conden-
sadores, excepto los cermicos, los cuales se relacionan en la tabla 5.5, ya que en ellos se ha
adoptado universalmente la anotacin ppm (partes por milln). P significa coeficiente positivo, N
negativo y PNO nulo.
Algunos fabricantes indican en sus catlogos la variacin de la capacidad en funcin de la tem-
peratura mediante curvas caractersticas, de las cuales se muestra un ejemplo en la figura 5.30, re-
ferida a un condensador de polister metalizado.
En la figura 5.30 se lee que entre unos 15 y 35 C la capacidad del condensador es la nominal
(ti.CIC = O). Por debajo de los 15 C el condensador pierde capacidad y por encima de los 35 C
adquiere ms capacidad.
Mica 0,1 %
Papel +0,5 %
Styroflex (poliestireno) -0,15 %
Pelcula de polister +0,3 %
Polister metalizado +0,3 %
Policarbonato metalizado +0,3 %
Electroltico de aluminio +1 %
+5 %
Tabla 5.4 Coeficientes
de temperatura de los Electroltico de tantalio +1 %
condensadores.
P100 + 100. 10-6 N150 -150. 10-5
P33 +33. 10-6 N220 -220. 10-6
PNO o N330 -330. 10-5
N33 -33 . 10-6 N470 -470. 10-6
Tabla 5.5 Coeficientes N47 -47 . 10-6 N750 -750. 10-6

de temperatura de los
condensadores N75 -7'.5. 10-6 N1500 -1.500. 10-<i
cermicos.
102
www.elsolucionario.org CONDENSADORES
t:,C %
e
+20
1
+15
+10 .
+5 - .,...
o- .
5.30 cara caracterstica
..,,,,,,,.. de Ja variacin de Ja
5 capacidad en funcin de
la temperatura de un
10 1
1
condensador de polister
1
50 40
20 o +25 +50 +75 85 + 100 + 125 (C) metalizado.
As, a-40 C el condensador pierde aproximadamente un 4 % de su capacidad nominal, mien-

tras que a 85 C su capacidad llega a ser un 4 % ms alta.
Normalmente, la corriente de fuga a travs del dielctrico se incrementa con el aumento de ta fre-
cuenca de la corriente .apcada al condensador. Por este motivo, en la fabricacin de condensa-
dores deben utilizarse materiales de.alta calidad.
Las prdidas que-se presentan cuando se aplica corriente continua a un condensador se de-
nominan resistencia de aislamiento.
En la tabla 5.6 se ndlca la resistencia de aislamiento para diferentes tipos de condensadores.
La resistencia de aislamiento disminuye al aumentar la temperatura, por lo que algunos fa-
bricantes suelen indicar en sus catlogos la curva caracterstica de la resistencia de aislamiento en
MQ F en funcin d la temperatura, tal y como se muestra en la figura 5.31 referida en este e-aso
a un condensador de polister metalizado.
Mica > 50.000
Papel > 10.000
Styroflex (Poliestireno) > 100 y> 100.000 segn tipo.
Pelcula de polister > 100.000
Polister metalizado > 20.000
Cermicos (grupo 1) > 5.000 y> 10.000 segn tipo
Cermicos (grupo 11) > 1, > 5.000 y > 10.000 segn tipo
Electroltico de aluminio Corriente de fuga: < 0,05 Ax V x F y siempre> 4 A
Electroltico de tantalio Corriente de tuga: <':. 0,02 Ax V x F y siempre > 4 ~tA
Tabla 5.6 Resistencia de aislamiento de los condensadores.
103
MnxF
tel
-
105 -
"""- 1
..
5. 31 Curva caracterstica de (! - -
la resistencia de aislamiento
en funcin de la temperetuts
de un condensador de polister 101 '
meta/Izado. o +25 +50 +75 85 +100 + 125 (C)
As, para un condensador cuya capacidad es de 0,22 F y su resistencia de aislamiento de

230.000 MQ, entre O y 25 C se 1iene un producto RC de:
RC = 230.000 MQ x 0,22 F = 50.600 MQ F
tal y como se deduce en la curva caracterstica de la figura 5.31.

Si en esta circunstancia la temperatura sube a 75 C y suponiendo que la capacidad se
mantenga en 0,22 ~tF, de la figura 5.31 se deduce que a 76 C el producto RC ha descendido a
7 .000 MQ F, lo que quiere decir que su resistencia de aislamiento ha disminuido a:
R = 7.000 MQ. F ""30.000 MQ

0.22 F
es decir, casi la octava parte que a 25 C.
Inductancia parsita
Todo condensador presenta una cierta inductancia parsita, muy variable, segun la forma cons-
tructiva del mismo. Por ejemplo, un condensador de lminas enrolladas presenta una inductancia
parsita muy superior a uno plano.
Ocha inductancia parsita puede suponerse conectada en serie con el condensador y, como
toda inductancia. resulta despreciable a bajas frecuencias.
Sin embargo, si la frecuencia aplicada al condensador es muy elevada, la inductancia parsita
se pone de manifiesto, aumentando con ello la reactancia del condensador, es decir la oposicin al
paso de la corriente alterna.
Frecuencia de resonancia propia

Se denomina frecuencia de resonancia propia de un condensador aquella frecuencia con la cual se
igualan las reactancias capacitiva y de Inductancia parsita.
Por debajo de la frecuencia de resonancia propia el condensador se comporta como tal, mien-
tras que por encima de dicha frecuencia de resonancia el condensador se comporta como una
bobina.
Este fenmeno es la causa de que muchos condensadores, de tipo no adecuado al circuito en
los que se conectan, no den los resultados que de ellos cabria esperar.
Factor de potencia
A lo largo de este captulo se ha visto que todo condensador real puede asimilarse a un conden-
sador ideal que posea:
104
CONDENSADORES
a) una resistencia en derivacin (debida a la resistencia de aislamiento en corriente continua y

a las prdidas por tg S en corriente alterna);
b) una inductancia en serie {debida a la inductancia parsita del condensador).
Adems de lo expuesto, un condensador real posee unas resistencias hmicas en sus termina
les y armaduras que en ciertos casos no deben despreciarse, y a las que podemos considerar
como una resistencia en serie con nuestro hipottico condensador ideal.
Si al condensador se le aplica una corriente alterna, ste presenta una Impedancia Z constitu
da por la suma. geomtrica de la reactancla capacitiva Xc y la resistencia hmica R que considera-
mos en serie con l, es decir:
Se denomina factor de potencie o coseno K de un condensador aJ cociente de dividir la resis-

tencia parsita R por la impedancia total Z, es decir:
R
COS(p=-
z
Si R es igual a cero (caso imposible en los condensadores reales), el factor de potencia ser
nulo y, por lo tanto, el condensador no consume energa.
INDICACIN DEL VALOR DE LOS CONDENSADORES
Los valores de la capacidad de tos condensadores vienen impresos sobre el mismo componente, o es-
tn Indicados mediante puntos o aros coloreados, de forrnaanloga a como se hace con las resistencias.
Desgraciadamente, hoy en dfa an persisten varios sistemas o cdigos de colores para tos con-
densadores, lo que dificulta en cierto modo su identificacin. Por esta razn, en las tablas que se
incluyen a partir de la pgina siguiente, se indican los cdigos ms utilizados en la actualidad.
En las tablas anteriores, en las que la identificacin del valor capacltlvo se efecta por cifras, s-
tas se imprimen sobre la superficie del condensador de muy diversas maneras, pero siempre ha-
ciendo referencia a la unidad picofaradlo.
As, un condensador de 4. 700 pF puede Identificarse por cualquiera de las siguientes anotaciones:
4700 p Se suprime la F de Faradio.

4700 Se suprime la p de pico y la F de Faradio.
4,7 k La k de kilo representa que 4, 7 se multiplica por 1.000 pF.
4,7 n Se sustituye pF por lande nanofaradio, puesto que 4,7 nF = 4.700 pF.
4n7 La n de nanofaradio se utilza como coma decimal.
0,0047 ~LF Indicacin en ~LF, puesto que 4.700 pF = 4,7 nF = 0,0047 F.
,0047 F La misma Indicacin anterior, pero suprimiendo el cero de la unidad microfaradio.
472 La cifra 2 indica que detrs de 47 deben aadirse dos ceros.
ELECCIN DEL CONDENSADOR ADECUADO
Como hemos visto, se fabrican numerosos tipos de condensadores, lo cual dificulta a veces la
eleccin del ms adecuado para un determinado circuito.
Dentro del grupo de los condensadores con dielctrico de plstico tambin se tienen diferentes
tipos, con caractersticas similares pero no Iguales. por lo que en este caso la dificultad de elegir el
ms adecuado es, si cabe, mayor.
Por estas razones, a continuacin se resume en pocas lneas cul es el condensador idneo
para utilizar en cada circuito de radio, televisin y alta fidelidad, as como las curvas comparativas
105
o
> M
e: "' ""
------1 ~~ > ..
~~ E e
e e -
f- E e '5' s
(.) o::: <
e
-
111 +I
'..__
-
..__
....."' ~
..
u
e:
t
o
o e
..... '..__
.... - .
--
~
"'o
....
~....'-' -oe --o. _
e... e:
e-
..
..e:,,,-o -
=o
- ..,.."' -- o:::-=-
~- '-
to '"o
-o
:;; o
--
00
z"' '- c: o
t.... u
' z- <-
<O -
e _
o .... -o --~--
"' o
"-
"C .... u
e: o e:~
<r)
"-
ec e
<> V
u

bllo
z; .2-
;>
.....
-::o"~
>"'
....
"e: o...
--
_ '
....
o .__
e:
.,oe,,,-<N - ,,
-...-co
-._V e
o.
-

bl>o ..__
"-
z; ::E" - i:< -
:::> -
"'"'
..:- o-
""e'#
Q,,
,,.., . s
-111 +I o - .,., sr:
N f"I
-
o o
N
o-
1 +
00
"'""'
+ 1
00
N
1
"'
+
00
"" eo
1 +
o
-..."e:
..""' "" Q,,
.,.,
..e -V "" -
o.o .,.,
'-
+I o ""
o - ""
u
"'...
-
V
..l
::o u o "- o :i:: -, : ~ -
" o::: V) N
1
--.., .... "'
)(
N
o
l[)
-
E 2
-
e: o
~9 > ~~
._
"'
.,
-8_"0
N :t::
N
. "' e:
e:
V
C/)
'<ll (.)
o f-
~ - Ql
e Ql e
1 o i::;,, "O .s:i
-. iJ-"' -~
"O
'
(1) "O
'C
<.:>ee:: ~ t.)
e'-"'-
"' "-o.
o. -(.) '"t:l e
"' e:..,
u
....
r-,
i.ci
~ "O
,g~ e:: ~ ~ . "'
a:s :.:::
t::: ~ :.~:::::: ...._
~
-o .......
>"'
~Qlc::Ql~
~~SE::._
106
CONDENSADORES
3
,." -o
'"o.
"'
- ""'
o o.
V +l
u
~b ..
- -
'1 e
-8. - - o. b
.,.,.... o 6
-+ L..,
o
-
eo
<">
1 1
o
...o + QJ"'~o
o- o .. o
-o
:> ... -o..,"
,.u .,,,..,
e-
:.: > - z <-v
N "'
->
. .,,..
... .. -
-.~
~ "~
... ~
,..,
.
:::
--
o
"---
V
V
:::,.,
111 +i
~ z
...:; u
- .B
V ti "
>- - e:
"'
::e
-
.'
V
-
" i
- -- --:....
i. ---
i
- -
i
o
i
o
-.
--
e C>
-~ .
--+
I , .
e o e 8
9 .... -
V
e=.... ;:;:; !;;: '" 1'
"' "'
u
e 1 1 1
~
1
~
1
~
" 1
<.: .
..
o ~ .. o..ff
o
.......
e
O .. -..
o
~ .. --o"'
-::
~ 'o V
8 < -
e, re N <O
o. z 2: e: :;
> >
-c
--~ -" --
~
"'::o "o
"'O e
--"'
.O -
to zuCe- :.: o
r: -
"'
.: o
o
>~
-o
-o
:) -
~ z- >~
E
... -
e: ..
...... o
-
.." '""
O
o e: - ::l -
~-
N <O
<-
... z." >
... ....,_"'e- "- .....
.2
-::!.,_
o e:
O
> u t :::: "N <D
z .<C
<-
>
107
..E
- >
" ...
)(
""E -e
c >
w
u
--
o o
e e
..o o= o
-e l;;llcr ~
O := 1-.C--

->"'
u,
"-
.
O,,?.
-
A\ +1
'"
- "' I~
00
N rr">
00
N U')
1 + 1 +
... u
-. .()
..,.,
-
N
LJ V +I e o
N ----1 u
N
1 1
..-
" u u.. N
,3 V)
-. .....- -. ---
i.
- -
'i'
o
.
-+
8 o ..... o o o o o
"' "'
-e- e+
N ~ .....
-e-
1 1 1 1 1
.. ---""
...
u
....
..so
e
!JI)
z"
o 2
~o V
~ ,,..
- .. o o
~
o re
C::-;
2
......
... t
" o
-e
>o
=~ o
:3 o
..
::;
< ~o
N U
o z >
108
CONDENSADORES
i\\ +I
e
O ov~
...e: o
-~
_
'
-...-
u.
o.
e u, ..::: (',
- o.
V +I
V
....
-
~ LL
-""'
o
z~ "
- ""
.
-
X
"
.....
... ...-~ ...o
1 o .o
'=Ir-
... r: -
-._ o "'
o;~
_ ) > P-
V
-. --
e
-8
i
o
- -. b.
-.......... -...... -.
o
b
o e 8
-+ -
o.
~
f"')
<') "' ~ ~
r-
.,,_
"'
r-,
U")
+
'
1
'
1 1 1
-
u.
o. .,.,
- - - - -+
ll')
o~ o o ~ oc
Al +f
N
"' ~
N 1
00
Nf"'l
''""
00
NOO
f + 1 + 1 +
u
"i::
e
- o..
u,
o.
-
ee
._. o u. ll"l
"' -
- 'Q. ll"l
... V +I o o "'
V
......
~
t.>
..J
o::i u o u. o :r ...... ::<; s o. o:: Vl N
)=
o
o:: ->
o.
N
N
o,
'T

-
i
-
o
o-
.
gj
-
io

or-,
-e-
'Y.
o....
-
-c u ..J
109
-0c-
- ::
00
e:: ::.
u
...
o
---
:..
u= -'"''N
~
-- -.2--"" "'
~
"'"o.. ;_ -
> :O
..," <
--~-"'" .....-
e
>" ....,
I ' ~
- >
u..
o..
-"
e~
f\\ +I .
"'
- N "'.
N or.
-
o eN 08
1 -+ oc
N
1
<'">
+
00
N V>
1 +
00
"' 00
1 +
u
--""V u,
-
e o..
.,"'...
-1-o o u..
-
V +I
o.
e
.
or,
N
o
uv .
- N
u
.
~"... i:Q u o u, o :X: --, ::.:: o. ::.: V) N
..J
f:"-.
...:r
o e::
-
'O
(.)
.~
:t:::
..... (/)
e:: o(.)
~E:
(1) -
-
(1) ~
"l::J (1)
,.
(.)
o o (/) -.:
-
-:u..
"'e, o..
.!;? (l.)
"l::J ....
'O O
<.::> "l::J
""e
u o ca "'e::
.... <ll
...o
->" ~
In e::
~o
-c:i (.)
~~
-
-.:
... ...
"... o- -
...o o... e
-
......
O :;;::-.
~-
o~ ""
=~ ".
~ 'E~88 t~
-
..9~
~
--
""~
"'-
~ o
u~
--
~8
"
:o e-.
" - <~
u
""::::- =x
... o~ 1 o~ .
i~ -~ z~
u u~ ::"'e~
u..
o.. " o
1- u u. z ""- >-~ >S.
eu
/ ..... \
---..,-
o
:> o
-o ...
e o
:: -
o
-~-="
u
...oc~
o
08
z
--~
--
O
"~
o
sN
-
"" ~
"
=
..."~
~ r""l
~
~ --..." ....
o
...
E~ "~
o
:e~.,..,
N
=~ -"'..,- .....
-<~
->-
..0 o~
~
-"'.... ~00
- ~'
o~ .!;! -~
o
u
z -c >
00
"o.. O V c:i
\ I
"
V
V) N
...
..
'-
.>
/
.2 ....., ...
E .2
-... o
-
..!;:
u
...
eo~
z
e
... s '...... ~-~ e::~
o o
.,,.,~
"' z"'
"
=
'"~
-
- -~
o
-
" "' "'-~
"'~ -e-
..,
""~ -
=~ "-"~
..,... "' <~ -o~"' ~ N ..0
>-
t.:)~
-"'~
... 00
o
V
e~
..!:: ~
-
. >
u t:
o.. -e i:Q
110
CONDENSADORES
( .. ...,,
.....
.. ~......,.
. . . -.,, .. (
_-
' '. c/~>----
_..__,.i,.>[ +
.--------' \
Tensin mxrma
Valor capacitivo en F
Color V
Primer Segundo Punto
color color central
Neg.ro 1 ()
1 C1fu 2. Cifr.i Factor
Marrn -
Negro Negro Negro
(O) (O} ( 1) Rojo .

Marrn Marrn l\1arrn
(l) ( 1) (10) Naranja 40
Rojo ncijo Rojo
(2) (2) (100) A manllo 6.J
NaraTIJ'I N a ranj"' Naranja

(J) (J) (1000) Verde I(
A manito
(4)
Amarillo
(4)
Amanllo
(1()000} Azul -
Verde
(5)
Verde
(5)
Verde
( 100000) Violeta -
Azul Azul -
(6) (li) Gris 25
Vrolera Violeta Viole: a
(7) (7) (0.001) Blanco 2.5
Gris Grls Gris Tabla 5.18 Cdigo

(8) (8) (0,01)
de Identificacinde
Blanco Blanco Blanco condensadores
(9) (\1) (O, 1) electrolticos de tantalio.
de caractersticas tpicas de los condensadores con dielctrico plstico, de forma que el lector pueda
escoger con seguridad aqul que resulte ms eficaz en cada aplicacin.
Circuitos de sntonia hasta 200 kHz:
Cermicos del grupo l.

Styroflex.
Pelcula de polister.
Circuitos de sintonfa hasta 30 MHz:

Styrotlex.
Circuitos de sintonfa hasta 1. 000 MHz:
Desacoplo de radiofrecuencia:
Cermicos del grupo 11 (16 - 50 V).

Cermicos del grupo 11 (1 kV).
111
Paso de radiofrecuencia:

Desacoplo de audiofrecuencia:

Polister metalizado.
Electrolticos de aluminio.
Electrolticos de tantalio.
Paso de audiofrecuencia de alta impedancia:

Styroflex.
Paso de audiofrecuencia de baja impedancia:
Electrolticos de tantalio.
Desacoplo toda banda:
Electroltico de tantalio.
Electroltico de aluminio en paralelo con cermico.
Filtros de altavoz:
Filtros de audiofrecuenca para control de tono:

Styroflex.
Filtros de corriente continua rectificada:
Antiparasitado de red:

Polister metalizado (1 kV).
Electrolticos de aluminio (1 kV).
112
CONDENSADORES
Clfcuitos en rgimen de impulsos.
Styroflex.
Para finalizar, en la figura 5.32 se han dibuja-

do las curvas caractersticas comparativas de los
condensadores con dielctrico plstico, lo cual
-~ Poflt&t1renq.Pa//p1oplteno
facilitar la eleccin de esta clase de condensa-
dores. Dichas curvas hacen referencia a: '' 1
Po/l(;rlJofl1iiO
Polf4ster 1
-1
f '
1
'
1
.
Incremento porcentual de capacidad en tun-
cin de la temperatura (figura 5.32a). - '
Incremento porcentual de capacidad en ' 1,1

~
funcin de la frecuencia (figura 5.32b).
o '
-- .
.
Factor de disipacin (tg ) en funcin de la ~
~.#
temperatura y a 1.000 Hz (figura 5.32c). 2 .
Factor de disipacin (tg o) en funcin de la

frecuencia (figura 5.32d). .
~ 1 . .
Resistencia de aislamiento en funcin de 1 r 1 r 1 1 " 1
la temperatura (figura 5.32e). -45 -25 '
-55 +25 +45 ' +85 +105 + 125 ('C)
' +65 ' "t
a)
ec /(/ 6
1 L ' 1 1 1
(%) - Potdster
(%} . Pollesllrono, ,
.J 1 h
.
1.8
"Pol1ProPl!et1,o.
' ' ~ Pollcatbonato
. o,.
1.
10 r '
' 1,6 PohpropiletK!
, (?ollca11JO,na 1 1 r 1 1
18 1
fOli6SIOr 1 1,1/ 1' e,oJlos//reno
' . 1 1
1111 '1 1,2 ' ,
/
~
1.0
" 1
+2 .
j
.
1 "
0,8
1 ..... ~
'-
.... 0,6 . " ,
"' ~~ 0.4 .....
\,
,
- 1-

.....
0,2
~ '
1 1
o '
:;:;: 1
tri 10' l(j f(Hz) -45 -25 -s 5 25 45 65 +85 105 125 ('Cl
b) e)
Mtlx F
111 & 1,2
(%) 1, 1 -

Pol16ster
.
tri -
-
-bl- , . . . ...
1,0
Policar~onato
. .
~ Pc(prll(Ji~
1
0,9
-
1(1
Poliestlrenq' 1.1 -
- r
0.8
, "" ....
1
'
: 1 "'-
0.7 r-,
,,;'
0,6 10'
V ~ ~ ~ ~
' '
' -c
0,5
y ,, - '
- 5.32 Curvas
~
'
0.4
0,3
~,..
- - . ...!
...
Pol/ostlreno
1
' \,
". - caractersticas
V Poltpropl/eno tfpicas
0.2 comparativas de los
~ Pc~iartlqr.ato \\:
O. r
Po1ssto ' ~j condensadores con
o 800 ~ dielctrico de
'
10' 10' 10' f (HzJ +25 +40 60 plstico.
d) 8)
113
Bobinas y ferritas
INTRODUCCIN
Las bobinas, tambin llamadas Inductancias o solenoides, son probablemente los componentes
electrnicos que ms varan en su diseo.
Cuanto mas alta sea la fre.cuencia de la corriente alterna que circula por una bobina, menor ser
el nmero de espiras que se necesitan para obtener una determinada reactancia al paso de la co-
rriente .
. Como consecuencia, se fabrican bobinas de reducido nmero de espiras y tamao para. fun-
cionar en aparatos que trabajan en las gamas de frecuencia de VHF, UHF y SHF, y voluminosas bo-
binas, con muchas espiras. como elementos de filtro de la corriente alterna industrial de hasta unas
decenas de hercios.
Una importante caracterstica de estos componentes, en Jo que respecta a su fabricacin, es
que en muchas ocasiones su construccin es artesanal, es decir, hecha por el propio profesional
en su taller, utilizando hilo conductor de seccin adecuada. Esta caracterstica no se da en las re~
sistencias y condensadores, cuya fabricacin corre a cargo de empresas especializadas.
CLASIFICACIN DE LAS BOBINAS
Segn la frecuencia de la corriente alterna las bobinas se clasifican en dos grandes grupos:
Bobinas oere altas frecuencias (o de radiofrecuencia).

Bobinas para bajas frecuencias.
Segn el ncleo o soporte donde va arrollada la bobina, stas se clasifican en:
Bobinas con ncleo de aire.

Bobinas con ncleo de hierro.
Bobinas con ncleo de pulvlmeisl,
Bobinas con ncleo de ferrita.

Adems, las bobinas pueden estar apantalladas, es decir, situadas dentro de un recipiente me-
tlico que evita la transferencia de energa entre la bobina y los elementos del circuito situados fuera
del apantallamiento.
FRMULAS PARA EL CLCULO DE .UNA BOBINA
En una bobina con ncleo de aire, su coeficiente de autoinduccn L viene dado por la frmula:
N?s
L = 1,257
10 8 I
115
Donde L se expresa en henrios (H), N es el nmero de espiras de la bobina, Ses la seccin abar-
cada por una espira en cm", y/ la longitud del solenoide en cm.
Si a la bobina se le aade un ncleo ferromagntico, la frmula anterior se escribe:
L = 1,257 N2S
108 f
Donde es el coeficiente de permeabilidad del ncleo.

As, en una bobina para radiofrecuencia de 5 mm de longitud, formada por dos espiras de 7 mm
de dimetro interior bobinadas al aire, se obtiene que la seccin abarcada por una espira vale:
S = nr2=3,1416 x (3,5 mm)2 = 38,48 mn12 = 0,3848 cm2
Con este dato se calcula el coeficiente de autoinduccin de la bobina:
N2S 22 03848
L = 1,257 = 1,257 x x mm2 "' 3,87 x 1 o-a x H = 38, 7 nH
1 O8 I 108 x 0,5 cm
Si esta bobina trabaja en un circuito por el que circulan corrientes del orden de los 100 MHz (por
eiernplo, en la etapa de radiofrecuencia de un receptor de radio para FM), la reactancia al paso de
estas seales ser:
XL = 2nfL = 2 x 3, 141 6 x 1 00 x 1 06 Hz x 38, 7 x 1 0-9 H "" 2 4 Q
En las frmulas expuestas no se tiene en cuenta el dimetro del hilo, el cual depende de la in-
tensidad de corriente que circula por la bobina.
Con el fin de facilitar el clculo de las bobinas, en la tabla 6.1 se relacionan los dimetros de hilo
esmaltado ms utilizados en la fabricacin de stas, con indicacin de la seccin correspondiente,
el nmero de espiras por centmetro que ocuparla el devanado (estando las espiras juntas) y las in-
tensidades de corriente admisibles.
Si las espiras han de ir juntas, el hilo utilizado en la fabricacin de la bobina deber estar reves-
tido con un barniz aislante que evite cortocircuitos entre esp.iras; y en aquellos casos en los que el
devanado est sometido a elevadas tensiones, se aconseja que el hilo est recubierto de aisla-
miento plstico como, por eiemplo, el policloruro de vinilo.

Bobinas con ncleo de aire
Las bobinas con ncleo de aire constan de un arrollamiento de hilo conductor devanado sobre un
soporte de fibra, plstico u otro material no magntico y sin hierro alguno en sus inmediaciones
(figura 6.1 ).
Soporte aislante no magntico
6. 1 Constitucin de una Hilo conductor

bobina con ncleo de aire.
116
BOBINAS Y FERRITAS
0,.08 0,0050 86 0,010 0,013 0,015

0,10 0,0078 72 0,016 0,020 0,024
0,12 0.011~ 61 Q,022 0,028 0,034

O,l5 0,0177 50 0,035 0,045 0,053
0,18 Q,0254 42,2 0,051 0,063 0,076
0,20 0,0314 38,6 0,063 0,080 0,094
0,22 0,0380 35,4 0,076 0,095 o, 114

0,25 0,0491 31,6 0,098 O, 120 0,147
0,28 0,0616 28,5 0,123 O, 154 0,184
0,30 0,0707 26,7 0,141 o, 175 0,212
0,32' 0,0884 25,2 0,161 0,201 0.241

0,35 0,0962 23,2 0,190 0,240 0,289
Q,38 o, 1134 21,7 0,227 0,283 0,340
0,40 0, 1257 20,5 0,25'1 0',310 0,377
0,45. O, 159 18,5 0,318 0,400 0,477

0,50 O, 196 16 7 0,390 0,490 0,588
0,55 0;238 15,38 0,47f3 0,600 0,114

0,60 0,283 14,28 0,566 0,700 0,849
0,65 0,332 13,3 0,664 0,830 1,000
0,70 0,385 12;34 0,770 0,960 1,160
0,75 0,442 11,62 0,884 1,100 1,330
0,80 0,503 10,86 1,01 1,250 1,510

0,90 0,636 9,7 1,27 1,600 1,910
1,00 1,785 ,8,84 1,57 1,960 2,360
1,20 1, 131 7,46 2 26 2,830 3,39
'
1,30 1,327 6,94 2;65 3320 3'.980
'
Tabla 6. 1 Caractersticas de los hlos esmaltados para la fabricacin de bobttus.
6.2 Bobina para radiofrecuencia

con ncleo oesire.
En numerosas ocasiones la bobina no tiene soporte, siendo suficiente la propia rigidez mecni-
ca del hilo para que sta quede conformada (fgun~ 6.2).
Se trata de la forma ms simple eje construccin de una bobina, que en ocasiones consta de
una sola espira o incluso de una fraccin ce sta.
En la fabricacin de estas boblnas se utiliza generalmente hilo de cobre, cuando la frecuencia
de la seal que ha de circular por la bobina .es de hasta 50 MHz. Para frecuencias superiores se
emplea el cobre plateado, con el fin de evitar prdidas.
117
.
En RF se utiliza hilo de Litz, consistente en un determinado nmero de hilos finos aislados indivi-
dualmente, o bien hilos trenzados en grupos de tres. Cada grupo de tres hilos pasa desde la super-
ficie exterior al interior del cable, con lo cual se distribuye la corriente superficial a travs de la sec-
cin recta total; de esta forma se incrementa la seccin efectiva y se reducen las prdidas en alta
frecuencia debidas al efecto pelicular.
El efecto pelicular consiste en la tendencia de la corriente alterna a circular por la superficie de
los conductores. Este fenmeno aumenta con la frecuencia y hace que, al disminuir la seccin til,
aumente la resistencia efectiva del conductor.
Las bobinas con ncleo de aire se construyen desde una fraccin de espira hasta varios cien-
tos de espiras superpuestas en varias capas.
Normalrnente las bobinas se impregnan, con el fin de hacerlas resistentes a la humedad y para
mejorar su comportamiento ante las fuerzas mecnicas que puedan soportar.
La bobina que se muestra en la figura 6.2 es simple. pero tambin puede estar dotada de una
toma intermedia.
Es muy importante que todas las espiras de la bobina tengan la misma separacin, aunque en
ocasiones es necesario acercar entre s algunas de ellas para ajustar el valor del coeficiente de
autoinduccin de la bobina, puesto que acercando o alejando las espiras entre s la autoinduccin
admite un margen de variacin en su valor.
La conexin de la bobina al circuito impreso se realiza directamente, es decir, que el propio hilo
de la b.obina hace en sus extremos la funcin de terminal.
Al conectar la bobina, d.ebe tenerse muy en cuenta que la mayora de ellas utilizan hilo de cobre
recubierto de un barniz aislante, por lo que deben rascarse suavemente los extremos de la bobina
con un papel de lija antes de efectuar su soldadura. De lo contrario no se establece el contacto elc-
trico necesario entre el hilo de cobre y el estao.
Cuando la bobina est arrollada sobre un tubo de fibra, plstico u otro material, se disponen Linos
terminales de conexin en los que ya van soldados los extremos de la bobina. Esto es muy usual en
las bobinas cuyo hilo, por ser muy flexible (como el hilo de Litz), no adquiere por s solo la conforma-
cin adecuada, siendo imposible arrollarlo al aire (sin soporte). Un ejemplo de esta forma de devanado
son las bobinas de sintona de los receptores de radio, las cuales, aunque despus se introduzca un
ncleo de ferrita, estn devanadas sobre un soporte y disponen de terminales de conexin (figura 6.3).
'' ~ '
= .._,,'
6. 3 Forma constructiva tpica ,_ - .

de una bobina de sintona para
receptor de radio. 'X ,
En el caso de las bobinas con ncleo de aire, utilizadas en etapas de RF de las bandas de VHF y
superiores, el efecto pelicular reduce la seccin til del hilo empleado en la fabricacin de la bobina, por
lo que en estos casos debe utilizarse hilo de seccin bastante superior a la indicada en la tabla 6.1.
Una forma constructiva muy especial de las bobinas con ncleo de aire son las denominadas
nido de abeja.
La configuracin en nido de abeja consiste en arrollar varias capas de hilo de Litz, desplazando
las espiras en uno y otro sentido de forma que se obtenga una posicin cruzada de las espiras (fi-
gura 6.4).
6.4 Forma constructiva de una

bobina con ncleo de aire y
devanado en nido de abeja.
118
BOBINAS Y FERRITAS
Esta forma de devanado proporciona una gran autoinduccin y una resistencia mecnica con-
siderable, puesto que en la forma expuesta se favorece la inmoviliz;!cin del hilo.
Las bobinas en nido de abeja se utilizan en las etapas de sintona de los radiorreceptores de OM
y en algunas bobinas de choque de RF.
Bobinas con ncleo de plancha de hierro

B ncleo magntico se utiliza para incrementar la inductancia sin aumentar el nmero de espiras
de la bobina.
Consiste en insertar dentro del bobinado un ncleo de material ferromagntico.
La inductividad L de una bobina con ncleo terromaqntico se puede definir por rnedlo de la
frmula:
Donde N es el nmero de espiras de la bobina, y Rm la reluctancia o resistencia magntica del tra-

yecto de las lneas de fuerza expresada en A/Vl/b (amperio-vuelta por weber).
Para obtener altas inductividades se puede aumentar el nmero de espiras, pero esto tiene la
desventaja de que aumenta la resistencia hmica del bobinado e incrementa considerablemente el
volumen de la bobina; por estos motivos es preferible disminuir la reluctancia, lo cual se consigue
con un ncleo de hierro cerrado, sin interrupcin, puesto que un entrehierro presenta una reluctan-
cia considerable,
A causa del constante cambio de rnagnetizacin y de las corrientes parsitas, llamadas tambin
corrientes de Foucault, se originan dentro del ncleo de hierro prdidas que producen calor.
Se reducen considerablemente las prdidas ocasionadas por las corrientes parsitas constru-
yendo un ncleo de hierro a base de planchas aisladas entre s que, segn la aplicacin de la bo-
bina, tienen un grosor comprendido entre 0,05 y 0,5 mm (figura 6.5).
6. 5 Corrientes parsitas en
un ncleo magntico. a) ncleo
b) magntico macizo. b} ncleo
magntico laminado.
Las prdidas por cambio de magnetizacin se reducen tambtn utilizando ncleos de aleacio-
nes ferromagnticas especiales, tales como el ferrosifico y el ferronquel. Este ltimo proporciona
altas permeabilidades, que pueden alcanzar valores de hasta 32.000 en lminas de hierro silicio de
grano orientado, es decir, que con un ncleo de estas caractersticas el coeficiente de autoinduc-
cin puede multiplicarse por 32.000.
De todas formas, dchas prdidas no desaparecen por completo.
En la figura 6.6 se muestra una bobina con ncleo de planchas de hierro, y en la figura 6.7 tres
formas distintas de ncleos de plancha de hierro, las cuales se denominan, segn su forma, como
corte de UI, de El y de M respectivamente.
Las bobinas con ncleo de hierro (o cualquiera de sus aleaciones) se utilizan slo en circuitos
de baja frecuencia, tales como fuentes de. alimentacin y amplificadores de audio.
Con frecuencias ms elevadas las prdidas por corrientes parsitas en el hierro aumentan. Ya
no resulta suficiente que se construya el ncleo con un paquete de planchas delgadas, sino que
debe hacerse otra subdivisin en Is/as magnticas, elctricamente aisladas entre s. Un progreso
esencial en este sentido se alcanz utilizando hierro en polvo fino, mezclado con una materia sin-
119
6. 6 Aspecto externo de
una bobina con ncleo
de planchas de hierro.
100 mA
10 H
2oon
1
1 1
--
- - - - ,_ -- .. - . - - ,..
-r

-
~
---
s
--
.
.
a) b) e)
6. 7 Formas constructivas de ncleos de planchas de hierro. a) corte en Uf. b) corte en El. c) corte en M.
ttica aislante y comprimido todo para formar el ncleo de la bobina. La materia bsica de estos
ncleos de hierro para alta frecuencia es un polvo de hierro que se extrae del pentacarboni/o de hie
rro. El dimetro de estas partculas de hierro es de 1 a 1 O m. Tales materias magnticas se hallan
en el mercado bajo diversas denominaciones comerciales.
Bobinas con ncleo de ferrita

Las ferritas son xidos de metales magnticos con caractersticas de dielctrico, es decir, materia-
les magnticos aislantes al paso de la corriente elctrica (figura 6.8).
' ''
~,.: -~~..~,;-_~ ,., >~1.,t~w-::{"?"<~~

,.,.,..(,).. .,, "' Wi. r '.-'
6.8 Aspecto externo

de ncleos de ferrita.
120
BOBINAS Y FERRITAS
Corno ejemplo de ferritas podernos citar:
Ferrita de nquel (Ni Fe204).

Ferrita de cobalto (Co Fe204}.
Ferrita de manganeso (Mn Fe20 4}.
Ferrita de magnesio (Mg Fe204}.
Todos estos compuestos tienen estructura parecida: son cristales mixtos, lo que en la frmula
qumica est indicado por el punto. Estos cristales mixtos no son conductores y por esto no hace
falta pulverizarlos.
Para su elaboracin se utiliza el procedimiento de la tcnica cermica: ncleos construidos por
medio de inyeccin, a presin, o bien en fundicin, que se cuecen a temperaturas de 1.300 C.
Estos ncleos son muy duros y tienen el tacto de la porcelana. Si se los deja caer se rompen con
facilidad. Como denominacin comercial ele las ferritas podemos citar el Ferroxcube, de PHILIPS.
Los ncleos de ferrita fabricados como se ha. indicado slo se pueden trabajar tallndolos. Para
componerlos se unen dos caras talladas planas por medio de pegamento. Si se hace con .sumo
cuidado, el espacio que queda en la unin de las caras es inferior a 10 m, con lo que la disper-
sin del flujo rnagntico es muy reducida.
Una forma de ncleo especialmente pobre en dispersin es el de cempene, que se compone
de dos moldes pegados y completamente cerrados (figura 6.9a). Tambin existen los ncleos me
dio abiertos (figura 6.9b) y los abiertos (figura 6.9c).
b)
a)
6. 9 Ncleos de ferrita pobres

en dispersin (zona tramada).
a) ncleo de campana. b) ncleo
e) medio abierto. e) ncleo abierto.
Cuando se necesita obtener un valor exacto de la inductividad, sta deber ser graduable, pues-
to que siempre hay que contar con las tolerancias propias de fabricacin. Esto se consigue fcil-
mente por rnedio de un entrehierro variable.
Por ejemplo, se modrca el ncleo del molde de tal manera que el pivote central sea ms corto
que el molde. Uno o ambos pivotes centrales se construyen vacos y se proveen de rosca, en la que
se aplica un tornillo que es del mismo material que el ncleo del molde. Enroscando ms o menos
el tornillo varia el entrehierro, y con ello la inductividad, en un 10 %.
Este procedimiento de ajuste se denomina nivelacin o sintonizacin, y se efecta primero tras
el montaje de las conexiones y, eventualmente, deber repetirse ms adelante.
En la figura 6.1 O se han dibujado las partes constituyentes de una bobina con ncleo de ferrita,
con Indicacin de sus dimensiones principales. Las letras designan las siguientes partes de la bobina:
121
. 1
: - - - - -1- - - - - ; :----,-----,

'
' '
.

5,5

'
1
7x 7

'
'''
:1:
' .
15 '' '' '' ' ''
' 1 ' 10x 10 7' ' '
'' ' ''
' ''
1
'
b) e)
r. ' '
1
5
1'
1 a) 1 1
' {10,5
6.10 Partes constituyentes de una 11 1
5
' 7x 7
bobina apantallada con ncleo de 1
ferrita: a) pantalla de latn niquelado; \ I

b) campana de ajuste de ferrita: 1 1 1 1
5
c) ncleo de ferrita con rosca; 4,5 1
d) carrete; e) base de Ja bobina. d) e)
a) Blindaje o pantalla de latn niquelado. Esta pantalla se conecta a masa y con ella se evita
que las seales de RF generadas en la bobina salgan al exterior interfiriendo a otros apara-
tos o partes del circuito.
b) Campana de ajuste con roscado exterior, constituida por una ferrita adecuada a la gama de
frecuencias de trabajo.
c) Ncleo de ferrita adecuada a la gama de frecuencias de trabajo.
d) Carrete soporte de la bobina.
e) Base.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LAS BOBINAS
Las caractersticas tcnicas ms importantes de las bobinas son las siguientes:
Valor inductivo.
Tolerancia.
Variacin de la inductancia.
Margen de frecuencias.
Coeficiente de temperatura por grado centgrado.
Factor de calidad.
Todos estos factores son dependientes en mayor o menor grado de las caractersticas tcnicas
del ncleo y del hilo. utilizado en el devanado.
Valor inductivo
El coeficiente de autoinduccin (L) de una bobina se expresa en henrios (H).
Una bobina tiene una inductancia de 1 H cuando una variacin de corriente de 1 Ns da lugar a
una fuerza electromotriz de 1 V, es decir:
L = Et = 1Vx1s=1H
fil 1 A
Dado que esta unidad es, en muchos casos, excesivarnente grande, se utilizan los submltiplos
mH, H y nH.
En las bobinas con ncleo de aire el coeficiente de autoinduccin depende exclusivamente de
sus caractersticas constructivas, es decir, del nmero de espiras, seccin de la espira y longitud del
122
..
BOBINAS Y FERRITAS
arrollamiento, mientras que en eJ caso de una bobina con ncleo ferromaqntico el coeficiente c:Je
autoinduccin depende tambin del coeficiente de permeabilidad del ncleo, como ha quedado re-
flejado en las frmulas expuestas al comienzo de este captulo.
Un gran porcentaje. de las bobinas utilizadas en electrnica son diseadas por el propio profe-
.sional, aunque tambin se fabrican normalizadas siguiendo los valores establecidos por las tablas
E, igual que las resistencias y condensadores.
Tolerancia
El valor del coeficiente de autolnduccin discrepa, dentro de unos ciertos lmites, del valor nomlnal
o valor terico de la bobina.
Estas discrepancias son debidas al proceso de fabricacin, y se designan, comoen el caso de
las resistencias y condensadores, por tolerancias.
Variacin de la inductancia
En las bobinas con ncleo ajustable, la variacin que sufre el coeficiente de autoinduccin al ajus-
tar el ncleo se indica de forma porcentual. As, en una bobina de 260 ~tH, cuyo valor inductivo
pueda variarse en +1 O % , podemos ajustar su valor entre 234 H a 286 H.
En ciertos casos los fabricantes indican l tanto por ciento de la variacin de la inductancia en
funcin de la carrera del ncleo, tal y como se puede apreciar en la figura 6. 11 .
o.L%
/_o
+15 1
<, 1
<, ,_ 1
............
--
V
.......... ..._ 1
~
.
del tento por ciento de
15 variacin de la inductancia
1 en tuncln de la carrera
0,6 Carrera (mm) del ncleo.
As, en el caso de la figura 6. 11, el valor nominal de la Inductancia queda incrementado en un

15 % cuando el ncleo est ajustado a tope. Al desplazarlo unos 0,23 mm el valor de la inductan-
cia es el nominal. Y al desplazarlo O, 75 mm el valor de la Inductancia desciende a un 15%:
Margen de frecuencias
Un dato muy importante a tener presente es el margen de frecuencias en que. puede trabajar una
bobina.
No todos los ncleos son adecuados para trabajar en alta frecuencia, ya que los hilos del bobi-
nado pueden resultar madecuados'cuando se produce en ellos el efecto pelicular al trabajar en RF.
Otro parmetro de gran influencia al trabajar en RF son las capacidades parsitas que se for-
man entre espiras de la bobina, que pueden llegar a producir cortocircuitos para las seales.
Los fabricantes de bobinas suelen Indicar en sus eatlogos tanto la frecuencia central d traba-
jo de la bobina corno la capacidad parsita entre sus terminales.
Los f:lilos utilizados en la fabricacin de bobinas estn recubiertos de un barniz o aislante que evita
el cortocircuito directo entre espiras adyacentes. Este aislante puede, sin embargo, perforarse si la
tensin aplicada a la bobina sobrepasa un cierto valor.
Aqu cabe hacer una distincin entre tensin aplicada a /os terminales de la bobina y tensin so~
portada entre dos espiras contiguas, puesto que la tensin se reparte por Igual entre ellas.
123
En el caso de una bobina de una sola capa, la tensin entre espiras es igual a la tensin aplica-
da entre los terminales de la bobina dividida por el nmero de espiras. As, si la bobina consta de
100 espiras y se le aplican 35 V, la tensin entre espiras contiguas ser de:
~~~ = 0,35 V (entre espiras contiguas)
La resistencia de aislamiento entre terminales se indica en MQ, para una tensin continua dada.
Cuando la bobina est formada por dos o ms capas de hilo conductor, debe tenerse en cuen-
ta, adems, la tensin entre capas contiguas. Esta tensin es igual a la tensin aplicada a la bobi-
na dividida por el nmero de capas, con lo cual el valor obtenido es mayor que el de la tensin en-
tre espiras, pudiendo ser en muchos casos peligrosa para la integridad de la bobina, ya que el
barniz aislante puede no soportarla.
Para aumentar el aislamiento entre capas se recurre entonces a disponer un material aislante
entre capa y capa del bobinado, como el papel impregnado o cinta de material plstico.
La conductividad de muchos conductores elctricos varfa con la temperatura. El valor hmico de
los hilos con los que se fabrican las bobinas viene por ello afectado, ms o menos, por la tem-
peratura.
La influencia de la temperatura sobre la bobina se expresa en partes por milln de variacin
porC.
Factor de calidad
Toda bobina puede realizar tanto mejor su cometido cuanto ms pequea sea su resistencia hmi-
ca. Por esta razn es de gran inters el concepto factor de calidad (Q) de la bobina.
La calidad de una bobina se define como la relacin entre su reactancia inductiva (XJ y su re-
sistencia hmica (R), y viene expresada por la frmula:
0 = XL = 2n .f L
R R
Con frecuencias elevadas se empeora la calidad de la bobina, a pesar de que, segn la frmu-
la anterior, cabe suponer lo contrario. Ello se debe a que con frecuencias elevadas la resistencia h-
mica aumenta debido al efecto pelicular.
Para que la calidad de una bobina sea grande, su resistencia hmica debe tener un valor bajo
y su inductividad ha de ser elevada.
Por ejemplo, en bobinas sin previa magnetizacin que no precisan de entrehierro, el aumento
de la inductividad se consigue mediante la formacin especial del trayecto de lneas de fuerza. Para
ello, el ncleo de la bobina se cierra quedando en forma de anillo o toro y la bobina se reparte por
toda la longitud del ncleo. La construccin de tales bobinas con ncleo anular es muy cara, ya
que se precisa rnaqcnaria especial de bobinar.
Los fabricantes de bobinas indican en sus catlogos la calidad de las mismas a una frecuencia
dada. Por ejemplo, mediante la indicacin:
0(6001<1-lz) = 125
o bien rnediante curvas caractersticas como las de la figura 6.12, en la que se lee el factor de
calidad Q en funcin de la frecuencia de cuatro bobinas, de inductancia diferente e igual dime-
tro de hilo. Se observa en dichas curvas que existe un pico de calidad en el cual la relacin XL/R
es mxima. Por encima y por debajo de dicho pico la curva desciende, debido a los motivos ya
apuntados.
El factor de calidad de una bobina para etapas de RF oscila entre 50 y 200, aunque puede ser
diferente segn la aplicacin del circuito.
124
BOBINAS Y FERRfTAS
6.12 Factor de calidad en tun.cin

de la frecuencia, de. cuatro bobinas
para receptor de televisi11:
a) boJJina de 2, 13 H. b) bobina
150 1-----1----t-----+--_,_---1 de 0,56 .H. e) bobina de 0,26 H.
d) bobina de 90 H. (Dimetro
del hilo O, 15 mm.)
90 1---
Id
60 '''~'
15 20 30 40 50 f (MHz)
CARACTERSTICAS CONSTRUCTIVAS DE LAS FERRITAS
Las ferritas son componentes qumicos de frrnula general:
Donde M representa un metal biv:ilente como el cobre, (Cu), rnagnesio (Mg), rnanqaneso (Mn), n-
quel (Ni), cinc (Zn) o el propio hierro (Fe). En este ltimo caso se obtiene la frmula Fe304, que es la
de la magnetita.
La partcularidad de estos compuestos es la de aumentar la resistividad, de forma que sustitu-
yendo un tomo de hierro por cualquiera de los metales bivalentes citados-se aumenta la resistivi-
dad de 10-2 .Q/cm (ferrita de hierro) hasta unos 106 Q/cm.
Todas las ferritas as fabricadas se denominan ferritas simples, ya. que forman un aglomerado
cristalino que contiene una sola clase de cristal:
Existe otro tipo de ferrita, que es el actualmente utilizado, en el que s.e mezclan dos o ms cla-
ses de cristal, denominndose por ello ferritas mixtas,
Son cuatro los tipos fundamentales de ferritas mixtas:
Ferritas de manganesocinc (Mn Zn Fe2 04).

Ferritas de nquelcinc (Ni Zn Fe2 04).
Ferritas de magnesiomanganeso (Mg Mn Fe2 OJ.
Ferritas de nfquelcobre (Ni Cu Fe2 04).
De todas ellas, las dos prrneras son las utilizadas en los aparatos de radio, televisin y alta fide-
lidad, por lo que se estudiarn con mayor detalle; la tercera es utilizada en dispositivos de memoria
y registradores magnticos, y la cuarte se emplea para la realizacin de transductores pezornaq-
ntlcos de potencia para generadores de ultrasonidos.
En el comercio las ferritas reciben diferentes denqminaciones comerciales, tales como Ferrox
cube.
Ferritas de manganeso-cinc
Las ferritas de. manganeso-cinc, cuya denominacin comercial por PHILIPS es la de Ferroxcube 3,
se subdividen a su vez en diversos grados.
125
Ferroxcube3A
Ferrita con elevado valor de permeabilidad inicial, idnea para ser utilizada en transformadores de
pequea potencia y banda de paso ancha, para equipos de comunicaciones.
Es til en la fabricacin de pequeos transformadores de impulsos.
Su uso se extiende desde las audiofrecuencias ms altas hasta cerca de los 100 kHz.
Puede ser empleada en condiciones de polarizacin con corriente continua.
Ferroxcube 38
Ferrita con bajas prdidas, muy recomendada para la fabricacin de bobinas con alto factor de ca-
lidad Q, coeficiente de temperatura bajo y elevada estabilidad.
Las principales variedades del Ferroxcube 38 son las siguientes:
382: para frecuencias de 300 Hz a 100 kHz.

383: para frecuencias de 100 a 700 kHz.
384: para frecuencias bajas, cuando se exijan prdidas muy pequeas por histresis.
385: presenta prdidas por histresis todava menores, y permeabilidad inicial algo ms elevada.
Ferroxcube3C
Ferrita muy adecuada para dispositivos que exigen valores relativamente altos de induccin mag-
ntica (superiores a 50 mT), como los transformadores de salida de lnea y las bobinas de desviacin
horizontal y vertical de las pantallas de televisin.
Esta ferrita es muy apropiada para la produccin en masa de ncleos en forma de U o en for-
ma de anillo.
Ferroxcube 3D2
Ferrita utilizable cuando se requieran altos valores de Induccin magntica.
Su induccin mxima es mayor que la del grado 3C, y vara menos con la temperatura. Presen-
ta, sin embargo, menor permeabilidad inicial y mayores prdidas que el Ferroxcube 3C.
Ferroxcube3E
Es el grado de Ferroxcube 3 que presenta mayor permeabilidad inicial.
Es una ferrita apropiada para transformadores de banda de paso ancho en equipos de comu-
. .
rucactones.
En ncleos envolventes se emplea el Ferroxcube 303, 387, 3H1, etctera.
Ferritas de nquel-cinc
Estas ferritas difieren considerablemente de las anteriores, ya que presentan menor permeabilidad
Inicial y menor induccin mxima de saturacin, pero mayor fuerza coercitiva y elevados valores de
resistividad, gracias a lo cual resultan idneas para ser utilizadas en RF.
Se conocen comercialmente con diferentes denominaciones, como la de Ferroxcube 4 de PHILIPS.
Ferroxcube4A
Ferrita muy similar a la del grado 38, excepto por su resistividad, que es mucho mayor.
Ferroxcube 48
Ferrita muy adecuada para circuitos de sintona, en frecuencias comprendidas entre 1 y 2 MHz. Es
la ms utilizada en la fabricacin de varillas de Ferroxcube para antenas.
Ferroxcube4C
Ferrita idnea para ser utilizada en circuitos que trabajan con frecuencias comprendidas entre 2 y
5 MHz.
Ferroxcube4D
Ferrita idnea para trabajar con frecuencias comprendidas entre 5 y 20 MHz.
126
BOBINAS Y FERRrAS
Ferroxcube 4E
Para frecuencias comprendidas entre 20 y 50 MHz.
Ferroxcube4F
Para frecuencias comprendidas entre 50 y 100 MHz.
Ferroxcube 4H
Ferrita especialmente desarrollada para su empleo en aceleradores de partculas y en atenuadores
de microondas. No utilizable por tanto en radio y televisin.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LAS FERRITAS
En las ferritas caben distinguir dos grupos de caractersticas tcnicas: las referidas a las propieda
des mecnicas y las referidas a las propiedades elctricas y magntcas.
Las caractersticas mecnicas de una ferrita son las siguientes:
Peso especfico.
Mdulo de Young.
Coeficiente de dilatacin lineal.
Resistencia a la traccin.
Resistencia a fa comoresion.
Calor especfico.
Conductividad trmica.
Las caracterstioas elctricas y magnticas principales son las siguientes:
Resistividad.
Constante dielctrica.
Permeabilidad inicial.
Temperatura de Curie.
Frecuencia de trabajo.
Induccin magntica.
A continuacin se estudia el significado de todos estos parmetros, prestando mayor atencin

a los elctricos y magnticos.
Peso especfico
El peso especifico es el peso por unidad de volumen de la ferrita. Se expresa en gramos por cen-
tmetro cbico de material (g/cm3) y depende de los materiales constituyentes de la ferrita.
Como ejemplo diremos que el Ferroxcube 3 posee un peso especfico de unos 4,7 a 4,8 g/cm3,
mientras que el Ferroxcube 4 posee un peso especfico comprendido entre 3,5 y 5 g/cm3.
Mdulo de Young
El mdulo de Young o mdulo de elasticidad (M) se expresa en kg/mm2, y es la relacin entre el es-
fuerzo de traccin y el alargamiento producido por este esfuerzo en la ferrita. Es una caracterstica
propia del matertal y se calcula con la frmula:
donde Fes la fuerza de traccin en kg, s la seccin transversal inicial de la ferrita en mm2, /la lon-
gitud inicial de la ternta en mm, y D./ el alargarniento en rnm.
Como dato diremos que el mdulo de Young en el Ferroxcube es de 15.000 kg/mm2.
12r
Coeficiente de dilatacin lineal

Cuando una ferrita se calienta aumentan sus dimensiones en todos los sentidos, aumentando por
tanto su superficie y volumen. Se dice entonces que el material se dilata.
El coeficiente de dilatacin lineal expresa el aumento de dimensiones de la ferrita por cada C
de aumento de temperatura.
En el Ferroxcube el coeficiente de dilatacin lineal es de, aproximadamente, 10-5/C.
Resistencia a la traccin
La resistencia a fa traccin (crJ se expresa por la relacin entre la fuerza aplicada F (expresada en kg)
y la seccin s de la ferrita (expresada en mm2); es decir, por:
Para obtener esta magnitud se sujeta la barra de ferrta por un extremo y por el otro se aplica
una fuerza de traccin hasta que la ferrita se rompe.
Como dato informativo diremos que la resistencia a la traccin del Ferroxcube es de, aproxima-
damente, 1,8 kg/mm2.
Resistencia a la compresin
Para la realizacin del ensayo de compresin, se coloca la barra de ferrita entre las dos placas de
compresin de una prensa, de forma que el eje de la ferrita coincida exactamente con el eje de la
prensa, y se aplica el esfuerzo de compresin.
Antes de romperse la ferrita se deforma, reducindose su altura y ensanchndose su seccin
transversal.
La resistencia a fa compresin (crJ se expresa en kg/mm2, es decir:
F
O'c = _e (kg/mm2)
s
donde Fe es la fuerza de compresin (en kg fuerza) y ses la seccin de la ferrita (en mm2).
El Ferroxcube posee una resistencia a la compresin de 7,3 kg/mmQ aproximadamente, sobre-
pasada la cual se rompe.
Calor especfico
El calor especfico de un material (entre dos lmites de temperatura t1 y t2) es la relacin que existe
entre la cantidad de calor (0) necesario para elevar la unidad de masa del cuerpo (un gramo) de la
temperatura t1 a la temperatura t2 Viene dado por la expresin:
donde C es el calor especfico en cal/g/C y Q es la cantidad de calor en caloras/gramo.

El Ferroxcube posee un calor especfico de O, 17 cal/g/C, es decir, que si a un gramo de Fe-
rroxcube se le aplican O, 17 caloras, su temperatura aumenta un grado centgrado.
Conductividadtrmica
Recibe el nombre de conductividad trmica de un material la facilidad que presenta al paso del
calor.
La conductividad trmica se produce cuando todos los puntos del material no estn a la misma
temperatura; entonces, el calor se propaga de molcula a molcula, desde los puntos ms calientes
a los ms fros en un tiempo determinado. Se expresa en cal/(cm s C).
En el caso del Ferroxcube, la conductividad trmica es menor de 14 x 10-3 cal/(cm s C).
128
BOBINAS Y FERRITAS
Resistividad
Las ferritas poseen una elevada restetivtasd, lo que. reduce al rnnimo las prdidas por corrientes
parsitas. Por este motivo el material puede ser empleado en la fabricacin de ncleos compactos.
tanto para bobinas como para transformadores.
La resistvidad se expresa en (l/cm y disminuye con la frecuencia.
Las ferritas de nquel-cinc poseen una resistividad mucho mayor que las de manganeso-cinc,
razn por la cual se utilizan para frecuencias ms elevadas.
En la. tabla 6.2 se indican los datos de resistividad de los Ferroxcube 3 y 4 para frecuencias de
1kHzy10 MHz.
Ferroxcube 3 100 10
Ferroxcube 4 5X106 0,2x106 Tabla6.2 Resistividad

del Ferroxcube.
Constante dielctrica
Se llama constante dielctrica de un material aislante a la relacin entre 12\. capacidad de un con-
densador que emplea corno dielctrico el material considerado, y la capacidad del mismo conden-
sador empleando corno dielctrico el vaco.
La constante dielctrica de las ferritas disminuye al aumentar la frecuencia,
En la tabla 6.3 se indican las constantes dielctricas de los Ferroxcube 3 y 4 para frecuencias
de 1kHzy10 MHz.
Ferroxcube 3 150.00D 50.000
Ferroxcube 4 400 15 Tabla 6.3 Constante

dielctrica del Ferroxcube.
Permeabilidad inicial
Como en todo material ferromagntico el valor de la permeeodsd normal () de las ferritas se
aparta del valor de la permeabilidad inicial (0) a rnedlda que aumenta la intensidad del campo mag-
ntico (H) y, por lo tanto, la induccin magntica.
La permeabilidad de un material ferromagntico viene dada por la. expresin:
8
.u = H
donde B es la induccin magntica (en mT) y H es l:i intensidad de campo magntico a la que se
somete el material (en Nm).
As, en la figura 6.13 se muestran las curvas caractersticas de la induccin en funcin de la Inten-
sidad de campo de una ferrita. Se observa que este parmetro tambin depende de la temperatura,
129
6. 13 Curvas caractersticas de la B 600 1

induccin magntica en funcin de (mT)
fa intensidad de campo magntico 500
de una ferrita, para cuatro ~
2oc
temperaturas distintas. 400 sorc
I]/
300 ioo-:
200 ~ 12oc
'""
100
o
O 200 400 600 800 H (Nm)
de forma que a igualdad de intensidad de campo magntico el valor de la induccin magntica es

menor cuanto mayor sea la temperatura.
De las curvas de la figura 6.13 se deduce tambin que la permeabilidad no tiene un valor cons-
tante, sino que disminuye al aumentar la intensidad de campo magntico H, es decir, al aumentar
el valor de la intensidad de corriente elctrica (I) y/o el nmero de espiras (N'J de la bobina. y/o al
osmlnur su longitud (n, puesto que:
H=_!!!
I
acercndose el ncleo a la saturacin, segn la curva de histresis.

Recibe el nombre de permeabilidad inicial de un material terromaqntco aquel valor mximo de
permeabilidad 0 cuando la intensidad de carnpo magntico 1-/ tiende a cero.
La permeabilidad depende tambin de la frecuencia en rgin1en de elevada induccin mag-
ntica. La diferencia entre la permeabilidad normal y la inicial disminuye al disminuir la frecuencia.
As, para el Ferroxcube 3 el valor se aproxima al de 'O para frecuencias menores de 600 Hz.
En la tabla 6.4 se indican los valores de permeabilidades Iniciales de los Ferroxcube.
,. .. "'~' . ,,.,. *'

Ferritas de Permeablidad
:f\l
Ferritas de
'f " '
Permeabilidad
: mang?~~so- in1cialMo "~ nqu~~ci~c inicial 0
:~I cines'
1 \'j
'
a. 2 (j'<ll,!j
,.
,,
~ .'<:' :\
l~l!l
. .
a 2~~C
.
3A 1.400 + 15 o/o 4A 600 20 %
38 900 + 20 % 48 250 20 %
382 900 20 o/o 4C 125 + 20 %
383 900 + 20 % 40 50 20 %
384 90020% 4E 15 20 %
385 1.200 20 % 4F 7 + 20 o/o
3C2 1.100 + 20 %
302 750 + 20 %
Tabla 6.4 Permeablidad 3E 2.500 + 15 %

inicial de los Ferroxcube.
130
BOBINAS Y FERRITAS
- e o -c +e 6.14 Curva caracterstica

de variacin de la
permeabilidad inicial 0 en
20 -c funcin de la temperatura.
Temperatura de Curie
El valor dfil la permeabilidad inicial depende considerablemente de la temperatura, ya que aumenta
con la temperatura hasta alcanzar un valor mximo y disminuye despus rpidamente a partir de
ste, tal y como se aprecia en la figura. 6.14.
Esta disminucin de la permeabilidad se produce entre 150 y 190 C para las ferritas de man-
ganeso-cinc, y entre 120 y 550 C para las ferritas de nquel-cinc.
Aquel valor de tempratura en el cual la ferrita adquiere .el mismo valor de pe,rmeabilidad inici~I
que tenia a 20 C, se conoce con el nombre de.punto de Curie.
Por encima del punto de Curie el ncleo de ferrita queda perjudicado de forma permanente.
Como consecuencia, nunca se debe hacer trabajar una bobina con ncleo de ferrita a una tem-
peratura prxima al punto de Curie, cuyo valor es proporcionado por el fabricante.
En la tabla 6.5 se relacionan los puntos de. Curie de los Ferroxcube.
Ferroxcube 3A 100 Ferroxcube 4A 125
Ferroxcube ,38 150 Ferroxcube 48 250
Ferroxcube 382 150 Ferroxcube 4C .350
Ferroxcube 383 150 Ferroxcube 4D 400
Ferroxcube 384 Ferroxcube 4E 500
Ferroxcube 385 150 Ferroxcube 4F 600
Ferroxcube 3C2 150
Ferroxcube 302 21 O
Ferroxcube 3E 100 Tabla 6.5 Punto de Curie

de las ferritas.
131
El grfico de la figura 6.14 muestra que a temperaturas normales la permeabilidad inicial posee un
coeficiente de temperatura positivo, es decir, que la permeabilidad aumenta con el aumento de
temperatura.
El coeficiente de temperatura en este caso es igual a:
donde T representa el incremento de temperatura,

En el caso de que el ncleo posea un entrehierro, la frmula anterior no es vlida, ya que el en-
trehierro reduce la permeabilidad del circuito a un cierto valor eficaz u', y el coeficiente de tempera-
tura se reduce en la proporcin:
La permeabilidad eficaz () representa la permeabilidad de un material hipottico que, si se uti-

lizara en el circuito magntico (sin entrehierro), dara la misma reluctancia que la del circuito real con
entrehierro.
Esta permeabilidad eficaz no debe confundirse con la relacin L.!Ln entre las inductancias del
devanado con y sin ncleo ferromagntico, pues en este caso la distribucin del ncleo sera con-
siderablemente distinta.
En la tabla 6.6 se indica los coeficientes de temperatura ar de los ferroxcube de PHIUPS. Estos coe-
ficientes de temperatura son los obtenidos a temperaturas normales comprendidas entre 20 y 50 "C.
Frecuencia de trabajo
Cada ferrita est especialmente fabricada para trabajar a una frecuencia dada.
La frecuencia de trabtijo es pues la ms idnea para la ferrita en cuestin, y se ha indicado en
pginas anteriores al describir cada una de ellas.
3A 4,5 X 10-6 4A
38 48
382 2 X 10-6 4C
383 2 X 10-6 40 15X10-6
384 4 X 10-& 4E 15 X 10-6
385 4 X 10-6 4F 35 X 10-6
3C2 4,5 x 1 o-6
302 4,5 X 10-6
Tabla 6.6 Coeficientes de 3E

temperatura de los Ferroxcube.
132
BOBINAS Y FERRITAS
Induccin magntica
El valor de la induccin magntica viene dado por los fabricantes mediante ourvas caractersticas
como la d la figura 6. 13, o bien mediante tablas caractersticas referidas a una intensidad de cam-
po magntico detenninado.
BOBINAS IMPRESAS
En la figura 6.15 puede verse parte de un circuito impreso sobre el que se ha grabado una bobina.
sta es una forma.de diseo de bobinas muy utilizada en algunos aparatos electrnicos.
6.15 Bobina grabada

sobre circuito impreso.
En el diseo de estas bobinas debe tenerse en cuenta la longitud de la pista de cobre, seccin
de la misma y distancia entre espiras. De acuerdo con estas magnitudes, as ser la inductancia de
la bobina obtenida.
Resulta un sistema muy adecuado para aprovechar espacios vacos de un circuito Impreso, ya que
sobre ellos pueden disponerse componentes de cierto volumen y reducir as el tamao del circuito.
133
Transformadores y
autotransformadores
INTRODUCCIN
El transformador est basado en el principio de que la energa elctrica se puede transportar efi-
cazmente por induccin magntica desde una bobina hasta otra (u otras) por medio de un flujo
magnticq variable, siempre que las bobinas estn situadas en el mismo circuito magntico.
Aunque en electricidad existen transformadores monofsicos, trifsicos y exafsicos. en radio y
televisin slo se utilizan los transformadores monofsicos, ya que nicamente se trabaja con se-
ales alternas monofsicas, por lo que en este captulo estudiaremos exclusivamente esta clase de
trans'formadores.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSFORMADOR MONOFSICO
Supngase un circuito magntico formado por planchas de material ferromagntico (o de ferrita),

sobre el que se arrolla una bobina a la que se aplica una tensin alterna senoidal (figura 7.1).
' - --- - - - -------- --' '

, <1> '
- - - - - - - ------
I
ip 1
,' '
1
I>-
.
1
' 1
1
1 1
''
1 : 1
1
' '
1 1 nP ''
1
1'
7. 1 Fenmenos que se
' '
1
' 1
producen en un circuito
' 1 1
' - - ------- - - - _,,,
1
'' 1 magntico con una tobtns

' ... _______________ arrollada sobre l y sometida
I
--
I
' '
a una tensin alterna senoidal.
En esta circunstancia, siempre que no se llegue a la saturacin del ncleo magntico, es decir,
siempre que la permeabilidad magntica se mantenga constante, la corriente que circula por la
bobina y el flujo rnaqntlco creado por esta corriente sern senoidales.
Por autoinduccin, en cada una de las espiras se crea una fuerza electromotriz:
D.<1>
e=-
Lit
Si llamamos nP al nmero total de espiras de la bobina, entre los extremos de stas se engendra
una fuerza electromotriz de autoinduccin igual a:
135
Si se considera nula la resistencia hmica de la bobina (caso terico que no se da en la prctica

pero que sirve para obtener las conclusiones que siguen), para compensar esta f.e.m. de autoln-
duccin es necesaria una tensin entre terminales de:
Es decir, que:
Si al ncleo anterior se arrolla una segunda bobina, se habr constituido un transformador mo-
nofsico (figura 7.2}.
, - -- - - - - - -(J>- - - - - - - - -.
'
'
1
I
'1
lp 1 ,------------- 1
'1
-
~ 1 1
1
1
'
' .' 1
'.' '1
1
1
'1 1
1
n,
1
es
7.2 Fenmenos que se eP 1 1 nP 1
1
1 v.-
producen en un circuito
1 1
1
'
magntico con dos bobinas 1
1 1
1
1
1
arrolladas sobre l y sometida 1

1
1
,r
1
-------------
1
una de ellas a una tensin 1 ' 1
'' ,,
I
alterna senoidal (transformador ' ------------------
monofsico en vaco).
La primera bobina (a la que se le aplica la tensin vP) recibe el nombre de primario, y la segun-
da bobina (en la que se obtiene la tensin v5) se denomina secundario.
Efectivamente, si se aplica una tensin vP al primario circular una corriente iP por el devanado
primario, de nP espiras, la cual genera un flujo magntico cI> en el ncleo.
Dicho flujo magntico aumenta y disminuye de valor, cambiando de sentido al ritmo de la co-
rriente alterna, por lo que engendra en el devanado ns una f.e.m. e5 de valor:
En el caso de la figura 7.2 el secundario est abierto, es decir, el transformador funciona en va-
co, por lo que la corriente en el secundario es nula y se tiene que:
Se l ama relacin de transformacin a la igualdad:
r. = vp vaco
t V5 vaco
(Recurdese que es norma que las letras maysculas representen valores eficaces de las tensiones
y corrientes alternas, y las letras minsculas valores instantneos.)
Como puede deducirse fcilmente, la relacin de transformacin tambin se expresa por:
136
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
~ -- - - - - - - - - - - - - - - - - '
'' 4) '
' ------------- '
'
lp
1 1
~ '1 1
1 is
' ' 1
.
1
1 e:--
1 1
1
'' l
i
' 1 '1
' 1
' es
eP 1 nP ns '1 1 Vs- 1
'1
'
1
' 1
'1 T
1 1
'
1
1'
1 1
1
1
1
1
-,
------------- '
1
'
1
'' -----------------~ '' 7.3 Transformador

monofsico en carga.
Si ahora se conecta al secundado una carga RL (figura 7.3), por el primario circular una co-
rriente iP' que no tiene por que ser la misma que en el caso anterior.
Si se aplica la misma tensin primaria (vp} que en el caso anterior, en el secundario aparece una
tensin (v5) sensiblemente igual a la tensin secundaria en vaco; o sea, que tendremos:
vP vaco \/P
rt =--Vs vaco =-
V5
Prescindiendo de las prdidas por dispersin de flujo (parte del flujo magntico engendrado en
el primario, que no pasa por el ncleo del secundario) y de las prdidas debidas a las resistencias
y a las reactancias eh los arrollamientos, la energa suministrada al primario ser igual a la energa
suministrada por el secundario, es decir, que:
De esta ltima igualdad se deduce que:
Estas relaciones son las correspondientes a un transformador ideal, y son importantsimas para
el diseo de cualquier transformador. De ellas se deduce que:
La corriente en el secundario es tanto mayor cuanto menor sea el nmero de espiras de este
devanado.
La tensin en el secundario es tanto mayor cuanto mayor sea el nmero de espiras del secundario.
As, en un transformador ideal, formado por un devanado primario de 2b0 espiras y un secun-
.dario de 50 espiras, la relacin de transformacin ser:
200 espiras 4
5.0 espiras
- 1
Si al primario de este transformador se le aplica una tensin de 220 V, la tensin en el secun-

dario ser:
V 220V = V
Vs =..:._e_=
r 55
t 4
Si al secundario se le conecta una carga de 1 O kQ, la corriente que circula por ste. ser:
55V _ A
= 10kQ - 5,5 m
137
Mientras que por el primario circula una corriente de:
Is - 554mA
I P - = 1,375 mA
rt
En el ejemplo expuesto se confirma que la tensin en el secundario es menor que en el primario

y la corriente en el secundario mayor que la del primario.
El ejemplo desarrollado se refiere a un transformador reductor de tensin, en el cual el nmero
de espiras del secundario es ms pequeo que el del primario.
Se fabrican tambin transformadores en los cuales el nmero de espiras del secundario es ma-
yor que el del primario; se trata de un transformador elevador de tensin, en el cual, y aplicando la
misma relacin expuesta, la corriente en el secundario es ahora menor que la del primario.
En electrnica se utilizan tanto transformadores elevadores como reductores de tensin.
Los transformadores reductores de tensin se utilizan, por ejemplo, en la mayora de las fuen-
tes de alimentacin, en las cuales debe reducirse la tensin de 125 o 220 V de la red a otra de va-
lor ms bajo, adecuada para la alimentacin de los circuitos transistorizados o con integrados.
Como ejemplo de transformador elevador de tensin se puede citar el de salida de lneas de los
receptores de televisin, en el cual se obtiene una MAT de varios miles de voltios.
En resumen, para que un transformador reduzca la tensin es preciso que el secundario tenga
menos espiras que el primario, mientras que si lo que se desea es un aumento de tensin el se-
cundario debe tener mayor nmero de espiras que el primario.
FUERZA ELECTROMOTRIZ INDUCIDA
En una bobina atravesada por un flujo magntico variable el valor eficaz de la fuerza electromotriz
inducida es:
1
E= {2 2nfnmx
donde E es la f.e.m. inducida (en voltios), f la frecuencia de las variaciones de flujo magntico
(en hercios), n el nmero de espiras de la bobina y rnax el valor mximo del flujo magntico (en
webers).
Veamos un ejemplo: supongamos un transformador cuyo secundario posee 100 espiras y cuyo
flujo mximo en una seccin recta del ncleo es de 3 mWb. Si la variacin del flujo se produce con
una frecuencia de 50 Hz (caso de la e.a. de la red), la fuerza electromotriz inducida en el secunda-
rio valdr:
X 2 X 3, 14 X 50 Hz X 100 espiras X 3 X 10-<3 Wb = 66,64 V
Suponiendo despreciables las prdidas de flujo por dispersin, el flujo magntico en las dos bo-
binas, primaria y secundaria, ser el mismo, luego se puede admitir que la f.e.m. en cada una de
ellas es proporcional al nmero de espiras de la bobina, es decir:
Efectivamente, los parmetros f y rnx son idnticos en el primario y en el secundario, variando

slo el nmero de espiras.
138
TRANSFORMADORES V AUTOTRANSFORMADORES
Si el primario posee 330 espiras, la fuerza electromotriz en el primario ser:
x 2 x 3,14 x 50 Hz x 330 espiras x 3 x 10-3 Wb = 220 V
Valor ste que tambin se obtiene a partir de la relacin de transformacin:
VP =Es _n~P = 66,64 V 330 espiras = 220 V

n5 100 espiras
FORMA CONSTRUCTIVA DE LOS TRANSFORMADORES
En su diseo ms simple un transformador est constituido por un devanado primario y un deva-

nado secundario. cada uno de los cuales con n espiras, pudindose obtener un transformador re-
ductor o un transtorrnador elevador .de tensin.
En electrnica, sin embargo, es muy usual que los transformadores estn dotados de dos o ms
devanados secundarios, independientes o no entre s, de forma que puedan obtenerse dos o
ms tensiones secundaras. En la figura 7 .4 se muestran los smbolos de varios transformadores,
seleccionados ent(e los muchos que pueden darse, dotados con ms de dos devanados.
ls1 112 n51

112 n,
1/2 n51
nP nP nP
112 n5
ls2
ls2
b) e)
a)
.---OA
139
El smbolo de la figura 7 .4a corresponde al de un transformador con dos devanados secunda-

rios n51 y n52 independientes, los cuales pueden tener o no el mismo nmero de espiras y ser re-
ductores o elevadores de tensin.
La figura 7.4b corresponde al smbolo de un transformador cuyo secundario ns posee una toma
central, con lo cual se obtienen dos tensiones iguales y opuestas en fase entre cada terminal extre-
mo y la toma media del secundario, y/o una tensin total entre terrninales extremos igual al doble de
las tensiones individuales. Al igual que el de la figura 7.4a, puede ser reductor o elevador de tensin.
El smbolo de la figura 7.4c corresponde al de un transformador con dos devanados secunda-
rios independientes (n81 y n52), uno de los cuales posee una toma central como el de la figura 7.4b.
El transformador de la figura 7.4d posee un nico devanado secundario pero con tomas inter-
medias en diferentes puntos de su arrollamiento. Con este transformador se obtiene un sinnmero
de tensiones, segn los terminales utilizados. As, suponiendo que entre tos terminales extremos
del secundario (puntos A y E de la figura 7 .4d) se tengan 1 O V, las tensiones que pueden obtener-
se de este transformador sern:
0,5 V entre DyE 3,5 V entre B yE

1 V entre CyO 6,5 V entre A yB
1,5 V entre CyE 8,5 V entre A ye
2 V entre By C 9,5 V entre A yO
3 V entre By O 1O V entre A yE
En total, 1 O tensiones distintas.

Finalmente, en la figura 7.4e se muestra el smbolo de un transformador como el de la figu-
ra 7.4c pero en el cual se ha hecho una toma intermedia en el devanado primario, de forma que
entre sta y cada uno de los terminales extremos se pueda aplicar una tensin de red de 11 O V, y
entre terminales extremos de 220 V. Este tipo de transformador es muy utilizado en aparatos de ra-
dio y televisin preparados para trabajar indistintamente a 125 o 220 V.
Los devanados de los transformadores se realizan con hilo de cobre esmaltado de seccin ade-
cuada a la intensidad de corriente que ha de circular por ellos, es decir, su seccin ser tanto rna-
yor cuanto mayor sea la intensidad de corriente que por l circule.
Los conductores se arrollan sobre un carrete de materal aislante (plstico, cartn baquelizado
o similar) como el que se muestra en la figura 7.5.
7. 5 Carrete de mstetiel aislante

para el devanado de un
transformador.
Estos carretes disponen de unos orificios en sus extremos, por donde salen al exterior los con-
ductores de los devanados para su posterior conexin al circuito en que se aplican.
Los devanados se disponen en el carrete de diferentes formas, tal y como se indica en la figu-
ra 7 .6, es decir, uno encima del otro, superpuestos o en columnas distintas. La disposicin en una
u otra forma constructiva depende nicamente de las dimensiones finales del transformador y del
tipo de ncleo utilizado.
140
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFQRMADORES
Prnario Secundario
Secundario Primario
a)
b)
Primario Secundario
e)
7.6 Disposicin de los devanados sotueet carrete: a) uno encima del otro: b) superpuestos; e) en columnas
diferentes.
Entre capa y capa se dispone, cuando las tensiones sen elevadas, papel impre.gnado o cinta de
material plstico aislante que evite cortocircuitos entre capas.
Una vez realizados !os arrollamientos, se lntroduce-en su interior un ncleo de planchas de ma-
terial ferromagntico (transtormadores para baja frecuencia) o un ncleo de ferrita (transformadores
de alta frecuencia).
Autotransformadores
El autotransforn1ador es una variante especial de los transtorrnadores. La nica diferencia que dis-
tingue a un autotransformador de un transformador est en la forma constructiva de los devanados.
En los transformadores, el devanado primario est aislado elctricamente de los devanados se-
cundarios, siendo .el nico contacto entre ellos el flujo magntico .a travs del ncleo comn.
Los autotransformadores poseen un devanado nico, del cual se derivan las conexiones del pri-
mario y del secundario, tal y como se aprecia en la figura 7.7.
-
, ----------- - - ---' '
1 <{> '
'' -------------
1
lp
A ' '
'
~
- ' 1
1
1 1 1
1 : 1
1
1
r.
1 1
1
1
''
1
8
~
. '
v.
1
1
'
1
e 1
_____________ ,
1
'
1
'
1
1 1
lp Is 1 ' '
c::i -eo- 1 1
'' ,' 7. 7 Constitucin de un
-----------------# autotransformador.

141
Los autotransformadores se utilizan slo cuando la potencia con la que se trabaja es pequea,
porque las tensiones elevadas en una u otra parte del devanado podran dar lugar a cortocircuitos.
Al igual que el transformador, el autotransformador puede ser elevador o reductor de tensin.
Un transformador como el de la figura 7.7, dotado de tres terminales de conexin, trabaja como
reductor de tensin cuando la tensin primaria se aplica entre los terminales A y C, y la tensin se-
cundaria se obtiene entre los terminales By C. El terminal Ces pues comn a ambos circuitos (pri-
mario y secundario), as como la parte del arrollamiento existente entre 8 y C.
Como consecuencia de lo expuesto, por la parte del arrollamiento existente entre los puntos 8
y C circula tanto la corriente primaria como la secundaria.
Se puede afirmar que el autotransformador reductor de tensin es un divisor de tensin induc
tivo, en el cual la tensin primaria se reparte por igual entre el total de espiras del devanado, y en
el que la tensin secundaria tendr un valor proporcional al nmero de espiras existente entre cada
terminal extremo y la toma central.
As, si el autotransformador de la figura 7.7 posee un devanado con un total de 300 espiras,
efectundose una toma intermedia en la espira nmero 100 (correspondiente al terminal B de la fi-
gura), al aplicar una tensin alterna de, por ejemplo, 15 V entre los terminales A y C, esta tensin
se reparte por igual entre las espiras, es decir, que entre espira y espira habr una tensin de:
v. = 0,05 V por espira

espiras
30015
Teniendo en cuenta que se ha efectuado una toma en la espira 100, la tensin entre los terminales
e
By ser de:
100 espiras x 0,05 V/espira = 5 V
y entre los terminales A y B de:
200 espiras x 0,05 V/espira= 1 O V
De todo ello se deduce que en todo autotransformador reductor de tensin, con una sola bobi-
na y una toma intermedia, encontramos una tensin total entre terminales extremos igual a la ten-
sin primaria, y dos tensiones parciales entre la toma intermedia y cada uno de los terminales ex-
tremos cuya suma es igual a la tensin total del primario.
Se observa asimismo que por cada terminal del autotransformador circula una corriente cuyo va-
lor es inversamente proporcional al nmero de espiras; es decir, que por el terminal comn C de la
figura 7.7 circula una intensidad de corriente igual a la diferencia de las corrientes parciales JP e 15.
Un autotransformador puede utilizarse tambin como elevador de tensin. En este caso la ten-
sin primaria se aplica entre los terminales By C de la figura 7.7, obtenindose la tensin secun-
daria entre los terminales extremos C y A.
Efectivamente, supongamos que al autotransformador del ejemplo anterior se le aplica una ten-
sin primaria entre los terminales B y C de 5 V. Como entre B y C hay un total de 100 espiras, la
tensin de 5 V se reparte por igual entre ellas, es decir:
5
V. = 0,05 V por espira
100 espiras
Al ser el nmero total de espiras de 300, entre los terminales A y C se obtiene una tensin de:
300 espiras x 0,05 V/espira= 15 V
En resumen, todas las frmulas referentes a las relaciones de transformacin expuestas para el
caso de los transformadores son vlidas para los autotransformadores, teniendo slo en cuenta
que el nmero de espiras del secundario corresponde a las existentes entre la toma intermedia y el
142
terminal extremo del que se obtenga, la tensin-secundaria (en el caso de autotransformadores re-
ductores de tensin), o .al total de esplras si se trata de autotransforrnadores elevadores de tensin.
Es decir, en los autotransforrnadores se cumplen tambin las igualdades:
n
rt -- p
n
En la figura 7.8 se han dibujado los smbolos utilizados para la representacin de autotranstor-
madores, tanto elevadores como reductores de tensin.
Is
-!>-
>
Vp
>
> I, lp v,
np > e::- I>- n~
> n 1 n,
> s
vs vp 7.8 Sn1bolos de
sutotrsnstotmsdote
--- Ip
=:!
Is
' --=:i
IP
-~
r~
reductores de
tensin (a) y
efevadores de
a) b) tensin (b).
En definitiva, salvo la particularidad menctonada, todo lo que se expone en este captulo referi-
do a los transformadores es igualmente vlido para los autotranstorrnadores. por lo que no cree-
mos necesario ampliar l tema.
NCLEOS PARA TRANSFORMADORES
En la actualidad, se utilizan ncleos de chapa magntica para los transformadores que han de tra-
bajar con seales de baja frecuencia, y ncleos oe ferrita, para los transformadores que han de traba-
Jar con seales de alta frecuenoia: aunque ciadas las grandes ventaias de estas ferritas, tambin son
utilizables en los transformadores de baja frecuencia de audio.
El lector interesado en la utlllzaen de las ferritas como holeos de transformadores .. de radio-
frecuencia puede consultar el captulo anterior, dedicado a las.bobinas: en las lneas que siguen, nos
limitamos a exponer las caractersticas tcnicas de las chapas de material ferromagntico.
Los ncleos de transformadores, tanto de chapa corno de ferrita, se disean en diferentes for-
mas (figura 7.9).
7'.9 Diferentes formas

constructtvss de
ncleos par?
transformadores de
chapa magntica o
de ferrita: a) de tres
columnas; b} toroidal;
a) /)) e) e) de dos columnas.
143
En el caso de ncleos de ferrita, al ser stos macizos, los ncleos estn formados por dos pie-
zas separadas (figura 7.9a y e) para permitir la introduccin en su interior del o de los carretes.
Los ncleos toroidales estn formados por una sola pieza, lo cual dificulta el devanado, el cual
deber hacerse manualmente o con mquinas de bobinar especiales.
En el caso de ncleos de chapa magntica, stas se disponen alternadas, de forma que el con-
junto quede slidamente unido formando un bloque compacto. En las cuatro esquinas de las chapas
se realizan unos orificios por los que se hace pasar unos esprragos roscados, y en los que se dis-
ponen unas tuercas que, fuertemente apretadas, permiten una unin firme y slida de todas las cha-
pas (figura 7 .1 O).
:
/ /
Tuercas ---@ @
Esprragos roscados ~/
/' /
/
/
/
/
/
7.10 Disposicin de las chapas del

ncleo de un transformador de baja
frecuencia.
La chapa que se emplea en los ncleos de los transformadores es una plancha especial de ace
ro al silicio, el cual presenta ciertas ventajas sobre otros materiales frreos, tales como una menor
prdida de energa, lo cual representa, aparte de un menor consumo, menos produccin de calor
en el transformador. El silicio hace que la chapa se vuelva quebradiza, tanto ms cuanto ms silicio
contenga la aleacin.
Por otra parte, el contenido de silicio de una chapa magntica es inversamente proporcional a
sus prdidas por kilo. As, una chapa cuyo contenido de silicio es del 1 %, presenta 3,6 W de prdi-
das por kilo, mientras que si el contenido de silicio es del 2,2 % las prdidas pasan a ser de 2,4 W
por kilo.
La eleccin del contenido de silicio de la chapa magntica es pues un compromiso entre las
prdidas elctricas y las propiedades mecnicas del material, ya que si el contenido de silicio es
elevado se hace difcil el mecanizado y manipulacin de la chapa.
Sobre la superficie de la chapa magntica se forma una pequea capa natural de calamina, que
es suficiente para actuar como aislante de las pequeas corrientes parsitas de Foucault que se
produzcan.
Es importante que las chapas que se empleen en la fabricacin de transformadores tengan el
corte limpio y sin rebabas, ya que de lo contrario podran producirse cortocircuitos francos entre
chapas y aumentar con ello las prdidas por corrientes parsitas. Sobre todo es muy importante no
proceder a un limado de las chapas una vez montado el paquete, pues aumentaran los cortocir-
cuitos entre ellas.
Otro punto importante es que todas las chapas tengan el mismo grosor, sobre todo en el caso,
bastante frecuente, de que estn compuestas de dos partes.
No vamos a entrar en el clculo de transformadores, ya que ello es toda una especialidad cuyo
desarrollo tcnico exigira una obra completa, pero s queremos poner en conocimiento del lector
que cada transformador exige un cierto nmero de centmetros cuadrados de seccin de ncleo, en
144
TRANSFORMADORES Y. AUTOTRANSFORMADORES-
fncin del flujo maqnttco que por .1 ha de pasar, pues si la seccin no es suficiente se producirla
saturactn del ncleo y, corno consecuencia, un mal paso de la energa del primario al secundario,
Por esta causa, y una vez conocida la seccin del ncleo, se elige el carrete adecuado a dicha sec-
cin y sevan introduciendo en l chapas hasta llenar por completo el Interior del carrete.
Las chapas han de quedar muy apretadas entre s, ya que de lo contrario vibran y hacen ruidos
desagradables. Para evitar las vibraciones es muy til que la primera-y lti111a chapas tengan 1 o 2 mm
de espesor, y apretar el conjunto fuertemente con esprraqos y tuercas.
Aunque actualrnente lo ms-usual es que el transformador venga montado por una firma espe-
cializada en estos trabajos, creernos interesante dar a-oonocer las drnenslonss ms usuales de al-
gunas chapas de hierro-silicio, las cuales se indican en las tablas 7. 1 y 7 .2.
Como se puede ver en las figuras 7.11 y 7.12, la dimensin e del n(icfeQ central suele ser el do-
ble que la de las columnas laterales. Ello se hace asf porque el flujo rnagntico presente en cada
una de las ramas laterales es la mitad del presente en la rama central (figura 7 .14).
7 .11 31 29 9 6,5 19 7.13. 148 43 120 15

42 34 14 7 20 175 55 134 15
48 40 16 8 24
54:8 42,5 13 8 40 Tabla 7.2 Dimensiones de las chapas para ncleos
57 47 19 9,5 28 de dos columnas.
62 49 16 8,5 55
68 56 22 14,5 35
72 60 24 12 36
86 72 28 14 43
96 80 .32 16 48
113 94 37 20 58,5
124 103 ,40 21 61
154 128 51 26 76 1
E B
7.12 43 35 14,5 7 21,5
48 40 16 8 21
57 47 19 9. 28
72 64 24 12 36
84
96
70
.80
28
32
14
16,
42
48 '
Tabla 7. 1 Dimensiones de las chapas para ncleos 7.11 Dimensines de las chapas para ncleos
de tres columnas. de tres eolumnss y corte en forma de doble F
(vase la tabla 7. 1 ).
A A
B D 8
E
C
i----1---
D L.---=-c__ ,
7.12 Dimerisiones "de las chapas para ncteoe de tres 7.13 Dimensiones de las .chapas para ncleos aedos
columnas y corte en forma El (vase fa tabla 7.1 ), columnas y coite en forma UI (vase fa tabla 7.?).
145
7.14 El flujo tnsantico presente

en la columna central es el doble ...------- ...-------
que el de las columnas tsterstes:
/ - - - -.- ...... ' \ / ------.. ' \
I r \ 1 I r: \ 1
i r 1 1 1 r 1 1
1 1 1 1 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1 1 1
t1 f1 t1 f1 ~ l r t
1 1 1
1 f 1 1 1 1 1
f 1 1 1
1 1 1
: 1 1
______
1 \ \ .__ / / 1 \ .__ / 1 /1
\ .........
' _,.
/
_,. /
Al elegir una chapa magntica se deben tener en cuenta.sus prdidas. Como dato de Inters di-
remos que, para una induccin magntica de 1 T por cm~. la prdida por k11o en la chapa de hie-
rro-silicio es de 2,2 W con una frecuencia de 50 Hz, mientras que en una chapa de hierro dulce con
las mismas condiciones es de 3 W, es decir, un 27 % superior (figura 7 .15).
W/kg
5~~~
7.15 Curvas caracterfsticas de

las prdidas en funcin de Ja
induccin, para una frecuencia
de 50 Hz, de las chapas de hierro 0,25 o, 5 Q, 75 1 1,25 1,5
dulce ( 1) y de hierrosilicio ( 11 ). B (T)
En la figura 7 .15 se observa que a medida que aumenta la induccin en el hierro aumentan las pr-
didas por kilo de chapa; es decir, que en una chapa de silicio y para una induccin de 0,5 T la prdi-
da es slo de 0,66 W/kg aproximadamente, aumentando a 3 W/kg cuando la induccin es de unos
1,5 T (las prdidas se multiplican casi por cinco mientras que la induccin slo se ha triplicado).
Pero las prdidas no slo aumentan con el aumento de induccin, tambin lo nacen, y esto es
muy importante en electrnica, con la frecuencia.
Efectivamente, en la figura 7 .16 se han dibujado las curvas caractersticas de las prdidas en
funcin de la induccin para varias frecuencias de trabajo de las chapas de hierro-silicio utilizadas
en los transformadores.
As, por ejemplo, trabajando a 50 Hz y con 1 T de induccin, las prdidas son de, aproximada-
mente, 1,5 W/kg, mientras que con la misma induccin y trabajando a 2 kHz las prdidas alcan-
zan casi los 300 W/kg, lo cual supone un bajo rendimiento del transformador. Por esta.razn, a partir
de unos 300 Hz es preferible la utilizacin de ferritas .
.Otro dato a tener en cuenta es la curva de magnetizacin de la chapa, ya que a partir de un cier-
to valor de la intensidad de campo el ncleo se satura y apenas.s aumenta la induccin.
En la figura 7 .17 puede verse la curva caracterstica de magnetizacin de una aleacin de hie-
rro-silicio, con 4 a 5 % de silicio (chapa de transformador), y en la que se observa cmo a partir de
800 Nm el ncleo comienza a saturarse.
146
10
7.16 Curvas de prdidas

1 totales, en funcn de la
a3 as a1 QB 1.1 1,3 1,5 induccin y de la frecuencia,
B (T) de las chapas de hierrosilicio.
H (kA/m)
o 1,6 3.2 4.8 64 8.0 9.6 11.2 12.8 14.4 16.0
B (T) 2.0
1
1
t.8 1-
~
1.6 - ~
-
1.4
1.2 1-
,,.
. ./
~
- -~
-
,/
1.0 - li
~ -- 1
0.8
I
-
1
0.6 - ~ -
0,4 -
0.2
j .
7.17 Curva de magnetizacin
o 1 1 de la aleacin tenostnao,
-320 -160 o 320 480 610 800 960 /.1?.0 1.280 1.41/0 1 600 con 4 a 5 % de sillcio (chapa
H (A/m) de transformador).
Efectivamente, con 0,8 kA/rn de intensidad de campo la Induccin es de 1,3 T aproximadamen-

te, mientras que con 16 kA!m (20 veces mayor), la. induccin slo sube 0,4 T (alcanza los 1,8 T).
Una mejora en la fabricacin de chapas para transformadores son las denominadas aleaciones
hierrosilicio de grano orientado, consistentes en un laminado en fro en lugar de la laminacin en
caliente.
Al igual que en la mayora de materiales rnaqntlcos, los cristales estructurales de estas alea-
ciones se magnetizan ms rpidamente segn unos ejes cristalogrficos, por lo que la larrmacin
en fro y el proceso trmico subsiguiente se efectan de forma que la direccin de ms fcil rnaq-
netizacin de los cristales coincida en lo posible con la direccin de la laminacin.
Los materiales ferromagnticos de grano orientado tienen mayor permeabilidad y menores prdi-
das por histresis. No obstante, hay que tener en cuenta que el aumento de permeabilidad solamen-
te es efectivo cuando la chapa se magnetiza en la direccin en que est laminada. mientras que en
las dems direcciones la permeabilidad queda disminuida, como se comprueba en la figura 7 .18.
147
7.18 Curvas de 32.000

,,,,,,- <,
permeabilidad en funcin
de la induccin de una
28.000
~~
~~- r-,
chapa de hierrosilicio de 24.000 ,<Y'<:$
grano orientado. Lneas ~!;)?/ "\: l -
continuas: chapa de 20.000 -,
hierrosilicio con 3 % de
.,
~
16.000
silicio y grano orientado.
12.000
/ . 5entidO Jongi!Udina/ '\1 -
Lneas a trazos: chapa de
/
:;...-- 1 - 1
sentido transversa;---
hierrosilicio con 3, 5 % 8.000 :::::-
1
_.,.,.......-
,---Setidotraii'Svef5~1-.::_ r--...
de silicio y laminada en --....;._ ......<, ~
caliente. 4.000 ' <, ~
r-,
~ -
O O O, 1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1, 1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7
8 (T)
En dicha figura se observa cmo las permeabilidades longitudinal y transversal de una chapa de
hierro-silicio al 3 % y de grano orientado, comparadas con las permeabilidades de una chapa de las
mismas caractersticas pero laminada en caliente, a igualdad de induccin magntica, toma valo-
res mayores en sentido longitudinal, rnientras que en sentido transversal es algo menor.
Las chapas de hierro-silicio de grano orientado se utilizan en la fabricacin de ncleos de trans-
formadores para aplicaciones en electrnica y telecomunicacin, ya que en RF las prdidas son
menores que las de hierro-silicio laminadas en caliente.
Otras aleaciones utilizadas como chapas para ncleos de transformadores son las de hierro-n-
quel, con un contenido de nquel de hasta el 79 %.
Son muchos los porcentajes de nquel que pueden utilizarse en la fabricacin de estas chapas,
variando con ello las caractersticas magnticas de las mismas. Su estudio sera excesivo para in-
cluirlo aqu, por lo que nos limitamos a exponer, de fon-na resumida, las de mayor inters para el
tcnico electrnico.
El Permafloy es el nombre comercial con el que se conoce a las aleaciones de hierro-nquel. Se-
gn el contenido de nquel podemos diferenciar los Permalloy A, By C.
El Permafloy A contiene un 21,5 % de nquel, el B contiene un 50 % de nquel, y el C un 78,5 %
de nquel, un 3 % de molibdeno y un 0,5 % de manganeso.
El Supermafloy o Permafloy al cromo est constituido por un 16,5 % de hierro, 78, 1 % de nquel
y 2,9 o/o de cromo, o bien por un 15 % de hierro, 79 % de nquel, 5 % de molibdeno y menos de 1 %
de manganeso.
En la tabla. 7 .3 se dan las caractersticas tcnicas de cada una de las citadas aleaciones.
Otra aleacin de hierro-nquel que merece citarse es el fsoperm, cuya permeabilidad es cons-
tante. Esta aleacin est constituida por un 50 % de hierro, 35 % de nquel y 15 % de cobre.
Perrnalloy A 12.000 95.000 1,05 3,00 0,21
Permalloy B 2.800 75.000 1,6 3,84 0,46
Permalloy C 20.000 120.000 0,8 2,40 0,60
Permalloy al cromo 1.600 50.000 0,8 3,00 0,26
Supermalloy >150.000 >1.250.000 0,8 2,40 0,65
Tabla 7.3 Caractersticas tcnicas de las aleaciones terto-mcuel.
148
TRANSFORMADORES V AUTOTRANSFORMADORES
Su permeabilidad es aproximadamente constante e igual a 100, para valores de intensidad de

campo magntico de hasta 8 kA/m. Este material se emplea en la fabricacin de los ncleos de las
bobinas y transformadores de alta frecuencia.
El Megaperm 4510 (45 o/o de hierro, 45 % de. nquel, 1 O% de molibdeno) es una aleacin con ele-
vada resistividad elctrica (0,97 11 rnrn2/m) que lo hace idneo para el trabajo en altas. frecuences, ya
que cuanto mayor sea la resistividad elctrica menores sern las prdidas por corrientes d.e Foucault.
HILO DE COBRE
El hilo de cobre es otro de los elementos importantes en la tabricacn ds.transforrnadores. En este

caso no podemos hablar de distintas calidades, pues se sobreentiende que el cobre para hilos de
conduccin elctrica es prcttcarrtente puro, es decir, cobre electroltico.
El cobre es un excelente conductor de la corriente elctrica, pero si contiene rnpurezss, aun-
que sea en pequeas cantidades, su resistividad se altera, lo cual, por lo general, casi siempre in-
fluye en el sentido de aumentar su resistencia.
En la tabla 7 .4 se relacionan los hilos de cobre ms utilizados para la fabricacin de pequeos
transformadores, con indicacin de sus caractersticas principales.
0, 10 0,150 0,008
O, 12 0,140 0,011 1.580 4.000
O, 15 0,170 0,018 1.000 2.800
0,18 0,200 0,025 700 2.070
0,20 0,220 0,031 565 1.720
0,25 0,275 0,049 360 1.140
0,30 0,325 0,071 250 810
0,35 0,380 0,096 185 590
0,40 0,430 o, 126. 142 470
0,50 0,535 O, 196 91 305
0,60 0,640 0,283 63 215
0,70 0,740 ,385 46 160
0,80 0;840 0,503 35 125
0,90 0,950 0,636 28 100
1,00 1,050 0.785 28 82
1, 1 o 1, 160 0,950 19 68
1,20 1,260 1, 131 16 58
1,30 1,360 1,327 13;5 50
1,40 1,460 1,539 11,6 44

1,50 1,560 1,767 1.0, 1 39
1,60 1,660 2,011 8,88 33

' Tabla 7.4 Hilos de
1,80 1,870 2,515 7,03 26 cobre utilizados en
la fabricacin de
2,00 2,070 3, 141 5,68 20 transformadores.
149
En lo que respecta a los hilos esmaltados, cabe decir que el dimetro de stos es aproximado,
ya que puede variar de uno a otro fabricante.
El nmero de espiras por cm2 (indicado en la quinta columna de la tabla 7 .4) es muy til para
saber de antemano si un determinado devanado puede ser alojado en la ventana del ncleo.
Un detalle importante, a la hora de elegir un hilo para ser bobinado en un carrete de transfor-
mador, es el recocido del mismo. Efectivamente, para que un hilo se adapte bien al carrete es ne-
cesario que sea blando, pues de lo contrario no se somete fcilmente a la forma del carrete. Para
ello es preciso que el hilo de cobre sea sometido a un recocido antes de esmaltarlo, pues de lo
contrario sera bastante rgido y su manipulacin resultara dificultosa.
AISLAMIENTOS
Los aislantes elctricos que se utilizan normalmente en la fabricacin de pequeos transformado-

res no son muchos, pero constituyen uno de los elementos a los que se debe prestar ms aten-
cin. Basta con decir que el 95 % de las averas que se producen en los transformadores son de-
bidas a fallos de aislamiento, aparte de las averas debidas a sobrecargas, las cuales modifican las
caractersticas del aislamiento que, al no poder soportar el aumento de temperatura, provoca su
perforacin.
Un aislante falla cuando, por las razones que sean, la diferencia de tensin existente entre los
dos elementos que el aislante separa logra perforarlo, poniendo en contacto directo ambos ele-
mentos.
Esta perforacin del aislante puede ser debida a diferentes causas, entre las que destacamos
las siguientes:
Presencia de partculas metlicas en el interior del aislante, las cuales pueden vibrar bajo el
efecto del campo magntico alterno y perforar con ello el aislante en el que se alojan.
Presencia de elevadas tensiones que ionizan posibles burbujas de aire ocluidas en la masa
aislante.
Presencia de humedad en el aislante, por ser higroscpico y tomar por ello agua del aire at-
mosfrico.
Temperatura excesiva. Se ha observado que todo aislante disminuye su resistividad al au-
mentar la temperatura, por lo que es necesario que el transformador no se caliente en ex-
ceso.
De todo lo expuesto se deduce que es totalmente imprescindible la utilizacin de buenos ais-

lantes, con gran rigidez dielctrica, que no absorban humedad y que sean insensibles a las tem-
peraturas normales de funcionamiento que se les designe. Adems, han de poseer buenas propie-
dades mecnicas para que no se rompan o se agrieten al manipularlos.
El dato ms importante a la hora de escoger un dielctrico es su tensin de perforacin, es de-
cir, el valor de tensin bajo el cual un aislante de grueso determinado se perfora. En la tabla 7.5 se
relacionan los materiales aislantes ms utilizados en la fabricacin de transformadores y su tensin
de perforacin.
Los materiales aislantes tales como papel, cartn, tela, etc., se impregnan por lo general de al-
guna sustancia aislante, como barniz, parafina, cera, etc.
Segn el producto de impregnacin el aislante queda ms o menos rgido, especialmente si son
sometidos a prensado, corno ocurre en la mayora de los casos. En este caso debern tratarse con
sumo cuidado, pues es fcil producir en ellos pequeas grietas que disminuyen en buena parte sus
propiedades aislantes.
Los materiales aislantes citados en la tabla 7.5 se utilizan para el aislamiento entre capas, pues
el aislamiento entre espiras se lleva a cabo mediante el barniz aislante de que est dotado el hilo
conductor, por ser la tensin existente entre espira y espira de pequeo valor.
El estudio de los materiales aislantes es toda una especialidad, tan amplia que por s sola ex-
cedera sobradamente la extensin de este libro, sobre todo con la inclusin de los nuevos aislan-
150
Tabla 7.5 Tensn d

perforaci11 de los aislantes
utilizados en transformadores.
Papel vidrio 003 650

'
.
Papel vidrio 0,04 800
Papel aceitado 0,05 1 .000
Tela aceitada 0,05 3.100
Cartn presphan 0,05 3.200
Cartn presphan 010 6.000

'
Cartn presphan o, 12 7.700
Mica 0,05 8.000
Mica pura 0,05 12.500
tes plsticos. Aconsejamos al lector interesado en esta materia que solleite de los fabricantes de
materiales aislantes catlogos de sus productos, con datos tcnicos de. sus cualidades ectrcas,
,. . , .
qurrucas y mecaruces.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS TRANSFORMADORES
Al construir o adquirir un transformador han de tenerse en cuenta una serie de caractersticas tc-
nicas, para que sean las adecuadas a las prestaciones que de ellos se esperan. Estas caracters-
ticas tcnicas son las siguientes:
Potenca nominal.
Prdidas de potencia.
Rendimento.
Tensn primaria y secundaria.
Calentamiento.
Potencia nominal
Recibe el nombre de potencia nominal aquella que puede obtenerse en el secundario sln sobreca-
lentamientos peligrosos y en servicio continuo.
En un transformador rnonotsico, la potencia nominal es igualal producto de la tensin en el se~
cundario por la intensidad de corriente que circula por l. Se expresa en voltamperios (VA).
As, por ejemplo, si en los terminales del secundario de un transforrnador se obtienen 12 V y la
intensidad mxima de corriente que por l puede circular es de 5 A, y a una temperatura no supe-
rior a 50 C, la potencia nominal de dicho transformador ser:
.Si un transformador no llega a su temperatura normal de rgimen, significa que no trabaja a ple-
na carga.
151
En el caso de transformadores con ms de un secundario, la potencia nominal ser igual a la

surna aritmtica de las potencias individuales de cada secundario:
No debe confundirse VA con W, ya que los primeros indican potencia aparente y los segundos
potencia activa.
En los transformadores utilizados en electrnica se indica siempre la potencia aparente. Ello se
hace as porque segn la clase de carga que alimenta el transformador vara la potencia activa (es
decir, los vatios que suministra).
Si la carga es inductiva o capacitiva puede haber muchos voltamperios y pocos vatios. En cam-
bio, si la carga es resistiva, los vatios se aproximan ms a los voltamperios, aunque nunca llegan a
ser iguales ya que siempre queda la inductancia del propio transformador.
A la relacin entre la potencia activa y la potencia aparente se le da el nombre de factor de po
tencia o coseno <p:
cos <p =
potencia activa w
potencia aparente VA
Dicho coseno <p es siempre menor que 1 , puesto que el valor absoluto de la potencia aparente
siempre es superior al de la potencia activa.
De todo ello se deduce por qu los fabricantes de transformadores indican siempre en sus
catlogos la potencia mxima que pueden suministrar en VA, es decir, la potencia aparente, ya
que desconocen cules son las caractersticas tcnicas del aparato que el transformador ha de
anrnentar,
Al elegir un transformador debe prestarse una muy especial atencin a esta magnitud, recha-
zando valores de potencia nominal inferiores a la demandada por el aparato consumidor, pues en
caso contrario el transformador corre serio peligro de destruccin. Ante la duda, es siempre prefe-
rible elegir un transformador capaz de suministrar una potencia nominal por encima de las necesi-
dades del aparato consumidor.
Prdidas de potencia
En los transformadores, como en cualquier otro dispositivo elctrico, se producen prdidas de po
tencia.
Una parte de estas prdidas se producen ya en vaco y se conservan inalterables en carga, por
lo que se las conoce con el nombre de prdidas en vaco; otra parte de las prdidas solamente
aparecen cuando el transformador est en carga y dependen, esencialmente, de la carga, siendo
aproximadamente proporcionales a sta: se denominan prdidas debidas a la carga.
Las prdidas en vaco son las que se producen en el circuito magntico a causa de la histre-
sis y de las corrientes de Foucault; por lo tanto son esencialmente prdidas en el hierro. Aunque
con el transformador en vaco tambin aparecen prdidas por efecto Joule en el arrollamiento pri-
mario, debidas a la corriente en vaco J0. Como esta corriente es muy pequea, pueden despre-
ciarse estas prdidas y tener en cuenta slo las prdidas en el hierro.
Las prdidas debidas a la carga se producen en los circuitos elctricos del primario y secunda-
rio del transformador; se denominan tambin prdidas en el cobre.
Se deben al efecto Joule, por efecto del paso de la corriente primaria y secundaria por los res-
pectivos arrollamientos y valen:
Donde JP e J5 son las intensidades de corriente en primario y secundario respectivamente, y RP y

Rs son las resistencias hmicas propias de dichos devanados.
Estas prdidas son por tanto proporcionales a la corriente de carga, ya que cuanto mayor sea
dicha corriente mayor sern los valores de JP e I;
152
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMAD.ORES
Durante el functonamento en crga del transformador aparecen simultneamente las prdidas

en vaco y las prdidas debidas a la carga, Cle forma que las prdidas totales valen:
Rendimiento
El rendimiento de un transformador, como el de cualquier dispositivo elctrico, est definido por la
igualdad:
potencia cedida
11 = potencia absorbida
Si l amamos:
P = potenciatil o cedida en W
p A = potencia absorbida en W
P P = potencla perdida en W
podemos expresar el rendimiento corno sigue:
p p
n=-- ----
PA p +Pp
Ahora bien, el transformador es .un dispositivo elctrico cuyo rendimiento es particularmente

elevado, debido a la pequea reluctanoa de.su circuito magntico, desprovisto de entreherros, por
lo que un pequeo consumo de energa es suficiente para cr.ear una induccin elevada. El rendi-
miento de un transformador est pues cercano a la unidad, por lo que .en aparatos de pequeo
consumo, corno es el caso de receptores de radio, televisin y alta fidelidad, apenas si influyen so-
bre el consumo total del aparato.
El rendimiento de todo transformador es mximo cuando se cumple la relacin:
Prdidas en el herr.o. = Prdidas en el cobre
Esta igualdad nunca se da en la prctica, ya que las prdidas en el cobre siempre son varias ve.-
ces superiores a las prdidas en el hierro.
De todas formas, y debido al pequeo consumo de los aparatos electrnicos, el rendimiento de
un transformador no merece ser tenido en cuenta, ya que, como se ha dicho, siempre suele ser alto
incluso en los transformadores peor diseados.
Tensin primaria y secundaria

Sabemos que tensin primara es aquella que se aplica a los terminales del arrollamiento primario y
tensin secundaria la que se obtiene en el arrollamiento saoundario.
La tensin primaria es, por ejemplo, la que proporciona el enchufe de la red de alimentacin (caso
de transformadores de fuentes de alimentacin) o la salida de. unaetapa amplificadora que seco-
necte al arrollamiento primario.
El arroamento primario debe estar previsto para esta tensin y ttecueneis, a la vez que debe
poder alimentar los voltamperios necesarios para el secundario o secundarios, ms las perdidas di-
sipadas por calor en los arrolamlentos y por corrientes parsitas en el ncleo.
La tensin secundaria es la que debe obtenerse en los terminales del arrollamiento secundario
cuando este trabaja a plena carga y a la temperatura de rgimen.
En los pequeos transfonnadores utilizados en electrnica, cuando trabajan con poca carga o
sin ella, existe ms tensin en los terminales del secundarlo o, lo que es lo mismo, al conectar la car-
ga disminuye la tensin en los terminales de este arrollamiento. E$tO es fcil de comprobar midiendo
con un voltlrnetro la tensin en1rininles del secundario estando ste sin la carga conectada, y
153
C0tv1PONENTES ELECTRNICOS
despus efectuando la misma medida con la carga conectada. Se observar que al conectar la
carga la tensin en terminales del secundario disminuye algo. Esta disminucin de tensin es debi-
da a las fugas magnticas por una parte y a la resistencia que poseen los arrollamientos por otra.
Por tanto, al elegir un transformador, debe tenerse presente la tensin que se aplicar en su pri-
mario y la tensin que suministrar su secundario a plena carga, pues si slo se tiene en cuenta la
tensin secundaria en vaco es muy posible que la carga reciba una tensin insuficiente.
Calentamiento
La capacidad de carga de un transformador est limitada por la temperatura mxima admisible en
el interior de los arrollamientos.
Un valor excesivo de la temperatura de los arrollamientos provoca la carbonizacin lenta de los
aislamientos que estn en contacto con el cobre. Es por tanto el aislante utilizado en la fabricacin
del transformador el que condiciona su lmite de temperatura.
As, por ejemplo, el algodn se carboniza a unos 220 C, y el papel aislante a unos 170 C. Sin
embargo, antes de alcanzar esas temperaturas, los papeles y cartones se vuelven quebradizos y,
por consiguiente, su estructura fsica o mecnica se modifica.
Por otra parte, y dado que los transformadores son componentes estticos, es decir, que no
poseen piezas en movimiento, tienen mas dificultades en enfriarse.
De todo ello se deduce que el transformador ha de instalarse en una zona bien aireada, a me-
nos que por su pequea potencia no precise de refrigeracin, como ocurre con los transforma-
dores de FI.
Dado que se producen prdidas en el ncleo cuando ste se somete a la influencia de un cam-
po magntico alterno (los circuitos magnticos excitados por corriente continua no presentan estas
prdidas), y prdidas en el cobre debidas a la resistencia hmica propia de los arrollamientos, es-
tas prdidas se transforman en calor que debe ser radiado, pues de lo contrario las bobinas aumen-
taran progresivamente de temperatura hasta producirse la destruccin del aislamiento y con ello el
cortocircuito directo entre espiras.
Para la eliminacin del calor generado en un transformador se recurre a la radiacin, la con
duccin y la conveccin.
Por radiacin, toda la superficie del transformador irradia calor, calentando a su vez los cuerpos
que reciben dichas radiaciones directamente, sin intervencin del aire.
Por conduccin se aprovecha la diferencia de temperatura entre la superficie del transformador y
el aire ambiente que lo rodea. Siempre que entran en contacto dos cuerpos, uno caliente y otro fro,
hay un transporte de calor por conduccin del cuerpo caliente hacia el fro, a expensas, como es
lgico, del cuerpo caliente, que va cediendo su temperatura.
Por conveccin se aprovecha el fenmeno del calentarniento del aire que rodea al transforma-
dor, el cual al aumentar de volumen pesa menos que el aire fro; esto hace que se establezca una
corriente ascendente de aire caliente que va siendo sustituido por aire fro. De esta forma el trans-
formador va perdiendo parte de su calor.
De todo ello se deduce que cuanto ms caliente est el transformador ms activa ser la pr-
dida de calor, por el hecho de existir ms diferencia de temperatura entre el transformador y los
cuerpos que lo rodean, incluyendo el aire.
Sin embargo, y como es lgico, llega un momento en el que el calor producido es igual al per-
dido, y a partir del cual la temperatura del transformador se estaciona y no vara; se dice entonces
que se ha llegado al punto de equilibrio.
La temperatura alcanzada en el punto de equilibrio no debe rebasar la que se considera como
mxima de seguridad para los aislamientos del transformador.
En la tabla 7.6 se indican los lmites de calentamiento en C para diferentes aislantes utilizados
en los arrollamientos de pequeos transformadores.
Los calentamientos citados en la tabla 7.6 se entienden como mximos, o sea que si se supo-
ne que un transformador est trabajando a una temperatura ambiente de 25 C, y su aislante es de
papel impregnado, el incremento admitido de temperatura ser de:
70 C - 25 C = 45 C
154
,

Tabla 7. 6 Lmites de
wj, Aislant.e
"ef ,..,,, . .@~ ''*#
'""
Limite de ca~ntami&:o (Cl
.. f . ~~
calentamiento de los aislantes
utilizados en transformadores.
Hilo esmaltado 80
Algodn, seda o papel no impregnado 50
Algodn, seda o papel impregnado 70
En la actualldad se fabrican hilos aislados con resinas sintticas que admiten temperaturas del
orden de los 100 C. En este caso, los dems aislantes entre capa y capa tambin han de ser espe-
ciales. como los derivados del vidrio, pues los papeles y cartones normales ya no seran tlles.
Existe otra clase de hilo alsaoo con siliconas que puede l egar a soportar 180 C.
En resumen, el calor es el principal enemigo de los transformadores, y para evacuarlo eficaz-
mente el mejor sistema es aumentar la superficie de enfriamiento.
Tratndose de los pequeos transformadores utilizados en electrnica, su superficie de enfria-
miento es toda Ja parte exterior, por lo que a igualdad de potencia un transformador de grandes di-
mensiones queda mejor refrigerado que otro de pequeas dlmsnslones. lo cual siempre supone un
Inconveniente dada la Lendencia a minlaturizar los circuitos electrnicos.
EJEMPLOS DE
, TRANSFORMADORES UTILIZADOS
EN ELECTRONICA
Para completar este estudio sobre los transformadores, en las lneas que siguen se exponen algu-
nos de los modelos utilizados en electrnica.
En la figura 7. 19 se muestran las toloqraflas y dimensiones en mm de un par de transformado-
res encapsulados para alimentacin, protegidos contra cortocircuitos.
Constan de un devanado primario y dos secundarios, con potencias de 0,75 y 1,6 VA en cada
devanado secundario. La tensin del primario es de 220 V a 50 Hz.
1 5 VA 20
r:
32 20 7. -=1 10
9
:! 1 10 .!. "T 5
27 21,8
-- CsEc2
25 PRI
e
33 VA -1
1
,s o.:J SEC 1
ar
:; 5 6~
7
40,6 2 _j 10
1
g
-
-e r 10 ~
Is
J_ 35 J - 28.~ -5 7.19 Forma constructiva
y dimensiones de algunos
transformadores de alimentacin
protegidos contra cortocircuitos.
155
Los dos devanados secundarios, que proporcionan tensiones de 6, 9, 12, 15 o 18 V, segn mo-
delo, se pueden conectar en serie o en paralelo, lo que proporciona una amplia gama de opciones
de tensiones y corrientes de salida.
Merece la pena destacar las reducidas dimensiones de los mismos y su conexin a circuito im-
preso mediante soldadura.
La ilustracin de la figura 7 .20 corresponde a un transformador de alimentacin con ncleo to-
roidal. Este tipo de transformador presenta la ventaja, frente a los convencionales, de poseer una
menor dispersin de flujo magntico y, por lo tanto, se aprovecha mejor el mismo con menor peso
y volumen. Es muy utilizado en fuentes de alimentacin para amplificadores de alta fidelidad, sobre
todo si la fuente es de gran potencia.
evo---...
Azul Negro
Gris Rojo
1101120 V O---J
evo---.._
V1oleta Narana
7.20 Transformador de
alimentacin toroidal con Marrn Amari11o
110/120 V O---J
doble primario para conexin
a110o220V.
Como inconveniente cabe resaltar la tendencia que tienen sus planchas de hierro a vibrar, por
lo que tienen un mayor coste de fabricacin debido a que se deben eliminar estas vibraciones.
El modelo de la figura 7 .20 posee dos devanados primarios independientes, que pueden co-
nectarse en serie para el runcionamiento a 220/240 V, o en paralelo para el funcionamiento a
110/120 v.
El devanado secundario posee toma central. con lo que se obtienen tensiones desde 2 x 6 V
hasta 2 x 35 V y potencias de 30 a 330 VA segn modelo.
En la figura 7 .21 se puede ver un transformador de aislamiento de audio. Se trata de un trans-
formador con relacin 1 :1, es decir, con igual nmero de espiras en primano y secundario, cuya mi-
sin es aislar altavoces de 3 a 15 !1.
Primarios
1
~ Pantalla
......
""' l
~
' "
Transformador
Secundarios
2.54 - -
7,62
7.21 Aspecto externo de un
transformador para aislamiento ,____ 15,24 ---
de altavoces.
Carcasa de apantallamiento
--- 20,32
156
7.22 Transformador de
audiotrecuencia miniatura
para montaje sobre PCB.
Los transformadores de audiofrecuencia de la figura 7 .22, en modelos abiertos o encapsulados.

son del tipo miniatura para montaje sobre placa de circuito impreso. Son transformadores para apli-
caciones de aislamiento y adaptacin de impedancias en etapas de audio.
Sus dimensiones son muy reducidas. El ms pequeo slo tiene 18 rnrn de longitu9, 18 mm de
ancho y 15 mm de alto.
En el caso de utilizarse con relacin 1 :1 (transformador de aislamiento), las impedancias de en-
trada y salida son de 800 .Q y pueden trabajar con seales cornprenddas dentro de la banda de
audio (entre 60 Hz y 25 kHz) y potencias de 2 mW.
Cuando se trata de transformadores adaptadores de irnpedancias, se han de tener muy en
cuenta sus impedancias de entrada y salida, las cuales deben ser respectivamente las mismas que
la de salida de la etapa que se conecta a su primario y la de entrada de la etapa a la que se co-
necta su secundario.
Para el clculo de esta adaptacin de impedancias, con la que se obtiene la mxima transfe-
rencia de energa de una a otra etapa, se parte de la frmula:
n=
Donde n es la relacin de transtormacin. As, en el caso de un transformador cuya impedancia de

primario sea de 3 k!.'2 y de secundario de 250 n, se obtiene una relacin de transformacin de:
n= 3.000 ,Q = . 1
250 il \J
r;; "" 3 r
.o
Es decir. que dicho transformador posee una espira en el secundario por cada 3,5 del primario.
La figura 7.23 corresponde a un transformador de FI para receptor de radio.
7
r------------?------------,
2 .1. 3
1
1
1
1
1 1
l 1
T 4 :
1
~------------6------------~
1
7.23 Transformador
6 para FI de radio.
t57
Estos transformadores poseen un blindaje conectable a masa para evitar interferencias de RF

con otros receptores. Adems, incorporan en su circuito primario un pequeo condensador cer-
mico conectado a los terminales de este devanado, mediante el cual el circuito primario queda sin-
tonizado a la FI del receptor.
Los transformadores de FI poseen un ncleo ajustable de ferrita, para sintonizarlo a los valores
de la FI con los que hay que trabajar.
158
Resistencias no lineales
INTRODUCCIN
Las resistencias estuoiadas en el coptulo 3 son todas lineales, es decfr, que su curva c~acteristi
ca I "'!{V) es una linea recta: cuanto n1ayor sea la. tensin apoaoa mayor ser. la intensic;la ~e co-
rriente que por el.las circula, permaneciendo su valor hmico inalterable.
Existen resistencias cuyo valor hrnlco no es constante, sino q,<e depende "de una maghltud no
mecnica externa a ellas, corno la temperatura, la teri,.<;in o la intensidad de la luz. Estas resisten-
cas reciben el nombre d1r resistencias no lineales, puestQ que su valor hmico es aUer~ble y su cor-
va ceracteretca l = ((V) no es una recta. Hay cuatro tipos de resistencias no. lineales;
Ae.sistenci<1s V[Jl~.
Resistencias t.JTC.
Resistencias PTC.
Resstenc<ls LDR
.,
r.;
Tocias estas resistencias pertenecen a! grupo de fOs semieooductores. siblen su orma di) ac-
~.- 1u3Cin en los circuitos electrnit.'OS depende de rna.gnitu:lei:rdifer~entes; aSi, las r.esi_stenciasNTC y
t" PTC dependen de fa temperatura, friientras que las ,\foR dependen de ia tensin aoscaos y las LDR
de la intensidad luminosa que s<;>ore ellas ncld,.
(S :. ,
t}RESISTENCIA$ VDR DE C.ARBURO DE SILICIO

