Laboratorio Semana 8 PDF

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FACULTAD DE INGENIERIA MECATRÓNICA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Guía de Laboratorio
Práctica de Laboratorio # 8
Titulo Transistores
Competencias Identificar las características, usos y aplicaciones del transistor
estudiantes Laura Villamizar, Juan Leal
LINK VIDEOS: https://uniagraria-

my.sharepoint.com/:f:/g/personal/leal_juan1_uniagraria_edu_co/EvQKSVp7tuxItQKFbjCy
aM4Bp-APvX1MwcYTnIgn6uJKIw?e=cfwAEM
INTRODUCCIÓN
En esta práctica se abordará el montaje y medida de circuitos con transistores.
OBJETVOS
 Ampliar más el conocimiento en esta área de transistores de potencia.
 Desarrollar la simulación de la toma y transducción de datos.
 Verificar la funcionalidad de los transistores.
Contenido
INTRODUCCIÓN ............................................................................................................... 1
OBJETVOS ....................................................................................................................... 1
DESARROLLO .................................................................................................................. 2
TRANSISTOR BJT ............................................................................................................ 2
CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN ........................................................... 3
CIRCUITO AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMÚN ..................................................... 5
TRANSISTOR MOSFET .................................................................................................... 7
TRANSISTOR IGBT .......................................................................................................... 8
CONCLUSIONES ............................................................................................................ 10
BIBLIOGRAFIA ................................................................................................................ 10
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DESARROLLO
TRANSISTOR BJT
El material necesario para el desarrollo de la práctica es el siguiente:

 Placa de inserción.
 Resistencia’s: 47ohm (2); 180 ohm; 150 ohm; 330 ohm; 820 ohm (2); 1k ohm; 2k2
ohm; 5k6 ohm.
 Condensadores: 100µF (3).
 Transistor BJT: NPN P2N2222.
El objetivo de este apartado es el montaje y medida del circuito mostrado en la figura. Se

trata de un circuito con transistor BJT auto polarizado.
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Con la ayuda de los amperímetros y los voltímetros de que dispone en su puesto de trabajo
rellene la siguiente tabla. Recuerde que la tensión se mide en paralelo y la corriente en
serie.
Volts
Volts
Volts
𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐸 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐶 𝛽 Reg. Oper.

0.02mA 4.55mA 4.57mA 7.45V 0.69V 6.75V 227.5
IC 4.55𝑚𝐴
𝛽= = = 227.5
IB 0.02𝑚𝐴
CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN
Considere el circuito amplificador en emisor común con resistencia parcialmente

desacoplada que se muestra en la figura. La tensión de entrada es una señal senoidal con una
amplitud de 150mV y una frecuencia de 1kHz (offset nulo).
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ANALISIS: El circuito de amplificador por emisor común consta de una polarización con
divisor de voltaje y con capacitores de acople el capacitor C2 ayuda a incrementar la
ganancia, pero el sistema puede ser un poco inestable.
El divisor de voltaje ayuda a que los efectos de variación de beta, es decir la ganancia de
corriente de los transistores en emisor común, mantiene la relación entre la corriente del
emisor y la corriente del colector y a mantener una polarización en la base relativamente
constante, la tensión de la base está determinada por las resistencias que se encuentras a los
lados del BJT
𝑅𝑇 = 𝑅1 + 𝑅2 = 5.6𝐾Ω + 820Ω = 6.42𝐾Ω

12𝑉
𝐼= = 1.87𝑚𝐴
6.42𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 12𝑉 ∗ 820Ω
𝑉𝐵 = = = 1.53𝐴
𝑅1 + 𝑅2 5.6𝐾Ω + 820Ω
CIRCUITO AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMÚN
Monte el circuito en la placa de pruebas y ajuste midiendo en vacío una tensión de entrada
senoidal de 150mV de amplitud, 1kHz de frecuencia y media nula. Siga las instrucciones
dadas en el apartado anterior para la medida y obtención de los parámetros del
amplificador.
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𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐸 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐶 𝛽 Reg. Oper.

