Informe 1 INTRODUCCION A LA ELECTRONICA DIGITAL

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA
Fecha: 17/04/17
INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DIGITAL

Practica 1
Calupiña Gálvez Luis Ramiro
e-mail: [email protected]
Rivadeneira Ávila Lizbeth Andrea
e-mail: [email protected]
RESUMEN. Se enunciaran conceptos básicos para (prácticamente igual a cero) y un voltaje

el diseño de conmutadores con transistores de colector emisor VCE) máximo (casi igual al
juntura bipolar (TBJ), a demás se verificara la voltaje de alimentación). Un transistor en
saturación y corte para realizar conmutación por
saturación tiene una corriente de colector (Ic)
medio de transistores.
máxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi
PALABRAS CLAVE: Conmutador, Diseño, TBJ, nulo (cero voltios).
Transistor.
1. OBJETIVOS
Diseñar, implementar y analizar circuitos

digitales con transistores de juntura bipolar y
resistencias, para entender el funcionamiento
del transistor como conmutador.
Comprender la diferencia entre saturación y

corte para los transistores TBJ.
Identificar y comprender la forma de análisis

Fig1. Regiones de corte y saturación para el transistor
y conexión para transistores TBJ NPN y PNP.
2.2. Consideraciones básicas para
2. MARCOTEÓRICO el diseño de un conmutador
con transistor
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para entregar una
Se debe tener en cuenta ciertos valores
señal de salida en respuesta a una señal de
máximos que nos provee la hoja de datos del
entrada. Cumple funciones de amplificador,
transistor a utilizar, las consideraciones claves
oscilador, conmutador o rectificador. El término
para el diseño son:
«transistor» es la contracción en inglés de
transfer resistor («resistor de transferencia»).
1) Voltaje de Ruptura
[2]
𝑉𝐶𝐸𝑂 = 40𝑉𝑑𝑐 𝑏𝑎𝑠𝑒 𝑒𝑛 𝑐𝑒𝑟𝑜 𝑜 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑎
2.1. El transistor como conmutador 𝑉𝐶𝐵 = 60 𝑉𝑑𝑐
𝑉𝐸𝐵 = 6 𝑉𝑑𝑐
Cuando el transistor está en corte se puede
comparar con un interruptor abierto y cuando En la práctica se puede trabajar al 25% o
está en saturación es equivalente a un al 50% de los valores mencionados y que se
interruptor cerrado, las condiciones de corte y mencionaran
saturación normalmente lo determina el circuito
asociado a la base, esta proposición es 2) Corriente del Colector
realmente cierta para un circuito de
configuración colector-emisor. Un transistor en 𝐼𝐶 = 200 𝑚𝐴
corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima
1
Fecha: 17/04/17
3) Tiempo de Conmutación
 Delay time: 10% 35ns

 Rise time: 90% 35ns
 Storage time: tiempo de
almacenamiento 175 y 200ns
 Fail Time: 50ns
Fig3. TBJ NPN entre en corte y saturación
Con estas consideraciones, se procede

a analizar y a determinar el valor de las
resistencias para el circuito de la figura 3.
𝑉𝑅𝐵= 𝑉𝐵𝐵− 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝑅𝐵= 5𝑉 − 0.7𝑉
Fig2. Tiempos de conmutación del transistor
𝑉𝑅𝐵= 4.3𝑉
4) Ganancia de corriente ℎ𝑓𝑒 𝐼𝐶= 𝛽𝐼𝐵
Corriente de colector se encuentra 𝐼𝐶

𝐼𝐵= ∗2
entre 0 y 20 mA, el 𝛽 entre 100 y 300. 𝛽
20 𝑚𝐴
3. MATERIALES Y EQUIPO 𝐼𝐵=
100
∗2
 Fuente DC 𝐼𝐵 = 400 𝜇𝐴
 Resistencias de 1K Ω y 330 Ω
𝑉𝑅𝐵
 Transistor 2N3904 𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
 Transistor 2N3906
 Diodo LED 4.3 𝑉
𝑅𝐵 =
 DIP Switch 400 𝜇𝐴
𝑅𝐵 = 10750 Ω
4. DESARROLLO Y PROCEDIMIENTO
𝑅𝐵 = 10 Ω ± 10%
Considerando los valores necesarios para el
funcionamiento de un diodo LED y los cuatro 𝑉𝑅𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝐷 + 𝑉𝐶𝐸 )
puntos para el diseño, se procedió al calculo de
𝑉𝑅𝐶 = 5𝑉 − (1.6𝑉 + 0.2𝑉)
las resistencias para que el transistor conmute
en base al estado del DIP Switch. 𝑉𝑅𝐶 = 3.2 𝑉
Consideraciones: 𝑉𝑅𝐶
𝑅𝐶 =
𝑉𝐶𝐶 = 5 𝑉 𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 20 𝑚𝐴 3.2 𝑉
𝑅𝐶 =
20 𝑚𝐴
𝛽 = 100
𝑅𝐶 = 160 Ω
𝑉𝐿𝐸𝐷 = 1.6 𝑉
𝑅𝐶 = 150 Ω ± 90%
𝐼𝐿𝐸𝐷 = 20 𝑚𝐴
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Con estos datos se tiene la noción del tipo de referenciales deben ser dirigidas al polo positivo
resistencias que se van a utilizar para el armado de la fuente, para que el circuito función, este
de los circuitos PNP y NPN. tipo de configuración provoca que cuando el
circuito se encuentre en corte, el LED se
Una vez determinados los valores de las encuentre prendido.
resistencias, se procedió al armado de los
circuitos y a verificar su funcionamiento TABLA 3.- CONFIGURACIÓN TRANSISTOR NPN
registrando los datos obtenidos, sobre los VBB(Vdc) D1[On/Off] D2[On/Off]
estados de los LEDs. 0 ON OFF
5 OFF ON
TABLA 4.- CONFIGURACIÓN TRANSISTOR PNP