~~~
~ ~. .
l,:~+asVDR (Voltage,Oependent Resistolj, tqrnbin ilamadas varlstores, son resistencias dependi1;.l)tes
1\'~c&~f..latenSin, es decir, variJ:JbieS c.ori la t!!Jr:J$in.
;fI.~' Se trata de un componente que va1a su resistencia de 'acuerdo con el valor de la tensin QU.G
,f~~Japlica; El matral ser:nlcoRductor u1iilzado en la fabricacfn de. tas VDR es. prihcipalrnente; el
: ~~bi.lroda silicio. La dependenca de ~ tensin. es debida .a la resstenci de contacto ~nt~e. Jos
""ftiSJ9!es :de carburo.
. ~t
11~Laspropiedades eictricas .o
tas resisteflcas VDR dependal del ~tburo de si)lco, y el con-
... ~ ..,ei:aqoprensado est formado por utla compllcadSima reddeteSstencias cone.taeas en se-
~ .~ paralelo mediante contactos en la estrctra <lfistalil1a.
.~ !qrma :definitiva se consigue prensando os granos de carburo de sllcio junto con t1n eom-
ae
~~le cermco, en terma dlsco,so de varillas ({lgur~s 8. 1 a 8.3).
~;
'.if -, !
J~P.testicastcnioas de las VDR.
~.l~;resstenc.la-tirnlca de t1n'-VDR. varia con la n:nsioo, de ello se xJedtlo que la corriente que
~ p()r eoa VDR..no es. en mode alguno, propprclon~l a ta toostn afilleida. La curva car;aote
~ tensl.ne,n tUncon de ta corriente:,es,.pues, lb mas im:>ortatite de una VDR.
...;;~~.go. iambln hm de tener~~ 9i.Wlli'\ oiras.catac.tersticasqi1a 1n.~uyen sobre st;I f9n-
1Z,?,to, tares romo la r<Qtenola:dlsli)a(fa, el coeficiente de temperatura, la toleraf}cia, etc., las
~~estudian a- contlntiacin.
~~-
' ~-
~f~:
.. -
"'"... :'f:~-
t
159
.,,
GOMPONCNTF.S EL!:CTRNICOS ~J
,
www.elsolucionario.org ....
. .. .~
,-r 4,5 mix

' " (4 ;
Li
6mx T,
1
o1 ... " 1 r -1 h ri
"
i ! "
'
1
1- --- _,,,.__.......--
max5 .l ..-.. - "' .. l so .t 2
~
0.! '1..,1 __ T , __ l ~
<,
tan
8.1 Reslstencia dependiente .

de la tenst6n en torm de disco. H
74 .t 5
. ~ ~
l-13'm1i'
. . _ . ., - .-.-.. mr:-1--- 23ii1"l!'
8.3 Resistencia dependientede la tensin
J_ -- - ' 1 j 1 ,o,.~.6.. de disco pequoo.
5.2 m~ b:::. 1 ===i-::
5 . 1
["
.
- - !
.._J_ ~ mi~.
8.2 ReslsteocJ. dependientede fa
tensf6n en forma de varilla.
Curva cemctertstice de una VDR

En ll figura 8.4 se ha dibUjado la curva caractertstca da k1 tensin en funcin de la corriente V f( 1) =
de una VDR, en escala lineal. En la figi.Jta se observa que con el aumento de la tensin apfir,ada a
ta VDR su valor h1nco disrninuye rpidamente.
8. 4 Curva caracterfsrlca tensincorriente

de una VOR. trazada en escala //nea/.
En la figura 8.5 se ha dibujado la nusrna curva caracterstica, pero trazada con escala loga,rtmi
ca doble. con to cual la relacln tensin-corriente se representa.esta vet. por una linea recta, al.JOQl)e
tos cocentes VI r (es decir, Ja resistencia) son diterent~s en cada punto de la curva carectensca
8.5 Curva caractersticatonsin

corrlente de una VOR, t~ada
sobre una esr;,1fa /ogarltmica
doble.
160
RESISTENCIAS NO LINEALES
As, cuando a la r.esistencia se le aplica una tensin de 1 o V, la corriente que por ella circula es
de 3 mA, siendo el valor hmico de la. VDR:
V 10 V
RvoR =- = mA =3,33 kQ
I 3
Si en esta circunstancia se aumenta la tensin aplicada a la VDR hasta 20 V, la intensidad de

corriente que por ella circula ser de unos 75 mA, .con lo que su valor hmico pasa a ser de:
V 20V
RvoR= -= 75 mA "'267 Q
I
Es decir, que al aumentar el valor de la tensin aplicada a la resistencia de 1 O a 20 V (el doble), el va-
lor hmico de la VDR pasa de 3.333 Q a 267 Q (disminlfy'e a ms de la doceavaparte de su valor inicial).
La relacin entre la corriente y la tensin eh una VDR puede expresarse, de manera aproxima-
da, por:
/og V = lag e + B log I
Es decir:
V= C Jll
Donde:
V =Tensin aplicada a la resistencia en voltios.

e = Tensin en la que I es igual a 1 A.
I = Corriente que circula por la resistencia, en amperios.
B = tg cp (pendiente de la recta de ta figura 8.5, es decir, tg <p = 6.V/D.I).
Los valores prcticos de ~ se hallan situados entre 0, 16 y 0,40, y los de C entre 14 y algunos miles.
Para determinar con exactitud los valores de las constantes C y B. es preciso medir tres puntos
de fa curva caracterstica, pudiendo efectuarse una interpolacin slo en el caso de que dichos tres
puntos estn en lnea recta sobre una escala logartmica doble.
Efectivarnente, la ecuacin expuesta no es vlida para valores pequeos de tensin y corriente,
como sucede en los puntos P y Q de la figura 8.5, ya que la interpolacin dara valores muy altos
de By c.
Las VDR no presentan sntomas de polarizacin cuando la tensin cambia de polaridad (por
ejemplo, en corriente alterna), de lo que se deduce que la corriente cambia de direccin pero no de
valor y, por tanto, la ecuacin dada anteriormente es vlida nicamente cuando se toman los valo-
res absolutos de V e J.
Valor hmico de una VDR

Resulta evidente que, por las especiales caracterlsticas de las VDR, no es posible establecer un va-
lor hmico para ellas, ya que ste vara con la tensin. Por este motivo, los fabricantes de VDR in-
dican en sus catlogos la tensin presente en ellas cuando por la VDR circula una intensidad de co-
rriente que suele ser de 1 mA.
Por ejemplo, en la VDR modelo 2322 592 i 406 de la firma PHIUPS se obtiene una tensin entre
sus terminales de 22 V cuando por ella circula una corriente de 1 mA, lo que quiere decir que el va-
lor hmico de esta resistencia, cuando circula por ella 1 mA, es de 22 k!~.
Tensin mxima aplicable a una VDR

En otros casos, se indican tambin las tensiones mximas aplicables a las VDR, tanto en tensin
continua (Vdc.l como en valor ecaz de tensin alterna (V,ms.l
161
As, por ejemplo, a las VDR de PHIUPS se les puede aplicar tensiones continuas comprendidas entre
38 y 745 V, o tensiones alternas de valores eficaces comprendidos entre 30 y 550 V (segn modelo).
Superar la tensin mxima que se puede aplicar a un determlnado tipo de VDR supone la des-
truccin de la misma, pues la potencia disipada en ella aumenta considerablemente, tal y como se
demuestra en el siguiente apartado.
Potencia de disipacin de una VDR

En las VDR la potencia disipada es igual al producto de la tensin por la corriente que por ella circula.
Como la corriente es igual a:
I=KV
donde a es igual al cociente 1/~ y K al cociente 1/C, se tiene que:
p = KV(I. i
Si a = 5, la potencia disipada en la VOR es proporcional a la sexta potencia de la tensin, por lo

que deber tenerse sumo cuidado en que la tensin aplicada no exceda de un determinado valor
mximo, pues de lo contrario se sobrepasara el rgimen tolerable por la resistencia.
As, si a una VDR con un valor de C igual a 14 y un cociente 1/~ Igual a 5, se le aplica una ten-
sin de 8 V, se tiene:
1 1 1
K = t11 - CJ. - 145
"" 1,859 X 10-6
siendo la potencia disipada igual a:
P = KVa.- = 1,859 X 10-6 X (8 V)6 = 0,487 W
Si en esta circunstancia la tensin se eleva tan slo un 12 %, es decir,
V= 8 V +
8
Vx
100
g_ = 8 96 V
1
La potencia disipada pasa a ser:
P = KV" - 1 = 1 ,859 x 1 o-6 x (8,96 V)6 = o,962 w

De estos clculos se deduce que un aumento de tensin de slo un 12 % provoca un aumento
de la potencia disipada del doble, por lo que es muy importante que la tensin aplicada a la VDR no
sobrepase un determinado valor mximo, pues en caso contrario se rebasara el rgimen admisible.
Tngase tambin en cuenta que, puesto que las VDR poseen un coeficiente de temperatura ne-
gativo, con disipacin elevada, el valor hmico de la resistencia disminuye y, como consecuencia,
an aumenta ms la potencia disipada en ella.
Los fabricantes de VDR indican en sus catlogos las potencias mximas de disipacin ad-
mitidas por sus modelos, las cuales no estn normalizadas como en el caso de las resistencias li-
neales. As, potencias mximas de disipacin usuales en VOR son: 0,25 W, 0,4 W, 0,7 W, 0,8 W,
1w.2wy3 w.
Finalmente. cabe decir que en ningn caso deben conectarse resistencias VDR en derivacin
con el propsito de obtener una mayor disipacin de potencia.
Mxima intensidad de corriente no repetitiva

Otro Importante parmetro dado por los fabricantes de varistores es el de la mxima Intensidad de
corriente transitoria, no repetitiva ( I nrp). Que puede soportar el componente.
162
Como resulta lgico, cuanto mayor sea el tiempo de duracin del impulso menor ser el valor
de la intensidad de corriente que puede soportar la VDR, por lo que los fabricantes indican este va-
lor bajo unas condiciones de duracin del Impulso establecidas por norma.
Esta duracin se establece entre 8 y 1 O s dentro de un lapso de tiempo de 20 s.
As, la VDR modelo 2322 592.6006 de PHILIPS es capaz de soportar un impulso de corriente de
400 A, cuya duracin total (subida y bajada) no supere los 20 us.
IP
(%) 11 (S) K
20 1
100 50 /,2
100 1,3
90 1000 1.4
10 ,_,
oi.c.._~~~~~~~~'~~~~~ 8.6 Curva caiacterstica del pico
__ t, -1 t (s) de corriente en funcin del ancho
~-- _j del impulso.
En la figura 8.6 puede verse la curva caracterstica del pico de corriente en funcin del ancho de im-
pulso. En esta curva caracterstica la Intensidad de corriente se indica en porcentaje del valor numri-
co IP indicado por el fabricante: el teropo t1 es el de subida del impulso, y las normas establecen
que sea el tiempo comprendido entre el 1 O y el 90 % del valor de I P' finalmente, t2 es la duracin
total del lrnpulso, y comprende el tiempo transcurrido desde que la intensidad de corriente tiene un
1 O % de su valor mximo hasta que alcanza el 50 % del valor mximo en el proceso de descenso.
Aplicando esta curva caracterstica al varstor que hemos puesto de ejemplo, el 1 O % del valor
mximo Indicado por el fabricante ser 4 A (inicio de los tiempos t1 y t2,), al alcanzar el 90 o/o del va
lor total (360 A) el tiempo t, concluye, luego se alcanza el valor mximo de 400 A y se inicia el des-
censo del impulso, que se da por finalizado cuando la intensidad de corriente alcanza un valor de
200 A (final del tiempo 12).
Mxima energla
La mxima energa soportada por una VDR se indica en 1ulios, y se establece por norma que sea la
correspondiente a un impulso de energa cuya duracin sea de 1 O s, dentro de un tiempo total
de 1.000 s.
La rnaxnna energa que puede soportar la VDR se determina mediante la frmula:
donde K es un coeficiente que depende del valor de t2 cuando t, est cornorendtoo entre 8 y 1 O us
(vase la tabla que acompaa a la figura 8.6).
Cuanto mayor sea el valor de K, es decir, cuanto mayor sea t2 con respecto a t1, mayor ser la
energa que podr soportar la VDR, lo cual resulta lgico ya que la energa aplicada se disipa en
ms tiempo.
A titulo nformatlvo, diremos que la mxima energa que puede soportar el varistor que se ha
puesto de ejemplo a lo largo de este captulo es de 2,9 J.
Hasta aqu no se han tenido en cuenta los efectos debidos a la temperatura. Sin embargo. no siem-
e
pre pueden ser despreciados, puesto que el valor de tiene un apreciable coeficiente de tempera-
163
tura negativo. El valor de~ es, sin embargo, prcticamente independiente de la temperatura, por lo
que con cierta aproximacin se puede establecer la igualdad:
Siendo
Ct =valor de C de la VDR, a la temperatura t C.

C0 =valor de C de la VDR, a O C.
a = coeficiente de temperatura.
Para distintos materiales el valor de a vara entre -0,001 O y -0,0018.

En circuitos donde la corriente es constante, el coeficiente de temperatura para la tensin vara
entre-0,10 y-0,18 % 0c-1.
En circuitos en los que la tensin es constante, el coeficiente de temperatura para la corriente
vara entre +0,4 y +0,8 % 0c-1, segn el valor de B,
Los fabricantes de VDR indican en sus catlogos las curvas caractersticas del coeficiente de
temperatura en funcin de la corriente (figura 8.7).
u (o/o/C) ,_ '"
-
0,25
-' ~ - - -
"
I 1.
~ ,_ -
0,2 - 1.
-
:-... -
-
L L
- ~
,_
-
--
-
O, 15 -
- ,_ -
-- ........ ...... L -
,_ .... -
-
-
-
8. 7 Curva caracterstica del O, 1 -
--
coeficiente de temperatura en L
- ,_ -- ,_
funcin de la corriente de una
VDR, para temperaturas 0,05
comprendidas entre 25 y 125 C. 101 I (A) 1()4
En esta curva se observa cmo, para una intensidad de corriente de 1 O A, el coeficiente de

c-
temperatura es de, aproximadamente, 0,25 % 0 1, mientras que con 1 O mA el coeficiente de tem-
peratura es de tan slo O, 1 % 0c-1 Esta curva es vlida para temperaturas comprendidas entre 25
y 125 C.
Capacitancia tpica
Debido a sus caractersticas constructivas las VDR presentan una capacidad parsita, que se con-
sidera en paralelo con ellas, y cuyo valor puede afectar al correcto funcionamiento de los circuitos
de RF.
Esta. capacidad vara con la frecuencia, por lo que los fabricantes de VDR indican el valor con
referencia a 1 kHz.
Trabajando con seales de 1 kHz la capacidad parsita tpica de las VDR suele oscilar entre
30 pF y 15 nF, segn modelo.
En el caso de que la VDR trabaje con corriente alterna de BF (limitada entre 0,5 y 5 kHz) se pue-
de despreciar la influencia de su pequea capacidad parsita, no afectando a la dependencia entre
la resistencia y la tensin. No sucede lo mismo con correntes que superen los valores de las fre-
cuencias citadas.
Si la tensin aplicada a la resistencia tiene forma senoidal, la caracterstica tensin-corriente no
lineal hace que la corriente sea no senoidal, pero por razones de simetra incluir slo los armni-
cos Impares.
164
RESISTENClAS NO LINEALES
Por los mismos motivos, cuando la corriente que circula por la VDR sea senoidal, la tensin en
ella ser entonces no senoldal,
En corriente alterna de RF, el efecto de capacidad provoca un aumento aparente de P y, por lo
tanto, la caracterstica tensin-corriente en escala logartmica deja de ser una lnea recta, tal y como
puede observarse en la figura 8.8.
(V) - -

.1 .
'
-
1 .
50 - ~
-
~i::-::::: V
50 \-IZ_,,...;'"
- ;:::::= [.....- 1..--
l./
""~
... L.
.1 ..... ,..
1 /
20 """ -
vv / .-.~'-'/ ;- - 8.8 Curva
10
L.---(1(\'lt
r
V
~
. }t. . ,~ caracterstica
tensincorriente
de una VDR para
O, 1 0,2 0,5 1 2 5 10 I (mA) distintas frecuencias.
Es de destacar que con tensiones y corrientes elevadas la influencia de la capacidad parsita

de la VDR es menos irnportante, ya que dismlnuye el valor de la resistencia sobre la que acta en
derivacin esta capacidad.
Varistores con xidos metlicos

'
Las VDR de carburo de silicio tienen su principal aplicacin en circuitos en los que la tensin se ex-
tiende de i O V a 25 kV. Por debajo de 1 O V es prcticamente imposible fabricar VDR de carburo de
silicio con buenas caractersticas.
Para aplicaciones de i a i 5 V se ha desarrollado una gama.de VDR a partir de otro sistema: el
xido de titanio.
Existe otro tipo de vsristot, a base de xido de cinc, el cual, al contrario de las VDR de carburo
de silicio, se destina principalmente a aquellas aplicaciones en las que se disipa potencia intermiten-
te, por ejemplo, en la supresin de transitorios, y para evitar la formacin de arcos en contactos.
En la figura 8.9 se comparan los diversos tipos de varistores con una resistencia lineal.
Las VDR de xido de titanio y de xido de cinc pertenecen al grupo de las denominadas VDR
de xidos metlicos o varistores con xidos metlicos.
10000
- 1~ ~ VDR SiC v.1rllla(\'l = 0,2)
./
7 resistencia linei!I l~ = 1)
1
~
>
~
i.000 ~7 1 -
~ 1
,f VDR ZnO (1,3 = 0.035)
....
<:::
!3
"'
.!:; ~
e::
-
'C>
~ 100 -
~ - .,
VDR SiC disco (13 = 0,2)
t....--"'
,....--
l
VDRTi02.~ ~0,15)
10 8.9 Comparacin entre las
tOA 100A 1 mA 10mA 100mA 1A 10A caractersticas de diversos tipos
Corriente instantnea de VDR y una resistencia lineal.
165
VDR de xido de titanio
Las VDR de xido de titanio (Ti0;0 se fabrican en forma de discos, gracias a la posibilidad de obte-
ner cristales de xido de titanio de grandes dimensiones, lo que permite elaborar VDR para tensiones
muy bajas (2, 7 V a 15 V).
El valor de ~ en este tipo de resistencias est comprendido entre O, 1 y 0,2, siendo O, 15 un va-
lor tpico. Esto significa que, si la corriente que circula a travs de la VDR aumenta en un factor igual
a 1 O, dentro de la parte recta de su caracterstica, la tensin en sus extremos aumenta en un fac-
tor igual a 1 ,4.
Otra ventaja de las VDR de xido de titanio es la elevada constante dielctrica del xido de ti-
tanio (86 a 170), por lo que su capacidad parsita es tambin bastante elevada, favoreciendo la uti-
lizacin de la resistencia como !imitador.
VDR de xido de cinc

Para un gran nmero de aplicaciones, tales como la supresin de sobretensiones transitorias, pro-
teccin contra chispas, etc., se requiere que el valor de B sea inferior a 0,05. Por este motivo ha sido
necesario hacer un sistema de base que permita elaborar VDR cuyo vaor B, correspondiente a una
tensin infinita, sea inferior a 0,01. Esto se ha conseguido con el sistema de xido de cinc.
En la fabricacin de este tipo de VDR se selecciona, con gran cuidado, y se controla desde el
punto de vista de su pureza y de su granulado, el xido de cinc que ha de ser utilizado. ste se
mezcla ntimamente con un componente aislante formado por xidos metlicos que servir de se-
gunda fase.
A la mezcla as constituida se le da forma, generalmente por prensado, y a continuacin se cue-
ce a alta temperatura durante el tiempo necesario para que los granos de xido de cinc queden se-
parados unos de otros por una capa de xido aislante.
Despus de este tratamiento, se metalizan las superficies, se sueldan las patillas y el conjunto
se reviste con una pintura protectora o se coloca en una caja de plstico, segn sea la aplicacin
a la que se destine el componente.
VDR asimtricas
Con el fin de obtener VDR con valores muy pequeos de C, los fabricantes de este tipo de resis-
tencias han desarrollado una basada en el efecto de capa de barrera.
Dado que estas VDR presentan caractersticas distintas segn sea el sentido de la corriente que
circule por ellas, han sido llamadas VDR asimtricas.
En las VDR asimtricas se marca el ctodo, por ejemplo con un punto blanco, es decir, la pati-
lla a la. cual deber conectarse el negativo para que la resistencia trabaje en sentido directo.
En el sentido de conduccin la VDR presenta un bajo valor de C y un muy bajo valor de ~ (del
orden de 0,07), tal y como se deduce del anlisis de la curva caracterstica de tensin-corriente en
sentido directo de la figura 8.1 O superior.
2
- ""L'li:i1_2
e
s
- r
=E
-31J V 7
V
.
~/..-
{V) ~ (V;
......
=;z: ~
1,6 . .
- +7D 'C
:-.
-r-r j ' ' .
- -. ., CI
- - ~,..-, .
- - -
,_
.,...
-. - -...
-
-- -' . 3
7 1
~ ;. '
1,2
- -- .
... .
(
.t
1-- '
2
,/
~
~- 7"
Q,8
- ~
-
~
-t- ~ 1 ,
l
-;.
,_
-
~
r ,_ ~
-l 1

,_; ~"--
.l..
:
0,4 T .I
Q.QI C/J! o.ti.~ O. 1 e2 ~5 1 2 0.112 iJ.05 0,2 C.5 t
f !A)
8. 10 Curvas caractersticas de fa tensin en funcin de fa corriente en sentido directo (a fa izquierda) y en

sentido inverso (a fa derecha) de una resistencia VDR asimtrica.
166
En dicha figura se observa que pequeas variaciones de tensin provocan fuertes cambios en
la intensidad de corriente que por ella circula, del orden de mA, es decir, que el cociente:
L1V
p = tg<p= '11
es muy pequeo.
En el sentido inverso, el valor de la resistencia, as como el de C, es considerablemente mayor.
Esto queda confirmado en la curva caracterstica de tensin-corriente en sentido inverso de la fi-
gura 8.1 O inferior, en la que se observa que grandes variaciones de tensin en sentido inverso dan
lugar a pequeas variaciones en la intensidad de corriente que circula por la VDR asmtrica, es de-
cir que el cociente anterior (tg <p) es aqu elevado.
Aunque estas resistencias muestran cierta correspondencia con las caractersticas de un diodo,
tienen diferencias notables, tales como:
La VDR asimtrica posee una elevada capacidad (unos O, i 5 F en sentido inverso).

Las tolerancias de las VDR asirntricas son pequeas.
El coeficiente de temperatura de las VOR asimtricas es muy pequeo.
Las caractersticas de las VDR asimtricas son ms inclinadas (pequeo valor de P).
Las VDR asimtricas se fabrican para tensiones de 1 a 1,35 V y 1 mA, valores por encima
de los utilizados en la mayor parte de los diodos semiconductores.
Los varfstores asimtricos tienen aplicacin en numerosos circuitos de radio y televisin.
Cdigo de identificacin de las VDR

Las VDR se identifican mediante tres o cuatro anillos de color y, en ocasiones, mediante un punto
de color cuando su aplicacin es especial.
Dado que el valor hmico de los varistores es variable en funcin de la tensin que se les apli-
que, los anillos de color no hacen referencia al valor hmico, sino al valor de tensin cuando por el
varstor circula una corriente de 100, 1 O o 1 mA.
En cierto modo existe relacin con el valor hmico, ya que si se conoce la tensin y la corrien-
te aplicada a la VDR resulta fcil calcular su valor hmico en dichas condiciones, pero slo en di-
chas condiciones; ya que como se ha dicho en repetidas ocasiones el valor hmico vara con el va-
lor de la tensin aplicada.
En la figura 8.11 se han dibujado cuatro tipos diferentes de VDR (de disco, tubular y pequeo
disco), con el orden de lectura de sus tres primeros anillos.
=c=G1~~ :::>= =
111 11 1
1 r
,,_
1---
111--
- "'-""
--
)"
.
8.11 Orden de lectura de los

anillos en las resistencias VDR.
167
El primer anillo indica la corriente que circula por la resistencia a la tensin nominal, y que pue-
de ser de 1 mA, 10 mA o 100 mA.
El cdigo de colores de este primer anillo se indica en la tabla 8.1 .
1 naranja
Tabla 8. 1 Relacin entre el 10 rojo

cdigo de identificacin de las
VDR y la corriente que circula 100 marrn
por ellas a la tensin nominal.
Este cdigo est vinculado con el de las resistencias lineales. Efectivamente, supnganse tres
VDR que, a igual tensin nominal de 18 V, dejan pasar 1, 1 O y 100 mA respectivamente.
En estas condiciones, el valor hmico de la primera resistencia es de 18 V : 1 mA = 18 kQ, es
decir, que si fuese una resistencia lineal su tercer anillo sera naranja, de ah que 1 mA se represen-
te con el color naranja.
El valor hmico de la segunda resistencia es de 18 V : 1 O mA = 1 ,8 kQ, de ah que el primer ani-
llo indicativo de la VDR sea en este caso rojo.
Finalmente, la tercera resistencia tiene un valor hmico de 18 V : 100 mA = 180 Q, por lo que
100 mA se representa mediante el color marrn.
El cdigo de identificacin del segundo y tercer anillos hace referencia a la tensin nominal de
la resistencia, la cual est normalizada segn tablas E12 internacionales (vase la tabla 3.1. en el
captulo 3), pero codificando cada valor de dos en dos, tal y como se indica en la tabla 8.2.
Si la VDR no posee un cuarto anillo, ello indica que su tolerancia sobre el valor de la tensin no-
minal es de 20 %, mientras que si posee un cuarto anillo, de color plateado, indica que su tole-
rancia es de 1 O %.
La potencia de disipacin de los varistores viene dada por su tamao, siendo tanto mayor lapo-
tencia de disipacin cuanto mayor sea el dimetro del disco de la VDR.
RESISTENCIAS NTC
Las resistencias NTC (Negative Temperature Coefficient), tambin llamadas temustores NTC, son
resistencias cuyo coeficiente de temperatura es negativo, es decir, que el valor hmico de su resis-
tencia depende de la temperatura.
Las resistencias NTC se fabrican a partir de xidos semiconductores, tales como el xido frri-
co (Fe203) sustituyendo algunos de sus iones de hierro. En la prctica slo unos pocos compues-
tos pueden ser utilizados en la fabricacin de resistencias NTC, puesto que los dems poseen pro-
piedades muy inestables.
Las resistencias NTC se fabrican con:
a) Soluciones slidas de Fe304 y materiales con estructura cristalina en forma de espinela (por
ejemplo, Zn2Ti04 o MgCr20J.
b) xido frrico con adicin de pequeas cantidades de xido de titanio (Ti02).
e) xido de nquel (Ni02} o de cobalto (CoO) o una combinacin de estos xidos con peque-
as adiciones de U20.

168
1 www.elsolucionario.org RESISTENCIAS NO LINEALES
TensJn nominal N." de orden Cdigo de color en VDR Tabla 8.2 Relacin entre el
(V) (2.0 y 3.er anillos) cdigo de identificacin de las
VOR y su tensin nominal.
- 16 marrn - azul

10 18 marron - gris
12 20 rojo - negro

15 22 roo

- roo
i8 24 rojo - amarillo
22 26 rojo - azul
27 28 rojo - gris
33 30 naranja - negro
39 32 naranja - rojo
47 34 naranja - amarillo
56 36 naranja - azul
68 38 naranja - gris
82 40 amarillo - negro
100 42 amarillo - rojo
120 44 amarillo - arnarllo
150 46 amarillo - azul
180 48 amarillo - gris
220 so verde - negro
270 52 verde - rojo
330 54 verde - amarillo
A veces se aaden xidos estabilizadores para conseguir una mejor reproduccin y estabilidad
de sus caractersticas.
En la fabricacin de estas resistencias se emplean slo materias primas cuidadosamente selec-
cionadas. A continuacin, se lleva a cabo una mezcla intensa y se le adiciona una ligazn plstica
que d forma a la masa, bien sea en forma de varilla o de disco. Despus se someten estas vari-
llas o discos a una temperatura suficientemente elevada para permitir que los xidos se disuelvan
yse mezclen entre s. El ltimo paso consiste en la colocacin de los contactos elctricos. soldn-
dolos con pasta de plata o mediante otros mtodos.
169
_COMPONENT~S ELECTRNICOS
En la figura 8.12 se pueden ver varios modelos de resistencias NTC.
.. . .
9 1
~
1
8.12 Resistencias NTC

en forma de disco.
Caractersticas tcnicas de las resistencias NTC

Cuando se elige una resistencia NTC han de tenerse en cuenta una serie de caractersticas tcni-
cas, mediante las cuales es posible conocer el comportamiento de la resistencia en un circuito dado.
Estas caractersticas tcnicas son las siguientes:
Caracterstica resistenciatemperatura.
Caractersticatensincorriente.
Tiempo de recuperacin.
Estabifidad.
Valor hmico.
Tolerancia.
Constante de disipacin y potencia mxima de disipacin.
Margen de temperatura.
Caracterstica resistencia-temperatura
Sin duda la relacin entre resistenciay temperatura es la ms importante para conocer el compor-
tamiento de una NTC en un circuito, puesto que con ella es posible determinar el valor hmico que
adquiere la resistencia al ser sometida a una temperatura dada.
La relacin resistencia-temperatura de una resistencia NTC se expresa, aproximadamente, con
la frmula:
R = Aearr
donde R es el valor de la resistencia a temperatura absoluta T, A y B son constantes para una re-
sistencia dada, y e es la base de los logaritmos neperianos (e= 2,718).
Esta ecuacin se muestra grficamente en la figura 8.13, donde se ha representado R en fun-
cin de la temperatura en grados centgrados.
R
(O) ------~- -----
ter ~~=
- -~- ..... --------
~~"'"'~~..:.~""
-~~ ---------
- ~~
-~ - ~
~ ~~ _ ---
_,.. ~~~ _
-
ta' -
~,-=- - ;
-=- ---r=== 1
tri : --- ::.: . .--~- .,,,-,.,.
-- =-=1 ~~;-::{-::::::
.
. . .:.-::: .: _:.:. =: .. =~;. . ,,::.
- - -
-
..~-"!:'"'
-
-= ..-~=--=.:.:--=- =-_-::__ -:~-:.:..~ . -.-
-
-~ - . .=- :;.:;:
- -
..!:.
_~~ : _ : . : _ - - ~ ~ , _ ~:- ~: : .
-- - . - -1--- - -- - - - - .
8.13 Variacin que
experimenta la resistencia - . ~:~-'!.". _~=.: ~~ ~ ~_::~ ._ J___ -~
de una NTC en funcin de ---- --- -- -

1~2.__ _ _,___ ---- - - __
_,___ _.__~'-----'----'----'----' -
la temperatura. 50 50 150 250 T(C) 350
170
En la figura 8.13 se observa que mientras la escala de valores de resistencia es logartmica la de

temperatura es lineal, es decir, que en una NTC la resistencia no aurnenta proporclonalmente con
la temperatura, como ocurre con los metales, sino que disminuye siguiendo una ley logaritmica.
Para una resistencia NTC dada, el valor de B puede ser calculado de la siguienteforma:
1. Se mide el valor hmico de la resistencia a una temperatura T,.

2. Se mide el valor hmico de la resistencia a una segunda temperatura T2
3. Con los dos valores obtenidos, y teniendo en cuenta que:
R~ = AeBlT,
se puede establecer la igualdad:
donde:
Y despejando B se tiene:
B= _1_ lag R, lag R2

lag e 1 1
---
Cuando se calcula B con esta frmula, se puede considerar que B es una constante, ya que
con el aumento de temperatura slo se producen pequeas desviaciones.
El coeficiente de temperatura a de una resistencia NTC se obtiene a partir de la frmula:
B
a=- T'2
Segn los materiales utilizados en la fabricacin de una resistencia NTC, la constante B puede
variar entre 2.000 y 5.500 K.
Si una resistencia NTC posee una constante B de 4.000 K, se tiene un coeficiente de tempera-
tura a de -4,50 o/o por "C a la temperatura de 298, 15 K (25 C}, es decir; que su valor hmico dis-
minuye un 4,50 % por cada grado centgrado de aumento de temperatura.
Para facilitar el clculo del valor de una resistencia NT.C a una temperatura dada, cuando se co-
noce el valor hmico a 25 "C (dado normalmente por el fabricante} y el valor de la constante 8, en la.
figura 8.14 se muestra la relacln R25 clRr en funcin de la temperatura para distintos valores de B.
As, supngase una resistencia NTC cuyo valor hmico es de 15 kQ a 25 C y su valor de B es
3.000 K. Si la temperatura en la resistencia.sube a 60 C, la relacin R25 ,,c!Rr ser, .seqn la figura 8. 14,
de aproximadamente 3/1, es decir, que a 60 C el valor hmico de la resistencia desciende a 5 kQ.
Caractersticatensin-corriente
Cuando, debido al paso de la corriente a travs de una resistencia NTC, sta se calienta a una tem-
peratura muy por encima de la temperatura ambiente, resulta Interesante conocer la relacin entre
corriente y calda de tensin en la resistencia,
171
COMPONENTES ELECTRNICOS www.elsolucionario.org
8.14 Relacin R25 ./Rr en R2s 1.000 ~
funcin de la temperatura, Rr -
1
para distintos valores de B. 500 1/-
"'</)"' -!) -/
'O. <:,?tj
200 .
100 / /. ~ A~~~
- //
'~ /
~
lit.
~--
50
1 ',, / ,.. 3.~
20 .V,(,/V / V'30Q9:
.
I "-
~~v~
'./ ,,,, 00
10 _:,. ~ 2.0.
. -, I ~ -
5 ~
-

' ""' .
, ---
2 - -
1 1 1 1
1
o 20 40 60 80 100 120 140 160
T(C)
En la figura 8.15 se puede ver esta curva caracterstica para una resistencia NTC imaginaria. En
ella V e I figuran en escala logartmica, pues de esta forma pueden incluirse las lneas de potencia
y resistencia.
V(V)
100
50
20
8.15 Caracterstica
tensincorriente de
una resistencia NTC. 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1.000
I (mA)
La llamada caracterstica esttica se mide a una temperatura ambiente constante y las lecturas
de V se toman despus de establecer el equilibrio, es decir, cuando la potencia consumida es igual
a la potencia disipada.
Como se puede observar en la citada figura 8.15, para corrientes muy pequeas el consumo de
potencia es demasiado pequeo para registrar un aumento de temperatura y, como consecuencia,
un descenso del valor hmico de la resistencia. En esta parte de la curva caracterstica la relacin
entre tensin y corriente es lineal, es decir, cumple la ley de Ohm.
Para potencias por encima de, aproximadamente, 0,05 W, la caracterstica deja de ser lineal.
A un cierto valor de I la cada de tensin alcanza un valor mximo, despus disminuye al seguir
aumentando la corriente (zona de resistencia negativa) para aumentar de nuevo a partir de un cier-
to valor de la intensidad de corriente I.
Veamos con algo ms de detalle todo lo que acabamos de exponer sobre la curva de la resis-
tencia NTC imaginaria de la figura 8.15. En este caso se supone que la temperatura ambiente es
de 25 C durante toda la prueba.
172
El valor hmico de la resistencia NTC a 25 Ces de 20 kQ, tal y como se deduce de la. parte li-
neal de la curva caracterstica de la figura 8. 15, en la que todos los cocientes VII dan como resul-
tado 20 kQ.
A medida que aumenta la tensin aplicada aumenta linealmente el valor de la intensidad de co-
rriente, puesto que la temperatura ambiente no vara y la potencia disipada en la resistencia es pe-
quea.
Sin embargo, cuando la tensin aplicada alcanza unos 33 V y la corriente es de 3,3 mA, lapo-
tencla de disipacin en la resistencia supera los 0, 1 W, calentndose sta por la potencia disipada
(no por la temperatura ambiente que hemos considerado constante) y, como consecuencia, se ini-
cia un descenso del valor hmico de la resistencia.
A algo ms de O, 1 W la temperatura en la resistencia alcanza los 60 C, con lo que el valor h-
mico de la misma, en dicho punto, es de, aproximadamente:
V 33V =iOkQ
R -- -
-
3,3 mA
(la mitad de cuando la potencia disipada estaba por debajo de O, 1 W).
Tiempo de recuperacin
Toda resistencia NTC precisa un tiempo de enfriamiento, durante el cual sta va recuperando pro-
gresivamente su valor hmico inicial a la temperatura ambiente. Este tiempo de enfriamiento recibe
el nombre de tiempo de recuperacin (1} o constante de tiempo de recuperacn, puesto que es
constante para cada tipo de resistencia.
El valor hmico ele la resstencia durante el enfriamiento no sigue una ley lineal, sino exponen-
cial, taJ y corno se puede comprobar en la figura 8.i 6, en la que se ha dibujado la curva caracte-
rstica de variacin de la resistencia en funcin del tiempo de entnarniento normal de una resisten-
cia NTC de 1 kO. a 25 C.
R 11J'
(Q) ' -
5 -
-
2 1-
-
'
-1-
5
, "
- l.1
2
v
j
j ~
'

5 '- - '
~, 1
,_ 8. 16 Curva de variacin del valor

2 hmco en fncin del tiempo,
'
-1 1 1 1
en condiciones de enfriamiento
101
o 40 80 120 160 200 240 280 320
normal, de una resistencia NTC.
T(s) Temperatura emueme, 25 C.
Inicialmente.; el valor de la resistencia NTC es de unos 25 n, a los 40 s alcanza los 85 ~1. a los
80 s sube a 200 n, etc . hasta alcanzar su valor nominal de 1 kQ a 25 C a los 300 s.
En la prctica, el tiempo de recuperacin no es aquel que transcurre entre el inicio del entria-
miento y el instante en que la.reslstencia alcanza su valor nominal a 25 C, sino el tiempo que ha
de transcurrir entre el inicio del enfriamiento y el instante en el que la resistenca alcanza la mitad de
173
su valor hmico a 25 C. En el caso de la figura 8.16 el tiempo de recuperacin r es, por tanto, de
150 segundos.
Los fabricantes de resistencias NTC Indican en sus catlogos mediante curvas como la de la fi-
gura 8.16, o mediante datos numricos, los tiempos de recuperacin de sus productos. As, por
ejemplo, la constante de tiempo trmico de las resistencias NTC de la serie 2322 640 90106 de
PHIUPS es de 13 s: lo cual indica que, a partir del instante en que la NTC inicia su enfriamiento des-
pus de haber trabajado a su mxima potencia (es decir, a la mxima temperatura admisible), has-
ta que alcanza la mitad de su valor hmico a 25 C, han de transcurrir 13 segundos.
Estabilidad
Cuando funciona en un circuito electrnico, toda resistencia NTC sufre, al igual que cualquier otro
componente electrnico, un envejecimiento que provoca una variacin de su valor hmico nominal
a 25 C.
Esta variacin del valor hmico es muy pequea, del orden del 1,2 % de su valor nominal como
mximo, lo cual no tiene importancia en los circuitos de radio y televisin pero s en los aparatos de
medida de precisin, por lo que es conveniente que las resistencias NTC utilizadas en instrumen-
tos de medida hayan sido sometidas a un envejecimiento previo, consistente en someterlas durante
un gran nmero de horas a una temperatura elevada.
Una vez realizado este envejecimiento, el valor hmico de la resistencia NTC se mantiene cons-
tante, es decir, ha alcanzado su estabilidad.
Valor hmico
Los valores hmicos de las resistencias NTC se refieren siempre a la temperatura ambiente de 25 C,
ya que dada su caracterstica de variacin de resistencia con la temperatura es preciso tomar una
como referencia.
Se fabrican en valores segn columnas E internacionales (vase el captulo 3), pero sin cubrir to-
dos los valores posibles.
Los fabricantes indican en sus catlogos el
(f valor hmico de sus resistencias NTC a 25 C y, en
1 1
ocasiones, a otras temperaturas, tales como 40,
R
(n)
1
-
50, 96,5 y 100 C. Lqicamenta, junto con este
dato suministran el valor de B (en grados Kelvin) a
1-
5
la temperatura de 25 C, de forma que el profe-
,,
+8 y+ tolerancia R25 sional pueda calcular, segn se expuso anterior-
2 -\ -mente, el valor hmico de la resistencia a cual-
1\. - quier temperatura.
\ '\
1(f
-, ", Tolerancia
Los valores de la resistencia a 25 C y de 8 se
.... ' dan con cierta tolerancia.
5
8 y
' ...
tolerancia~ ~- ....
1 -
La tolerancia de las resistencias NTC a 25 C
8 y+ tolerancia R25 es normalmente de +20 %, aunque tambin se
R2s-+ .... 1 '
\ ['\ fabrican con tolerancias de 1 O %.
2
+By tolera~cia R25 [\
' El valor de B tiene, en la mayora de los casos,
una tolerancia de 5 %. Debido a la tolerancia del
l(f
1\ \ !'\ valor de B, la desviacin de la curva nominal a
1\ \. " ' temperaturas diferentes a 25 C puede ser mayor

que la tolerancia dada para 25 C.
1 En la figura 8.17 se muestra la desviacin pro-
o 10 20 2530 40 so 60 70 80 90 100 ducida por la tolerancia de B sobre el valor h-
T (C) mico nominal de una resistencia NTC de 1 O kQ.
8.17 Influencia de la tolerancia del valor A partir de 25 C, la curva superior proporciona
de B sobre fa curva caracterstica resistencia los valores lmites de resistencia para combina-
temperatura de una resistencia NTC. ciones de:
174
www.elsolucionario.org RESISTENCIAS NO LINEALES
a) tolerancia +By +R25 desde 25 "'0 a temperaturas ms .bajas.

b) tolerancia B y +R25 rlAsde 25 C atsmperaturas ms altas.
La curva inferior da los valores lmites de resistencia para combinaciones de:
c) tolerancia -8 y -R25 desde 25 C a temperaturas ms bajas.

d) tolerancia +B y-R25 desde 25 Ca temperaturas mas altas.
El valor hmico real de la resstencia est pues comprendido entre los lmites dados por las cur-
vas superior.e inferior de la figura 8.17, aunque en la prctica rara vez se presentarn los casos ms
desfavorables.
Constante de disipaciny potencia de disipacinmxima

La. constante de disipacin indica el aumento de temperatura de 1 "C por cada unidad de poten-
cia disipada y viene dado en los catlogos en mW/C.
No debe confundirse este parmetro con el de mxima potencia de disipacin de la resistencia,
la cual se da en W, al igual que en las resistencias llneales.
As, una resistencia NTC cuya constante de dsipacin sea de 5,5 mW/C aumenta su tem-
peratura 1 C cada vez que aurnente 5,5 mW la potencia disipada, por lo que si la resistencia NTC
est disipando 55 mW ello provoca un aumento de 1 O "C en ella.
La potencia mxima de disipacin indica. la potencia mxima que puede soportar la resistencia
NTC sin que se destruya.
Ambos datos suelen ser facilitados por los fabricantes y han de tenerse en cuenta, en especial
el segundo, para evitar la destruccin de la reslstencia.
Margen de temperaturas
Toda resistencia NTC posee unos lmites de temperatura, sobrepasados los cuales la NTC dej9 de
comportarse como tal.
Los fabricantes de resistencias NTC indican en sus catlogos los mrgenes de temperatura de
trabajo, o la temperatura mxima tolerable por la resistencia, -a la potencia mxirna y a 25 C de tem-
peratura ambiente. As, una NTC puede tener unos mrgenes de temperatura de trabajo compren-
didos entre -25 y + 155 C, o bien ser capaz de soportar + 155 C cuando se alcanza su potencia
mxima de disipacin a la temperatura ambiente de 25 C.
Este parmetro est relacionado con la constante de disipacin y la potencia mxima de disi-
pacin dadas en el apartado anterior.
Efectivamente, supongamos una resistencia NTC cuya constante de disipacin sea de 4,5 mW/C
a 25 C, y que pueda soportar una potencia mxima de 0,6 W. Con estos datos se puede calcular
qu incremento de temperatura o temperatura mxima de trabajo puede soportar la resistencia cuan-
do se alcanza la potencia mxima de disipacin de O, 6 W. Para ello basta con efectuar la operacin:
0,5W -133 33 C
0,0045 W/C - '
A estos 133,33 C.se le suman los 25 C iniciales, dando un valor de temperatura mxima a plena
potencia de 0,6 W de:
133,33 C + 25 C = 158,33 C
Dado que esta temperatura es el lmite admisible, se considera que dicha resistencia puede so-
portar, sin que se destruya, una temperatura de 150 C.
Cdigo de identificacin de las resistenciasNTC

En las resistencias NTC se indica su valor mediante diferentes procedimientos, tales como el de
franjas de color o mediante un color nico.
175
En la figura 8.18 se muestra una resistencia NT~ identificable por tres o cuatro franjas de color
que se leen de abajo a arriba y no al revs, como es usual en las VDR.
El cdigo es el mismo que se utiliza en las resistencias lineales, es decir, compuesto por tres
anillos cuando la tolerancia es de 20 % y por cuatro cuando es de + 1 O % (ltimo anillo de color
plata).
-- 3,3 0,5 --
IV
111
JI 5max
I
2 1
' EJ0,8
1 2,54
17mn
8.18 Dimensiones de una

resistencia NTC y orden de lectura
de su cdigo de identificacin. ff 0,6
As, por ejemplo, una resistencia NTC que tenga los anillos rojo-rojo-oro posee una resistencia
hmica a 25 C de 2,2 ohmios, puesto que el color rojo indica 2 y el oro indica que debe multipli-
carse por el factor O, 1 :
22 X O, 1 = 2,2 Q
En otros tipos, el valor hmico viene ind.icado por un nico punto de color, o bien estn pinta-
das de un solo color; por lo que aconsejamos solicitar a las firmas fabricantes de resistencias NTC
catlogos de las mismas, con el fin de poder identificar aquellas resistencias de aplicacin especial
pintadas con un nico color.
Eleccin del tipo de resistencia NTC adecuada

Si se ha de seleccionar una resistencia NTC para un circuito dado, han de considerarse los si-
guientes puntos:
1. Forma adecuada al circuito en cuestin: varilla, cilndrica, disco o perla.

2. Valor hmico de la resistencia a 25 C.
3. Coeficiente de temperatura que se precisa.
4. Cul es el cambio del valor hmico de la resistencia que se precisa dentro de un intervalo de
temperatura dado.
5. Potencia que deber disipar:
a) Sin cambio perceptible del valor hmico de la resistencia debido al calentamiento.
b) Con cambio mximo en el valor de resistencia.
6. Tiempo de recuperacin que se precisa.
'
Este es el orden con el que se debe trabajar para seleccionar la resistencia NTC.
RESISTENCIAS PTC
Las resistencias PTC (Positive Temperature Coefficient), tambin llamadas termistores PTC, son re-
sistencias cuyo coeficiente de temperatura es positivo, es decir, que su valor hmico depende de la
176
temperatura, al igual que las resistencias NTC estudiadas en los prrafos anteriores. pero con la
particularidad de que, mientras en las resistencias NTC olsrninuye su valor hmico al aumentar la tem-
peratura. en las resistencias PTC aumenta su valor hmico al aumentar la temperatura.
r4,5 mx - 10 ,_
Smx
1 23mx
rnx
.. 1.6 mx
44 mln o 0,5
~ ~
10,8
4,8
..- \\
Bmx Punto rojo
1
45 40
mm
34
o 0.8 e 0,8
12 mx 5,2 r 0,4
8.19 Algunos tipos corrientes de

7Z691S4 resistencias PTC con sus dimensiones.
En la figura 8.19 se puede ver el aspecto externo y dimensiones de algunas de estas resisten-
cias, las cuales se fabrican normalmente en forma de discos o perlas.
El coeficiente de temperatura de una resistencia PTC es pues positivo, aunque esta particulari-
dad slo se produce entre determinadas temperaturas, fuera de las cuales puede ser igual a cero
e Incluso negativo.
Una particularidad de las resistencias PTC, que las diferencia de las NTC, es que el valor abso-
luto del coeficiente de temperatura, en la mayor parte de los casos, es mucho mayor que el de las
resistencias NTC.
Las resistencias PTC se fabrican bsicamente con tuanato de bario (BaTIOs) o soluciones sli-
das de titanatos de bario y de estroncio, mediante un procedimiento anlogo al seguido en la fa-
bricacin de resistencias NTC.
Para su fabricacin se tritura y se da forma adecuada a una mezcla de carbonato de bario, xi-
dos de estroncio y titanio, y otros materiales, de acuerdo con las caractersticas elctricas que se
desee obtener. Una vez desecadas, las resistencias PTC son sometidas a elevadas temperaturas
y, a continuacin, se les aplican con sumo cuidado los contactos sobre este semiconductor, que
es del tipo N. Rnalmente, se sueldan los terminales sobre las superficies de contacto y se las re-
cubre de una laca especial protectora.
Caractersticas tcnicas de las resistencias PTC

Para la correcta eleccin de una resistencia PTC han de tenerse en cuenta una serie de caracte-
rlsticas tcnicas, mediante las cuales es posible conocer el comportamiento de la resistencia en
el circuito.
177
Caracterstica resistenciatemperatura.
Caracterstica tensincorriente.
Factor de disipacin.
Temperatura de conmutacin.
Margen de temperaturas de trabajo.
Constante de tiempo tnnico.
Mxima tensin admisible.
Valor hmico.
Tolerancia.
Caracterstica resistencia-temperatura
En lneas anteriores se afirma que en las resistencias PTC aumenta su resistencia al aernentar la
temperatura; ello es cierto pero con algunas restricciones.
Efectivamente, en la figura 8.20 se ha representado las variaciones que sufre el valor hmico de
una resistencia PTC en funcin de la temperatura.
8.20 Variacin que experimenta

11 111
el valor hmico de una resistencia
PTC en funcin de la temperatura. T
En principio, la resistencia no experimenta casi variacin alguna (zona 1); cuando se aumen-
ta la temperatura ligeramente se llega a la zona 11, en la cual un pequeo aumento de sta ori-
gina un considerable aumento de R. Sin embargo, si se sigue aumentando la temperatura, se
entra en la zona 111, en la cual cae de nuevo el valor hmico, con lo cual la resistencia PTC deja
de actuar como tal, puesto que en lugar de aumentar disminuye su valor hmico, perrnltiando,
por tanto, el paso de una mayor corriente, lo que puede llegar a provocar la destruccin de la
resistencia
Las zonas en las cuales es posible trabajar con las resistencias PTC son tan slo la 1 y la 11. Debe
tenerse esto muy en cuenta para evitar que la temperatura pase a la zona 111. en la cual se corre el
peligro de destruir el componente.
De todo lo expuesto se deduce que la zona 111, al no ser zona de trabajo adecuada, no Inte-
resa, por lo que los fabricantes de resistencias PTC indican en sus curvas caractersticas slo las
zonas 1 y 11.
Por otro lado, y dado que por la ley de Ohm la Intensidad de corriente que circula por una PTC
es tanto mayor cuanto mayor sea la tensin a ella aplicada, y que todo aumento de corriente trae
como consecuencia un aumento de temperatura en la resistencia PTC, resulta obligado indicar en
estas curvas caractersticas bajo qu condiciones de tensin aplicada se han reallzado los ensayos.
As, en la figura 8.21 se muestran las curvas caractersticas resistencia-temperatura de una resis-
tencia PTC para dos valores de tensin, uno de ellos igual o inferior a 1,5 V de corriente continua
(curva continua superior) y el otro un impulso de 60 V (curva discontinua inferior).
178
1as ~- . .
.
1 '
8.21 Curva caracterstica de
la. resistencia en funcin de la
~ t,S V (DC) m~~.
R
(il)
:=611 V~~ - --- -1 temperatura de una
'/I
... 1-.. 1-..
resistencia PTC.
/
1a5 .
J
L.
'-L I
.