0.02mA 4.20mA 4.24mA 6.49V 0.71V 5.79V 210
IC 4.20𝑚𝐴
𝛽= = = 210
IB 0.02𝑚𝐴
ANALISIS: Como se puede observar en la gráfica este tipo de amplificadores tiende a

generar una perdida no muy considerable en la salida, esto se debe a la impedancia que se
genera en la entrada y la salida del transistor BJT
TRANSISTOR MOSFET
MATERIALES
 Protoboard, cables. MOSFET IRF540.
 Década de resistencias.
 Condensadores de 100nF (x1) y 1uF (x2)
 Resistencias de los valores más cercanos mostrados en el esquemático. Generador
de señales.
 Multímetro.
Monte el circuito que representa en la figura 1 y mida con el multímetro los voltajes y la
corriente de polarización del transistor. (VGS, VDS, ID). Lleve sus mediciones a la tabla2.
Indique por qué la medición de voltajes y corriente puede variar respecto a los cálculos
considerando las características físicas del dispositivo. Especifique el modo de operación del
transistor y justifique.
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Transistor tipo N
VGS VDS ID
MEDIDAS 2.04V 5.15V 0.35mA
MULTIMETRO
MODO DE Al llegar al umbral El Mosfet activa Al llegar a la
OPERACION del voltaje VGS se como una corriente de
puede activar el resistencia en la saturación ID solo
dispositivo y la zona zona ohmnica se trabaja en la zona
ohmnica ohmnica
ANALISIS: Se observa un divisor de tensión con r2 y r3, es controlado por voltaje, la

corriente máxima del Dreaner será en función del voltaje en el Gate,
TRANSISTOR IGBT
 IGBT 20N60C3 (1)

 470 Ω (1)
 1KΩ ½ vatio (2) 10Ω ½ vatio (1)
 Potenciómetro 100K (1)
 Condensador electrolítico 10µF / 25Volt (1) Condensador cerámico 0.1µF (3)
 Diodo led verde (1) Diodo IN 4148 (2)
 Diodo IN 5401 (1)
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ANALISIS: Este tipo de configuración de circuito nos permite generar un PWM para el
control de la velocidad de un motor dc este también sirve para controlar servomotores, En
este caso se utiliza un transistor IGBT el cual cumple su función de conmutación rápida para
el funcionamiento del motor dc.
CONCLUSIONES
 Los amplificadores BJT presentan perdidas no muy considerables en su salida (pin

emisor), teniendo como resultado un valor aproximado al que se encuentra en su
entrada, ya que se presentan diferencias de impedancias en la entrada y salida del
transistor BJT. El valor de los componentes de la configuración de este tipo de
amplificadores influye altamente en la señal de salida obteniendo desfases en la
corriente del circuito.
 Hay que tener muy en cuenta los valores de las resistencias que se ponen en el circuito
ya que pueden tener gran influencia en la respuesta del circuito. Se deben tener en
cuenta las corrientes del transistor para poder lograr una amplitud de onda con
relación al voltaje aplicado en la base a través de la resistencia.
BIBLIOGRAFIA
 Principios de Electrónica, Cap. 15, Tiristores. Malvino, 6ta ed.

 Dispositivos Electrónicos, Cap. 11, Tiristores y dispositivos especiales. T. Floyd,
3ra ed.
 Teoría de circuitos. Robert Boylestad. 6ta edición.
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El material necesario para el desarrollo de la práctica es el siguiente:

El objetivo de este apartado es el montaje y medida del circuito mostrado en la figura. Se

𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐸 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐶 𝛽 Reg. Oper.

CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN

Considere el circuito amplificador en emisor común con resistencia parcialmente

𝑅𝑇 = 𝑅1 + 𝑅2 = 5.6𝐾Ω + 820Ω = 6.42𝐾Ω

CIRCUITO AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMÚN

𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐸 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐶 𝛽 Reg. Oper.

ANALISIS: Como se puede observar en la gráfica este tipo de amplificadores tiende a

ANALISIS: Se observa un divisor de tensión con r2 y r3, es controlado por voltaje, la

 IGBT 20N60C3 (1)

 Los amplificadores BJT presentan perdidas no muy considerables en su salida (pin

 Principios de Electrónica, Cap. 15, Tiristores. Malvino, 6ta ed.

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