VBB(Vdc) D1[On/Off] D2[On/Off]
0 OFF ON
5 ON OFF
Para las tablas 3 y 4 los circuitos se

encuentran configurados para que uno de los
dos LEDs, se encuentren encendidos cuando el
circuito se encuentre en corte, y al pasar a
saturación este ramal entra en corto circuito
pasando a apagarlo y a encender al otro LED.
Fig3. Circuito de la figura 3, en funcionamiento
6. CONCLUSIONES
Se realizo el armado de 4 circuitos, los cuales
se encuentran en el anexo 1.
 Durante la práctica se pudo apreciar que
cuando el circuito se encuentra saturado
5. ANÁLISIS Y RESULTADOS en la base su voltaje es de 0.6V y en el
colector emisor es de 0.2V
Las tablas a continuación presentan el  En la práctica se pudo apreciar que para
estado de los LED de los diferentes circuitos, colocar una resistencia adecuada en el
circuito debemos tomar en cuenta 4
estos están en base a la configuración del
aspectos muy importantes son cuales
transistor, verificando que para tal o cual circuito son: voltaje de ruptura, corriente de
el transistor se encuentra en corte o saturación. colector, tiempo de conmutación y
ganancia de corriente.
TABLA 1.- TBJ NPN ENTRE CORTE Y SATURACIÓN
VBB(Vdc) D1[On/Off] Lizbeth Rivadeneira
0 OFF
5 ON
 Al diseñar un circuito con transistor se
puede obtener un conmutador, teniendo
Para la tabla 1, tenemos un transistor NPN, en cuenta, las zonas donde este se
en el cual al entrar en corte el LED se encuentra encuentra en corte y saturación, los
apagado y en saturación el LED, se encenderá, principales puntos para el diseño son:
esto se da porque la juntura del transistor se Voltajes de ruptura, corriente del colector,
cierra provocando que entre en funcionamiento tiempo de conmutación y ganancia de
el circuito colector emisor, dando la corriente corriente, para nuestro caso se desprecio
necesaria para prender el LED. el tiempo de conmutación, porque la
TABLA 2.- TBJ PNP EN CORTE Y SATURACIÓN
VBB(Vdc) D1[On/Off]
frecuencia de trabajo tiene un valor
0 ON elevado en comparación con los tiempos
5 OFF del transistor.
 En la configuración PNP, se debe
En la tabla 2, el circuito esta realizado conectar la salida negativa del diodo LED
con un transistor PNP, y sus conexiones a la resistencia y la positiva a la polo
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positivo de la fuente, esto sucede por que
en el transistor se esta recibiendo la
polarización y no enviando como en el
NPN, en resumen la base en el transistor
PNP es negativa.
Luis Calupiña
7. REFERENCIAS
[1] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electrónica, 1st ed.

México: Pearson Educación, 2009.
[2] R. Pallás Areny, Instrumentos electrónicos básicos, 1st
ed. Barcelona: Marcombo, 2006.
[3] C. Alexander, Fundamentos de circuitos electricos (5a.
ed.), 1st ed. [Place of publication not identified]:
Mcgraw-Hill Interamerican, 2013.
8. ANEXOS
Anexo 1

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RESUMEN. Se enunciaran conceptos básicos para (prácticamente igual a cero) y un voltaje

Diseñar, implementar y analizar circuitos

Comprender la diferencia entre saturación y

Identificar y comprender la forma de análisis

 Delay time: 10% 35ns

Fig3. TBJ NPN entre en corte y saturación

Con estas consideraciones, se procede

𝑉𝑅𝐵= 𝑉𝐵𝐵− 𝑉𝐵𝐸

4) Ganancia de corriente ℎ𝑓𝑒 𝐼𝐶= 𝛽𝐼𝐵

Corriente de colector se encuentra 𝐼𝐶

TABLA 4.- CONFIGURACIÓN TRANSISTOR PNP

Para las tablas 3 y 4 los circuitos se

[1] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electrónica, 1st ed.

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