1a4 --
- -
;- "'- ..
~
'
- - '

(
I,/ -
10' - ,:..,_
-,
-, 1- T
r
,,_1-
,_ ,_ L
~ ... '' -
1
1-.. 1-..
10
o
1
1 50 100 150 200 250 T(C)
Se observa en las curvas de la figura 8.21 que por debajo de unos 125 0 el valor hmico de la c
resistencia es lnferor al nominal de la misma, que hemos considerado de 50 Q a 25 C.
A partir de esta temperatura crece el valor hmico de la resistencia. con el aumento de temperatu-
ra, hasta alcanzar unos 200 kQ a 235 C, con una tensin continua aplicada Igual o inferior a 1 ,5 V.
Si en lugar de 1,5 V de tensin continua se le aplica un impulso de 60 V,. la resistencia alcanza
un valor de unos 60 kQ a 235 <:>C, pero la corriente que por ella circula contna calentndola y, por
lo tanto, se Inicia el descenso. de la curva, es decir, se entra en la zona peligrosa 111 {figura 8.20).
Caracterstica tensin-corriente de una resistencia PTC

Las curvas caracterfsticasestticas de la tensin en funcin de la corriente de una resistencia PTO
son de gran inters para el profesional, ya que con ellas se muestran claramente los lmites de co-
rriente de estos componentes.
Hasta cierto valor de tensin la caracterstica tensin-corriente es una lnea recta que sigue la
ley de Ohm, pero el valor de la resistencia aumenta tan pronto como la corriente ha calentado al
componente, de modo que su temperatura llega a la temperatura de conmutacin, es decir, a la
temperatura a la cual el valor hmico de la resistencia PTC es igual al doble del que corresponde a
25 C (figura 8.22).
I
(mA) .
.
120
-~
80
Tmblnte
.so-c .'
-
40 -c
so e 8.22 Caracterstica tensin
40 60 e
corriente de una resistencia PTC,
para diferentes valores de
.... temperatura ambiente,
oo 40 60 80 100 V(V) reptesentada en escala lineal.
20
179
La curva caracterstica tensin-corriente depende de la temperatura ambiente y del coeficiente

de transferencia de calor al medio ambiente.
Las curvas caractersticas tensin-corriente de la figura 8.22 se han representado en escala li-
neal, sin embargo en la prctica son ms tiles las representadas en escala logartmica (figura 8.23).
tri - +:
(mA) - 1~
/
"'" .2,s ,_ -
' -
<, (:"> .
2
<,
1 1
$(7 <, .
101 .
"' 1--
,_ - - ...._-.
~
,
.
5 .
8.23 Caracterstica tensin
corriente de una resistencia PTC, 2 .
para dos valores de temperatura
ambiente, representadas en 1 (!'
escalas logartmicas. f(f 2 5 101 2 5 102 2 Vcc (V) 11
Obsrvese en esta ltima figura cmo a 25 C la intensidad de corriente sube de valor al subir
la tensin aplicada, hasta que sta alcanza los 2,5 V.
Por encima de 2,5 V la intensidad de corriente desciende de valor, lo cual nos indica y confirma
que la resistencia aumenta su valor hmico.
Factor de disipacin
Hemos visto que las resistencias PTC dependen en cierto grado de la tensin. As, para tensiones
elevadas el valor hmico de la resistencia es menor que el esperado.
Por esta razn, no resulta difcil obtener la curva caracterstica tensin-corriente a partir de la
curva caracterstica resistencia-temperatura con una constante de disipacin dada.
As, en la figura 8.24 se ha dibujado una curva caracterstica tensin-corriente en la que, adems,
se han aadido las escalas de resistencia y potencia disipada en cada condicin de trabajo. En ella se
observa que, aun aumentando el valor hmico de la resistencia con el aumento de tensin, el des-
censo de corriente no es suficiente y, por lo tanto, se alcanzan valores de potencia disipada peli-
grosos para la integridad de la resistencia.

la tensin en funcin de la
corriente de una resistencia
PTC, representada en escalas
logartmicas y con indicacin
.t I'\ ., ,,, r '
de Jos valores hmicos y ""
1 _ / 1
.. -
<.
-\- . --.. ".-- _,. .:._..._ ' "" .. ..... '

potencias disipadas en cada 1 l_~...'.:_'-==-_L.:.L~~___::::::::::~~/:_L_L_.'l~_L.ll.~-~-~.1__.1__LL-.L
circunstancia. 0, 1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50 100 V
180
A pesar de todo ello no resulta difcil calcular, con bastante aproximacin, el valor mximo de la
curva caracterstica tensin-corriente si se conoce la curva caracterstica resistencia-temperatura y
la constante o factor de disipacin. Veamos cmo se procede para efectuar este clculo.
La potencia de disipacin vale:
P = 12 R
Por lo tanto, un pequeo aumento de potencia disipada valdr:
D.P = 2IR b.l + I2 !lR
En el mximo de la curva caracterstica tensin-corriente el incremento de oorrente ser nulo, ya

que la curva inicia en dicho punto su descenso, por lo tanto la frmula anterior queda como sigue:
El subndice M indica que los valores de la frmula corresponden al mximo de la curva caracters-
tica tensin-corriente.
Por otro. lado se. tiene:
siendo O la constante o factor de disipacin de la resistencia y AT el incremento de la temperatura.

El factor de. disipacin O se expresa, al igual que en las resistencias NTC, en mW/QC y corres-
pende a la potencia que determina un aumento de temperatura de 1 C.
En esta circunstancia se establece la igualdad:
y como, segn se ha dicho anteriormente,
se puede escribir la nueva igualdad:
Y despejando el valor de I M2:
I M z --
de donde:
IM=
Ya que:
Para finalizar, diremos que el coeficiente de disipacin de las resistencias PTC o.scila entre 6 y
15 mW/C segn modelo. Tambin se indica en mW/k, siendo lgicamente el valor absoluto el mismo.
181
Temperatura de conmutacin
Recibe el nombre de temperatura de conmutacin (TJ aquel valor de temperatura bajo el cual el va-
lor hmico de la resistencia PTC es dos veces el valor de mnima resistencia Rmin a 25 C (figura 8.25).
8.25 A la temperaturade
conmutacin T5 el valor hmico
de la resistencia PTC es dos
---
---~-
veces su valor mfnimo Rmin T
B coeficiente de temperatura (e) de una resistencia PTC se define como el resultado de dividir el
incremento del valor hmico de la resistencia por el producto de su valor hmico nominal y el in-
cremento de temperatura, es decir:
a=--
R sr
y se expresa en % por C.
Si se traza la curva caracterstica de la resistencia en funcin de la temperatura, con valores de
R en escala logartmica y de Ten escala lineal, como es usual en la prctica, se puede escribir:
din R
Cl =-
dT
De donde se deduce:
1
a=
0,4343
Como se puede comprobar sobre la figura 8.26, la tangente a un punto cualquiera de la curva
caracterstica resistencia-temperatura es proporcional al valor de a en dicho punto.
log R
8.26 La tangente a un punto

de la curva caracterstica log R2
resistenciatemperatura es
/og R1
proporcional al coeficiente
de tempeatua a.
182
La frmula anterior se escribir:
400 /og R2 - log R1

U.=--
0,4343 T2-T1
Dndose en este caso el resultado de o/o/C.

Lgicamente, el coeficiente de temperatura no es el mismo a lo largo de la curva caracterstica.
debido a la no linealidad de sta, por lo que los fabricantes Indican en sus catlogos el valor co-
rrespondiente al punto en el que la resistencia multlpllca su valor por 1 O, es decir, cuando R2 = 1 O R1,
en cuyo caso la frmula anterior queda reducida a la expresin:
100
et=-
0,4343 (T2 - T,)
As, supongamos que una resistencia PTC posee. a 90 "C. una resistencia de 1 k(l, y que al au-
mentar la temperatura hasta 100 C la resistencia alcanza los 1 O kQ. El coeficiente de temperatu-
ra de esta resistencia ser:
100 100
o:=---- = 23 /o/C
0,4343 (T2 - T.1) 0,4343 X (100 C - 90 C)
Margen de temperatura de trabajo

Se ha dicho en lneas anteriores que las resistencias PTC slo actan como tales dentro de unos
mrgenes de temperatura, ya que por debajo y por encima de stos la curva caracterstica no res-
ponde a lo que se requiere del componente.
Es muy importante tener presente este dato a la hora de adquirir una resistencia PTC, el cual
suele ser facilrtado por los fabricantes para una potencia cero y para la mxima tensin aplicable.
Asf. por ejemplo, el margen de temperatura en la que es operante la resistencia PTC modelo
2322 622 91001 de PH1UPS est comprendido en1re O y + 155 C a potencia cero, y entre O y +55 C
a la tensin continua mxima de 180 V.
Constante de tiempo trmico

La constante de tiempo trmico ('t) representa el tiempo requerido por una resistencia PTC para al-
canzar un 63,2 % del total de la diferencia entre el valor Inicial y el valor final de temperatura en su
cuerpo, cuando se la somete a un cambio de temperatura en condiciones de potencia cero.
Para obtener este valor se mide la temperatura T1 de la resistencia PTC a la tensin mxima y
a una temperatura ambiente T0 de 25 "C. Conociendo el valor de la temperatura de conmutacin,
la constante de tiempo trmica viene dada por la expresin:
t
t=----
tn (T, To)
TsTo
Donde t es el tiempo requerido para refrigerar la resistencia PTC y hacerla pasar de la temperatura
T, a la temperatura de conmutacin T5, cuando est a una temperatura ambiente de 25 C.
La constante de tiempo trmico de las resistencias PTC suele estar comprendido entre 1 O y 50 s.
Mxima tensin admisible

Este
es otro de los parmetros importantes a tener en cuenta a la hora de elegir una resisten-
cia PTC
Los fabricantes de resistencias PTC indican tambln en sus catlogos este parmstro, referido
siempre a corriente continua y en ocasiones a una temperatura ambiente dada.
Es importante no superar nunca en los extremos de la resistencia el valor mximo de tensin
que se indique.
183
Cdigo de identificacin de las resistencias PTC
Las resistencias PTC se id~ntifican por un punto de color segn el cdigo dado por el fabricante.
Como ejemplo de ello, en fa tabla 8.3 se dan los cdigos de colores y caractersticas tcnicas
de las resistencias PTC de la serie 2322 660 de PH1L1Ps.
,.. . ,, fj
!', i' ;.'\- ~%;>:
"'
. o :'f: +-<.:>~ '-~.1 1
Resistencia Valor Temperatura Coeficiente Constante Factor de Tensin Margen de Margen de

PTC n.0 a 2-5 C conmutacin de temperatura ~,\i emgg
't'rn1ic~J;
diSi@aCiQi ;~.xiey;~ ,~emp~\~ra1'ff; temgeratw!1l
ti . t1il
{.Q) ' Q,~ ' t (4fl/9C) :, 11
(mW/"C) (VJ9 de tr ao rnxrna
(t) H
de potencia cero tensin
fit ~t~- :rr 'JE<IC)
p '1':1 iff' ("@Ji
li~
"
#t: i'
I>" -~;_;
j -- .
'!!;
->-
fl +! 1
91001 250 +6 +5 17 6 25 -25 a+ 155 O a 55

(sin color) 25 %
91002 50 +80 +18 50 8,5 50 10 a+ 125 O a 55

amarillo 15 %
91003 40 +110 +75 50 8,5 50 10 a+ 125 O a55

verde 15 %
91004 30 +45 +16 50 8,5 50 10 a+ 125 O a 55

naranja 15 %
91005 50 +25 +9 40 6 40 10 a+ 125 o a55

rojo 15 %
91006 60 +30 +7 20 7 25 10 a+ 125 o a55

rojo 30%
91007 50 +50 +16 18 7 25 10 a+ 125 O a55

nararua 30%
91008 50 +80 +23 18 7 25 10 a+ 125 O a55

amarillo 30%
91009 50 +105 +40 - 7 25 10 a+ 125 O a 55

verde 30%
Tabla 8.3 Caractersticas tcnicas de tas resistencias PTC de la serie 2322 660 de Philips.
RESISTENCIAS LOA
Las LDR (del ingls Ught Dependent Resistor), tambin llamadas resistores LDR y fotorresisten
eles, son componentes semiconductores que varan su valor hmico al incidir sobre ellos una ra-
diacin luminosa.
A medida que la intensidad luminosa que incide sobre una LDR aumenta, su resistencia al paso
de la electricidad disminuye de valor.
En la figura 8.27 se puede ver el aspecto y dimensiones de algunas de estas resistencias, que
difieren bastante de lo convencional.
Los materiales fotosensibles ms utilizados en la fabricacin de las LDR son el sulfuro de talio,
el sulfuro de cadmio, el seleniuro de cadmio y el sulfuro de plomo.
Su construccin se efecta disponiendo sobre una plaquita de material inerte gran cantidad de
electrodos a una distancia muy prxima y, entre ellos, se deposita el material fotosensible. Todo el
184
-12.210.3 --- 333 __ ,
+"
- 14t0.5- -
1
g o
-1.s 1- 13:!2
- 0,6
+
t ,_,i,i,-.-~-===-=="=t
t
==~--~----
10,80,J 7,50,8 .~ 9,6 t0,2
1 __ _j
_l 1,S max
--- t.ltl ---

1.7t0,J
- 8,75:!:0,2
"+ - 1-
t7,S t0,8 8.27 Diferentes tipos de
totorresistencias con sus
~~==--===- .-1 dimensiones.
- 5
moa l...
,
conjunto se encierra luego hermticamente en una ampolla de vidrio, o mediante un recubrimiento
de laca o sustancia plstica transparente, con el fin de protegerlo contra la humedad, polvo, etc.,
y, al mismo tiempo, facilitar que sobre la fotorresistencia propiamente dicha incida la luz.
Cuando la LDR no est expuesta a radiaciones luminosas, la mayora de los electrones estn
firmemente unidos a los tomos que forman la red cristalina. Los electrones libres, como los que
exlsten en los metales, se encuentran slo en cantidades muy pequeas, y su presencia se debe a
la energa trmica del material.
Cuando sobre la LDR inciden radiaciones luminosas, la energa de la radiacin es absorbida por la
red cristalina. En esta circunstancia se libera un cierto nmero de electrones a causa de esta energa
suplementaria absorbida por el material, por lo que la LDR se hace ms conductora, es decir, dismi-
nuye su resistencia elctrica. Este efecto fotoconductor aumenta considerablemente si el sulfuro de
cadmio contiene pequeas cantidades de elementos activantes, como el cobre, el galio o la plata.
Caractersticas tcnicas de las LDR

Las caracterstrcas tcnicas que han de tenerse en cuenta al elegir una fotorresistencia son pocas,
por lo que no resulta difcil su eleccin.
Son las siguientes:
Caracterfstica de la resistencia en funcin de la ftumlnacfn.

Respuesta espectral.
Dependencia de la temperatura.
Tiempo de recuperacin.
Tolerancia.
Tensin admisible.
Potencia. de dfsipacin.
Ruido.
Capacidad parsita.
Curva caracterlstica de la resistencia de una LDR en funcin de la iluminacin

Con10 se ha dicho, las LOA constituyen en esencia resistencias variables cuyo valor brrco est
determinado por la mayor 9 menor cantidad de flujo luminoso que reciben. Cuanto menor es la ilu-
minacin, mayor es la resistencia elctrica de la fotorreslstencia. De todo ello se deduce que una
de las caractersticas tcnicas ms importantes de una LDR es aquella que establece la relacin
entre resistencia hmica e iluminacin, es decir, la curva caractersticaresstenclailun1inacin.En la
flgura 8.28 se muestra la curva caracterstica resistencia-iluminacin de una LDR.
Como se puede comprobar al leer la citada curva, la resistencia elctrica de una LDR es muy
elevada en la oscuridad (2.500 na 50 lux), bajando a unos 25 n cuando sobre ella Incide una Ilu-
minacin de 9.000 lux.
185
R io
2
la resistencia en funcin de la 101 "
iluminacin de una LDR. 101 2 5 1(}' 2 5 1rP 2 5
La relacin entre el valor de la resistencia y la iluminacin puede ser expresada con cierta apro-
ximacin por medio de la frmula:
R =AL
~ .

Siendo R el valor de la resistencia en ohmios, L la Iluminacin en lux, y A y a constantes.
El valor de o. depende del material utilzado y del proceso de fabricacin. En general vara entre
0,7 y0,9.
Para finalizar, oiremos que los fabricantes suministran tres curvas caractersticas resistencia-ilu-
minacin (figura 8.28).
La de trazo continuo corresponde a la denominada curva nominal, y representa el funciona
miento de la fotorresistencia al comienzo de su vida.
Las otras dos curvas, de trazo discontinuo, corresponden a la curva caracterstica tfpica mxi-
ma y a la curva caracterfstica tpica mtnme, y muestran los lmites tpicos de produccin.
Respuesta espectral de una LDR

La radiacin luminosa incidente sobre una LDR solamente produce efecto elctrico dentro de una
determinada banda de longitudes de onda. Esto quiere decir que no todas las longitudes de onda
de la energa luminosa ejercen el mismo efecto en una LDR.
As, en el extremo rojo del espectro se encuentra una longitud de onda umbral, por encima de
la cual no se produce efecto fotoelctrico. La energa de los fotones de las radiaciones luminosas
situadas ms all de esta longitud de onda es insuficiente para excitar los electrones y hacer que
pasen de la banda de valencia a la de conduccin.
Para longitudes de onda por debajo del valor umbral, la respuesta aumenta al principio, ya que
al aumentar la energa de los fotones se excitan cada vez ms los electrones. Existe, sin embargo,
una longitud de onda critica, por debajo de la cual dsmnuye la respuesta.
Todo lo expuesto queda reflejado en la curva de respuesta espectral que se muestra en la figu
ra 8.29, y en la cual se puede ver la relacin existente entre la resistencia elctrica de una LDR y la
longitud de onda de la energa luminosa incidente sobre ella. Obsrvese que la respuesta mxrna
o
de una LDR se obtiene con unas longitudes de onda de unos 6.000 A.
Como consecuencia de todo ello los fabricantes de fotorresistencias indican en sus catlogos el
valor de estos componentes para una temperatura de color dada, la cual se establece en 2.700 K.
Esta iluminacin es aproximadamente el color dado por una lmpara de filarnento de tungsteno bajo
condiciones normales de funcionamiento y con una ilun1inacin de 1.000 lux.
186
100
80
60
-+
40
~--
+
20
8.29 Curva de respuesta

03.000 espectral de una LDR.
4.000 5.000 6.000 7.000 8.000 9.000 ~- ()
Dependencia de la temperatura de una LDR

Dado que en la oscuridad el valor hmico de una LDR no es infinito, cuando se aplica una diferencia
de potencial a una fotorresistencia circula por ella una corriente elctrica aunque no est Iluminada.
Corno consecuencia de la agitacin trmica, a temperaturas. ligeramente por encima de O K al-
gunos electrones pasan de la banda de valencia a la de conduccin. La resistencia en la oscuridad
aumenta con la temperatura ambiente y puede disminuir enfriando el componente.
A los niveles prcticos de iluminacin, el coeficiente de temperatura.es muy pequeo, por lo que
puede ser despreciado.
Tiempo de recuperacin de una LDR

Cuando una LDR pasa de un cierto valor de ilumi- . '.
nacin a la oscuridad total, el valor de su resisten-
cia elctrica no aumenta inrnediatamente, es de-
cir, que para alcanzar el valor de oscuridad debe
transcurrir cierto tiempo. -t
.
El tiempo o grado de recuperacJnde una LDR 1 (f> - ~ 11
-.
1
es una medida prctica del aumento del valor de la E 1 IUX E ~
resistencia con el tiempo, y se expresa en kQ/s. .

'
~
Dado que esta magnitud vara segn el nivel 1a4 ~
1o IUX ....- il {}~

inicial de iluminacin incidente sobre la fotorresis-
tencia, los fabricantes en ocasiones indican en
sus catlogos las curvas caractersticas de la re
sistencia en funcin del tiempo de subida del va
lor hmico con la iluminacin como permetro,
tal y como se aprecia en la figura 8:30.
Veamos un ejemplo de utilizacin de dichas
curvas. Supongamos que una fotorresistencia ilu-
minada con una lmpara incandescente (2.700 K) l~~..L..J.IJIJ--'--1-1+ --11--1-1-+'-l++--H-h--+hl
que le proporciona 100 lux pasa a la oscuridad. 10 '--~i-ll~-'-,U.J..!.!.U-.-L.!..l...J..L!------'-l...U.IJ.WJ1
En este caso se tiene que a 100 lux la resis- to-3 102 trr1 tri t (s) 101
tencia es de 1 kQ y al pasar a la oscuridad se al- 8.30 Curvas caracterscas del tiempo de
canzan los 4 Mil. subida del valor h1nico de la resistencia,
El tiempo en alcanzarse los 4 MQ una vez con la iluminacin como parn1etro.
apagada la lmpara, es de 5 s. por lo que el tiem-
po de recuperacin. es de:
4 Mi2 - 1 kO "" BOO kQ/s

5s
187
B tiempo de recuperacin vara pues segn el nivel previo de iluminacin, ya que se parte de un va-
lor hmico ms o menos elevado y, por tanto, ms o menos cercano al valor hmico en la oscuridad.
En los tipos corrientes de fotorresistencias, el tiempo de recuperacin es mayor de 200 kn/s
(durante los primeros 20 segundos a partir de un nivel de iluminacin de 1.000 lux).
En sentido inverso, es decir, en el paso de la oscuridad a un cierto valor de Iluminacin, la velo-
cidad del tiempo d'e recuperacin es mucho mayor.
As, por ejemplo, al pasar de la oscuridad a un nivel de iluminacin de 300 lux, se tarda menos
de 1 O ms en alcanzar un valor de resistencia que corresponde a un nivel de iluminacin de 400 lux.
Tolerancias de una LDR

Las curvas caractersticas resistencia-iluminacin de las fotorresistenclas se miden para dos valo-
res de iluminacin: 1.000 lux y oscuridad total.
Para 1.000 lux se especifican los valores mximo y mnimo de la resistencia.
En oscuridad total se especifica slo el valor mnimo de la resistencia, que se alcanza despues
de transcurrido cierto intervalo de tiempo.
Dado que el valor de a no es absolutamente constante. sino que presenta cierta dispersin, la
dispersin para un nivel de Iluminacin diferente a los 1.000 lux citados puede ser algo mayor que
la correspondiente a 1.000 lux (figura 8.28).
Tensin admisible en una LDR

La tensin admisible es aquella tensin de pico mxima que puede aplicarse a una LDR, supo-
niendo, lgicamente, que no se supere la potencia mxima de disipacin.
SI se supera el valor de tensin mxima admisible la totorreststenca se destruye.
Potencia de disipacin de una LDR

La potencia disipada en una LDR es igual al producto de la tensin a ella aplicada por la corriente
que por ella circula
Ahora bien. dado que la intensidad que circula por una LDR no slo depende de la tensin aplicada,
sino del valor hrmco que adquiera en cada instante segn la iluminacin que en ella incida, deberan
tenerse presente todos estos parmetros para no superar la potencia mxima admisible por la LDR.
Todo ello se comprueba en la figura 8.31 , en donde se puede ver la curva caracterstica de la
intensidad de corriente en funcin de la tensin aplicada a una LDR con la iluminacin como par-
metro y con las curvas de potencia de disipacin a 25 y 70 C. Estas curvas se han realizado con
una lmpara incandescente de 2.700 K.
As, trabajando a 25 C, la potencia de disipacin nominal de la LDR es de 400 mW, por lo que
para no superar esta potencia mxima debe reducirse la tensin o la intensidad de corriente al au-
mentar la iluminacin. Es decir, con una iluminacin de, por ejemplo, 100 lux no puede aplicrsele
a la fotorresstenca una tensin superior a unos 20 V, pues el valor hmico alcanzado deara pasar
demasiada corriente y, por lo tanto, se superaran los 400 mW de disipacin mxima.
l_,_rk " 2.100K

P=400mW 1
t.; = 25 e
8.31 Curva caracterstica de la

intensidad de corriente en funcin
20
- .
de la tensin aplicada a una LDR,

con Ja i/urninacin como 10 P= 100mW
parmetro y con una potencia TJmo = 70C
mxun disipable de 400 n1W t 11ft - ...l.
--
--
a una temperatura ambiente de o

25 C y de 100 1nW a 70 C. o 20 40 60 80 100 V (V) 120
188
Obsrvese asimismo en la figura 8 ..31 que al aumentar la temperatura ambiente la potencia de

disipacin baja a 100 mW, por lo que sern ms estrechos los mrgenes de tensin y corriente apli-
cables a la LDR.
Los fabricantes de LDR indican en sus catlogos la potencia mxima de disipacin de sus pro-
ductos a 25 y 70 C, las cuales oscilan entre 70 rnW y 2,5 W a 25 C, y entre 20 mW y 700 mW a
70 C, segn modelo.
Insistimos que, aunque se conozca el valor de potencia de disipacin mxima, debe compro-
barse si ste no se supera al quedar la totorreststencia iluminada con el nivel mximo.
Ruido en una LDR

El valor hmico de una LDR no permanece constante debido a diferentes factores. por lo que en-
tre sus terminales se producen unas variaciones de tensin que dan orlgen a ruido.
De todas formas, y como las fotorresistenoias generalmente slo se utilizan para ciertos con-
troles en los que el ruido es un parmetro secundario, no suele tenerse en cuenta en el diseo de
los circuitos.
Capacidad parsita de una LDR

Por su especial forma constructiva las fotorresistenclas presentan una capacidad parsita que l rni-
ta su funcionamiento a bajas frecuencias.
La capacidad parsita de. las LDR es inferior a los 6 pF, cuando su respuesta de frecuencia est
comprendida entre 1 O y 100 Hz.
Trabajando a 1 kHz y con una capacidad parsita de 6 pF la reactancia capacitiva de la LDR es
de unos 26,5 Mn.
SI se le aplican frecuencias mayores, lgicamente la reactancia capacitiva disminuye y, por lo
tanto, afecta al correcto funcionamiento de la LDR.
Comparacin entre las diferentes LDR

Para finalizar con el tema de las fotorresistencias, en la tabla 8.4 se comparan algunas de ellas, con
indicacin de sus caractersticas ms importantes.
Umbral de sensibilidad (lux)
Ruido de fondo medio medio fuerte
R.espuesta de frecuencia (Hz) 10 a 1.000 10a1.000
Influencia de la temperatura rnedia a grande media a grande grande
Disipacin mxima (W)
Tensin mxima \V) 500 500 300
Superficie sensible (mm2) 1 a 500 1a500 1 a.500
Respuesta. espectral (m) Vislble. Visible. 1 nfrarrojo.
Mximo en el Mximo en el Mximo

rojo (0,65) rojo (0,7) hacia 2,5
Tabla 8.4 Comparacin de las caractersticas de algunas resstencias LDR.
189
Diodos rectificadores
INTRODUCCIN
Con la denominacin general de semiconductores se califican ciertos cuerpos simples (tales como
el silicio, germanio, etc.) cuya estructura cristalina hace que no dispongan de electrones libres ca-
paces de establecer una corriente elctrica; sin embargo, bajo determinadas condiciones, sus elec-
trones exteriores o de valencia pueden ser liberados y, corno consecuencia, se convierten en cuer-
pos conductores.
Para conseguir esto se recurre a diversos procedimientos, tales como el calor, la luz o, sin duda
el ms importante, introduciendo en la estructura cristalina del cuerpo ciertas sustancias de cons-
titucin atmica determinada. Estas sustancias crean unas caractersticas especiales, las cuales lo
transforman en un cuerpo ms o menos conductor.
Entre los cuerpos ms utilizados en la fabricacin de diodos semiconductores destacan el ger
manio y el silicio.
El germanio
El germanio es un cuerpo simple que ocupa. el nmero 32 en la tabla peridica de los elementos,
es decir, posee 32 protones en su ncleo atmico y 32 electrones que giran alrededor de dicho n-
cleo, de los cuales cuatro son de valencia (cuatro electrones en la rbita exterior ms alejada del
ncleo).
Para que. un cuerpo mantenga su estabilidad molecular precisa de ocho electrones de valencia,
por 10 que parece que el .germanio debera pertenecer al grupo de los cuerpos no estables; esto no
es as, y el motivo de que el germanio sea un cuerpo estable con slo cuatro electrones de valen-
cia se debe a que mantiene por s solo la estabilidad a base de una reciprocidad mutua con cuatro
electrones de los tomos vecinos, complementndose y consiguiendo as los ocho electrones ne-
cesarios para su establlidad molecular. Vase en la figura 9.1, de forma grfica, lo que se acaba de
exponer.
9, 1 Representacin grfica de la
estructura atmica del gern1an!o o
del silicio. Cada tomo utiliza para
su estabilidad cuatro electrones de
los tomos adyacentes.
En realidad este fenmeno es bastante mas complejo, pero el efecto en s se comprende fcil-
mente observando dicha figura.
Como consecuencia de ello, el .germanio es un cuerpo completamente. aislante, ya que no exis-
ten en su seno electrones libres capaces de establecer una corriente elctrica.
191
El silicio
Al principio slo se utiliz germanio en la fabricacin de semiconductores; sin embargo, durante la
Segunda Guerra Mundial, se descubri que existe otro cuerpo simple que posee, al igual que el
germanio, cuatro electrones de valencia y, por lo tanto, es capaz de comportarse como l.
Este cuerpo simple es el silicio, el cual ocupa el nmero 14 en la tabla peridica de los ele-
mentos, ya que posee un total de 14 protones y 14 electrones, de los que cuatro son de valen-
cia y, por lo tanto, tambin es susceptible de ser utilizado en la fabricacin de todo tipo de se-
miconductores.
Entre las ventajas que presentan los semiconductores de silicio con respecto a los de germa-
nio, cabe destacar su correcto funcionamiento dentro de un amplio campo de temperaturas de tra-
bajo (funcionamiento sensiblemente normal dentro del intervalo de temperaturas entre -18 C y
+ 100 C).
Como consecuencia de ello, el silicio se emplea normalmente en la fabricacin de diodos
rectificadores para grandes intensidades de paso de corriente, siendo muy utilizados en fuen-
tes de alimentacin para la rectificacin de la corriente alterna de la red, mientras que los dio-
dos de germanio se utilizan en circuitos de pequeas seales, como las etapas detectoras de
la seal de audio en receptores de radio, debido a una ventaja que ofrecen sobre los de silicio,
y es que precisan, como ms adelante se ver, de menor tensin directa para pasar al estado
de conduccin.
Tanto el germanio como el silicio, en estado puro, son cuerpos aislantes, por lo que parece un
contrasentido que dentro del apartado de semiconductores se citen dos cuerpos que en realidad
son aislantes. Sin embargo, lo que realmente se comporta como un semiconductor no es el ger-
manio o el silicio en estado puro, sino unos cuerpos compuestos cuya base principal es el germa-
nio o el silicio, aunque se generaliza y se aplica el nombre de semiconductores a estos dos cuer-
pos aislantes.
Cristal N
Supongamos una estructura cristalina, de germanio o de silicio, como la de la figura 9.1, en la que
se sustituyen algunos de los tomos de germanio o de silicio por otros tomos extraos cuya va-
lencia sea 5, es decir, con cinco electrones en su rbita externa. tomos de este tipo son el ars-
nico, el antimonio y el fsforo.
Esta operacin recibe el nombre de dopado. En ese caso la estructura cristalina queda altera-
da, tal y como se indica en la figura 9.2, en la que se muestra cmo la estabilidad qumica del cris-
tal se modifica como consecuencia de la impureza introducida.
Electrn
sobrante
9.2 Representacin grfica del

dopado de un cristal de silicio con
un tomo de antimonio. Al poseer
el tomo de antimonio cinco
electrones de valencia, en una de
las uniones queda un electrn libre
o carga negativa.
Como la estabilidad qumica se produce cuando la suma de todos los electrones de valencia
es ocho, y la impureza (a causa de la covalencia de sus electrones con los de los tomos adya-
centes) posee nueve electrones de valencia, se tiene un electrn sobrante, o carga negativa so-
brante.
192
www.elsolucionario.org DIODOS RECTIFICADORES
9.3 Al aplicar una dferencia de

potencial elctrico emre dos caras
de un cristal tipo N, los electrones
se desplazan hacia el polo positivo
de la fuente de alimentacin.
En la figura .9.3 se ha dibujado un cristal de silicio dopado con un tomo de arsnico, siendo su-
ficiente un solo tomo de arsnico eA UA conjunto de 100 millones de tomos de silicio.
Si entre dos caras de este cristal se aplica una diferenca de potencial elctrico, el electrn libre del
tomo de arsnico es atrado por el polo positivo de la fuente de alimentacin y repelido por el ne-
gativo, puesto que cargas elctricas de signo opuesto se atraen y del mismo signo se repelen.
En la figura 9.3 el electrn se desplaza hacia la derecha, indicndose el recorrido mediante fle-
chas. En su desplazamiento, el electrn puede pasar a formar parte de la capa de valencia de otro
tomo de silicio, stendo uno de los electrones de valencia de este ltimo tomo el que prosigue el
recorrido hacia el polo positivo de la fuente de alimentacin.
Durante el transcurso de este fenmeno, el tomo. de arsnico captura un electrn de uno de los
tomos adyacentes por su lado Izquierdo que, adems, es repelido porel polo negativo de la fuen-
te de alimentacin, provocando que en dicho tomo slo se tengan siete electrones d valencia y,
porlo tanto, haciendo que capture a su vez otro electrn.
En resumen, entre el polo neqatlvo y el positivo de la fuente de alimentacin se establece, a tra-
vs del cristal, una pequea corriente, por lo GUe el cristal recibe por ello el hombre de semicon
ductor tipo N1 ya que son cargas negativas las que provocan la circulacin de corriente.
A los tomos con cinco electrones de valencia se les denomina tomos donadores.
Cristal P
En contraposicin a los cristales semiconductores tipo N se encuentran los semiconductores tipo
P. cuya conductividad se explica por los portadores de carga positiva o huecos .
.x---- Falta. un
electrn
(hueco)
9.4 Representacin grfica de

la unin de tomos de silicio con
uno de inato. Al poseer el indio
tres electrones de valencia, en la
unin queda un hueco o laguna
por rellenar (pequeo cfrculo
blanco en Ja. figura).
En la figura 9.4 se ha representado un cristal de germanio o de silicio dopado con una Impure-
za, tal como el aluminio, el indio o el ga(io, que poseen tres electrones de valencia.
A estos.tomos s les conoce.con el nombre de. tomos aceptadores o simplemente acepta
dores, debido a que aportando slo tres electrones de valencia y compartiendo otros cuatro de los
tornos vecinos, en su rbita externa o de valencia falta un electrn para (1Ue se establezca la es-
tabilidad qumica.
193
9.5 Al aplicar una diferencia de

potencial elctrico entre dos caras
de un cristal tipo P, Jos huecos se
desplazan hacia el polo negativo
de Ja fuente de alimentacin.
En las figuras 9.4 y 9.5 se ha representado con un pequeo circulo blanco el lugar donde falta
un electrn, lugar que se conoce con el nombre de laguna o hueco.
El hueco no permanece mucho tiempo en el mismo lugar, debido a que un electrn de las in-
mediaciones pronto lo OCL:JP
Esto, que a primera vista parece sorprendente ya que todos los electrones estn ligados a sus
tomos y, por lo tanto, no hay electrones libres, es debido a los movimientos trmicos de los tomos.
En realidad los tomos oscilan alrededor de su posicin, lo cual produce choques entre ellos, por
lo que algunos electrones son extrados de sus rbitas y pasan fcilmente a ocupar huecos, apare-
ciendo nuevos huecos en las rbitas donde se localizaban primitivamente dichos electrones. Tam-
bin estos huecos quedan pronto ocupados por otros electrones, por lo que puede afirmarse que los
huecos viajan por todo el cristal.
Si se aplica una tensin elctrica entre dos caras opuestas de este cristal, tal y como se indica
en la figura 9.5, los electrones buscadores de huecos son atrados por el polo positivo, pero los
huecos se desplazan hacia el polo negativo de la fuente de tensin.
Cuando los electrones llegan al extremo derecho del cristal (figura 9.5) y lo abandonan, surgen
nuevos huecos que se mueven hacia la izquierda.
Diodo de unin
En la figura 9.6 se ha representado un cristal de silicio cuya cara Izquierda es un semiconductor tipo
P y la cara derecha un semiconductor tipo N. Hemos elegido el silicio como elemento semicon-
ductor por ser el ms utilizado en la tecnologia actual, pero para nuestro ejemplo sera igualmente
vlido el germanio.
p
N
o o 0
0 o

~
o e 41';
o 0
@ e

o
9. 6 Unin de dos cristales P y N
para Ja formacin de un diodo.
La pieza de silicio descrita no es la composicin de otras dos, sino que constituye un nico cris-
tal que durante su fabricacin, y mediante procedimientos especiales, ha sido dopado en una de
sus dos mitades con tomos de impurezas aceptadoras, y con donadoras en la otra. A un cristal
dopado de esta forma se le llama unin PN.
A efectos de una mayor simplicidad en la figura, se han representado los huecos en gris claro y
los electrones en negro.
Entre las dos clases de silicio aparece una zona (Z) que contiene muy pocos portadores de car-
ga, y que se ha representado mediante una superficie gris oscuro.
194
DIODOS RECTIFICADORES
sta aparece debido a que en !a frontera de las zonas P y N los huecos del silicio P son ocupa-
dos por los electrones libres del silicio N, por lo que no existen en dicha zona portadores de carga.
La zona Z posee, pues, una elevada resistencia especffica y, por lo tanto, es aislante al paso de
la corriente elctrica.
p
. .. .
N
.. .
.. ,,
fi o ll ...
" ..
lll 9. 7 Al aplicar una diferencia de
potencial etcmco a una unin PN,
con el positivo conectado al cristal
N y el negativo al cristal P, la zona
Z se ampla y el diodo acta como
un aislante.
En la figura 9. 7 se ha dibujado una unin PN a la que se ha aplicado una tensin elctrica entre
sus caras opuestas, de forma que el polo negativo queda aplicado al cristal de silicio P y el polo po-
sitivo al cristal de silicio N.
Con esta disposicin los huecos se concentran hacia el polo negativo y los electrones libres ha-
cia el polo positivo. B resultado de esto es la arnpliacin de la zona Z, ya que an queda ms em-
pobrecida de portador.es de carga.
Al aplicar una tensin elctrica de la forma expuesta a una unin PN, la resistencia de la unin
aumenta todava ms. La corriente que circula de una a otra parte del cristal es, por tanto, muy pe-
quea, del orden de algunos microamperios.
En la figura 9.8 se ha conectado la. misma fuente de tensin elctrica; pero esta vez con lapo-
laridad invertida (positivo al cristal P y negativo al cristal N).
....
p N
...... .. ....
lll
" " e
" ( ..
1--~
..
~--1
& 9.8 Al aplicar una diferencia de

potencial elctrico a una unin PN,
con el positivo conectado al cristal
P y el negativo al cristal N, la zona
--11> l se estrecha y el diodo se hace
conductor.
En esta circunstancia los huecos de silicio tipo P son repelidos hacia la zona Z por el polo posi-
tivo de la batera, y los electrones libres del silicio tipo N son igualmente repelidos hacia la zona Z
por el polo negativo de la batera. La zona de resistencia resulta as muy estrecha y la resistencia
de la unin PN se reduce considerablemente, con lo que la intensidad de corriente que circula por
el cristal ser elevada.
El sentido del flujo de electrones de Na P se designa por sentido de paso, mientras que el sen-
tldo opuesto de P a N se le denomina sentido de bloqueo.
Es de destacar que en el sentido de bloqueo la corriente no es totalmente nula, es decir, siem-
pre existe una pequea corriente de fuga que recibe el nombre de corriente inversa del diodo y que
se designa con el subndice R (del ingls reverse}.
La intensidad de corriente en sentido directo se identifica con el subndice F (del Ingls forward.
B diodo semiconductor formado por un cristal dopado positivamente en una cara y negativa-
mente en la otra, recibe el nombre de diodo de unin o de juntura, puesto que puede compararse
a la unin de dos cristales de silicio, uno P y otro N, aunque sea un nico cristal dopado de forma
diferente en sus dos mitades.
195
Diodo de punta de contacto

Existe otro tipo de diodo semiconductor, denominado de punta de contacto (figura 9.9).
Las propiedades de estos diodos son las mismas que las de los de unin o juntura, con la dife-
rencia de su forma constructiva, consistente en un cristal tipo N sobre el que se aplica una punta
muy fina en forma de muelle rodeada de cristal tipo P, el cual est en contacto con el cristal N o vi-
ceversa.
1 '~
2---~
---------=
9.9 Dibujo esquematizado de la 3----
constitucin de un diodo de punta N
de contacto. 1) Punta de contacto 4
en forma de muelle. 2) Cristal
tipo P 3) Cristal tipo N.
4) Base metlica.
Cpsulas para diodos semiconductores

La unin PN que forma todo diodo semiconductor se introduce en una cpsula hermticamente
cerrada que la protege del medio ambiente y facilita su manipulacin, saliendo al exterior slo los ter-
minales de conexin.
Existe una gran cantidad de variedades de cpsulas segn la potencia a la que debe trabajar el
diodo. En la figura 9.1 O se muestran algunas de las ms usuales, con sus dimensiones y denomi-
.
naciones.
0014
=r-
007 2 inX 2mx 2mx
-- 2mx
J 1
.a25mx
' o 052 mx

' 0,56 mx
k
1
'.._,,'
( 11 ) ,''.."' ' . k
'. '
'' ..'
'
.:
"' '
''
''
""
''
25,4 mn 7,6 mx 25,4 mn

25.4 mn
- _T,3 m~ 29 mn
0015 (S0040) D035
__ 6.5 mx._.__=25~,
,__--=:25:::.:.4c..::mc:::fn:...._ 4~m~/11
_ _, 0,56 mx
k a
1
--+--
3 m::....x 3mx
0,86 mx
a k
25,4 tntn 4,25 mx 25,4 mn
---
' ''
,_,
' '
S0017 SOD18
r
4mx 4mx
-
0,56 mx ..,,
.' ''
,., '' ' .
9.10 Distintas
k '' ''
'' a r
' . '
'
--
1 1
'- ' /
.'
',.
'' '
cpsulas de diodos ' '' ' ''

semiconductores, .
'' '
' '.
con indicacin de 25,4 mln 6,35 mx 125,4 mn
sus dimensiones. 2,0mx 24mn 12,5 mx
-- 241 nin
196
DIODOS RECllFICAOORES
$0022 SOD28 9. 1 O Distintas

cpsulas de diodos
2m~x
-2mX
u. - -'
5mx semiconductores,
0,80 mx con indicacin de
}(
'
1 + sus dimensiones .
-.
' 1
'". , , (Continuacin)

-
''
'' ?
J
r5 max
1
-~ 28 mln
-
-
5,57 mx 28.m In
- 10mx 19 m;fr
-
SOD34 (2) SOD51
___ 10
-
l.-.
15 mfn 11 ' 5 mx 15 m/n
=- 1
zmsx [. 4,5 max
2max
- - -
J
1.05mx :.:
,., :.:
0.56 m!' '
I
' '
1 ~'t.=i
ntr.::
j 1
-rn
a 1 k ...~,....
1 1 1 C:__,
1
' 1 '
.
'' ''
''
' .
'' ''
'
'' ''
._
__ 1~ _J 6mx 2,8 mn
Lgicamente las cpsulas para diodos que han de trabajar con elevadas potencias son ms
grandes, puesto que han de disipar ms calor.
,
Anodo y ctodo de un diodo rectificador
Recibe el nombre de nodo el cristal P, y ctodo el N.
Al utilizar un diodo semiconductor es muy importante la correcta conexin del nodo y del c-
todo, ya que de ella depende la polaridad de la seal rectificada a su salida. Tngase presente que
un diodo semiconductor deja pasar la corriente en un sentido y la bloquea en el otro.
El sentido de paso es de nodo a ctodo.
Efectivamente, cuando se le aplica un potencial positivo al nodo (cristal P) y negativo al ctodo
(cristal N). l diodo deja pasar la corriente elctrica, mientras que si se aplica un potencial negativo
al nodo (cristal P) y positivo al ctodo (cristal N) el diodo bloquea el paso de la corriente alterna.
En la figura 9.11 se muestra el smbolo con el que se representa a los. diodos semiconductores,
con indicacin del sentido de paso (a) y de bloqueo (b). Conviene siempre recordar que el tringu-
lo representa el cristal P (nodo) y el trazo 11.eno al cristal N (ctodo).
a
+ ... k
... k
+
b)
9.11 Smbolo de un diodo semiconductor. a) Aplicando un potencial positivo al nodo (a) con respecto al
ctodo (k) el dada se. hace conductor. b) Aplicando un potencial neg_ativo al nodo (a) con respecto al catado
(k) el diodo queda bloqueado.
Debetenerse presente, ya que ello es motivo de confusiones, que al polarizar en sentido.direc-

to a un diodo, es decir, con el positivo aplicado al nodo, el diodo pasa a ser conductor y, por lo
tanto, el potencial positivo aparece en el ctodo. tal y come se deduce de la figura .9.12a,
En el esquema d la figura 9.12a aparece el positivo en el terminal de la resistencia conectado
al ctodo, ya que el diodo puede considerarse en este caso como un interruptor cerrado.
Cuando el diodo queda polarizado en sentido inverso (figura 9.12b}, ste queda bloqueado, ac-
tuando como un interruptor abierto, es decir, como una resistencia infinita, por lo que toda la ten-
197
9.12 a) Cuando el diodo est +

polarizado en sentido directo toda
la tensin de entrada aparece en la
resistencia de carga, con el
positivo en el lado del ctodo. R
b) Cuando el diodo est polarizado
en sentido inverso, toda la tensin
de entrada aparece en ste, con
el negativo en el nodo.
a) b)
sin aparece en la unin PN con negativo en nodo y positivo en ctodo y, como consecuencia, en
la resistencia no aparece tensin alguna.
De todo ello se deduce que los diodos semiconductores han de llevar alguna indicacin en
la cpsula que permita al profesional distinguir el nodo del ctodo. Esta indicacin se realiza
imprin1iendo en el cuerpo de la cpsula el smbolo del diodo en el sentido correcto, mediante un
pequeo aro de color o una forma redondeada de la cpsula en el lado correspondiente al c-
todo, tal y como sucede con los tipos de cpsula 00-14 y SOD-18 que se muestran en la figu-
ra 9.10.
En raoio y televisin los tipos de cpsulas ms utilizadas son las correspondientes a los diodos de
pequea potencia, en los cuales se identifica al ctodo mediante un aro de color (figura 9.13}.
1
~
'lTwr-wnnttWf''rn.s~ ;;;;r n T ;;; rO
9.13 Identificacin del ctodo en un diodo rectificador, medisnte un aro impreso sobre la cpsula en el lado
correspondiente al ctodo.
Puentes rectificadores
Los tipos de cpsulas expuestas en las lneas anteriores corresponden a unidades rectificadoras,
es decir, que en su interior slo existe una unin PN. Estos diodos sirven para formar circuitos rec-
tificadores de media onda o de onda completa, utilizando dos o cuatro elementos adecuadamente
conectados.
9. 14 Montaje en puente de
cuatro diodos rectificadores.
Se fabrican cpsulas en las que se disponen cuatro diodos rectificadores conectados en

puente (figura 9.14), lo que permite el diseo de un rectificador de onda completa en una sola
cpsula.
En la figura 9.15 puede verse una de estas cpsulas. En ellas se imprime las polaridades que
corresponden a cada terminal, de forma que no exista posibilidad alguna de error en su conexin.
As, las patitas con el signo - son a las que se debe aplicar la corriente alterna a rectificar, mientras
198
www.elsolucionario.org DJODOS R.ECTIFICADORES
9.15 Cpsula de puente

rectificador de sllicio.
que la tensin continua positiva aparece en la patita marcada con el signo + y la negativa en la pa-
tita marcada con el signo -.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES
En la actualidad se fabrican diodos semiconductores que cubren toda la gama de necesidades tc

nicas de los aparatos y equipos electrnicos. Para elegir correctamente el diodo rectificador ms
adecuado a un crculto deben conocerse sus caractersticas tcnicas, las cuales varan de uno a otro
diodo y dependen de las rnaqnitudes de la seal alterna que deben rectificar.
Los fabricantes clasifican sus diodos en dos grandes grupos: diodqs para peoue seal y dio
dos rectificadores.
Esta clasificacin es muy importante para una primera eleccin del diodo, corno se ver ms
adelante.
Pero noslo es importante elegir el diodo de acuerdo con esta claslficaeirt, adems deben te-
nerse presente una serie de caracterstlcas tcnicas que son proporcionadas .por los fabricantes en
sus catlogos mediante datos numricos y curvas caractersticas.
Antes de entrar en el .estudlo de los parmetros de un dioqo, conviene estudiar el cdigo de
slrnbolos literales. utilizado lnternacionelmente para distinguir un parmetro de otro.
Smbolos literales para diodos semiconductores

Los smbolos literales utlllzados para distinguir los diferentes parmetros de un diodo semiconduc-
tor estn formados por letras y subndices, segn la publicacin 148 de la IEC.
Las magnitudes elctroas principales son la intensidad, la tensin y la potencia.
Cuando
. se trata de valores instantneos se representan con letras minsculas:
.
i = Intensidad de corriente tnetentne.

v = Tensin instantnea.
p =Potencia instant.nea.
Cuando se hace referencia a valores de corriente continua, medios, eficaces y mximos, stos se
indican con una letra mayscula y un subndice, el cual procede de una abreviatura inglesa y que por
lo tanto es preciso aprender de memoria para evitar errores. Dichos subndices son los siguientes:
(AV), (av) =Valor medio (average value)

F, f = Sentido directo (fotWard)
M. m =Valor mximo (maximum va/ue)
R, r =Sentido inverso (reverse)
(RMS), (rms) =valor eficaz (rootmeamsq.u.are value)
El subndice puede estar formado por ms de una indicacin. As, por ejemplo; IF(AVJ indica el
valor mecio cle la intensidad de corriente en el sentido de paso.
Ahora bien, en toda corriente alterna $8 dan una serle de fenmenos, repetitivos o no, tales
como impulsos transitorios de tensin y corriente. que en muchas ocasiones han de ser tenidos en
cuenta ya que pueden perjudicar al diodo.
199
9.16 Tensiones inversas

que se dan en una corriente V
alterna.
n (j} t
En la figura 9.16 se ha dibujado una onda senoldal, en la que se han sealado valores de ten-
sin que influyen sobre el funcionamiento de un diodo. Dichas tensiones son:
VNRMS = Tensin nominal eficaz.

VRWM = Tensin de punta lmite.
VRN =Tensin nomnal inversa.
VRSM = Mxima tensin inversa de pico admisible.
La curva 1 de la figura 9.16 corresponde a la tensin nominal eficaz de la fuente de alimenta-

cin recomendada por el fabricante del diodo; la curva 2 corresponde al lmite de la tensin de pico
transitoria (VRsM); y la curva 3, a la tpica forma de onda de tensin repetitiva transitoria.
Curva caracterstica de un diodo semiconductor

En la figura 9. '17 se ha dibujado la curva caracterstica de un diodo semiconductor.
Obsrvese que en sentido directo, para tensiones directas (VF) por encima de unos 0,5 a 0,7 V,
la resistencia del diodo es pequea y, por lo tanto, la corriente en sentido directo (Ip} es elevada.
ll ...._ ~
.... -
IF
~
-
~- --
' -1-
(mA)
,_ -
400
1-t-t
- ~ -
'+ '
-
200
.....
+1
.J +
(V) 150 100 50
- - 0,5 1 1,5 VF( V)
- -
-
- 200
-
- -
- -- - ,__
- - -
-
- 400
t - IR
- (.uA)
9. 17 Curva caracterstica de un -
diodo semiconductor de silicio. - -
Cuando el diodo se opone al paso. de la corriente elctrica, es decir, cuando est polarizado en
sentido inverso, su resistencia es elevada y por l circula una pequesima corriente de fuga (IR),
aunque la tensin inversa aplicada (VR) sea elevada.
200
Sobrepasado un cierto valor de VR, que en el caso de la figura 9.17 hemos establecido.en 70 V,
el diodo pasa a ser conductor y, como consecuencia de la enorme energa qu se genera en l, se
destruye.
Como consecuencia de todo ello, la curva caracterstica del diodo semiconductor tiene una forma
semejante a la representada en la figura 9.17, en la que la caracterstica inversa de la corriente viene
expresada eh A y no en mA corno ocurre con la caracterlstca directa, y que la escala de tensin
directa est dividida en dcimas de voltio mientras que la de tensin inversa lo est en deoavoltios.
Examinando el grfico se pueden observar las siguientes caractersticas:
La curva tiene forma exponencial en las proximidades del cero y se acerca rpidamente al
valor mximo admisible a medida que aumenta la tensin directa; es decir, la resistencia pro-
pia del diodo que se opone al paso de la corriente directa es de muy bajo valor y disminuye
rpidamente al aumentar la tensin.
La corriente inversa aumenta muy lentamente, aun en el caso de tensiones algo elevadas.
Ntese que la resistencia disminuye ante tensiones inversas muy elevadas, pudiendo llegar a
resultar nula e incluso negativa. Este caso no puede.considerarse, pues el recalentamiento
producido por la resistencia del diodo al paso de la.corrlente inversa puede llegar a.destruir-
lo, La tensin inversa correspondiente al codo de la curva caracterstica Inversa, sobrepasa-
da la cual el diodo pasa a conducir en sentido inverso, recibe la denominacin de tensin de
Zener, y es una cualidad que se aprovecha en un cierto tipo de diodos (diodos Zener).
La temperatura alcanzada en la unin de los cristales PN, como consecuencia del paso de la co-
rriente. lnfluye sobre el comportamiento de ste, tanto en sentido directo como inverso, provocando
un aumento del paso de corriente. Este fenmeno apenas si tiene importancia en sentido directo,
pero s que es apreciable en sentido inverso.
As pues, cuanto mayor sea la temperatura en la unin mayor ser el paso de corriente en sen-
tido inverso, razn por la cual en ciertas ocasiones es preciso dotar al diodo de aletas disipadoras
de calor.
Los fabricantes de diodos suelen indicar en sus catlogos las curvas caractersticas directa e in-
versa por separado, tal y como se estudia a continuacin en un diodo para pequea seal y en un
diodo rectificador.
100
:p: '
...J.
IF - h
(mA) -TT
-
;<:.>_:. . .
'o~.
. "'~
Qo1:. ~ . ""
- - 1'\~ -::
. i5~" ,, +f.1:.1
~];~ ,"' ?: 1
10 fJ '
hhh
~- - hhh
- I
}&'
1
.
. ,,
1 '
,.. -
1
1
L'
YA'. _._ 1
I 1
... -
. 9.18 Curvas caractersticas
1
- de la in.tensidad de corriente
en funcin de la tensin, en
un diodo para pequea seal
O, 1 ~~' 1 1 1 1 polarizado en sentido
o 1 2 directo.
201
La figura 9. 18 corresponde a la curva caracterstica IF = f(Vr) del diodo para pequea seal de
germanio AA 119.
Como se puede comprobar este diodo no puede rectificar tensiones elevadas, por lo que su
uso queda limitado a la rectificacin de pequeas seales, tales como la portadora modulada en
amplitud o en frecuencia de un receptor de radio, es decir, se trata de un diodo especialmente di-
seado para etapas detectoras.
Las curvas en lfnea continua corresponden a los valores tpicos de este diodo. a temperaturas
ambiente de 25 y 60 C. Obsrvese que a 60 C la intensidad de corriente en sentido directo es
algo ms elevada.
Las curvas a trazos corresponden a los valores mximos garantizados por el fabricante, por lo
que por encima de dichos valores el diodo no puede ser considerado como bueno.
El diodo pasa a conducir en sentido directo cuando el potencial que se le aplica supera el po-
tencial que se genera en la zona aislante de la unin; en el caso del diodo AA 119 ste comienza a
conducir en sentido directo cuando la tensin directa aplicada supera los 0,3 V a 25 "C, lo cual
quiere decir que tensiones directas por debajo de dicho valor no son rectificadas.
1.000
f11
' .. ~ ~~'""
' 60'C
~ cJ ~ 1
:J
1' ,, ~~ 2s:c._
(A) 1 :-r
1
., I~ L 60c
1
1111 1 11
100 ' 1,
' -c
~ t;.25~~ l1
' I
..
..
......
~ 1i
,., 11
' l
/
'
.. . ~
.... 11
1'
'
10
.r
;: '
1 '
,, ,, .
. ~
. . ' tt ' .
1
1'
1 ~
~ 1'
I,_ . ."
--
'
9.19 Curvas caractersticas 1:..

,.,. '
de la intensidad de corriente
en funcin de la tensin. en ,.. 1'
~:l, .. l"'
un diodo para pequea seal 1 1 ,, ' ' 1
1 .
polarizado en sentido inverso. 20 40 60 VR (V)
En la figura 9. 19 se han dibujado las curvas caractersticas del mismo diodo en sentido inverso.
En este caso, tal como se ha dicho en lneas anteriores, s que la temperatura influye conside-
rablemente sobre la intensidad de corriente inversa.
Con elevadas tensiones inversas. del orden de 40 V, la intensidad de corriente en sentido inver-
so es muy pequea, no alcanzndose los 100 A a 25 C.
Como informacin complementaria a estas curvas diremos que los limites de este diodo son los
siguientes:
Tensin inversa mxima (VRl: 30 V.

Tensin inversa de pico repetitivo mxima (VRRM): 45 V.
Intensidad de corriente mxima en sentido directo (IF): 35 mA.
Intensidad de corriente de pico repetitivo mxima en sentido directo (IFRM): 100 mA.
Temperatura ambiente mxima (Tam~: 60 C.
La figura 9.20 corresponde a las curvas caractersticas IF = f(VF) de un diodo rectificador de si-
licio, concretamente las correspondientes al modelo BY 126 de PHILIPS.
En este diodo se ponen en juego intensidades de corriente mucho ms elevadas, del orden de
los 1 O A con tensiones directas de poco ms de 1 V.
202
15 11 T 15~~,~1~1~1~1~1~~~,.....,...-~1
e_
, 1 1
,_ !=25 1 -r-' - - T. = 25 G ~__,__.-'--'_ '
IF -- 1, ~ 1 ' -~~-1
(A) ' T'
(A) 1-1---1-l---1---1-1-1--I
-'- -
, __
. '
1-1--l-1-1-1-" - +-.-~-l-
r := tpica:
1 1
tpica 1--1 ---.-+iH--! _
10 101-+---+-+-hl---L~-rl-r-1--4-1----'L,-I
-
'-l-h~!l-l -+----1-1---,-l- I 1-

'
5 1-+-1--+--l-~1--1-J'-,-!-1--1-+-l-1-l-~+-I
5 -'-+-~1'~' l-l--1--l-l-- -
1-1--11--l-l~I
' ,_
I
9.20 Curvas
~ - caractersticas
- I
-1-1--1-~'-' I F = f(VF) de un
,
- 1
1
1-l---1--1-1--l- diodo rectificador
de silfcio.
2 4 2 V, (V) 4
Al igual que en el caso anterior es preciso aplicar un mnimo de tensin directa para que el dio-
do se haga conductor en sentido de paso.
La curva caracterstica de la figura .9.2i corresponde al msmo diodo pero en sentido inverso.
Con tensiones prximas a los 500 V en sentido inverso, la corriente de fuga inversa (IR) apenas si
supera los 40 A, con una temperatura de unin (T) de 140 C.
60 1 1
111
-- 1
7[= 140C
1 1
(A) -
~
1
~ BY 120_
J
1
40 ,,,_ ,_
J
-
-
;
- - -
20
-
,_
- 9.21 Curva caracterstica
-
r IR = f(VR) de un diodo
500 V11 (V) 1.000 rectificador de silicio.
Del estudio de estas. curvas caractersticas se desprende que ste no es un diodo utilizable en
etapas detectoras, siendo sin embargo idneo para el rectificado de la corriente alterna de la red.
Los valores mximos de tensiones, corrientes y temperaturas que puede soportar este diodo
son, segn el fabricante, los siguientes:
Tensin de punta inversa lmite (VRwM): 450 V.

Tensin inversa de punta peridica mxima admisible (VRRM): 650 V.
Intensidad de corriente mxima en sentido drecto (IF(Avy: 1 A.
Intensidad de corriente de choque mxima admisible (lFsM): 40 A.
Temperatura mxima en la unin (T): 150 "C.
203
Para finalizar con el estudio de estas caractersticas, en la figura 9.22 se ha dibujado la curva
intensidad inversa-temperatura de la unin del diodo de silicio BY 126.
En dicha curva, se observa cmo al aumentar la temperatura de la unin (7j) aumenta en forma
logartmica la intensidad de corriente de fuga Inversa IR.
100 1 1 1 1 1 1 1 1 t
IR Vn " VRWM mAx
(A) ~~ -
J

~
1 ~ 1
-
1
10 F
~
H- 1->
- .
r-t-
1
I+ I

I+
_ _ ---,-; 1/
I
I
1 _,_ _I]_
,,
- -
-
1
1 1
9.22 Curva caracterstica I
IR = f(T) de un diodo O, 1 '
rectificador de silicio. 50 100 TJ (C) 150
As, a 70 C la corriente inversa es de tan slo 1 A, pero al doblarse la temperatura de la unin,

es decir, al alcanzarse los 140 C en la unin, la intensidad de corriente inversa. supera los 40 A,
por lo que resulta cuarenta veces mayor que a 70 C.
Diodos de silicio de recuperacin rpida

Cuando se desea rectificar una corriente alterna de RF, es preciso recurrir a un tipo especial de dio-
dos rectificadores cuya peculiaridad principal est en la conmutacin rpida del estado de con-
duccin al de bloqueo, ya que los diodos rectificadores de uso comn tardan un cierto tiempo en
pasar de un estado a otro y, por lo tanto, no es posible efectuar adecuadamente la rectificacin.
9.23 Disposicin de un diodo

R al osciloscopio
semiconductor y una resistencia
en serie con l, para obtener en la
pantalla de un osciloscopio la
imagen de la tensin rectificada.
As, supongamos un circuito como el de la figura 9.23, compuesto por un diodo de silicio en se-
rie con una resistencia de carga R. A los bornes de entrada del circuito se le aplica una onda cua-
drada cuya frecuencia es de 50 Hz (figura 9.24).
Si en esta circunstancia se aplica la tensin presente en la resistencia a la entrada vertical de un
osciloscopio, en la pantalla de ste aparece una onda como la que se muestra en la figura 9.25,
compuesta por los semiciclos positivos de la tensin de entrada (de amplitud V) y los semiciclos ne-
gativos, de amplitud IRR (siendo IR la corriente de fuga que deja pasar el diodo mientras est po-
larizado en sentido inverso).
204
www.elsolucionario.org DIODOS RECTIRCADORES
1
V
1
V
9.24 Tensin en totms de onda cuadrada aplicada a la entrada del circuito de la figura 9.23.
9.25 Tensin rectificada que aparece a la salida del circuito de la figura 9.23.
En resumen. se puede afirmar que la corriente ha sido rectificada. puesto que el valor de Ir{?
de los semiclclos negativos es muy inferior al valor de V de los serniclclos positivos. hasta tal pun-
to que la tensin Jrf? puede considerarse prcticamente nula.
Supongamos ahora que la frecuencia de la seal aplicada a la entrada del circuito de la figura
9.23 sea del orden de unos kilohercios.
En esta circunstancia la serial a la salida del rectificador. es decir. en la resistencia de carga R,
ya no ser la representada en la figura 9.25, sino que tomar la forma dibujada en la figura 9.26. en
la que se puede apreciar cmo los semiciclos positivos permanecen igual, mientras que los nega-
tivos presentan unos picos de corriente I RO en el momento de la conmutacin, que posteriormen-
te van atenundose hasta alcanzar el valor de la corriente de saturacin inversa IR.
9.26 Corriente rectificada a la salida del circuito de la figura 9.23, cuando la frecuencia de la tensin aplicada a
su entrada es muy elevada.
El fenmeno descrito recibe el nombre de fenmeno de recuperacin inversa, y consiste en

que, en el momento de ser polarizado el diodo en sentido inverso. ste no queda bloqueado ins-
tantneamente, sino que permite el paso de la corriente como si estuviese polarizado en sentido
directo. necesitando un cierto tiempo para alcanzar su estado de bloqueo. La rectificacin no es
perfecta.
Con el fin de estudiar ms a fondo este fenmeno, hemos representado en la figura 9.27, ama-
yor escala, uno de los semlclclos negativos de la corriente a travs de la resistencia R. En ella se
aprecia que la intensidad de corriente inversa ( 100) permanece constante durante un tiempo t 1, co-
menzando despus a osmlrunr de forma progresiva.
El tiempo t2 es el tiempo adicional necesario para que la corriente inversa I Ro alcance un valor
tolerable, y lo hemos fijado arbitrariamente en O, 1 IRO.
205
9.27 Semiciclo negativo de la

corriente rectificada, cuando la 0,1IRo
tensin aplicada a la entrada del
circuito de la figura 9.23 es muy
elevada. t" = t1 + t 2 es el tiempo
de recuperacin inversa del
diodo.
La suma aritmtica de los tiempos t1 y t2 recibe el nombre de tiempo de recuperacin inversa

de un diodo (trr) que, como se ha dicho, es el tiempo transcurrido desde el instante de la conmuta-
cin hasta el momento en que la corriente inversa alcanza el valor de O, 1 IRo
Este fenmeno de recuperacin inversa limita la frecuencia de utilizacin del diodo, ya que si la
frecuencia aumenta de forma que el semiperodo se hace comparable con el tiempo de recupera-
cin, el diodo deja de comportarse como rectificador y deja pasar la corriente en los dos sentidos.
El caso lmite se produce cuando el tiempo del semiperodo negativo es igual al tiempo t1 de re-
.,
cuperacion,
Aparte de todo lo expuesto, durante el tiempo t2 el diodo recibe un sobrecalentamiento adicio-
nal debido al paso de corriente en sentido inverso, que es tanto mayor cuanto mayor sea la fre-
cuencia, pudindose llegar a su destruccin.
De lo dicho se deduce que, cuando deba trabajarse con frecuencias elevadas, se necesita que
el tiempo de recuperacin en inversa sea lo suficientemente pequeo para que los efectos citados
sean despreciables.
Los diodos rectificadores pueden clasificarse, segn el tiempo de recuperacin inversa, en los
tres grupos siguientes:
Diodos normales: trr = 50 ns.

Diodos rpidos: trr = 1 a 6 ns.
Diodos ultrarrpidos: tr, = 1 a 2 ns.
Sin embargo, diremos que para la rectificacin de la corriente alterna de la red son suficientes
los diodos rectificadores de silicio del tipo estndar (muy lentos), cuyos tiempos de recuperacin
son del orden de los 1 O s, mientras que para frecuencias del orden de los 100 kHz son necesa-
rios diodos rectificadores con un tiempo de recuperacin de unos 5 ns.
Veamos ahora a qu se debe la existencia del tiempo de recuperacin inversa. Cuando un dio-
do est polarizado en sentido directo existe una cierta cantidad de portadores minoritarios (impu-
rezas) que atraviesan la unin PN. Una vez eliminada la polarizacin directa, estos portadores ne-
cesitan un tiempo determinado para recombinarse, es decir, que la capacidad que tienen los
portadores minoritarios de fluir no cesa instantneamente al eliminar la polarizacin directa, sino
que dura un cierto tiempo. Esto significa que el diodo alcanza su estado de alta resistencia en sen-
tido inverso al paso de corriente, cuando los portadores minoritarios se han recombinado.
Si se aplica una polarizacin inversa, el fenmeno anterior se acelera.
Si el tiempo de crecimiento de la tensin inversa es muy corto, como sucede con la onda cua-
drada de la figura 9.24, o con una frecuencia de valor muy elevado, los portadores minoritarios que
an no se hayan recombinado son atrados por la tensin inversa en forma de un pico de corrien-
te de valor:
Ir:i.R _
JRO =
R
206
DIODOS RECTIFlCADORES
Donde Jpf? = VA es la tensin inversa de polarizacin aplicada al diodo y Res la resistencia exter-
na de carga conectada al diodo.
Todo lo expuesto sucede durante el tiempo r. de la figura 9.27.
Una vez que la cantidad de portadores rnmontanos no recornbinados sea incapaz de suminis-
trar la corriente IRo pedida por la carga, la corriente inversa dada por el diodo comienza a dismi-
nuir de valor hasta alcanzar el valor Ip, de la corriente de saturacin inversa (final del teropo t2 de la
figura 9.27).
SI aumenta la corriente I" que circula por el diodo cuando est polarizado en sentido directo,
aumenta el numero de portadores minoritarios que atraviesan la unin y, por lo tanto, aumenta el
tiempo necesario para recombinar dichos portadores.
As, en la figura 9.28 se. ha dibujado la curva caracterstica del tiempo de recuperacin en in-
versa. en funcin de la corriente directa del diodo BAV1 O de PH1LJPS, en la que se observa cmo con
una intensidad de corriente directa JF de 250 mA el tiempo de recuperacin en inversa es de, aproxi-
madamente. 2.9 ns, mientras que si la corriente directa aumenta a 600 rnA el tiempo de recuperacin
en Inversa sube a 5,8 ns. Esta curva se ha trazado para un diodo que trabaja con una resistencia
de carga de 100 n. una intensidad de corriente Inversa mxima (IR~ de 400 mA y una temperatu-
ra de unin (7j) de 25 C.
En la figura 9.29 se ha dibujado la curva caracterstica de la tensin directa (V") en funcin del
uemoo de recuperacin en inversa (t,,.), para varias intensidades directas (/F). Se observa cmo, a
igualdad de intensidad de corriente directa, los tiempos de recuperacin son mas altos cuanto me-
nor es la tensin directa aplicada al diodo. Estas curvas correspcnden a temperaturas de la unin
(TJ de 25 C
3
6
=j=- / tfpica 1 ~ 1
--
_J

1
t,,
ti ,_ r.
Vii1
(ns) ,_ (V) 1- valores tlpicos [
:, T = 25C .
r I
J
- ,_
l --
~
-~ LLI $f
1
1 ~
~ 1 '
-
4 ~
,_ ~ j 1
2
'-
~d - .
~ 11"
1J'-i- __
Ir
RL= 1000.
, ~JnM =400mA
-
r
- - - -- ,,,,
-
'
' 1'.
~
~
~ j -1-~
'-
~ - 1 11 - 400 rnA
'
-"'
.
111edido al . 1
-,
l
2 10 % de IR,,. - 1 .....
' : 2oa'rnA
' ~
~I
- 1i = 25C ,_
l-~
+
-
f
-
k
.
.
1-~
1
...
1 1
~
--
,.
1~
.
'- ....
1
-
..
'r sornA
--r.
1- tff 1
1 1;- . 1 1 '1 1
1
~
1 1
1
1
~1~1
i
500 IF (mA) 1.000 50 ~ (ns) 100
9.28 Curva caracterfstica del tiempo 9.29 Curva caracterstica de la

de recuperacin en inversa, en tensin directa en funcin del
funcin de la intensidad de corriente tiempo de recuperacin en inversa.
en sentiao ae paso.
Es tiempo de destacar que, anlogamente, si aumenta el pico de corriente inversa dado por
el diodo en el momento de la conmutacin {IRM). los portadores minoritarios se recombinan con
ms rapidez y, como consecuencia, disminuye el tiempo de recuperacin inversa. Esto ltimo se
muestra en la figura 9.30, donde se ha dibujado la curva caracterstica de la intensidad de co-
rriente mxima en sentido inverso en Iuncton del tiempo de recuperacin en inversa, para diver-
sos valores de intensidad de corriente en sentido directo, con una carga de 100 Q y a 25 C de
temperatura de unin.
207
As, por ejemplo, si por el diodo circula una intensidad directa de 400 mA y se produce una in-
tensidad en sentido inverso (al conmutar) de 300 mA, el tiempo de recuperacin en inversa es de
5 ns, mientras que si JRM es de 200 mA el tiempo de recuperacin en inversa sube a 6 ns.
De todo lo expuesto se deduce que el tiempo de recuperacin en sentido inverso trr es directa-
mente proporcional a la corriente directa JF e inversamente proporcional a la corriente inversa !Ro
El tiempo de recuperacin inversa de un diodo depende por tanto del circuito, puesto que JF e
I Ro dependen de l.
Finalmente diremos que tiempos largos de recuperacin en inversa traen como consecuencia
un aumento de la temperatura de la unin y viceversa, puesto que durante el tiempo en que el dio-
do debera estar bloqueado circula una corriente inversa !Ro que generar calor en la unin. Por
este motivo los fabricantes de diodos suministran tambin, para aquellos diodos de aplicacin en
etapas de RF, la curva caracterstica del tiempo de recuperacin inversa en funcin de la tem-
peratura de unin (figura 9.31 ). En ella se puede observar que con una temperatura de unin (Ti)
de 40 C, y unas intensidades JF e IRM de 400 mA, el tiempo de recuperacin en inversa es de
unos 4,5 ns, aumentando a 5,75 ns cuando la temperatura de la unin alcanza los 100 C.
600 ' J . ' 1 1 1 1 1 1 7,5

IF = 600 rnA _,_ valores tpicos
,_'....RL = - toca 1
IRM ~medido al trr v tpico
(MA) SOOmA

-
10 % de IRM -
(ns) V 1
V
400 , 400 rn1A

T = 25C
1
5
V
V 1
' - I/
.
\
-
300 rnA.
- '~ \-' RL = 1000. -

1
-,__ ' IF = 400mA -

.
-~ \ IRM = 400mA
,, -
t'\~
l'I
,,
.
200 200 mA, 2,5 medido al
~H-+\f'
\[
" f0%de]RM -
' .
- 1po,mA
' ,_
BOmA
60mA ro;t' - K ' ~ 1'-
1 ' '
40mA" "" r-_l'-
N--
. .
5 trr (ns) 10
9.30 Curva caracterstica de la 9.31 Curva caracterstica

intensidad de corriente inversa del tiempo de recuperacin
mxima, en funcin del tiempo en inversa en funcin de la
de recuperacin en inversa, para temperatura de la unin.
diferentes intensidades directas.
Para disminuir el tiempo de recuperacin de un diodo debe aumentarse la razn de recombina-

cin de los portadores minoritarios para que estos portadores desaparezcan. Esto se logra disrni-
nuyendo la vida media de los portadores minoritarios.
Uno de los mtodos empleados consiste en disminuir la resistividad del silicio de partida.
En efecto, si se tiene una unin PN lograda difundiendo una zona P en un cristal de silicio tipo
N, los portadores minoritarios estarn constituidos en su mayor parte por huecos que han pasado
de la zona Pala zona N.
Al disminuir la resistividad del silicio N de partida se produce un aumento de la concentracin
en dicha zona, y esto hace que los portadores minoritarios que lleguen a ella se recombinen con
ms facilidad. El sistema descrito tiene, sin embargo, el inconveniente de presentar tensiones de
ruptura pequeas.
Un segundo mtodo, ms apropiado para disminuir la vida media de los portadores sin perjudi-
car la tensin de ruptura, consiste en introducir en el silicio trampas o centros de recombinacin de
208
DIODOS RECTllCADORES
los portadores: esto se consigue introduciendo niveles mtermeoios dentro de la zona prohibida (de
unin) del silicio. Estos niveles intermedios se obtienen produciendo dislocaciones en la red crista
lina del silicio, mediante un enfriamiento rpido despus de la difusin. Presenta, sin embargo, el in-
conveniente de ser un proceso de dificil control y reproduccin.
El tercer mtodo, que es el ms usual, consiste en Introducir en el silicio impurezas que pro-
duzcan directamente estos niveles de enerqa Intermedios dentro de la zona prohibida. Como in1-
pureza se utiliza el oro, ya que presenta un nivel aceptador de 0,54 eV debajo de la banda de con-
duccon y un nivel donador de 0,35 eV por encima de la banda de valencia. Teniendo en cuenta que
la banda prohibida del silicio tiene un ancho de 1, 16 eV, la Introduccin de las impurezas de oro su-
pone la existencia de dos niveles Intermedios prcticamente centrados en la banda prohibida del
silicio y que actuarn como centros de recombinacin.
Capacidad de un diodo
Hemos visto que todo diodo semiconductor est formado por la unin de dos cristales P y N. en-
tre los que se forma una zona aislante que desaparece al aplicarle una tensin en sentido directo.
Cuando se apHca una tensin inversa al diodo dicha zona aislante aumenta, por lo que un diodo
polarizado en sentido inverso puede compararse perfectamente con un condensador cuyas placas
son los cnstales P y N y cuyo dielctnco es la zona central libre de portadores de carga (figura 9.7).
Debido a las pequeas dimensiones de los cristales, as como de la zona de alta resistencia
central. la capacidad de este condensador parsito es muy pequea; pero debe tenerse presente
cuando se trabaja con frecuencias elevadas, del orden de los megahercios, ya que dejar pasar di-
chas seales.
Por este motivo los fabricantes de diodos semiconductores facilitan en sus catlogos el valor de
la capacidad parsita del diodo, en especial en aquellos modelos especialmente diseados para
trabajar en RF, as corno la variacin de dicha capacidad al aumentar la tensin inversa aplicada al
diodo.
En la figura 9.32 se ha dibujado la curva caracterstica de la capacidad de un diodo de silicio en
funcin de la tensin inversa.
,.
. ,_
I
-
4 -
- f = 1 MHz
1
--
Cd T = 2s -c
1
-
(pF) 1-
3 '.
-
1- . - .
-- -
2 1
tpica
1 .
- -~
- . - T
o
o
+ 10 20 VR (V) 30
- 9.32 Curva caracterfstica de la
capacidadde un djodo en funcin
de la tensin inversa a l aplicada.
Se puede comprobar en esta grfica que la capacidad del diodo es de 1 , 7 pF cuando no se le

aplica tensin alguna en sentido inverso.
Al aumentar la tensin Inversa aumenta la zona central de alta resistencia, lo que equivale a un
aumento del espesor del dielctrico del condensador parsito y, por lo tanto, se produce una oisrnl-
nucin de la capacidad que, aunque no es muy importante, puede afectar al comportamiento de
circuitos de atta precisin.
209
As, en la curva de la figura 9.32, se tiene que al aplicar una tensin inversa de 20 V la capaci-
dad parsita desciende a 1,4 pF.
La diferencia de capacidad no es demasiada, pero dado que su influencia es importante en de-
terminados circuitos, los fabricantes indican en ocasiones en sus catlogos slo el valor mximo de
capacidad a una frecuencia de 1 MHz. Por ejemplo, la capacidad del diodo BA 222 de PH1uPs es
inferior a 2 pF con una tensin inversa VR de O V.
Eleccin del diodo rectificador adecuado para un circuito

La eleccin del diodo rectificador ms correcto depende de las caractersticas de la carga, es decir,
de la tensin y corriente que exige la carga y de si sta ha de trabajar en baja o alta frecuencia.
Es muy importante recordar que los picos de tensin, tanto repetitivos como transitorios, influyen
considerablemente sobre el diodo, ya que ste puede recibir tensiones muy elevadas, aunque sean
de pequea duracin, que provoquen su destruccin.
Es pues imprescindible investigar si en el circuito donde se ha de disponer el diodo se produ-
cen dichos impulsos, y si el diodo es capaz de soportarlos.
Finalmente, debe siempre tenerse presente que en los diodos de germanio debe aplicrsele una
tensin directa mnima de 0,35 V y en los de silicio de O, 7 V, a fin de que se supere el potencial de
barrera de la unin y el diodo pase a conducir.
Cdigos de designacinde los diodos rectificadores semiconductores

Para la designacin de los diodos rectificadores semiconductores se utilizan diversos cdigos. El
ms extendido en Europa consta de dos letras seguidas de un nmero de serie.
La primera letra indica el material semiconductor utilizado. La segunda letra indica la aplicacin
principal, o la aplicacin y construccin en el caso de que se requiera una mayor diferenciacin.
El nmero (le serie est formado por tres cifras para los diodos diseados para su aplicacin en
aparatos de uso domstico (radio, televisin, etc.), o por una letra y dos cifras para los diodos di-
seados para equipos profesionales.
En la tabla 9.1 se indica el significado de cada una de las letras constituyentes de este cdigo.
A Dispositivo que utiliza A Diodo detector, diodo Tres Aplicacin en aparatos

materiales con un margen de alta velocidad, diodo cifras de uso domstico.
de banda de 0,6 a 1,0 eV, mezclador.
tales como el germanio.
B Dispositivo que utiliza y Diodo rectificador, diodo Una Aplicacin en equipos

materiales con un margen recuperador, diodo de letra profesionales.
de banda de 1,0 a 1,3 eV, eficiencia. y dos
tales como el silicio. cifras
Tabla 9.1 Cdigo de designacin de diodos rectificadoreseemiconouctores (sistema moderno).
As, sin tener en cuenta las tres ltimas cifras, sern cuatro las denominaciones posibles para
los diodos rectificadores semiconductores:
AA =Diodo detector de germanio.

AY = Diodo rectificador de germanio.
BA = Diodo detector de silicio.
BY = Diodo rectificador de silicio.
210
www.elsolucionario.org DIODOS RECTIFICADORES
Existe un cdigo, todava vigente, utilizado en los orgenes de la fabricacin de diodos semi-
conductores. que esta tambin formado por dos letras y tres cifras aunque es mucho menos sig-
nificativo que el anterior, ya que la primera letra, que siempre es una. O, indica que se trata de un
elemento semiconductor (sin indicar material) y la se.gunda letra, que siempre es una A, indica que
se trata de un diodo (sin Indicar aplicacin). Las tres cifras que siguen a continuacin hacen re-
ferencia al tipo de diseo o desarrollo particular del fabricante.
En el sistema norteamericano, el cdigo consta del nmero 1 , la letra N y un nmero de. serie.
El nmero i indica que se trata de un elemento con una sola unin (diodo), la letra N indica qus
es semiconductor, y las cifras finales las proporciona cada fabricante y corresponden a un mode-
lo dado.
211
Diodos Zener
INTRODUCCIN
Los diodos Zener, tambin denorn1nados dodos reguladores de tensin (Voltage regulator dlodes},
son elernentos semiconductores de silicio que poseen en sentido directo o de paso una caractens-
tlca de diodo rectlflcador normal, mientras que en sentido lnverso, y para una corriente inversa poi
encima de un determlnado valor, presentan una tensin constante cuyo valor depende de las ca-
ractersticas tcnicas de cada diodo en particular.
Este fenmeno de tensin constante en el sentido de bloqueo convierte a los dlodos Zener en
dispositivos excepcionalmente tiles, cuando se quiere obtener una tensin relativamente lnsensr-
ble a las variaciones de la tensin de alimentacin o de la corriente de la carga. es decir, como dls-
positlvos reguladores del valor de la tensin.
CONSTITUCIN DE UN DIODO ZENER
Dependiendo de las caractersticas que se deseen obtener, los diodos Zener se fabrican por pro-
cesos de aleacion o de difusin.
Los diodos Zener con tensiones de ruptura de hasta unos 9 V presentan mejores caractersticas
cuando se fabrican por aleacin, rnlentras que los que poseen tensiones de ruptura superiores a los
12 V tienen mejores caractersticas si se fabrican por el proceso de difusin. Para tensiones de rup-
tura comprendidas entre 9 y 12 V, et mtodo de fabricacin viene determinado por otros factores.
En la figura 10.1 se muestra el procedimiento de fabricacin de un diodo Zener por aleacin.
10.1 Procedimiento de
fabricacin de un diodo
N Zenet por aleacin.
Este mtodo consiste en calentar en un horno apropiado, y a una temperatura de unos 650 C,
una pequea pastilla de cristal de silicio tipo N, a la que se coloca encima una minscula cantidad
de material tipo P. Al ser calentados en el horno se produce la aleacin entre ambos elementos en
una zona de forma circular.
Los diodos Zener fabricados por el procedimiento de difusin se obtienen depositando boro
(para la formacin del material tipo P) en una de las caras de una delgada lmina de cristal de slli-
cio, y en la otra cara vapor de fsforo {para la formacin del material tipo N) (figura 10.2).
8 conjunto se introduce en un horno a una temperatura superior a 1.200 C; El calor provoca
que en el cristal de silicio penetre el fsforo por un lado y el boro por el otro, difundindose ambos
materiales en el cristal.
213
10.2 Procedimento de fabricacin Boro
de un diodo Zener por difusin.
~====~~)
/ tn t t
'--
!/''''
r v < 1 \ i '
1 ' ; i . 1
''""
' 1 ' '
'11\,. 1
'1 1 ' .' '
' ~ \ ' ' '+
1 ' ., '
(\,,:......1 11 '1' ' .1 .
, 'I
Fsforo
i
Una vez obtenido el diodo, seprocede a la colocacin de los terminales y a protegerlo del me-
dio ambiente mediante una cpsula como las que se muestran en la figura 10.3.
Las cpsulas a y b de la figura i 0.3 disponen de terminales de conexin, mientras que las otras
tres son para montaje superficial (SMD).
10.3 Algunas cpsulas uti/1zadas

para diodos Zener:
a) $0068 (0034);
b) $0066 (0041);
c) SOT23, e)
d) SOOBOC; '
e) $00110.
e)
Curva caractersticaJF = f(VF) de un diodoZener

Si se aplica una tensin en sentido directo a un diodo Zener (VF}, ste acta como un diodo rectifi-
cador normal, es decir, deja pasar la corriente elctrica; por lb tanto, en el sentido de paso o de po-
larizacin directa la corriente ( I F) aumenta rpidamente de valor, aun con pequeas tensiones.
En la figura 10.4 se ha dibujado la curva caracterstica VF = f( I F) de los diodos Zener de la serie
BZX84 de PHILIPS para una temperatura de unin(~) de 25 C.
300
IF 1
!
(mA)
//
-1j = 25C
200
100
/
10.4 Curva caracterstica IF = f(VF) 1- /
V
de tos diodos Zener de la serie o0,6
8ZV85 de PHIUPS. 0,8 VF (V) 1,0
Como se puede comprobar es una curva idntica a la de los diodos rectificadores de silicio, en
la que se observa que el diodo pasa a conducir a partir de unos 0,5 a O, 7 V de tensin directa.
La resistencia del diodo Zener cuando est polarizado en sentido directo es, por consiguiente,
pequea.
214
DIODOS ZENER
Curva caracterstica I z = f(V-z) de un diodo Zener

Al invertir la polaridad de la tensin aplicada, y si sta no sobrepasa un determinado valor, el diodo
tambin se comporta como un diodo normal, es decir, bloquea el paso de la corriente dejando pa-
sar tan slo una pequea intensidad que, bajo el punto de vista prctico, no s.e tiene en cuenta.
15 Vz (V) 10 5
~-- . 1
'
,_ -- lz
1-. (mA)
I! 1- -
.e
;- ~
-~ -~
,_
!!? 100
-1 a t> e ~ ~ts,~.>
~-~L~. ~ ~ ~+ ~ ~ - ~
& (S 1- 1-
~ -
- tr
'-1-I-~
,_
1
10.5 Curvas caracte1fsticas
'---
:=Valores tpicos= inversas de los di.odas Zenet
r = 2s:c , ~
- _L_
_,_ 1
'
de la serie BZX79 de PHJUPS.
1
200
En las curvas caractersticas de la figura 10.5, correspondientes a los diodos de la serie BZX79
de PH1L1PS se puede comprobar que los diodos Zener no permiten el paso de la corriente en sentido
inverso mientras no se supere un cierto valor de la tensin inversa, denominado tensin de ruptu
ra, tensin de codo o tensin de Zener (V2}.
Cuando se-alcanza el valor Vz la corriente en sentido Inverso aumenta bruscamente de valor, es
decir, el diodo pasa a ser conductor en el sentido inverso,
El fenmeno de ruptura, es decir, el paso de bloqueo a conduccin en sentido inverso al sobre-
pasar un determinado valor de tensin, recibi en un principio el nombre de efecto Zener, porque se
pens que era debido al mecanismo descrito por Zener en su teora sobre los tenrnenos de rup-
tura en dielctricos (pinsese que un diodo polarizado en sentido inverso es comparable perfecta-
mente a un condensador cuyas placas fuesen los cristales P y N y cuyo dielctrico fuese la zona de
unin de ambos cristales; por lo tanto, si ccna zona de unin o zona prohibida pasa a ser conduc-
tora, ello equivale a la perforacin de un dielctrico).
Hoy en da se cree, sin embargo, que esta ruptura se debe a los efectos de campo, cuando se
produce para tensiones inferiores a 5 V, y se atribuye a un efecto de avalancha cuando tiene lugar
a tensiones por encima de los 7 V. Entre los 5 y 7 V la ruptura es producida por una cornbnactn
de ambos efectos.
As pues, para bajas tensiones es vlida la teora de ruptura de Zener y para altas tensiones se
acepta la teora de avalancha propuesta por Me Kay y Mc.Affee.
Sin embargo, y por los motivos apuntados, todos los diodos Zener se llaman as en honor a este
fsico, y el valor de tensin bajo el cual se produce la ruptura se le conoce tambin con el nombre
de tensin de Zener.
Para finalizar, diremos que las curvas de la figura 10.5 corresponden a nueve diodos Zener di-
ferentes (de la serie BZX79 de PHtLIPS), que abarcan desde los 4,7 V a los 1 O V. En estas curvas las
cifras que siguen a la letra C corresponden a las tensiones de Zener, utilizndose la V como coma
decimal, As, la curva C7V5 pertenece a un diodo Zener de la serie BZX79 cuya tensin de Zener
es de 7 ,5 V: se puede observar en dicha curva que mientras no se alcanza este valor de tensin in-
versa la intensidad de corriente en sentido de bloqueo es nula, pero que al alcanzarse los 7 ,5 V el
diodo pasa a conducir y aumenta considerablemente la corriente en sentido de bloqueo ( I2), la cual
alcanza los 200 mA cuando la tensin inversa aplicada al diodo es de alqo ms de 8 V.
Es importante destacar tambin que en las curvas caractersticas en sentido inverso de los dio-
dos Zener no se utilizan los subndices R de reverse, sino la Z de Zener, ya que lo que se desea des-
tacar son estos valores.
215
Efecto Zener y efecto avalancha

En el apartado anterior se dice que el fenmeno de ruptura de un diodo Zener puede ser debido al
efecto Zener o al efecto de avalancha, segn la tensin inversa aplicada. A continuacin se expo-
nen en pocas lneas la diferencia entre estos dos efectos.
Al aplicar una tensin inversa pequea a un diodo, circula una corriente cuyo valor es igual al de
la corriente de prdidas superficiales, ms la normal de saturacin, estando formada esta ltima por
huecos y electrones generados trmicamente.
Si se aumenta la tensin inversa, al principio no aumenta el nmero de portadores y, por lo tan-
to, no aumenta la corriente.
Sin embargo, cuando se alcanza un cierto valor de la tensin inversa se produce una ruptura
espontnea de los enlaces covalentes de ros tomos prximos a la unin PN. La ruptura de dichos
enlaces genera pares electrnhueco y se produce as un notable aumento de la corriente. Esta ac-
cin es el efecto Zener propiamente dicho.
La tensin a la cual se produce el efecto Zener depende del grado de dopado del silicio y puede
ser muy elevada, aunque a menudo se obtiene un aumento brusco de la corriente inversa, debido
a un efecto de avalancha, y por debajo del nivel de la tensin inversa que corresponde al efecto Ze-
ner citado.
Al aumentar la tensin inversa aumenta la velocidad de los portadores. Esta velocidad puede
ser suficiente para provocar la ionizacin, si los tomos chocan con las molculas del semicon-
ductor con suficiente energa.
Los portadores de carga resultantes de la ionizacin por colisin toman parte en nuevas coli-
siones y producen a su vez nuevos portadores.
El rpido aumento del nmero de portadores y, por consiguiente, de la corriente, es lo que
constituye el denominado efecto avalancha.
Sin embargo, sea cual sea el mecanismo que produzca la ruptura (Zener o avalancha), la tensin
de ruptura de un diodo Zener se produce a un nivel bien definido y estable, prcticamente constante.
Procurando no sobrepasar la temperatura de unin mxima admisible por el diodo, la ruptura es
reversible y no destructiva, es decir, el diodo regresa a su estado de bloqueo al descender la tensin
inversa por debajo del valor de la tensin de ruptura. Esto diferencia a estos diodos de los rectifi-
cadores, en los cuales si se alcanza la tensin de Zener el diodo resulta destruido.
Tensin de referencia
La tensin entre ctodo y nodo del diodo despus de la ruptura se denomina tensin de referen
cia. Su valor no puede ser mucho mayor que el de la tensin de ruptura, siendo casi constante.
Efectivamente, en la figura 10.5 se puede observar cmo la tensin inversa en los diodos Zener
de la serie BZX79 permanece casi constante una vez superada la tensin de Zener (Vz).
La tensin de referencia es, para cada tipo de diodo, una tensin de valor prcticamente cons-
tante y con ciertas tolerancias lgicas de fabricacin.
En los catlogos de los fabricantes se indica normalmente la tensin de Zener y su tolerancia.
As, el diodo Zener BZV85C3V6 posee una tensin de Zener de 3,6 V 5 %, lo que significa que este
diodo pasa a conducir en sentido inverso con una tensin inversa comprendida entre 3,42 y 3,78 V
Resistencia Zener
Se denomina resistencia Zener la relacin entre la variacin de tensin LiVz y ia variacin de inten-
sidad Lilz en el sector Zener, es decir, debajo del punto K de la figura 10.6, y se calcula mediante
la expresin:
A partir de esta expresin se deduce que la variacin de tensin en bornes de un diodo Zener es,
por debajo del punto K:
216
www.elsolucionario.org DIODOS ZENER
4,7V 10.6 Curva caracterstica

inversa del diodo BZX79C4V7
10 Vz(V) 5
'
o
, 1 o con indicacin del punto K,
correspondiente a la tensin
- K de Zener de este diodo (4,7 V).
-
-
'
-
,_ 100
!;;;-
- ~
-
z
(mA)
-
- 't
r- Valorestpicos
= 25c
,_
1 1 1 1
200
As, si la intensidad l z vara en 15 n1A, la tensin Vz en el diodo (con una tz de 1,2 Q), vara slo li-
geramente.
Efectivamente, a partir de la frmula anterior y de los datos dados se obtiene:
1:1Vz = rz!J.lz = 1,2 ~1x15 mA = 18 mV
La tensin vara poco, Incluso con un cambio considerable de intensidad. Esta particularidad es
aprovechable para obtener tensiones estabilizadas.
El valor de r2 no es constante, sino que vara con el valor de I2, tal y como se comprueba en la
curva caracterstica r2 = f(I:z) de la figura 10.7.
En esta curva se lee que, para pequeos. valores de lz, del orden de 1 mA, la resistencia de Ze-
ner es de 500 Q, mientras que a 1 O mA la resistencia de Zener baja a 20 fl. Se trata pues de una
resistencia dinmica, ya que pasa de un valor elevado a otro pequeo al aumentar la corriente de
Zener,
-
L
r, ~Valore~ tpicos
- -c
(D.} T = 25
f = 1 kHz
- , __
2 - .....
-,
-
-
. -
5
"'\:
'\. ,_
2
\
102 - - L
5
'
-
-
10
2
-
1, -" -
C4V7
-
5
-
2 L

1 r2 = f(Iz) del diodo Zener
1
ur 2 5 tfil 2 5 10; lz (mA) 50 BZX79C4V7.
217
Coeficiente de temperatura de un diodo Zener

El coeficiente de temperatura (S2) de los diodos Zener se mide en mV/K, siendo negativo para los
de baja tensin y positivo para los de alta tensin.
Controlando la corriente inversa en la regin comprendida entre 5 y 6 V, el coeficiente de tem-
peratura puede hacerse positivo o negativo.
En las figuras 10.8 y 10.9 se han dibujado las curvas caractersticas del coeficiente de tem-
peratura Sz en funcin de la corriente de Zener 12, de los diodos Zener de la serle BZX84 de PH1-
UPS. En ellas se puede ver cmo por encima de unos 4,7 V el coeficiente de temperatura pasa a
ser positivo (figura 10.9).
o 10 1
12
1
7j = 25 a 150 C ,_
,_ Sz
_ 4V 3 11
Sz - (mV/K) 1
(mV/K)
1
/
vY 5
l 10
9V 1
8V 2
/ ----
e- 3V 9
' sv i 1y 5
3V 6
,\ / V
- 6! 2
~ rz ,"'
r--
,,V . 5V 6
sv 1
2 -7': /
~ ~
-~
3V3+- o
1
-~ ' ~1 -- 3V o 4V 7
-
,,V~
'
2
1
;
2V 4, T = 25 a 150 "C
2V 7
3 5 1
o 20 40 lz(ITIA) 60 o 4 8 12 16 20
lz (mA)
10.8 Curvas caracterfstcas del 10.9 Curvas caractersticas del
coeficiente de temperatura Sz en funcin coeficiente de temperatura S2 en funcin
de la corriente de Zener I z para los de la corriente de Zener I z para los diodos
diodos Zener de la serie BZX84 de PHtLIPS Zener de la serie BZX84 de PHJLJPS
(diodos con pequea tensin de Zener). (diodos con alta tensin de Zener).
La lectura de estas curvas es como sigue:

Para un diodo determinado, por ejemplo el BZX84C4V3 (figura 10.8), el coeficiente de tem-
peratura (Sz) es de, por ejemplo, -2,4 mV/K cuando la corriente de Zener (I.z) es de 5 mA, y todo
ello a una temperatura ambiente de 25 C.
Esto significa que con esta intensidad de corriente la tensin de ruptura del diodo disminuye
-2,4 mV por cada grado Kelvin.
Si la corriente de Zener aumenta a, por ejemplo, 20 mA, el coeficiente de temperatura pasa a ser de
-1,2 mV/K, es decir, un aumento de la intensidad de corriente de Zener supone una disminucin del
coeficiente de temperatura S2 y, por lo tanto, una menor disminucin de la tensin de ruptura del diodo.
Efectivamente, supongamos que el diodo Zener BZX84C4V3 que se ha tomado de ejemplo
pasa a trabajar a una temperatura ambiente de 76 C con una intensidad !2 de 5 mA, lo que su-
pone un coeficiente de temperatura (Sz) de -2,4 mV/C.
Con estos datos se puede calcular la tensin de Zener a 75 C (V275):
Vz7s = Vz2s + Sz (T amo - 26 C) =

= 4,3 V+ [-2,4 mV/K (75 C - 25 C)] = 4,3 V- 0,12V=4,18 V
Si la corriente de Zener sube a 20 mA, el coeficiente de temperatura pasa a ser de -1,2 mV/K,
por lo que en este caso la tensin de Zener cuando el diodo trabaja a 75 Ces de:
+ Sz (Tamb - 25 C) =
Vz1s = V22s 0
= 4,3 V+ [-1,2 mV/K (75 C - 25 C)) = 4,3 V - 0,06 V= 4,24 V
218
DIODOS ZENER
Es decir, algo mayor que en el caso anterior.

Tambin la temperatura influye sobre el valor de la tensin de Zener, debido al coeficiente de
temperatura del componente.
Efectivamente, si el diodo que se ha. puesto de ejemplo pasa a trabajar a una temperatura am-
biente de 150 "C y con una corriente de 20 mA (que corresponde a un Sz de -1 ,2 mV /K), la ten-
sin de Zener alcanza un valor de:
Vz75, = Vl25 + Sz (Tamb - 25 C) =

= 4,3 V+ (-1,2 mV/K {150 C - 25 C)] = 4,3 V - 0., 15V=4,15 V
En resumen, en este tipo de diodo, cuyo coeficiente. de temperatura es negativo, un aumento

de la corriente lz da lugar a un aumento de la tensin de Zener, mientras que un aumento de tem-
peratura causa una disminucin de la misma.
Lgicamente, en los diodos Zener con coeficientes de temperatura positivos todo esto se invierte.
Sensibilidad trmica de un diodo Zener

En la figwra 10.1 O se han dibujado las curvas caracterlsticas lz = f(Vz) de los diodos Zener BZX70
de PHILIPS, para dos temperaturas de unin distintas.
38 V(V) 36 34 32
~~~--r---.....--r-~1...,.1...,.1
~I_,l_,.1.......,..-,-. 0,001
BZX10-033
-
1
11
,__,_,__,_ .._ -- '--
l-
. 1
- 1/
Iz I z = f{Vz) para temoersturss
... - LI (A) de unin (~) de 150 C y
1
r
t,
.25 C de los diodos Zener
~
-l - 10 de la serie BZV85 de PHIL/PS.
La curva correspondiente a una temperatura de unin (T) de 25 C es la de funcionamiento nor-

mal del diodo, el cual entra en conduccin cuando se le aplica una tensin inversa de 33 V (tensin
de Zener).
S la temperatura de la unin alcanza los 150 C, entonces el diodo entra a conducir con ten-
siones inversas mayores (del orden de los 36,8 V).
El desplazamiento entre ambas curvas es ocasionado por la sensibilidad trmica del diodo, y es
igual a la tensin que corresponde a:
Donde Sz es el coeficiente de temperatura del diodo y Tarnn la temperatura .ambiente a la que tra-
baja el diodo.
219
Corriente de funcionamientode un diodo Zener

La corriente de funcionamiento de un diodo Zener ha de estar comprendida entre el 20 % de la co-
rriente de Zener mxima y la corriente del codo de la caracterstica inversa; es decir, que para que un
diodo Zener trabaje cerca del codo de la curva caracterstica inversa, es necesario que la tensin de
ruptura posea un valor superior a los 7 V, ya que los diodos con esta tensin de ruptura poseen una
caracterstica de ruptura mucho ms pronunciada que la de los diodos con tensin Zener ms baja.
En la figura 10.6 se comprueba cmo los diodos con tensin de ruptura inferior a 7 V presen-
tan un codo de la curva caracterstica Vz = f(IF) menos pronunciada.
Potencia de disipacinen rgimen estable de un diodo Zener

La potencia mxima que puede disipar un diodo Zener viene dada por la frmula:
7imax - Tamb
RthJ-amb
Donde:
Ptot =disipacin mxima admisible en rgimen estable.

7imax =temperatura mxima admisible en la unin y en funcionamiento.
Tamb = temperatura ambiente.
RthJ-amb = resistencia trmica total entre la unin y el ambiente.
El valor de Rthamb lo dan los fabricantes en sus catlogos, y es vlido slo para elementos sin
disipadores de calor y montados al aire.
El factor RtnJamb depende del tipo y tamao del disipador trmico utilizado y puede ser determi-
nado a partir de la siguiente expresin:
Donde:
R,hJ-mb = resistencia trmica entre unin y base de montaje.

Rthmb-b = resistencia trmica entre base de montaje y radiador.
Rthb-amti = resistencia trmica entre radiador y ambiente.
Veamos un ejemplo de utilizacin de la frmula, aplicada a un diodo Zener de la serie BZY91 , el

cual tiene una potencia mxima de 75 W y una tensin de Zener que va de 1 O a 75 V segn modelo.
Si el diodo ha de disipar slo 30 W, la mxima temperatura ambiente admisible por ste, con
una resistencia trmica radiador-ambiente de 2 C!W, se calcula de la siguiente forma (datos obte-
nidos del catlogo de fabricante):
Ru,j-mb = 1,47 C/W

Ru1rnb-b= 0,2 C!W
Rthb-amb = 2 C/W
Rthiamb = 1,47 C!W + 0,2 C!W + 2 C!W = 3,67 C!W
La temperatura de unin admisible por el BZY91 es, segn fabricante, de 175 C, por lo que:
Y despejando Tamt>:
Tamb = 7imax - {P1ot X Ri11J-amt>) =

= 175 C - (30 w X 3,67 C/W) = 64,90 C
220
DIODOS ZENER
Con10 resultado, en las condiciones expuestas, el diodo 82Y91 puede ser utilizado a una tem-
peratura ambiente (Tam.J que no exceda de los 64 "C.
De todos estos clculos se deduce que la potencia de disipacin mxima admisible por un dio-
do Zener est Influida por la temperatura ambiente, ya que cuanto mayor sea sta menos se refri-
gerar el diodo y, por lo tanto, menor ser su capacidad de disipacin.
1,5 - 1 +:
l - IJ
.
-
~
1 -
1
~~
- '
"
~ - e
- N;
-
L
0,5 -
- - ~- 10.11 Curva caracterstica de

.
-,
. T 1 - "- la potencia m;dma de disipacin
1
de un diodo lener en funcin de
50 100 150 T. (C) 200 la temperatura ambiente.
amQ.
En la figura 10.11 se ha dibujado la curva caracterstica de Ptot = f(Tarnb} de un diodo Zener de la

serie BZX61 de PHILIPS, cuya potencia mxima dlspable es de. 1 W hasta 25 C, y a partir de dicha
temperatura desciende progresivamente hasta ser totalmente nula a 175 C, es decir, cuando la.tern-
peratura ambiente iguala a la temperatura rnxima de la unin y por lo tanto dea de disipar calor.
Capacidad de un diodo Zener

Si a un diodo Zener SB le aumenta la tensin mversa aplicada a sus terminales, se produce una mi-
gracin de electrones y huecos, por lo que el espesor eficaz de la unin de los cristales P y N au-
menta y, como consecuenca. la capacidad del diodo disminuye.
Efectivamente, la capacidad de un diodo Zener viene expresada por:
K
C = (V+ 0,6}11
Siendo K una constante propia del diodo, V lq tensin aplicada al diodo (de signo positivo para ten-
siones inversas) y el exponente n tiene un valor aproximado de 0,5.
Si se aumenta la tensin aplicada al diodo hasta un valor igual a 2V, se tiene:
Y, por lo tanto:
K K
----<----
(2V + 0,6)n (V+ 0,6)n
Por lo que, en definitiva, C 1 < C.

En la figura 10.12 se han dibujado las curvas de capacidad en funcin de la tensin inversa de
los diodos Zener de la serle BZX70. En ellas se puede leer cmo disminuye la capacldad al au-
mentarla tensin inversa, hasta que sta alcanza el valor de Zener, en cuyo instante desaparece
esta capacidad, puesto que el diodo pasa a conducir en sentido inverso.
221
10.12 Curvas caractersticas de la

capacidad en funcin de la tensin
,. - T"' 25C
' '
_ Valores tpicos =- -
inversa de los diodos reguladores -
de tensin BZX70 de PHJLIPS. ~ -
r-- r--.
- 1
1
+
.
BZX70C10
,
...... . C15--i-
~
C33 I.
075
.
r-
-
i
- ~
101
1(/J 101 Vz (V)
Ruido
Cuando en un diodo Zener existen uniones imperfectas o cargas espaciales, se producen variacio-
nes bruscas de la tensin de referencia que dan origen a ruidos. ,
Este ruido es generalmente bastante bajo, nunca superior a los 1 O mV, por lo que apenas influ-
ye sobre la tensin en bornes del diodo. Sin embargo, puede reducirse a una dcima parte conec-
tando un condensador de 1Oa100 nF en paralelo con el diodo. Este condensador no afecta al fun-
cionamiento del diodo, ni tender a oscilar.
Eleccin del diodo Zener

Al igual que ocurre con la mayor parte de componentes electrnicos, los diodos Zener se fabrican
normalizados, es decir, con unos valores de tensin de Zener y potencia de disipacin determinados.
En lo que respecta a la tensin de Zener, los diodos Zener se fabrican siguiendo la tabla E24,
con tolerancias de dicha tensin del 5, 1 O y 15 %.
Los valores de tensin de Zener normalizados son los indicados en la tabla 10.1.
2,4 5,6 13 33 75
2,7 6,2 15 36 82
3,0 6,8 16 39 91
3,3 7,5 18 43 100
3,6 8,2 20 47 110
3,9 9, 1 22 51 120
4,3 10 24 56 130
4,7 11 27 62 160
5, 1 12 30 68 180
Tabla 10.1 Tensiones Zener
normalizadas en la fabricacin
de diodos Zener. 200
222
www.elsolucionario.org DIODOS ZENER
En lo que.respecta a la potencia de disipacin, los diodos de tensin se fabrican para 280 mW,
320 mW, 400 mW, 1,3 W, 1,5 W, .2 W, 2,5 W, 7,5 W, 10 W, 15 W, 20 W y 75 W.
Estos datos son, pues, los primeros que han de tenerse en cuenta ala hora de elegir un diodo
Zener para un circuito y, despus, si las exigencias del circuito as lo aconsejan, debern tenerse
presentes todos los dems expuestos en este captulo.
Cdigo de identificacinde los diodos Zener

Existen tres sistemas de identificacin de diodos Zener. El ms moderno consiste en tres letras se-
guidas de un nmero de serte y el valor que hace refer-encia a la tensin de Zener.
La primera letra es siempre una B. indicativa de que se trata de un elemento semiconductor de
silicio. La segunda letra es una Z, indicativa de que se trata de un diodo Zener. A continuacin si-
gue una letra (V, X o Y) y un nmero de serie dado por el fabricante.
Finalmente se aade la tensin de Zener utilizando la V como coma decimal. As, el diodo
BZV85C6V2 es un diodo Zener de la serie V85 cuya tensin Zener es de 6,2 V.
En ocasiones se aade a este cdigo otro complementano que hace referencia a la tolerancia
de la tensin de Zener segn el siguiente cdigo:
A =tolerancia nominal de la tensin de Zener del 1 o/o.

B = tolerancia nominal de la tensin de Zener del 2 o/o.
e = tolerancia nominal de la tensin de Zener del 5 %.
D = tolerancia nominal de la tensin de Zener del 1 O %.
E = tolerancia nominal de la tensin de Zener del 15 %.
El cdigo antiguo est formado por tres letras y un nmero de serie dado por el fabricante. La.
primera letra siempre es una O, indicativa de que.se trata de un elemento semiconductor. Las otras
dos letras son AZ, y hacen referencia a que se trata de un diodo Zener,
El cdigo norteamericano consiste, al igual que .en los diodos r.ectificadores, en la indicacin 1 N
seguido de un nmero de serie.
Cpsulas para diodos Zener

En la figura 10.13 se han dibujado las cpsulas ms utilizadas para diodos Zener, con indicacin de
su denominacin y dimensiones.
-t
_J 6
@
L ~
'-----Q
25.4 mln 3,04 _
~.--~r--1 ~~~
:g_,4 min _
i'
g 1,60
1,45
g _l
mx mtix
a lo,81 [_ 03 37 03 - ~
K
1
1 mx
' 33 .
... .. -'----- -
'
-~- - 28 mfn -4,8. -mx_.._,_.. .28

...... mrr'
max
3,0
,_ ........ _. 2.8
_,_,_"';:., 2; 10
- 1,9
-
0,55
0,150
,0,090 J 0,95
r'
1,90
0.45- r;
-- 2 1
- ~==~-
(
1
_,,_~
1,6 mix
l! 1, 4
r
'1 1
10 1 0,1 1
m;< mx 2,5
e _..\ 10
1 1, 2 mx
'
'
u.
\ =:!=:,,....,_.~ max 1
3
_!,1 m~ '/
30
0,48
0,38 - 1,40
mx
1, 1'0
10.13 Tipos de cpsulas utilizadas en diodos Zener. con indicacin de sus dimensiones.
223
Estos componentes destacan por sus reducidas dimensiones, en particular aquellos para mon-
taje superficial (SMD).
Al igual que los diodos rectificadores semiconductores, el ctodo de los diodos Zener viene in-
dicado por un aro impreso rodeando el cuerpo del componente o por cualquiera de los sistemas
ya expuestos en el captulo anterior. Debe pues respetarse dicha indicacin al conectar un diodo
Zener, y recuerde hacerlo en sentido inverso, es decir, con el ctodo conectado al positivo de la fuen-
te de alimentacin que se desea estabilizar.
224
. 'eap(tu'tp,:~11
Diodos varicap
' .$"' ...
~,'
y conmutadoresde banda
INTRODUCCIN
Los diodos varicap (o de capacdad variable) son diodos semiconductores cuya caracterstica prin-
cipal es la de presentar una capacidad en su unin PN que depende de la tensin inversa aplicada
entre ctodo y nodo del mismo.
Este efecto de capacidad en el sentido de bloqueo se presenta en todos los diodos, pero ape-
nas si vara con el aurnento de la tensin inversa: el diodo de capacidad variable est especialmen-
te diseado para que su capacidad vare dentro de unos amplios rnrqenes segn la tensin inver-
sa aplicada, de forma que puede ser utilizado en clrcuitos sintonizadores y osciladores sustituyendo
a los antiguos condensadores variables.
La sustitucin de un condensador variable por un diodo varicap presenta, entre otras, las ven-
tajas de eliminar elementos mecnicos mviles eh las secciones de RF.
El diodo varicap fonna parte de los circuitos oscilantes LC' de RF, cuya frecuencia de resonan-
cia se gobierna mediante una tensin de. polarizacin inversa aplicada al diodo, de valor ajustable
por el usuario mediante un potencimetro, en lugar de hacerlo mediante el accionamiento del rotor
de un condensador variable.
Otras ventajas que se deben destacar (relacionadas siempre con los condensadores variables) son
la reduccin de volumen, su menor precio y la posibilidad del mando a distancia mediante conductores.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO VARICAP
Como se sabe, toda unin PN puede compararse con una capacidad cuando est polarizada en
sentido inverso. Esta capacidad depende del valor de la tensin aplicada a- la unin.
Veamos esto que acabamos eje exponer con algo ms de detalle; para ello supondremos una
unin PN en equilibrio, es decir, sin tensin alguna aplicada entre sus electrodos.
En esta circunstancia se forma en la zona de trnsito entre la regin P y la N un campo elctri-
co, debido a la difusin de portadores de carga positivos a la regin N y viceversa, dejando por lo
tanto tomos aceptadores o donadores ionizados a ambos lados de la unin, pero no en sta, don-
de todos sus tomos no poseen carga elctrica alguna.
La distribucin de densidad de carga es ta, que se produce en launin en equilibrio un poten-
cial de contacto que evita que ms portadores mayoritarios atraviesen la unin.
Supongamos que en ese estado de equilibrio el -espesor de la zona intermedia entre los dos
cristales sea Z (figura 11.1 ).
Si se aplica un potencial inverso al diodo (VR), los portadores mayoritarios se alejan de la unin,
haciendo que la zona de transicin (Z) se haga ms ancha (figura 11.2).
Dado que la zona de transicin posee una cierta densidad, la carga total de la unin varia al va-
riar la tensin inversa, es decir, se hace tanto ms ancha.cuanto mayor sea el valor de la tensin in-
versa VR aplicada al diodo, por lo que ste se comporta corno un condensador cuya capacidad
depende de la tensin aplicada.
Recurdese que uno de los factores que influyen sobre la capacidad de un condensador es el
espesor de su dielctrico, y en.este caso el dielctrico es la zona Z que se hace ms o menos an-
225
11. 1 Unin PN en estado N z p

de equilibrio.
N z p
'
11.2 Unin PN polarizada
+ -
en sentido inverso.
cha segn el valor de la tensin inversa aplicada. Cuanto mayor es el espesor del dielctrico menor
es su capacidad.
El espesor de la regin Z, tambin llamada regin de carga espacial, depende de la raz cua-
drada o cbica de la tensin inversa aplicada al diodo varicap. Por tanto, la capacidad del diodo
varicap es inversamente proporcional a la raz cuadrada o cbica de la tensin VA aplicada.
Esta tensin de polarizacin inversa debe estar perfectamente estabilizada y libre de oscilacio-
nes. ya que de lo contrario se produciran variaciones continuas de la capacidad y, con ello, de la sin-
tona del circuito oscilante al que pertenece el diodo.
El cambio de valor de la tensin VR para ajustar la capacidad del diodo se obtiene de un pe-
queo potencimetro lineal.
11.3 Algunas cpsulas utilizadas

para diodos varicap: a) $0027
(0035); b) SOD68 (0034),
e) SOT23; d) SOD323; e} SOD80;
{las cpsulas e, d, y e son para t)
montaje SMD).
En la figura 11 .3 se han dibujado algunas de las cpsulas utilizadas en los diodos de capacidad
variable. Como se puede comprobar, la mayor parte son en apariencia iguales que las utilizadas para
otras clases de diodos, por lo que en ocasiones resulta difcil distinguir unos de otros si no se re-
curre a los codigos de Identificacin que rns adelante se Indican.
Circuito equivalente de un diodo varicap

En la figura 11.4 se ha dibujado el circuito equivalente. para pequeas seales, de un diodo varicap.
Consta de una capacidad Cd (correspondiente a la zona de bloqueo), en serie con una resis-
tencia r0 y una autoinduccin L (que viene dada por la construccin y dimensiones de la cpsula).
Tanto la autoinduccin L como la resistencia ra son prcticamente independientes de la tensin
aplicada.
Asl, por ejemplo, la inductancia L del diodo varicap BA102 es de, aproximadamente, 6 mH, y el
de la resistencia rd menor de 3 . Aunque estos valores son muy pequeos, en ciertos casos han de
tenerse presente, ya que pueden influir sobre las caractersticas del circuito oscilante del que forme
parte el diodo.
226
DIODOS VARlCAP Y CONMUTADORES DE BANDA
L cd 11.4 Circuito equivalente de un

diodo varicap para pequeas seales.
_rvYY"\_--11-1 -{~1-
El valor de la capacidad es, como se ha dicho, ajustable segn el valor de la tensin inversa
aplicada.
La resstencta rd influye sobre el factor de calidad de la capacidad, y viene dado por la ex-
presin:
La frecuencia a la cual el factor de calidad Q del diodo se hace uno es:
Esta frecuencia marca el lrnite terico de utilizacin del diodo varicap como reaotancia variable.
Dado que el diodo varicap puede compararse por s mismo con un circuito oscilante LC serie
(figura 11.4), la frecuencia de resonancia, o frecuencia propia, a la cual la reactancia del conjunto
es nula, viene dada por la frmula:
Donde se deduce que:
1
2rtfL = ---
r 2nf,CN
Es decir:
Y despejando t, se obtiene:
1
fr=
2n ~LCd
.
Para valores de frecuencia superiores a la obtenida con esta igualdad . . el diodo es nductivo, por
lo que tambin en este caso la utilizacin del diodo est lirnltada a las frecuencias inferiores a la de
resonancia
En los diodos varicap las prdidas en RF obedecen, fundamentalmente, al paso de la. corriente
por el material semiconductor y los elementos internos de conexin, los cuales se encuentran en
serie con la unin PN en la que se localiza la capacidad.
En correspondencia con esto, se observa, exoermentalrnente, que la parte real de la impedan-
cia, o resistencia equivalente en serie, vara poco con la frecuencia, y que en particular los valores
medidos a 100 MHz y a470 MHz coinciden con una aproximacin razonable.
Tambin es relativamente pequea la variacin de la misma resistencia en funcin de la ca-
pacidad.
227
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS DIODOS VARICAP
Para la eleccin y correcto funcionamiento de un diodo varicap han de tenerse presente una serie
de caractersticas tcnicas, que no son muchas pero deben ser respetadas.
Tensin inversa mxima.

Intensidad de corriente directa mxima.
Intensidad de corrente inversa mxima.
Temperatura de la unin.
Estas tres magnitudes deben tenerse en cuenta para evitar que el diodo resulte destruido.
La tensin inversa mxima (VA) indica la mxima tensin que se puede aplicar permanentemen-
te al diodo sin que ste se destruya. Por ejemplo, el diodo varicap 88134 soporta como mximo
una tensin VR de 30 V.
La intensidad de corriente directa mxima (IF) es aqul valor de corriente en sentido directo que
puede circular por el diodo. Es un valor que debe considerarse ya que, aunque el diodo trabajar
en sentido inverso, puede suceder que un cambio de polaridad lo haga trabajar en sentido directo
y, en este caso, debe limitarse la corriente que por l circule. En el 88134 que se ha elegido como
ejemplo, esta corriente es de 20 mA como mximo.
La intensidad de corriente inversa mxima (IR) indica el valor mximo de corriente que puede cir-
cular por el diodo en sentido inverso. Normalmente el fabricante del diodo indica este valor para la
mxima tensin inversa aplicada y una temperatura de unin dada; la intensidad .de corriente en sen-
tido inverso depende de ambos parmetros. Como ejemplo diremos que el diodo varicap 88134
soporta una corriente mxima de 200 nA cuando se le aplica una tensin VR de 30 V y trabaja con
una temperatura de unin de 85 C.
El parmetro 7j (temperatura de la unin) establece los lmites de temperatura en la unin durante
el funcionamiento del diodo. Por encima y por debajo de las temperaturas indicadas el diodo varicap
deja de funcionar. Temperaturas de unin normales son las comprendidas entre -55 C y+ 125 C.
Otras caractersticas, mediante las cuales podemos conocer el funcionamiento del diodo, son:
Curva caracterstica de la capacidad en funcin de la tensin inversa.

Curva caracterstica de la corriente inversa en funcin de la temperatura y de la tensin inversa.
Curva caracterstica del coeficiente de temperatura en funcn de la tensin inversa.
Curva caracterstica de la capacidad en funcin de la tensin inversa

Mediante un sistema de coordenadas cartesianas se puede representar la curva caracterstica de
un diodo varicap, Cd = f(VR), que liga la tensin inversa aplicada al diodo con la carga elctrica al-
macenada en la unin.
En la figura 11.5 se ha dibujado la curva caracterstica Cd = f(VR) del diodo varicap 88134 de
PHJLIPS, el cual es muy utilizado en sintonizadores de UHF para televisin y en circuitos veo.
e, 20
,1
(pF) 1
1
1 1
16
~ f = 1 MHz; T: = 25 C
-
<,
12 <,
-
8 1 ' '' -
-
4
-
-
r-.
'
e ~
11_5 Curva caracterstica

Cd = t(VR) de un diodo varicap.
o
10-' J(/J 101
228
DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA
Como puede.comprobarse, en dicha figura la curva resultante no es una funcin lineal, ya que al
ser la capacidad Cd dependiente de la raz cuadrada.o cbica de la tensin VR. el resultado nunca
puede ser una lnea recta, aunque en algunos casos as se hace para facilitar la lectura de la misrna.
Efectivamente, para un cierto valor de VR, por ejemplo 8 V, la capacidad de la unin es de, apro-
ximadamente, 5,5 pF, mientras que para una tensin inversa de 1 V la capacidad de la unin no es
ocho veces mayor, como cabra suponer al ser la tensin inversa ocho veces inferior, sino aproxi-
madamente el triple (unos 16,2 pF).
Puede demostrarse que la capacidad de la unin, en funcin de la tensin inversa aplicada, vie-
ne dada por la expresin:
Donde K es una constante que depende del material de partida, VR es la tensin inversa aplicada
a la unin, V1 es el potencial del contacto (=0,7 V para el silicio) y n es un exponente que depende
del gradiente de la tensin y, en consecuencia, del procedimiento de fabricacin.
Es Importante destacar, en el diagrama de la figura 11.5, los lmites de la tensin VA.
El lmite superior es el de 28 V, un poco por debajo de los 30 V (mxima tensin inversa que so-
porta este diodo sin que se destruya).
El limite inferior es de 0,5 V, indicando que no debe aplicarse al diodo varicap tensiones inver-
sas por debajo de.0,5 V, ya que de ser as el diodo se convertira en un rectificador ante las sea-
les de RF que llegaran a superar el valor d 1 V.
Efectivamente, si a la tensin inversa aplicada al diodo se surna una tensin de RF de 1 V de
pico, durante los semiciclos positivos de la seal de RF su tensin se resta de la inversa aplicada
al diodo, por lo que se tiene que ste pasa a trabajar polarizado con una tensin directa de 0,5 V y
deja.de cumplr su funcin de capacidad.
Otro dato a tener en cuenta, y que se indica en la curva caracterstica del diodo, es la frecuencia
y la temperatura de la unin a la que se realiza la rnedlcin, pues estos factores influyen igualn1ente
sobre ella. En la figura 11 .5 la frecuencia de la seal con la que se hace la medicin es de 1 MHz, y
la temperatura de la unin de 25 C.
Curva caracterstica de la corriente inversa en funcin de la temperatura

Como cualquier otro dispositivo semiconductor, los diodos varicap presentan en sentido de blo-
queo una pequea corriente defuga o corriente inversa JA, cuyo valor aumenta al aumentar la tem-
peratura de la unin Tj.
Para comprobar el efecto que la temperatura de la unin ejerce sobre la corriente inversa, el
diodo se polariza en sentido inverso a una tensin iia y, en estas condiciones, se mide la corriente
inversa aumentando la temperatura de la unin entre O C y la mxima admisible por el diodo.
En la figura 1 i .6 se ha dibujado la curva caracterstica IR = f(Tj) mxima del diodo varicap
88134, la cual se ha obtenido con una tensin inversa fija de 28 V. En ella se observa la trayecto-
1 l
Vfl = 28V
-
-
tcf - /
- - F
.__
,, -
7

,, 1/ 11.6 Curva caractersca
10
o 50 T (C) 100 IR :: f(T) de un diodo varicap.
2'29
ria de la curva tpica, la cual acusa un paso de corriente inversa IR de 10 nA con una temperatura
de unin 7j de 25 C, y crece de forma logartmica hasta 200 nA (20 veces mayor) cuando la tem-
peratura de la unin alcanza los 85 C, que es la temperatura de unin mxima admisible por este
diodo cuando trabaja en estas condiciones.
Curva caracterstica de la corriente inversa en funcin de la tensin inversa

En la curva caracterstica expuesta en el prrafo anterior se comprueba cmo la corriente inversa
aumenta de valor al aumentar la temperatura de la unin, efectundose las medidas para una ten-
sin inversa fija.
En la prctica, sin embargo, la tensin inversa que se aplica a un diodo varicap no es fija, sino
que vara entre ciertos lmites ya que con ello se vara la capacidad del diodo.
Dado que, al Igual que en cualquier diodo, la intensidad de corriente inversa aumenta al incre-
mentar la tensin inversa, se tiene una relacin entre tres magnitudes (IR VR y 7j), por lo que los fa-
bricantes de diodos varicap incluyen en sus catlogos curvas caractersticas IR= f(VR) como las que
a
se muestran en la figura 11. 7, y que estn referidas dos temperaturas de unin, una de 25 C (o
temperatura normal de trabajo) y la otra a la temperatura mxima admisible en la unin, que en el
caso de la figura 11. 7 es de 60 C.
101
~ Valores tlpicos
- 1 1 ''.
'
T,,=60C ~
1
-
=r: -. r . .-
25C'
I 1
I
,. I
:_ I
V j'"
. . . . r-
~
I
10-'
- I
-/
1~
,
I
I -~
~ ..
/
11. 7 Curva caracterstica

IR = f(VR) de un diodo varicap,
..,,. V
para dos temperaturas de u11i11. 101
En la figura 11.7 se puede comprobar cmo aumenta la corriente inversa al aumentar la tensin
inversa, de forma que a una temperatura de unin de 25 C y a 2 V de VR la corriente IR es de tan
slo 0,01 nA, alcanzndose los 0,4 nA cuando se le aplican 30 V en sentido de bloqueo.
Finalmente diremos que entre ambas curvas lmite existen infinidad de ellas, correspondientes a
todas las temperaturas comprendidas entre 25 y 60 C, pero carecen de inters prctico ya que lo
que interesa es conocer el comportamiento del diodo en rgimen de trabajo a la temperatura de
unin normal y a la temperatura mxima admitida por la unin.
Curva caracterstica del coeficiente de temperatura en funcin

de la tensin inversa
La temperatura de la unin influye sobre el valor de la capacidad del diodo. Para conocer esta in-
fluencia los fabricantes facilitan las curvas caractersticas del coeficiente de temperatura (TCd) en fun-
cin de la tensin inversa (VR), vlidas para temperaturas de unin (7j) comprendidas entre O C y la
mxima admitida por el componente.
230
1 I+~
' coeficiente de temoerstum en
"' ~
- funcin de la tensin inversa
++
de un diodo vsrics.
N..
-
.
'!"-.
-
'--'--
:.
T '-
T =o a 85 -c "-
!
1(1'5
10r 10' VR (V) ta2
En la figura 11.8 puede verse una de estas curvas, en la que red es el coeficiente de tempera-
tura que se mde en (pF/pF)/K.
As, el coeficiente de temperatura del diodo, con 3 V de tensin inversa, es de 2,8 x 10-4 apro-
ximadamente, y con 7 V es de 1,.9 x 10-4. Ello quiere de.cr que la capacidad del diodo vara en esos
factores por cada grado centgrado (o Kelvin) de temperatura de la unin, de lo que se deduce que
cuanto mayor sea la tensin inversa.aplicda menor.ser el coeficiente de temperatura y, por lo tan-
to, menos variara la capacidad del diodo respecto a la nominal.
RELACIN DE CAPACIDAD
La relacin de capacidad es uno de los parmetros Importantes que deben ser considerados al elegir
un diodo varicap para un circuito, ya que mediante ella se conoce cuntas veces es mayor la capaci-
dad del diodo al aplicarle una tensin inversa de valor superior a otra tomada como referencia.
Esto es muy rnoortante, ya que conociendo esta relacin se puede disear correctamente un
'
circuito de sintona de forma que cubra toda una gama de frecuencias.
Efectivamente; supngase que debe disearse un sintonizador para la banda 1 de VHF de tele-
visin, la cual cubre las frecuencias comprendidas entre 48,24 y 67,75 MHz.
Para disear correctamente el circuito es preciso que la capacidad del diodo vare en el interva-
lo adecuado, pues si es corto no cubrira toda la. banda y si es muy amplio entrara en la banda 11
de emisiones de radio en FM.
La relacin d capacidad se expresar pues rnedante la frmula:
r Cd(VR1)
cd(\/~2)
Donde CdVRi) es la capacidad del diodo a la tensin inversa ms pequea y CdvFi2l es la capacidad
del diodo a la tensin inversa mayor.
As, por ejemplo, el diodo varcap 88105A presenta una capacidad de 11,5 pF cuando se le
aplican 3 V de tensin inversa, y de 2,5 pF cuando se le aplican 25 V de tensin inversa.
De acuerdo con estos datos, la relacin de capacidad de este diodo ser de:
r = cd(VR1) = 11,5 P~ "" 4,6

Cd(VR2) 2,5 pF
Debido a las tolerancias propias de fabricacin, esta relacin no es exacta, por lo que los fabri-
cantes indican en sus catlogos los valores mnimo y mximo admisibles a una frecuencia dada.
As, el diodo 88134 que se ha puesto de ejemplo anteriormente tiene una relacin de capacidad a
1 MHz comprendida entre 8,9 y 12.
231
ELECCIN DE UN DIODO VARICAP
El diodo varicap se debe elegir de acuerdo con la gama de frecuencias con las que debe trabajar.
En lneas generales, se puede decir que diodos varicap con una capacidad mxima de 16 pF se
utilizan para sintonizadores de UHF (400 MHz a 900 MHz), los de hasta 70 pF se emplean en los
sintonizadores de VHF (30 MHz a 300 MHz}; y los de hasta 500 pF en los sintonizadores de los re-
ceptores de radio de onda larga, media y corta.
De todas formas, y a ttulo orientativo, a continuacin se resean algunos diodos varicap fabri-
cados por la firma PHILIPS especialmente diseados para diferentes bandas, debido a los valores de
capacidad que poseen estos componentes:
Radio AM: 88112, 88130, 88212

Bandas I y 111 (TV): 88809, 88909A, 889098
Banda 11 (radio en FM): 882048
Bandas /Vy V (TV): 884058
DIODOS CONMUTADORES DE BANDA
Los diodos conmutadores de banda no son otra cosa. que determinados modelos de diodos recti-
ficadores de pequea seal en los que se aprovecha cierto grado de variacin de su capacidad,
por lo que tambin son considerados como diodos varicap, como por ejemplo el 8A 102, el cual
presenta una relacin de capacidad inferior a O, 7 para una tensin inversa entre 1 O y 4 V, y puede
ser aprovechado para el CAF en receptores de televisin.
Se trata pues de diodos varcap cuya capacidad en sentido inverso es muy pequea, del orden
de 1 ,3 pF cuando se les aplica una tensin VR de O, 1 V, y de unos 0,8 pF cuando la tensin inver-
sa aplicada es de 30 V.
1,5~~~~--~-~~L~~.
cd - .. ~
~m~=14-~~=-~
-+- .. , ..... ~..
(pF) r--
1 -- r
' . ~ l-Htl-~-1+1 ~
1
1-1--i~-fl'H~-
~ r---..u1
- ~~ .
i
l=-i-l_ll:flt-f-;;::=l-+"-1H-Ak::--H-+l+ltH
--,.._I BA4B4
uuu
~,, 8A482
BA483
0,5 1--l-l~H+H,-1-1--r-+1+--1-1--___,1-ttl
11f = 1a100 MHz~+H-r-1-1---1-1-'1
T = 25 C - - --+I
11.9 Curvas caractersticas -

Cd = f(VR) de varios diodos o ,____._,___,_,, __ ......__~___.____,___.._.
conmutadores de banda para 10-'
sintonizadores de VHF de PHILIPS.
En la figura 11 .9 se ha dibujado la curva caracterstica de la capacidad en funcin de la tensin

inversa de los diodos conmutadores de banda 8A482, 8A483 y BA484 de PHtLIPS. Comparando
estas curvas caracterstlcas con la de la figura 11 .5 se aprecia que la nica diferencia entre estos
diodos se encuentra en los valores de sus lmites de capacidad.
La funcin de estos diodos es la de conmutador de bandas; los que se han puesto de ejemplo
se utilizan para conmutar las bandas 1 y 111 de VHF de televisin.
Dado que las curvas caractersticas tcnicas de estos diodos son las mismas que las estudia-
das para los diodos varicap, no creemos necesario repetirlas aqu.
232
CDIGO DE IDENTIFICACIN DE LOS DIODOS VARICAP
Los diodos varicap se Identifican mediante las letras BB y un nmero de serie dado por el fabricante.
La primera B Indica que se trata de un dispositivo semiconductor de silicio y la segunda B que
es un diodo de capacidad variable.
Adems, los diodos rectificadores de pequea seal, en los que se aprovecha cierto grado de
variacin de capacidad y, por lo tanto, se consideran diodos varcap. se identifican con la letra A
como segunda letra de cdigo, como por ejemplo el BA682, por lo que tambin se puede consi-
derar como un diodo de capacidad variable.
En ocasiones, al cdigo expuesto se le aade un punto de color que indica variantes sobre el
modelo principal.
As el diodo BA 102 se fabrica en diferentes versiones segn su capacidad, con V R = 4 V y
f = 0,5 MHz, identificndose mediante puntos de color sobre su cuerpo segn el siguiente cdigo:
punto blanco: Cd = 20 a 24 pF
punto amarillo: Cd = 24 a 30 pF
punto azul: Cd = 30 a 37 pF
punto verde: Cd = 37 a 45 pF.
CPSULAS PARA DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA

En la figura 11.1O se han dibujado las cpsulas ms utilizadas para los dlodbs varicap y conmuta-
dores de banda, con indicacin de su denominacin y dimensiones.
Como se puede comprobar, tambin en el caso de los diodos varicap se tienen cpsulas para
montaje superficial (SMD), empleadas en circuitos electrnicos muy complejos y compactos, como,
por ejemplo, en cmaras de vdeo.
Para terminar, diremos que, al igual que cualquier otro diodo semiconductor, el ctodo de los
dibdos varicap viene indicado mediante un aro (normalmente blanco) rodeando el cuerpo del com-
ponente por la parte ms cercana al terminal del ctodo, y que debe prestarse sumo cuidado en
su conexin al circuito, ya que al ctodo se le debe aplicar tensin positiva para que el diodo que-
de polarizado en sentido inverso.
...
k a 1 O, 8.1
1 0~55 1
' 1 mx
0,40 '
~ 2,
mx

28mfn 4,Bmx_ 28mn
- 1,00
mx
0,25
0, 10
1
_ 1
@ ~----<i"-~n------~'
"
0,55
u-----+-~ mx
0,05 1
mx 1
J;;L
mx
25,4 mn _1~3-,04~
mx
25.4 mrn I 1
3,0
2,8
1,9
t.35 o.4oL~-~._
o, 150 1,15 0,251
0,55 0,090
?'
- 0,95 r-
10,451- ~z
-
'
1
1~
- 1,8
O, 1 1 1.6
10 l. ~'
mx
10
1
. 1,4
1,2
2,5
mx - 2,7
23
'
1
mx1 mx
3 -
e 1,60
mx
30
v 0,48 -
0,38 - 1,45
mx
11.10 Tipos de cpsulas utilizadas en diodos varicap y

conmutadores de banda, con indicacin de sus dimensiones.
233
'captulo::1 i:
Diodos emisores de luz
' . ; ., ; 1' : ;,(i~~.::~
INTRODUCCIN
Los diodos emisores de luz, conocidos popularmente como LEO (abreviatura Inglesa de Light Emit
ter Diode), son diodos semiconductores capaces de radiar luz cuando por ellos circula una co-
rriente elctrica en sentido directo.
Son muy utilizados en los aparatos electrnicos como elementos indicadores luminosos: de
puesta en marcha de aparatos, de recepcin de emisiones de FM estreo, de sintona en vdeos,
del nivel de seal en aparatos de alta fidelidad, etc., por citar algunas de las ms conocidas apli-
caciones.
La popularidad de los LEO se debe a una serie de ventajas sobre las pequeas lmparas in-
candescentes o de nen que se utilzaban en los orgenes de la electrnica. que se pueden resu-
mir en:
Menor temperatura de trabajo.

Mayor estabilidad mecnica.
Menores dirnensiones.
Larga duracin
Compatibilidad con tos actuales circuitos electrnicos, ya que trabajan con bajas tensiones.
Facilidad de modulacin de la emisin luminosa.
Pero no slo por estas razones los modernos circuitos electrnicos se disean con estos dio-
dos, existe otra importante ventaja consistente en la posibilidad de disponer varios pequeos diodos
en un nico chip, en un orden determinado que fuego se expone, que recibe el nombre ingls de
display, y con el que es posible (con ayuda de codificadores integrados adecuados) visualizar sig-
nos alfanumricos.
Esto permite la realizacin de relojes digrtales luminosos, por ejemplo para radiorreceptores y v-
deos. Indicacin de canales de televisin, etc., de pequeas dimensiones y gran claridad de lectu-
ra tanto de da corno de noche.
CONSTITUCIN DE UN LEO
En los LEO la radiacin luminosa no es consecuencia de una elevacin de temperatura en el mis-

mo (como sucede con el filamento de una lmpara incandescente), sino en la conversin directa de
la energa elctrica en energa luminosa sin necesidad de desarrollar calor, por lo que se puede afir-
mar que la luz geherada por un LEO es una tuz fra.
En la figura 12.1 se representa, de forma esquematizada. la constitucin de un diodo ernisor de
luz de fosfoarseniuro de galio (GaAsP).
Consta de una capa epitaxial tipo N de fsfoarseniuro de galio, que se forma sobre un sustrato
de arseniuro de gallo. Una regln P, muy delgada, se difunde en la capa eptaxial y en ella se cons-
tituye un nodo en forma de peine o similar. Esta forma del nodo tiene por finalidad reducir el efec-
to de enmascaramiento sobre la luz emitida.
235
12.1 Constitucin de un LEO Luz

de tostoarseniuro de galio. Fotones
nodo metlico
en torms de peine
Regin P
Todos los LEO se fabrican con semiconductores compuestos con el galio como elemento prin-
cipal, es decir, no se fabrican diodos emisores de luz de germanio ni de silicio.
El motivo de ello es que el ojo humano slo es sensible a una reducida parte del espectro de ra-
diaciones electromagnticas (frecuencias con longitudes de onda comprendidas entre 780 y 380 nm},
lo que corresponde a una energa de, aproximadamente, 1,8 a 3, 1 eV entre las bandas de con-
duccin y valencia. Ni el germanio ni el silicio poseen una separacin entre la banda de valencia y
de conduccin con estos valores, por lo que no son materiales adecuados para generar radiacio-
nes dentro del espectro visible.
Existen tambin LEO fabricados c.on GaAs que generan radiaciones con longitudes de onda por
encima de los 780 nm {hasta los 930 nm), que entran dentro del espectro de frecuencias no visi-
bles (infrarrojos), y que son muy utilizados en aparatos de mando y control a distancia.
En la tabla 12.1 se relacionan los materiales compuestos ms utilizados en la fabricacin de dio-
dos emisores de luz, as corno las caractersticas principales de la luz que producen.
Se comprueba en la tabla 12.1 que en unos diodos emisores de luz se utiliza el GaAs y en otros
el GaP.
Los de GaAs reciben el nombre de semiconductores directos, y en ellos un electrn puede caer
directamente desde la banda de conduccin a la de valencia, en cuyo caso la energa desprendida
lo hace en forma de fotn.
GaAs 880 infrarrojo
GaP(ZnO) 700 ultrarrojo
roo
.
GaAsP 660
GaAIAs 650 hiperrojo
GaAsP/GaP 630 superroio
GaAs: N/GaP 610 naranja
GaPAs 590 amarillo
GaP 565 superverde

Tabla 12.1 Materiales
ms importantes utilizados GaP: N/GaP 555 verde
en la fabricacin de LEO.
236
DIODOS EMISORES DE LUZ
Los de GaP se denominan semconductixee indirectos, y en ellos la recombinacin slo puede

hacerse con la particlpacin de una impureza, como el nitrgeno (N) y el xido de cinc (ZnO).
Cuando a la unin PN de un LEO se aplica una tensin en el sentido de conduccin, es decir,
una tensin directa VF, los electrones se introducen en la regin andica (cristal P) y tos huecos en
la regin catdica (cristal N).
No obstante. muchos electrones. al no tener suficiente energfa, no llegan a la banda de con-
duccin, quedndose en la zona prohibida. Pero al no poder permanecer en ta zona prohibida, y
careciendo de emoue energtico, vuelven a su banda de valencia.
Es precisamente al retornar cuando desprenden fotones (energla luminosa). dentro del espec-
tro visible.
La energa luminosa radiada es de distinto color segn el material utilizado en la fabricacin del
diodo. As, por eemplo, para obtener luz roja se emplea el galio-arsnico, para la luz verde el gallo
fsforo, y para el color azul el carburo de silcio.
B chip que forma la unin PN de un LEO es de clmensones muy pequeas, formando un cua-
drado de 0,2 a 0,4 mm de lado, lo que lo hace totalmente Inmanejable, razn por la cual se dispo-
ne en el interior de una cpsula epox que le proporciona estabilidad mecnica y mejora las carac-
tersticas pticas gracias a una lente ampliadora. Por la parte inferior salen al exterior los terminales
que permiten su soldadura a las pistas del circuito impreso (figura 12.2).
Lente Cl1ip LED

ampliadora
Termlnal
Placa de reflexin
del nodo
tallada en el
terminal del ctodo
12.2 Partes constituyentes

de un LEO.
La forma constructiva de la figura 12.2 es la ms popular, aunque tambin se fabrican en otros

tipos de cpsulas de dimensiones ms o menos grandes (figura 12.3).
Dado que el 1 ED funciona con polanzacn en sentido directo, puesto que en el inverso queda
bloqueado y no radia luz, es preciso Indicar y tener en cuenta el terminal del ctodo.
SOD63 SOD85AL SOD 758
sao 828 SOD 74

SOD 78
12.3 Cpsulas tpicas de diodos emisores de ltJZ.
237

nodo LED Anodo LEO
verde rojo
12.4 LEO bicolor. Ctodo

Este se identifica de diversas formas, tales como mediante un terminal de conexin ms corto
que el del nodo; o disponiendo una pequea pestaa en el terminal del nodo o en el lado de la
cpsula correspondiente al mismo; o por cualquier otro sistema.
Se fabrican tambin cpsulas conteniendo dos LEO de distinto color (por ejemplo rojo y verde).
Estos diodos estn conectados en antiparalelo, de forma que cuando por uno circula corriente el
otro queda bloqueado y viceversa. De esta forma es posible cambiar el color de la luz cuando cam-
bia el sentido de la corriente, lo cual puede ser til en ciertas aplicaciones (figura 12.4).
Displays de LEO
Los displays estn formados por diodos emisores de luz, dispuestos en el interior de una cpsula
y en un orden determinado, de forma que al hacer pasar o no la corriente por cada uno de ellos, y
.
de acuerdo con un cdigo, formen caracteres numricos o alfabticos (figura 12.5).
Los displays numricos estn formados por siete segmentos y un punto (que corresponde al
punto decimal), sumando un total de ocho diodos emisores de luz.
- - _/
lWI 1Ii71 lWI IWI fSi7Jl\illl\ill

12.5 Oisplays numtico 171\J 171\1171\1171\1/11\1171\1171\1
-------
y alfanumrico con LEO.
Los alfanumricos tienen un mayor nmero de diodos emisores de luz, con el fin de poder for-
mar con ellos cualquier carcter alfabtico.
Los displays se fabrican en diferentes tamaos, y se construyen con segmentos emisores de luz
alargando pticamente la superficie emisora de luz de un nico chip LEO. En la figura 12.6 se pue-
de ver un detalle de la forma constructiva de uno de estos segmentos.
Cavidad difusora Encapsulado de
-.
del segmento plstico LEXAM
/
./ Terminal
Chip LEO de sujecin
12.6 Oibuo esquematizado (con sujecin
en seccin transversal termine! porepoxy Terminal
conductor) de ctodo
de un segmento de display. de nodo
238
El chip del LEO se dispone en el fondo de una cavidad reflectora, que luego se rellena de resi-
na epoxy con partculas difusoras de luz.
La luz emitida por el LEO se distribuye asf de forma uniforme por la totalidad del rea emisora.
obtenindose una Intensidad de luz constante desde cualquier ngulo con el eje, es decir, el seg-
mento queda ilun1inado untorrnernente aunque el origen de la radiacin urnnosa sea el pequeo
chip situado en el fondo.
Con el fin de facilitar la conexin del display, se unen interiormente todos los nodos o todos los
ctodos. dando lugar a dfsplays con nodo comn o a displays con ctodo comn. El empleo de uno
u otro llpo depende del tipo de seal del descodificador (positiva o negativa) que activar los diodos.
Se fabrican tambin displays en los que se Incorporan, dentro de la misma cpsula, resistencias
!imitadoras de corriente. con lo cual se srnplilca el montaje del display en el circuito lrnoreso y, ade-
ms, se ahorra espacio en ste.
Segmento del dlgito

Segmento forrnado por una
uniforn1emente cavidad difusora
iluminado
Chip LEO
Encapsulado
del display
Terminal 12. 7 Construccin tpicade
de sujecin un display de siete segmentos.
En la figura 12. 7 se puede ver el corte en seccin de un display de siete seqrnentos, en la que
se observa perfectamente la disposicin de dos cavidades formando ngulo recto.
Los displays de gran tamao disponen de dos o ms chips de diodos emisores de luz por seg-
mento, ya que uno solo es insuficiente para iluminar todo el segmento.
Cada uno de los segmentos que forman el carcter numrico se denomina con una letra (figu-
ra 12 8).
12.8 Cada uno de tos

segmentos de un display
se identifica por una letra.
Combinando ordenadamente las tensiones directas aplicadas a los nodos puede formarse
cualquier carcter. En la figura 12.9 se muestra cmo se forman las cifras del O al 9. Para ello, debe
aplicarse polarizacin directa.a los segmentos adecuados segun se indica en la tabla 12.2.
I I I _/ _ I I /_ I I I I I I
I I I _ _ I I I I I I I I
12.9 Constitucin de las cifras O a 9 en un display con diodos emisores de luz
239
Tabla 12.2 Segmentos que

se iluminan en un display
al aplicarle tensin directa.
punto decimal
Finalmente en la figura 12 .1 O se ha dibujado el smbolo del circuito electrnico equivalente del

display, que consta de ocho LEO, con sus respectivas conexiones exteriores de los nodos y un
ctodo comn a todos ellos.
A 8 C D E F G PD
12.10 Conexin de los LEO de

un display de siete segmentos y Ctodo
punto decimal con ctodo comn. comn
Los displays citados son los ms corrientes, sin embargo se fabrican displays en los que se re-
presentan otras figuras no alfanumricas, como por ejemplo una serie de segmentos verticales y
paralelos entre s, mediante los cuales es posible realizar vmetros luminosos para equipos de alta
fidelidad.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS DIODOS EMISORES DE LUZ
Para el correcto funcionamiento de un LEO es preciso tener en cuenta una serie de caractersticas
tcnicas que son facilitadas por los fabricantes, mediante valores numricos o mediante curvas ca-
ractersticas.
Estas caractersticas hacen referencia tanto a la parte elctrica como a la radiacin luminosa
producida, siendo las ms importantes las siguientes:
240
www.elsolucionario.org DIODOS EMISORES DE LUZ
Intensidad de corrienteen sentido directo (JF).

Tensin Inversa (VF).
Potencia total (Ptotl
Potencia de radiacin de salida (FJ.
Intensidad luminosa. ( I v).
Curva caracterstica de la intensidad de corriente en funcin

de la tensin directa
En la figura 12.11 se han dibujado las curvas caractersticas JF = f(VF) de dos diodos emisores de
luz, uno de arseniuro de galio y el otro de fosfuro de galio.
IF 120
(mA) I r
G! As
./
100 GaP
flesistencla'dinmu;a
tipica = 1 n 1
L. Resistencia
80 '.,.! dinmica
tpica = 7 o
-
60
/
/
40
I
/
20 12.11 Curva caracterfstica
~
/ IF = f(VF) de un LED de
. 1..1, ~ 1 1 1 1 1 1 1 ars.eniuro de galio y otro
1,0 1,5 2,0 2,5 de fosturo de gallo.
Hasta que no se alcanza un determinado valor de tensin directa (VF) no se inicia la circulacin
de corriente (IF), al igual que en cualquier otro diodo semiconductor, y sobrepasado el codo de la
curva la corriente JF aumenta rpidamente de valor al aumentar ligeramente la tensin VF.
Destaca en estas curvas, comparndolas con las de los diodos de silicio, que al ser el material
base el galio se precisa una mayor tensin directa para que pasen a conducir (uhos 0,6 a O, 7 V en
los de silicio, y unos 1,3 V a 1,6 V en los de galio).
En las curvas de la figura 12.11 es necesario destacar:
1 . Los LEO de arseniuro de galio precisan de menor tensin en sentido directo para entrar en
conduccin.
2. La resistencia dinmica de los diodos de arseniuro de galio es ms pequea que la de los
de fosfuro de galio.
Efectivamente, cada LEO precisa de un valor de tensin directa, y presenta una resistencia di-
nmica que viene dada por los materiales utilizados en su fabricacin y por un conjunto de par-
metros tales como la geometra y rea de la unin.
La resistencia dinmica (R5) es Igual al cociente de. la variacin de tensin directa por la varia-
cin de intensidad directa, es decir,
El diodo emite luz cuando la tensin directa a l aplicada supera el codo de su curva caracte-
rstca IF := f(VF), es decir, cuando circula corriente por la unin. Este valor de intensidad en sentido
241
de paso es del orden de 2 a 50 mA, segn modelo, para que el diodo comience a emitir radiacio-
nes luminosas.
Lgicamente la corriente directa no puede superar ciertos valores sin que corra peligro el LEO
ya que, al igual que cualquier otro componente, los LEO soportan hasta un lmite de potencia de di-
sipacin (dada por el producto VFIF).
Con este fin, los fabricantes indican en sus catlogos la. mxima tensin directa que puede apli-
carse a un LEO para una intensidad de corriente dada. As, por ejemplo, el diodo emisor de luz
CQV70 soporta una tensin directa mxima de 2, 1 V con una intensidad de corriente JF de 1 O mA,
siendo la intensidad de corriente mxima en sentido directo de 30 mA.
Durante un breve instante, el diodo es capaz de soportar una elevada intensidad de corriente en
sentido directo, que en ocasiones puede alcanzar valores elevados. As, los LEO de la serie MV5025
son capaces de soportar en sentido de paso una intensidad de pico de 2 A, siempre que este pico de
corriente sea un impulso de 1 s y que no se produzcan ms de 300 impulsos por segundo.
Curva caracterstica de la intensidad luminosa en funcin de la intensidad

de corriente directa
La curva caracterstica de la figura 12.12 corresponde a la intensidad luminosa (en mcd) en funcin
de la corriente que circula por el diodo (en mA).
t, 2.0
(mcd)
1,8 - - '1
' /
-~
--._
~<O'.
1,6
14 - -

vi
~E ' /
"' <:::>
~ ~ 1,2 /
.~ tJ3 1
E: '<:) 1,0 /
~.~ , 1/
""' ~ 0,8
-{g E: /
-"' o"" o' 6
s~
] 0,4 /
V
_.("']
0,2
12.12 Curva caracterstica 5 10 15 20 25 30
lv = f{JF) de un LEO. IF (mA)
Como se ve en la figura 12.12, la intensidad luminosa aumenta al aumentar la corriente directa,

es decir, cuanto mayor sea la corriente a travs del diodo mayor ser la luz proporcionada por ste.
En ocasiones los fabricantes indican el valor de intensidad luminosa a la corriente directa nomi-
nal. Por ejemplo: 0,25 mcd a 20 mA.
En la figura 12.13 se ha dibujado otra de las curvas caractersticas que suelen facilitar los fabri-
cantes de LEO, y que corresponde a la variacin tpica de la intensidad luminosa en funcin del va-
--
1, 1
1,0 - -
V ,......... ,_
~-._ 0,9 V
-<O'.
...... E
- V ,_ -
v
0,8
-
.!;!
~e<:::> /
-"' 0,7 - -- -
<o "'
: "'
-
0,6 / - ,_ - -
.~ "tl
~
~~ 0,5
.~m,
j
~ ::= 0,4
:::- ..::::.
0,3

0,2 -
O, 1
fa eficiencia relativa en funcin 20 40 60 80 100 120
de fa corriente de pico. Ipico corriente de pico ( mA)
242
DlODOS EMISORES DE LUZ
lar de pico de la corriente drecta, es decir, la eficiencia relativa (intensidad luminosa por unidad de
corriente) en funcin de la corriente de pico.
Esta curva se genera variando slo el valor de pico de la corriente directa, manteniendo cons-
tante el valor medio de la corriente directa. De ella se deduce que el funclonarniento de un LEO es
ms eficaz si la corriente directa que por l circula es pulsante.
Tensin nversa
Corno cualquier diodo semiconductor, tos LED poseen un lmite de tensin inversa de salida, so-
brepasada la cual el diodo puede quedar destruido.
Esta tensin oscila, normalmente, entre 1,6 y 3 V, por lo que deber evitarse sobrepasar estos
valores.
Potencia total de disipacin

ste es otro de los datos facilitados por las fabricantes que tampoco debe ser sobrepasado.
La mxima potencia de disipacin se.especlca Siempre a la temperatura ambiente de 25 C.
pues al au mentar la temperatura dicha potencia lmite. es ms pequea.
En los diodos emisores de luz la potencia de dlsipac1noscila entre unos 50 mW y 150 mW se-
gn modelo, mientras que en los dlsplays se alcanzan valores de unos 400 mW.
Curva caracterstica de la corriente directa en funcin

de la temperatura
Tambin los diodos emisores de luz estn afectados por la temperatura, de forma que cuanto ma-
yor sea sta menor es el valor de. la lntensidad de-corriente en sentido de paso.
En la figura 12.14 se ha dibujado la curva caracterstica de la corriente directa ( IF) en mcin de
la tsmpsratura ambiente (Ta111b).
IF
(mA)
" +-
25
T~
20 -
15 -
10
5
+ 12.14 Curva caracterstica de
la intensidad de corriente directa
en funcin de la temperatura
20 40 60' 80 100
Tamb (C) ambiente.
En esta curva se lee que hasta unos 25 C la corriente directa permanece prcticamente cons-
tante (en este caso en 25 mA). De 25 C a 85 C la corriente JF decrece rpidamente con el au-
mento de temperatura, y a 85 C la corriente directa queda anulada.
Curva caracterstica de la intensidad luminosa en funcin

de la temperatura ambiente
En un apartado anterior se ha Elicho que la intensidad luminosa de un LEO aumenta con la intensi-
dad de corriente directa (figura 12.12), y tambin se ha arrnado que la corriente directa disminuye
al aumentar la temperatura. Como consecuencia de estos dos fenmenos se puede deducir que la
intensidad luminosa de un LEO disminuye al aumentar la temperatura.
243
12.15 Curva caracterstica de la t, 200
intensidad luminosa relativa en
-,
('Yo) 180 "
funcin de la temperatura
ambiente. 160 "\:
I"' <,
,_
140
120
100
80 - 1
<,
<,
-
~
60
1
40
55 25 o +25 +50 +75 +100
t.; (C)
Efectivarnente, en la figura 12.15 se ha dibujado la intensidad luminosa relativa de un LEO en

funcin de la temperatura ambiente. En ella se puede leer que la mxima intensidad luminosa se al-
canza a temperaturas por debajo de O C.
La ordenada de la curva caracterstica de la figura 12.15 se ha dividido en porcentajes de in-
tensidad luminosa (Iv), correspondiendo la intensidad luminosa nominal del 100 % a 25 C, es de-
cir, que a 25 C la intensidad luminosa es la facilitada por el fabricante.
As, supngase un diodo emisor de luz cuya intensidad luminosa Iv sea de 0,8 mcd a 25 C de
temperatura ambiente y con 20 mA de IF. En esta circunstancia, y suponiendo que su curva ca-
racterstica Iv = f(Tamb} sea la de la figura 12.15, si disminuye la temperatura ambiente a O C la in-
tensidad luminosa pasa a ser el 120 % de la nominal, es decir, sube a 0,96 mcd. Si, por el contra-
rio, la temperatura ambiente sube a 50 C, la intensidad luminosa pasa a ser el 80 % de la nominal,
es decir, 0,46 mcd.
La abscisa de la figura 12.15 se ha dividido en todo el margen de temperatura a la que puede
trabajar el LEO en cuestin, es decir, entre -55Cy+100 C, variando entre estos lmites la inten-
sidad luminosa entre 1,52 rncd y 0,44 mcd aproximadamente.
Potencia de radiacin de salida

Otra curva caracterstica de inters es la de la potencia de radiacin de salida o ROP (Radiated Out
put Power) en funcin de la intensidad de corriente directa, es decir, la curva caracterstica <t>0 = f(JF).
Este parmetro indica la potencia que se transforma en radiacin luminosa en el LEO, la cual,
lgicamente, es inferior a la potencia disipada en el componente. Se expresa en W.
Los fabricantes suelen facilitar este parmetro mediante valores numricos {por ejemplo 60 W),
indicando con ello que es la mnima potencia de radiacin que se obtendr en el diodo, o bien me-
diante curvas caractersticas como la de la figura 12.16, ya que como es lgico suponer esta po-
tencia aumenta al aumentar la intensidad de corriente en sentido directo.
.
(W) 1
-
80
70
/ -
60
V
50 ./
40
30 ~
/ ,_ -
~
/'~-
12.16 Curva caracterstica de 20 /
la potencia de radiacin de salida 10
en funcin de la intensidad de
corriente directa. o 10 20 30 40 IF(mA)
244
.
En la figura 12. i 6 una. intensidad directa de 20 mA da lugar a una potencia de radiacin de sa-
lida de 35 W. Al doblar la tntensldad de corriente directa. se dobla la potencia de radiacin de
salida, es decir, que esta curva caracterstica es lineal.
Curva caracterstica de la potencia de pico de salida en funcin

de la corriente directa en forma de impulsos
Dado que el funcionamiento de un LEO es 111s eficaz con impulsos de corriente directa, los tabrt-
cantes de estos componentes facilitan tambin la curva caracterstica de la potencia de pico de-sa-
lida en funcin de la corriente. directa, cuando sta es de impulsos, tal y como se ha dibujado en la
figura 12.17.
2,0
~
3
E
~
{;
:.::::
:;
- -
~ '
--
8 1.0
c::i..
/
./
"'
-~e::
"t:>
<.) / .
-:!'? / 12.17 Curva csrectetlstiie de
& / la potencia de pico de salida en
oo 200 400 600 800 1.000 funcin de una corriente directa
Impulsos de comeme directa (mA) en forma de impulsos.
En esta curva caracterstica se comprueba que, con impulsos de corriente de 200 mA, cuyo va-
lor medio sea el nominal del diodo, la potencia de .salida son picos ds 0,4 mW. Sin embargo, la cur-
va deja de ser lineal a partir de Impulsos d corriente de 400 mA, puesto que los picos de la po-
tencia de salida apenas si crecen de valor al aumentar el valor de los impulsos. de corriente.
Distribucin espacial
Si se observa un LED desde distintos ngulos y a la misma distancia, se comprueba que,la mxima
lumnosldad se obtiene cuando el ojo se encuentra en la vertical del diodo. Esto puede represen-
tarse mediante la. curva de la distribucin espacial de la figura 12.18.
En la curva caracterstica de la figura 12.18 se observa que, con un ngulo de incidencia de O, es
decir, con el ojo situado en el eje de srnetrfa vertical del diodo, la. intensidad luminosa percibida es del
100 o/o. A medida que el ojo se desplaza del citado eje de simetra. hacia un. ngulo de 90 con res-
pecto al mismo, la intensidad luminosa percibida desciende hasta anularse por completo a 90.
o 10 20
30
1,0
0,9
40
0,8
0,7 50
0,6 60
70
80
ctt~EE1~~3==tTI 90 12 .. 18 Distribucin es{Jacial de
0,5 0,4 0,3 0,2 O, 1 la radiacin luminosa de un LEO.
245
As, por ejemplo, si el ojo forma con el eje de simetra del diodo un ngulo de 40 la intensidad
luminosa que percibe es de, aproximadamente, el 35 % del valor nominal, por lo que si el diodo ra-
dia con una intensidad de 1,5 mcd, en dicho ngulo la intensidad luminosa ser de slo 0,53 mcd.
Estas curvas son muy importantes a la hora de elegir un LEO, ya que si ste ha de disponerse
como elemento sealizador dentro de un ambiente luminoso y el observador no siempre se en-
cuentra en la vertical del diodo, sino en un ngulo pronunciado con respecto a l, puede que no
perciba la iluminacin del rnsmo. En este caso debe elegirse un diodo cuya distribucin espacial
sea lo ms omnldirecconat posible.
En ocasiones los fabricantes indican en sus catlogos este parmetro mediante valores num-
ricos, en cuyo caso indican el ngulo en el cual la intensidad luminosa alcanza el 50 % de su valor
SOD63
J2,4 S00/6
_JL_
!,Om.'n-
116 121m::1 - 13.3
12.s
,Q,1
-
;.1 0.56 1,3
4,9 1, t 8.6
1
-4t .
1,30 0,4$
4.l 1
o
t, !V
L
254 2 1 l 4.9
1 4.1
1
1-
l
0.5/J J. t
- /J.4.'i }4.G.'i'.~'1 0, 5!2
48
SOD77
J,0.11.YI
..
- ..
os!C 1 - SOD?4L
G&6
....
'9. -
.". 1
'
!,J
0.56 ~s a:<5
C.45
J 1
L
?.S4 126TF 5,4
5,2
-~
.' 1
S.J
4,9
'l
r o.O.SS~
'
1
O.Sf. 1, 1 - 6.0
S.,$ )3
.-- {),4j t40/,''.'{ 0.9
- sr
'
25.5 .110 4,9
-
S0075 SD75
..,.;.;
12.'
e.
8.3
CC!J' 1.J 4.1
{5 '' L 1
~g
-
L 1-~ 1
2.54 5,0 5,0

12 1 ' ' 1 4.B 4.8
'
1 1
1.t
140rr..b Q.S5
l\61!
0.9 ).2
46
SOD85
:.Orn..'1 -
L---~-i-r
0.$6
, __ ,.,45
~ S. I 4.7
~><< o;?.v1 _
12.19 Tipos de cpsulas utilizadas en LED, con indicacin de sus dimensiones.
246
www.elsolucionario.org DIODOS EMISORES DE LUZ
nominal. As, por ejemplo, en el diodo COY11 C se percibe una intensidad lorninosa del 50 g{J de su
valor nominal cuando el ngulo de visin es de 7, mientras que en el COY 49B es de 80, de lo cual
se deouce que con el CQY498 se percibe mejor su luz desde cualquier ngulo.
CDIGO DE IDENTIFICACIN DE LOS DIODOS EMISORES DE LUZ Y DISPLAYS
Tanto los diodos emisores de luz como los displays se Identifican mediante dos letras y un'nmero
de serle formado por una letra y dos cifras.
La primera letra es una C, puesto que se trata de un dispositivo que utiliza materiales con un
margen de banda de menos de 0,6 eV, tales como el arseniuro de galio.
La segunda letra es una Q, ya que en el cdigo de designacin de elementos semiconductores
esta letra identifica a los elementos generadores de radiaciones; en este caso radiaciones luminosas.
El nmero de serie, precedido de una letra (Y o X) indica que se trata de un componente para
aplicaciones profesionales, aunque en la actualidad est muy extendida su util!zacin en aparatos
electrnicos de consumo (radio, televisin, vdeo, etc.).
CPSULAS PARA LEO Y DISPLAYS LEO
Para finalizar, en las figuras 12.i9 y i2.20 se han dibujado las cpsulas ms comunes de diodos
emisores de luz y dsp/ays realizados con esta clase de. diodos. con indicacin de su denorninacin
y dimensiones en milmetros.
COY81, 81A COYB1. 1B 1IJ'; , COY81, BIA, 81/'J
.5,2 10'
-1--'' '
10,16m~ 1!J.05 _
r-1 --. ,~
!!
J,01'
--:-
'1
1 ' 14 1 11 : 14
1.a
. ~ b'
''
1
' '
''
'
1t/s
l ' 5,0
-
1
9,65 :' 1 ,;_ - - -
0.30
J'A__ ' 1.41 .1,60 : 0,51 mln
- 2;54~-t. 40
7,6
- __ 0,20 .:
EfTJc oso
1:.
,,,_,_ 1.62
cD LB
-
1.21 mx
l 0,30
'12.X2_.54
H 9.65 - max 0,90
5.7 '
1 7 i 8 1 7 8
_J!.0 L.
'
CQY82. 82A COY828 10' CQY82A,828

_.-
19 o
-----''
,,, :~!!;O 12.1 mx
11
1,0 t(l'
1- / r. r
~=o\TTT"CT\TTT~1 J
''
1,
.
1 '
1 -t 14 1d 1
'' B,0
''
IJ
' '
1
A I 1 ' 1
05 6.0
Fl '
"'.
IG 1---W '
~~g , "
".9' "1. - 0.51 mn
o. 9-
El 0! e
11,0 A !02lJ ' 'ju 3.6J_~
e
- - -- 0.30
1 [ ' . !
O D ~2_ 256 mx
'
u,
.... 1
95
- -' 2,54
1ntx
1,40
a,go
'12x2.56
3,2 7 ' 8 7 8
4,95 5.!~
12.20 Cpsulas para disp/ays LEO. con indicacin

de sus dimensiones.
247
COY84 CQY84
.
2832mx .
296
r
1 1 !' 18 8,0
:A ' 6,0
F
1
' 0.36 3,9 ~ ~~.51 mln
1
'
8
0.20 .~ !' ~~
' 3,6
19.6 I . -
--.._,_ 1524
1
1
16x2,56
-- 0.5
E e
o

14,8
9 H 10
1
L g95 -1
COXB5 COX85
1
''
12 to:
''
245mx
- 296

-
1 1
. . A i 18 B. o
1
1
6.o
1
. ~ J
1 :
'
MI
1
' ' 36 ' 0.51 min
F B
11 3.0 1
'
- -- I 115.241 ~ . --- 0,59=-,
--
19,6
I E ' '
e "l 5,0
mx
1
.
16x254 0,38
5,08
1
mx
'
' 14.8
1
. -'-' 1
9
' H
1
11 10: 12,20 Cpsulas para displays LEO, con indicacin
1.2 ~-2.1 de sus dimensiones. (Contnuacin)
12 '
248
Transistoresbipolares
INTRODUCCIN
La palabra transistor est compuesta por la unin de las palabras transferencia y resistor, ya que el
funcionamiento de un transistor se basa en una transferencia de energa por medio de unas varia-
ciones de resistencia.
En el estado actual de la tecnoloqla los transistores se dividen en dos grandes grupas:
Transistores bipolares.
Transistores unipo/ares.
En este captulo se trata la constitucin, funcionamiento y curvas caractersticas de los transis-

tores bipolares, dejando el estudio de los unipolares para el siguiente captulo.
UNIONES NPN Y PNP
Sea una unin PN a la que se agrega un nuevo cristal tipo N que haga contacto con el cristal P (fi-
gura 13.1 a).
En esta circunstancia el cristal P queda entre dos cristales N (figura 13.1 e). El mismo resultado
se obtiene si dos uniones PN se unen por el cristal P (figura i 3.1 b).
Esta unin de tres cristales constituye el transistor, que en este caso es del tipo NPN, ya que el
cristal P es comn a. las dos uniones PN.
Bajo el mismo principio constructivo, pero utllizando como cristal comn de las dos uniones PN
el cristal N, se forma el transistor PNP (figura 13,2).
El cristal comn a las dos uniones del transistor recibe el nombre de base. Los otros dos cris-
tales extremos se denomlnan colector y emisor respectivamente.
p p
p
a)
a)
p .... b)
p p .. ..
b)
p
p p p
e)
e)

13.2 Constitucin de un transistor PNP.
13.1 Constitucin de un transistorNPN.
249
TEORA DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
Supongamos un transistor NPN, al que se le aplica una tensin negativa a la base con respecto al
emisor (figura 13.3).
En esta circunstancia la zona Z.1 de la unin emisor-base adquiere un valor de elevada resisten-
cia hmica, puesto que los electrones libres del cristal N son atrados por el potencial positivo de la
fuente de alimentacin, y los huecos del cristal P por el negativo de la misma fuente, desapare-
ciendo de la zona Z1 los portadores de carga. Se trata pues de un diodo polarizado en sentido in-
verso, por lo que la corriente a travs de la unin ser prcticamente nula.
1
Emisor Colector
N p N
13.3 Si entre emisor y base . '
i
de un transistor NPN se aplica
una tensin en sentido inverso, Base
se forma una zona aislante en fa
unin Z1 que impide la circulacin
1
de fa corriente elctrica.
S se polariza dicha unin en sentido directo, es decir, con el positivo de la fuente de alimenta-
cin aplicado al cristal P y el negativo al N, la unin Z1 adquiere un valor de resistencia muy bajo,
ya que los electrones del cristal N y los huecos del cristal P son repelidos por el negativo y el posi-
tivo de la fuente de alimentacin, respectivamente, hacia la zona Z1, en donde se recombinan. La
fuente de tensin contina surninstrando electrones al cristal N, por lo que se establece un paso
continuo de corriente elctrica a travs de la unin (figura 13.4).
Emisor Colector
N p N
.
13.4 Si entre emisor y base
de un transistor NPN (unin Z1)
t Base
se aplica una tensin en sentido
directo, circula una corriente V

elctrica a travs de Ja unin. 1
El funcionamiento de la unin base-emisor de un transistor es por tanto idntica a la de cual-

quier diodo rectificador, es decir, deja pasar la corriente cuando est polarizado en sentido directo
y la bloquea cuando se polariza en sentido inverso.
Los mismos resultados se obtienen en la unin Z2 cuando se aplica un potencial elctrico entre
base y colector, tal y como se indica en las figuras 13.5 y 13.6.
Emisor Colector Emisor Colector

N N p N
t
Base Base
V 1
1
13.5 Si entre base y colector de un transistor 13.6 Si entre base y colector de un transistor
NPN se aplica una tensin en sentido inverso, NPN (unin Z2) se aplica una tensin en
se fonna una barrera en fa unin Z2 que sentido directo, circula una corriente elctrica
Impide fa circulacin de fa corriente elctrica. a travs de fa unin.
250
TRANSISTORES BIPOLARES
.z, 13. 7 Si entre emisor y colector

~----~--~ de un transistor NPN se a.plica una
Emisor Colector tensin elcttice con el positivo a
colector, se forman dos pequeas
barre.ras en las uniones Z1 y Z2 y
Base por el transistor slo circula una
pequesima corriente de fuga,
de valor despreciable.
Supngase ahora un transistor NPN al que se le aplica una tensin continua entre emisor y colec-
tor, de forma que el polo positivo quede aplicado al colector y el negativo al emisor (figura 13. 7).
Con esta polarizacin, los electrones libres del emisor (cristal N) los repele el polo negativo, mien-
tras que los electrones libres del colector (cristal N) los atrae el polo positivo. De todo esto se deduce
que se produce un desplazamiento de las cargas en sentido emisor a colector.
A pesar de ello, los electrones del emisor no poseen la suficiente energa para atravesar las
uniones Z1 y Z2, las cuales, al ser zonas aislantes sin portadores de carga, entorpecen el paso de
la corriente. La corriente a travs de los cristales es, por tanto, muy pequea, considerndose a
efectos prcticos como una pequea corriente de fuga.
La principal barrera que se opone al paso de los electrones hacia el polo positivo la constituye la
unin Z1, ya que una vez atravesada sta los electrones se encontrarn bajo la influencia del campo
elctrico del polo positivo de la fuente de alimentacin y atravesarn sin dlficultad la unin Z2
Para eliminar la barrera Z1 basta con polarizar en sentido directo la unin base-emisor (figura 13.4).
Asl pues, si-se aplican los potenciales representados en la figura 13.8 a cada uno de los cristales
del transistor, queda eliminada la barrera Z1, y los electrones libres del emisor la atraviesan, siendo
atrados por los potenciales positivos de la base y del colector.
z, Z2
Emisor Calector
N p N
1
Base ~ Ic
IE ~ Is 13.8 Si se polariza un transistor
NPN en la forma matceae en la
1
ll
V
1 figura, ste pasa a ser conductor.
Dado que el potencial posltlvo del colector es mucho mayor que el de la base, ya que el de sta
slo sirve para ellf"hinar la barrera Z1 (unos 0,7 V en fransistores de silicio}, los electrones se sienten
ms atrados por el colector, por lo que se obtiene una elevada corriente de colector (Je} y una pe-
quea corriente de base ( I a).
La corriente de emisor (JE) es Igual a la suma de las corrientes de colector y base, tal y corno
se deduce de las leyes de Kirchhoff:
Naturalmente, la cuanta de electrones que se dirigen hacia el colector o haca la base depende
de la proporcin en que el colector est polarlzado ms positivamente con respecto a la base, de
forma que si las dos tensiones son iguales, prcticarnente ningn electrn se dirige hacia el colec-
tor por estar ste ms alejado.
Si en lugar de una tensin positiva con respecto al emisor se le aplica a la base una tensin ne-
gativa con respecto al emlsor, la unin Z1 queda polarizada ' en sentido inverso y, corno consecuen-
cia, no circula contente alguna por el transistor (figura 13.9}.
251
13.9 Si se ootsttzs un transstor

NPN en fa torms indicada en la 1 "t
Emisor L p 1 Colector
figura, es decir. con una tensin
negativa en fa base con respecto
N
tin i '1
1
1
N
al emisor. por el transistor deja
de circular la corriente elctrica. Base
1
-ilI
En resumen, en un transistor NPN se obtiene paso de corriente entre emisor y colector cuando
a la base se le aplica potencial positivo con respecto al emisor, y se consigue un bloqueo al paso
de la corriente cuando a la base se le aplica un potencial negativo con respecto al emisor.
Todo lo expuesto es vlido para los transistores PNP, con la diferencia de que en stos la con-
duccin se produce cuando se aplica tensin negativa al colector con respecto al emisor y una ten-
sin tambin negativa, aunque de inferior valor, a la base con respecto al emisor (figura 13.10).
En el caso de polarizar la base positivamente con respecto al emisor, la unin Z, se hace in-
franqueable para los electrones libres del emisor, ya que la unin base-emisor del transistor PNP
queda polarizada en sentido inverso y, por lo tanto, la corriente de colector ser nula (figura 13.11 ).
z, z,
Emisor p N ~+
Vil
p Colector Emisor
p ~u~
.3-
,,.
r
1
N
1
,.
J
1
1
p Colector
Base Base

1
t !8
1 1 1 1 1 1 1
13.10 Si se polariza un transistor PNP 13.11 Si se polariza un transistor PNP en la
en la forma indicada en Ja figura, forma indicada en la figura, con una tensin
ste se hace conductor. positiva en la base con respecto al emisor,
por el transistor deja de circular la corriente
elctrica.
En las figuras 13.12 y 13.13 se han dibujado los smbolos representativos de los transistores
NPN y PNP respectivamente. En ellos el emisor se simboliza con una punta de Mecha, igual que el
nodo de un diodo. Si el transistor es un PNP la punta de flecha seala hacia la base, ya que, al igual
que los diodos, la punta de flecha indica que se trata de un cristal P. La punta de flecha en sentido
opuesto a la base nos indica que se trata de un cristal N.
Emisor Emisor
Base Base
Colector Colector
13.12 Sllnbolo de 13.13 Smbolo de

los transistores NPN. los transistores PNP
252
www.elsolucionario.org TRANSISTORES BIPOLARES
Para la polarizacin correcta de un transistor debern tenerse presente los siguientes puntos:
Al emisor debe aplicrsele polaridad del mismo signo que el cristal que lo constituye. SI es
un cristal N se le aplica polaridad negativa, y si es un cristal P polaridd positiva.
A la bese tambin se le aplica polaridad del mismo signo que el cristal que la constituye. Este
potencial debe ser menor que el aplicado entre colector y emisor.
Al colector se le aplica potencial opuesto af cristal que lo constituye. Si es un cristal N se le
aplica polaridad positiva, y si es uh cristal P se le aplica polaridad negativa. Este potencial
debe ser mayor que el aplicado entre base y emisor.
Transistorde puntas de contacto

Los transistores de punta de contacto constan de una plaquita de material N o P (la base) sobre la
que estn aplicadas dos puntas metlicas que actan como emisor y colector (figura 13.14}. Las dos
puntas metlicas estn a una distancia de unos 50 mm una de otra.
13.14 Transistor de puntas

de contacto. E: emisor.
8 B: base. C: colector.
El material del emisor y colector se obtiene al soldar las puntas con el material base mediante
un impulso de corriente, lo que tiene por efecto que stas Introduzcan impurezas en el cristal de
base, creando zonas de unin alrededor de dichas puntas, de naturaleza opuesta a la de la base.
En la figura 13.15 se muestra un corte esquemtico de un transistor de puntas de contacto, in-
dicando sus partes constituyentes.
1 13. 15 Corte esauemstico de u11

transistor de pu11tas de contacto.
1) Cpsula metlica o de resina
2-- epoxi. 2) Cristal tipo Po N. 3) Cierre
soporte de resna epoxi. 4) Puntas
de contacto de tungsteno, separadas
unos 50 p m, y en cuyos extremos se
3-- -6 forma el cristal de naturaleza opuesta
al de fa base. 5) Soporte metlico
--7 del semiconductor. 6) Terminal de
conexin del emisor. 7) tetminsl de
---1---1 ---- 8 conexin de la base. 8) Terminal
de conexin del colector.
Debido a las extremadamente pequeas zonas de cristal opuesto al de la base; y a la pequea

distancia existente entre colector y emisor, la capacidad interelectrdica que se crea es pequesi-
ma, lo cual hace a este tipo de transistor idneo para trabajar en etapas de radiofrecuencia.
Por el contrario, y por los mismos motivos, no soportan intensidades de corriente elevadas, por
lo que no pueden ser utilizados en etapas de potencia.
Transistorde unin
Se denominan transistores de unin a todos los que estn formados por capas superpuestas de
material semiconductor.
253
13.16 Transistor de unin.

E: emisor. 8: base. C: colector.
C B E
En la figura 13.16 se muestra la forma constructiva de un transistor de unin, formado por una
placa de semiconductor tipo N de 0,2 mm de espesor, que constituye la base, sobre cuyas caras
se aplican el emisor y el colector en forma de dos bolitas de material P (generalmente aluminio en
los transistores de silicio).
La penetracin en el cristal de la citada impureza se regula de forma precisa, de rnanera que la
separacin entre el emisor y el colector sea de tan slo 50 m.
Debido al grueso de la unin, las capacidades interelectrdicas de estos transistores son relati-
vamente elevadas, lo cual limita su empleo a frecuencias inferiores a 20 MHz.
Como ventaja cabe destacar que admiten mayores intensidades de corriente, lo que permite su
utilizacin en etapas amplificadoras de potencia.
El cristal de colector es mayor que el de emisor (figura 13.16), de forma que en la unin de co-
lector se recogen mejor los electrones que dan lugar a la corriente le del transistor.
En la figura 13.17 se muestra el corte esquematizado de un transistor de unin, con indicacin
de todas sus partes constituyentes.
1
... .
2 -~ ... '
!""
.' 5
13.17 Corte esquemtico de u11

transistor de unin. 1) Cpsula
metlica o de resina epoxi. 3 ,.,-'-'~t~:r
lhiili Pi if'I
2) Grasa protectora de silicona.
3) Sujetador de plstico. 4 .. .
~ _,,,,,, (M:i:t , tt?' itl~l~I
-
4) Tapn soporte de resina epoxi. 6
5) Transistor. 6) Terminal de
conexin del emisor. 7) Terminal 7
de conexin de la base.
8) Terminal de conexin
del colector.
- 8
Para finalizar, diremos que se fabrican transistores de unin para pequeas y grandes poten-
cias, dependiendo del refuerzo de las uniones y de la preparacin del conjunto para la evacuacin
del calor.
Los transistores de unin se fabrican con la tcnica de la difusin cuando han de ser utilizados
para trabajar en RF, ya que esta tcnica permite realizar uniones de reducido espesor. Sin embar-
go, y debido a los avances tecnolgicos de los ltimos aos, es posible la fabricacin de transisto-
res de silicio por la tcnica de la difusin tanto para alta como para baja frecuencia, pequea o gran
potencia, realizndose tipos capaces de trabajar perfectamente en etapas de potencia de RF.
La tcnica de la difusin en sus distintas variantes es, pues, la ms utilizada hoy en da en la fa-
bricacin de transistores de silicio.
254
Transistorpor difusin planar

El transistor por difusin planar, tambin llamado transistor planar, es un transistor de unin formado
por una plaqueta de silicio tipo Po tipo N la cual constituir ms tarde el futuro colector (figura 13.18).
Esta plaqueta se reviste por uno de sus lados de una capa de xido de silicio; sobre esta capa
se practican, mediante tcnicas totoqumicas, unas ventanas a travs de las cuales se difunde ma-
terial donador o aceptador, formndose la base del transistor. A continuacin se difunde el emisor
sobre la base mediante idntico procedimiento.
8 E
13.18 Transistor de unin por

difusin planar tipo PNP. B: base.
4 E: emisor. C: colector. 1) Conexiones
de aluminio. 2) Cristal tipo P del
emisor. 3) Cristal tipo N de la base.
4) Cristal tipo P del colector.
e 3 2 5) Capa aislante d xido de silicio.
Una vez realizadas todas las operaciones de difusin, se recubren las ventanas con un sustra-
to de xido de silicio.
Sobre esta ltima capa se practican ventanas, que servirn para establecer tos contactos exte-
riores para los terminales de base y emisor. En la parte inferior de la plaqueta de silicio se conecta
el terminal de colector.
Segn el tamao y separacin entre los cristales que forman el transistor, se obtendrn transis-
tores con mayores o menores capacidades interelectrdicas, y ms o menos capaces de soportar
elevadas intensidades de corriente elctrica.
Los transistores planares de potencia pueden fabricarse tanto en versin PNP como eh versin
NPN, admitiendo tensiones de unos 1 O.O V e Intensidades mximas de corriente de unos 1 O A.
Transistorhomotaxial
El transistor homotaxial, denorninado tambin de difusin nica, se fabrica a partir de una plaqueta
de material P homognea sobre la que, al contrario del planar, no se forma ninguna capa de xido.
Durante el proceso de difusin, el material donador penetra en el interior de la plaqueta por am-
bos lados, formando as el emisor y el colector. El material P entre ambas capas constituye la base
del transistor.
Para reducir al mximo posible la cada de tensin en sentido directo del colector, se elimina,
mediante ataque qumico, una delgada capa de material de la parte del colector.
'
Estos transistores resultan extraordinariamente robustos y adecuados para trabajar con eleva
das intensidades de corriente, por lo que resultan idneos para trabajar en etapas amplificadoras de
potencia en BF.
Debido al gran espesor de la base, la frecuencia de (rahsicin (producro de la ganancia por el an-
cho de banda) no es muy elevada (del orden de 1 MHz), y las tensiones admisibles pueden llegar a ser
de hasta 1 00 V.
Los transistores homotaxiales slo se suministran en versin NPN.
Transistor con base epitaxal

Se denomina epitaxis el proceso tecnolgico de fabricacin de transistores, en el cual se origina el
crecimiento del material semiconductor n estado de cristal sobre otro material semiconductor
tambin en estado cristalino.
Los transistores as fabricados se denominan transistores mesa, y se obtienen haciendo crecer
una delgada capa de silicio poco dopado y, por lo tanto, de elevada resistencia, el cual constituye la
base, sobre un sustrato de silicio fuertemente dopado (baja resistencia) que constituye el colector.
255
Una vez efectuado el proceso descrito, la capa base se recubre con xido de silicio.
El emisor se obtiene practicando una ventana, mediante proceso fotoqurnico, sobre la capa de
xido de silicio y difundiendo el emisor sobre la base.
Las conexiones externas de la base y el emisor se realizan a travs de ventanas obtenidas me-
diante operaciones de oxidacin y fotograbado.
Dado que el proceso de formacin de la base es, en este tipo de transistores, muy lento, el es-
pesor de la misma puede ser controlado con gran precisin, por lo que pueden obtenerse bases
de espesores muy reducidos, permitiendo con ello que las capacidades interelectrdicas puedan
ajustarse y fabricar as transistores que trabajan a muy altas frecuencias.
Los transistores de base epitaxial pueden trabajar con tensiones de hasta 200 V y con inten-
sidades de corriente elevadas, lo que los hace especialmente indicados para trabajar en etapas
de potencia.
La frecuencia de transicin mxima de los transistores de base eptaxial alcanza unos 5 MHz.
Se fabrican tanto en versin PNP como en versin NPN.
Transistores mesa semiplanares

En esta tecnologa se parte de una plaqueta de silicio no oxidado que se expone a un proceso de
difusin, es decir, se trata de un proceso similar al de la tcnica homotaxial, con la diferencia de que
en el caso de la tcnica mesa semiplanar el material que permanece entre las dos capas difundidas
constituye el colector, mientras que en el caso de la tcnica homotaxial constituye la base.
A continuacin se elimina por completo la capa difundida Inferior, despus de haber recubierto
toda la plaquita con una capa de xido de silicio.
El proceso siguiente consiste en difundir en la capa superior (base) el emisor, mediante tcnica
planar.
La denominacin de estos transistores proviene por tanto del hecho de que la unin emisor-base
se obtiene mediante tecnologa planar, y la unin base-colector mediante tecnologa mesa.
Estos transistores son menos robustos que los de base epitaxial, pero poseen una frecuencia
de transicin muy elevada, que alcanza los 50 MHz y pueden trabajar con tensiones muy elevadas
(hasta unos 1.500 V).
Slo se fabrican en versin NPN.
CPSULAS PARA TRANSISTORES
Existe una gran variedad de cpsulas para transistores, tanto en plstico como en metal (figura 13.19).
El tamao de la cpsula y de los terminales es una orientacin que nos permite, a simple vista,
clasificar a un transistor dentro de los grupos de pequea o gran potencia. Cuanto mayor sea la in-
D
Colector o
Base Emisor Q
Base Emisor
Colector Base Emisor
Colector
.
Colector
'
O' '
'
13. 19 Dibujo de algunas de las /

o
i.
Emisor ssse
cpsulas utilizadas en transistores. 0
256
En1/sor
Base
Emisor
Colector Colector
13.19 Dibujo de algunas de las cpsulas utilizadas en transistores (continuacin). En este caso, se trata
de cpsulas para montaje superficial (SMO), de dimensiones muy reducidas.
tensidad de corriente admisible por el transistor, mayor deber ser la seccin de sus terminales y
mayor el tamao de la cpsula para una meior refrigeracin. Adems, todos los transistores de po-
tencia poseen cpsula metlica, ya que el metal es mejor conductor trmico.
En la figura 13.19 se puede ver el aspecto de diversas cpsulas para transistores y en la figu-
ra 13.20 se indican las denominaciones de cada una de ellas y la disposicin de los terminales de
colector, base y emisor. as como las dimensiones en milmetros.
_ SOT25 (2} J~
SOT25 (1)
1_s.s 1-
b

\1
1
m::::6
e
1.51
t,fmi1.
1- \1
ls.1
~
1 2.*
.1
.e
l,3/N.(
r;;,cy ~ 4 m.1.(
-,
1
6,"
{.'~J(
IA 1-.L-...,..,J.-~-L,-,--'
i,v i
Cl
,,....~.
- - 015 _l'rl5
- ra
J.2l -
SOT37 (1) SOT37 (2)

,.
f (il.~'I
'

r _J.,l
.e
(f'I
6,6

L
7.3
L
1
o,s 1
0.1-1 .
.._,' L.
' .1
13.20 Cpsulas para transistores con indicacin de sus dimensiones.
257
SOT37 (3)
- SOT37 (4)
- e

e 1 :r.t/.
b
4,8 1 l.~ S,8 14,S
es
ltt;x tr.lK '1\IX
1
J.5 t o
m.Vi
.,
0.2' ,n;jx
/, 1 1 1()5mkt
-i--
:.o
2,l ,r.;ix
2.Jmx
SOT41 .
'1 - SOT42
e -IIll
0.6
/,8
21 b -ED ; tr.':
1 1 1 0.6
'' ' e- :jl'D- -- !__,__ __ ~ 1
' '' 1 '
'' ' ' IV
Q.23m.Jx
'' '
''
1
'
' 1
f2.S
,
--
e
"- - - - - - - -1=====::::1
r
1- ......... - - "' l=====::::i
' 6.4
SOT48 (2) o. !47

11! _: -c::=Q _l.(Q/
1 - 6,Sm;>Mi
1
J,fi {Af,'(
- -
-
25m\r; o $.35 8-Sl?I
{.,'/;'C "7
,
"~I
u
.
. __]. ..
b
-!2,0
11,2
?,O
-
.,
3;
J
J.7 ?.7
----- 1-
~i5:r.,V'
-
5,7$ (j\~X
-
- 25.'iliX
-
13.20 Cpsulas para transistores con indicacin de sus dimensiones. (Continuacin)
258
SOT48 (3) s
t.1
1,52~
'
s32iJl'C 1\<fi1Pt

.,
1 _
.
"26!"
. 1
1
J__ O.IL
9.15 !l~.t.i: J 1,-.A.V
--
-Ls~ J
25mh1 ... f2/i~
8
-- :12
SOT48 (4)
'
'ii'
1, 1 Q!J,'i
& e 'lJj
l
r.o.
2S rn~'i 14

' ....
l
9.!t; ...
9.75 r.\t
sotes O,<!
e "' ~.23
-~ 1 l
'1.8
1 ~;'.IJ '' i/4 '=28 LIA\r:

1
,, .4 ..
21
1
(')
1
t e
J
~ .
6}!
" ' ,3,5 ---

8.5
J
21 :~:5 1.2 tJ,2
2(.2
208
259
SOT56 0,14! SOT82 2.s

06-
li.107 2.J
c.
l.6ml11 (4)
u,4
- 1.8:M~
-
'
1 ' '

D : ''
''
...
,_,
3,0 )$~
1 3.1~
- -.- -- - - -
--'-
1
f') -
J-----!
10 31. UNF
1 ~-65
9.(19 '
' 1
'
~.67\'!X_.. -
3:0! ' $.~
'>j
J,S_ 2.55
~~~~?~~~~~ 27
-
t/,td
_pJJ. ..,.
,,_
..,,(::)
' ''
1
e
~
e
~ __
---
,_ 1
l<lijo. 11(1:~ 1 B (l;?i 229
SOT105
CIJ 5,;
<,9
T01
1
'

f.--.--->.
-r '
5,9;ruv
b
9.S '
9.4mt.x
' ..9
S.5
."
v,,,
- r-:PJ.L
'
282 :r.W 1
1032/)Nf
' T01 (1)
9.lSrr4..r 1 -
f
--- 1-
-1
,_ 9 8:r.-A1.'
.,,t-
31.L_ -G
.- ..
- - t.S,r,.t..
!.J.18~1._ ,.... 12 :1;11

' t-~
45
,_ r~.rmJ~ 38,: iiJll
-
l1,5
4.0 . -
W.l
--- t.2::J.1:
T03 (1) 2~~ _ssir; L T03 (2) 26,6 1T'2.V
r- .
9.5 t:l?K
3.1!!
~,6
Cj)
' ' ~ri,
. -'
2 e
r- _j4',2
. ---i '
'
IC.9 1 15.9
'
,Mr ! 1
39.S
' - 'J!)l$. 1 .
'
2QJ
l~i . 1.c
.n.s
,'!i\t: Ja1
-$
1
-(!{- 211.3
!itdK
1 :.a
' '
e 1
1
'
1
'
.
1

o -.
[~~s- ~
.
13
__11 13
-~J- :~
260
T05 (1) T05 (2)

/ ~-1 ,.
0.55A>#f. /,'(
,,(!/'-
-
'
h c==ro'
"'==:::::i ----
0,4iftr.itl. Q.llf."'~!I' .,(.
.:;..,......,..,..__
/ !
,
...
fl ..,._ . 11;.;
"' 1 l '
,"l',j.1
u'2.i:
.__
'
1
5.CS
9,.t(;l~i
e
1.,,,l .6~ . se. r ,nin J 8.EmiJ. 38.I min _
T018 (1) T039 {1)

/ 4.7.- e
a.&>(J\.:lx .r :<
. .,
l
' '{/ ""' 1' '.,

!. ":
l?l:l
iMf '
- .__
1
l
S,31T.>
1
11.lm.:r.
- s.C:I
9,,.~ _I ' ~$~
T060 T0126
~
(J ,'().32 ilNF ,_
1 _\ 1...1
j
!.
e::-- -~
1 1
-,-, .
28 - ~.
i;
40
mit
'
1 --
--

3 J )/Ml
6.Gtr;.:t 1.ti~I. ' ' '' 15,b

1
'' '
'
ll.SO
;~-2
- ,'1.5'0M
'
'
1
' _,'' '"''

' ----------
1
l
~ -
S, I
,.;,
T072 (1) T072 (2) '
1 1
1. :6ma~ /.:X
/ (5' -1 ' ,, 45>
~ ffj;!$: /\..Y.
/1 '1 tu
"""'
.~:~'X~w 1
''
,(<
1'.tK
/.
.~~'
.
J
4,$
Oll>-.
LJ 1
'---
"--f 1/ ..,,_..,.
-
-
1l Q.9.,'ll=U 1- Q(
' 21'4 e lJ.54 <.6

' -5,8.f'i-,J.i. 1
---- 5.6'r:i:tt
T092 (1) T092 (2) T0220 (1)
- _,
- .;
.3,2,
3.0L_ -( 1)
..
1'" .
1 11,tmJx
1 1
'
1
j '
2.$4r,t.; 1'
_ i;
T092 (3) 1
'
5.?r,l(JX
- . . - 1
4.~ 2$'

o 1
1
' e
'"" -' - 1
1
1- -
".5
1!._!!\.,..
- -
Z.Sdy~)
261
En muchas ocasiones los transistores han de trabajar con potencias superiores a la mxima ad-
misible por ellos, en cuyo caso han de disponerse aletas de refrigeracin que se fijan al transistor
mediante un sistema de presin o tornillo.
En el supuesto de utilizar tornillos para sujetar el radiador al transistor, la cpsula de este ltimo
debe disponer de uno o dos orificios que permitan el paso del tornillo (figura 13.21 ).
13.21 Constitucin de un transistor 1

en cpsula SOT93. 1) Cristal de vidrio
pasivado. 2) Unin eutctica oro/silicio. 5
3) Peine soporte de cobre rfgido. 2
4) Terminales de conexin de aluminio. 6
5) Hilos de conexin soldados
ultrasnicamente. 6) Encapsulado
especial de plstico de silicona.
7) Terminales de cobre estaado.
8) Orificio para la sujecin del radiador
medisme tornillo.
8
e 1 4
3
Para finalizar con el estudio de las cpsulas utillzadas en los transistores, a continuacin se ha-
cen algunas observaciones sobre los tipos ms corrientes.
Las cpsulas TO 18, TO 39 y TO 92 son de resina epoxi, y se utilizan en transistores para pe-
quea seal y baja potencia.
Para medias potencias la cpsula es metlica y puede disponer de orificio para la sujecin de
un radiador (cpsulas TO 12 y TO 220).
Para grandes potencias el tipo de encapsulado es del tipo TO 3 y SOT 93A, en los que el co-
lector va acoplado trmicamente a un gran dispositivo radiador, es decir, que el propio cuerpo me-
tlico de la cpsula, que est unido al radiador, hace las funciones de electrodo de colector y, por
lo tanto, el transistor slo dispone de dos terminales (el de base y el de colector).
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS TRANSISTORES
El transistor es, sin duda, uno de los componentes electrnicos en los que deben tenerse presen-
te ms parmetros, razn por la cual este captulo es algo ms extenso.
En un principio se han de considerar las magnitudes elctricas presentes en un transistor, tan-
to en rgimen esttico como en rgimen dinmico.
-
19
-VBE
r .....
" "' ,
~
-VcE
l f
JE
V
13.22 Tensiones y corrientes -1 1 J:
presentes en un transistor PNP
en rgilnen esttico. -
En la figura 13.22 se representa el esquema de un transistor PNP montado en emisor comn
(emisor comn a la entrada y a la salida del circuito), en el cual estn representadas las principales
tensiones y corrientes que aparecen en l en rgimen esttico.
Estas tensiones y corrientes son las siguientes:
262
TRANSISTbRES BIPOLARES
- le = corriente continua de colector (sin sefial).

I 8 = corriente continua de base (sin seal).
JE =corriente continua de emisor (sin seal).
-VcE =tensin continua entre colector y emisor.
-V8E - tensn continua entre base y emisor.
-Vcc = tensin de la fuente de alimentacin del colector.
-V88 =tensin de la fuente de polarizacin de la base.
Como se puede apreciar, los smbolos utilizados para designar las tensiones y corrientes de base
y colector van precedidos del signo menos, ya que estos electrodos reciben una tensin negativa
con respecto al emisor (transistor PNP).
Las magnitudes se representan por letras maysculas, por tratarse de tensiones y corrientes
continuas, y los subndices estn en mayscula por el mismo motivo.
- Is
VBE
1
~
/
.... VcE
--
t-Jf 13.23 Tensiones y corrientes
1 =I presentes en un transistor NPN
en rgimen esttico.
S en lugar de un transistor PNP, el transistor fuese NPN (figura 13.23), las tensiones y corrien-
tes tomaran signo opuesto, es decir:
I 0 = corriente continua de colector (sin seal).

18 =corriente continua de base (sin seal).
I E = corriente continua de emisor (sin seal).
VcE =tensin continua entre colector y emisor.
V8E =tensin continua entre base y emisor.
Vce. = tensin de la fuente de alimentacin del colector.
V88 =tensin de la fuente de polarizacin de la base.
Obsrvese, comparando las figuras 13.22 y 13.23, que slernpre se toma como referencia de me-
dida el colector o la base con respecto al emisor, por lo que si, como es lgico, las fuentes de alimen-
tacin cambian de polaridad segn el tipo de transistor, resulta evidente que las tensiones cambia-
rn de signo en un transistor NPN con respecto al PNP.
Por el mismo motivo, las corrientes de base y colector son siempre de signo opuesto a la co-
rriente de emisor, tanto si el transistor es un PNP como si es un NPN, ya que, como se sabe, JE
siempre es igual a la suma de I 8 + le y, por la ley de Kirchhoff, la suma de todas las corrientes que
llegan y salen de un punto de un circuito es igual a cero.
Se entiende por rgimen dinmico el estado de funclonarniento de un transistor al aplicarle una
seal alterna entre base y emisor (caso de un transistor montado en circuito .emisor comn).
En las figuras 13.24 y 13.25 se han representado las principales corrientes y tensiones en rgi-
rnen dinmico de un transistor PNP y otro NPN, re.spectivamente.
En ambos casos se trata de corrientes alternas eficaces, por lo que.se representan por letras
maysculas y subndices en minscula. En ningn caso se indica polaridad, puesto que la.corrien-
te alterna cambia continuamente de sentido.
263
1
l
lo -
~
1
r.. Vce
~ Vb
1-J t 1.
V e 111.- 1 : I
13.24 Tensiones y corrientes 13.25 Tensiones y corrientes
presentes en un transistor PNP presentes en un transistor NPN
en rgimen dinmico. en rgimen dinmico.
Las tensiones y corrientes presentes en los circuitos de las figuras 13.24 y 13.25 son las siguientes:
I e = corriente alterna de colector.

Jb =corriente alterna de base.
10 = corriente alterna de emisor.
vce = tensin alterna entre colector y emisor.
Vt>e = tensin alterna entre base y emisor.
CURVAS CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR
En la figura 13.26 se representan, de forma simplificada, las curvas caractersticas de un transistor

PNP montado en circuito emisor comn. En estas curvas se puede apreciar la relacin existente
entre las diversas magnitudes elctricas del transistor.
Je __ ::------
-:..;I
13.26 Curvas caracterfsticas

-lg
de un transistor PNP.
As, la tensin entre colector y emisor (-V cE) depende de la corriente de colector {- Ie); la co-
rriente de colector (-le) es, a su vez, funcin de la corriente de base (-!8); la corriente de base (-18)
depende de la tensin entre base y emisor (-V8E) y, por ltimo, la tensin entre base y emisor
(-V8E) depende, en determinadas condiciones, de la tensin entre colector y emisor (-VcEl
En resumen, la figura 13.26 se divide en las siguientes cuatro partes:
a) Cuadrante superior derecho: le= f(-VcEl para diferentes valores de -18 (caracterstica de
salida).
b) Cuadrante superior izquierdo: le= f(-18) para un determinado valor de -VcE (caracterstica
de transferencia).
264
e) Cuadrante interior izquierdo: -I8 = f(-V8i;) para un determinado valor de -Vci:: (caracterfstica
de entrada).
d) Cuadrante inferior derecho: -Vee = f(VcJ para diferentes valores de -I8 (caracterstica de
reaccin).
En el caso de transistores NPN, se obtienen las mismas curvas caractersticas, con la nica di-
ferencia d.el cambio de signo en todas ellas, como se puede apreciar comparando la figura 13.27
con la 13.26.
13.27 Curvas caracterfsticas

Is de un transistor NPN.
Adems de estas cuatro curvas caracterlstcas, los fabricantes de transistores proporcionan otras
que permiten estudiar el comportamiento de un determinado tipo de transistor bajo diversos esta-
dos de funcionamiento. Todas ellas, as como otros parmetros de.nters para el profesional, se
estudian con detalle en los prrafos siguientes.
Curvas caractersticasde salida

En la figura 13.28 se han dibujado las curvas caractersticas de salida, o curvas de la intensidad de
colector en funcin de la tensin entre colector y emisor, le= f(Vci:), de un transistor de baja fre-
cuencia PNP.
Curvas similares a la dibujada, con valores lgicamente distintos, se obtienen en cualquier tipo
de transistor bipolar PNP. Lgicamente, si es de tipo NPN los signos d polaridad estarn cambiados.
Mediante las curvas de la figura i3.28 el profesional puede conocer las variaciones que experi-
menta la corriente de colector (Icli en funcin de la tensin aplicada entre colector y emisor (Vcel
150 ~, . 1 .
I+ __
T = 25 G
-le t
(mA)
1
-
1
-r. = .1.000 pA _._
,, !.... 1 1 1
800 iA-
-
100 ....-
1.4'-.'.
.. ~ ,_
,_
1
17 - ... ...
~
600pA_
' 1
'
1-
~ ~ 400
_,,. ~

/ ~
...-
T -~
50
200A
. '
.
100{1,-
/
SO
:'
A-
l '
.
"r -
13.28 Caractersticaoeseuos
5 10 Vce. (V) 20 de un transistor PNP.
26.5
y para diferentes valores de la corriente de base (Is), trabajando el transistor con una temperatura
de unin (7j) de 25 C.
Estas curvas se obtienen a temperatura ambiente constante de 25 C, puesto que, al igual que
cualquier otro dispositivo semiconductor, la temperatura ambiente influye sobre el funcionamiento
del transistor, como ms adelante tendremos ocasin de comprobar.
De las curvas caractersticas de salida de la figura 13.28 se deducen los siguientes puntos de-
terminantes del funcionamiento del transistor:
1 . Para una corriente de base - I 8 pequea, por ejemplo de 50 A (en el caso del transistor que
hemos tomado de ejemplo), la corriente de colector Ic apenas si aumenta al aumentar la
tensin entre colector y emisor -VcE
Efectivamente, en la figura 13.28 se puede leer que con una corriente de base de 50 A, y
aplicando una tensin -VcE de 5 V, la corriente de colector es de aproximadamente 8 mA,
y con la misma corriente de base y una tensin -VcE de 15 V (tres veces superior), la co-
rriente de colector pasa a ser de unos 9 mA (slo 1 mA ms).
2. Para elevadas intensidades -I8, por ejemplo de 600 A, la influencia de la tensin -VcE so-
bre la corriente Ic de colector es algo ms elevada, lo cual puede comprobarse en la fi-
gura 13.28, ya que en ella-Ices de 70 mA para una -VcE de 5 V, y de 86 mA para-VcE de
15 V (siendo la corriente -Is constante en 600 A).
3. Pequeas variaciones de la corriente de base se traducen en elevadas variaciones de la co-
rriente de colector, lo cual nos indica el poder amplificador de un transistor bipolar.
Resistencia de salida de un transistor

Se ha dicho que cuanto mayor sea la corriente de base mayor ser el valor de la variacin que se
obtiene en la corriente de colector, para iguales variaciones de tensin VcE Esto indica que la re
sistencia de salida de un transistor no es constante, sino que depende de la corriente de base.
le 100 1/1
ry
I,=50011A , 1 1
(mA)
-. - 1 : 450~~
'
-- ----r -~-:;.. ------m-P
I ,.. .' 400A: ,
- - -, 'k ;Akf- -ir-- -

' 1 d:E-
350A- .C
.,.
' 1
.;.... ~ 1
1- !VlI . 1
300A
-
'' 1 ' '
' . ' 25? .uA --

50 '
- ' 200A: '
'/ ' 1 1 1 :
'
,_ llV
. '
' 150A, '
1 :
~
1 id/ ''
''
1
. .
1- . '-10011A-:-
,
~

1
- ':s
:
- .. - - '.,:::::::. 1 ---+CI
-- : :1:: - 1 - -''- - __;._ r- - -
'
1/ ,A ~tt-SOA
- '
'
' 25A ,
13.29 Al aumentar fa o :A' 1 1 1 :8''
corriente de base disminuye o 5 10 15 18
la resistencia de salida del '----~V.~cE VcE (V)
transistor.
Confirmemos esto que se acaba de exponer con ayuda de la figura 13.29, correspondiente a
un transistor NPN de baja frecuencia.
Para ello se supone, en principio, que el transistor recibe una tensin VcE de 5 V, y que la co-
rriente de base, en estado de reposo (sin componente alterna alguna), es de 50 p.A.
Si desde el punto de la abscisa que corresponde a 5 V se traza una perpendicular que corte a
la curva Is= 50 A, y desde este punto de interseccin se traza una perpendicular sobre la orde-
nada, se obtienen los puntos A, A' y A", indicados en la parte inferior de la figura 13.29.
266
Si se aumenta la tensin Vce hasta 1 5 V sin variar la corriente de base, y se procede de la misma
forma, se encuentran los nuevos puntos 8, B' y B" (asimismo en la parte inferior de la figura 13.29).
Si se prolonga el segmento A"A, hasta que corte al segmento B'B, se obtiene el punto G de
corte de ambos segmentos (parte inferior de la figura 13.29).
Observando la figura se aprecia que tos segrnentos AB y AC forman el ngulo a.
La tangente de este ngulo a es igual a:
CB
tg fJ. = ~-
CA
o, lo que es lo mismo:
A"B"
tg a= A'B'
Como A"B" representa una variacin de la corriente de colector (~10) y A'B' una variacin de la
tensin entre colector y emisor (~V0E), sustituyendo valores se tiene:
En esta frmula Rs es la resistencia de salida del transistor, y h22 la inversa de la misma, es decir, el
valor a pequea seal de la admitancia de salida en montaje emisor comn (entrada en circuito
abierto para la corriente alterna).
Veamos ahora, sobre la figura 13.29, el valor de la resistencia de salida (R~del transistor cuan-
do la corriente I 6 permanece constante en 50 A, y la tensin VcE sube de 5 a 15 V.
En este caso, y para V0E = 5 V, la corriente de colector es de, aproximadamente, 12,5 mA,
mientras que cuando V0E alcanza los 15 V la corriente de colector sube a 15 rnA.
Con estos datos se obtiene una resistencia de salida de:
15rnA-12,5mA 2,5mA 1
15V-5V IOV Rs
De donde:
R - ~VcE - 10V =4k.Q

s - ~le 2,5 rnA
La admitancia de salida, que suele expresarse en NV, vale, en este caso:
h = ~le = 2.500A =250 .. tJ.l\t

22 ~V 1oV .u-v V
CE
Los valores hallados corresponden a una corriente 18 de 50 A; para una corriente de base dis-
tinta estos valores varan.
Efectivamente, supngase la parte superior de la figura 13.29, en la que se han obtenido los
mismos puntos que en la parte inferior pero para una corriente I 8 de 400 A.
En esta circunstancia, las variaciones de tensin VcE siguen siendo de 10 V, pero la corriente 10
vara ahora entre 75 y 88 mA. es decir, sufre un incremento de 13 mA.
La resistencia de salida vale ahora:
10 V
13 rnA ""769 n
267
y la admitancia de salida:
h = Ale = 13.000 A = 1 300 AN

22 AVcE 10V .
De todo lo expuesto se deduce que la resistencia de salida de un transistor disminuye al au

mentar la intensidad de la corriente de base.
Ganancia de corriente
La ganancia de corriente de un transistor se define como la relacin entre la corriente de colector
(le) y la corriente de base (18).
Existen dos parmetros indicativos de la ganancia de corriente: uno hace referencia al funcio-
namiento en corriente continua y el otro cuando el transistor trabaja como amplificador de corrien-
te alterna.
La ganancia en corriente continua se representa por hFE y es igual al cociente de dividir la co-
rriente continua obtenida en colector por la corriente continua aplicada a la base, es decir,
La ganancia en corriente alterna a pequea seal se representa por h1e, y es igual al cociente de
dividir la variacin de la corriente de colector (Ale) por la variacin de la corriente de base (Ale):
h - Ale
te - /';;. I
B
Veamos, mediante unos ejemplos, la diferencia entre ambos parmetros.

Para averiguar la ganancia en corriente continua y a pequea seal de un transistor se recurre
a las curvas caractersticas de salida (figura 13.30).
En el caso de la ganancia en corriente continua (hFJ se traza una perpendicular sobre la absci-
sa, que la corte en el punto que corresponda a la tensin VcE del transistor. En nuestro ejemplo se
ha establecido una tensin VCE de 5 V (figura 13.30).
Esta perpendicular corta a todas las curvas caractersticas, por lo que si a partir de cada punto
de interseccin trazamos perpendiculares a la ordenada del sistema, se obtienen diferentes valo-
res de I e para cada corriente I 8 de referencia.
100 I8 =' 25A V

le / 2ooA
_,,,
(mA) - , ,. .
1
li /
- ,,,
175A
1
.. I/
... ~ Y'
- -
. - "f"!.1 : .....
~
~
-' -
llY 150A
'/ :
- -, - ~
/
-
1
-~ .
,.

125A
1
1
1
1- IOOA
- 1/ ''
1
-
'
75A
..
q_
- -- .

'
'' ~ 1
,_
'r SOA
.. '
' 1
1
'
,,,
i
.. l ~5 f,A;-
1-
13.30 Obtencin del valor de - 1 1 1
la ganancia de corriente de un o 1
1 '' IOA
transistor NPN a partir de las o 5 10 15 18

curvas caractersticas de salida. -VCE (V)
268
As1, si se toma la curva correspondiente a una corriente de base de 50 A, la intensidad de co-

rriente que se obtiene en colector es de unos 22 mA, y la ganancia en corriente continua ser:
le 22 mA
hFE = =
16 50 A
=440
Para una corriente continua 18 de 175 p.A, la corriente de colector pasa a ser de 67 rr1A, y la ga-
nancia en corriente continua sera ahora de:
(un poco menos que para rR = 50 A}.

La ganancia en corriente continua vara para un mismo tipo de transistor segn la corriente le
y la tensin VCE, poi lo que los fabricantes suelen proporcionar en sus catlogos los valores mni-
mo, tpico y mxrno para una o dos corrientes de colector. As, por ejemplo, las ganancias tpicas
en corriente continua del transistor BC1078 son, segn su fabricante, las siguientes:
Para una corriente I e de 1 O A y una tensin VCE de 5 V, la ganancia en corriente continua

mnima es de 40 y la tpica de 150.
Para una corriente lt. de 2 mA y una tensin VcE de 5 V, la gananci!:l en corriente continua
rnlnima es de 200, la mxima de 450. y la tpica de 290.
Para el estudio de la ganancia a pequea seal (h19} de un transistor utillzaren1os las mismas
curvas caractersticas de salida de la figura 13.30.
En este caso tambin se supone una tensin colector-emisor de valor constante (Vce = 5 V},
pero la corriente de base vai a entre dos limites, que en nuestro caso hemos establecido entre 50
y 200 A.
La torma de clculo. es rnuy similar a la anterior, ya que tambin se traza una perpendicular a la
abscisa en el punto correspondiente a la tensin Vf,;;e que se toma como referencia (5 V}. Esta per-
pendicular corta a las dos curvas extremas 18 correspondientes a los valores rnxlmo y mnimo de
la corriente de base (en nuestro ejemplo 50 y 200 A).
A continuacin se trazan proyecciones desde las intersecciones obtenidas hasta la ordenada.
con lo cual se obtienen dos nuevos puntos que corresponden, respectivamente, a las siguientes
corrientes de colector (figura 13.30):
Para una 18 de 50 A: le= 22 mA.

Para una l8 de 200 A: le= 75 mA
Las variaciones de corriente en estos electrodos sern:
.D.18 = 200 ~tA- 50 A= 150 A

t:..lc = 75 mA- 22 mA = 53 mA
La ganancia de corriente a pequea seal tiene en este caso un valor de:
h10 = ~i.s_ = _53 mA = 353

D.[8 150 A
Los fabncantes indican en sus catlogos los valores tpico, mnimo y mximo de h10 correspon-
dientes a una frecuencia dada (que suele ser de 1 kHz), y para una corriente de colector y tensin
entre colector y emisor dadas.
As, los valores mnimo, mximo y tlp1co de h1., del transistor BC1078 son. segn su fabricante,
los siguientes:
269
Para una corriente Ic de 2 mA, una tensin VcE de 5 V, y una frecuencia de "1 kHz, la ganancia
mnima en corriente alterna a pequea seal es de 240, la mxima de 500, y la tpica de 330.
En el caso de transistores de potencia, la ganancia de corriente en circuito emisor comn dis-

minuye cuando aumenta la corriente de reposo de colector. Esto se debe a que las curvas carac-
tersticas de salida Ic = f(VciJ de un transistor de potencia difieren de las de un transistor de pe-
quea potencia en que la separacin existente entre las curvas no es constante para una misma
variacin de corriente, tal y como se aprecia en la grfica de la figura 13.3"1 .
-Ic(mA)
110
100 2 5 ~j),
90 ~Ia"2~fi.
--- --- fi,
80 _ -le" 1.s~
11] C2
70
60

- -Ie= 1 rnA
-
111C1
50
40
- -Is= 0,5 mA
30 -
13.31 En Jos transistores de
potencia, fa ganancia de corriente 20
en montaje emisor comn 10
disminuye cuando aumenta la '
corriente de reposo de colector. 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 VCE (V)
En las curvas de la figura 13.31 se puede leer que, para una tensin VcE de 1 O V, al variar la co-
rriente de base de 0,5 a 1 mA las variaciones de corriente de colector lo hacen desde unos 33 a
54 mA, por lo que en este caso la ganancia h10 vale:
h - .Ic1 = 54 mA - 33 mA = 21 mA = 42
te .I 1 mA - 0,5 mA 0,5 mA
81
Si las variaciones de la corriente de base se sitan entre 1 y 1 ,5 mA, las variaciones de corriente en
colector lo hacen entre 54 y 70 mA, siendo en este caso la ganancia de corriente a pequea seal de:
hie= llle.2 = 70mA-54mA =-16mA =32

.I82 1,5 mA-1 mA 0,5 mA
De esto se deduce que cuanto ms cerca est la seal de entrada del valor I8 = O, y a igual-
dad de amplitud de la seal de entrada, mayor ser la ganancia del transistor.
Tensin de codo
La tensin de codo (VcEi1 de un transistor se define como la tensin VcE que corresponde a una va-
riacin brusca de la resistencia de salida.
Para el estudio de este parmetro se recurre a las curvas caractersticas de salida del transistor.
Utilizaremos la curva I0 = f(-VcE) que se muestra en la figura "13.32, correspondiente a un transis-
tor PNP imaginario. En ella se aprecia que, para bajas tensiones -VcE existe un codo a partir del
cual la corriente Ic decrece rpidamente.
Supongamos un transistor que funciona con una tensin colector-emisor de 5 V, y una corriente de
base de 60 A. En esta circunstancia la corriente de colector ser, segn la figura 13.32, de unos 4,4 mA.
La horizontal que pasa por el punto A forma con la curva caracterstica - I 8 = 60 A un ngulo
a que define la resistencia de salida del transistor, es decir:
1
tg a= -
Rs
270
-le (mA) 13.32 La tensin de codo -VcEK

es el valor -VCe correspondiente
10
a un cambio brusco de la
9. resistencia de salida del transistor.
8 -f~" 80 A
7.
r
6 -VCEo\
5 . -1 B:: 60A
A et '
4 .
F 11
'
3 . B J8:: 40 A
2 - ;.''
'1 -18 = 20~tA
1 .'
l/l
1
' ' '' ' 1
'
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 -VCF(V)
Dado que en este punto el ngulo a es pequeo, tambin lo es la tangente det mismo, por lo
que el valor de la resistencia de salida R5 ser elevado.
Por el contrario, en el punto B, correspondiente a una tensin -VcE igual a 0,2 V, una corriente
-le de 3,5 mA, e identlca corriente -/8 de 60 A, la tangente del ngulo~ es mucho mayor, sien-
do por tanto de pequeo valor la resistencia de salida R5 del transistor.
La tensin de codo (Vci:i<l se detlne as como la tensin colector-emisor que corresponde a una
variacin brusca de la resistencia de salida.
Para todos los valores de la tensin colector-emisor inferiores a la tensin de codo (-VceJ la re-
sistencia de salida del transistor es por tanto muy baja, y tambin lo ser la potencia disipada en l.
Corriente residual
La comente residual o de fugas (Ieee) est causada por los aumentos de temperatura, y suco-
rrecta Interpretacin y estudio evitar posibles distorsiones de la seal de salida del transistor.
Esta corriente vara considerablemente cuando aumenta la temperatura, por lo que es preciso
tenerla en cuenta al proyectar todo nuevo circuito.
En figura 13.33 se han dibujado con lnea continua las curvas caractersticas de salida de un
transistor cuando trabaja con una temperatura de unin (7j) de 25 C, y con lnea a trazos las mis-
mas curvas cuando la temperatura de la unin sube a 35 C. Resulta evidente que, a igualdad de
1 so ....,......---.,-.---,-,1.....
--- ..---,-,
le i---- T,=25C _
(mA) ; - T,=35C
1
13.33 Al aumentar la temperatura

er- - L __ .so~A aumenta la corriente residual del
- - '"'1- r ttsnslstor; por lo que el resultado
- - es como si las curvas
5 caractersticas de salida se
desplazasen hacia arriba.
271
tensin -VcE y de corriente -IsE la corriente de colector es mayor cuando la temperatura de la

unin sube de 25 a 35 C, lo cual puede provocar distorsin en la seal que se est amplificando.
La corriente residual se define por tanto como la corriente de colector mnima para una tem-
peratura de funcionamiento dada, cuando la corriente de base es igual a O A.
Curvas caractersticasde transferencia

En la figura 13.34 se muestra la curva caracterstica le= f(J8) para una tensin V0E = 4 V, o curva
caracterstica de transferencia de un transistor NPN.
Para obtener esta curva se aplica al transistor una tensin V0E de valor fijo, y se vara la corrien-
te de base desde O hasta un valor determinado (0,6 mA en el caso de la figura 13.34).
100 1 I/
le ,1
(mA)
1/-
- - /
/
-7
- /
~: ;
.
50 ,, I .,. - -
~~ -
/
,
/ -
, __
-r
/ -
-
o
/
13.34 Curva caracterstica de o 0,2 0,4 0,6
transferencia de un transistor NPN. 18 (mA)
Para cada corriente Is se obtiene, lgicamente, un valor de corriente de colector (Je), por lo que
trasladando los valores obtenidos a un sistema de coordenadas cartesianas se obtiene una curva
igual o similar a la de la figura 13.34.
Con esta curva se aprecia perfectamente el curso de 10 para diferentes valores de Is, con lo
cual resulta muy fcil deducir las ganancias de corriente hFE y h10 del transistor.
Finalmente diremos que la curva de la figura 13.34 corresponde a un transistor NPN, y que en
el caso de transistores PNP la curva sera la misma pero los valores de 10, Is y VcE tendran signo
negativo,
Veamos ahora cmo se obtienen las ganancias de corriente (hFE y hre) de un transistor a partir
de las curvas caractersticas de transferencia. Para ello, en la figura 13.35 se ha trazado una curva
caracterstica 10 = f( Je) de un transistor PNP imaginario.
Para obtener la ganancia en corriente continua del transistor (hFE) basta con tomar un valor cual-
quiera de la corriente de base; por ejemplo 50 A (punto A' de la figura 13.35), y a partir de l se
traza una normal al eje de abscisas hasta que corte a la curva caracterstica en el punto A.
Desde el punto A se traza una perpendicular sobre el eje de ordenadas, leyndose en ste el
valor de la corriente Ie que corresponde a la corriente Is antes citada (punto A" de la figura 13.35),
y que en nuestro caso es de 3 mA.
Con estos datos se puede calcular la ganancia en corriente continua del transistor, que en nues-
tro ejemplo es de:
10 _ 3 mA =
60
18 50 A
272
Je 13.35 Forma de obtener la

(mA) .ganancia de corriente de un
10 transistor, a partir de la curva
9 caracterstica de transferencia.
8
7
6
5
B"
------------ 4
-----:47, - 3
e: 1 2
1
1 1
8': A'
-J8(A) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10
Para obtener la ganancia en corriente alterna (h1) debe tornarse otra corriente de base y de co-
lector, por ejemplo las de los puntos B' y B" de la figura 13.35, y que corresponden a una-18 de
70 A y una-le de 4 mA.
Como la ganancia de corriente en alterna de un transistor vale:
h - t:.Ic
fe - st B
se puede escribir con referencia a la figura 13.35:
BC B"A"
tg a= CA - B'A'
Sustituyendo ahora t:.!0 y AJ8 por sus correspondientes valores se tiene:
h = !lle = 4 mA- 3 mA = 1 rnA = 50

te t:.!8 70 A- 50 A 20 A
De todo esto se deduce que la pendiente de la curva caracterstica de transferencia expresa las
ganancias de corriente del transistor, siendo tanto mayor la ganancia cuanto mayor sea la pen-
diente.
El caso expuesto es siempre cierto en transistores de pequea potencia, ya que la pendiente de
la curva caracterstica de transferencia en estos transistores es lineal y, en consecuencia, la ganan-
cia de corriente apenas vara al cambiar la corriente que circula por la base.
No sucede lo mismo con los transistores de gran potencia, cuya pendiente de la curva - 10 = f( I 8)
adopta la forma representada en la figura i 3.36, es decir, una lnea ms o menos curva.
En el caso de la figura 13.36, cuando la corriente 18 vara entre 0,8 y i mA, ta-corrlente 10 lo
hace entre 55 y 62 mA, mientras que cuando la corriente de base vara entre 1.8 y 2 mA, la de co-
lector lo hace entre 81 y 84 mA.
Por lo tanto, en el primer caso la ganano.ia de corriente en alterna vale:
BC B"A" 62 mA-55 mA 7mA

h1e = tg a = CA = -8-,A-,-
- 1 mA-0,8 mA - 0,2 mA = 35
En el segundo caso la ganancia de corriente en alterna vale:
EF E"D" 84 mA-81 mA 3mA

15
l?re = tg a= FO E'D' 2 mA-1,8 mA - 0,2 mA =
273
13.36 En los transistores de =!
potencia, la curva caracterstica (mA)
de transferencia es menos lineal 100
que en los de pequea potencia, 90
lo cual indica que la ganancia vara
mucho ms segn la corriente O"
70
que circula por la base. =
8 8"
------------ 60
_ _lj-~.I)_ _
A" 50
40
30
20
1
- 10
E' O' 8' 'A'
18 (mA) 2,0 1,8 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2
En resumen: En los transistores de potencia, para iguales variaciones de la corriente de base, la

ganancia de corriente en alterna disminuye al aumentar la corriente de colector.
Curvas caractersticas de entrada

En la figura 13.37 se representan las curvas caractersticas de la variacin de la corriente de base
(-Is), en funcin de la variacin de tensin entre base y emisor (-VsE), para dos valores de la ten-
sin colector-ernisor (Ve~ de un transistor PNP, o curvas caractersticas de entrada del transistor.
En el caso de transistores NPN las curvas son idnticas pero con los signos de las magnitudes
cambiados.
-18 (~tA) 900 800 700 600 500 400 300 200 100
- 80
160
240
320
400
480
560
-Vcf"'4V
640
-VcE"' 8V 720
800
13.37 Curvas caractersticas de -VBE
entrada de un transistor PNP. (mV)
Para trazar estas curvas se aplica al transistor una tensin -VcE de valor fijo (en nuestro caso
4 V para la primera curva y 8 V para la segunda), y luego se vara la tensin aplicada a la base
entre O V y un valor determinado, que en nuestro ejemplo hemos fijado en 800 rnV.
Para cada tensin -VsE se obtiene un valor de -Is, por lo que llevando estos valores a un sis-
tema de coordenadas cartesianas se obtienen las curvas de la figura 13.37.
Se puede obtener una familia de curvas tan amplia co1110 se desee, bastando para ello con apli-
car tantas tensiones -VcE corno curvas se desee obtener.
En la figura 13.37 se puede leer que cuanto mayor sea la tensin -VcE mayor debe ser la ten-
sin -VsE para obtener la misma intensidad de base -Is
274
Resistencia de entrada del transistor

Con las curvas caractersticas de entrada de un transistor es posible determinar la resistencia de
entrada del transistor.
En la figura 13.38 se ha dibujado la curva caracterstica de entrada de un transistor PNP, para
una tensin -VcE fija.
-JB(A) 1.500 1.000 500

E'' 1 D'': 1 8" 1 A" 1
1 1
1 1 1
1 1 1
1 1 1
1 1 1
1 1
1
1
1
200
1
1
1
1
1
1
1
1
400
1
e l Ai
1
A'
600 13.38 Obtencin del valor
F
{l.
o --- -------- 8'
D'
de las resistencias de
entrada de un transistor,
---- ----------- E' para dos variaciones de la
E ' 800
-VsE tensin V8e y una tensin
(mV) Vce invariable.
Se considera que la tensin de polarizacin de base, en condiciones dareooso, es-V8E = 520 m\/.
En esta circunstancia, la corriente I 8 es de 200 A (figura 13.38).
Desde el punto A de la figura 13.38 se traza una paralela al eje -18, y una tangente a la curva
tambin en el punto A.
El ngulo a, formado por la horizontal y la tangente, es igual a la resistencia de entrada del tran-
sistor para la tensin dada -VaE
SI se aumenta la corriente I 8 a 500 A (punto B" en el eje - I 6), y se traza desde este punto
una perpendicular al eje - I 9 que corte a la horizontal y a. la tangente en los puntos C y 8 respec-
tivamente, se obtiene (proyectando B sobre el eje -V8E), una tensin de 680 mV (punto B' de la fi-
gura 13.38).
La resistencia de entrada de un transistor se define como el resultado de dividir las variaciones
de la tensin base-emisor por las variaciones de la corriente de base, es decir,
Y como:
B'A' BC
rr =CA = tg
_B_"_A
se confirma que:
Re= tg a
En nuestro ejemplo la resistencia de entrada del transistor vale:
tg ex= R~ =
680 mV - 520 mV = 160 mv ""533 n
500 A - 200 A 300A
275
En resumen, y tal como se ha confirmado, la pendiente de fa caracterstica - I 8 = f(-V8J define

la resistencia de entrada de un transistor para una tensin -V6E dada.
Esta resistencia de entrada vara segn los valores de -V8E, ya que la curva caracterstica de en-
trada no es lineal.
Veamos ahora qu variaciones sufre la resistencia de entrada de un transistor en funcin de la co-
rriente 10. Para ello se utiliza la misma curva caracterlstca= Jg = f(V8J de la figura 13.38, pero to-
mando un valor de 720 mV como tensin de polarizacin -V8E (punto O' de la figura 13.38), al cual
le corresponde una intensidad de base de 800 A.
Si, en esta circunstancia, se hace subir la corriente de base el rnismo valor que en el caso an-
terior, es decir, 300 A, de forma que se alcance una - I 8 de 1 .100 A, la tensin V BE sube a 760 mV
(punto E' de la figura 13.38), por lo que la resistencia de entrada pasa a valer:
FE E'D'
Re= tg o.= FO E"D"
= 760 mV- 720 mV = 40 mV ,,,,

130
Q
1 .100 A 800 A 300 A
Es decir, dos veces y media menor que en el caso anterior.

De lo expuesto se deduce que la resistencia de entrada de un transistor disminuye cuando
aumenta la corriente de colector, ya que un aumento de Ices siempre consecuencia de un aumen-
to de la corriente de base.
Inversamente, y como es lgico suponer, la resistencia de entrada de un transistor aumenta
cuando disminuye Ja corriente de colector.
La mayor o menor curvatura de la caracterstica de entrada de un transistor marca, pues, el ma-
yor o menor inconveniente para la utilizacin del mismo.
Curvas caractersticas de reaccin

La figura 13.39 corresponde a una familia de curvas caractersticas V8E = f(Vcel para diferentes va-
lores de 18, o curvas caractersticas de reaccin, de un transistor NPN. En el caso de un transistor
PNP la familia de curvas sera la misma pero con los signos de las magnitudes cambiados.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 VcE (V)
1 1 i i ' 1 1 1 1
480.
. 1------------ I8 = 600 A
560
640. r------------- J B = 800 ~LA
720 . r------------ 18 = 1.000A

13.39 Curva caracterstica de VBE
----------- 18= 1.200A
reaccin de un transistor NPN. (mV)
Con estas curvas caractersticas, se determina la tensin VcE del transistor al aplicarle una de-
terminada tensin VsE
Debido a la poca inclinacin de las curvas, cualquier.pequea variacin de la tensin V8E se tra-
duce en elevadas variaciones de la tensin Ves-
276
2 7 8 9 10 13.40 Forma de determinar la

1
. . 3 4 5. 6
' ' '
-VCE (V)
reallmenfEcin Interna de un
- A 1 B"l
- 1 1 transistor con ayuda de las curvas
1
- 1 caractersticas de reaccin.
1
A!
400 .
: ".....__
. __ -~=-~
600 -
"--------
-
~
800 : " - ! IJ = 300 ~
VDE
(rnV)
Mediante estas curvas tambin se puede deterrninar la realimentacin interna (h128) del transis-
tor. la cual viene definida por la igualdad (figura 13.40):
h - ..VBE
12a - AV
'"' CE
es decir, como la relacin entre las variaciones de las tensiones base-emisor y colector-emisor.
B punto A" de la figura 13.40 corresponde a una tensin VcE de 5 V. Esta tension es la de re-
poso del transistor. es decir, cuando a su base slo se le aplica la tensin continua de polarizacin.
La perpendicular desde el punto A'' (en el eje ~vCE) corta la caracterstica - I 8 = 100 ~tA en el
punto A.
Trazando una paralela al eje -VcE que pase por el punto A, se obtiene en el eje-V BE el punto A',
correspondiente a una tensin V9E (en reposo) de 600 mV.
81 la tensin Vce sube a 1 O V, y se procede de igual forma que como se ha hecho con la tensin
-Vce de 5 V. se encuentran los nuevos puntos B". By B' (figura 13.40), y que corresponden a una
tensin V8E de 700 mV.
Prolongando la horizontal A'A hasta que corte la recta B"B, el punto de interseccin de las mis-
mas es el punto e que se indica en la figura 13.40. La tangente del ngulo a. vale:
CB A'B'
tg a = CA A"B''
Y como A '8' representa las variaciones de la tensin base-emisor, y A" B" las variaciones de la
tensin colector-emisor, se deduce que:
por lo que la realirnentacin interna es igual a la tg n,

Cuanto mayor sea el ngulo que forma la horizontal con la curva caracterstica mayor ser el va-
lor de la realimentacin interna del transistor.
Curva caracterstica Ptot = f( Tamb)

La curva caracterstica P101 in.~x = f(Tamtil de un transistor indica ta potencia mxima admisible en el
colector en funcin de la temperatura ambiente.
En la figura 13.41 se ha dibujado la curva caracterstica P 1.oi mx = f(TamJ correspondiente a los
transistores BC337. BC337 A y BC338.
277
13.41 Curva caracterstica de la ' '

potencia mxima de disipacin de ._ - 1
colector de los transistores BC337, 800

'
BC337Ay BC338 en funcin de \.
la temperatura ambiente. P1ot mx
(mW) '\
'\
600
\
- -,
- '\"
400 1
'
'\
200
.
~
-
,,~
' \.
-
-
o
o
1
50 100
'150
T'amb (C}
De la lectura de esta curva caracterstica se deduce que los transistores BC337, BC337 A y
BC338 admiten una potencia mxima de 800 mW, siempre y cuando trabajen a una temperatura
ambiente por debajo de 25 C. En cuanto la temperatura sobrepase los 25 C, cada vez ser me-
nor la potencia que pueden disipar, so pena de estropearse. As, a 50 C la potencia mxima que
pueden soportar estos transistores es de 640 mW, y a 150 C la potencia que pueden soportar es
cero, es decir, a 150 C el transistor se destruye.
De esta curva se deduce tambin que todo transistor que trabaje a una Tamb de 25 C posee un
lmite de potencia que no debe nunca ser sobrepasado. En el caso de los transistores BC337,
BC337 A y BC338, la potencia lmite es de 800 mW. En otros transistores esta potencia mxima
puede tener un valor distinto, por lo que al sustituir un transistor por otro siempre se debe com-
probar si el nuevo tipo es capaz de soportar la potencia que proporcionaba el anterior.
Por los mismos motivos, y teniendo en cuenta que la potencia de disipacin mxima es igual al
producto:
al disear un circuito o aparato se debe tener mucho cuidado que el producto de la tensin colec-
tor-emisor que soporta el transistor, por la intensidad de corriente de colector mxima que por l
deba circular, no sobrepase el valor de potencia mxima que indica el fabricante en su catlogo.
As, por ejemplo, el transistor BC107 es capaz de disipar una potencia mxima de tan slo 300 mW
a 25 C. Ello quiere decir que si al citado transistor se le aplica una VcE de 3 V, la corriente mxima
de colector que admitir sin destruirse (a 25 C) es de:
I e 300 mW --1 00 mA
ptotmx -
VcE 3V
por eso, las curvas caractersticas de salida no suelen dibujarse ms all de los valores lmites que
puede soportar el transistor.
En todos los casos se ha considerado una temperatura uniforme de la cpsula (Tcasel de
25 C, lo cual nos indica que mientras la temperatura ambiente est por debajo de la tempera-
tura de la cpsula, el transistor podr radiar calor al medio ambiente y, por lo tanto, podr funcio-
nar a la mxima potencia por l admitida. Al aumentar la temperatura por encima de los 25 C,
278
TRANSISTORES BIPOU\RES
cada vez resulta ms difcil la radiacin de calor y, por lo tanto, el transistor d.ebe trabajar con me-
nores potencias.
Como resumen de todo lo expuesto, la potencia mxima que puede suministrar un transistor es
tanto menor cuanto mayor sea la temperatura ambiente en la que trabaje.
La potencia mxima admitida por un transistor puede aumentarse dotndolo de radiadores de
calor, cuyo estudio se desarrolla en el captulo 16 de este libro.
Para establecer una relacin exacta entre la potencia disipada por el transistor y la temperatura
ambiente, es necesario tener en cuenta:
a) La temperatura ambiente del lugar donde ha de trabajar el transistor.

b) La capacidad trmica del transistor.
c) El coeficiente de conductividad trmica del transistor.
d) Las variaciones de la potencia elctrica en funcin del tiempo.
Todos estos parmetros se estudian en el captulo 1 El,, dedicado a los radiadores de calor.
Frecuencia de transicin
La trecuencie de transicin se define como el producto de la ganancia por el ancho de banda.
Esta frecuencia de transicin depende de las condiciones de funcionamiento del transistor, razn
por la cual los fabricantes suelen facilitar en sus catlogos las curvas caractersticas de la frecuen-
cia de transicin (fr) en funcin de la intensidad de corriente de colector (J0) y de la temperatura de
la unin (T~.
600 1 1 l 1 1
T = 25 C
fr i - ,_
-
=rl=l ---1
1-~ 1 1
(MHz)
v.
1 1
,, VcE:: 28
r~-~: V,
J
~ 1

-ti -
1 1+
14V
111 7V
400 1-
1
- - -
- -,_
-
200
$
-
1
1-
- 1- frecuencia de transicin en funcin
. - de la corriente de colector,
o ' 1
para tres tensiones VcE y una
o 100 200 300
le (mA)
400
temperatura de unin de 25 C.
En la iigura 13.42 se han dibujado las curvas caractersticas fr = f(J0) del transistor 2N3553,
para una temperatura de unin (T) de 25 C. En estas curvas se comprueba que el valor de la fre-
cuencia de transicin aumenta ligerarnente al aumentar la tensin VcE aplicada al transistor.
Por otro lado, con una corriente de colector I e de 125 mA se obtiene el mximo valor de 'tr, el
cual desciende por encima y por debajo de dicho valor de corriente.
La curva de la figura 13.42 hace referencia a una temperatura de unin constante a 25 C, lo
cual no siempre es posible, por lo que los fabricantes facilitan tambin la curva caracterstica de la
frecuencia de transicin .en funcin de la temperatura de la unin, para una VcE y una J0 constan-
tes, tal y como se muestra en la figura 13.43, correspondiente al mismo transistor 2N3553 En esta
279
fr = f(~)para una VcE de 28 V -- Ver= 28V
->-
' ' '
-- -- '1
y una le de 125 mA. fr - 1-
(MHz) 1
1-
l-' -
-
600
1-Ic= 125mA
' t -
' 1
400 1-
-
- - ~
1 -
t-
~-
t
,_ ...<.
200
- ,_
1-
' '
oo ' ' '
50 100 T (C) 150
ltima grfica se comprueba que el valor de la frecuencia de transicin crece ligeramente al aumen-
tar la temperatura de la unin de 25 C a unos 65 C, y desciende despus para temperaturas por
encima de los 65 C.
Otras curvas caractersticas del transistor

Las curvas caractersticas estudiadas son las ms importantes para entender el comportamiento
de un transistor en un circuito; sin embargo, existen otras que pueden considerarse de menor in-
ters, aunque han de tenerse en cuenta en determinados casos.
La exposicin detallada de todas ellas alargara innecesariamente este captulo, ya que consi-
deramos al lector lo suficientemente preparado para efectuar la lectura de cualquier curva sobre un
sistema de coordenadas cartesianas.
Por esta razn, nos limitamos a mostrar, a ttulo de ejemplo, las curvas caractersticas de las fi-
guras 13.44 a 13.56, correspondientes a un transistor de silicio planar epitaxial NPN para RF, indi-
cando en el pie de cada figura la denominacin de la curva y las condiciones de trabajo del tran-
sistor en las que se han efectuado las mediciones.
C;, 100 - 5 ' 1 1 1 1 l

(pF) 80 VCA=3V_
-
VcB 3V: 4
' ,- 1
60 5\1.
- 3 ,,,
- ,,,
' 1
l'i; ~ 1
s
V
....,~ J
J
~ . 1--
....... ':.. ...

10V
-
40 ~ 10V
- ~ ......
- 2 - . .... r
30 ~
~
e:-- lo"'
-
~-~~
~
J
,,,... --:,;......-
20
1 1
~
~ ~
0,8 1
1-
10 1
0,5 1
1 2 3 4 5 6 7 8 2 3 4 5 6 7 8
I e (mA) le (mA)
13.44 Capacidad de entrada en funcin de la 13.45 Conductancia de entrada en funcin de la

intensidad de corriente de colector, para diversos intensidad de corriente de colector, para diversos
valores de la tensin Ves (f = 1O,1 MHz; T.imb = 25 C). valores de la tensin Vea (f = 10, 1 MHz; Tamn = 25 C).
280
e, 100
!-H Y,t 200 ---:-Tl-llT-:::::::::i
-=ri;
(dB) -
(mS) 150
80
-
- -- - - - -' --,- ,.
H=l
-
- -- -
60
1
---=t V08 = 10V
50 j
~ sv
40 -
- t-;=3v
f
- ~-~--- - '
40
30'''1.'''''
2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
Ic(mA) le (mA)
13.46 Ganancia de potencia ptima, en 1no11taje 13.47 Ad1nitancia de transferencia eo momete emisor
emisor comn, en func16n de la intensidad de corriente comn, en funcin de la intensidad de comente de
de colector para diversos valores de la tensin colector (V08; 3 a 10 V, t ; 10.7 MHz: Tamb = 25 C).
Vea (f = 1O.7 MHz; ~mu ; 25 C)
0,6
40
0,5
20 - 0,4
0,3
-l lt~
0,2 .__ __. _ _._ _ __. __._....___,
2 3 4 5 6 7 8
le (mA)
1 2 3 ' 4 5678
Ves (V)
13.48 Conductancia de salida en rnontaje emisor 13.49 Capacidad de reaccin en montaje emisor
comn. en funcin de Ja intensidad de corriente comn, en funcin de Ja tensin Ves (f = 10.7 MHz:
de colectores para diversos valores de Ja tensin Ic = 1 a 10 1nA; Tamb = 25 C).
Vea (f = 1O,7 MHz; T011,t1 = 25 C).
- -~ ~1-=f!- - -
c.; 3 ' g,. 20
(pF) . ~
1 1 1 Vcs=3V
- "---- (mS) 15 1
2,5 ~, ~1OV
2
-
~ =i=- - n ''~
>--
10
8 . ~ -- - -
.
- -~ ~
.
1 1 6
-'
~- 1 1?_.V -
1,5
- ,b r
+I -f. ~-
.i.,
4 ~ - -
1
- ~
'
- - >--
r
1 1 1
2 '
2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
le (rnA) le (mA)
13.50 Capacidad de salida en montaje emisor 13.51 Conductancia de entrada en montaje emisor
comn. en funcin de la intensidadde corriente comn. en funcin de la intensidadde corriente
de colector para diversos valores de la tensin de colector para dos valores de Vea (f = 100 MHz:
Ves (f = 10,7 MHz; Tmb = 25 C). Tamn = 25 C).
281
<ple ly,,I
1-
- Vc8=3 ... 10V
f = 100MHz
- - f= tOOMHz
Tamb = 25C
'f.
T3 = 25 -c - 1-
1
160 - .,
. 40
~
I
1
-_Veo= 10V
I 1,...
, v . . V 3V
J'
~ 120
1
- v.... . .
J 1;
30 1-
1 1/
,,
l/u
-
l{.~
. ~
J
80
J
,

20
1
- lit I . ,_
I
- 40 .
1
,
.
.
10
o
1
o 1 1
2 4 6 8 lc(mA) o 2 4 6 8 Ic(mA)

13.52 Angulo de admitancia de transferencia directa 13.53 Mdulo de la admtancia de transferencia
en funcin de fa intensidad de corriente de colector directa en montaje emisor comn, en funcin de
(Vea= 3 a 10 V, f = 100 MHz; famb = 25 C). la intensidad de corriente de colector para dos
C;0 50 1 1 1
(pf) 40 Ves= 3V
. '
....-- 1 ~ 1
.J"
V ....- 10V
30
V
13.54 Capacidad de entrada en montaje emisor ~ ~
-
comn, en funcin de fa intensidad de corriente ~
de colector para dos valores de Vea (f = 100 MHz; 20
~
T.irnb = 25 C).
. .
10
1 2 3 4 5 6 7 8
1e (mA)
coe 3 -t g08 300 .

(pF) - (S) Ves= 3V
2,5 ...... ~
r - 200 1 SV
"" ....,,... .... ...10V

~
1 ,.....- ~
2 ~
.....
l.--',....
-
--
~
' ~ ~
--
Ves= 3 V - 100 1
1,5 1
""1--1-
1- ~V- 80 ~
1
tov-
1
50 -..:. - -- 1-
1- ~
'
1
- 1- 1- ~ ~
1
11 40
2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
le (mA) le (mA)
13.55 Capacidad de salida en montaje emisor comn, 13.56 Conductancia de salida en montaje emisor comn,
en funcin de la intensidad de corriente de colector para en funcin de la intensidad de corriente de colector para
diversos valores de Vea (f = 100 MHz; famb = 25 C). diversos valores de Ves (f = 100 MHz; Tamb = 25 C).
282
ELECCIN DEL TRANSISTOR ADECUADO
Son miles los transistores que, con caractersticas distintas, se fabrican actualmente, por lo que la
eleccin del ms adecuado para una deterniinada aplicacin depende de las caractersticas del cir-
cuito en donde deba trabajar.
As, en la eleccin del transistor hay que tener presente los siguientes criterios relacionados con
el circuito donde se disponga:
Alta o baa frecuencia.

Alta, media o pequea potencia.
A continuacin, se debe seleccionar el transistor (germanio o silicio), teniendo presente que la

tensin base-ernlsor de los transistores de silicio, para bajas corrientes, es de 0,6 a 0,7 V, mientras
que en los de germanio es de O, 1 a 0,2 V (figura 13.57).
IE
(mA) .Q
<::
6 ~
.Q
'-'
"'
(!} ~
:::::
Ct5
4 -
J J
2
v 7 13.57 Caractersticas tpicas
de un transistor de germana
o
o 0,2 0,4 0,6 VsE (V) y otro de silicio.
La diferente V8E equivale a una diferencia de la tensin de partida, pero el grado de variacin de
la corriente en funcin de la tensin VsE por encima de este valor de partida, es igual para ambos
tipos de transistores.
La nica consecuencia de esta diferencia en V8E es que, en el caso de un clrcuito con polariza-
cin convencional, se precisa una mayor cada de tensin en la resistencia de emisor de los tran-
sistores de silicio para que stos entren en zona de conduccin.
Una vez efectuada esta preseleccin, debe elegirse, de entre todos los transistores existentes
en el comercio, aquellos que responden a la ganancia que se desea obtener.
Finalmente, y teniendo en cuenta las condiciones de trabajo, se selecciona el transistor ms
adecuado, para lo cual resulta de .surno inters recurrir al estudio de las curvas caractersticas de
los transistores posibles.
En ei caso de transistores de potencia, los fabricantes suministran las curvas SOAR (Safe Opera
tng Area, o rea de funcionamiento de seguridad), de las que se ofrece un ejemplo en ia figura 13.58.
Los gr$flcos SOAR ofrecen al profesional los valores lmites de corriente, tensin, potencia y
temperatura, en los que puede funcionar un determinado transistor de potencia.
El rea formada por todos los parmetros citados, aadiendo una cuarta condicin lmite para
la segunda ruptura, constituye el rea de funcionamiento de seguridad del transistor.
As, en la figura 13.58 la corriente Je lmite es de 20 A; siempre y cuando la tensin VCE no so-
brepase los 1 O V.
Entre 1 O y 20 V de VcE el rea de. seguridad viene lmitada por-la potencia total de disipacin, la
cual es de 200 W en el caso de la figura i3.. 58.
Estos dos valores (Ic y P10J estn relacionados con el efecto de la temperatura en el chip y en
la cpsula.
El tercer lmite es el de la segunda ruptura.
283
13.58 Grfico SOAR de lmites

de funcionamiento de un
transistor de potencia.
100
-
~
h
.
.
.
'r u~
~
le ~
(A) - -=Ll
Lmite de Je
Ll111ite de P,01
-
- ~ ' -
L
;
10 ~ 1 r-, .

,- ' - ' .
+"!"
+
1- +
..__ . 1 .
\ +
Umite de segunda
.
\ 1
ruptura
. \ , -
1 1:.-,. ~ +
'
t-r-
- -~~
' -
r
Lfmite de VcE
+ ~
(VcEOm4x)
1 '
~
1 1 1 1
O, t
1 10
Efectivamente, si la corriente de colector pudiera aumentar sin lmite. despus de la ruptura en

avalancha se producira una segunda ruptura, la cual se debe a una elevada densidad de corriente
en algn lugar dentro del chip del transistor y, como consecuencia, una elevada temperatura que
puede provocar una modificacin de la distribucin de las impurezas, e incluso una fusin local a
travs de la unin. Por consiguiente, y aunque el producto VCE Ie est por encima de los valores l-
mites de la segunda ruptura, el transistor no debe trabajar sobrepasando esta lnea.
Finalmente, el cuarto lmite viene dado por la tensin Vce que en el caso de la figura 13.58 es
de unos 55 V como mximo.
En el caso de tener que sustituir un transistor por otro, deben tenerse presente los siguientes puntos:
Si el transistor est montado en circuito emisor comn, el nuevo transistor ha de poseer una
ganancia h16 de igual valor, con una tolerancia de 30 %. Si el montaje es en base comn,
no cabe preocuparse de este parmetro 1
La resistencia ha de ser igual o mayor.
El coeficiente de realimentacin negativa interna h 12e deber ser igual o menor.
La conductancia de salida h22e ha de ser casi Igual o inferior.
CDIGOS DE DESIGNACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Existen varios cdigos de designacin de transistores: los ms importantes son el JEDEC (ameri-
cano), el europeo antiguo, el Pro Electron (europeo actual) y el JIS apons). A continuacin se ex-
pone cada uno de ellos.
Cdigo JEDEC (norteamericano)

En el cdigo JEDEC. los transistores, sea cual sea la aplicacin de los mismos, se designan por el
prefijo 2N (dos uniones) seguido de un nmero de serie de cuatro o ms dgitos, que corresponde
a un modelo dado y es facilitado por el fabricante.
1 . Se dice que un transistor est en montaje emisor comn cuando la seal que se desea amplificar se apli-
ca entre base y emisor, y la seal amplificada se obtiene entre los electrodos de colector y emisor. De igual for-
ma, un montaje en base comn es aqul en el cual la seal a amplificar se aplica entre emisor y base. y la se-
al de salida se obtiene entre colector y base.
284
Cdigo europeo antiguo

En la nomenclatura europea antigua, se utilizan dos o tres letras seguidas de un nmero para desig-
nar un tipo o modelo en particular, pero de forma que no se aclaran sus caractersticas generales.
La primera letra siempre es una O, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor. La
segunda letra es una e, indicativa de que se trata. de un transistor.
Cdigo Pro Electron

Esta nomenclatura es bastante ms acertada que las anteriores, pues no slo permite identificar un
determinado tipo de transistor sino que, adems, mediante ella se deducen sus aplicaciones.
Consta de dos letras seguidas de un nmero de serie. La primera letra distingue el material se-
miconductor utilizado, emplendose una A para los transistores de germanio, una B para los de si-
licio y una C para los de galio.
La segunda letra indica la aplicacin del transistor, segn el siguiente cdigo:
C =Transistor para baja frecuencia, con una resistencia trmica entre unin y tondo de cpsu-
la (R1~tl-mJ superior a 15 C/W.
O = Transistor de potencia para baja frecuencia, con una resistencia trmica entre unin y fon-
do de cpsula (RIl-mb) igual o Inferior a 15 C/W.
F = Transistor para alta frecuencia, con una resistencia trmica entre unin y fondo de. cpsula.
(R1himb) superior a 15 C/W.
L = Transistor de potencia para alta frecuencia, con una resistencia trmica entre unin y ton-
do de cpsula (Rrnrmb) igual o inferior a 15 C/W.
S =Transistor para aplicaciones de conmutacin, con una resistencia trmica entre unin y fon-
do de cpsula (R11,.rnb) superior a 15 C/W.
U = Transistor de potencia para aplicaciones de conmutacin, con una resistencia trmica en-
tre unin y fondo de cpsula (Rtl'ilrnt-) igual o inferior a 15 C/W.
El nmero de serie est formado por tres cifras para los transistores diseados para su aplica-
cin en aparatos de consumo (radio, televisin, etc.); y por una letra y dos cifras para los transisto-
res diseados para aplicaciones Industriales y profesionales.
Cdigo JIS Oapons}

El cdigo J.18 est formado por dos letras y un nmero de serie de cuatro o ms dgitos.
La primera letra siempre es una S, indicativa de que se trata de un dispositivo semiconductor
de silicio.
La segunda letra especifica el tipo de transistor, segn el siguiente cdigo:
A = Transistor PNP para alta frecuencia.

B =Transistor PNP para baja frecuencia.
C = Transistor NPN para alta frecuencia.
O = Transistor NPN para baja frecuencia.
Cdigo complementario para indicar la ganancia del transistor

Adems, es muy usual aadir un cdigo oornplementaro que indica la ganancia del transistor. Exis-
ten cuatro tipos de cdigos complementarlos de esta clase:
Literal:
A= 110 a 220.
B = 200 a 450.
'
e= 420 a 800.
Punto de color:
Rojo= 55 a 100.
Naranja = 90 a 180.
285
Amarllo = 150 a 300.
Verde= 235 a 470.
Numrico:
6=40a100.
10 = 60 a 160.
16 = 100 a 250.
25 = 160 a 400.
40 = 250 a 600.
Nmeros romanos:
11=12,5 a 25.
111 = 20 a 40.
IV= 30 a 60.
V=50a100.
VI= 75 a 150.
VII= 125 a 250.
VIII= 180 a 310.
IX = 250 a 460.
X= 380 a 630.
286
,ma~itu19.; ~~;i
Transistores unipolares
>: ,,. ,v''''.'''
INTRODUCCIN
Los transistores umpoleres basan su funcionamiento en las propiedades de las uniones PN polariza-
das en sentido inverso, por lo que se trata de.un componente de potteootes mayoritarios. Los tran-
sistores bipolares, por el contrario, basan su funionamiento en una combinacin de uniones PN
polarizadas en sentido directo o inverso, es decir, es un componente de portadores minoritarios.
Dentro del grupo de los transistores unipolares se distinguen dos subgrupos: los JFET y los
MOSFET, dado que presentan ligeras variantes en sus funcionamientos.
En cada uno de los subgrupos citados, una tercera divisin clasifica a los transistores unlpola-
res en dos tipos: de canal N y de canal P.
Finalmente, los MOSFET de canal N se subdividen a su vez en MOSFET de canal N de agota
miento, y en MOSFET de canal N de acrecentamiento, as como los MOSFET de canal P se sub-
dividen en los tipos de agotamiento y de acrecentamiento (figura 14.1).
.Tnnsistores 14. 1 Clasificacin

de los transistores.
Bipolares
MOSFET JFET
C~na/ N Canal P Canal N Canal P

PNP NPN
Agotamiento Acrecentamiento Agotamiento. Acrecentamiento

D D
e e D D D D
B B 8 B 8 'G
B G
G 6 G
E E s s s s s s
JFET
El JFET (Junction Field Effect Transistor) o transistor uniunin de efecto de campo, es un dispositi-
vo semiconductor controtado por tensin, es decir, que el paso de la corriente elctrica a travs de
l se controla mediante un campo elctrico, y no por una corriente elctrica, como sucede en los
transistores bipolares.
De lo expuesto .se deduce que los transistores JFET poseen una impedancia de entrada muy
elevada, lo que permite comparar sus propiedades con las di las vlvulas electrnicas de vaco.
Por ello, tos circuitos que utilizan vlvulas termoinicas pueden adaptarse fcilmente a transistores
JFET. En este caso resulta Idneo el empleo de transistores JFET de canal N, ya que son controla-
dos por tensiones negativas (igual que las vlvulas).
287
Como se ha dicho, existen dos tipos de transistores JFET: los de canal tipo P y los de canal tipo N.
Dado que la movilidad del electrn es superior a la del hueco, los transistores de canal N ofrecen
una mayor ganancia para una estructura dada. No obstante, la existencia de transistores JFET de
canal P da ms posibilidades de diseo, al poder utilizar tipos complementarios.
Al igual que los transistores bipolares, el JFET est dotado de tres terminales, pero aqu reci-
ben las denominaciones de surtidor (S), puerta (G) y drenador (O), que corresponden a las iniciales
de las palabras inglesas source (fuente o admisin), gate (puerta) y drain (salida). En cierto modo,
estos electrodos equivalen al emisor, base y colector de los transistores bipolares, respectivamen-
te (figura i 4. i ).
En la figura 14.2 se ha representado, de forma simplificada, un JFET de canal N.
o
)
1
~
p N ' .p
d
!"""
'' lb-
s
14.2 Seccin de un JFET de G
canal Nen estado inactivo.
Consta de un cristal tipo N, en el que se han creado, por difusin de impurezas adecuadas, dos
zonas de tipo P con una fuerte densidad de tomos donadores. Entre dichas zonas existen dos unio-
nes PN, desprovistas de portadores, que se han representado mediante una superficie gris.
Sin embargo, las dos zonas de tipo P estn elctricamente unidas entre s, por lo que se pue-
de afirmar que slo existe una unin.
En este transistor de canal N, el cristal P corresponde a la puerta (G) y ser el que gobierne el
paso de corriente a travs del cristal N.
El funcionamiento del JFET se basa en la modulacin de la resistencia hmica de la zona tipo N
(cana~ que existe entre los electrodos de surtidor (S) y drenador (D), por medio de las dos zonas P
de la puerta.
Efectivamente, si se polarizan en sentido inverso las dos uniones PN que limitan el canal, los hue-
cos del cristal P se sienten atrados por el potencial negativo de la fuente de alimentacin, y los elec-
trones libres del cristal N son atrados por el polo positivo de la fuente de alimentacin. Como con-
secuencia, se crean dos capas despobladas de portadores libres que se extienden, en su mayor
parte, por el cristal N (debido a la fuerte concentracin de impurezas en la zona P).
Estas dos capas despobladas de portadores libres, que se comportan tericamente como
aislantes, reducen la seccin del canal N, aumentando con ello la resistencia hmica del canal
(figura 14.3).
La seccin del canal N con portadores de carga depende del valor de la tensin de polari-
zacin inversa aplicada a las uniones PN. Cuanto estas tensiones de polarizacin son tan ele-
vadas que hacen que las dos capas aislantes establezcan contacto entre s (figura 14.4), se dice
que el canal ha quedado contrado. En este caso la resistencia hmica del canal (entre surtidor
y drenador) es tericamente Igual a infinito, y ninguna corriente elctrica puede circular a tra-
vs de l.
En la figura i 4.5 se ha dibujado el esquema de un JFET de canal N correctamente polarizado.
El surtidor se conecta a masa, al drenador se le aplica una tensin positiva con respecto al surtidor
288
www.elsolucionario.org TRANSISTORES UNIPOLARES
D D
~<p N ..p
+ s ++ s
6 G
14.3 Seccin de un JFET de canal N 14.4 Seccin de un JFET de cana/'N

funcionando en fa zona de regin funcionando en fa regin de contraccin.
hn1ica.
A VR
lo
-
-
1
-;
I~-
Vos
.. -Ves
T ! 1 l
14.5 Po/aiizacin de un JFET
de canal N.
(V0s), y a la puerta una tensin negativa con relacin al surtidor (Vc;s). Para cada combinacin dada
a estos valores de tensin, el ancho de las capas despobladas vara a lo largo del canal.
Haciendo variable la tensin VGs se controla el paso de la corriente elctrica a travs del
transstor y, por lo tanto, a travs de la resistencia R en serie con l, por lo que en sta se obtie-
ne una tensin Vn variable, y como la tensin VR es mayor que -VGs se obtiene una amplificacin
de tensin.
El transistor puede ser de canal P y la pelcula de la puerta de canal N. En tal caso, las ten-
siones de servicio Vos y V05 tienen. naturalmente, polaridad opuesta. tal y como se ha dibujado
en la figura 14.6, y tambin el sentido de crculacln de la corriente de drenador I 0 queda In-
vertido.
-V11
-1' 1
... _1~ ...T

-Vos
-r [
Vas
1
14.6 Polarizacin de un JFET
de canal P.
289
CURVAS CARACTERSTICAS DE UN JFET
Al igual que los transistores bipolares, los transistores JFET se disean con diferentes caracters-
ticas, de forma que sea posible disponer del ms adecuado para cada funcin. Para determinar el
comportamiento de un JFE 1 se recurre a sus curvas caractersticas:
Curva caracterstica de la corriente de drenador (10) en funcin de la tensin drenador-surti-

dor (Vos). para diferentes valores de la tensin puerta-surtidor (VGs).
Curva caracterstica de la corriente de drenador (10), en funcin de la tensin puerta-sur-
tidor (VGs).
Curva caracterstica de la corriente de drenador ( I 0), en funcin de la temperatura de la
unin (T).
Estas curvas son las principales, a las cuales cabe aadir otras que tambin se exponen en este
captulo en lneas generales.
Curva caracterstica J0 = f(V05} de un JFET

En la figura 14.7 se representan las curvas caractersticas de drenador de un JFET de canal N, tra-
zadas para diferentes tensiones de puerta VGS
lo
(mA) Vp= 2,5V
8,0
loss ~ ~s=OV
6,0 Regin Regin de
hmica contraccin
'
4,0 '
-A-

-+------- Vcs=~5V

2,0 _.. . . .... --..1..------

VGS =1.0 V
14. 7 Fami/la de curvas {:::...~ Ves= 1.5 V
caractersticas de drenador de
un JFET de canal N. 1,0 2,0 V 3,0 4,0 5,0 V05 (V)
El grfico consta, bsicamente, de dos regiones: la regin hmica y la regin de contraccin. La

separacin entre ambas zonas es el lugar geomtrico de los puntos que cumplen la condicin:
Donde Vp es la tensin de Pinchet off. o tensin a la cual la resistencia del canal es prcticamen-
te Infinita.
Con tensiones de drenador de pequeo valor, la caracterstica es lineal en Ja region hmica y re-
presenta la modulacin de la resistencia del canal desde su valor rnnimo hasta (tericamente) infi-
nito, cuando la tensin de puerta VGs alcanza el valor de la tensin de contraccin Vp.
En la regin de contraccin el canal queda estrangulado, dado que V00 + VGS es mayor que Vp.
por lo cual la corriente de drenador 10 no vara aunque aumente la tensin de drenador Vos
La tensin V0s mxima corresponde al valor de la tensin Vp cuando la tensin Ves es nula, en
cuyo instante la corriente I 0 es constante. alcanza su valor mximo y se satura (valor I 0ss).
Dado que la temperatura influye sobre la curva caracterstica I 0 ={(Vos) de un JFE 1, puesto que
al aumentar la temperatura disminuye la corriente de drenador (como luego se ver), los fabrican-
tes de estos transistores suministran las curvas para una temperatura de unin dada, la cual suele
ser de 25 C. Vase en la figura 14.8, y como ejemplo de ello, la familia de curvas caractersticas
I 0 = f(Vosl del JFET tipo BF256A. correspondiente a una temperatura de unin de 25 C.
290
TRANSISTORES UNIPOLARES
6 14.8 Familia de curvas

( 1
1 caractersticas de drenador del JFET
~ v J ~ Valores tpicos
1
_
~
de canal N tipo BF256A, para una
lo Gs T25C temperetut en la unin de 25 C.
(mA)
.
- ,,
- ~
,_
4
- , V,,5=0,5V
_j
--
'1
1-
,
~
,_ -
,,
2 1V
,.
1. - 1-,_
-
t,5V_ -
1 1-
1
2V
o J 1 1 1 1 1
'
o 10 20 V05 (V)
Mediante estas curvas es posible determinar la impedancia de salida (r05) del transistor, la cual
se expresa mediante la frmula:
[para Vos = constante]
Dado que los transistores JFET funcionan como limitadores de corriente en la regin de con-
traccin, la impedancia de salida rds es de elevado valor.
Curva caracterstca I 0 = f(-V as> de un JFET

Para obtener la curva caracterstica de la lntenskad de drenador en funcin de la tensin de puer-
ta de un JFET, se le aplica entre drenador y surtidor una tensin constante y, a continuacin, se
hace variar la tensin de puerta entre cero voltios y un valor mximo para el cual la corriente de dre-
nador es nula, es decir, hasta que el transistor entre eh la zona de contraccin.
6 1 1
' 1 1 1 1
,_ V05 = 15V
lo ,_ T = 25C -
(mA) -
IJ
- ,_
1-
,_
- -
4
,_ - ' -
-
1 -
,_ -
-
tpico ' -
,,_
2
.
' .
- 1
o 1
4 2 VGs (V) O
14.9 Curva caracterstica I 0 = f(Vas) del JFET de canal N tipo BF256A.
291
En la figura 14.9 se ha dibujado la curva caracterstica I0 = f(-V8sl del JFET de canal N tipo
BF256A para una tensin V0s de 15 V, y para una ternperatura de la unin de 25 C. Se aprecia
perfectamente que la mxima corriente de drenador se obtiene cuando a la puerta no se le aplica
tensin alguna.
A medida que aumenta la tensin negativa aplicada entre puerta y drenador, y debido a que es-
tos transistores son del tipo de canal N, se va estrangulando el canal y, como consecuencia, dis-
minuye la corriente de drenador, hasta hacerse nula al aplcrsele, en el caso del BF256A, una ten-
sin -V88 de unos 2,6 V.
Mediante esta curva caracterstica se obtiene otro importante parmetro de los transistores
JFET: la transconductanca 9m
La transconductancia se define como la inversa de la resistencia mnirna del canal, y es igual al
resultado de dividir la variacin de la corriente de drenador (I0) por la variacin de la tensin de
puerta (VGs), para una tensin drenador-surtidor (V0s) constante, es decir,
En fas hojas caractersticas dadas por los fabricantes suele darse el valor 9mo que corresponde
a la transconductancia del transistor para una tensin de puerta de cero voltios. Este valor tambin
se representa por Yrs es decir, por la admtanca del transistor montado en surtidor comn 1.
As, el transistor BF256A posee una admitancia de transferencia directa, en montaje surtidor co-
mn, mayor de 4,5 mS, valor ste obtenido con una tensin V8s de cero voltios, una tensin V08 de
15 V, una temperatura ambiente de 25 C, y una frecuencia de 1 kHz.
Conocido el valor de la transconductancia 9mo se puede conocer el valor de la resistencia mni-
ma del canal (R0) mediante la frmula:
1
Ro=
9mo
As, la resistencia mnima del canal de un JFET, cuya transconcuctarca g. sea de 5 mS, ser de:
1 1
Ro= = -- = 200 Q
9mo 5 rnS
sta es pues la resistencia ms pequea que presenta el transistor, la cual, corno se ha dicho,
se produce cuando no se aplica tensin a la puerta.
Curva caracterstica I0 = f(Tj) de un JFET

Resulta de gran inters para el profesional conocer cmo se comporta un JFET al aumentar la tem-
peratura en su unin, puesto que en las curvas estudiadas en los prrafos anteriores se ha consi-
derado constante la temperatura de la unin y, sin embargo, al igual que en cualquier otro semi-
conductor, la temperatura de la unin ejerce gran influencia sobre las curvas caractersticas.
Por los motivos apuntados, los fabricantes de transistores JFET proporcionan en sus catlogos
las curvas caractersticas de la corriente de drenador en funcin de la temperatura de la unin, para
diferentes tensiones de puerta y para una tensin drenador-surtidor constante. Un ejemplo de cur-
va de estas caractersticas es la de la figura 14.1 O, correspondiente al JFET de canal N tipo
BF245A.
En la figura 14.1 O se aprecia cmo al aumentar la temperatura de la unin la corriente I 0 dis-
rninuye, siendo tanto menor esta disminucin de corriente cuanto mayor sea fa tensin aplicada a
la puerta.
1. En el montaje surtidor comen la seal de entrada se aplica entre puerta y surtidor del JFET, y la seal
amplificada se obtiene entre drenador y surtidor.
292
TF'{ANSISTORES UNI POlAl'.iES
14.10 Familia de curvas

lo
i ~-
1
'
(mA.) caractertsticas ID ::: f(T) del JFET
20 Valores tpicos de 'Canal N tipo BF245A.
,_ -
Vos= 15V
1
1-
--
~
f',
ts -~
r-, 1'. ,~ O -
VGo=
1-
r--.._
~
""'--
10
.. r;; ..._

=1-f+~
-Vrr =2V
-
~
ro =-1-1
-
5
4V
- i
o 1
o 50
-
100 150 T (C)
Efectivamente, para una tensin Ves nula, si la temperatura de la unin sube de 25 "C a i50 C
(temperatura mxima de unin que puede soportar este transistor), la corriente 10 baja de 17 mA a
10,5 mA, mientras que.para una tensin VG-s de -4 V, y con el mismo aumento de-temperatura, la
corriente 10 slo desciende de 3 a 1,75 rnA.
Todo esto resulta lgico, ya qu, cuanto menor sea a-tensln spcada a la puerta, ms eleva-
da sera la corriente de drenadbr, y todo paso de corriente genera tanto ms calor cuanto mayor sea
su valor.
Corriente de puerta
Aunque los transistores J~FE~Iposeen una nica unin, y se. polarizan en sentido inverso, siendo go-
bernados por variaciones de la tensin inversa de puerta con respecto al surtidor, ello no quiere de-
cir que no se produzca en sentido inverso una corriente de fuga, al igual que en los diodos polari-
zados en sentido inverso.
La corriente de puerta es. por tanto, una corriente de fuga. en sentido inverso y, corno resulta l-
gico_, es tanto mayor cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada a la puerta, aunque es del orden
de los nA y, por ello, totalmente despreciable,
Los fabricantes indic;an en sus catlogos la corriente de corte de puerta con el drsnador corto-
circuitado a surtidor, es decir, con una tensin Vps. nula, y una tensin mxima aplicada entre puer-
ta y surtidor. Esta magnrtud se representa por -Icss en los transistores JFET de canal N, y me-
diante I ess en los transistores JFET de canal P.
Dado que la temperatura de la unin ej~rc) gran Influencia sobre la corriente de corte de puerta
-IGss los tabrcantes proporcionan la curva caracterstica -1885 = f{T), corno la de la figura 14.11,
correspondiente al JFET de canal N tipo BF245A.
Destaca, en esta curva, que la tensin inversa aplicada 8 la puerta con respecto al surtidor es
de 20 V, mientras que la tensin drenador-surtidor es de cero voltios.
Mientras el aumento de temperatura en Ja unin sigue una ley aritmtica, la corriente de puerta
sigue una ley logartmica, es decir, aumenta considerablemente con el aumento de temperatura en
la unin.
As, a una temperatura de unin de 25 C, la corrlente de puerta es de tan slo 6 pA; al doblarse
la temperatura en la unin la corriente de puerta sube a 25 pA (unas cuatro veces mayor), y al al-
canearse una temperatura de unin de 150 ce
(mxima adrnrtida por este, transistor), la corriente de
puerta alcanza un valor de 8 nA (unas 1.300 veces mayor que a 25 C).
Otro dato que suelen facilitar los fabricantes (aunque de 'escaso inters, ya que la puerta ha de
estar polarizada en sentido inverso) es la corriente de puerta mxima admisible por el transistor
293

~-v~;=11~
Ioss 10 ,_ .
(mA)
s.=
1 GSs = f(T) del JFET de canal N tipo 1-
,_ 1- -
BF245A. ,_ : V0 O
- -
11 -
11
/
1 - ' - 1-:.. -
-
-+-
J
+
tfpica /
,
1
--
1
.
- - ,
t -- 1
1- -
- /
,L 1
-- -
103 1 1
o 50 100 150 T (C)
cuando entre puerta y surtidor se le aplica una tensin directa. Esta corriente se representa por JG
en los transistores JFET de canal N, y por -JG en los transistores JFET de canal P, es decir, con sig-
nos opuestos a los de la corriente en sentido inverso de puerta.
La corriente de puerta en sentido directo de un JFET vara de un tipo a otro, pero en lneas ge-
nerales suele estar comprendida entre 5 y 50 mA.
Curva caracterstica rds = f(-VGs) de un JFET

En un apartado anterior se ha.definido la impedancia de salida de un JFET como el resultado de di-
vidir las variaciones de la tensin drenador-surtidor por las variaciones de la corriente de drenador.
Esta. impedancia de salida depende de la tensin inversa aplicada entre puerta y surtidor, ya que
cuanto mayor sea esta tensin menor ser la corriente que puede circular por el transistor.
Para determinar el valor de rds en funcin de la tensin -V85 de un JFET, los fabricantes pro-
porcionan curvas caractersticas, como la dibujada en la figura 14. 12, correspondiente al JFET
BC264D de canal N.
'
-- 1
1
_,,
~
1 -
. ~
'
y
I
-- -
-
-7 -
--
- - Valores tpicos
Vos=O
f = 1 kHz
/ Tamb = 25 C
14.12 Curva cersctetistice

- _/
rds = f(V65) del JFET de canal N tipo 101 1 1
BC264D. o 1 2 3 4 -Vas (V)
294
www.elsolucionario.org TRANSISTORES UNIPOLAAES
Se observa en esta curva caracterstica que la mpedancla de salida (rcJ sigue un curso logart-
mico al aumentar la tensin Ves-
As. cuando la tensin apllcada a la puerta es de O V la impedancia es de tan slo unos 150 n.
aumentando a 1 O k!l cuando se aplican 2,6 V a la puerta.
Para Ja obtencin de estas curvas se aplica una tensin ele O V entre drenador y surtidor, y se
toman las medidas a una temperatura ambiente de 25 C, ya que tanto una como otra magnitud
influyen sobre el valor de ras
Curva caracterstica Yrs = f( I 0) de un JFET

La adm/1anca de transferencia directa de un JFET. montado en surtidor comn (salida cortocircui-
tada para la corriente alterna), depende de la intensidad de corriente de drenador que circula por el
transistor.
o
o 2.S 5 7,5 10 12.5 r,~mA) 15
14.13 cutvs cetectenstics Yrs = f(I0) del JFET de canal N tipo BC264D.
En la figura 14.13 se ha dibujado una curva caracterstica Yr~ = f( Io), para una tensin Vos de
15 V y una temperatura ambiente de 25 C. Esta curva corresponde al JFET de canal N tipo
BC264D.
Se puede ver en la figura t 4.13 cmo la admitancia aumenta al aumentar la intensidad de co-
rriente de drenador, siendo al principio de crecimiento elevado (con pequeas intensidades de dre-
nacor) y luego lineal a partir de unos 2,5 mA de I 0.
Curva caracterstica C5 = f(-V Gs) de un JFET

Todo JFET montado en surtidor comn presenta una capacidad de entrada (CJ, con salida cor-
tocircultada para la corriente alterna. cuyo valor depende de la tensin aplicada a su puerta (-V08).
Efectivamente, cuanto mayor sea la tensin Inversa aplicada a la puerta. ms ancha ser la
zona sin portadores de carga presentes en la unin PN del transistor, por lo que disminuye la ca-
pacidad existente en la unin. (Recurdese que toda unin PN forma un condensador, cuyas
placas son los cristales y cuyo dielctrico es la zona sin portadores de carga existente entre los
cristales. y que la capacidad de un condensador es inversamente proporcional aJ espesor del
dielctrico.)
Como consecuencia de todo ello. al aumentar la tensin inversa aplicada entre los cristales P y
N de un JFET. aumenta el espesor de la zona sin portadores de carga y, por lo tanto, disminuye la
capacidad de entrada.
295
14.14 Curva caracterstica 6 1 1 1 1 1
C;, = t(V65) del JFET de canal Vas= 15V ~

e, 1- 1- f = 1 MHz
N tipo BC264.
(pF)
- ,_,_Tamb = 25 G
- -
\ ! - -
4 !
- ' 1\- tpica
2
-~ Jo,.
' ''
- !-
!-
!-

1
o
o 5 -Ves (V) 10
Todo lo expuesto queda reflejado en la figura 14.14, donde se puede observar cmo con una ten-
sin de puerta nula la capacidad de entrada del transistor BC264 es de 6 pF, y al aplicar una tensin
-VGs de 7,5 V, la capacidad de entrada disminuye a 2 pF. Esta disminucin de capacidad no es li-
neal, sino que lo hace de forma exponencial, disminuyendo bastante de valor con pequeas ten-
siones de puerta y luego menos con tensiones de puerta elevadas.
Para la obtencin de esta curva se aplica al transistor una tensin V08, por ejemplo 15 V, y se
toman las medidas en una temperatura ambiente de 25 C.
Curva caracterstica Crs = f{V0s} de un JFET

La capacidad de transferencia inversa en surtidor comn (Crs) de un JFET depende de la tensin
V08 que se le aplique.
Efectivan1ente, para una tensin de puerta fija, que supondra una capacidad de entrada fija
(como se ha visto en el apartado anterior), la capacidad de transferencia inversa disminuye al au-
mentar la tensin VDs ya que ello supone un aumento de la corriente a travs del transistor y, por
lo tanto, una disminucin de su capacidad.
3 v.aiores tiptco
, . _
V6s: 2V
e; 1 f: 1 MHz -
(pF) Tamb = 25C
-
,_ 1-
2 - 1 1
-
t' ~
- -
~
I'-... '
- ....
;-... :-....._
-
-
....
r-.. - C-fS '
1 1 -
'

-
'-
-
j
'
t1
- ---
C,s = f{V05) del JFET de canal o

N tipo BC264. o 10 -V05 (V) 20
296
TRANSISTOF\ES UNIPOLARES
En la figura 14.15 se ha dibujado el corso de la capacidad de transferencia inversa en surtidor

comn (entrada cortocircuitada por la corriente alterna) en funcin de la tensin VDs Esta curva se
ha obtenido con una temperatura ambiente de 25 C y una tensin contlnua-VGs de 2 V.
En el caso expuesto Ja capacidad Crs es de unos 2,3 pF al aplicar al transistor una tensin Vos
de 2 V,y desciende a 1,5 pF cuando V0s sube a 20 V.
.
Curva caracterstica CGs = f(V05) de un JFET
La capacidad de salida en surtidor comn (entrada cortocircuitada para la corriente alterna) de un
JFET depende tambin de la tensin aplicada entre drenador y sur:tidor, tal y corno se puede apre-
ciar en la curva caracterstica de la figura 14.16.
3 1
1
1 1
Valores tpicos
Va5=2V --
'f= 1 MHz -
,_ - Tamv = 25C
d- --t
....... -
2 - ~
~ ,.._ - ,_
1
- Cs
1 L
'
-
_,_-
~
1
- -
- '
~
.
1
1
1
-
,_
o C05 = f(V05) del JFET de canal
o 10 -V05 (V) 20 N tipo BC264.
Para la obtencin de esta curva es necesario aplicar una tensin continua fija a la puerta (ten-
sin -V8s), ya que dicha tensin Influye sobre la capacidad de salida, as corno efectuar las medi-
das a una temperatura ambiente fija (normalmente de 25 C).
Curva caracterstica Ptot = f{Tamb) de un JFET

La potencia total de disipacin de un JFET no es elevada, siendo normales valores que oscilan en-
tre 300 y 1.800 mW a :Z.5 C.
Al Igual que en los transistores bipolares, la potencia de disipacin viene limitada por la tempera-
tura arnblente, de forma que disminuye al aumentar sta.
300
r; ' 1,
(mW} ' -' 1

'
''
200
' .
'
1
- '
-
100
" "'
' '- 14. 17 Curv.a. cstscterlstics
o 1 '
o 100 Tamo (C) 200 P101: f(TamJ de un JFET.
297
En la figura 14.17 se ha dibujado la curva de la potencia de disipacin en funcin de la tem-
peratura ambiente de un JFET. Hasta 40 C la potencia de disipacin es de 300 mW, y a partir de
esta temperatura la potencia disminuye de forma lineal, hasta hacerse nula a 175 C.
Es pues muy importante conocer a qu temperatura ambiente operar el transistor para evitar
que ste quede destruido por trabajar fuera de los lmites establecidos.
Factor de ruido en un JFET

Para una frecuencia y ancho de banda determinado, el factor de ruido (F) es la relacin entre lapo-
tencia total de ruido p, obtenida en drenador, y la parte de sta introducida por la potencia de en
trada p0, dada respecto a la fuente de seal en la que la temperatura de ruido es estndar a todas
las frecuencias.
El factor de ruido se expresa normalmente en dB, calculndose a partir de la igualdad:
donde Vp es la tensin de pico de la seal de entrada.

El factor de ruido viene determinado, para un punto especfico de funcionamiento, por la resis-
tencia del generador de alimentacin (RG) y por la frecuencia, o margen de frecuencias, dados.
Para conocer el factor de ruido de un JFET, trabajando en unas condiciones determinadas, los
fabricantes proporcionan en sus catlogos las curvas caractersticas del factor de ruido en funcin
de la resistencia del generador y de la frecuencia aplicada (figura 14.18).
20
-
F -
(dB) Vos"' 15V
10 = 1 rnA t-
- t+
f = 1 kHz
-
- -r.mb
-
15 1 "'25 C
- '
_ -L ~
-
I'\ - '
10
__\ ' , ..
1
'\- 1-
~
5 1' '. r-
tpica 1 1
-
1 ,, 1
-
1
.......
1 i1
o 'I
1 10 102
14.18 Curva caracterstica F = f(R6) de un JFE[
Para la obtencin de esta curva se aplica, entre drenador y surtidor, una tensin fija de 15 V, con
una corriente de drenador de 1 mA. La frecuencia de la seal debe ser de 1 kHz y la temperatura
ambiente a la que se toman las medidas de 25 C.
Destacamos que el factor de ruido de un JFE 1 disminuye al aumentar la resistencia del genera-
dor. As, en el caso de la figura 14.18, el factor de ruido es de 11 dB, con una resistencia de gene-
rador de 1 kQ, disminuyendo a casi cero cuando la resistencia del generador es de 1 Mi'l.
Dado que el factor de ruido queda influido por la frecuencia de la seal aplicada, siendo tanto
menor cuanto mayor sea sta, los fabricantes de JFET incluyen en sus catlogos curvas caracters-
ticas como la de la figura 14.19, en la que se expresa el factor de ruido en funcin de la frecuencia
de la seal aplicada para tres resistencias de generador dadas (1 k.Q, 1 O kQ y 1 M.Q).
298
20 1 l 1 1 J
Re= 1 kn ,j ,_ . 1
F va/qres tpicos
(dB) I\..
-.
.. V05= 15V -
V65 = 1 V
15 -
- Tamb = 25C
-
-
- "" ,_
'
10
,_10k.Q .... .....
1
. " 1
. .
..
1
' .... :-..
"' -....... ........
<;
5 "" '
- .

1 Mil
1
' l
'
-
. r
o 1 1 1 1 11
1 111 u:r t(Hz) to'
14.19 Curva caracterstica F = f(f) de un JFET.
Para obtener estas curvas se aplica una tensin VDs de i5 V y una tensin -VGs de 1 V.
Con resistencias de generador de pequeo valor, el factor de ruido disminuye rpidamente al
aumentar el valor de la frecuencla aplicada, mientras que con resistencias de generador elevadas
el factor de ruido es muy bajo y prcticamente constante.
A este respecto cabe decir que, para etapas arnplifleadoras de pequeas seales, es preciso
que el factor de ruido sea el rns.pequeo posible, del orden de 1 a 2 dB. Esto es partlcularmente
importante trabajando con frecuencias muy.elevadas, del orden de los GHz. En este caso se acon-
sea la utilizacin de transistores de efecto de campo de arseniuro de galio, los cuales ofrecen un
bajo factor de ruido y alta ganancia.
Como orientacin diremos que el factor de ruido de los JFET de arseniuro de galio oscila entre
1 dB a 2 GHz y 3,6 dB a 12 GHz, con una tensin V08 de 4 Vy una J0 igual a 0,15 veces el valor
de la corriente de saturacin 1088 (60 mA).
MOSFET DE ACRECENTAMIENTO
Los transistores de efecto de campo con puerta.aislada (insulatect gate field effect transistor, IGFET)
ms conocidos por el nombre de transistores metal-xido semiconductor (met81oxidesemicon
ductor transistor, MOST o MOSFET), se comportan en su funcionamiento de una forma anloga a
la de los JFE 1 estudiados en los apartados anteriores.
Al igual que los JFE, el transistor MOS es un dispositivo controlado por tensin.
Su principal caracterstica es la elevada impedancia de entrada, la cual puede llegar a tomar va-
lores de 108 MQ.
Esta .elevada impedancia de entrada hace que la puerta sea muy sensible a los potenciales elec-
trostticos, los cuales pueden llegar a alcanzar valores de 50 o ms voltios. El simple hecho de to-
car con el dedo el terminal de la puerta provoca la aparicin de estos potenciales electrostticos,
con el consiguiente riesgo de destruir el transistor.
C.on el fin de evitar este inconveniente, los transistores MOS se fabrican, generalmente, provis-
tos en su interior de una serie de diodos Zener, los cuales hacen disminuir ligeramente la impedan-
cia de entrada. De todas formas, slem.pre es aconsejable evitar tocar con los dedos el terminal de
puerta-y, a lo sumo, tomar el transistor envuelto en un papel de estao,
La estructura fsica de un transistor MOS. est constituida por un sustrato de semiconductor tipo
N de e.levada reslstlvidad, es decir, de un cristal muy dbilmente dopado (con pocas impurezas). En
este sustrato se forman por difusin dos regiones semiconductoras de cristal tipo P de baja resis-
tividad (con gran cantidad de sustancias aceptadoras), separadas entre ellas por una distancia
299
que vara entre 5 x 10-4 y 5 x 10-3 cm. Estas dos regiones de cristales P reciben el nombre de en-
trada (o surtidor) y salida (o drenador), al igual que los JFET antes descritos (figura 14.20).
s G o 1
14.20 Estructura fsica de un

MOSFET. 1) Metal; 2) Capa de
xido de silicio (SiO,); S) Surtidor, N
G) Puerta; D) Drenador.
Una capa aislante de Si02 (xido de silicio), de un espesor comprendido entre 800 y 2.000 f, cu-
bre la superficie exterior del sustrato. Sobre esta capa de xido se efecta una metalizacin para la
conexin del electrodo de gobierno o puerta (figura 14.20).
Dos orificios practicados sobre el xido, sirven para realizar los contactos metlcos del surtidor
y el drenador.
La estructura descrita, sobre la cual desarrollamos el estudio del funcionamiento de los transis-
tores MOS, corresponde a un transistor MOS de canal P, existiendo tambin el transistor MOS de
canal N que, como se puede suponer, posee un sustrato de cristal tipo P y dos regiones de cristal
N para el surtidor y el drenador.
La puerta est, por tanto, aislada elctricamente del sustrato y, por supuesto, del drenador y
surtidor. De ah la gran impedancia de entrada de este componente.
Para el estudio del funcionamiento de estos transistores consideramos, en primer lugar, que los
electrodos de entrada y de salida, as como el sustrato, se encuentran conectados a masa ('figu-
ra 14.21 ). En esta circunstancia el transistor se puede comparar a un condensador cuyas placas
son el sustrato y la puerta, y el dielctrico la capa de xido.
14.21 Al aplicar un potencial

negativo a la puerta con respecto
al sustrato, las cargas. negativas de ---------
ste son repelidas de su regin o o o o o o
o o o o o
superficial y, en su lugar, aparece
una regin despobladade cargas
mviles.
Si se aplica una tensin negativa a la puerta con respecto al sustrato (-VG}, este condensador
se carga y aparece una carga negativa que repele a los electrones que se encuentran en la regin
superficial del sustrato comprendida entre el surtidor y el drenador. Por lo tanto, esta regin su-
perficial del sustrato queda totalmente despoblada de cargas mviles y en su lugar aparece una
carga positiva fija, semejante a la que se encuentra en las zonas de transicin de las uniones PN;
de tal forma, que si se aplica una tensin negativa al drenador, no habra circulacin de corriente
entre ste y la puerta.
300
TRANSISTORES UNIPOU\RES
Si se hace an ms negativa la. tensin de puerta con respecto al sustrato (figura 14.22), hasta
que alcance un cierto valor llamado tensin de umbral, aparece una carga positiva mvil en la re-
gin superficial del sustrato, que recibe el nornbre de canal. Es decir, que parte del cristal semi-
conductor N pasa a ser del tipo P, formando un canal de circulacin de corriente entre surtidor y
drenador. De ah que este transistor se denomine transistor MOS de canal P.
)
1
14.22 S el potencial negativo

o o aplcado a la puerta con respecto
o o
al sustrato aumenta, aparece una
carga mvl en la regin
superficial del sustrato.
Como este canal une la entrada con la salida (surtidor con drenador), si se aplica una tensih
negativa al drenador con respecto al surtidor circula una corriente por este canal, la cual ser tan-
to mayor cuanto rnayor sea la tensin que se aplique al drenador.
Si a.la tensin negativa aplicada a la puerta se aade una tensin alterna cuyo valor mximo po-
sitivo no anule la tensin de umbral, se vara el nmero de cargas mviles en el canal, de acuerdo
con los valores Instantneos de la tensin alterna aplicada a la puerta y, por consiguiente, se pro-
duce la modulacin de la corriente continua que circula del surtidor al drenador, adquiriendo as la
misma forma que la seal alterna aplcada a la puerta.
La corriente !0 produce una cada de tensin a lo largo del canal, de valor R0slo (siendo Ros la
resistencia del canal),
Esta tensin posee una polaridad opuesta al etecto producido por la tensin aplicada a la puer-
ta, lo cual provoca una contraccin del canal por el lado correspondiente al drenador.
C.uando esta cada de tensin es lo suctenternente elevada como para contraer totalmente el ca-
nal, la corriente de drenador tiende a saturarse y no aumenta aunque aumente la tensin aplicada a
dicho electrodo. Cuando se da esta circunstancia se dice que el canal est contrado (figura 14,23).
1 1 -----
-- , - '

(j t ' '-~
o . . ,'------
- - - ' ' 14.23 Cuando la cskis
o o: '
l ------ 1 1
<:)l t,

'
J de teoston en el canal es lo
000 O' O O sutcentemente elevada, la
o o o o o corriente de salida tiende a
saturarse. Se dice entonces
que el canal est contrado.
El funcionamiento de un transistor MOS de canal N es el mismo que el de un transistor MOS de

canal P, cambiando el signo de las tensiones y de la carga elctrica.
301
Los transistores descritos se denominan del tipo de acrecentamiento, ya que mediante la ten-
sin de puerta aumentamos el nmero de cargas mviles en el canal de conduccin.
MOSFET DE AGOTAMIENTO
Los MOSFET de canal Po de canal N, del tipo de agotamiento, poseen una estructura parecida a los
del tipo de acrecentamiento, pero en stos se crea una zona P para los de canal P (o N para los de
canal N) en la regin superficial del sustrato, entre surtidor y drenador (figura 14.24), con lo cual
se consigue que incluso para tensiones de puerta de O V existan cargas mviles en la regin del
canal, del mismo signo que las de surtidor y drenador y, por lo tanto, la existencia de una corrien-
te de drenador.
p
14.24 Estructura fsica de un
MOSFET de canal N del tipo
de agotamiento.
Si se aplica una tensin negativa a la puerta con respecto al sustrato, en el caso de canal N (o
positiva si el .canal es P), la carga mvil situada en el canal disminuye hasta que desaparece por
completo para una tensin de umbral determinado. En ese instante cesa por completo la corriente
de drenador.
En el caso de aplicar una tensin a la puerta de signo opuesto a los portadores de carga exis-
tentes en el canal, el funcionamiento del transistor es idntico a los del tipo de acrecentamiento.
Curva caracterstica de salida de un MOSFET

En la figura 14.25 se han dibujado las curvas caractersticas de salida, o curvas caractersticas de
la corriente de drenador (Jo) en funcin de la tensin de drenador (V0s) para diferentes valores de ten-
sin de puerta (VG5}, de un MOSFET.
Regin B Regin pentdica

tridica
l....----.;---- VGSO
i-----+---- VGSI
__).~----+: ----
1
VGS3
/ 1
// 1
// 1
14.25 Curvas earactersticas de
salida de un MOSFET. A
302
Como se puede apreciar en la citada figura, existen dos regiones, denominadas regln tridca
y regin pentdica, separadas entre s por una zona que cumple la condicin:
donde Vu es la tensin de umbral.

En la. regin tridica el canal an no est contrado, y la corriente de drenador es funcin -de la
tensin de puerta y de la tensin de drenador, siendo su valor:
donde ~ es un parmetro que depende de las caractersticas internas del transistor.

En la regin pentdica el canal esta contrado, y la corriente de drenador es aqu funcin de la
tensin aplicada a la puerta y, como se sabe, independiente de la tensin apncada al drenador. Su
valor es et siguiente:
La curva caracterstica expuesta se refiere a los MOSFET cuyo sustrato (o base} est conecta-
do directamente al surtidor, es decir, con una tensin Vss igual a O V.
En la figura 14.26 se pueden ver las curvas caractersticas 10 = f(V0s}, para diferentes valores
de VG5 y una tensin Vss =O V, del MOSFET tipo BSV8i, y en la que se puede comprobar todo lo
expuesto.
20 l l ... L
5'-1 ./ -
1 1 1
lo
Vss = O
=t.amb --25C
Valores tpicos -\J r,$
- ~ ~ - /""" (l -
(mA) .....
,.... _...,,,
'- - -
_...,,,
V
,_ /
""" 1
..,.. ...- -1-o5" -

'-"'
I'
-
./
,...
- :;:.--
10 ,..... ~-
-- ./
- ......
r
---- f~
-
I
.....
__.., - .
-1
-
;

~~ -1,5 'J
- -
. .... 14.26 Curvas caracterscas
- de salida del MOSFET de canal N
o
.
1
tipo BSV81, con una tensin V55
o 10 V08(V) 20 nula.
En el caso de MOSFET con sustrato no conectado al surtidor, y a los que se le aplica una ten-
sin V88, la curva caracterstica queda Influida por esta tensin, por lo que en este caso es preferible
recurrir a las curvas caractersticas de transferencia, es decir, las curvas 10 = f(VG8) para diferentes
valores de Vss-
Curvas caractersticas de transferencia de un MOSFET

La corve caracterstica de transferencia, o curva caracterstica de la corriente de drenador en funcin
de la tensin d puerta para una tensin de drenador constante, obtenida a lo largo de la lnea AB de
la figura 14.25, se muestra en la figura 14.27.
303
14.27 Curva caracterstca 20 1 1 1
de transterenca del MOSFET de -vos= 14V 1
canal N tipo BSV81, con una lo Vss=O -
tensin Vss nula. (mA) Tamb = 25 C 1

-
1 1
-1
1
1
/
- I
10 /
I
I -
- J
1
I
/
~ /
/
/
,
- /
./
, 1
o /1. 1
2 V65(V) O
Para el trazado de esta curva se aplica una tensin V08 de 14 V, y luego se aplican tensiones
VGs comprendidas entre-2 V y O V.
A medida que la tensin Ves se hace menos negativa, la corriente de drenador aumenta, es de-
cir, la corriente entre surtidor y drenador circula con ms facilidad.
Con una tensin VGs de -2 V se produce el corte de la corriente de drenador, ya que se trata de
un MOSFET de canal N, cuyo funcionamiento es opuesto al de canal P descrito en las figuras 14.20
a 14.23.
B transistor BSV81 posee un terminal exterior para el sustrato, de forma que si a ste se le aplica
una tensin continua con respecto al surtidor, es posible modificar la curva caracterstica de trans-
ferencia, tal y como se muestra en la figura 14.28.
. x/ .,_"-./ 'E-
20 1
! -1 1 1 1
1
. ~ ~- ~- -
Vos= 14V 1 ,
lo Tam& = 25C " LI
//,,:y,
J __
(mA) Valores tpicos ~tg,> ~
-
v.;r
~
. _
1 V /
. ~
1
-
. / ~-;" -L/
/ /. / 1
/
, ,v V / LI ~
10 / / / ~
. /
,
,/
, V /
- /
.
,
-
.
V
/
- /
/
/
/ / /
/ ,,. V
/
-~ ~~
.......,
VI . .-l7
~
- ~/-
J
-"'
,,.." / (~/"iY "' ,,..
, /
/
V
./
J '
....
/
/~
,,.. __..,,..- ~V" ....... ./ ...---
.....,...
o 1 ::;;; 1 1 ~1
o 1 O V65(V) 0,5
14.28 Curvas caractersticas de transferencia del MOSFET de canal N tipo BSV81, para dversas
tensones V55.
304
En la figura 14.28 se aprecia cmo al aplicar una tensin Vss de 2 V aumenta la corriente de ere-
nador, lo cual resulta lgico ya que al ser el sustrato un cristal P y, por lo tanto, ser el transistor de
canal N, se evita, con esta tensin positiva aplcada al sustrato, que el canal quede despoblado
de cargas minoritarias.
Si se comparan las figuras 14.27 y 14.28, se observa que la curva Vss = O V s.e. ha repetido en
la figura 14.28, pero abarcando hasta valores positivos de 0,5 V de la tensin VGs
S la tensin aplicada al sustrato de cristal P es negativa, se recombinan las cargas minoritarias
de este cristal, con lo cual aumenta la resistencia en el canal N, que une el surtidor con el dr.ena-
dor, por lo que disminuye la corriente de drenador (figura 14.28).
Para obtener la misma intensidad de corriente de drenador es preciso hacer menos negativo el va-
lor de la tensin -Ves de forma que repela menos a las cargas negativas que circulan por el canal N.
De. todo lo expuesto se deduce que, para obtener una corriente de drenador de valor determi-
nado, puede modificarse la tensin Ves o la tensin V88.
Por ejemplo, supongamos que se- desea obtener una corriente J0 de 1 O mA, con una tensin
V0s de 14 V, utilizando el transistor BSV81, cuyas curvas son las de la figura 14.28. Esta corriente
puede obtenerse con cualquiera de los pares de valores VGs y V85 siguientes:
Ves= -0,92 V; V88 = 2 V

Ves= -0,67 V; V88 = 1 V
VGs = -0,40 V; V58 =O V
VGS = -0,06 V; V88 = -1 V
Ves= 0,2 V; V85 = -2 V
VGS = 0,5 V; V85 = -3 V
Curva caracterstica J0 = f{R0s) de un MOSFET
La corriente de drenador de un MOSFET no depende, entre ciertos lmites, de la reststencia entre
drenador y surtidor (R0sl. la cual es constante hasta ciertos valores de I 0.
A partir de un valor determinado de 10 la resistencia R05 aumenta de valor, pudiendo doblarse
e, incluso, triplicarse.
-
~
1a3
~T
1
'
V68 = tOV
lo '
(mA) -5V
~
-
,I
'tlpica
1rf ':
. - 1
-
-,
-
- ,_
10 = f(R0sJ de un MOSFET de
10 1
canal N del tipo de acrecentamiento
o 2 4 6 8 R05(0) para. dos tensiones V85.
En la figura 14.29 se han dibujado las curvas caractersticas I0 = ~R05) de un MOSFR de canal N
del tipo de acrecentamiento, para dos tensiones de-puerta Ves Se observa que la resistencia Ros es muy
baja (del orden de 2 Q) para una tensin Vas de 1 O V, y que permanece constante hasta valores de I 0
de unos 400 mA. A partir de este valor de corriente la resistencia drenador-surtidor sube ligeramente.
Para valores de. Ves de 5 V, la resistencia drenador-surtidor es algo ms elevada, de unos 3,3 .Q
para corrientes de hasta 100 mA; para corrientes de drenador por encima de los 100 mA la rssis-
305
tencia aumenta hasta alcanzar los 8 .Q con una J0 de 500 mA, que es .el valor mximo de corrien-
te admitida por este transistor.
Potencia de disipacinde los MOSFET

Actualmente se fabrican transistores MOS capaces de soportar potencias elevadas, como por ejem-
plo los transistores SIPMOS (SiemensPowerMOS), que son capaces de trabajar con potencias de
60 W a 25 C, y que sin embargo pueden ser activados con un nivel de entrada de 1 mA y 5 V.
En radio y televisin no es usual utilizar MOSFET de potencia. dejando esta funcin a los transis-
tores bipolares.
Al igual que cualquier otro componente, la potencia de disipacin de los transistores MOS vie-
ne limitada por la temperatura de la cpsula, es decir, que cuanto mayor sea dicha temperatura
menos potencia es capaz de disipar el transistor.
En la figura 14.30 se ha dibujado la curva caracterstica de la potencia de disipacin en funcin
de la temperatura ambiente de un MOSFET, la cual es constante hasta 25 C y, a partir de esta
temperatura, disminuye progresivamente, hasta hacerse nula a la temperatura de 150 C (mxima
soportada por la unin).
' 1\
plol 1,0
(W) 1
0,8 '
0,6
\ 1
0,4 - '
1\
0,2 \
\
14.30 Curva caracterstica o \
P10, = f(Tamb) de un MOSFET. o 100
Circuito equivalente de un MOSFET

Entre los electrodos de un MOSFET aparecen una serie de capacidades parsitas que, para cier-
tas aplicaciones, han de tenerse presentes.
Se puede dibujar un MOSFET como se hace en la figura 14.31 , en la que se pueden ver las
resistencias y capacidades parsitas que aparecen en l, y que son las siguientes:
D
o
Ros
C,r
"1
l
RG
G 15. Cos
CGs
14.31 Circuito equivalente o

de un MOSFET. s
306
www.elsolucionario.org TRANSISTORES UNIPOLARES
Ros = Resistencia drenador-surtidon

R6 = Resistencia de puerta debida a la construccin Interna del transistor.
C1v11 = Capacidad de Mlller, denominada as por el efecto Mi/fer que produce, es decir, un incre-
mento de la capacidad efectiva puerta-surtidor debida a la carga induclda electrostti-
camente por el drenador en la puerta, a travs de la capacidad puerta-drenador.
Cl)s =Capacidad drenador-surtidor, la cual depende de la tensin V05.
Cr,s =Capacidad puerta-surtidor, la cual es independiente de la tensin.
Los fabricantes de MOSFET Indican, sin embargo, en sus catlogos las capacidades C155, Cass
y Crs.s. bien mediante valores numricos referidos a una tensin Vos fija, y una tensin Vas nula, bien
mediante curvas caractefsucas como las dibujadas en la figura 14.32, y en las que se Indican los
valores de dichas capacidades para distintos valores de tensin V05.
120
-
e ,_
(pF)
-
80 ; _L -
.] -
-~.-~\__e:-- -
I=- e- .
40 - ~ .
14.32 Curvas caractersticasde
las capacidades C= Coss y Crss de un
_e: e~
,,.. --
MOSFET en funcin de fa tensin Vvs
para una temperatura de fa unin de
o 25 C, une frecuencia de
a 10 20 30 Vos(V) 1 MHz y una tensin V65 nula.
Las capacidades C1s$ Coss y C,ss estn relacionadas con las capacidades dibujadas en la figu-
ra 14 .31 por las siguientes ecuaciones:
clss = c(1S+ CMI

Coss = Ces + C,"
crss =CM,
De estas tres igualdades se deduce que slo C,ss es igual a la capacidad "'"
y que las otras
dos dependen de la capacidad CM1, es decir, del efecto Mlller.
As, teniendo en cuenta que. por ejemplo, la capacidad C= de las curvas caractersticas de la
figura 14.32 es de 5 pF con una tensin Vos de 10 V, fas capacidades C00 y C0s valdrn:
CGS = CISS - CISS = 70 pF - 5 pF = 65 pF

CDS = coss - CIU$ = 20 pF - 5 pF = 15 pF
MOSFET de doble puerta

Existe tambin un tipo de MOSFET en el que se disponen dos puertas. de forma que la corriente
de drenador pueda ser gobernada por dos seales distintas. Vase en la figura 14.33 el smbolo de
uno de estos transistores, en el que el sustrato est conectado al surtidor.
Estos transistores son muy utilizados en etapas conversoras, trabajando como mezclador de la
seal de RF captada por la antena y aplicada a una de sus puertas, con la procedente del os-
cilador local y que se aplica a fa otra puerta. El doble control hace que en drenador aparezca la se-
al de FI.
307
14.33 Smbolo de o
un MOSFET de doble puerta.
Lgicamente. para comprender el funcionamiento de este tipo de transistor es preciso co-

nocer sus curvas caractersticas referidas a las dos seales de control, y de las cuales mostra-
mos, en la figura 14.34, las correspondientes al transistor MOST de doble puerta tipo BFR84 de
PHILIPS.
Para el trazado de estas curvas caractersticas se aplica al transistor una tensin fija entre dre-
nador y surtidor de. por ejemplo, 1 O V; luego se aplica una tensin fija a una de las puertas y se
hace variar entre dos lmites la tensin aplicada a la otra puerta, de forma que se obtengan los va-
lores de intensidad de drenador correspondientes a cada par de tensiones VGi-s - Va2-s.
En la figura 14.34 se observa que la tensin aplicada entre la puerta G1 y el surtidor (VGi-s) abar-
ca desde -3 V a +3 V, mientras que la aplicada entre las puerta G2 y surtidor (VG2-sl) lo hace entre
-1,5 V y +4 V.
De estas curvas se deduce que si se apnea una tensin alterna a la puerta G1, y otra tensin
tambin alterna pero de frecuencia distinta a la puerta G2, el valor de la intensidad de drenador
queda Influida por ambas tensiones y, por lo tanto, varia con una frecuencia igual a la diferencia de
las dos frecuencias aplicadas a las puertas (proceso de mezcla).
Si se aplica una tensin continua de valor fijo a una de las puertas, las curvas caractersticas de
salida de este tipo de transistor sern sirnilares a las de una sola puerta pero, lgicamente, con la
desviacin que en ellas produce la tensin constante aplicada a una de las puertas.
CPSULAS PARA JFET Y MOSFET
Los JFET y MOSFET se fabrican con encapsulados tipo TO y SOT, al igual que los transistores bi-
polares, aunque en el caso de transistores de doble puerta, o de sustrato aislado, disponen de un
cuarto terminal de conexin.
En la figura 14.35 se han dibujado las principales cpsulas utilizadas para estos transistores.
con indicacin de cada uno de sus terminales.
308
sor- 52
14,5 n1x.
,.___.__l 1, 16
5, 8
-t mx. mx.
-
11
1 1 11 1
1 1 1
11 1 4,5 5,3 mx.
1
1
1
1 ''.

11
11
1
1 _J

1
1
l 0,48 mx.
--- ---
sor - t3
-- -- 1,0
l s i
'
4,9 10 fil
_,
mx.
2,.1 mx.
g1 d
14,4
4,8 1nx. mn.
'
g2
0,24
mex.
'
0,75 mx.
-1- ~ 1,0 __T [t,05 mx.
-~
TO 18 (2)
s
0,48 mx.
,d -
/
4,.8
mx.
<,
J.'5j_ 'g 12.1mU

_5,3m~;.1.
5,8 mx.
14.35 Dimensiones y terminales de las principales cpsulas utilizadas para/os JFETy MOSFET
309
TO 72 (4)
s
1,16 mx. 0,48 mx.

4,8

max. 11=======
mx.
1--i~, 1
1)
-
j,'5i
5,8 mx.
'-g
5,3 mx.
-- 12,7 mn. _
T072 (5)
1, 16 mx. 0,48 mx.

' r 1
1, 17 48
1
mx. msx.
s
1 ]..51...
g
5.8 mx.
g1
5,8 mx.J
5,3 mx.
- -- 12.7 min.
T092
4,2 mx._
1,6 1- --5,2 mx - 12,7
... mn.
- -
0,48 mx.
-@d -
48, <o
lO
msx. ""'[ '\ q:l g 1
.
/ '"
. f::j'<.
f-
- o 1
0,85
,e'.
r-:
L 0,55
)/;56
1
25 '
mx.
mx. --- 1
T092 (5)
-4,2 mx. .
5,2 mx. _,_ 12~,l_m_fn_.
1,5
1 0,48 mx.
!
4,8
mx. o r-'-
1
1
2,? i
max.,
-
14.35 Dmensones y terminales de las principales cpsulas utilizadas para los JFET y MOSFET. (Continuacin)
310
Cdigo de identificacinde los JFET y MOSFET

En el cdigo Pro Electron (europeo) los JFET y MOSFET se identifican con las mismas letras utiliza-
das para los transistores bipolares, por lo que, para no repetir conceptos, remitimos al lector al ca-
ptulo precedente.
Cabe, sin embargo, aadir que existen transistores unipolares cuyo cristal no es. de silicio sino
de arseniuro de galio, en cuyo caso la primera letra del cdigo de identificacin ser la C.
En el cdigo JEDEC (norteamericano) los JFET y MOSFET se identifican con 2N (aunque sean
componentes con una sola unin}. En este cdigo los FET de doble puerta se identifican con 3N,
En el cdigo JIS. Oapons} sf .existen diferencias con respecto al cdigo utilizado para los tran-
sistores bipolares: La prirnera letra del cdigo sigue siendo la S, pero la segunda es:
H =Transistor uniunin.
J = Transistor de efecto de campo de canal P, incluidos los de potencia.
K =Transistor de efecto de campo de canal N, Incluidos los de potencia.
311
Circuitosintegrados
INTRODUCCIN
Todo circuito electrnico est compuesto por un conjunto, ms.o rnenos-qrande ssqn la compleji-
dad del circuito, de resistencias, condensadores, diodos, transistores, etc. Todos estos elementos,
adecuadamente conectados entre s, forman circuitos capaces de efectuar una funcin electrnica
(oscilacin, modulacin, amplificacin, etc.). Este tipo de circuitos, que an se utilizan, recibe el nom-
bre de circuito electrnico discreto.
Desde hace bastantes aos, y gracias al gran desarrollo tecnolgico de los semiconductores,
se fabrican unos componentes en IQs que se logra la incorporacin de todo un circuito electrnico
(con resistencias, oiodos, transistores, etc.), en un nico cristal semiconductor, y en un espacio m-
nimo de 1 O mm2 o incluso menos. Este. tipo de circuito es lo que se conoce por circuito integrado.
El circuito integrado, tambin denominado IC (del ingls lntegrated Circutt), se utiliza en, prcti-
carnente. todos los aparatos, bien solos, bien en compaa de circuitos !;liscretos.
El IC permite reducir considerablemente el tamao de los aparatos slectrncos, de forma que
es posible disear circuitos cornplejsimos en muy poco volumen.
El gran desarrollo que se esta produciendo en la tcnica de la integracin se debe al desarrollo de
la tcnica p/anar en la fabricacin de transistores, la cual abri las puertas a la integracin, es decir,
a la disposicin en un solo sustrato de varios transistores. Esta tcnica ha ido evolucionando es-
pectacularmente, desde que en 19.72 hiciera su aparicin eJ primer microprocesador en una sola
pieza de silicio, el muy conocido 8008 de la firma INTEt, de caractersticas muy inferiores a los ac-
tuales Pentlum, de la misma firma.
Hasta esa fecha exista la conocida ley de cuatro, segn la cual la densidad de elementos ac-
tivos integrables en un sustrato se multiplicaba por cuatro cada dos aos. Actualmente esta ley ha
ernpaldecldo algo, ya que se produce cada tres aos; sin embargo, el hecho de que cada tres
aos se multiplique por cuatro la cantidad de elementos integrables supone un avance tecnolgico
de caractersticas gigantescas, dadas las cifras de componentes que se integran (del orden de de-
cenas de miles).
Cada vez que la tcnica parece tropezar con algn Hmite fsico de integracin, aparece una nue-
va tcnica que ampla el lmite .. As, cuando la tcnica de la litografa fotogrfica encontr problemas
de nitidez para reproducir formas de dimensiones comparables a las de las ondas de luz, se pas
a la. utilizacin de las ondas ultravioletas (de menor longitud de onda), y cespus-a la tcnica de la
litogrifa de rayos X y a la erosin eh seco de las capas superficiales, siendo ste, por el mo-
mento, el lmite tecnolgico actual en la fabricacin de circuitos ihtegrados.
Imagnese el lector las dimensiones con que pueden realizarse componentes en circuitos Inte-
grados, en los que las longitudes y superficies se miden en longitudes de onda de rayos X, es decir,
del orden de 10-7 a i 0-10 centmetros.
Como dato podemos decir que actualmente es posible integrar; en un solo sustrato. ms de
250.000 componentes.
En la fotografa de la figura 15.1 se muestran unos circuitos integrados encapsulados y sin en-
capsular, con una regla que permite valorar sus dimensiones. Cada uno de los pequeos rectn-
gulos que se aprecian en esa figura corresponde a un circuito integrado, con miles de componen-
tes, torrnando complejas redes capaces de efectuar gran cantidad de funciones.
313
15.1 Circuitos integrados encapsulados

y sin encapsular. La regla permite apreciar
las reducidsin1as dimensiones del cl1ip.
El IC se ofrece al profesional encerrado en cpsulas cuyas dimensiones llegan a ser cientos de

veces mayores que el Chip que lleva dentro (figura 15.2), de forma que permita una manipulacin
fcil del componente, as como su soldadura a los circuitos impresos.
15.2 Las cpsulas de los clrcuitos

integrados son varios cientos de veces
msyores que el cl1ip que flevan dentro.
Las cpsulas para circuitos integrados tienen como nico lmite el nmero de conexiones, ya
que cuanto ms complejas sean las funciones que el lC realiza, ms patitas de conexin se preci-
san para la entrada y salida de las seales que se tratan en l.
Indudablemente no puede darse nocin del funcionamiento de todos los circuitos integrados, pues-
to que existen miles de ellos, con aplicaciones muy diversas. y cada da aparecen nuevos circuitos in-
tegrados que mejoran a sus predecesores. Por consiguiente. en este captulo nos limitaremos a es-
tudiar los circuitos integrados desde el punto de vista de su tecnologa constructiva, ofreciendo amplia
informacin de algunos tipos utlizados en radio y televisin, descritos a lo largo de esta Enciclopedia.
CLASIFICACIN , DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS SEGN SU TECNOLOGA

DE FABRICACION
En una primera clasificacin los circuitos integrados se dividen en dos grandes grupos:
Circuitos integrados monoucos.

Circuitos integrados hbridos.
En los circuitos integrados monolticos (monolitico quiere decir un solo bloque) todos los ele-
mentos constituyentes del circuito (resistencias, condensadores, diodos, transistores, etc.) estn
contenidos en una nico pastilla de silicio o chip.
Los circuitos integrados monolticos se subdividen a su vez en dos grupos:
Tecnologabpolar (ITL, TIL-Scholtky, ECL, 1:>).

Tecnologfa unpolar (NMOS, PMOS, CMOS).
314
CIRCUITOS INTEGRADOS
En los circuitos Integrados hbridos (hibrido quiere decir que est formado por dos o ms ele
mentes de distinta clase) s.e depositan los-corroonentes pasivos (resistencias, bobinas y condensa
dores) en un sustrato y los elementos activos-(diodos y transistores) se sueldan despus; esdeclr, en
un IC hbrido existe uno o ms componentes discretos en combinacin con un IC monoltico.
Los circuitos integrados hbridos se subdividen a- su. vez en circuitos integrads de pelcula. grue
sa, y en crcuitos ntegtados de pelcula fina.
CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS POR SU APLICACIN
Por su apliccin, los circuitos integrados se clasifican en clos grandes grupo_s:
Circuitos integrados analgicos.

Circuitos integ,rados digitales.
Los.orcuitos integrados analqicos (o line~les) son aquellos cuyarnaqnttud de salida vara en el

tiempo de acuerdo con fa seal aplicada a su entrada; es decir, la seal de salida puede tener infi-
nidad de valores intermedios entre un mnimo y un mximo. Como ejemplo de circuitos integrados
analgicos .citaren10.s los amplificadores opf)racionales.
Los Circuitos integrados analgicos se utilizan er:i radio, televisin, equipos de alta fidelidad, etc.,
para el tratamiento de las seales de audio, vdeo, croma; etc.
Los circuitos integrados digitales son ms fciles de fabricar, ya que necesitan valores de capa
cidad ms pequeos que los analgicos. Estos circuitos funcionan bajo la condicin de todo o nada,
es decir, la seal de salida puede tener un valor mnimo (estado O) o un valor mximo (estado 1),
pero nunca un valor intermedio entre ambos. Por estas especiales condiciones de funcionamiento
los circuitos integrados digitales sB emplean en el diseo y construccin de circuitos lgicos, cuya
principal aplicacin se encuentra en los ordenadores.elsctrncos, aunque cada vez se utilizan ms
en radio, televisin y en reproductores de CD (C0tnpaet Diso}.
Les circuitos integrados digitales se clascan a su vez en familias lgicas, las cuales son estu-
diadas mas adelante en este mismo capitulo.
CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS SEGN EL GRADO

DE INTEGRACIN
Segn la cantidad de bloques funcionates integrados en un solo chip de silicio, los circuitos nte-
grados reciben diferentes denominaciones. Estas denorrmaciones .son las siguientes:
SSI (Sma// Sea/e lntegration).

MSI (Medium Sea/e lntegration).
LSI (Large Sea/e lntegration).
VSLI (Very Large Seale lntegration)'.
La SSI es u na.integracin a pequea escala. (menos de 1 00 translsteres por cl1i p). Son, por tan-
to, los circuitos lntegrados de menor complejidad.
En la MSI, o intgracin a escala media, el nmero de trartslstores.lnteqraoos en un solo chip
est comprendido 100 y i .000.
La LSI es una integracin a gran escala (entre 1.000 y 10.000 transistores integrados). En eJ gru-
po LSI tambin se integran memorias que contienen los elementos de clculo y control de ordena-
dores y las ordenaciones lgicas programables.
Finalmente, en la VLSI (o integracin a muy gran escala} se integran en uri nico chip ms de
10.000 transistores. Se incluyen en este grupo los microprocesadores.
315
CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS
Un /C monolco est formado por un solo cristal de silicio, en cuyo seno estn integrados todos
los componentes (activos y pasivos) del circuito.
A los componentes que forman el IC se les da el nombre de componentes integrados, con el fin
de diferenciarlos de los convencionales o componentes discretos.
El material de partida es una plaquita semiconductora de silicio que, debido a los diversos tra-
tamientos que recibe, se divide en zonas o islas dopadas que reciben el nombre de bloques fun
cionales. Cada bloque funcional realiza una funcin anloga a la de un componente discreto, como
un transistor, un diodo, una resistencia, etc.
1
i SiOg\ 1 2 3 Al 4
R I ,
\ /
>---o 2 1
'
3~ T
D
1 p
l
4 R T D
a) b)
15.3 Circuito integrado monoltico. a) Esquema del circuito. b) Configuracin representada por un corte en
seccin del chip.
La figura 15.3a muestra un circuito sencillo, formado por una resistencia, un transistor y un dio-
do, y la figura 15.3b su construccin en forma integrada.
Cada una de las zonas indicadas en la figura 15.3b forma estratos circulares, unos dentro
de otros.
Por estar todos los componentes del circuito sobre la misma plaquita semiconductora de silicio,
han de quedar aislados entre s por uniones PN (diodos) que, una vez conectado el IC a una fuen-
te de alirnentacin. reciben polarizacin en sentido inverso (de bloqueo).
El paso de corriente de uno a otro componente del IC se establece a travs de pistas de alu-
minio, que son depositadas sobre una pelcula aislante muy fina de dixido de silicio (Si02).
Mediante una adecuada distribucin y conexin de los diferentes bloques funcionales en el seno
del cristal de silicio se forma el IC, el cual tiene un cornportamiento anlogo al circuito equivalente
constituido por componentes discretos.
La razn de que el comportamiento sea solamente anlogo se debe a que Jos bloques funcio-
nales, en el seno de un mismo cristal, presentan caractersticas peculiares que tienen como con-
secuencia el que un cornponente integrado presente un circuito equivalente, pero no igual, al de su
homlogo discreto.
Efectivamente, el simple hecho de aislar entre s los distintos bloques funcionales mediante diodos
polarizados en sentido inverso, hace que el nmero de diodos que contiene un IC sea muy supe-
rior al de su homlogo discreto. Estos diodos aisladores son, por tanto, elementos parsitos del IC.
Los circuitos integrados monolticos resultan particularmente apropiados cuando contienen
como componentes solamente transistores, diodos y resistencias, aunque tambin es posible inte-
grar condensadores. No as las inductancias.
TRANSISTOR BIPOLAR INTEGRADO
Los transistores bipolares se realizan difundiendo tres capas que forman una estructura NPN o
PNP (figura 15.4).
316
Destacamos, en el esquema de la figura 15.4a, que el smbolo del transistor no est rodeado
por la circunferencia representativa de la cpsula. puesto que sta no existe en estos transistores,
ya que estn integrados en un cbo y la cpsula ser la de todo el IC.
e .B E e
<>A
1"
Bo ) p
( Pr
1
15.4 Transistor bipolar integrado.

E a) Esquema. b) Configuracin
A
a) b) representada en corte.
El colector se asla elctricamente por medio de una zona P 1 (figura 15.4b}, la cus forma, con
el cristal N del colector, un diodo parsito o diodo de aislamiento.
Cuando el diodo de aislamiento est polarizado en sentido inverso (fo cual se logra conectando
la zona P1 al potencial ms bajo de todo el circuito integrado, es decir, aplicando al nodo, o pun-
to A de la Ogura 15.4b, un potencial negativo con respecto al ctodo), ei colector C queda elctri-
cemente aislado de los bloques funcionales contiguos.
8 terminal de conexin del colector se dispone por la parte supenor del sustrato, ya que el no-
do del diodo de aislamiento cubre completamente el fondo. Corno consecuencia. la reststencia de
colector aumenta y no pueden obtenerse tensiones de saturacin colector-ernsor tan bajas como
en los transistores bipolares discretos.
Por el contrario, la estabiildad trmica es buena debido a ta proximidad de los contactos de co-
lector, emisor y base.
Adems de lo expuesto, el diodo de aislamiento produce dos efectos perjudiciales sobre la ca-
racterstica del transistor integrado: introduce una capacidad en paralelo con el colector y aumen-
ta la corriente parsita del colector.
En transistores integrados se pueden realizar modelos particulares que no tienen equivalente en
el campo de los transistores discretos, y que resultan de especial inters en electrnica digital. ta-
les como los transistores multismisor, rnulticoector, etc. (figura 15.5).
~e
B 1:-.... El
B f:::==C2 C1
15.5 Mediante la integracin pueden obtenerse
modelos particulares de transistores que no
~
E2 E tienen equivalente en el campo de los
transistores discretos. a) Transistor 1nultiemfsor.
a) b) b} Transistor multicolector.
TRANSISTOR UNIPOLAR INTEGRADO
En la figura 15.6 se muestra el sirnboo y la estructura de un transistor NMOS integrado.

Se trata de una lmina de silicio tipo P, en cuya parte superior se difunden dos zonas N muy do-
padas, y que constituyen el surtidor ($) y drenador (0) del transistor. Sobre todo ello se crea una
capa aislante de dixido de silicio.
Unos orificios o ventanas practcados en la capa de xido de siliclo, a la altura de las zonas N,
permiten la conexin de los terminales de surtidor y drenador.
Una metalizacin de Ja capa de xido de silicio, entre las ventanas de conexin de drenador y
surtidor, constituir la puerta (G) del transistor.
317
15.6 Transistor NMOS integrado.

a) Smbolo. b} Configuracin
o G S Dixido
Metalzaciones de silicio
representada por un corte en
seccin del chip.
o
NMO~
G_l==rB
s
' Dxdo de silicio
a)
B
b)
El transistor PMOS se realiza de igual forma qL~e el NMOS, pero sobre un cristal de silicio N y,
lgicamente, dopndolo con dos zonas P que formarn el drenador y surtidor del mismo.
En circuitos Integrados de tcnica unipolar el transistor ms utilizado es el CMOS, que est
constituido por dos transistores: uno NMOS y el otro PMOS, ambos de enriquecimiento.
En la figura 15.7 se ha dibujado el srnbolo y la estructura de un CMOS integrado.
G o
Di
i
01 G, s,
G2~:l -1---Q02
1
~3$ I
t Didxdode si/lelo

PMOS
G O
'
, Su~{rato'fJ, ,
15. 7 TransistorCMOS integrado. NMOS '
. z;::
' :~
' . \ ,,,,, '!fi ; .
a) Sfmbolo. b) Configuracin 1 SI
t<>81 ~ixidode silicio
representada por un corte en Gt<>~ 1 01
seccin del chip. a)
b)
Para integrar un transistor CMOS se parte de un cristal de silicio tipo N que constituye el sustrato.
En este sustrato se practica una difusin profunda de tomos aceptadores, constituyendo as
un cristal tipo P (derecha de la figura 15. 7b) que servir para realizar el transistor NMOS.
Para el transistor NMOS s.e difunden impurezas donadoras que constituyen los cristales N de
surtidor y drenador (derecha de la figura 15.7 b).
El surtidor y drenador del transistor PMOS se realiza difundiendo impurezas aceptadoras en dos
zonas de la superficie del sustrato N (izquierda de la figura 15.?b).
Las puertas de uno y otro transistor se realizan de.la forma ya explicada anteriormente para el
transistor NMOS.
Es necesario que en la integracin de transistores CMOS no se formen transistores bipolares
parsitos. Para ello se realizan dos difusiones N+ en unos pozos alrededor del PMOS y dos difu-
siones p+ en unos pozos alrededor.de NMOS (vase la figura l5.7b).
Aunque la densidad de integracin es menor con transistores CMOS que con los bipolares,
puesto que se necesitan dos transistores .en lugar de uno, los circuitos integrados CMOS son muy
utilizados ya que ofrecen las siguientes ventajas:
Menor consumo de energa.

Los acoplamientos entre transistores son directos.
Una sola tensin de alimentacin comprendida entre 3 y 18 V.
Impedancia de entrada muy elevada y, por tanto, corriente de entrada muy pequea.
318
www.elsolucionario.org CIRCUITOS INTEGRADOS
DIODOS INTEGRADOS
Los diodos se integran de dos formas posibles: utilizando dos capas semiconductoras P y N super-
puestas o conectando transistores en la debida forma, puesto que todo transistor puede compa-
rarse con un par de diodos conectados en oposicin, ya que estn formados por dos uniones PN.
Efectivamente, pueden utilizarse las uniones colector-base o emisor-base de un transistor Inte-
grado, ya que la base siempre es un cristal de tipo opuesto a los de colector y emisor.
Si se utiliza el diodo colector-base, la tensin de ruptura ser mayor que si se utiliza el diodo for-
mado por el emisor y la base (mnimo 12 V).
e e
A
1
:; l
1
/
Ar
lD A2
\1 p
15.8 Par de diodos integrados

o con ctodo comn. a) Esquema.
b) Configuracin representada
a) b) en corte.
c.' A
A
p
\1
.
15. 9 Par de diodos integrados
o D
con nodo comn. a) Esquema.
b) Configuracin representada
a) b) en corte.
En las figuras 15.8 y i 5.9 se muestran dos configuraciones utilizadas en los circuitos integrados
para la torrnacn de diodos. La configuracin de la figura i 5.8 corresponde a un par de diodos cotec-
tor-base con ctodo comn, y la de la figura i5.9 a un par de diodos colector-base con nodo comn.
RESISTENCIA INTEGRADA
Las resistencias integradas se. obtienen me.diante pistas de material semiconductor. Su valor hmi-
co depende de la seccin y longitud de ta pista, y de su resistencia especfica. De esta forma pue-
den lograrse resistencias desde, aproximadamente, 1 O ~l hasta 30 kQ.
Las tolerancias que se obtienen son bastante elevadas, del orden del i O %.
Otro inconveniente es, desde Juego, la dependencia del valor de la resistencia respecto de la
temperatura. Sin embargo, debido a que todas las resistencias de un IC>varan en la misma propor-
cin, pues todas estn sometidas a la misma temperatura, la mterdependencla de sus valores hmi-
cos prevalece. es decir, unos compensan a los otros.
En la figura 15. 1 o se muestra la constitucin de una resistencia integrada y el esquema de
su circuito.
La resistencia consiste en una zona P larga y estrecha (marcada con [1] en la figura 15. l Ob),
dentro de una zona N (marcada con (2) en la misma figura).
319
15.10 Resistencia integrada. 1 2 1 2

a) Esquema. b) Configuracin
representada en corte.
' :t ' .
1 .
p (3)
io
o
o
a) b)
Estas dos zonas forman a su vez una unin PN distribuida a lo largo de la resistencia (figura 15.1 Oa).
La zona de cristal tipo N (2) y la zona de cristal tipo P (3) forman un diodo de aislamiento.
CONDENSADOR INTEGRADO
Par? integrar un condensador hay dos procedimientos; en uno de ellos, la capacidad la constituye
la zona de bloqueo de una unin PN, que trabaja en sentido de bloqueo. En este mismo fenme-
no se basa el funcionamiento de un diodo de capacidad variable.
1~--1:1-:-.-- 02
1 2
;i
i
;-1
15.11 Capacidades integradas.
a) Esquema. b) Configuracin
representada en corte.
r1
o
o
b)
a)
En la figura 15.11 se muestra la forma constructiva de un condensador integrado y su esque-

rna equivalente.
En el otro procedimiento, se emplea como dielctrico del condensador una pelcula de xido de
silicio (Si02). sobre la que se deposita una delgada capa de aluminio como placa exterior. La pla-
ca interna la forma la misma plaquita semiconductora. Con ello se alcanzan capacidades de unos
500 pF por mm2.
CONEXIONES ENTRE LOS COMPONENTES INTEGRADOS
Las conexiones entre los distintos bloques funcionales de un IC se realizan mediante metalizacio-
nes obtenidas por evaporacin de aluminio en el vaco.
Estas metalizaciones se efectan sobre la capa de xido de silicio que protege la superficie de
los cristales Po N.
Como ejemplo vase en la figura 15.12 la seccin longitudinal de un IC monoltico, que consta
de un transistor, una resistencia y un condensador. En la misma figura puede verse una vista supe-
rior en la que se aprecian las conexiones entre los tres bloques funcionales, efectuadas mediante
metalizaciones sobre la capa de xido de silicio.
320
B E e 15, 12 Circuito integrado monoltico

con transistor, resistencia y
condensador.
E a) tsoueme. b} Seccin
longitudinal. e) Vista desde la parte
superior.
a--r
...
Te 11~] 1 1
""".V"' " '
,.
a)
1
,
' "'"'
Metalizaciones
-
/ -~-...~ .... ,... : "' ..
e)
TRANSISTOR DARLINGTON
Antes de proseguir con el estudio de los circuitos integrados, hemos credo conveniente exponer la
constitucin de un IC muy simple, que se conoce con-el nombre de transistor Darlington.
e
.---------------
1
-,
1
1 1
1 i
B
1
-.,,
'
1
1
1 1
1 1
1 1
1 1
V
1 1
1
1 ..... 1
1
1
1
1
' 1
1
1 1
1 1
~--------------
1 1
15.13 Esquema de un transistor
E Darlington.
El transistor Darlington es, en realidad, un IC constituido por un transistor final, un transistor de

control y algunas resistencias (figura 15.13).
En la figura 15.14 se muestra la estructura de un transistor de potencia Darlington monoltico de
base epitaxial, en la que se pueden apreciar las secciones de emisor y base correspondientes al
transistor de excitacin (E1 y 81) y las secciones de emisor y base correspondientes al transistor de
potencia (E2 y B2). Los colectores de ambos transistor-es son el sustrato comn de la plaquita de cris-
tal, y se encuentran en la parte inferior (no se distinguen en la figura 15.14).
15.14 Estructura de un transistor

de potencia Darlington monolltico.
321
La fabricacin se inicia con una plaquita de silicio muy dopada, sobre la que se hace crecer una
capa epitaxial de resistividad ms elevada. Esta capa constituye el colector del componente.
A continuacin se aade una segunda capa sobre el colector, ligeramente dopada y homog-
nea, que forma la base.
El emisor se difunde dentro del chip con ayuda de las tcnicas usuales de mscara fotogrfica.
Para terminar se aplica un ataque qumico de mesa, y se pasiva la unin colector-base para pro-
teccin.
La ventaja esencial de un Darlington es la de alojar en un mismo cristal dos transistores, con lo
que se obtiene una mayor estabilidad de funcionamiento, al ser afectados ambos por la misma
temperatura.
Los transistores Darlington se fabrican tanto en versin PNP como en versin NPN, siendo su
aspecto externo el mismo que el de los transistores usuales, pues al igual que aquellos estn do-
tados de tres terminales de conexin y utilizan los mismos tipos de cpsulas.
CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS AISLADOS
Los circuitos integrados monolticos aislados no se diferencian mucho de los circuitos integrados
monolticos estudiados en las lneas anteriores.
La diferencia se encuentra en la existencia de porciones del bloque semiconductor original (sus
trato) que estn aisladas entre ellas por medio de capas de xido de silicio, con lo que se reducen
las corrientes parsitas y, adems, permite fabricar transistores NPN y PNP en un mismo sustrato.
CIRCUITOS INTEGRADOS DE PELCULA FINA
Los circuitos integrados de pelcula fina se obtienen por evaporacin y deposicin, en el vaco, de
metales y dielctricos sobre una superficie lisa de cermica o de vidrio (sustrato), mediante el au-
mento de la temperatura por encima del punto de ebullicin, en el vaco, del material que debe de-
positarse.
El vapor del material que debe depositarse sobre el sustrato se condensa sobre ste en forma
de capas o pelculas muy finas, de ah el nombre de este tipo de IC.
El vapor del material a depositar se hace pasar a travs de mscaras de geometra adecuada.
Mediante el empleo de diversas mscaras se pueden obtener distintos componentes integrados.
Con la tcnica de pelcula fina se construyen, principalmente, resistencias, condensadores y
alambrados o conexionados.
Los rnateriales ms utilizados para la fabricacin de resistencias en la tecnologa de pelcula fina
son el tantalio, el nitruro de tantalio, el cromonquel y compuestos metal-cermica, dependiendo el
valor hmico de la resistividad, longitud y seccin del depsito (figura 15.15).
,,
R

Si
15:15 Resistencia de pelcula fina.
Para los condensadores se utiliza una pelcula de aluminio (una placa), a continuacin una de
monxido. de silicio (dielctrico) y, finalmente, otra de aluminio (la otra placa). Cada una de las pel-
culas queda unida al circuito mediante pistas de oro o de aluminio (figura 15.16).
322
Aislante
~ 15.16 Condensador de pelfcula fina.
Metal
1' !
1
e r1 so,
i: ,.'!"".. -111111 -1 ,,
.,, ,111111111
-,,111111111,.~ ..,,
Si
Para la integracin de transistores se recurre a la tecnologa SOi (Si/con On Jnsulator), es decir,

silicio sobre aislante, que permite la fabricacin de circuitos Integrados de pelcula fina de gran den-
sidad de inlegracron.
j
0,4 m
JJ.icio 1 O,Bm
1
2 ti
OiXdo
- -ele stuoo
- S/0
_....,.._..
Silicio Si sustrato
- - - - -
15.17 Sustrato para la integracin
de un transistor. con tecnologfa
SO/, en un circuito integradode
pelcula fina.
En la tecnologa SOi se utiliza la estructura que hemos representado en la figura 15.17, con-
sistente en un sustrato de silicio, sobre el que se deposita una fina capa de unos 0,8 m de dixi-
do de silicio y, sobre sta, una finsima capa de sillero de unas 0,4 urn de espesor. Los transistores,
generalmente CMOS, se depositan sobre esta ultima capa, quedando aislados unos de otros y, por
tanto, no se necesitan casillas de aislamiento (igura 15.18).
Meralizaciones
- -- -
01elctricos
/ /~ ""\ \
\ 1
.:1~/~~
"'"" ~i.mlil'
-...,
lM 1 P I tf 1 1 f 1 N '1~1"
Sustrato de silicio
15.18 Transistor CMOS integrado
con tecnologla SOi.
La tolerancia obtenida en los componentes de un circuito integrado de pelcula fina es de 0, 1 ~e

incluso menor.
Los circuitos integrados de pelcula fina presentan ventajas e incor 1venientes. Como ventajas cabe
citar la posibilidad de obtener altos valores en las resistencias, precisin de estos valores, Independen-
cia del valor de las capacidades con respecto a la tensin (recurdese que en los circuitos integra-
dos monolticos los condensadores estn formados por uniones PN polarizadas en sentido inverso
y. por lo tanto, las capacidades varan segn el valor de la tensin Inversa aplicada}, obtencin de con-
densadores de elevadas capacidades (atternando varias pelculas metalaislante) y mayor aislamien-
to de los diferentes componentes Integrados (puesto que el sustrato es un material aislanle}.
323
Como inconvenientes podemos decir que el dielctrico de los condensadores es muy fino y, por
tanto, cualquier defecto puede hacer descender la tensin de ruptura a valores muy bajos y con ello
perforar fcilmente el dielctrico.
CIRCUITOS INTEGRADOS DE PELCULA GRUESA
La tecnologa de pelcula gruesa para fabricacin de circuitos integrados est basada en la impre-
sin de ciertas pastas conductoras o tintas, sobre sustratos rugosos y por procedimientos serigrfi-
cos, a travs de mscaras que definen la forma de los elementos constituyentes del circuito.
En la figura 15.19 se representa grficamente lo que sera el proceso de fabricacin de un IC de
pelcula gruesa. Se trata de la impresin, sobre el sustrato, de los componentes discretos (transis-
tores) y de las resistencias, condensadores y elementos de conexin, utilizando diversas composi-
ciones de pastas.
En los circuitos integrados de pelcula gruesa los sustratos ms utilizados son la almina (que es
un material cermico) y algunos plsticos (resinas fenlicas, poliestireno, poliamidas, etc).
En los circuitos integrados de pelcula gruesa pueden obtenerse condensadores de elevada ca-
pacidad.
La tolerancia de los componentes de un IC de pelcula gruesa es de 1 %.
La principal diferencia entre los circuitos integrados de pelcula fina y los de pelcula gruesa se
encuentra en el espesor de las pelculas metlicas depositadas o impresas. As, en los circuitos In-
tegrados de pelcula fina se utilizan films met-
licos depositados por evaporacin en vaco, u
otros medios qumicos, hasta un espesor de
unos pocos ngstroms, mientras que los circui-
tos integrados de pelcula gruesa son redes de
metales nobles impresas en un sustrato cermi-
co, hasta lograr un espesor de 0,5 a 2 milsimas
de pulgada.
FAMILIAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS

DIGITALES
Los circuitos integrados digitales se clasifican en

familias lgicas, que se distinguen por caracte-
rsticas tcnicas diferenciales: tiempo de propa
gacin, potencia de disipacin, inmunidad al rui
do, etc.
Las familias lgicas ms importantes son las
siguientes:
RTL =Resistor Transistor Logic.

DTL = Diode Transistor Logic.
TTL = Transistor Transistor Logic.
HILL = High Leve! Logic.
ECL = Emitter Coupled Logic.
CMOS = Comptememsrv Metal Oxide Se-
miconductor.
. Sustrsto 12L = lntegrated lnjection Logic.
Existen otras familias de circuitos integrados, y

15.19 Proceso de formacin de un IC de pelcula sin duda irn apareciendo otras, pero las citadas
gruesa. son de momento las ms populares.
324
RTL (Resistor TransistorLogic)

Los primeros circuitos integrados digitales se disearon basndose en puertas lgicas realizadas
con componentes discretos (resistencias y transistores}.
En la figura 15.20 se ha dibujado el esquema de una puerta lgica NOR de la familia RTL. En
este circuito slo se utilizan resistencias y transistores, de ah el nombre de la familia.
+V
R1
Q
~~<>
R2 V
A o---C'.:1---J......_ T1
l
15.20 Puerta lgica NOR de la
familia RTL.
La funcin NOR es la ms simple que puede disearse en esta tecnologa RTL. Otras puer-
tas exigen mayor nmero de transistores y por lo tanto mayor coste y mayores tiempos de pro-
.,
paqacion.
La mxima frecuencia de trabajo que se puede alcanzar con los integrados de la familia RTL es
de unos 5 MHz.
DTL (Diode TransistorLogc)

En la figura 15.21 se ha dibujado el esquema ele una puerta NANO de dos entradas, para lgica
positiva, de la familia DTL.
La puerta NANO es la de ms sencilla.realizacin dentro de esta familia de IC, aunque lgicamen-
te es posible realizar cualquier otra puerta de diseo ms complejo.
+V
R2 R1
Ao
~
01 "i

,,.,
- Q
8
02
,
'
03
' " .
-
""' T
R3
15.21 Puerta lgica NANO de
' .. la familia DTL.
La puerta NANO de la figura 15.21 est constituida por los diodos 01 y 02 (en asociacin con
las resistencias R2 y R3} y un transistor T que hace las funciones de inversor de la seal.
La tensin de umbral que presenta. 03 aumenta la inmunidad al ruido del circuito.
Con esta tecnologa se han logrado tiempos de propagacin porpuerta.de 25 ns y bsculas
(flipflop) con una frecuencia tpica de trabajo de unos 1 O MHz.
325
La familia DTL fue la primera que introdujo bsculas JK integradas, facilitando con ello enor-
memente el diseo de equipos digitales que, hasta entonces, deban disearse a base de interco-
nectar varias puertas elementales.
En la actualidad la farnilia DTL ha sido desplazada por la familia TIL.
TTL (Transistor TransistorLogic)

La tecnologa TIL ha sido, sin duda, la gran impulsora de la Electrnica digital ya que presenta
grandes ventajas sobre sus antecesoras RTL y DTL.
Esta familia se subdivide a su vez en las siguientes:
TTL Standard
En la figura 15.22 se ha dibujado el esquema de una puerta NANO, para lgica positiva, de dos en-
tradas, perteneciente a la familia ITL Standard.
El transistor T1 de la figura 15.22 posee dos emisores (transistor rnulnerrusor). Este transistor
puede poseer tantos emisores como entradas tiene la puerta, siendo precisamente una de las pe-
culiaridades de los circuitos TIL.
R1 R2 R4
4k 1k5 130
Ao-1! T1'"--- v'

1, T2 ~
,, D
Bo'
T4
R3
1-~
1k
15.22 Puerta lgica NANO de la
familia TTL Standard.
En realidad la puerta NANO se limita. exclusivamente, a los transistores T1 y T2. El transistor T1.
realizando las funciones de los diodos de entrada de la tecnologa DTL, y el transistor T2 como in-
versor. Los transistores T3 y T4 son una etapa adicional de salida, que se conoce con el nombre
de totempole, y cuya misin es la de proporcionar una tanout mayor a la puerta, es decir, perrnite
que a la salida se pueda conectar una mayor cantidad de otras puertas lgicas.
TTL High Speed

En la figura 15.23 se puede ver el esquema de una puerta NANO perteneciente a la familia m Hgh
Speed.
Es un circuito muy similar al de la figura 15.22, salvo en tres aspectos:
1. Las resistencias son de valores ms bajos, con lo cual las corrientes son ms elevadas y se
mejora el tiempo de propagacin.
2. La presencia de los diodos 01 y 02 en las entradas de la puerta. Estos diodos hacen las fun-
ciones de descrestado, eliminando las tensiones negativas que puedan originarse en las en-
tradas cuando se les aplican impulsos de tensin con pendientes muy pronunciadas que po-
cran perjudicar la unin base-emisor del transistor multiemisor T7 .
3. El circuito de la salida est constituido por tres transistores. El T4 de la figura 15.22 se des-
glosa aqui en los transistores T3 y T4 en conexin Darlington.
326
+5V 15.23 Puerta. lgica NANO de la

familia TTL High Speed.
R1 R2 R4
2k8 760 58
V
t-... T3
,, \ 1/ ./
A t-... T2 ... T4
T1
,~

01
R5 Q
8 4k
V
~... T5
. ~02

R3
470
.-
Todo lo expuesto proporciona a los integrados de esta familia un tiempo de propagacin mucho
ms pequeo que con la familia TIL Standard.
El tiempo medio de propagacin en la familia TIL HS es de, aproximadamente, 6 ns, lo que permi-
te que bsculas diseadas con esta tecnologa puedan funcionar con frecuencias de hasta 50 MHz.
Como factor en contra cabe destacar que el trabajar co.n mayores intensidades de corriente
hace que la potencia de disipacin por puerta sea mayor (22 mW en la familia TIL HS por 12 mW de
la TIL Standard) y, como consecuencia, se produce un notable aumento de la energa consumida.
TTL Schottky
En esta familia de integrados se dispone un diodo Schottky entre base y colector de cada uno de
los transistores que componen el circuito (figura 15.24),
e e
15.24 Un transistor Schottky est

constituido por un transistor
bipolar y un diodo Schottky
conectado entre colector y base
E E
del transistor. a) Esquema del
a) b)
circuito b) Smbolo equivalente.
El diodo Schottky as conectado reduce considerablemente el tiempo de almacenamiento de

los portadores minoritarios del transistor, con lo cual aumenta la velocidad de conmutacin.
En la figura 15.25 se ha dibujado el esquema de una puerta NANO de la familia TIL Schottky,
de diseo muy similar a la puerta NANO de la figura 15.23, pero modificando la salida con la susti-
tucin de la resistencia R3 de la figura 15.. 23 por un transistor T4.
Las caractersticas tpicas de esta familia son unos tiempos de propagacin de 3 ns y una po-
tencia de disipacin por puerta de unos 30 mW.
327
+
familia TTL Schottky. R1 R2 R3
2k8 900 50
e-
.. T3
,,.,
Ao nT1 T2
i..T5
.' ttn R4
1k a
B<>-
V
. ... T6
R5 R6
500 250
=D2 .....
f....T4
. ...
TTL Low Power

La figura 15.26 corresponde al esquema de una puerta NAND de la famila ITL Low Power.
+ 5V
R1 R2 R4
40k 20k 500
l/
...._T3
1
a
./
11 \
A T1 . . , T2
8
1/
1...._T4
R3
12 k
fam/ia TTL Low Power. ...
Es un circuito idntico al de la figura 15.22 (puerta NAND de la familia TIL Standard), pero con un
incremento en el valor de las resistencias utilizadas, con lo cual se reduce la potencia de disipacin a
tan slo 1 mW por puerta pero, al mismo tiempo, se aumenta el tiempo de propagacin a unos 33 ns.
TTL Low Power Schottky

Se trata de una familia de integrados en la que se busca un mnimo consumo de potencia, sin que
ello afecte al tiempo de propagacin.
Es un circuito idntico al de la familia TIL Low Power, pero utilizando transistores fabricados
con la tecnologa Schottky.
Con esta familia los tiempos de propagacin se reducen a unos 6 ns con potencias de disipa-
cin de tan slo 2 mW por puerta.
Por sus ventajas es una de las familias de circuitos integrados digitales ms utilizadas. La fami-
lia TIL Low Power Schottky tambin es conocida con las siglas TIL LS.
328
CIF~CUITOS INTEGRADOS
TTL Advanced Low Power Schottky

Se trata de una mejora de la familia Low Power Schottky (figura 15.27).
+ 5V
1
R1 R2 R3 R6
40k 60k 15 k '
35
'
'' T5
(/
V
05 ..., T6
>--~-
"T3
R5
-06
T1 ,io 03 V
~ .
a
A ... T4
'i
(>
~
..
=01
'' Tl
fl4
1
: 08
T2 '
R4
8 4k
--
o2 15.27 Puerta lgica NANO de Ja
' ~ 07 familia TTL Advanced Low Power
- 1 Schottky.
Con esta familia, el tiempo de propagacin es prcticamente el mismo que con los Integrados
de la famllla Low Power Schottkv (5 ns por puerta}, pero se consigue reducir la potencia de disipa-
cin a la mitad (1 mW por puerta}.
TTL FairchildAdvanced Schottky

En la figura 15.28 se puede ver el esquema de la puerta bsica de esta familia.
+ 5V
R1 R2 R4 RB
10 k 10k 4k 1 45
D4

- '' T4
02
~
- - V
1-e.. T1
~ T6
-..,
03 R7

- 5k
1
~ 01 --05.
...
.
' '
' D6 ..
' 09
Q
...
V
r... T2 _Q7
- r/
RB .., T7
15k
... R5
2k
R6
3k
1 ~ 08
"" T3
IY
']T5 15.28 Puerta bsica de Ja familia

TTL Fairchld Advanced Schottky.
329
El tiempo de propagacin de las puertas de esta familia es de 3 ns, con una potencia de disi-
pacin, por puerta, de 4 mW.
HILL (High Leve/ Logic)

Esta familia de circuitos integrados est diseada para. su utilizacin en Electrnica Industrial, en
donde se producen gran cantidad de perturbaciones elctricas transitorias que pueden afectar al
buen funcionamiento de los circuitos digitales de control.
Funciona con una tensin de alimentacin ms alta que las familias anteriormente expuestas
(entre 1 O y 20 V).
+ 10a20V
Rt R3 R5
Jk 15 k 1k5
/
,T2
R2
Dt 12 k
~ 03
.,- -

A - / Q
TI
D2
-. -DZ.
.,
/
8 ~, ,T3
R4
5k

familia High Leve/ Logic. ..
En la figura 15.29 se ha dibujado el esquema de una puerta NAND de la familia High Levef Logic.
El circuito es muy similar al de las puertas de la familia DTL, pero sustituyendo el diodo 03 de
aquella por un diodo Zener (OZ de la figura 15.29).
El tiempo de propagacin de esta familia es bastante elevado (150 ns por puerta), as como la
potencia de disipacin por puerta (55 mW).
ECL (Emitter Coup/ed Logc)

La familia ECL (Emitter Coupled Logic), o lgica acoplada por emisor, es otro intento ms de redu-
cir al mximo posible los tiempos de propagacin.
En la figura 15.30 se puede ver el esquema de una puerta OR/NOR perteneciente a esta familia.
La tensin de alimentacin de esta puerta es de 5,2 V.
Con esta familia se consiguen tiempos de propagacin de 1 ns por puerta, que permiten traba-
jar con frecuencias de 600 MHz.
La potencia de disipacin por puerta es bastante alta, del orden de los 60 mW.
CMOS (ComplementaryMetal Oxide Semiconductor)

En la figura 15.31 se puede ver el esquema de una puerta NOR integrada con tecnologa CMOS,
en el cual llama la atencin la ausencia total de resistencias.
Los transistores T1 y T4 estn conectados a la entrada A y son complementarios.
Lo mismo sucede con los transistores T2 y T3, conectados a la entrada B.
La particularidad principal de la familia CMOS es su bajo consumo, del orden de 1 O nW estti-
camente y 1 O mW dinmicamente.
Existen algunas variantes de la familia CMOS, por ejemplo la LOCMOS (Local Oxydation Com-
plementary Metal Oxide Semiconductor) y la SOSMOS (Silicon On Sapphire Metal Oxide Semicon
ductor), pero todas ellas basadas en la tecnologa MOS. Se trata de diferencias tecnolgicas du-
rante la fabricacin del integrado, buscando siempre reducir el tiempo de propagacin y la potencia
disipada.
330
OV ov 15.30 Puerta lgica ORINOR

de la familia E1nitter Coupled Logic.
Rt R4 R7
220 245 907
T5
o
1 T6
1 -
Q
T4,,,.'
' =01
A
V
T1 - V
T2 T3:
''t ' ~02
B
R2 R3 R5 R6 RB
50k 50k 179 6k 1 4k 98
52V
'
A
11
d dvao tr
J TS
L
B 12
'
T4 :]
ts I ~J
15.31 Puerta lgica NOR de la familia
V~ CMOS.
15 .... - V00= 15V
outpuf r,., = 2sc

0
Vo
(V)
--
<,
10 '- -
V00=10V
'\ ..--- CMOS
/

/
____, " LOCMOS
5 1-
V00=5~
-, > /!
---- / /
oo '" '" 1'0 15

15.32 Caractersticas de transferencia,
comparando la familia de circuitos
input V1 (V) integrados CMOS con la LOCMOS.
En la tecnologa LOCMOS se mejora la caracterstica de transferencia en comparacin con la

CMOS, tal y como se puede deducir de las curvas de transferencia de la figura 15.32, en las que
se compara. la familia CMOS con la LOCMOS para tres tensiones V00 (5 V, 1 O V y 15 V'.
331
12L (/ntegrated /njection Logic)

Para finalizar con el estudio de las principales familias de circutos integrados digitales, citaremos la
denominada /2L (lgica de inyeccin integrada, o lntegrated lnjection Logic).
Se trata de una de las ms recientes tecnologas bipolares y, curiosamente, estos IC son mu-
cho ms lentos que los de la familia TIL, pero el consumo es extremadamente pequeo y con alta
escala de integracin, lo que hace que sea una familia adecuada para la fabricacin de equipos
porttiles, donde el consumo de energa es un punto muy importante.
+1Va15V
T1 T5
C1 (Q)
,.,_ C2
r- T2 ----<>---! T6
15.33 Puerta lgica NOR de la

familia 12L. -
En la figura 15.33 se ha dibujado el esquema de una puerta NOR de la familia 12L. En esta tec-
nologa se utilizan transistores multicolectores.
El tiempo de propagacin por puerta en la familia 12L es de 25 a 250 ns (muy superior a la de la
tecnologa TIL) pero la potencia de disipacin es de slo 6 nW a 70 W. Todo ello, unido a la gran
cantidad de puertas que pueden integrarse en un solo chip (de 120 a 200 por mm2, mientras que
en TIL es de slo 20 por mm2), hace que sea una familia ideal para el diseo de pequeos equi-
pos porttiles con bajo consumo de energa.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS CIRCUITOS

INTEGRADOS DIGITALES
Los parmetros de un IC digital pueden clasificarse en siete grupos:
Corrientes.
Potencia de disipacin.
Factores de carga.
Tiempo de propagacin.
Inmunidad al ruido.
Temperatura de trabajo.
Factor de calidad.
A continuacin se estudian por separado cada uno de estos parmetros.
Corrientes
Cualquier fuente de alimentacin utilizada para excitar un IC debe ser capaz de suministrar, y tam-
bin de absorber, corrientes, ya que en los circuitos integrados pueden circular corrientes en los
dos sentidos: positivo y negativo.
332
Por consiguiente, es importante conocer las corrientes necesarias en las entradas y salidas de
los circuitos integrados, con ambos niveles lgicos, alto y bajo (H y l}.
Convencionalmente se han admitido las siguientes denominaciones para las corrientes:
Corriente positiva: se define como una corriente que circula hacia la entrada de un IC.
Corriente negatfva: se define como una corriente que circula desde la entrada de un IC. Co-
rresponde a la corriente inversa del circuito integrado.
De acuerdo con estas convenciones, se definen las siguientes corrientes:
Corriente de alimentacin ( I ccJ

Todo IC posee dos pins o terminales de alirn.entacin general, que se indican con las abreviaturas
Vcc y GND. Es necesario consultar el catlogo del fabricante para conocer cules son, ya que pue-
den variar de uno a otro tipo de IC.
Al terminal marcado con Vcc se le debe aplicar la tensin continua positiva de la fuente de ali-
mentacin, mientras que el terminal marcado con GND (masa) se conecta a masa o negativo de la
fuentede alimentacin.
La corriente de alirnentaci6n (Ice) es por tanto la corriente 'continua que circula hacia el termlnal
Vcc del IC, y que alimenta al mismo.
Los fabricantes indican el valor de esta corriente con condiciones especificadas de entradas y
salidas del IC abiertas. Es un parmetro de gran importancia para el diseo de un circuito, ya que
fija los requisitos de la alimentacin de potencia del sistema.
Generalmente se especifican: corriente de alimentecin con las salidas a nivel lgico bajo (IccL),
y corriente de alimentacin con las salidas a nivel lgico alto (lccH); ambas medidas con la tensin
nominal y mxima de alimentacin (Vccl que puede aplicarse al IC y a una temperatura ambiente
que, normalmente, se fija en 25 C.
Veamos un ejempl. El circuito integrado 7 400 fabricado por S1GNEr1cs (que incorpora cuatro
puertas NANO), tiene los. siguientes valores de Ice:
Con la tensin de alimentacin nominal (Vce= 5 V), y una temperatura ambiente Tamb = 25 C:
Icco-1 = 4 mA
lccL = 12 mA
Con la mxima tensin de alimentacin aplicable al circuito (V0c = 5,2.5 V):
IccH=8 mA
IccL =.22 mA
Corno se puede comprobar, con tan slo 0,25 V ms de tensin que alimente el circuito la co-
rriente de alimentacin dobla su valor, lo cual supone un considerable aumento de la potencia disi-
pada en el IC.
Corriente de entrada con nivel alto ( I nJ

Es la corriente que circula hacia una. entrada cuando se le aplica a sta una tensin en nivel alto
(V rHl especificada por el propio fabricante.
Se trata de una cor-riente positiva, puesto que circula desde la fuente de alimentacin hacia la
entrada del IC.
En el IC ?400 que estamos ut11rzando como ejemplo, la corriente mxima de entrada a nivel alto
( I JH) es de 40 A, aplicando a la entrada una tensin (V JH) de 2,4 V.
Corriente de entrada con nivel bajo ( I 1J

Es la corriente que circula desde una entrada cuando se le aplica una tensin en nivel bajo (V1J es-
pecificada por el fabricante.
Se trata de una corriente negativa, puesto que circula desde la entrada hacia el terminal GND del IC.
En el IC 7 400, la corriente mxima de. entrada con nivel balo ( IrJ es de 1,6 mA, aplicando a la
entrada una tensin (V1J de 0,4 V.
333
Corriente de entrada con tensinde entradamxima ( I 1)
Es la corriente que circula hacia una entrada cuando se le aplica a sta la mxima tensin de en-
trada (V1) admitida por el integrado, y trabajando ste con la mxima tensin de alimentacin (Vccl
En el IC 7 400 la mxima tensin de alimentacin (Vccl es de 7 V (el fabricante recomienda no
pasar de 5,5 V), y la tensin de entrada mxima (V) es de 5,5 V. Trabajando con estas tensiones la
corriente de entrada mxima. ( I 1) es de 1 mA.
Corriente de salida con nivel alto ( I 0..J

Es la corriente que circula desde una salida cerrada cuando en sta se obtiene una tensin de ni-
vel alto (V0H).
En el IC 7 400, la corriente mxima de salida a nivel alto ( I oH) es de 400 A.
Corriente de salida con nivelbajo ( I 0J

Es la corriente que circula hacia una salida cerrada cuando en sta se obtiene una tensin de nivel
bajo (V0J.
En el IC 7400, la corriente mxima de salida a nivel bajo (I0J es de 16 mA.
Corrientede cortocircuitode sa/da ( I0sJ

Es la corriente que circula desde una salida que est a nivel lgico alto, cuando dicha salida est
cortocircuitada a masa (GND).
El valor de esta corriente define el valor de la resistencia lmitadora de salida. Tngase en cuen-
ta que un valor muy elevado de Ios deteriora el IC, y que un valor demasiado pequeo degrada los
tiempos de conmutacin de salida a nivel lgico alto, ya que la capacidad de carga no se puede
conseguir con la suficiente rapidez para satisfacer las especificaciones de tiempo de conmutacin.
En el IC 7 400, la corriente de cortocircuito de. salida (108) mnima es de i 8 mA y la mxima
de 55 mA.
Potencia disipada (P0)

La potencia disipada (P0) es la potencia absorbida por el IC.
La suma de las potencias disipadas en los elementos o puertas que constituyen un IC comple-
to, determina el consumo de potencia total del sistema y, por lo tanto, la potencia que debe sumi-
nistrar la fuente de alimentacin, definida por la expresin:

Vcc =Tensin continua de alimentacin en V.

I IN = Intensidad de la corriente de entrada en mA.
La potencia disipada en un IC difiere muchas veces, segn que el IC est en nivel alto (H) o en
nivel bajo (L). Por este motivo, y para fijar conceptos, los fabricantes de IC indican un solo valor, que
es la media aritmtica entre las potencias disipadas a nivel alto y a nivel bajo, o sea:
Po1-1 + PoL
Po=
2
En un circuito interesa que la potencia disipada sea la ms baja posible, por dos razones:
1. A menor potencia disipada, menor intensidad de corriente y, por tanto, menor consumo de
energa elctrica. Esta circunstancia resulta especialmente importante en los IC con cente-
nares o millares de puertas lgicas, en donde la corriente total puede llegar a ser muy ele-
vada, con gran consumo de energ(a y la necesidad de voluminosas fuentes de alimentacin.
2. El calor generado por la potencia disipada en un IC determina cuntas puertas pueden inte-
grarse en un chip. Si se integran muchas puertas de elevado consumo en una zona muy re-
ducida, el calor generado puede ocasionar daos al IC.
334
En principio, un JC tiene tanta ms calidad cuanto menor es la potencia disipada. pero esta cir-
cunstancia queda limitada por otro parmetro del IC: el tiempo de propagacin.
Factores de carga (fan-ln y fan-out)

El trrrmo factor de carga, cargabflida.d o capacidad de carga se utiliza para indicar el numero de
entradas a otras puertas lgicas que un IC puede controlar desde su salida, as como al nmero
de salidas de otras puertas lgicas que pueden controlar las entradas de este IC.
Efectivamente, la salida de un circuito lgico integrado puede conectarse a varias cargas que,
por lo general, son entradas a orcuitos integrados similares. Como la salida de un circuito debe
proporcionar corriente a otros circuitos, existe un ln1ite en el nmero de estos circuitos que un solo
IC puede controlar.
De igual forma. se puede decir que un circutto integrado digital constituye la carga de otro u
otros circuitos integrados semejantes, por lo que la corriente de entrada nominal limita el nmero
de circuitos Integrados que pueden alimentar la entrada de un determnado IC.
En ambos casos, el factor de carga queda determinado por un nmero entero, que representa
el nmero de circuitos que controla o que puede controlar LJn IC.
De lo expuesto se deduce que existen dos factores de carga:
Factor de carga de entrada o tenin.

Factor de carga de salida o tenout.
El factor de carga de entrada, llamado tambn capacidad de carga de entrada o cargabildad

de entrada (muchas veces se emplea la expresin Inglesa fanin). es un numero entero que expresa
el nmero d salidas de otros circuitos Integrados que pueden conectarse a la entrada de un de-
tarrninado IC.
B factor de carga de salida, llamado tambin capacidad de carga de salida o cargabilidad de
salida (tambin se emplea la expresin inglesa fanout), es un nmero entero que expresa el n-
mero de entradas de otros circuitos integrados que pueden conectarse a la salida del IC.
En los circuitos integrados, el valor usual del factor de carga de entrada es 1 (algunas veces 2
o 3). Los valores usuales de los factores de carga de salida varlan entre 6 y 1 O para IC clsicos, y
puede l egar hasta 30 en IC especiales.
Tiempo de propagacin
La velocidad de funcionamiento de una puerta lgica est definida por su tiempo de propagacin
t.propagation de/ay time), es decir, por el tiempo que necesita la seal (generalmente en forma de
impulso rectangular) para atravesar la puerta.
El tiempo de propagacin caracteriza la aptitud de un IC digital para reaUzar ms o menos rpi-
damente la funcin para la que ha sido proyectado.
La velocidad de propagacin es un factor de calidad de un IC; cuanto ms elevada sea esta ve-
locidad ms operaciones artrntcas, lgicas. de menlpulacin de datos. etc .. podr realizar el IC
en un determinado perodo de tiempo. /
La velocidad de funcionamiento es la caracterstica ms Importante de cualquier 10. La mayor parte
de los circuitos integrados actuales poseen un tempo de propagacin cornprendldo entre 2 y roo ns.
La velocidad de propagacin se define qeneralrnente (vase figura 15.34), midiendo el tiempo
que separa el flanco del impulso de entrada del flanco del Impulso de salida, tomando los valores
de los impulsos correspondientes a la mitad de su amplitud mxima (es decir, a los valores de las
semiamplltudes de los impulsos).
Las caractersticas disimtricas de conmutacin de los 10 son tales que la transicin de un nivel
lgico L a un nivel lgico H (flanco ascendente del i111pulso} presenta un tiempo de transicin que
es diferente al tiempo de transicin que corresponde a un naneo descendente del impulso.
En principio, se define como tiempo de propagacin medio tpM la media aritmtica entre los tiem-
pos medios de propagacin del cambio de estado de la entrada a la salida, en los casos en que
sta pasa del nivel lgico alto al nivel lgico bajo (tp11) y del estado lgico bajo al nivel lgico alto
(tpu.1) (figura 15.34). Estos tiernpos se miden sobre las semiarnplltudes de los impulsos.
335
15.34 Conceptos de los tiempos

de propagacin tPHL Y tPLH
Vour----
Cuanto ms elevada sea la velocidad de funcionamiento de un IC (es decir, cuanto menor sea
su tiempo de propagacin), tanto ms deseable es este circuito.
No obstante, cuanto ms elevada es la velocidad mayor es la potencia disipada y viceversa.
Ambos parmetros (velocidad y potencia) son, aproximadamente, inversamente proporcionales,
de donde se deduce que la calidad de un IC depende de dos parmetros en cierto modo antag-
nicos; la relacin entre ambos parmetros es el compromiso a que se debe llegar para disear y
elegir el IC ms apropiado para una determinada aplicacin.
En un IC cualquiera, constituido por varias puertas lgicas, los tiempos de propagacin son
acumulativos. As, por ejemplo, si se tiene un circuito en el que un impulso debe pasar sucesiva-
mente por 14 puertas lgicas NANO (IC 7 400), cuyo tiempo de propagacin es de 9 ns, tardar un
tiempo total en aparecer por la salida de la ltima puerta de:
t =n tPM = 14 puertas x 9 ns = 126 ns
Inmunidad al ruido
Cualquier tensin parsita superpuesta a la seal til se considera como un ruido.
La elevada velocidad de conmutacin de los IC provoca seales transitorias que pueden
afectar a la tensin de la fuente de alimentacin, interfiriendo en el funcionamiento normal del
circuito.
Una transicin rpida de los niveles lgicos puede tambin crear impulsos de ruido (rebotes) in-
deseables, que se transmiten a travs de la capacidad distribuida entre los terminales de interco-
nexin. Estas seales transitorias o rebotes pueden ser interpretadas como seales vlidas por las
puertas lgicas, provocando salidas errneas y, como consecuencia, un falso funcionamiento del
circuito.
Los IC se disean para presentar cierta Inmunidad al ruido y, por consiguiente, ignoran una par-
te de l, pero no su totalidad.
La inmunidad al ruido se define como la cantidad de ruido que puede superponerse a una se-
al lgica aplicada a la entrada de un IC digital, sin que la salida de ste circuito cambie de estado
incorrectamente.
La inmunidad al ruido se expresa en voltios y en milivoltios.
El margen de ruido (noise margin) en el cual un IC es inmune al ruido es la diferencia entre el ni-
vel de tensin lgico transmitido y el aceptado como entrada vlida.
Para ello, los niveles lgicos H y L de tensin no son tensiones de valores fijos, sino que estn
expresados por una banda de tensiones. Por ejemplo, el nivel L puede estar representado por cual-
quier tensin comprendida entre O V (GND) y +0,8 V; de la misma forma, el nivel H puede estar re-
presentado por cualquier tensin comprendida entre +2 V y + 5 V (figura 15.35).
Por lo general el margen de ruido, o banda de tensiones aceptable, de entrada de un IC es casi
siempre distinto del margen de ruido que corresponde a la salida (figura 15.35).
En lo que se refiere a la entrada, cualquier tensin por debajo de +0,8 V es interpretado como
nivel lgico L; cualquier tensin por encima de +2 V, pero inferior a la tensin de alimentacin (en
este caso +5 V), es interpretado como nivel lgico H. La banda de tensiones comprendida entre
+0,8 V y +2 V es una banda prohibida, porque en esta zona la puerta lgica no es capaz de inter-
pretar el valor lgico de la seal de entrada (figura 15.35).
336
15.35 Niveles lqgjcos de las
tensiones de entrada y de salida de
un /C digital.
Tensin de entrada Tensin de salida
Para la salida, la. menor tensin que expresa un nivel lgico H es de +2,4 V (figura 15.35). Como
para la entrada se ha cifrado en +2 V; la diferencia entre estas dos tensiones:
(+2,4) - (+2 V) = +0 .4 V
es el valor de la inmunidad al ruido para el nivel lgico H, es decir, constituye el margen de ruido
aceptable para dicho nivel.
En lo que se refiere al nivel lgico L de la salida, ste es. en el caso de la figura 15.35, de +0,5 V.
Para la entrada, el nivel lgico L se ha cifrado en +0.8 V. La diferencia entre estas dos tensiones;
(+0,8 V) - (+ 0,5 V) = +0,3 V

es el valor de la lnmunidao al ruido para. el nivel lgico L, es decir, constituye el margen de ruido
aceptable para este nivel.
As pues, y considerando Jos datos que se indican en la figura i 5.35, se puede decir:
1. Cualquier ruido parsito sobre una tensin de salida de +0,5 V (nivel lgico L) es ignorado en
la entrada rnlentras sea inferior a +0,3 V, ya que cualquier valor de tensin hasta +0,8 V es
interpretado como nivel lgico L. Por consquiente, estos ruidos parsitos no perturban el
funcionamiento del circuito.
2. Cualquier ruido parsito sobre una tensin de salida de +2,4 V (nivel lgico H) es ignorado en la
entrada, porque cualqoie. valor de tensin hasta +2 V es inter,pretado corno nivel lgico H. Por
lo tanto, estos ruidos parsitos no afectan tampoco al correcto funcionarnlento del circuito.
Se puede afirmar que, cuanto mayor .es la diferencia entre. los valores de las tensiones de en-
trada y salida, ms amplio es el mar.gen de ruido y, por tanto, mayor es la inmunidad al ruido del
circuito. Es decir, que un IC tiene ms calidad cuanto ms amplio sea el margen de ruido o, dicho de
otro modo, cuanto mayor sea la diferencia entre los valores de las tensiones de entrada y de salida.
En la prctica, la determinacin de los mrgenes de ruido se realiza sobre la. curva de transfe-
rencia del IC correspondiente (figura.15.36), en la cual quedan definidos los siguientes parmetros
de un IC digital (puerta inversora):
Tensiones de entrada V t (abscisa de la figura 15.36):

VrHmax = Valor mximo de la tensin de entrada a niv.el H {punto V5).
V11~mrn = Valor mnimo de la tensin de entrada a nivel H (punto V6).
V IH = Gama de valores de la tensin de entrada que el elemento lgico reconoce como
nivel lgico H (entre los puntos V, y V2).
V1L!nax =Valor mximo de la tensin de entrada a nivel L (puntG V7).
V/L!nin =Valor mnimo de la tensin de entrada a nivel L (punto V8).
V1L =Gama de valores de la tensin de entrada que el elemento lgico reconoce como
nivel lgico L (entre los puntos V4 y. 11_1).
337
15.36 Caractersticas tpicas

de transferencia de tensiones de
entradasalida de un IC digital. V1 '
--------r--- // ,.. /~ ,
/_,- ,;,.
: VOh'mi.v /
A'
;;~ 1
1 A /' '
Vrm.
/
: 1
1 ,/ ,
V2:
--- -----1----J __
1
/
~ 1
' ,
'/
: VcHm" i.
1
1
e
1 1
1
1
'
1 1 1
1 '
' 1
1
1
'
1
'
j
1 1 1
V3: '1
--------.---1--
111'.o J
l .-1 V
... o,..
'- / /
1
'
v4'
- --- ---L.-- - J __
~L 8' /B //../
// 1
1
t
v.
Ol,m/n 1
1
1 t : VaIL:1i\1 : VOllm.it: V1Hr.1n 1 1 '
1 1
1 1 1 ' 1 1 1
1 1 1 j 1 1 1
1 1-.
1 1
-V1~,
1 M, 1
,__ _, ,__ M,1 -+-
1 1 VIH _, 1
-
1 1 1 1 1 1 1
-,_..- - r- --
Vs : V4 V3 : V7 : V6 V2 v,
1 1 1
1 1 l
'1------'
Tensiones de salida V0 (ordenada de la figura 15.36):

VoHmax =Valor mximo de la tensin de salida a nivel H (punto V1).
VoHmfn =Valor mnimo de la tensin de salida a nivel H (punto V2}.
V0H =Gama de valores de la tensin de salda que el elemento lgico reconoce corno ni-
vel lgico H (entre los puntos V, y V2).
VoLrnx =Valor mximo de la tensin de salida a nivel L (punto V3}.
Vot.mrn =Valor mnimo de la tensin de salida a nivel L (punto V4).
V0L =Gama de valores de la tensin de salida que el elemento lgico reconoce corno ni-
vel lgico L (entre los puntos V4 y V3).
En la figura 15.36, se han sealado tambin las zonas de funcionamiento normales, las zonas
en que puede admitirse presencia de perturbaciones, las zonas prohibidas de funcionamiento y los
mrgenes de ruido definidos anteriormente. En esta figura se tiene:
A =Zona de funcionamiento normal de las tensiones de entrada-salida, para nivel H.

A' =Zona de funcionamiento permisible en presencia de una perturbacin, para nivel H.
A +A' =Zona de garanta para nivel H.
8 = Zona de funcionamiento normal de las tensiones de entrada-salida, para nivel L.
8' = Zona de funcionamiento permisible en presencia de una perturbacin, para nivel L.
8 + 8' = Zona de garanta para nivel L.
C = Zona prohibida de funcionamiento.
ML = Margen de ruido de la entrada a nivel L.
MH = Margen de ruido de Ja entrada a nivel H.
Los valores prcticos de todas estas tensiones dependen de la tecnologa empleada para fa-
bricar el IC y, normalmente, estn especificados en los catlogos de los fabricantes. Como ejern-
plo, en la figura 15.37 se han dibujado las curvas de transferencia de tres circuitos integrados digi-
tales, todos ellos TIL, pero de familias distintas (LS, ALS y FAST}.
Temperatura de trabajo
La corriente elctrica que circula por un IC engendra calor en l. Por ello la temperatura en el IC es
siempre superior a la ambiental.
338
5,0 i
15.37 Curvas cstsctetlstlcssde las
tamifias de circuitos integrados LS,
1
Vcc = 50 V
T3,,,/J = + 25 C FASTy ALS.
4,0 ,_ ION APPLIED
1 "I '
,
3,0
ALS
~ ...... 1
2,0 -
'
FAST
LS
1,0
o '
o 0,5 1,0 1,5 2,0 2:,5
Cada tipo de IC tiene unos mrgenes de temperatura en los que su correcto funcionamiento no
es afectado .. Si la temperatura. en el integrado est fuera de dichos mrgenes, el circuito trabaja de-
centemente, e Incluso puede resultar destruido.
Factor de calidad
Se ha dicho anteriormente que la calidad de un IC digital es tanto mejor cuanto menor es su po-
tencia de disipacin y menor su tiempo de propagacin.
Tambin se ha, dicho que una elevada velocidad de funcionamiento implica una mayor potencia
disipada, es decir, que ambos parmetros son, aproximadamente, inversamente proporcionales.
La relacln entre el tiempo de propagacin y la potencia disipada se debe a las diversas capa-
ciddes parsitas presentes en el Integrado. Estas capacidades se cargan y descargan cuando se
producen las transiciones de los niveles lgicos a travs de -. las resistencias, transstores y diodos
del integrado, formando constantes de. tiempo RC.
Para que las cargas y descargas se realicen con rapidez deben emplearse resistencias de pe-
queo valor, con lo cual son pequeos-los productos RO, es decir, las constantes de tiempo.
Ahora bien, al reducir los valores de las resistencias del integrado se reducen los tiempos de carga
y descarga de las capackades y se alcanzan con ms rapidez los estados lgicos correspondientes
(aumenta la rapidez de funcionamiento), pero se presenta el inconveniente de un aumento del valor
de la corriente que circula por el crcuito, lo que implica. un aumento de. la potencia disipada en l.
Por otra parte, el producto de una potencia por un tiempo expresa una energa.
En el caso tjue se est estudiando, se puede expresar la relacin entre potencia disipada y ve-
locidad de funcionamiento de un IC digital por el producto:
Wp = Energa total disipada. en pJ.

P0 = Potencia disipada en mW.
tp = Tiempo de propagacin en ns.
El producto anterior puede considerarse como un factor de calidad de los circuitos integrados.
Un IC tiene tanta mejor calidad cuanto menor es el producto expresado.
CPSULAS PARA CIRCUITOS INTEGRADOS
El chip del IC debe protegerse contra la accin de los agentes externos: polvo, humedad, etc. Por
otro lado, resultan sumamente delcados de manejar y conectar dada su extremada pequeez.
Por todos estos motivos, los fabricantes suministran los circuitos integrados en cpsulas especia-
les de diferentes tipos, que encierran los propios circuitos y tas conexiones interiores entre los blo-
339
ques funcionales, saliendo al exterior los terminales correspondientes para la conexin al circuito
rnpreso, en forma de patillas (pins).
Las cpsulas ms usuales para circuitos integrados tienen las siguientes formas:
Cilndrica.
Plana.
De doble tnee.
Miniatura.
Cuadrada.
La cpsula cilndrica es una versin, con altura reducida, de la cpsula TO utilizada para los
transistores (figura 15.38),
0,86mr. 1.0mx
o.4Bmax
!O 1
1
1
90
,o-e
' 02
-o-t- - -.
11 . s
3-
-~s
, 1
1
15.38 Cpsula cilndrica (TO) para IC. -

5.1 rnf.'1
- 4.61mx 12.?mln
El chip se aloja en un recinto metalice (la cpsula}, hermticamente cerrado mediante sellado
metal/vidrio.
Estn disponibles variantes de 8 y de 1 O pins. Estas cpsulas se montan en los circuitos im-
presos de forma anloga a los transistores.
Las cpsulas planas (flatpack) estn diseadas para su soldadura sobre circuitos impresos,
respetando el paso internacional usual, sin necesidad de realJzar soldaduras complementarias.
Adems, estas cpsulas permiten un mayor nmero de pins para conectar con el exterior (figu-
ra 15.39).
PINN' 1
1,40{055)
1, 14 (/J45) ~P/NN' 1 ------
1,52 (060)
1.02 (040)
- 11,15 (305)
r
1 1 1 1
1.49 (295)
1 1
9.14 !360) _!.4,22
~(
8,38,JO) t_ IJ,72 (540)
'
1
7.81 (310)
7,24 (285) - 6,68(2BOLJ
.5,97 (235)
~
~
21.04 (86/J)
o.48(019
0.38 (015)
O,Q9~
30._03(395)
9,40El
21,34 (840}
1 1 1 1
1
9.40 (370l
- 6,9912751 _(},! (019) O,IOr 004)
mIn
-
8.38 (330) 6,22 (24.5) 0,38 (015)
O,l (006) - -0.76(g30) 1 l 24.38 (960)
1,02 (040) 2.16 (085)
0,38 (0()3) 23,88(940)
0.51 (020) 1,41) (055)
- 0,76(030)

a) 1
1
1

1
_l).1.J.(006)
1
15.39 Cpsulas planas (flatpacks). 1,02 (040) 2.16 (085)
a) Ffatpack de 14 pins. b) st-oec 0.08 (003) 0,51 (020) 1,40 (055)
de24 pins. /J)
340
Las medidas de las cpsulas de la figura 15.39 se han expresado en milmetros y en fracciones
decimales de pulgada (stas entre parntesis).
Generalmente estas cpsulas son cermicas, y estn hermticamente cerradas mediante sella-
do metal/vidrio o rnetal/cermica. Se fabrican con 14, 16, 20 . y 24 pns .
La cpsula de doble lnea o cpsula DIL (Dual In Lne) es la ms conocida y de mayor empleo.
En el argot profesional se la conoce tambin con os nombres de cucerscne o semoe,
Se ha desarrollado par-a responder a un criterio de economa constructiva y aumentar el nrne-
ro de pins de conexin.
La ms usual es la de 14 pins, dispuestos en doble lnea, aunque tambin se fabrican con 8, 12,
16, 18, 20, 22, 24, 28, 40, 48, 50 y 64 plns, segn la. cornplejidad .del IC.
Los pns siempre guardan una distancia entre ellos de.2,54 mm (1/10 de pulgada}, para permi-
tir la insercin directa del IC en placas de circuito impreso normalizadas.
------ ~[!t4J<,,_ ---i 8,25rn;;.

-
1
.. - - - -1
-
l 1 1 1
' '
- -- -
l, ' inj>:
J
1 1
- '- - - - -
-
'-lg:;'Ti!(
''
''
1
- -- - - . - - -o.;s ,,''
'
'
-- -- - l (,\32nrlx. ,,"
1
1:
~-" :
,'
l "
--i----1..
0,!15 rr;.Jx,,,..
'
_[_ .
1
1 -
1
1.
'
_ ' -l l- T.52
_]
.__ __ i1 ---
--
S.:;
,.. 5 6. , ~ 9
a)
32~~/, -- -
158m3x
.'
14 1 mx
~
1
1
- - - - - -
1
- - -
1
~---
-
-- - -
- -
.... - - ..... - -- - ..... 10.51 ''
--=i "''''}
'
-
'- min 1
''
- - .-- -- '- . - -
- . - -- -.~ -- . " .1' O.:i211~
'
1
2~K
-- j 1:
1 1 ~
G.53t~x
"
e~'
1 ,. '1,\
,. -----.- -'!
"
IJ.85 m.lX ~ 1 '-. ---- 1.~f! 1
!115
:s()
- ------ ------- -------
6 1
b)
15.40 Cpsulas de doble lnea (DIL) con cuerpo de plstico. a) Cpsula DIL de 18 p}ns. b) Cpsula DIL de 24 pins.
341
Existen dos versiones: la de plstico con sellado plstico/metal (figura 15.40), y la de cermica
con sellado de vidrio (figura 15.41). La ventaja de la cpsula cermica es su elevadsima resistencia
a temperaturas elevadas y a la humedad.
381' mJx
- 15 9 ITllJJI
1
-
'1 1
5.84 flNix
-- 1 - - -- - - -
'
1
jo.SI ''
~- --
LL .__ 0,32
'
,,"" ''
-
'- '- '- '- ~
- -- -- - . --- . _:-- mjrJJ
~,.
-
-1 - (),38
0.23
" '
ij.:1
-
. , Q,16 :' '-!:
1 ~i ' ,,, J
254
rr.;x LJ -
26> 2,54
'!~ 1.
o 1415 o
15.24
-1
l lmx
28 21 26 2J n M M M " M g
.J f 5 r il 9 10 11 12 13 14
15.41 Cpsula de doble lnea DIL con cuerpo cermico, de 28 pins.
Con el fin de evitar errores en la conexin de estas cpsulas, se dispone de una hendidura en
uno de los lados de la misma (figuras 15.40 y 15.41).
Las cpsulas miniatura se conocen tambin con los nombres de minipacks o cpsulas SO
(Small Outline). Se trata de cpsulas DIL pero con dos diferencias respecto a las de doble lnea (fi-
gura 15.42):
a) Son de tamao bastante menor, ya que los plns estn separados entre ellos 1,27 mm (1/20
de pulgada) y los elementos que constituyen el chip propiamente dicho estn miniaturizados.
b) Los pins tienen diferente inclinacin, ya que estn curvados hacia abajo y hacia fuera en for-
ma de ala de gaviota.
10.0 5,2
9,8 4,6
1 1,25
0.85
- 4,0
3,8 -
8 (J
i'.~
35 2
- 1
/
1
- '
'1
I .\.. 0,25 "< --
,__
'
1o.10
--o.rmx1-- \0.25 O.Jmin
1,21
a 19
6,2
S,8
-
- - - ... ...
- - - -
-
~ ~
... ...
~ ~
B l 6 s 4 3 2 1
15.42 Cpsula miniatura 9 10 11 12 i3 14 15 16

(SO) de 16 pins, con ....
-
r- r- ... ... ... ... ...
cuerpo de plstico. - ... ... ... ... ... ...
342
Por lo dems, ambas cpsulas (DIL y SO) utilizan los mismos materiales y la misma tecnologa
de montaje.
Se fabrican con 8, 14, 16, 18, 20. 24 y 28 pins de conexin.
Las cpsulas miniatura s emplean en la tecnologa de montaje en superficie (SMT).
Las cpsulas cuadradas (chipcarriers) son la consecuencia de la fabricacin de circuitos inte-
grados cada vez ms cornplejos, con integraciones que pueden llegar a 100.000 componentes en
un solo chip, lo cual requiere cada vez mayor nmero de pns de conexin; el empleo de cpsulas
DIL, cada vez ms largas y anchas, puede resultar inviable porque presentan problemas elctricos
y mecnicos de difcil solucin.
Para evitar estos problemas se ha Ideado el .chipcarrier en dos modalidades: cpsula de pls-
tico PLCC (Pfastic Leaded Chip Carrier) y cpsula . cermica LCC (Ceramic Leadless Chip Carrier).
En la cpsula cuadrada se disponen los pins en sus cuatro lados, con un paso (distancia entre
pins) de 1,27 mm (1/20 de pulgada).
Se fabrican con 20, 28, 44, 52, 68 y 84 pins repartidos, como ya se ha dicho, por los cuatro la-
dos de la cpsula .
._os.~ ~......._._. - 2:15

(4J'y 0,5mJX(3 ! :?,87mtt
Li__ \ .
~ pin 1 /r.111'.x J9
'
1 1
-r.9
l u. f!'"3X
'
--+-A
1 1
' '
-!----- 1
r;!:=--- --~
' 1
1 ' 1 .
' '
1 ' 1
11 2$
~
~
16.66mJx
t7,65rrix
a)
5,fJf!tMX
-
f,{)1~
51
-- 3,81mx ,_
f.2?
----- - - ---A-
L 11.2m1x
M 41
IJ _I
242!i'='"Y.~------l-
25.3max
-
b)
15.43 Cpsulas cuadradas (PLCC) con cuerpo de plstico. a) ctp-csate: de 44 pins. b) Chipcarrier de 68 pins.
343
En la figura 15.43 se han dibujado dos chipcarrier de plstico, uno de 44 pins y el otro de 68 pins.
Ntese en la parte superior de ambas cpsulas la seal en forma de crculo que indica el terminal
nmero 1, a partir del cual se numeran los demas en sentido opuesto al giro de un reloj.
_t.4_
89 -
-
PIN N'I
-,-
1
15.44 Cpsula cuadrada (LCC) con 1
cuerpo de cermica, de 20 pns. 1 I .!~ 1
En la figura 15.44 se puede ver un ctvpcemer de cpsula cermica de 20 taladros. Ntese la

forma del taladro que sirve de ndice para el nmero 1 .
, ,
CODIGO DE DESIGNACION PARA LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
El cdigo -oro-etectron de designacin de circuitos integrados es aplicable a circuitos integrados

monolticos, multichip, de pelcula fina, pelcula gruesa e hbridos.
Est formado por tres letras y un nmero de cuatro cifras.
La primera y segunda letra identifican a una familia de circuitos integrados digitales cuando se
trata de las letras FA, FB, ... , GA, GB, ... , etc.
Estas familias de circuitos integrados digitales pueden ser interconectadas entre si, y vienen defi-
nidas por sus caractersticas elctricas bsicas, tales como tensin de alimentacin, consumo de po-
tencia, velocidad de propagacin de las seales, e inmunidad al ruido.
Cuando se trata de circuitos integrados solitarios, tales como los utilizados en radio, televisin, v-
deo, etc., es decir, de circuitos integrados analgicos, digitales o rnezcla de digital y analgico. que
no forman parte de ninguna familia por realizar ellos solos una o varias funciones, la primera letra
indica el tipo de IC segn el siguiente cdigo:
S = IC digital.
T = IC analgico.
U = IC mezcla de digital y analgico.
La segunda letra es, en este caso, una letra de serie. sin significado alguno, excepto la H, que
se utiliza para designar los circuitos Integrados hbridos.
En el caso de microprocesadores, las dos primeras letras identifican al microprocesador y cir-
cuitos correlativos, segn el siguiente cdigo:
MA = Microprocesador. Unidad central de proceso.

MB = Parte de microprocesador.
MD = Memorias correlativas.
ME =Otros circuitos correlativos (reloj, controlador de perifrico, interface, etc.).
Los dispositivos de transferencia de carga se identifican, en sus dos primeras letras, por el si-
guiente cdigo:
NH =Circuitos hbridos.
NL = Circuitos lgicos.
344
CJRCUITOS INTEGRADOS
NM = Memoras.
NS = Procesadores de seal analgica, utilzando condensadores conmutadores.
NT = Procesadores de seal analgca, utilizando dispositivos de transferencia eje carga.
NX = Dispositivos de imagen.
NY = Otros circuitos.
En todos los circuitos integrados la tercera letra de su nomenclatura indica el margen de tem-
peratura en la que pueden trabajar, segn el siguiente cdigo:
A = Gama de temperatura no especificada.

B =de O Ca +70 C.
C = de 55 C a + 125 C.
D =de 25 "Ca +70 C.
E = de 25 C a +85 0.
F = de 40 C a +85 C.
G =de 55 Ca +85 "C.
J En el caso de circuitos integrados capaces de trabajar en otras gamas de temperatura, la ter-

cera letra puede ser la correspondiente a la gama ms cercana o bien la letra A. As, por ejemplo,
si un IC puede trabajar dentro de una gama de temperaturas comprendidas entre O 9C y +75 C,
la tercera letra de su cdigo puede ser la B o la A.
El nmero de serie que sigue a las tres letras anteriores puede estar formado por tres o cuatro
cifras o por una combinacin de letras y cifras.
Al nmero de serie bslco puede aadssee una letra para indicar una variante respecto a las ca-
ractersticas elctricas y/o de la cpsula. Las letras que se relacionan a continuacin son las reco-
mendadas para cada tipo de cpsula:
C = Cpsula. cilndrica.
O = Cpsula Dual In Llne cermica.
F =Cpsula plana.
L = Chip sobre cinta.
P = Cpsula Dual In Une plstica.
Q =Cpsula Quadruple In Line (QIL) (cuadrada y con terminales en sus cuatro lados).
T = Para-cpsulas miniaturas en plstico.
U = Para chip sin cpsula.
Otra alternativa a. este cdigo de cpsulas es la que utiliza dos letras; la primera de ellas para
indicar el tipo de cpsula y la segunda el material con la que est fabricada.
La primera letra corresponde al siguiente cdigo:
C =Cilndrico.
D =Dual In Line (DIL).
E = DIL de potencia (con radiador de calor incorporado).
F =Cpsula plana con patitas en dos de. sus lados.
G = Cpsula plana con patitas en cuatro de sus lados.
K = Cpsula. en forma de diamante (tipo T03).
M = Multiple In Line (excepto Dual, Triple, Quadrupfe In Line).
Q = Quadruple In Line (OIL).
R = QIL de potencia (con radiador de calor incorporado).
S =Single In Line (con patitas en uno solo de sus lados).
T =Triple In Line (con patitas en tres de sus lados).
La segunda letra. correspondiente al material de fabricacin de la cpsula, indica los siguientes

materiales:
345
C = Cermica.
G = Cermica-vidrio.
M =Metal.
P =Plstico.
Otro cdigo, ajeno al proelectron, y que se emplea mucho en los circuitos integrados digitales,
es el que est formado por unas letras que indican el fabricante y unos nmeros y letras que res-
ponden a la familia y tipo de IC digital.
En lo que respecta al fabricante, a continuacin se relaciona los cdigos de algunos de los ms
importantes.
TL = AEG Telefunken.
F = Fairchild.
MIC = ITT.
MC = Motorola.
DM = National Semiconductors.
T = SGS/ATES.
N = Signetics.
SN = Texas lnstruments.
TMS =Texas lnstruments (tecnologa MOS).
A continuacin le sigue una cifra indicativa de la gama de temperatura de funcionamiento del in-
tegrado. Segn esta gama de temperatura la cifra ser:
5 = de 55 a 125 C
7 =de O a 70 C
8 =de 25 a 85 C
Sigue una segunda cifra, con la que se distingue el tipo de circuito, segn el siguiente cdigo:
2 =Amplificador operacional (circuitos lineales).

4 = Circuito digital.
5 = Circuito de interface.
6 =Circuito de telecomunicacin, radio y televisin.
A continuacin, se indica un nmero de dos o tres cifras, a veces precedidas de unas letras,
que define la familia y el tipo de circuito.
Respecto a las posibles letras que figuran precediendo a este cdigo citaremos algunas:
HC = Familia CMOS.
STD = Familia TTL Standard.
LS = Familia TTL Low-power Schottky.
S = Familia TTL Schottky.
F = Familia TTL FAST.
ALS = Familia Advanced Low-power Schottky.
y con referencia al nmero no existe una normativa al respecto, por lo que deber consultarse el
catlogo del fabricante para determinar de qu circuito digital se trata.
Despus del cdigo de la funcin del circuito sigue una letra, que indica el tipo de cpsula se-
gn el siguiente cdigo:
J =Cpsula DIL cermica.

N = Cpsula DIL plstica.
W = Cpsula Flatpack cermica.
346
As, si un IC lleva la Indicacin:
SN 74LS02N
se trata de un IC fabricado por Texas lnstruments (SN), que puede trabajar con temperaturas am-
bientes comprendidas entre O y 70 C (7), que es un circuito digital (4), que pertenece a la familia
TIL Low-power Schottky (LS). que posee cuatro puertas NOR de dos entradas (esto se determina
consultando el catlogo) y, finalmente, que su cpsula es DIL plstica.
347
Radiadores de calor
INTRODUCCIN
El calor generado en las uniones y en los chips de los componentes semiconductores debe disiparse,
pues de lo contrario podran resultar destruidos debido a un aumento excesivo de su temperatura.
Por otra parte, la disipacin del calor generado favorece el funcionamiento estable del semi-
conductor, ya que la corriente residual, o de fuga, depende mucho de la temperatura.
Para la disipacin del calor generado en los semiconductores se recurre al empleo de radiado
res de calor.
Calor
El calor es una forma de energa que depende de la estructura interna de los cuerpos. y se debe al
movuniento desordenado de sus molculas.
Debido a que el calor aumenta la energa cintica de las molculas, se produce un aumento de
la temperatura.
Temperatura
Se puede definir la temperatura como el nivel de calor que tiene un cuerpo. En efecto, cuando un
cuerpo se somete a una fuente de calor ste aumenta su temperatura.
La temperatura se mide mediante termmetros o mediante pirmetros. utilizndose diversas es-
calas, tales corno la de grados centgrados o Cetsius (C). la de grados Fahrenheit {F) o la de gra
dos Kelvin (K o K).
Para medir la temperatura en semiconductores se utillzan las escalas Celsius y Kelvin indistin-
tamente.
Transmisin del calor

Existen varias formas de transmisin del calor: radiacin, conveccin y conduccin.
La transmisin de calor por radiacin se debe a que todo cuerpo irradia calor cuando su tem-
peratura absoluta es superlor a O K (equivalente a -273:15 qC).
El calor irradiado es tanto mayor cuanto mayor es la temperatura del cuerpo.
El cuerpo con mayor poder de radiacin es el cuerpo negro ideal; por este motivo los fabrican-
tes de radiadores trmicos utilizados en electronrca suelen ennegrecerlos.
La transmisin de calor por conveccin se debe a que el calor contenido en un cuerpo slido
se transmite al fluido que lo rodea. Debido a Ja variacin de la densidad con la temperatura. en la
transmisin de calor por conveccin se 'forman lneas de movimiento del fluido que rodea al cuer-
po, las cuales evacuan el calor contenido en este ltimo.
Existen dos formas de transmisin de calor por conveccin: la natural y la forzada.
En la conveccin natural, el movimiento del fluido que rodea al cuerpo (aire. agua, ... ) se debe a
la transmisin del calor de las capas ms calientes a las ms fras de dicho fluido.
En ta conveccin forzada, la crcuaclon del fluido est provocada por un medio exterior, como
puede ser un vsntador o una bomba de agua.
En radio y televisin Ja transmisin de calor por conveccin es del tipo natural, ya que no es ex-
cesiva la cantidad de calor que debe ser evacuado. En algunas aplicaciones de la electrnica, ta"
349
les como la Industrial o la informtica, s es necesaria una conveccin forzada. Aqu slo trataremos
la conveccin natural, que es la que se aplica en los circuitos electrnicos de audio y vdeo.
En la transmisin de calor por conduccin, el calor se transmite por el interior de un cuerpo (s-
lido o lquido), establecindose en el mismo una circulacin de calor.
La cantidad de calor mxima que puede atravesar un cuerpo es aquella para la cual se consi-
gue una estabilizacin de la temperatura en todos sus puntos.
Resistencia trmica
Para que la energa calorfica pueda transmitirse de un punto a otro de un cuerpo debe existir una
diferencia de temperatura entre dichos puntos; es decir, no existir transmisin de calor entre los
puntos de un cuerpo que tengan la misma temperatura.
El calor pasa del foco caliente al fro, por lo que cualquier factor que impida el paso del fluido
calorfico acta como un aislante. Este factor se denomina resistencia trmica.
TEMPERATURAS EN LOS SEMICONDUCTORES
En todo dispositivo semiconductor existen diversos niveles de temperatura que deben ser consi-
derados.
Cada uno de estos niveles se representa por un smbolo, segn el siguiente cdigo interna-
cional:
7j = Temperatura de la unin.
T,b = Temperaturadel fondo de la cpsula.
Tease = Temperatura de la cpsula.
T, = Temperatura del radiador trmico (si lo hubiera).
Tamb = Temperatura ambiente.
Tstg = Temperatura de almacenamiento.
De todas estas temperaturas la ms elevada es, sin duda, la de la unin, pues en ella se en-
gendra el calor, y la ms baja la temperatura ambiente; es decir, el orden de niveles de temperatu-
ra de mayor a menor es el mismo indicado en la anterior relacin, puesto que si bien puede suce-
der que la temperatura ambiente est por debajo de la de almacenaje, no es el caso normal.
Este orden ha de ser respetado para que el calor pueda ser evacuado, pues si el orden se rompe
el calor pasar hacia la unin (ms fra), con el consiguiente peligro de destruccin de la misma.
Este caso es fcil que suceda, por ejemplo, al llevar a cabo una soldadura sin tomar las pre-
cauciones adecuadas de rapidez, soldador de pequea potencia, y evacuacin del calor de la cp-
sula mediante unos alicates en contacto con ella o con el terminal que se est soldando; en caso
de no tomar estas precauciones, el calor de la punta del soldador se transmite a la cpsula y de
sta a la unin, pudiendo llegar a su destruccin.
En resumen, para que la transmisin de calor sea adecuada, es necesario que los niveles de tem-
peratura desciendan de la unin al ambiente, siendo tanto mejor la evacuacin cuanto mayor sea
la diferencia de nivel entre una y otra temperaturas.
RESISTENCIA TRMICA EN LOS SEMICONDUCTORES
En todo dispositivo semiconductor se engendra calor en sus uniones, el cual es evacuado hacia el
exterior con ms o menos facilidad, segn los diferentes obstculos hallados. Estos obstculos son
las resistencias trmicas de los diferentes materiales constituyentes del dispositivo.
La resistencia trmica se representa por el smbolo literal R1h para diferenciarla de la resistencia
elctrica, cuyo smbolo es R.
La unidad de medida de la resistencia trmica es el C/W, e indica la cada trmica en funcin
de la potencia disipada por el foco calorfico.
350
RADIADORES DE CALOR
As, en un cuerpo que posea una resistencia trmica de 8 CNV, y cuya potencia disipada sea
de 5 W, la calda trmica ser de:
8 "C
T = PR111 = 5 W x = 40 "C
w
As pues, si el calor se disipa rpidamente la resistencia trmica ser pequea. mientras que si
la conduccin del calor es deficiente la resistencia trmica ser elevada.
En los semiconcuctores cabe destacar tres resistencias trmicas, repartidas entre la unin y el
medio ambiente. Estas resistencias trmicas son:
La resetenca trmica entre la unin y el fondo de la cpsula, representada por Rlhi-ib Esta
resistencia trmica se debe a que el calor engendrado en la unin del cristal semiconductor
debe pasar al fondo de la cpsula con cierta resistencia trmica u oposicin al paso del ca-
lor.
La resistencia trmica entre el fondo de la cpsula y sta, representada por Rlhlb-c
La resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente que la rodea. Su smbolo es R1hcamb
En el caso de utilizar radiador de calor aparece una cuarta resistencia trmica: la comprendida
entre la cpsula y el radiador, y que se representa por Atnc-r sustituyndose, en este caso. la resis-
tencia trmica cpsula-ambiente por la de radJador-ambiente (Rmr-1ir1J
Rest,.1miendo, en un disposrtivo dotado de radiador, a fines prcticos se consideran las siguien-
tes resistencias trmicas:
R1n1 ro = Resistencia trmica entre unin y fondo de la cpsula.

Rmfbr =Resistencia tmce entre fondo de c{lpsula y radiador.
Rthr amb = Resistencia trmica entre radiador y medio ambienle.
R1"1bamb =Resistencia trmic entre fondo de la. cpsula y medio ambiente.
Cuando se efecta el montaje de un radiador, ste podr ser directo (en intimo contacto con la
cpsula), o bien mediante arandelas aislantes de mica o silicona, por lo que estos materiales inter-
medios tambin ofrecern una determinada resistencia trmica.
Asimismo, !a resistencia trmica varia segn est trabajada la superficie de contacto: anodiza-
da. sin anodlzar. rectificada, etc.
De todas las resistencias trmicas expuestas, la existente entre radiador y medio ambiente es la
que suelen indicar los fabricantes de radiadores en sus catlogos, y es la que debe tenerse pre-
sente para la correcta eleccin del mismo.
CURVAS CARACTERSTICAS TRMICAS
Los fabricantes de semiconductores proporcionan en sus catlogos curvas caractersticas tales

como las de la potencia total de disipacin en funcin de la Intensidad de corriente, y las de la po-
tencia total de disipacin en funcin de la temperatura ambiente, que facilitan la eleccin del radia-
dor ms adecuado en cada caso.
As, en la figura 16. 1 se ha dibujado la curva caracterstica de la potencia de disipacin en fun-
cin de la comenta, en la que se aprecia que sigue un curso exponencial.
Las curvas de la. figura 16.2 corresponden a la intensidad de corriente en funcin de la tem-
peratura ambiente, de cuatro radiadores de calor (a, b, e y d).
De esta ltima figura se deduce que para una cierta intensidad de corriente I0, la temperatura
ambiente permitida es tanto mayor cuanto menor sea la resistencia trmica del radiador Rwamn ya
que en la figura 16.2 se considera que,
8>b>C>d
351
I
(A)
o I (A) o T, i: (C)
16.1 Curva caracterstica 16.2 Curvas caractersticas I = f(~1moJ

P101 = f( I) de un semiconductor. de cuatro radiadores con distinta
resistencia trmica.
Efectivamente, con una intensidad de corriente I 0 y un radiador con resistencia trmica a, el se-
miconductor puede trabajar a una temperatura ambiente T2 mayor que si se utiliza un radiador con
resistencia trmica b ms elevada.
Estas dos curvas pueden relacionarse entre s, tal como se muestra en la figura 16.3, en la que,
adems, se indica la temperatura en el fondo de la cpsula (T,"o).
l
16.3 Relacin entre las curvas
caractersticas de fas figuras 16. 1
y 16.2. o I O
Con estas curvas caractersticas el profesional puede efectuar la lectura directa de cualquier
magnitud que desconozca a partir del parmetro que disponga.
Se observa, asimismo, que el lmite de temperatura ambiente coincide con el de la temperatura
de la unin {Tj) soportada por el semiconouctor, y a la cual van a parar todos los inicios de las rec-
tas de los radiadores de calor.
Veamos un ejemplo de lectura de estos grficos. Para ello, supongamos que el dato conocido
es la intensidad de corriente que circula por el semiconductor {marcada con 10 en la figura 16.3).
Se levanta una perpendicular a dicho punto hasta que corte a la curva P101 = f(I) en el punto C,
y desde este ltimo se traza una perpendicular sobre el eje de potencia de disipacin, encontran-
do el punto P de la figura 16.3, el cual indica la potencia que disipa el semiconductor.
Prolongando la recta PC hasta el eje de temperaturas de cpsula T,b se halla el punto A, que
permite conocer la temperatura del fondo de la cpsula en dichas condiciones de funcionamiento
{figura 16.3).
La recta PCA corta en su trayectoria las rectas correspondientes a los cuatro radiadores, cuyas
resistencias trmicas {R111r-amb) se han representado por a, b, e y d.
352
RADIADORES DE CALOR
Si se elige. por ejemplo, el radiador b, se tendr el punto de interseccin O, a parlir del cual se
traza una perpendicular sobre el eje T"1f'Jb obtenindose el punto B correspondiente a la tempera-
tura ambiente a la que puede trabajar el semiconductor con este radiador.
Si en lugar del radiador b se elige otro con menor resistencia trmica (corno el e o el d), se ob-
tiene una temperatura ambiente de trabajo ms elevada (figura 16.3).
La temperatura ambiente obtenida no debe ser nunca sobrepasada. pues si esto sucediera se
produciran daos irreparables en el semiconductor.
En la prctica, es rnucho mas corriente partir de los datos P101 I y Tarnb pues lo que se desea
conocer es el tipo de radiador que se ha de disponer en el semiconductor. En este caso se proce-
de de forma similar a la descrita, pero en orden distinto.
As, supongamos que la temperatura ambiente a la que dbe trabajar el semiconductor (dn-
dole un margen de seguridad por posibles elevaciones imprevistas de la temperatura ambiente),
sea el correspondiente al punto B de la figura 16.3, y que se conocen los valores de P1CJ1 e I en r-
gimen de funcionamiento normal.
En este caso se opera de igual forma a la anterior, pero en lugar de proyectar O sobre 8, se pro-
yecta B sobre O, obtenindose el radiador b corno el ms adecuado.
Si la temperatura ambiente fuese otra ms baja, o ms alta, lgicamente la vertical trazada so-
bre el eje Tarrb cara como resultado otro tipo de radiador de mayor o menor resistencia trmica .

IMPEDANCIA TERMICA
Cuando un semiconductor trabaja en rgimen de impulsos, soporta una potencia bastante supe-
rior a la P101max eh continua, por lo que el aumento de la temperatura de la unin que se deriva de
ello no slo depnde de la resistencia trmica entre unin y fondo de la cpsula, sino tambin del
ancho del impulso tP y del perodo T (figura 16.4).
JI~~
p
-J
- - - - - -
t

- ... --"'--..---
' ' 1
..... ---~-

1
:..:r
16.4 Un semiconductor
trabajando en rgimen de impulsos
1 1 1 1 ../ ........
t 1 1 1 1
: : ' Rgtmiin
permanente soporta una potencia bastante
superior a Ja Ptotmx en continua,
provocando un aumento de
temperatura en la unin que
depende del ancho del impulso tP
t y del perfodo T.
Cuando se alcanza el rgin1en permanente se tiene:
7jp100 - T fb = P pico.lini-fu
Donde Zthllb representa la Impedancia trrnca del fondo de la cpsula.
353
16.5 Curvas caractersticas de t (f l=F-lm#m;:i::;~;:;;;;;;-

la impedancia tnnica entre unin z,~,.,b - l:;:l::Hl::l I
y base de montaje en funcin de (C/W)
tp _T S=Ji!
la duracin de los implsos de 101 r-:#1::5~ - - T
un transistor trabajando en
rgimen de impulsos.
101 1(! 1<f!

tP (ms)
En la figura.16.5 se ha dibujado la curva caracterstica Zhitb en funcin de la duracin de los im-

pulsos, para diferentes valores de() de un transistor, sendo S igual al cociente:
Efectivamente, cuando tP = T, es decir, cuando()= 1, no existen impulsos, por lo que se puede

afirmar que el transistor trabaja en continua, y la impedancia trmica entre unin y fondo de cp-
sula es igual a la resistencia trmica entre unin y fondo de cpsula.
Cuando tP es inferior al tiempo del perodo T, la impedancia trmica es inferior a la resistencia
trmica.
'
Veamos un ejemplo de ello: supongamos que el transistor trabaja con unos impulsos cuya du-
racin sea de 1 O s, siendo la duracin del perodo T (tiempo en el que se repiten los impulsos) de
100 us. Esto quiere decir que cada 100 s se produce un impulso de 1 O s, durante el cual el tran-
sistor pasa a ser conductor, y un tiempo de 90 s durante el cual el transistor permanece bloquea-
do, refrigerndose.
En estas condiciones se tiene un valor de S de:
O=~= 10s =0,1

T 100 s
Con este dato se busca en las curvas de la figura 16.5 la correspondiente a () = O, 1, trazando
desde ella una perpendicular al tiempo 10-2 ms del eje tP.
A continuacin, y desde la curva S = 0,1, se traza otra perpendicular sobre el eje Z1hitb dando
una irnpedancia trmica entre la unin y el fondo de la cpsula de 0,3 C/W, es decir, bastante In-
ferior a la resistencia trmica uninbase de montaje que le corresponde en rgimen continuo, y
que como se puede averiguar en la figura 16.5 es, en este caso, de 2,5 C/W.
Todo esto resulta lgico, ya que cuanto ms pequea sea la duracin del impulso con respec-
to al tiempo de bloqueo, mejor se refrigera el transistor.
En la figura 16.5 se observa que cuanto ms largos sean los impulsos mayor ser la impedan-
cia trmica de la unin-base de cpsula del transistor, aunque el cociente t.jT permanezca cons-
tante.
Para finalizar, y a ttulo informativo, diremos que la potencia de pico mxima de un transistor en
rgimen de irnpulsos queda aumentada con respecto a la potencia mxima en rgimen continuo
en la proporcin:
p _p R1h-rb
ocomax - toimx zthj-fb
354
RADIADORES DE CALOR
CLASIFICACIN DE LOS RADIADORES
En las pginas anteriores se han estudiado las resistencias trmicas presentes en todo dispositivo
semiconductor y la influencia que las mismas ejercen sobre una buena refrigeracin de los mismos.
Indudablemente no es posible rnodlcar las resistencias trmicas. propias de un semiconductor,
las cuales dependen exclusivamente de las caractersticas constructivas de las cpsulas utilizadas,
tal y como se indica en la tabla 16.1, en la que se puede observar que la resistencia trmica entre
unin y ambiente es bastante elevada.
TOS 1 a5 45
TO 12B 6 a 10 100
T0220 2, 1
SOT9 4,5
SOT3 1 a5 45
SOT32 6 a 10 100
SOT78 2, 1 Tabla 16.1 Resistencias

trmicas tpicas asociadas
SOT82 2,1 100 a diversos tipos de cpsula
de transistor.
De lo expuesto se deduce que !a nica forma de reducir la resistencia trmica entre unin y am-
biente consiste en d.isponer un buen radiador de calor, el cual ha de tener la menor resistencia tr-
mica posible.
Los radiadores de calor para semiconductores de potencia pueden cJasificarse en tres grandes
grupos o categoras:
Radiadores planos.
Radiadores de aletas inyectadas.
Radiadores de perfiles extrusionados.
En la prctica los radiadores inyectados, y los de perfiles obtenidos por extrusin, son los ms
utilizados. Los radiadores planos slo se utilizan cuando los valores de las resistencias trmicas exi-
gidas son de varos grados por vatio, y cuando las. prdidas en los componentes semiconductores
no exceden de 50 o 60 W.
En efecto, como se ver a continuacin, las superficies de los radiadores planos, por encima de
los valores indicados, se hacen rpidamente prohibitivas.
Radiadores planos
El radiador plano consiste en una placa de metal plana, donde se tija el componente semicon-
ductor.
Se ha comprobado que los de mayor rendimiento de disipacin son los de aluminio, con un
acabado anodizado negro mate, fabricndose tambin en aluminio pulido.
Veamos ahora el procedimiento para calcular rpidamente la .superficie de estos radiadores.
355
En un radiador plano el calor se disipa por caminos distintos, cuyo conjunto constituye la resis-
tencia trmica propia del radiador. Estos caminos son los siguientes:
a) Evacuacin por conduccin calorfica propia del material utilizado, y que depende de la su-
perficie en contacto con el aire ambiente que lo rodea y de su estructura.
b) Evacuacin por radiacin.
e) Evacuacin por conveccin propia, de acuerdo con la diferencia de temperatura entre ra-
diador y el aire ambiente que lo rodea.
El conjunto de todas estas vas de evacuacin de calor se denomina coeficiente de expansin

trmica, simbolizado por la letra 8.
El coeficiente de expansin trmica vale, para los materiales corrientes (cobre o aluminio), entre
1y3 mW/cm2.
La resistencia trmica de un radiador plano es inversamente proporcional a su superficie, direc-
tamente dependiente de su acabado (brillante o ennegrecido) y directamente proporcional a la di-
ferencia de temperatura entre el medio ambiente y el radiador.
Todo esto queda reflejado en las curvas caractersticas de la resistencia trmica en funcin de
la superficie, mostradas en la figura 16.6.
8 1
R/hr-amb
(C/W) '
6
,_
,_ T
~
...
~
~
l~~ca
'::
- ,_
4
- ~.,
,_ ~ . 19cc. 1
~ >ci - '1017li/) -
~ Zl/'9 .
2
C'o..,0 1 .J -
""~'7bl _I ~CIO/b
~17, ' 1 i re
,__Orzada5
16.6 Curvas caractersticas de la mis
resistencia trmica de un radiador o 1
.,.
plano en funcin de su superficie. o 100 200 300 S (cm2)
Las curvas caractersticas de la figura 16.6 corresponden a un radiador plano de cobre de 2 mm

de espesor, o de aluminio de 3 mm de espesor, montado verticalmente.
Para el clculo de un radiador plano se recurre a la frmula:
Donde Ses la superficie del radiador en cm2, R1hr-arnb la resistencia trmica del radiador en C/W, y
8 el coeficiente de expansin trmica en W/cm2
As, por ejemplo, la superficie de un radiador con una resistencia trmica de 4 C/W (tomando
un valor medio para el coeficiente de expansin trmica de 2 mW/cm2) ser:
----1----- = 125 cm2

4 C/W X 2 X 1 Q-3 W/cm2
Se ha obtenido una superficie para el radiador de dimensiones considerables, razn por la cual
se utilizan los radiadores de aletas y de perfiles extrusionados.
El clculo desarrollado es vlido con la condicin de que las dos caras del radiador contribuyan
356
RADIADORES DE CALOR
a la evacuacin calorfica, para lo cual ha de montarse verticalmente y no muy prximo a una pa-
red que pueda mpedfr el intercambio trmico por conveccin natural.
En el caso de tomar como radiador un chasis horizontal, slo se tomar corno elemento de re-
frigeracin la cara superior del mismo. En este caso. para una misma resistencia trmica deseada,
se debe duplicar la superficie hallada segn la frmula anterior, es decir. en nuestro ejemplo la su-
perficie del radiador plano horizontal sera de 250 cm2.
Radiadores inyectados
En dispositivos de potencia, donde deben evacuarse prdidas que se cifran en centenares de va-
tios, y en los dispositivos donde la colocacin de un radiador plano resulta prcticamente Imposi-
ble por razones de espacio, se recurre a los radiadores de aluminio inyectado, de los que se mues-
tra un modelo en la figura 16. 7.
MB
\I
50
- 67,6
r-~--
.
- :r
r r r
1 1
~
/ \
75 90
~ ;:!
.J
\ 100
16. 7 Vistas principalesy
o' dimensiones de un radiador
-'. - 1 )
~ ~ de aluminio inyectado.
S MB ... ... ... - ... ....
Los radiadores de aluminio inyectado proporcionan un elevado rendimiento, gracias a la dispo-

sicin de sus aletas y a la adicin de cobre en la aleacin empleada para su fabricacin.
Su diseo lo hace apto tanto para el trabajo por conveccin natural como para el trabajo por
conveccin forzada. Se suministran pintados en color negro.
La resistencia trmica se halla cornprendlda entre 1 , 1 y 1 ,2 CN/.
-
DISENOS CONSTRUCTIVOS DE RADIADORES DE CALOR
Existen dos puntos a considerar en un radiador desde el punto de vista de su diseo constructivo:
uno hace referencia a su forma y el otro a su acabado.
Desde el punto de vista del acabado, la resistencia trmica de un radiador es funcin del mis-
mo. As, una superficie plntada tiene mayor emisln de cator que una brillante no pintada. Este
efecto es an ms marcado en los radiadores de placa plana, donde aproximadamente una terce-
ra parte del calor se pierde por radiacin.
El color de la pintura no afecta en gran manera a la resistencia trmica, de forma que un radia-
dor plano pintado de blanco brillante tiene slo un 3 % ms de resistencia trmica que otro de las
mismas caractersticas pero pintado de negro mate.
El pintado es menos efectivo en los radiadores con aletas; ya que el calor radiado por las aletas
pasa a las aletas adyacentes.
El anodzado y el grabado disminuyen la resistencia trmica.
Pinturas de tipo metlico (como la pintura de aluminio) tienen la menor radiacin, pero aun as
conducen diez veces ms que un acabado metlico brillante de aluminio.
Desde el punto de vista constructivo resulta prcticamente imposible describirlos todos, ya que
son infinidad los existentes en el comercio. Por esta razn, a continuacin se describen algunos mo-
delos que, bien por su diseo, bien por su forma de unin al componente semiconductor. hemos
considerado de Inters.
357
'
l. 13
16.8 Vistas principales y

dimensiones de un radiador 2,8 _,_ 20
_.::;::__~_
de calor para cpsula T0126.
En la figura 16.8 se han dibujado las dos vistas principales (con sus dimensiones en milmetros)
de un radiador de calor para cpsula tipo TO 126, y que consiste en una horquilla de aluminio ne-
gro mate.
La cpsula T0-126 se dispone dentro del radiador ejerciendo una ligera presin sobre el radia-
dor para que se abra. La resistencia trmica de este radiador es de 54 C/W.
La ilustracin de la figura 16.9 corresponde a un radiador para una o dos cpsulas TO 126.
--- ---
-'
r-, 1
e')
~ ~ ~
36 26
""c\j
'
16.9 Vistas principales y -l ~
dimensiones de un radiador 1
de calor para una o dos
14
cpsulas T0126.
Se fabrica en aluminlo negro mate y con anodizado especial aislante. Su resistencia trmica es
de 17 C/W.
Se fabrica en dos modelos de dimensiones distintas, lo cual permite disponer los transistores
intercalados entre ambos radiadores, tal y como se aprecia en la figura 16.1 O; con ello se obtiene,
para una mxima e igual disipacin de los transistores. una disminucin de la temperatura en los
radiadores de unos 1 O C, aproximadamente.
16.10 Los transistores pueden

disponerse entre dos radiadores de
dimensiones distintas para obtener
una disminucin de la temperatura
en los radiadores.
Para finalizar, vase en la figura 16.11 un diseo de radiador realizado nica y exclusivamente
para circuitos integrados.
El elevado rendimiento de este radiador permite reducir su tamao considerablemente, pudin-
dose montar los circuitos integrados directamente sobre los circuitos impresos, sin necesidad de
sujetar el radiador a la placa del circuito impreso.
Es aconsejable disponer silicona entre el radiador y el circuito integrado, con el fin de reducir la
resistencia trmica de contacto.
El IC queda asociado al radiador mediante dos pinzas diseadas para tal efecto (figura 16.11 ).
Estas pinzas las suministra el mismo fabricante del radiador.
358
RADIADORES DE CALOR
3,4 16.11 Dimensiones de un

1~ radiador y de las pinzas de
sujecin del mismo, para
circuitos integrados. En Ja
parte inferior se ve Ja forma
l de efectuar la sujecin.
0,3
oO
,-..; -
La longitud del radiador de la figura 16.11 es de 19 mm, aunque se pueden suministrar en tiras
de 1 m que se' cortan a la medida deseada. Estas tiras se suministran anodizadas o sin anodizar.
Los datos tcnicos, para 50 mm de longitud. son los siguientes:
Superficie radiante: 105 mrn2.

Resistencia trmica: 9 C/W.
Peso: 28 g,
Para la longitud estndar de 19 mm la resistencia trmica es de 20 C/W.
CURVAS CARACTERSTICAS TRMICAS DE UN RADIADOR
Los datos trmicos de un radiador se suministran, normalmente, en forma de curvas caractersticas

que relacionan la resistencia trmica del radiador con su superficie y potencia total de disipacin.
As, la curva caracterstica de la figura 16.12 corresponde a la variacin de la resistencia trmi-
ca Rthr-amt> en funcin de la potencia P101 que debe disi'parse. Se observa que la resistencia trmica
d.el radiador disminuye ligramente con el aumento de la potencia disipada por el semiconductor.
La figura 16.13 corresponde a las curvas de resistencia trmica de un radiador plano en funcin
de su superficie, y para dos potencias de disipacin (3 y 30 W). Obsrvese que las dos escalas de
la figura 16.13 son logartmicas, de forma que cubran una amplia gama de superficies, y que la di-
,_ 1
;
1
1-
1,5 ...... -
- -
1
......_
~ ~
-
1.0
Convencion
. natural -
-.,.:.~
. ,_
,_ ,_
1
0,5 16.12 Curva caracterstica
de la resistencia trmtc de
1
-
o 1 1 un radiador en funcin de ta
o 20 40 60 80 100 140 P10, (W) potencia total disipada.
359
16.13 Curvas caractersticas 100 ,_ ~:. l --

generales de un disipador plano
"r -,
cuadrado, vertical, con placas .3W
li
negras de aluminio de 3 mm !'....

' '
de espesor. -r30W- ...... .
~
1-
' .
'-
1-l ..
- ..
-
'
,_ '. .
"'"'
'
li ,_ ..
1-..
.....
1
r-, tJ'
1 1
1 10 100 1.000
rea de un lado ( crn2)
ferencia entre resistencias trmicas con 3 y 30 W de disipacin no es excesiva, tal y como se ve en

la figura 16. 12, es decir, que la resistencia trmica disminuye ligeramente con el aumento de lapo-
tencia de disipacin. As, un radiador plano cuadrado, de aluminio pintado en negro, y 3 mm de es-
pesor y 1 O cm2 de superficie, posee una resistencia trmica de 20 C/IN con potencias de disipa-
cin de 3 W, y de unos 15 C/IN para potencias de disipacin de 30 W. Entre 3 y 30 W la resistencia
trmica se situar, lgicamente, entre 20 y 15 C/IN.
En la figura 16. 13 se puede leer tambin que la resistencia trmica disminuye con el aumento
de la superficie del radiador, de forma que con 200 cm2 y 3 W de disipacin la resistencia trmica
es tan slo de 2 C/IN. Lgicamente, ello no significa que se deba siempre disponer la mayor su-
perficie de radiador posible, puesto que en el diseo influye el espacio disponible, por lo que se de-
ber elegir la superficie adecuada segn el proceso expuesto anteriormente .

Las curvas de la figura 16.13 corresponden a una disposicin vertical del radiador, la cual, como
se ha dicho, facilita la radiacin de calor hacia el aire circundante por las dos caras, por lo que si el
radiador se dispone en posicin horizontal, se considerar una resistencia trmica doble que la ob-
tenida de las curvas de la figura 16.13.
'1 1 ~
-- . .
100 w 10W
1
'- ~ -
~
. T l
....
--
.... .....
..j.
~
....
-~
-..:' ...
.
1 -r-r-
-, - 1--5 ..

1
1 - l
:1
generales de un disipador O, 1
1
con aletas de aluminio pintadas 1 10 /{j t' Id

de negro. votume total del disipador (espacio ocupado) ( cm3)
Finalmente, en la figura 16. 14 se han dibujado las curvas caractersticas generales de las resis-
tencias trmicas en funcin del volumen, y para dos potencias de disipacin de radiadores, con
aletas de aluminio pintado en negro. El volumen considerado en este caso es el producto de las
tres dimensiones del radiador (figura 16.15) y expresado en cm3.
Comparando las curvas caractersticas de la figura 16. 14 con las de la figura 16.13 se apre-
cia perfectamente cmo las resistencias trmicas son ms pequeas en los radiadores con ale-
tas, facilitando con ello mucho mejor la evacuacin de calor. Tngase presente, a este respec-
to, que la figura 16. 14 trata de volmenes y la figura 16.13 de superficies, por lo que si no se
tiene en cuenta la altura de las aletas, la superficie ocupada por los radiadores con aletas es
mucho menor.
360
RADIADORES DE CALOR
16.15 Dirnensiones a tener en
cuenta para el clculo del volumen
ocupado por un radiador con
aletas.
ACCESORIOS PARA EL MONTAJE DE RADIADORES
Entre cpsula y radiador se ha de establecer un perfecto contacto fsico, de forma que la resisten-
cia trmica entre cpsula y radiador (Rthtb-rl sea lo ms pequea posible.
Sin embargo, resulta prcticamente imposible realizar superficies.de cpsulas y radiadores per-
fectamente planas, por lo que el contacto se realiza slo en tres puntos, quedando en el resto del
rea de contacto un espacio de aire que presenta una resistencia trmica que suele variar, segn
el tipo de cpsula, entre 0,5 C/W y i ,5 CNJ.
Para mejorar el contacto, se. rellena el espacio existente. entre cpsula y radiador con una pas-
ta o grasa de elevada conductividad trmica, reducindose en ~llo la resistencia trmica existente
entre la base de montaje y el radiador. Esta grasa suele ser silicona, que permanece pertectarnen-
te viscosa a las temperaturas normales de funcionamiento dl semiconductor.
Por otro lado, en muchas ocasiones es necesario disponer un rnateral aislante elctrico entre
base de montaje y radiador, el cual presenta un aislamiento trmico bastante elevado, que puede
l egar a ser de 6 CNJ, entorpeciendo la evacuacin de calor de la cpsula haca el radiador.
Para reducir, en parte, esta elevada resistencia trmica, se dispone, junto con la arandela, pasta de
silicona. De esta forma se reduce a la.mitad la.resistencia trmica entre base de montaje y radiador.
As pues, existen dos posibilidades de montaje de radiadores: uno dlrecto, sin arandelas aislan-
tes ni pasta de silicona, y cuyo esquema equivalente se ha dibujado en la figura 16.16a, y otro ais-
lado, cuyo esquema equivalente es el de la figura 16.16b.
Ambiente
Ambtente
Unin
16.16 Resistencias
a) trmicas equivalentes
Unin de: a) montaje directo;
b) b) montaje aislado.
En el caso del montaje aislado, la resistencia trmica Rthtb-r se desglosa en tres resistencias tr-
micas parciales, denominadas resistencia trmca de contacto de interconexin entre base de mon
taje y aislador (Rtn1}, resistencia trmce del lislador (R11ll,J y resistef)Cia trmica de contacto de inter
conexin entre aislador y radiador (Rlh,,j).
361
Todas estas resistencias han de poseer un valor lo ms pequeo posible, para una perfecta
transmisin de la energa calorfica de la cpsula al radiador.
Arandelas aislantes
Las arandelas son de mica y de espesores normalizados de 0,05, 1 y 1,5 mm, de forma que per-
mitan un aislamiento elctrico perfecto segn las tensiones presentes en la cpsula.
--- - r-,
~
3,5 1
' 3
'
o
<o --
't . ._J
O>
16.17 Dimensiones de dos

arandelas de mice para el
aislan1iento de semiconductores
0,15 1,5 3,5
de radiadores.
En la figura 16.17 se indican las dimensiones de dos arandelas laterales de mica para el aisla-
miento de semiconductores o radiadores, y en la figura 16. 18 dos arandelas de mica para el ais-
lamiento elctrico del colector de un transistor de potencia, con cpsula T0-3, del chasis o del radia-
dor. Estas ltimas arandelas tienen un espesor de 0,05 mm, y su rigidez dielctrica es de 50 kV/mm
a una temperatura de 25 C.
30, 1
4,2
-1
4,2
l.
16.18 Dimensiones de dos -~-- ~T- -e--------~-_,_, .~
arandelas de mica para aislamiento 1 1 - --B- .
de colector a chasis o radiadores. '
16
La arandela de la derecha est 1
13,2 16,9
diseada para la cpsula T03.
Silicona
En lo que respecta a las siliconas, stas se suministran en botes o en tubos de diferentes tamaos.
Una buena silicona en pasta debe tener, aproximadamente, las siguientes caractersticas tcnicas:
Rigidez dielctrica 9 kV/mm

Conductividad trmica 21 X 10-4
Densidad a 25 C 2,6
La influencia que ejercen las arandelas aislantes y las siliconas sobre la resistencia trmica
existente entre la base de montaje y el radiador, se expone en la tabla 16.2 para diferentes tipos de
362
RADIADORES DE CALOR
cpsulas. De esta tabla se deduce que la menor resistencia trmica se da en los montajes que uti-
lizan slo silicona, mejorando la resistencia trmica del montaje directo, siendo la peor resistencia
trmica la que utiliza aislante de mica sin silicona, aconsejndose en estos casos el uso de sllicona
que reduzca la elevada resistencia trmica del conjunto.
0,5 1,0 0,25 0,5
T0-126 1,0 6,0 0,5 3,0
T0-220 1,5 25 0,8 1,3

'
SOT-3 0,5 1,0 0,25 0,5
SOT-9 ,6 1,5 0,25 0,8
SOT-32 1,0 6,0 0,5 3,0
SOT-78 1,5 2,5 0,8 1,3
SOT-82 0,42 2.0
Tabla 16.2 Resistencias trmicas presentes en los diferentes mtodos de montaje y accesorios.
363
I
Cristales y cermicas
piezoelctricas
INTRODUCCIN
Uno de los minerales ms abundante en la Naturaleza es el cuarzo o sflice.

Forma parte de la composicin del granito y, en ocasiones, por s mismo, forma rocas cuarzo-
sas de las que se obtienen excelentes cristales de cuarzo que, por lo general, presentan una forma
muy aproximada a un prisma hexagonal {figura 17 .1 ), cuyos extremos terrnlnan en sendas pirmides.
17. 1 Aspecto del cristal de

cuarzo en su estado natural.
Se trata de un mineral de gran dureza, aunque bastante. frgil, pero que presenta una propiedad
muy interesante y de gran utilidad en etectrnica, para el control de las frecuencias de oscilacin de
determinados circuitos, y en la fabricacin de micrfonos, auriculares, filtros, etc., por citar algunas
de las aplicaciones ms importantes en radio y televisin.
La propiedad a que nos referimos se denomina efecto piezoelctrico, y consiste en que si se so-
mete al cristal a unas fuerzas de compresin aparecen cargas elctricas en su superficie y, al con-
trario, si se aplica al cristal una d.d.p. elctrioa se originan en l fuerzas mecnicas.
CRISTAL DE CUARZO
Cristales tales como el titanato de bario, tartrato sdico potsico, turmalina. y cuarzo o s/ice, pre-
sentan la propiedad piezoelctrica, es decir, generan una tensin elctrica cuando son sometidos
a una fuerza de compresin, traccin o dobladura y, en sentido inverso, se. originan en ellos fuerzas
meonicas cuando se les aplioa una d.d.p. elctrico.
Para comprender el efecto piezoelctrico consideramos un cristal de cuarzo (gris en la figura 17.2),
situado entre dos electrodos metlicos, los cuales se conectan a una de las entradas verticales de
un osciloscooio.
' '
Una vez situados los controles del osciloscopio en las posiciones adecuadas, se aplica una
fuerza de compresin al cristal, Indicada en la figura 17 .2 con una flecha.
En esta circunstancia se observa un impulso de tensin en la pantalla del osciloscopio justo al
ejercer la fuerza sobre el cristal, lo cual demuestra que la presin mecnica ejercida sobre el cristal
queda transformada en una tensin elctrica.
Para la explicacin del porqu del tenmeno de la piezoelectricidad, en la figura 17 .3a hemos
dibujado el corte del modelo cristalino de un cristal de cuarzo, dispuesto entre dos placas o elec-
365
17.2 Al aplicar una tuerza de

compresin entre dos caras opuestas
de un cristal de cuarzo, aparece
en l una tensin elctrica en forma
de impulso que puede visualfzarse
en la panta/fa de un osciloscopio. R
trodos metlicos unidos a sendos terminales que se pueden conectar a una de las entradas verti-
cales de un osciloscopio.
El cuarzo est formado por iones positivos de silicio (Si+) y por iones negativos de oxgeno (O-).
Estos iones estn repartidos uniformemente, de forma que sus efectos se neutralizan hacia el ex-
terior, por lo que entre los electrodos metlicos no existir tensin elctrica alguna.
Si este cristal se somete a una compresin, tal y como muestra la figura 17 .3b, en la placa su-
perior surge un exceso de cargas negativas y en la inferior un exceso de cargas positivas. Dado
que ambas placas estn separadas por el grueso del cristal (aislante), entre ellas aparece una ten-
sin elctrica.
17.3 a) Corte en el modelo

cristalino de un cristal de cuarzo. +
b) Al comprimir el cristal entre dos
placas metlicas, en la superior
aparece un exceso de cargas
negativas y en la inferior un t
exceso de positivas. a) b)
Si en lugar de comprimirse se tensa el cristal, las cargas que aparecen en las placas sern, na-
turalmente, de polaridad opuesta.
Siguiendo el ritmo de las oscilaciones de presin, aparece entre los terrninales de las placas una
tensin alterna.
El fenmeno descrito es, como ya se ha dicho, reversible.
Efectivamente, para poner de manifiesto esta afirmacin basta con recurrir al circuito de la figu-
ra 17.4: el micrfono, como transductor de variaciones de presin acstica o mecnica en varia-
ciones de intensidad de corriente, acusa la deformacin mecnica del cristal cuando entre sus caras
se aplica una tensin elctrica.
Esta deformacin mecnica se transforma en una variacin de intensidad de corriente elc-
trica en el micrfono y, como consecuencia, en una variacin de tensin en bornes de la resis-
tenca R.
~-111----.,...--1
Micrfono R V
17.4 Si entre dos caras opuestas

\ \
de un cristal de cuarzo se aplica
una tensin elctrica, el cristal se
deforma, lo cual es detectado por
un micrfono conectado a la entrada
vertical de un osciloscopio.
366
CRISTALES Y GERfy11CAS PIEZOELCTRICAS
17. 5 Aspecto del encapsulado
de algunos cristales de cuarzo.
Mediante un osciloscopio, a cuya entrada vertical se aplica la tensin que aparece en la resis-
tencia R. se visualiza el impulso mecnico generado por la tensin elctrica aplicada al cristal.
Los cristales de cuarzo se comercializan encapsulados en recipientes hermticos que los pro-
tegen del medio ambiente y de accidentes mecnicos que puedan romperlos. En la figura 17 5
puede verse el aspecto de tres tipos de cpsulas, muy utilizadas en circuitos de radio y televisin.
Circuito equivalente de un cristal de cuarzo

Se ha visto cmo un cristal de cuarzo puede hacer dos cosas: deformarse o producir una tensin
elctrica. Es ms, una trnna de cristal de cuarzo puede incluso hacer las dos cosas a la vez: de-
formarse bajo la influencia de un impulso de tensin elctrica, produciendo en consecuencia una
tensin elctrica, que se acumula entre sus capas, como en un condensador, y deformarse a conti-
nuacin nuevamente bajo la influencia de su propia tensin. Este proceso contina hasta que se
consume la energa del impulso de tensin. Dicho con otras palabras, el cristal de cuarzo oscila como
un circuito oscilante.
I1
- l 11
V
-e-
IK
Ve
e: =
'
1
v,, C11 L. vl
- V~
R V
17.6 Circuito equivalente

' de un cristal de cuarzo.
En la figura 17 .6 se ha dibujado el esquema del circuito equivalente de un cristal de cuarzo. Est

compuesto por un circuito LC serie, cuyas prdidas han sido reunidas en la resistencia R, en deri-
vacin con una capacidad CH, representativa, principalmente, de la capacidad parsita prodU:cida
por los dos electrodos de soporte y el cristal, que acta de dielctrico entre arnbos.
Esta capacidad parsita viene determinada por la siguiente expresin:
CH= .39 X 10-2 X ..E_

e
donde CH viene dado en F; Ses la superficie del cristal en cm2 y e su espesor en cm.
367
La serie RCL tambin se puede calcular en funcin de las dimensiones del cristal:
C = 22 X 10-4 X -
s
e
(C en F)
(Len mH)
(R en Q)
En cristales de cuarzo de precisin la capacidad CH queda considerablemente reducida, en ra-

zn de que se suprimen las placas de contacto y Jos electrodos quedan aplicados directamente so-
bre el mismo cristal, el cual previamente ha sido sometido a la operacin de atomizado, consistente
en depositar, por vaporizacin, una tenue pelcula metlica sobre el cuarzo, que puede ser de oro,
plata o platino, aunque lo ms generalizado es el uso del aluminio para estas operaciones.
VL . Vs
'
''
'V T
'
Ir
''
''
VR IK
17. 7 Diagrama vectorial

correspondiente al circuito
de la figura 17.6.
El diagrama vectorial perteneciente al circuito equivalente (figura 17.6) est representado en la

figura 1 7. 7.
Partiendo de la corriente I K que circula por el circuito oscilante, la tensin VR (en la parte resis-
tiva) est en fase con ella, mientras que la tensin VL (presente en la parte inductiva) la adelanta 90.
La suma vectorial de las tensiones VA y VL da la tensin V8 (figura 17.7).
La tensin Ve (presente en la parte capacitiva) va atrasada 90 respecto a IK, siendo Vr la suma
vectorial de V8 y Ve.
Como la corriente IH (en la capacidad parsita) adelanta a la tensin Vr en 90, puesto que esta
tensin queda tambin aplicada a la capacidad CH, la corriente total Ir es el resultado de la adicin
de los vectores IK e IH.
El desfase entre VT e Ir es menor de 90. El cristal tiene, por lo tanto, el efecto de una induc-
tancia con prdidas.
Curva caracterstica de un cristal de cuarzo

Analizando el esquema de la figura 17.6 se deduce que todo cristal de cuarzo es la combinacin
de dos circuitos oscilantes: un circuito oscilante LC serie y otro circuito oscilante LC derivacin.
Como consecuencia de ello, todo cristal de cuarzo posee dos frecuencias de resonancia: una co-
rrespondiente al circuito LC serie y otra del circuito LC derivacin.
368
CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTRICAS

1 intensidad de corriente en funcin
de la frecuencia de un cristal de
cuarzo.
Esto queda demostrado si se aplica una seal de frecuencia variable a un cristal de cuarzo, y
sobre un sistema de coordenadas se traza la curva caracterstica I = f(f) del cristal (figura 17 .8).
A la frecuencia de resonancia t, la Intensidad de corriente a travs del cristal es mxima, y co-
rresponde al circuito equivalente LC serie, mientras que a la frecuencia.de resonancia f2 la corrien-
te a travs del cristal es mnima y corresponde al circuito LC derivacin.
La frecuencia de resonancia f1 del circuito LG serie del cristal de cuarzo viene dada por la fr-
mula de Thomson:
1
f,=
2n ~LC
y la frecuencia de resonancia f2 del circuito LC paralelo (algo mayor que f1), responde a la siguien-
te igualdad, en la que interviene la capacidad parsita CH:
1
f2 = ---;:====
Cortes X e Y en los cristales de cuarzo

La forma de prisma hexagonal con que el cuarzo se presenta en la Naturaleza no es, por lo gene-
ral, simtrica (figura 17 .1).
Ahora bien, dado que no es difcil de tallar ni de pulimentar, al cristal de cuarzo se le puede dar
la forma que mejor nos convenga.
En la exposicin que sigue, vamos a considerar el cristal en su forma ideal, es decir, corno un
prisma hexagonal de caras iguales (figura 17 .9), en el que encontramos un eje ptico indicado me-
diante una lnea que une los vrtices de las dos pirmides (eje 0-0').
I
'
17. 9 Cristal de cuarzo en su

forma ideal. El eje OO' es el eje
ptico que une los vrticee
1 o de fas dos pirri1fdes.
369
17.10 Corte transversal
del cristal de cuarzo de ~I
.;-
fa figura 11. 9. '
Eje X
En estas condiciones, un corte transversal de este cristal no sera otra cosa que la seccin del
mismo. Seccin que sera perpendicular al eje ptico 0-0', y que puede representarse por un he-
xgono (figura 17.1 O).
Tomando como base el hexgono de la figura 17. I O, los ejes de simetra que unen dos vrtices
opuestos del mismo determinan lo que se denominan ejes elctricos del cristal o ejes X.
En un cristal de cuarzo existen tres ejes elctricos, de los cuales, por motivos de claridad en el
dibujo, slo hemos dibujado en la figura 17 .1 O uno de ellos mediante lnea de trazos y puntos.
Los ejes de simetra que dividen al hexgono uniendo los centros de dos lados opuestos son
los ejes mecnicos o ejes Y.
El cristal de cuarzo posee asimismo tres ejes mecnicos, de los cuales en la figura 17 .1 O slo
hemos dibujado uno mediante lnea de trazos y puntos.
o
X
'.'
e ~-:----,--+-----,,
-
, '' ' /

'
'
e
l
17.11 a) Corte perpendicular - ',-

, '
y
- - .
,,'
1L.:..:-
..:.:-
. '
'
---- -
:.:,~=ir---
y
al eje X de un cristal de cuarzo a)

(corte X). b) Ef cristal as tallado
b)
tendr forma rectangular. X
Si se talla un cristal de cuarzo en la forma que se indica en la figura 17 .11 a, mediante dos cor-
tes longitudinales y paralelos al eje ptico, de forma que las dos caras mayores que resulten de
este corte sean perpendiculares a uno de los ejes elctricos o aristas del prisma, se obtiene lo que
se conoce como corte en X. El cristal as tallado tiene forma rectangular {figura 17 .11 b).
Si el corte se efecta como indica la figura 17.12a, de modo que sus dos caras mayores resul-
ten perpendiculares a los ejes mecnicos, o ejes Y, se obtiene un corte en Y. El cristal as tallado
tambin es rectangular, pero orientado en la forma que se indica en la figura 17.12b.
' ;y-x e
' '
e . - - ... ' .' .'
1 :
''
.. ~
/
''
'' ''
.
'
' '' .'
.
''
' ' J
17.12 a) Corte perpendicular .'

' ''

al eje Y de un cristal de cuarzo ''
(corte Y). b) El cristal as tallado '' .: ' h''
' y
'
tiene forma rectangular, pero est a)
orientado en la forma que se
ndica en la figura. X b)
370
CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTRICAS
Tanto en uno como en otro corte, el espesor (e) de la seccin cortada se.torna originalmente en
un grueso algo superior al espesor qve realmente se neceslta, y luego se pulen ambas oaras has-
ta conseguir el grosor preciso.
As tallado, cualquier tensin alterna aplicada sobre las caras del cristal es causa de que ste
entre en vibracin mecnica, y si la frecuenca de la tensin alterna.aplicada se aproxirna al valor de
la frecuencia propia de resonancia del cristal, la amplitud de sus vibracones puede llegar a ser de tal
magnitud que, incluso, puede romperse.
La talla Y tiene el inconveniente de no mantener una establidad de frecuencia ante cambios de
temperatura, pues cualquier ligero aumento de sta eleva la frecuencia de resonancia del cristal.
En la talla X sucede lo contrario: la frecuencia de resonancia disminuye al elevarse la temperatura.
Como consecuencia de ello, ambos tipos de tallas presentan dificultades de ndole prctica, por
lo que slo son aplicables a circuitos osciladores en donde se lleve a cabo un control sobre la tem-
peratura ambiente en la que trabajen. Para solventar este problema se recurre a cortes Intermedios,
es decir, se vara el ngulo de corte con respecto al eje ptico, obtenindose as los tipos de corte
denominados AT, BT, CT, ET, rr, GT, etc.
CorteAT
Si se corta un cristal de cuarzo con un ngulo de 26" con respecto a uno de sus ejes X y aJ eje ptico,
se obtiene el corte AT (figura 17 .13), que. es el ms utilizado y cuyas frecuencias de oscilacin cubren
desde 550 kHz hasta 55 MHz, aunque se puede llegar a 200 MHz con un acabado ms perfecto.
O
-- ex
.:
,
X
,'
,'
''
y "
y
17.13 Corte de un cristal de

cuarzo con ngulo de 26 con
respecto a uno de sus ejes X
X y el eje ptico Y (corte AT).
La forma que resulte del tallado puede ser rectangular, en forma de disco, anillo, etc .. pero en
todos los casos sus caras mayores no son paralelas al eje ptico, sino que forman con respecto a
ste un angulo de 26.
Este tipo de corte confiere al cristal un coeficiente de temperatura totalmente nulo para tem-
peraturas cornprendldas entre los 40 y los .50 C. y de tan slo 3 x 1 o-e Hz por grado centgrado
de variacin de la temperatura cuando trabaja fuera de los lmites anteriormente citados.
El corte AT se utiliza en cristales de cuarzo que han de trabaiar con frecuencias comprendidas
entre los 300 y los 15.000 kHz.
Corte BT
Si en vez de cortar el cristal con un ngulo de 26 con respecto al eje ptico, se corta con un n-
gulo de 49 (figura 17 .14} se obtiene el denominado corte BT.
o X
,,~
--- Q.
y y

X y e/eje ptico Y (corte BT).
371
El coeficiente de temperatura de un corte BT es muy similar al del corte AT, pero se utiliza en
cristales que han de trabajar con frecuencias comprendidas entre los 3.000 y los 30.000 kHz.
Corte CT
El corte CT es de 38 con respecto al eje ptico (figura 17 .15).
Con este corte se consigue un coeficiente de ternperatura nulo entre los 20 y los 30 C. Una vez
rebasados los 30 C el coeficiente de temperatura tiene un valor de tan slo 2 x 10-6 Hz por grado
de variacin de temperatura.
El corte CT trabaja muy bien con frecuencias comprendidas entre 120 y 150 kHz.
o X
,/
17. 15 Corte de un cristal de

y el eje ptico Y (corte CT). X
Cortes DT, FT y ET
En la figura 17 .16 se ha di pujado un corte de 52, que corresponde al corte DT.
o X
~

y el eje ptico Y (corte DT). X
El de la figura 17. 17 es de 57, y se denomina corte FT. Finalmente, el de la figura 17 .18 es un

corte con 66 de inclinacin, denominado ET.
Todos estos ngulos de corte presentan grandes ventajas con respecto a los cortes bsicos en
X o Y, ya que, por ejemplo, un cristal con corte en X tiene un coeficiente de temperatura muy alto
(30 x 1 o-6 Hz/C) y para obtener en l una estabilidad aceptable hay que mantener controlada su
temperatura, en tanto que el corte en Y, adems de estos o muy parecidos inconvenientes, es a
y y
X X
17.17 Corte de un cristal de cuarzo 17.18 Corte de un cristal de cuarzo

con ngulo de 57 con respecto a uno con ngulo de 66 con respecto a uno
de sus ejes X y el eje ptico Y (corte FT). de sus ejes X y el eje ptico Y (corte ET).
372
www.elsolucionario.org CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELECTRICAS
ciertas temperaturas totalmente inestable, inestabilidad que se traquee en saltos en el valor de la

frecuencia de oscilacin. Todo esto pone de manifiesto que las caractersticas de un cristal piezo-
elctrico quedan determinadas por el ngulo de corte en relacin al eje ptico.
En resumen, seqn el ngulo de corte aplicado, se consiguen comportamientos distintos del
cristal ante cambios de temperatura y de frecuencias de funcionamiento, por lo que el ngulo de
corte depender de la aplicacin que haya de tener despus el cristal.
CERMICAS PIEZOELCTRICAS
Si un cristal se enfra por debajo de la temperatura de Curie, es decir, por debajo de la temperatu-
ra a la cual el material pierde sus propiedades, y no se somete a campo elctrico alguno, el cristal
contendr numerosos dominios en cada uno de Jos cuales el dipolo elctrico est alineado en una
direccin y sentido dado.
Sumando todos los dipolos elementales, el dipolo elctrico resultante del cristal es igual a cero .
. Ahora bien, si el cristal se enfra en presencia de un campo elctrico, los dipolos elctricos ele-
mentales tienden a alinearse de acuerdo con la direccin y sentido del campo elctrico, resultando
que el cristal en su conjunto presenta un dipolo elctrico.
Si un cristal tratado como se ha expuesto se somete a una tensin mecnica . la red cristalina
se deforma y algunos dominios aumentan a expensas de otros, lb cual produce un cambio en el mo-
mento total del cristal. Esta variacin del momento dipolar con la deformacin mecnica es, dentro
de cierto grado de deformacin mecnica, lineal y reversible.
Todo lo expuesto es el fundamento de la piezoelectricidad en los materiales ferroelctrcos.
Las cermicas pueden considerarse como un conjunto de diminutos cristales orientados al azar,
tal y como se ha representado esquemticamente en la figura 17 .19.
17.19 Las cermicas

piezoelctricas pueden
considerarse como un conjunto
de diminutos cristales orientados
al azar.
Si se cal lenta una pieza cermica, sta es stropa a escala microscpica, es decir, sus propie-
dades son independientes respecto a la direccin en que se consideran los fenmenos fsicos; no
presentando efecto piezoelctrico a causa de la orientacin arbitraria de los cristales.
Ahora bien, si la pieza cerrnlca.se expone a un elevado campo elctrico, con una temperatura
no muy inferior al punto de Curie, la cermca se convierte en piezoelctrica, orientndose sus ors-
tales en el sentido de polarizacin {figura 17.20).
IiIIII!
.(4t::;t:; ++.
!IIIIII
Ejes de
Vp polariz.acn
IIIIII! 17.20 Cermica piezoelc'trica

despu.s de la polarizacin.
373
Para obtener una cermica piezoelctrica, generalmente se depositan electrodos metalizados en

superficies opuestas del material y se aplica una tensin de polarizacin Vi:: entre ellas (figura 17 .20),
lo cual provoca un alargamiento de la pieza.
Debido a la orientacin arbitraria de los diminutos cristales, y a que dentro del cristal los dipo-
los slo pueden tener ciertas direcciones, no es posible obtener una perfecta alineacin de los di-
polos con respecto al campo elctrico aplicado; sin embargo existen varias direcciones posibles de
cada pequeo cristal, y de esta forma se obtiene un grado aceptable de alineacin con el campo
elctrico.
Despus de enfriar el material y retirarlo del campo elctrico, los dipolos ya no pueden regresar
con facilidad a sus propiedades originales, por lo que se obtiene la denorninada polarizacin rema
nente del material cermico. Se trata de un fenmeno similar al de imantacin de un material ferro-
magntico cuando se somete a un campo magntico externo.
Desde el punto de vista fsico, las cermicas piezoelctricas consisten en un disco delgado de
material cermico con un electrodo en cada cara (figura 17.21).
0,4mm
E j
E
<o ,.._,w Electrodo
..,.,- .....
11
c:i T
17. 21 Constitucin de
una cermica piezoelctrica. PXE
El material cermico utilizado para la fabricacin de estos componentes es el titanatocirconato

de plomo, o el niobato de sodiopotasio.
Al igual que los cristales de cuarzo, al aplicar una tensin elctrica alterna entre dos caras
opuestas de una cermica piezoelctrica sta entra en vibracin mecnica y viceversa. Esta fre-
cuencia de resonancia es inversamente proporcional al dimetro del disco cermico.
Con un disco de las dimensiones de la figura 17.21, es decir, de 5,6 mm de dimetro y 0,4 mm
de grueso, la frecuencia de resonancia en el modo radial o planar adquiere un valor comprendido
entre 452 y 480 kHz, lo cual la hace idnea para trabajar como filtro en etapas de FI en receptores
de radio de AM.
Para frecuencias ms elevadas el dimetro del disco debe ser ms pequeo.
Por ejemplo, si quisiramos utilizar un disco cermico como filtro de FI en un receptor de radio
de FM, que trabaja con 1O,7 MHz, el dimetro de la cermica piezoelctrica debera ser de tan
slo unos 200 m, lo cual sobrepasa la capacidad de la tecnologa ms avanzada, por lo que es
necesario seleccionar otros modos de vibracin para las cermicas que deban trabajar con estas
frecuencias.
Modos de vibracinde las cermicas piezoelctricas

Son dos los modos de vibracin de una cermica piezoelctrica: el modo espesor (figura 17 .22) y
el modo radial (figura 17 .23).
~~ _,
,_
-,
17.22 Modo de vibracin fundamental 17.23 Para una estrecha banda
de una cermica piezoelctrica ideal de frecuencia Ja cermica vibra
en modo de espesor. radia/mente.
374
CRISTALES Y 'CERMICAS PIEZOELtCTRICAS
En el modo de la figura i 7.22, el espesor dl disco cermico corresponde a media longitud de

onda de la frecuencia de resonancia. En este caso el disco debe fijarse en la direccin radial, debi-
do a que la resonancia.del modo radial se encuentra a una frecuencia mucho ms baja.
En la prctica las cosas no resultan tan sencillas, ya que el comportamiento resonante del disco
cermico piezoelctrico tambin depende del dimetro en la regin de resonancia en modo espesor.
SI no se toman precauciones en la eleccin del dimetro del electrodo, una cermica piezoelc-
trica trabalando en modo espesor producir una serie completa de resonancias parsitas, las cua-
les no son armnicos de la frecuencia fundamental.
Para un estrecho ancho de banda, alrededor de los 450 kHz, la cermica vibra radial.mente (fi-
gura 17 .23}, es decir, sometida a esta frecuencia el dimetro de la cermica aumenta y disminuye
de valor alternativamente. Se dice entonces que el material est polartzado en direccin eaei.
Antes de que una. cermica piezoelctrica pueda ser utilizada deben establecerse los contactos
elctricos con los electrodos, de forma que.la vibracin mecnica del componente no resulte afectada.
El centro del disco ~s el mejor sitio para fijarlos, ya que constituye un punto nodal con respec-
to a la excursin radia', es decir, es un punto donde la vibracin mecnica es nula y, por lo tanto, la
unin del contacto elctrico con la cermica piezoelctrica no est sometido a esfuerzos. En este
punto central puede soldarse un hilo muy delgado en el centro, perpendiculara, la superficie.
17.24 Aspecto de una cedmice

ptezoelcttice.
El conjunto se dispone dentro de una pequea cpsula rectangular, provista de dos terminales
de conexin, adecuados para ser soldados a un circuito impreso o para conexin a zcalo en
aquellas aplicaciones donde se precise la sustitucin de una cermica por otra para cambiar la fre-
cuencia de oscilacin del circuito {figura 17.24).
CARACTERSTICAS TCNICAS DE LAS CERMICAS PIEZOELCTRICAS
Los fabricantes de cermicas piezoelctricas proporcionan en sus catlogos todo tipo de datos tc-
nicos sobre las caractersticas mecnicas, elctricas y trmicas de sus fabricados. De todas ellas
las caractersticas elctricas son las que poseen mayor inters para eJ profesional electrnico, sien-
do las siguientes:
Frecuencia de resonancia.
Tolerancia sobre la frecuencia de resonencie.
Factor de calidad.
Inductancia y capacidad equivalente.
Tensin alterna eficaz n?xfma admisible a la frecuencia de resonancia.
Tensin continua mxima admisible.
Temperatura ambiente de trabajo.
Coeficiente de temperatura a fa ttecuet: de resonancia.
Frecuencia de resonancia
En la figura 17 .25 se ha dibujado la curva de respuesta de una cermica piezoelctrica .. Como pue-
de observarse, la impedancia Z de la cermica adquiere un valor mnimo a una frecuencia f.11 y un
valor mximo a la frecuencia f".
375
17.25 Respvesta de frecuencia log Z 80 1
de una cermica piezoelctrica. (dB) 70
60 1 1
1
.
50 '
1
' \
40 ,,,..
/
!/ ;
1 " r-,
<, 1
- ,/ - -
1
30
20
\ -
'
1'
''
10
1 .

'1
'
o 1

452 460 468 (kHz)
La frecuencia a la cual la impedancia es mnima recibe el nombre de frecuencia de resonancia,

y la frecuencia a la cual la impedancia es mxima se denomina frecuencia de antirresonanca. A
este respecto es Importante destacar que la escala de impedancias de la figura 17.25 est expre-
sada en decibelios, correspondiendo 1 O dB a cada divisin, lo cual quiere decir que a la frecuencia
de antirresonancia la impedancia es, aproximadamente,
70 dB - 1 O dB = 60 dB
ms elevada que la impedancia a la frecuencia de resonancia, lo que equivale a un milln de ve-

ces mayor.
17.26 Circuitoequivalente R, e
de una cermica piezoelctrica.
Estas frecuencias dependen ntimamente de las frecuencias de resonancia en serie f5 y en pa-

ralelo fP, en las que la impedancia adquiere el valor cero o infinito respectivamente, si no existiesen
elementos disipadores (resistencias} en el circuito equivalente, el cual mostramos en la figura 17 .26
y que es idntico al de un cristal de cuarzo.
Tolerancia sobre la frecuencia de resonancia

Debido a la influencia que las dimensiones de la cermica piezoelctrica ejercen sobre la frecuencia de re-
sonancia, y por motivos de fabricacin, existe una cierta tolerancia entre el valor de la frecuencia de reso-
nancia dada por el fabricante y la frecuencia de resonancia real proporcionada por el componente.
Los fabricantes indican en sus catlogos la tolerancia admitida sobre el valor terico. As, por
ejemplo, una cermica piezoelctrica cuya frecuencia de resonancia sea de 460 kHz, con una to-
lerancia de +1 kHz, en Ja prctica posee una frecuencia de resonancia que puede tener cualquier
valor comprendido entre 459 y 461 kHz.
Esta tolerancia est asegurada durante un cierto tiempo, tambin indicado por el fabricante, pa-
sado el cual la tolerancia puede variar de valor.
Factor de calidad
Como se ha dicho, una cermica piezoelctrica equivale a un circuito resonante LC y, por lo tanto,
presenta un factor de calidad Q que es tanto mejor cuanto mayor sea su valor.
376
CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTl~ICAS
El factor de caUdad de las cermicas piezoelctricas est comprendido entre 800 y 1.000.
Para el clculo del factor de calidad puede utilizarse cualquiera de las frmulas siguientes:
0=
donde fm es la frecuencia de resonancia y L1, C1 y R1 corresponden a los valores de induc1ancia,

capacidad y resistencia del circuito equivalente de la figura 17 .26.
Veamos un ejemplo de clculo. Para ello. supongamos una cermica piezoelctrica cuya fre-
cuencia de resonancia es de 452 kHz y cuyos valores de L1 y R1 son de 8,25 mH y 25 Q respecti-
vamente. Con estos datos, el factor de calidad O vale:
0=
2 X 3.14 X 452 X 1CJ3 X 8,25 X 1CJ3
-
2343 = 937 .20
25 26
Inductancia y capacidad equivalente

De acuerdo con la figura 17 .26, en toda cermica piezoelectrica se tienen una inductancia y unas
capacidades que equivalen a las de un circuito resonante LC.
Conociendo el valor de las frecuencias de resonancia y antirresonancia y f1, es posible calcu- "n
lar el valor de las capacidades e inductancia equivalente
Efectivamente, en un circuito como el de la figura 17.26 la frecuencia de resonancia fm es igual a:
1
f =-
m 21c ~L,C1
y la frecuencia de antrresonancla:
' = ---;=-===~ 1
2n
De estas dos ecuaciones se deduce que.
C1 - f2,,.,
,2 _ f2
n m
donde se obtiene el valor de la capacidad C1 de la figura 17 .26:
(2 -f2
e =C n m
1 + Co r2n
C1
siendo:
e= c0 +e,
y cuyo valor viene dado en los catlogos de los fabricantes.
Veamos un ejemplo de calculo de lo que acabamos de exponer, aplicado a una cermica pie-
zoelctrica cuya frecuencia de resonancia sea de 452 kHz y cuya frecuencia de anrresonancta sea
377
de 4 70 kHz, y de la cual el fabricante nos dice que la capacidad C, medida a 1 kHz, es de 190 pF.
Con estos datos el valor de la capacidad e, de la figura 17.26 valdr:
e =e
1
t~ r,; = 190 F x (470 kHz)2 - (452 kHz)2
= 14,25 pF
f~ p (470 kHz)2
El valor de C0 resulta fcil de calcular a partir de la igualdad:
C0 = C- C, = 190 pF-14,25 pF = 175,75 pF
El valor de L 1 nos lo proporciona igualmente el fabricante del componente, aunque puede cal-
cularse conociendo el valor de fn y C 1 mediante Ja igualdad:
donde L1 viene dado en mH cuando fm se expresa en kHz y C1 en pF. En nuestro ejemplo sera de:
1
L, = ------------- = 8,7 mH
4X3,142 x (452 kHz)2 x 14,25 pF
Tensin alterna eficaz mxima admisible a la frecuencia de resonancia

Dado que al aplicar una tensin elctrica alterna entre dos caras opuestas de una cermica piezo-
elctrica sta sufre una deformacin mecnica, y que esa deformacin es tanto mayor cuanto ma-
yor sea la tensin aplicada, existe un lmite de tensin superado el cual la cermica se destruye.
Este valor de tensin se indica a la frecuencia de resonancia de la cermica y suele ser de unos
100 mV.
Tensin continua mxima admisible

Al aplicar una tensin continua a una cermica piezoelctrica, sta sufre una deformacin que, al
igual que en el caso anterior, tiene un lmite que no debe ser superado para evitar su destruccin.
Dado que esta deformacin no es una vibracin, como sucede cuando se aplica una tensin al-
terna, la cermica la soporta mejor y, por lo tanto, admite valores de tensin continua mucho mayo-
res, que alcanzan los 30 V.
Temperatura ambiente de trabajo

Las cermicas piezoelctricas admiten sin problemas temperaturas ambiente de trabajo comprendi-
das entre los -25 C y los +85 C, por lo que no existe problema alguno en su.utilizacin en los cir-
cuitos de radio y televisin, aunque s debe tenerse en cuenta la variacin del valor de la frecuencia
de oscilacin con la temperatura cuando se utilizan en circuitos osciladores de gran precisin.
Coeficiente de temperatura a la frecuencia de resonancia

Al variar la temperatura ambiente a la que trabaja una cermica piezoelctrica se produce una va-
riacin de la frecuencia de resonancia.
Esta variacin de la frecuencia de resonancia es pequesima, inferior a 85 Hz por milln de hercios y
grado centgrado de ternperatura, por lo que apenas tiene influencia sobre el funcionamiento del cir-
cuito en el que se utilice la cermica. As, suponiendo un coeficiente de temperatura de 80 ppm/C en
una cermica piezoelctrica cuya frecuencia de resonancia sea de 452 kHz a 25 C, la cual se hace
trabajar a una temperatura ambiente de 50 C, la variacin de la frecuencia de resonancia ser de:
80 Hz x (50 C - 25 C)
D.fm = 452.000 Hz+ Hz = 452.000 Hz+ 0,002 Hz= 452.000,002 Hz
1.000.000
Esto significa que se trata de un elemento muy estable y adecuado para ser utilizado como filtro y
en etapas osciladoras.
378
Displays de cristal lquido
INTRODUCCIN
Los displays de cristal lquido, tambin denominados LCO (del ingls Liquid Crystal DisplaY'J, son unos
visualizadores alfanumricos y pictricos muy utilizados en relojes digitales, calculadoras, telfonos m-
viles, cmaras de vdeo, instrumentos electrnicos de medida, etc., y cuyas principales ventajas son:
Baja tensin de alimentacin (entre 1 y 8 V).

Flexibilidad de diseo.
Posibilidad de multitud de colores.
Una particularidad de los displays de cristal lquido es que no son-elementos !urninosos como los
displays LEO, sino pticos. Es decir, el cristal lquido no es productor de radiaciones luminosas, sino
que para su visualizacin es necesario que sobre l incida la luz, por lo que no es posible la. lectu-
ra del mismo en la oscuridad, siendo necesaria la ayuda de una fuente de luz externa, por ejemplo la
de una pequea bombilla que los Ilumine.
a) b) e)
18.1 Tipos de LCD. a) Versin rettectivs. b) Versin transmisiva. e) Versin transreflectiva.
De acuerdo con esto ltimo que se acaba de exponer, los displays de cristal lquido se pueden
agrupar en:
LCD reflectores, en los que los smbolos se hacen visibles por ta Incidencia sobre ellos de
los rayos luminosos procedentes de una fuente exterior como, por ejemplo, la luz solar du-
rante el da y uno o varios LEO en la oscuridad (figura i 8. i a).
LCD transmisores, los cuales. son transparentes y hacen visibles sus smbolos al ser Ilumi-
nados por la parte posterior, con ayuda de, por ejemplo, una pequea bombilla o unos LEO
(figura 18.1 b).
LCD transreftectores, en los que se aprovecha tanto la. luz incidente frontal como la proce-
dente de una fuente luminosa posterior, es decir, se trata de una combinacin de los dos ti-
pos anteriores (figura 18. te).
379
18.2 Con los LCD se pueden ----------------------~------

obtener no slo caracteres
alfanumricos, sino tambin
indicadores de barras, figuras
.----':'B'BBBHJ
)ill!
' ' '

---------------
2
- ---- o.
pictricas, textos completos, etc.
''
'
" [8:88 p .
'
\..-------------

----. -----------------

,
-----------
En la figura 18.2 se han dibujado algunos de los muchos displays alfanumricos, pictri-
cos, etc.
Los LCD son muy planos, lo que permite miniaturizar considerablemente los aparatos en los que
'
se dispongan. Esta es otra gran ventaja de estos dispositivos en comparacin con los displays LEO,
cuyos dados ocupan mayor volumen.
CRISTALES LQUIDOS
Los cristales lquidos son, en su mayora, compuestos orgnicos que tienen molculas alargadas.
Estas sustancias pueden tomar un estado en el cual presentan simultneamente propiedades de
slido y de lquido.
Como cualquier lquido, es un fluido cuyas molculas tienen gran libertad de movimiento; como
slido cristalino sus molculas retienen un cierto grado de ordenacin.
Generalmente permanecen orientados en una direccin preferida, pero tambin son libres de gi-
rar alrededor de sus largos ejes e incluso de intercambiar posiciones.
Para que estas sustancias orgnicas se encuentren en ese estado cristal-lquido parcialmente
ordenado, han de trabajar entre unas temperaturas bien definidas: la temperatura de transicin s-
lido-lquido (punto de fusin) y la temperatura a la cual el lquido se hace totalmente desordenado.
Entre estos dos lmites de temperatura los ejes de las molculas poseen una orientacin preferida,
conocida como director del cristal lquido.
Segn la disposicin de las molculas del cristal lquido, stos se clasifican en nemticos, es
mcticos y colestricos.
En la estructura esmctica las molculas de cristal lquido estn dispuestas en capas, con el
director u orientacin preferida perpendicular al plano de las capas (figura 18.3). En esta estruc-
tura las molculas pueden moverse dentro del plano de las capas siempre que su orientacin siga
siendo la misma.
- , 'U1.. --
.
11'. /"
~
~
18.3 Estructura esmtica de las

molculas de un cristal lquido.
380
DISPLAYS DE CRISTAL LfOUIDO
18.4 Estructura.nemtica de las

molculas de un cristal lquido.
1 ~
-~- , ~1
'
En la estructura nemtica las molculas estn dispuestas igualmente con los directores parale-
los entre s, pero no posee capas (figura 18.4). En esta estructura las molculas pueden moverse
dentro de la masa del lquido y slo la orientacin est limitada.
En la estructura colestrica tambin existen las capas, pero el director es aqu paralelo a las ca-
pas y ligeramente girado entre capas adyacentes, formando. una irnagen helicoidal normal a los pla-
nos de las capas (figura 18.5). En esta estructura la orientacin tambin est limitada y las molculas
pueden moverse libremente por la masa del lquido.
\ 1
'
C- ~
' .-.
tJffP A -1&-'1..
<!"'<
' !}}'
~., ('
' 1 (\
18.5 Estructura cotestttcs de
' las molculas de un cristal /fquido.
Debido a que las molculas de un cristal lquido son alargadas y poseen una estructura orde-
nada, sus propiedades fsicas son anistropas, es decir, varan seqn la direccin en que son exa-
minadas. Estas propiedades anistropas hacen referencia al factor dielctrico (que puede ser posi-
tivo o negativo) y al ndice de refraccin (que siempre es positivo).
Dopando adecuadamente un cristal lquido, tambin se obtiene una ccnductancla anisotrpica. En
este ltimo caso, aplicando un campo elctrico a un cristal lquido, se inducen en l cargas espaciales.
Cristales lquidosde dispersindinmica y giratoria

Sea un cristal lquido de estructura nemtica, como el de la figura 18.4, el cual se ha dopado
para hacerlo ms conductor, y tiene anisotropta dielctrica negativa y anisotropta de conductan-
cia positiva.
Si este cristal se coloca entre dos electrodos transparentes paralelos, cuyas superficies han sido
tratadas para determinar la alineacin del cristal lquido inrnediatamente adyacente a ellas, la orien-
tacin del director permanece uniforme a travs de la capa de cristal lquido, debido a las fuerzas
de alineacin entr.e las molculas (figura 18.6). El espesor de este cristal lquido es extremadamen-
te pequeo, del orden de las 1 O m.
Los electrodos, de xido de indio y estao, y las placas de vidrio han de ser transparentes, de
forma que tanto unos como otras permitan el paso de la luz a travs de la clula, en una direccin
paralela a la del campo elctrico aplicado entre electrodos.
La alineacin del director de las molculas del cristal liquido es pues paralela a la superficie de
los electrodos, tal y como se aprecia en la figura 18.6. Esta alineacin recibe el nombre de alinea
cin p/9nar, y la perpendicular a la superficie de los electrodos se conoce como hemeotrpica.
Veamos ahora qu sucede si entre los electrodos de la figura 18.6 se aplica una tensin alterna
de BF, de valor eficaz V.
381
18.6 Constitucin bsica Placa de vidrio
de una cfu/a de LCD. //
Electrodo -'----,%~,
--------1 li~ Espaciador
f
; -
0
~ #
Espaciador --Hj , Ji
. a\ . ' ~------__Jj'l!J._~
'
r
~;
. ,, 1 - Electrodo
,

''
.
' '-
Cristal lquido Placa de vidrio
En este caso, se induce en el cristal lquidp un flujo peridico (o dominios de Williams) cuando
la tensin alcanza un cierto valor V11,, denominado de umbral ptico.
En la prctica la tensin aplicada entre los electrodos de un cristal lquido es alterna de BF, ya
que la tensin continua conduce siempre al deterioro del LCD.
Como consecuencia del campo elctrico aplicado, se inducen en las molculas unas cargas
elctricas que hacen modificar la posicin de stas, puesto que cargas del mismo signo se repelen
y de signo opuesto se atraen (figura 18. 7). Esta perturbacin de la estructura nemtica de un cris-
tal lquido es debida a su anisotropa de conductancia positiva.
18. 7 Af aplicar una tensin V11,

entre los efectrodos de un cristal
lquido, fa estructura del cristaf
sufre una deformacin debida
a fa formacin de cargas elctricas '--------~-vi--------_,
en sus mofculas.
Si la tensin aplicada entre electrodos del cristal lquido aumenta por encima del nivel de umbral
ptico V1h, las fuerzas estabilizadoras son debidas a la anisotropa de conductancia negativa, por lo
que el movimiento turbulento de las molculas queda establecido.
Aumentando la tensin an ms, la turbulencia produce grandes variaciones locales en el ndi-
ce de refraccin, con lo que cualquier luz que incida sobre la superficie del cristal lquido queda dis-
persada y, con ello, el aspecto de la capa adopta una transparencia lechosa, hacindose perceptible
al ojo humano.
Antes hemos dicho que la tensin de umbral ptico V1h ha de ser alterna para evitar deterioros
en el cristal lquido. Ahora cabe aadir que la produccin de dominios de Williams depende de la
frecuencia de la tensin alterna aplicada.
Tericamente, a la frecuencia de corte f0, la tensin de umbral ptico V1h aumenta a infinito. ~n
la prctica, sin embargo, t (que es la frecuencia de relajacin de las cargas espaciales y es funcin
de la viscosidad y de la anisotropa dielctrica del cristal lquido) separa las regiones de conduccin y
las regiones dielctricas correspondientes a la caracterstica del cristal lquido.
En la figura 18.8 se ha dibujado la curva caracterstica V1h = f (~ de un cristal liquido. En ella se
puede observar cmo, al aumentar la frecuencia, la tensin de umbral ptico (V11,) ha de ser mayor
para producir los dominios de Williams. Por encima de la frecuencia de corte fe se produce un tipo
diferente de turbulencia de dispersin de la luz.
En la figura 18.9 se ha dibujado la curva caracterfstica que relaciona la tensin aplicada al cristal
lquido con la dispersin de la luz incidente sobre l. En ella se han sealado dos valores de tensin:
382
DISPLAYS DE CRISTAL LQUIDO
V1h Dispersin
(V}
40 Turbulencia
(Modo de .,,,
programacin "'
- 100 %
90%
30 dinmica) & 1
20 1:
~11, 1
(l\i\\\if:'
10

1
o
1,
o
o 1 2 3 Vrn V99 %' Tensin
fe (kHz)
18. B Curva caracterstica V1h = t(t), porcentaje de dispersin de luz
para dispersi11 di111nica de u11 incidente sobre un cristsl /fquido
cristal lquido. en funcin de la tensin aplicada.
. el ya expuesto de umbral ptico v,h y la tensin V90% bajo cuyo valor la dispersin de la luz alcanza el
90 % de su valor mximo.
La modificacin de la posicin de las molculas de un cristal lquido no es, lgicamente, instan-
tnea, sino que precisa de un cierto tiempo t0n para alcanzar el 90 % de dispersin despus de apli-
car una tensin algo superior a V90%. Ello queda reflejado en la figura 18.1 O, donde se observa que
el tiempo t0n se divide en dos partes: el tiempo de detencin r, y el tiempo de subida tr.
Dispersin
100%
90%
18.10 Tiempos de subida t,

Tiempo y de bajada t011 de un cristal
t.;1 lquido al aplicarle y eliminarle,
---- -----l respectivamente, una tensin
- __ Tensin aplicada
_:_:_e:_ elctrica.
El tiempo de detencin es el tiempo que transcurre para que la dispersin alcance el 1 O % de

su valor mximo, mientras que el tiempo de subida es el que debe transcurrir para que la disper-
sin suba del 1 O al 90 %.
Al dejar de aplicar tensin entre los electrodos de un cristal lquido, sus molculas no regresan
instantneamente a su posicin director, sino que lo hacen en un cierto tiempo t0ff o tiempo deba
jada, definido como el terrco que transcurre para que la dispersin descienda al 1 O o/o de su valor
mximo. Como orientacin diremos que los valores tpicos de t, y t0ff son de unos i 00 ms.
Todo lo expuesto a lo largo de este apartado hace referencia a los cristales lquidos de disper-
sin dinmica, existiendo otros cristales en los que la dispersin es giratoria, tal y corno se.expone
a continuacin.
En los dispfays nernticos giratorios, el cristal lquido tambin est situado entre electrodos para
reforzar la alineacin de las molculas segun el director. Sin embargo, ste puede girar 90 entre un
electrodo y otro.
383
Haciendo incidir un flujo luminoso polarizado paralelamente a la alineacin del director en un

electrodo, el plano de polarizacin sigue la alineacin del director a travs del cristal lquido. y gira
hasta 90 cuando la luz pasa de un electrodo a otro.
Al igual que en el caso anterior, existe una tensin de umbral ptico V1h, cuyo valor es de 1 V, y
una tensin V90%, en el que se obtiene el 90 % de dispersin de la luz incidente, y cuyo valor es de
2 v.
Al aplicar una tensin superior a V1h entre los electrodos de un cristal lquido nemtico giratorio,
el director gira hasta tomar una posicin paralela a la direccin del campo elctrico. En este caso
no hay rotacin y el plano de polarizacin de la luz que atraviesa la clula no queda afectado.
El tiempo de subida t, en este tipo de cristal lquido es, aproximadamente, la mitad que en el de
dispersin dinmica, es decir, unos 50 ms; sin embargo, el tiempo de bajada es aproximadamente
el doble (unos 200 ms).
La principal diferencia entre un LCD de dispersin dinmica y otro giratorio, se encuentra en que
en los primeros el funcionamiento est basado en una combinacin de los efectos de campo y de
conduccin, mientras que en los segundos el funcionamiento se debe nicamente al efecto de cam-
po; por lo que los visualizadores de cristal lquido nemticos giratorios trabajan con menores tensio-
nes y mayores resistividades, siendo su consumo de energa menor.
Los displays de dispersin dinmica no necesitan filtros polarizadores de luz, mientras que los
giratorios s. Sin embargo, los de dispersin dinmica necesitan un espejo detrs de ellos.
En la tabla 18.1 se comparan las caractersticas principales de estos dos tipos de LCD.
Tensin de umbral dinmica giratorio
'
Opti co {Vu,) 6V 1V
Tensin V90 % 15 V 2V
Rigor de umbral razonable bueno
Tiempo de subida t0n 100 rns 50ms
Tiempo de bajada t0ff 100 ms 200111s
Conductividad 2 x 1 O-{) S/cm2 2 X 10-7 S/cm2

Tabla 18.1 Caracterstcas
principales de los displays Polarizador no s
de cristal lquido.
FORMA CONSTRUCTIVA DE UN LCD
En la figura 18.11 se ha dibujado el despiezo de un display de cristal lquido nemtico giratorio; el

de dispersin dinmica es similar aunque ms simple, ya que no precisa de polarizadores.
Consta de diferentes elementos, cuyas funciones se exponen a continuacin. ,
El primer elemento del LCD, situado en la parte frontal, es un polarizador. Este tiene varias fun-
ciones que cumplir, tales como la de proporcionar a la clula una buena rigidez mecnica, proteger
al cristal llquido de contaminacin, evitar que se evapore y servir como elemento fiable y plano al
electrodo del visualizador que se dispone detrs.
Como material para la fabricacin de este polarizador se utiliza el vidrio, ya que es un mate-
rial estable, rgido, inerte, insoluble, impermeable y transparente a la luz visible, reflejando o absor-
384
www.elsolucionario.org DlSPLAYS DE CRISTAL LIQUIDO
Placa posterior Espaciador 18.11 Despiezo de un LCD

Superficies ne1ntico giratorio.
a/111eadoras \
<, Polalizador frontal

(analizador)
"~ '
Superficie
reflectora
\ '' Electrodo visualizador
Placa frontal
biendo gran parte de la luz ultravioleta, la cual podra provocar la disociacin fotoquimrca del cris-
tal liquido.
El espesor del polarizador de vidrio ha de estar comprendido entre 1 O y 20 urn.
Detrs del ootanzador se dispone una placa con uno de los electrodos del display, el cual nor-
malmente tiene forma de 8 para tos displays numricos, y otras formas para tos pictricos. La forma
de este electrodo puede ser cualquiera, capaz de representar nmeros y/o letras o figuras.
El electrodo debe ser transparente, de forma que perrnita la visualizacin de las molculas del
cristal lquido cuando cambien de posicin, para lo cual se utilizan capas de xido de Indio y estao.
El electrodo se deposita en la cara posterior del polartzador de vidrio, mediante vaporizacin de
una capa de xido, y luego grabando la forma que se desee mediante resinas fotosensibles o ms-
caras impresas.
El espesor del electrodo es de tan slo 20 m, siendo su transparencia, con respecto al vidrio,
del 100 % a una longitud de onda de 550 nm, que es la longitud de onda de mxima sensibilidad
del OJO humano, por lo Que apenas si se detecta su presencia por transparencia.
Al electrodo se le aplica luego una fina capa aislante, y la superficie Interna de la capa frontal es
tratada para obtener la orientacin necesaria del director.
La capa aislante tiene por nalrdad prolongar la vida del display y simplificar su utilizacin en el
caso de LCD nemtlcos giratorios. Bloquea el paso de la corriente continua y evita con ello la des-
cornooslcin electroltica del cristal liquido.
Detrs de la placa frontal se disponen los espaciadores, los cuales forman las paredes superior,
inferior y laterales de la clula.
Este espaciador ha de ser muy delgado, por lo que se fabrican os un polmero termoplstlco,
que tiene la particularidad de ser achesvo por compresin en calente. En otros casos se utilizan
espaciadores de vidrios termoestables cargados, de grosor adecuado. los cuales se adhieren a la
placa frontal mediante resinas.
Dado que el sellado ha de hacerse en caliente, y que el cristal lquido no soporta temperaturas
superiores a los 150 C, antes de disponer el cristal liquido se coloca la placa posterior, la cual con-
tiene el electrodo posterior (figura 18.11 }.
El espaciador se adhiere a la placa posterior por los rnismos procedimientos ya expuestos, for-
rnnoose as una caja cerrada, en la que slo existe un pequeo ortco por el que se efectua el lle-
nado con cristal lquido mediante una combinacin de la accin de vaco y de capilaridad.
Una vez llenado el display con cristal lfquido, se cierra el pequeo orificio con un punto de sol-
dadura de baja temperatura de fusin.
En el caso de LCD nemtico giratorio, el electrodo posterior se deposita en la cara de la placa
posterior que hace contacto con el cristal lquido, y que debe ser transparente. ya que si la clula
es observada con luz transmitida. sta debe pasar a traves del filtro polarizador y atravesar el elec-
trodo postenor,
En el caso de LCD de dispersin dinmica, en los que su observacin es con luz reflejada, el
electrodo posterior puede estar fabricado con un material reflector. Un electrodo reflector se tabr-
385
ca con una capa de aluminio, oro o nquel, depositada al vaco, o mediante tcnicas de rociado de
alta frecuencia, sobre la placa posterior.
Detrs de la placa posterior se dispone un polarizador, cuyas caractersticas son iguales a las
del frontal.
Finalmente, detrs del polarizador posterior se dispone una superficie reflectora que distribuye
la luz uniformemente.
Algunos LCD disponen tambin de lentes y filtros de color.
Una posibilidad atractiva es la utilizacin de filtros de polarizacin coloreados, los cuales funcio-
nan por transmisin de luz, obtenindose brillantes cambios de color.
ILUMINACIN DE UN LCD

Normalmente los LCD se iluminan mediante luz ambiente, ya sea luz solar o elctrica, la cual inci-
de sobre la superficie frontal del display y es reflejada mediante una superficie difusa o un espejo si-
tuado en la parte posterior de ste.
Una segunda alternativa, utilizada para la visualizacin de los caracteres del display en la oscu-
ridad, consiste en disponer, en su parte posterior, una superficie parcialmente reflectora, la cual re-
fleja la luz ambiente cuando sta se halla presente, y deja pasar la luz procedente de una pequea
lamparita incandescente o de uno o varios LEO, que se aaden al display, los cuales se encienden
de forma permanente, o mediante un interruptor, siempre que se desee efectuar la lectura en la os-
curidad, tal y como se hace en los telfonos mviles.
La iluminacin de un display de cristal lquido con LEO interno puede llevarse a cabo de cual-
quiera de las formas que se indican en la figura 18.12.
18.12 Diversos procedimientos

de ilun1inacin artificial de un
LCO. a) Con pantalla translcida.
b) Con LEO oculto y caja de
superficie mate. c) Con pantalla (1
difusora enfrente del LCO. a) b) e)
En la figura 18.12a la iluminacin se lleva a cabo mediante uno o varios LED situados detrs del
visualizador, colocando entre ste y la lmpara una pantalla translcida que deje pasar los rayos lu-
minosos.
En la figura 18.12b se ha dispuesto detrs del visualizador una caja de superficie mate, y en una
de sus caras se sitan los LED, de forma que queden ocultos a la vista del observador. Los rayos
luminosos iluminan la parte posterior del display, permitiendo la lectura de sus caracteres.
En la figura 18.12c se ha dibujado un tercer sistema, consistente en disponer los LED detrs del
visualizador, y en la parte anterior una pantalla difusora.
CARACTERSTICAS TCNICAS DE 1:.0S LCD
Para la eleccin correcta de un LCD, es preciso conocer una serie de caractersticas tcnicas que
pueden dividirse en tres grandes grupos:
Elctricas.
Trmicas.
pticas.
386
DISPLAYS QE CRISTAL L{QUIDO
Las caractersticas elctricas son, si duda, las ms importantes para el profesional electrnico.
Son las siguientes:
Tensin de umbral ptico.

Tensin de excitacin para un contraste del 90 %.
Componente de corttenie continua de la tensin de excitacin.
Tensin de exctacn.
Consumo de corriente.
Tensin entre cualquier segmento. y el electrodo posterior.
Frecuencia de funcionamiento.
Capacidad con todos ros elementos conectados.
Las caractersticas trmicas son dos:
El margen de temperatura de funcionamiento.

El rnargen de temperatura de alrnacenamiento.
RE)specto a las caractersticas pticas, deben ser oonsderedes las siguientes:
Relacin efe contraste.

Tiempos de respuesta.
Angulo de observacin entre puntos de contraste del 50 %.
Veamos el significado de cada una de estas caractersticas, teniendo en cuenta que algunas de
ellas, las ms importantes, ya han sido tratadas en pginas anteriores.
Tensin de umbral ptico

La tensin de umbral optico (Vth) es el valor eficaz de tensin bajo el cual se inicia la visualizacin
de los caracteres del display.
Dado oue este inicio de visualizacin no depende nicamente de la tensin, sino tambin de la
frecuencia, los fabricantes de LCD indican 'en sus catlogos el Valor eficaz de V1h a una frecuencia
de 50 Hz.
Como orientacin, diremos que en un LCD para reloj digital el valor de Vth s de 1,8 V eficaces
a 50 Hz.
Tensin de excitacin para un contraste del 90 /o

Este parmetro ha sido definido con todo detalle eh pglnas anteriores, por lo que remitmos al lec-
tor a ellas. Eneste apartado slo diremos que su valor es, lgicamente, superor al de V11,. y que, al
igual que aqul, se da en voltios eficaces.
Los fabricantes indican en sus catlogos el valor eficaz de tensin mnimo para obtener el 90 %
del contraste; as, por ejemplo, el LOO nemti.co rotatorio modelo F331 LX de PHILIPS alcanza un
contraste del 90 o/o con una tensin eficaz superior a s.v.
Componente de corriente continua de la tensin de excitacin

La tensin que debe aplicarse a un LCD ha de ser alterna; sin embargo, es admisible la presencia
de una componente continua, cuyo valor no debe ser sobrepasado, y que es indicado por los fa-
bricantes.
Este valor suele ser de, aproximadamente, 1 V.
Tensin de excitacin
Para un contraste dl 90 % se necesita una tensin mnima entre electrodos de LCD.
El valor de la tensin de excitacin hace referencia a un contraste por encima del 90 %, a una
frecuencia determinada de onda cuadrada. Este valor suele ser facilitado por los fabricantes para
una frecuencia dada .. e indican el valor de la tensin de excitacin rnnma, tpica y mxima.
387
As, el display del cristal lquido modelo F331 LX de PHILIPS posee los siguientes valores de ten-
sin de excitaci n a 32 Hz con onda cuadrada: 3 V eficaces mnimo, 5 V eficaces tpico y 15 V efi-
, .
caces rnaxirno.
Al disear un circuito con LCD se debe tener especial cuidado en no sobrepasar el valor mxi-
mo, por lo que se toma como referencia el valor tpico.
Consumo de corriente
El consumo de corriente de un LCD es pequesimo, resultando un dispositivo idneo para su uso
en aparatos alimentados por pilas o acumuladores de pequea capacidad.
Los fabricantes de LCD indican el consumo de corriente para una tensin de excitacin tpica,
y a una frecuencia determinada. Por ejemplo, alimentado con 5 V eficaces de tensin de excitacin
y 50 Hz, el consumo de un LCD es de unos 5 A.
Tensin entre cualquier segmento y el electrodo posterior

Los displays de cristal lquido tienen, como cualquier componente, un lmite de tensin, sobrepa-
sado el cual pueden resultar deteriorados. Resulta por ello importante conocer este valor, el cual
hace referencia al valor mximo entre pico y pico de la tensin alterna aplicada.
Tngase presente que los otros valores de tensin citados hacen referencia a valores eficaces,
por lo que el valor de pico a pico es superior.
Como ejemplo, diremos que el LCD modelo F331 LX de PHILIPS soporta una tensin mxima de
pico a pico de 30 V entre los electrodos de sus segmentos y el electrodo posterior.
Frecuencia de funcionamiento
La tensin que se aplica a un display debe ser alterna, normalmente con forma de onda cuadrada.
Sin embargo, existen dos problemas que deben considerarse: por debajo de 32 Hz se observa par-
padeo, debido a que el ojo humano no retiene las imgenes por debajo de esta frecuencia; por en-
cima de 100 Hz el consumo de potencia aumenta considerablemente.
De todo esto se deduce que aunque un LCD puede trabajar entre 32 Hz y 1 O kHz, se aconse-
ja una frecuencia de funcionamiento de 50 Hz y no superar los 100 Hz.
Capacidad con todos los elementos conectados

Los electrodos de un LCD forman una capacidad entre ellos, la cual resulta conveniente conocer
en algunos casos, pues puede afectar a otras partes del circuito.
Como ejemplo, diremos que la capacidad del LCD modelo F331 LX de PHILIPS es de 1,5 nF, es-
tando todos los electrodos conectados.
Margen de temperatura de funcionamiento

Dado que las molculas de un cristal lquido poseen propiedades de variacin de direccin entre
dos temperaturas extremas, una inferior y otra superior, stas no deben sobrepasarse durante el
funcionamiento.
Temperaturas normales de funcionamiento son las comprendidas entre -1 O C y +60 C.
Margen de temperatura de almacenamiento

Los LCD deben almacenarse en locales cuya temperatura ambiente no sobrepase ciertos valores
extremos, que suelen ser unos 1 O C por debajo y por encima de las temperaturas limites de fun-
cionamiento, es decir, entre -20 C y +70 C.
Relacin de contraste
El contraste se define como la relacin entre la luminancia del elemento conectado y la del ele-
mento desconectado. Sin embargo, esta medida debe ser considerada con precaucin, ya que el
ojo humano aprecia diferencias de contraste segn la luminancia de las superficies comparadas y
segn el ngulo de visualizacin.
Las relaciones de contraste normales son de 20: 1 .
388
DISPLAYS DE CRISTAL LQUIDO
ngulo de observacin entre puntos de contraste del 50 /o

El contraste observado en un LCD depende, como se ha dicho, del angulo de observacin con res-
pecto a la superficie del display y a la orientacin del director.
De acuerdo con ello, son dos los planos de observacin (figura 18.13).
z
y
18.13 El ngulo de observacin

de un LCD depende de tres planos
con respecto al director.
Los fabricantes facilitan en sus catlogos unos diagramas polares que relacionan el contraste
con el ngulo de observacin, tal y como se muestra en las figuras 18.14 y 18.15.
z z
1 ngulo de visin t ngulo de visin
O
- --
100 100
contraste contraste (lo)

(/o)
--x --Y
18.14 Variacin del contraste segn el ngulo 18.15 Variacin Ifel contraste segn el ngulo
de observacin dentro del plano ZX y para dos de observacin dentro del plano ZY y para dos
tensiones dadas. tensiones dadas.
Adems, y teniendo en cuenta que la relacin de contrast depende de la tensin aplicada, es-
tos diagramas polares se dibujan con dos curvas: una a la tensin V1 (lnea continua) y otra a una
tensin menor V2 (lnea de trazos).
En las citadas figuras se observa la existencia de una asimetra, que se hace ms pronunciada
a tensiones bajas, y la cual no puede ser evitada por el diseo del display.
De las figuras 18.14 y 18.15 se desprende que .el mximo contraste, del 100 %, se obtiene en
la vertical del display, reducndose a medida que nos acercamos a los ejes X e Y de la figura 18.13.
Con angulas por encima de unos 50 el contraste es nulo.
En ocasiones, los fabricantes de LCD indican en sus catlogos el ngulo de. observacin para
apreciar un contraste del 50 %.
Tiempos de respuesta
Los tiempos de respuesta de un LCD se han definido y estudiado en pgihas anteriores y en ta fi-
gura 18.1 O, por lo que a ellas remitimos al lector interesado.
389
CONEXIN DE LOS LCD
Los diferentes electrodos que forman los caracteres de un LCD se conectan a los terminales me-
diante hilos de conexin dispuestos como se indica en la figura 18.16. Esta disposicin de las
conexiones permite reducir el nmero de terminales.
18.16 Forma de conectar

los segmentos de un LCD
con multiplexado de dos lneas.
Efectivamente, en la figura 18.16 se puede comprobar que cada dgito est formado por siete
segmentos, y como el display consta de cuatro dgitos, se tiene un total de 28 segmentos ms cua-
tro puntos decimales; sin embargo, el nmero de terminales es de tan slo 18, es decir, cuatro por
dgito ms dos para los electrodos posteriores.
El sistema, denominado de multiplexado de 2 //neas, consiste en disponer dos electrodos posterio-
res en lugar de uno, cuyas conexiones son las que se han indicado en la figura 18.17 con BE1 y BE2.
Para que un segmento se haga visible es necesario aplicar una tensin entre l y el electrodo
BE1 BE2 BE1 BE2 BE1 BE2
1 1 1 1 1 o 1 1 1 1 f 1 1 1 o 1
a) b} e)
18.17 Pormscn de los dgitos en un LCD. a) Al aplicar tensin entre todos los electrodos anteriores y el
posterior de la parte superior. b) Al aplicar tensin entre todos los electrodos anteriores y el posterior de la parte
interior. c) Al aplicar tensin entre algunos electrodos anteriores y los dos posteriores.
posterior a l, por lo que cada uno de los cuatro terminales correspondientes a los electrodos de
los segmentos gobierna a dos de ellos: un segmento de la parte superior y otro de ta parte inferior,
pero slo se harn visibles ambos segmentos si se aplica tensin a los dos electrodos posteriores
simultneamente.
Veamos, con ayuda de la figura 18.17, todo esto que se acaba de exponer.
En la figura 18.17 a se ha aplicado tensin entre el electrodo posterior superior BE1 y todos los
segmentos, por lo que se hacen visibles los cuatro segmentos superiores del dgito; los inferiores
no se hacen visibles ya que al electrodo posterior inferior BE2 no se le ha aplicado tensin alguna.
En la figura 18.17b se aplica tensin entre todos los segmentos y el electrodo posterior inferior
BE2, por lo que se hacen visibles los tres segmentos inferiores del dgito ms la coma decimal.
En la figura 18.17 e se ha aplicado tensin entre algunos de los segmentos y los dos electrodos
posteriores, por lo que se hacen visibles aquellos segmentos a los que se aplica tensin, forman-
do, en el ejemplo de la figura 18.17c, la cifra 3.
Teniendo en cuenta que cada segmento se identifica mediante una letra (figura 18.18) y que
cada par de segmentos est interconectado entre s a un nico terminal, numerando los terminales
de izquierda a derecha se tiene:
390
www.elsolucionario.org DISPLAYS DE CRISTAL LQUIDO
Terminar 1 = Electrodo posterior superior BE1

Terminar 2 =a -h
Termina{ 3 = f- e
Terminal 4 = g- d
Terminal 5 = b- e
Tern1inal 6 = Electrodo posterior inferior BE2
e.

h
18.18 Cacfa segmento de un LCO
d se identifica por una fetra.
Este sistema de rnultiplexado exige, sin embargo, un excitador decodificador, de forma que los
eectroros BE1 y BE2 no reciban tensin simultneamente, sino alternndose, ya que de lo con-
trario no es posible visualizar algunas cifras.
Efectivamente, supongarnos que se desee visualizar el nmero 2. En este caso deben hacerse
visibles los segmentos a, b, g, e y d (figura 18. 18), pero si se aplica tensin entre estos segmentos
y BE1 y BE2, aparece el nmero 8, por estar f conectado a e, y e conectado a b.
Si se aplica alternativamente tensin a BE1 y BE2 con respecto a ciertos segmentos, segn el
siguiente cdigo:
t:" tiempo. Tensin entre BE1 y a, b, y g (terminales 2, 4 y 5), visualizndose los segmentos
que se indican en la figura 18.19a.
2. 0 tiempo. Tensin entre BE2 y e y d (terminales 3 y 4), visualizndose los segmentos que
se pueden ver en la figura 18.19b.
BE1 8E2 BE1 BE2 BE1 BE2
1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 (j
'' 2- 3 4 5 8
1
o 1 1 o 1 1
''
1 1 1 1 o 1 1 1
o o 1 o 1
a) b) e)
18.19 Forma de visualizar el dfgito2 en un LCO.
y esta operacin se realiza en la suficiente velocidad, el poder de retencin de imgenes del ojo
humano perrulte que, aparentemente, quede visualizado el nmero 2 (figura 18.19c).
El sistema de excitacin-codificacin se realiza con un IC, siendo su estudio ajeno a los fines de
este tomo de la enciclopedia.
En el caso de LCD .atanumricos. capaces de visualizar cualquier letra del alfabeto y cualquier
nmero, se precisa un mayor nmero de terrninales (figura 18.20}.
391
18.20 Forma de conectar

los segmentos de un LCD
slisnumtico con multiplexado
de dos lneas.
BE1 BE2
l!frtrult!l Elementos asociados con BE1

~-~ ememo asociados con BE2
En este caso son 14 los segmentos unidos por parejas, ms dos electrodos posterores BE1 y
BE2, lo que hace un total de nueve terminales por dgito, que deben excitarse de forma similar a la
anteriormente expuesta.
Adems del sistema de rnultiplexado descrito, el cual reduce el nmero de conexiones, tambin
se fabrican LCD con excitacin esttica, en los que a cada segmento le corresponde un terminal y
slo se tiene un electrodo posterior.
El sistema de excitacin binario es en todo idntico al de los displays con LEO, con la salvedad
de utilizar corrientes alternas para la excitacin en lugar de corriente continua.
Para finalizar diremos que la distancia entre terminales de conexin est normalizada en 2,54 mm
y 1,27 mm.
392
Abreviaturas
AV Average Vafue.. Valor medio. MAT Muy Alta Tensin

BF Baja frecuencia. MOS MetalOxide"Semiconductor. Metal-xido-
e.a. Corriente alterna. semiconductor.
CAF Control automtico de frecuencia. MOSFET MetalOxideSemiconductor Field Effect
CMOS Comp/ementary MetalOxideSemiconductor. Transistor. Transistor de efecto de campo de
Semiconductor complementario de xido metal-xido-semiconductor.
metlico. MSI Medium Sea/e lntegration. Integracin a
o Drain. Drenador (salida). escala media.
d.d.p. Diferencia de potencial. N Cristal donador.
DIL Dual In Line. En doble lnea. NMOS Negative MetalOxideSemiconductor.
DTL Diode Transistor Logic. Lgica con diodo y NTC Negative Temperature Coefficient. Coeficiente
transistor. de temperatura negativo.
ECL Emftter Coupted Logic. Lgica acoplada por OM Onda Media.
emisor. p Cristal aceptador.
F Forward. Sentido directo. PCB Printed Circuit Board. Tarjeta de circuito

f.e.m. Fuerza electromotriz. impreso.
FI Frecuencia intermedia. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. Cpsula de
FM Frecuencia modulada. plstico chip carrier.
G Gate. Puerta. PMOS Positive MetalOxideSemiconductor.
GND Ground. Masa. PTC Posltive Temperature Coefficient. Coeficiente
H High. Alto (nivel alto). de temperatura positivo.
HILL Higl1 Leve/ Logic. Lgica de alto nivel. QIL Ouadruple In iine. En cudruple lnea.
IC lntegFated Ctrcuit. Circuito integrado. R Reverse. Sentido inverso.
IEC lnternational Electrotechnical Commission. RF Radiofrecuencia.
Comisin Electrotcnica Internacional. RMS Root Mean Square Value. Valor eficaz.
IGFET lnsulated Gate Fie/d Effect Transistor. Transistor ROP Radiated Output Power. Potencia de
de efecto de campo con puerta aislada. radiacin de salida.
lntegrated lnjection Logic. Lgica de inyeccin RTL Resistor Transistor Logic. Lgica con
integrada. resistencia y transistor.
JFET Junctlon A'eld Effect Transistor. Transistor s Source. Surtidor (fuente o admisin).
uniunin de efecto de campo. SMD Surface Mount Oevice. Dispositivo para
L Low. Bajo (nivel bajo). montaje superficial.
LCC Ceramic Leadless Chip Certier, Cpsula SMT Surface Mounted Technology. Tecnologa de
cermica chip cettiet, montaje en superficie.
LCD Liquid Crystal Display. Display de cristal lquido. so Smal/ Outline. Pequeo perfil.
'
LDR Light Dependent Resistor. Resistencia SOAR Safe Operating Area. Area de funcionamiento
dependiente de la luz. de seguridad.
LEO Light Emtet Diode. Diodo emisor de luz. SOi Silicon On lnsulator. Silicio sobre aislante.
LSI Large Sea/e lntegration. Integracin a gran SOSMOS Silicon On Sapphfre Metal Oxide
escala Semiconductor.
LOCMOS Local Oxydation Complementary Metal Oxide SSI Small Scale. lntegration. Integracin a
Semiconductor. pequea escala.
393
TTL Transistor Transistor Logic. Lgica con VDR Voltage Dependent Resistor. Resistencia
transistor-transistor. dependiente de la tensin.
UHF Ultra High Frecuency. Ultra alta frecuencia. VHF Very High Frecuency. Muy alta frecuencia.
veo Voltage Control Oscilator. Oscilador VSLI Very Large Sea/e lntegration. Integracin a
controlado por tensin. muy alta escala.
394
,
Indice
Captulo1 Conductores y circuitosimpresos Capacidad nominal 25

Tensin mxima de servicio 25
Introduccin 7 Temperatura lmite de cubierta 25
Clasificacin de los conductores 7 Cables simtricos 26
Hilos y cables conductores 7 Cinta plana bifilar 26
Caractersticas tcnicas de los conductores 11 Cinta oval bifilar 27
Resistencia elctrica 11 Tubo bifilar 27
Resistividad elctrica 12 Cable bifilar apantallado 27
Conductividad elctrica 12 Cables coaxiales 28
Densidad de corriente 13
Resistencia en alta frecuencia 13
Resistencia de aislamiento 13 Captulo 2 Conectores
Rigidez dielctrica 14
Constante dielctrica 15 Introduccin 31
lnflamabildad 15 Terminales 31
Temperatura de seguridad 15 Clavija banana 32
Resistencia al ozono 15 Jack 33
Resistencia a la luz solar 16 Conectores para altavoces DIN 41529 34
Materiales utilizados en la fabricacin de hilos Conectores bipolares para conexin a la red 35
y cables para electrnica 16 Conectores multipolares circulares (DIN) 36
Cobre electroltico 16 Conectores para circuitos impresos 37
Cobre recocido 16 Euroconector (SCART) 38
Cobre duro telefnico 16 Contactos del euroconector 39
Polietileno 16 Conectores para radiofrecuencia 39
Polietileno reticulado 17
Policloruro de vinilo 17
Poltetrafluoretileno 17 Captulo3 Resistencias
Identificacin de los conductores 18
Circuitos impresos 18 Introduccin 45
Tipos de placa base para circuitos impresos 19 Clasificacin de las resistencias 45
Fabricacin de circuitos impresos 20 Resistencias de carbn aglomerado 45
Mtodo offset 20 Resistencias de pelcula de carbn 46
Mtodo de serigrafa 21 Resistencias de pelcula metlica 47
Mtodo fotomecnico 22 Resistencias de pelcula de cermet 47
Mtodo artesano 22 Resistencias bobinadas 48
Clculo de las pistas de cobre 22 Resistencias bobinadas vitrificadas 49
Circuitos impresos multicapa 23 Resistencias sobre circuitos impresos 49
Cables para radiofrecuencia 23 Resistencias SMD miniatura de pelcula metlica 50
Velocidad de propagacin 24 Resistencias SMD miniatura de pelcula gruesa 50
Resistencia hmica 25 Redes de resistencias 51
Prdidas en el dielctrico 25 Caractersticas tcnicas de las resistencias 52
Impedancia caracterstica 25 Potencia de disipacin 52
395
Valor hmico y tolerancia de las resistencias 55 Condensadores de policarbonato 85

Estabilidad 58 Condensadores de pelcula plstica metalizada 85
Tensin mxima de trabajo 58 Condensadores cermicos 86
Coeficiente de tensin 58 Condensadores de pelcula de sulfuro
Resistencia crtica 59 de polifenileno (PPS) para montaje superficial 89
Tensin de ruido 59 Condensadores electrolticos de aluminio 90
Temperatura mxima de trabajo 60 Condensadores electrolticos de tantalio 92
Lmites de frecuencia 60 Condensadores ajustables (trirnmers) 93
Coeficiente de temperatura 61 Caractersticas tcnicas de los condensadores 95
Soldabilidad 63 Valor capacitivo 95
Almacenamiento 63 Tolerancia 95
Indicacin del valor de una resistencia 63 Tensin mxima de trabajo 97
Eleccin de la resistencia adecuada 66 Tensin de prueba 98
Corriente de carga 98
Tangente de delta 99
Captulo 4 Resistencias ajustables y potencimetros Coeficiente de temperatura 101
Resistencia de aislamiento 103
Introduccin 67 Inductancia parsita 104
Resistencias ajustables 67 Frecuencia de resonancia propia 104
Potencimetros 69 Factor de potencia 104
Clasificacin de los potencimetros 69 Indicacin del valor de los condensadores 105
Trimmers potenciomtricos SMD 72 Eleccin del condensador adecuado 105
Potencimetros multivuelta 72
Caractersticas tcnicas de los potencimetros 73
Valor hmico 74 Captulo 6 Bobinas y ferritas
Potencia de disipacin mxima 74
Llnealidad 75 Introduccin 115
Resolucin 75 Clasificacin de las bobinas 115
Coeficiente de temperatura 75 Frmulas para el clculo de una bobina 115
Tensin mxima admisible 76 Bobinas con ncleo de aire 116
Tolerancia 77 Bobinas con ncleo de plancha de hierro 119
Resistencia efectiva mnima 77 Bobinas con ncleo de ferrita 120
Resistencia a la humedad 77 Caractersticas tcnicas de las bobinas 122
ngulo efectivo de rotacin 78 Valor inductivo 122
Variacin del valor hmico en funcin Tolerancia 123
del ngulo de rotacin 78 Variacin de la inductancia 123
Nivel de ruido 79 Margen de frecuencias 123
Estabilidad 79 Resistencia de aislamiento 123
Resistencia de aislamiento 79 Coeficiente de temperatura 124
Par de accionamiento 79 Factor de calidad 124
Par extremo 79 Caractersticas constructivas de las ferritas 125
Velocidad de accionamiento 80 Ferritas de manganeso-cinc 125
Comportamiento ante las vibraciones 80 Ferroxcube 3A 126
Ferroxcube 38 126
Ferroxcube 3C 126
Captulo 5 Condensadores Ferroxcube 302 126
Ferroxcube 3E 126
Introduccin 81 Ferritas de nquel-cinc 126
Clasificacin de los condensadores 81 Ferroxcube 4A 126
Condensadores de mica 81 Ferroxcube 48 126
Condensadores de papel 82 Ferroxcube 4C 126
Condensadores styroflex (poliestireno) 84 Ferroxcube 40 126
Condensadores de polipropileno 85 Ferroxcube 4E 127
Condensadores de polister 85 Ferroxcube 4F 127
396
www.elsolucionario.org INDlCE
Ferroxcube 4H 127 VDR de xido de titanio 166

Caractersticas tcnicas de las ferritas 127 VDR de 'xido d cinc 166
Peso especfico 127 VDR asimtricas 166
Mdulo de Young 127 Cdigo de identificacin de las VDR 167
Coeficiente de dilatacin lineal 128 Resistencias NTC 168
Resistencia a la traccin 128' Caractersticas tcnicas de las resistencias NTC 170
Resistencia a la compresin 128 Caracterstica resistencia-temperatura 170
Calor especfico 128 Caracterstica tensin-corriente 171
Conductfvidad trmica 128 Tlempo de recuperacin 173
Resistividad 129 Estabilidad 174
Constante dielctrica 129 Valor hmico 17'4
Permeabilidad inicial 129 Toleranca 174
Temperatura de Curie 131 Constante de disipacin y potencia
Coeficiente de temperatura 132 de disipacin mxirna 175
Frecuencia de trabajo 13.2 Margen de temperaturas 175
Induccin magntica 133 Cdigo de identificacin de las resistencias NTC 175
Bobinas impresas 133 Eleccin del tip.o de resistencia NTC adecuada '176
Resistencias PTC 176
Caractersticas tcnicas de las resistencias PTC 177
Captulo 7 Transformadores y autotransformadores Caracterstica resistencia-temperatura. 178
Caracterstica tensin-corriente de una
Introduccin 135 resistencia PTG 179
Principio de funcionamiento del transformador Factor de disipacin 180
monofsico i35 Temperatura de conmutacin 182
Fuerza electromotriz inducida 138 Coeficiente de temperatura 182
Forma constructiva de los transformadores 139 Margen de temperatura de trabajo 183
Autotransformadores i 41 Constante de tiempo trmico 183
Ncleos para transformadores 143 Mxima tensin admisible 183
Hiio de cobre 149 Cdigo de identificacin de las reslsterrclas PTC 184
Alslamientos 150 Resistencias LDR 184
Caractersticas tcnicas de los transformadores 151 Caractersticas tcnicas de las LDR 185
Potencia nominal 151 Curva caracterstlca-de la resistencia de
'
Prdidas de potencia 152 una LDR en funcin de la llun1inacin 185
Rendrmiento l53 Respuesta espectral de una LDR 186
Tensin primaria y secundaria i53 Dependencia. de la. temperatura de una LDR 187
Calentamiento 154 Tiempo de recuperacn.de una LDR 187
Ejemplos de transformadores utilizados Tolerancias de una LDR 188
en electrnica 155 Tensin admisible en una LDR 188
Potencia d'e disipacin de una LDR t88
Ruido de una LDR 189
Captulo 8 Resistencias no lineales Capacidad parsita de una LDR 189
Comparacin entre las diferentes LDR 189
Introduccin 15.9
Resistencias VDR de carburo de silicio i59
Caractersticas tcnicas de las VDR 159 Captulo 9 Diodos rectificadores
Curva caracterstica de una VDR 160
Valor hmico de una VDR 161 Introduccin 191
Tensin mxima apli!2able a -~!J.f! VDR 161 El germanio 191
Potencla de dislpaciFf~Jna VDR 162 El silicio 192
Mxima intensidad de corriente no repetitiva 162 Cristal N 192
Mxima energa l63 Cristal P 193
Coeficiente de temperatura 163 Diodo de unin 194
Capacitancia tpica 164 Diodo de punta de contacto i96
varistores con xidos metlicos 165 Cpsulas para diodos semiconductores 1.96
397
nodo y ctodo de un diodo rectificador 197 Cpsulas para diodos varicap y conmutadores
Puentes rectificadores 198 de banda 233
Caractersticas tcnicas de los diodos
semiconductores 199
Smbolos literales para diodos semiconductores 199 Captulo 12 Diodos emisores de luz
Curva caracterstica de un diodo semiconductor 200
Diodos de silicio de recuperacin rpida 204 Introduccin 235
Capacidad de un diodo 209 Constitucin de un LED 235
Eleccin del diodo rectificador adecuado Displays de LED 238
para un circuito 210 Caractersticas tcnicas de los diodos emisores
Cdigos de designacin de los diodos de luz 240
rectificadores semiconductores 210 Curva caracterstca de la intensidad de corriente
en funcin de la tensin directa 241
Curva caracterstica de la intensidad luminosa
Captulo 1 O Diodos Zener en funcin de la intensidad de corriente directa 242
Tensin inversa 243
Introduccin 213 Potencia total de disipacin 243
Constitucin de un diodo Zener 213 Curva caracterstica de la corriente directa
Curva caracterstica IF = f(VF) de un diodo Zener 214 en funcin de la temperatura 243
Curva caracterstica lz = f(VZ; de un diodo Zener 215 Curva caracterstica de la intensidad luminosa
Efecto Zener y efecto avalancha 216 en funcin de la temperatura ambiente 243
Tensin de referencia 216 Potencia de radiacin de salida 244
Resistencia Zener 216 Curva caracterstica de la potencia de pico
Coeficiente de temperatura de un diodo Zener 218 de salida en funcin de la corriente directa
Sensibilidad trmica de un diodo Zener 219 en forma de impulsos 245
Corriente de funcionamiento de un diodo Zener 220 Distribucin espaeial 245
Potencia de disipacin en rgimen estable Cdigo de identificacin de los diodos emisores
de un diodo Zener 220 de luz y displays 247
Capacidad de un diodo Zener 221 Cpsulas para LED y displays LED 247
Ruido 222
Eleccin del diodo Zener 222
Cdigo de identificacin de los diodos Zener 223 Captulo 13 Transistores bipolares
Cpsulas para diodos Zener 223
Introduccin 249
Uniones NPN y PNP 249
Captulo 11 Diodos varicap y conmutadores Teora de funcionamiento del transistor 250
de banda Transistor de puntas de contacto 253
Transistor de unin 253
Introduccin 225 Transistor por difusin planar 255
Principio de funcionamiento de un diodo varicap 225 Transistor homotaxat 255
Circuito equivalente de un diodo varicap 226 Transistor con base epitaxial 255
Caractersticas tcnicas de los diodos varicap 228 Transistores mesa semiplanares 256
Curva caracterstica de la capacidad en funcin Cpsulas para transistores 256
de la tensin inversa 228 Caractersticas tcnicas de los transistores 262
Curva caracterstica de la corriente inversa Curvas caractersticas de un transistor 264
en funcin de la temperatura 229 Curvas caractersticas de salida 265
Curva caracterstica de la corriente inversa Resistencia de salida de un transistor 266
en funcin de la tensin inversa 230 Ganancia de corriente 268
Curva caracterstica del coeficiente de Tensin de codo 270
temperatura en funcin de la tensin inversa 230 Corriente residual 271
Relacin de capacidad 231 Curvas caractersticas de transferencia 272
Beccin de un diodo varicap 232 Curvas caractersticas de entrada 274
Diodos conmutadores de banda 232 Resistencia de entrada del transistor 275
Cdigo de identificacin d los diodos varicap 233 Curvas caractersticas de reaccin 276
398
NDICE
Curva caracterstica P1o.1 = f(Tamb) 277 Transistor unipolar integrade 317

Frecuencia de transicin 279 Diodos integraaos 319
Otras curvas caractersticas del transistor 28. Resistencia integrada 319
Eleccin del transistor adecuado 283 Condensador integrado 320
Cdigos de designacin de los transistores Conexiones entre los componentes Integrados 320
bipolares 284 Transistor Darllngton 321
Cdigo JEDEC (norteamericano) 284 Crcuitos integrados monoliticos aislados 322
Cdigo europeo antiguo 2'85 Circuitos integrados de pelcula fina 322
Cdigo Pro Electron 285 Circuitos integrados de pelcula gruesa 324
Cdigo JIS Qapons) 285 Familias de circuitos integrados digitales 324
Cdigo complementario para indicar RTL (Resistor Transistor Loglc) 325
la ganancia del transistor 285 DTL (Diode Transistor Logic) 325
TIL (Transistor TransistorLogic) 326
TIL Standard 326
Captulo 14 Transistores unipolares TIL High Speed. 326
TILSchottky 327
Introduccin 287 TILLowPower 328
JFET 287 TIL L:ow Power Schottky 328
Curvas caractersticas d un JFET 290 TIL Advanc.ed Low Power Sohttky 329
Curva caracterfstica 10 = f(V0s) de un JFET 290 Tll, Fairchifd Advanced Schottky 329
Curva caracterstica !0 = f(-VGs} de un JFET 291 HILL (High L'eve/ Lo[jc) 330
Curva caracterstica 10 = f(~) de un JFET 29.2 ECL (Emitter Coupled Logic) 330
Corriente de puerta 293 CMOS (Compfementary Metal Oxide
Curva caracterstica r<.Js = -VGs) de un JFET 294 Semiconductor) 330
Curva caracterstica Y1s = f{l0} de un JFET 295 12L (fntegrated lnfection Logic;) 332
Curva caracterstica C;s = f(V<=is) de un JFET 295 Caractersticas tcnicas de los circuitos
Curva caracterstica C,8 = f(V08) de un JFET 296 Integrados digitales 332
Curva caracterstica CGs = f(V0s) de un JFET 297 Corrlentes 332
Curva caracterstica P,01 = f(Tarnb) de un JFET 297 Corriente de aUrnentacin (Ice) 333.
Factor de ruido en un JFET 298 Corriente de entrada con nivel alto ( I rH) .333
MOSFET de acrecentamiento 299 Oorrente.da entrada con nivel bajo (J nJ 333
MOSFET de agotamlento 302 Corriente de entrada con tensin de entrada
Curva caracterstica de salida de un MOS.FET 302 mxima (11) 334
Curvas car.actersticas de. transferencia Corriente de salida con nivel alto ( I oH) 334
de un MOSFET 303 Corriente de salida con nivel bajo (I0J 334
Curva caracterstica !0 = f(R08) de un MO'SFET 305 Corriente de cortocircuito de salida ( I osl 334
Potencia de disipacin de los MOSFET 306 Potencia disipada (P0) 334
Circuito equivalente de un MOSFET 306 Factores de carga (taniny tanout) 335
MOSFET de doble puerta 307 Tiempo de propagacin 335
Cpsulas para JFET y MOSFET 308 Inmunidad al ruido 336
Cdigo de Identificacin .de los JFET y MOSFET 311 Temperatura de trabajo 338
Factor de calidad 339
Cpsulas para circuitos integrados 339
Captulo 15 Circuitos integrados Cdigo de c;tesignacin para los circuitos
integrados 344
Introduccin 313
Clasificacin de los circuitos integrados segn
su tecnologa de fabricacin 314 Captulo 16 Radiadores de calor
Clescacin de los circuitos integrados
por su aplicacin 315 Introduccin 349
Clasificacin de los circuitos integrados segn Calor 349
el grado de lnteqracn 315 Temperatur.a 349
Circuitos Integrados rnonolltcos 316' Transmisin del calor 349
Transistor bipolar integrado 316 Resistencia trmica 350
399
Temperaturas en Jos semiconductores 350 Tensin alterna eficaz mxima admisible
Resistencia trmica en los-semiconductores 350 a la frecuencia de resonancia 378
Curvas caractersticas trmicas 351 Tensin continua mxima admisible 378
Impedancia trmica 353 Temperatura ambiente de trabajo 378
Clasificacin de los radiadores 355 Coeficiente de temperatura a la frecuencia
Radiadores planos 355 de resonancia 378
Radiadores inyectados 357
Diseos constructivos de radiadores de calor 357

Curvas caractersticas trmicas de un radiador 359 Captulo 18 Displays de cristal lquido
Accesorios para el montaje de radiadores 361
Arandelas aislantes 362 Introduccin 379
Silicona 362 Cristales lquidos 380
Cristales lquidos de dispersin dinmica
y giratoria 380

Capitulo 17 Cristales y cermicas piezoelctricas Forma constructiva de un LCD 384
Iluminacin de un LCD 386
Introduccin 365 Caractersticas tcnicas de los LCD 386
Cristal de cuarzo 365 Tensin de umbral ptico 387
Circuito equivalente de un cristal de cuarzo 367 Tensin de excitacin para un contraste del 90 % 387
Curva caracterstlca de un cristal de cuarzo 368 Componente de corriente contnua de la tensin
Cortes X e Y en los cristales de cuarzo 369 de excitacin 387
Corte AT 371 Tensin de excitacin 387
Corte BT 371 Consumo de corriente 388
Corte CT 372 Tensin entre cualquier segmento y el electrodo
Cortes DT, FT y ET 372 posterior 388
Cermicas piezoelctricas 373 Frecuencia de funcionamiento 388
Modos de vibracin de las cermicas Capacidad con todos los elementos conectados 388
piezoelctricas 374 Margen de temperatura de funcionamiento 388
Caractersticas tcnicas de las cermicas Margen de temperatura de almacenamiento 388
piezoelctricas 375 Relacin de contraste 388
Frecuencia de resonancia 375 ngulo de observacin entre puntos
Tolerancia sobre la frecuencia de resonancia 376 de contraste del 50 % 389
Factor de calidad 376 Tiempos de respuesta 389
Inductancia y capacidad equivalente 377 Conexin de los LCD 390
400

Enciclopedia Del Tecnico en Electronica, Componentes Electronicos - Francisco Ruiz Vassallo

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Enciclopedia Del Tecnico en Electronica, Componentes Electronicos - Francisco Ruiz Vassallo

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Enciclopedia Del Tecnico en Electronica, Componentes Electronicos - Francisco Ruiz Vassallo

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

www.elsolucionario.

J Francisco Ruiz Vassallo 1--______. '

En este libro se estudian todos aquellos

1 Francisco R-uz Vassallo 1

Diseo de cubierta: Singular S.L.

Francisco Ruiz Vassallo

Grupo Editorial Ceac, S.A. Pcn1. l64 - 08020 Barcelona

1 Conductores y circuitos impresos 7

6 Bobinas y ferritas 115

7 Transformadores y autotransformadores 135

8 Resistencias no lineales 159

9 Diodos rectificadores 191

1O Diodos Zener 213

11 Diodos varicap y conmutadores de banda 225

14 Transistores unipolares 287

16 Radiadores de calor 349

17 Cristales y cermicas piezoelctricas 365

18 Displays de cristal lquido 379

CLASIFICACIN DE LOS CONDUCTORES

conductores para bajas frecuencias

HILOS Y CABLES CONDUCTORES

1. 1 a) Hilo conductor desnudo.

Este tipo de conductor no debe someterse a esfuerzos mecnicos de torsin ni dobladura,

Su principal aplicacin se encuentra en la conexin entre componentes y circuitos que, por su

Otra particularidad de los conductores aislados utilizados en electrnica es el color de su aisla-

1.4 Conductor plano formado

Consiste en una serie de cables conductores aislados individualmente, dispuestos en un mismo

1 marrn 6 azul 11 marrn . 16 azul

2 rojo 7 violeta 12 rojo 17 violeta

Tabla 1. 1 Cdigo 4 amarillo 9 blanco 14 amarillo 19 blanco

1.5 Cable plano /OC.

1.6 Cables apantallados para el transporte de seales de radiofrecuencia.

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS CONDUCTORES

En conductores de seccin uniforme la resistencia es directarnente proporcional a la longitud (~

Siendo p un coeficiente de proporcionalidad distinto para cada material conductor, denominado re

Si R se mide en ohmios, S en milmetros cuadrados y I en metros, la resistividad queda expresada

Tabla 1.2 Resistividad a 20 C de Duro telefnico 0,0246

La conductividad se expresa normalmente en siemens por metro y milmetro cuadrado de seccin,

Siendo el siemens (8) la inversa de la unidad de resistencia elctrica {Q).

Resistencia en alta frecuencia

Material aislante Electrodos

1.8 Resistencia de afslamento

Resistencia a la luz solar

MATERIALES UTILIZADOS EN LA FABRICACIN DE HILOS

Cobre duro telefnico

IDENTIFICACIN DE LOS CONDUCTORES

Conexiones a masa: negro

Tipos de placa base para circuitosimpresos

e 2,54 mm 1,3 0,05 mm 1,7 rnrn

0,635 mm 0,8 0,03 mrn 1,1 mm Ttfb/a 1.3 Dimensiones de

Densidad 1 ,8 1,8 1,8 1,8 1, 7

Rigidez dielctrica (kV/mrn) 30 30 30 30 30

Constante dielctrica 5 5 5 5,2 2,6

Absorcin de agua(%) 0,3 0,3 0,3 0,3 0,01

FABRICACIN DE CIRCUITOS IMPRESOS

CLCULO DE LAS PISTAS DE COBRE

En lo que atae al diseo de los conductores y a la colocacin de Jos componentes en el circuito

Donde L es el ancho de la pista en milmetros.

CIRCUITOS IMPRESOS MULTICAPA

CABLES PARA RADIOFRECUENCIA