Lab Multietapa

Descargar como doc, pdf o txt
Descargar como doc, pdf o txt
Está en la página 1de 15

LABORATORIO DE ELECTRONICA II

(AMPLIFICADOR MULTIETAPA)

JESSICA MARCELA CARDONA


162205110
LILIANA TORRES SANCHEZ
162205171
ELIZABETH VILLAMIL VILLAMIL
16205179

UNIVERSIDAD DE CUNDINAMARCA
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA
ELECTRONICA II
FUSAGASUGA
2006
LABORATORIO DE ELECTRONICA II
(AMPLIFICADOR MULTIETAPA)

JESSICA MARCELA CARDONA


162205110
LILIANA TORRES SANCHEZ
162205171
ELIZABETH VILLAMIL VILLAMIL
16205179

ING. HUMBERTO NUMPAQUE


Docente

UNIVERSIDAD DE CUNDINAMARCA
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA
ELECTRONICA II
FUSAGASUGA
2006
INTRODUCCION

Lo que se pretende mostrar con este trabajo es la importancia de los transistores


tanto BJT y JFET, aplicados a circuitos de amplificación en diferentes
configuraciones, y su función dependiendo de como se maneje cada uno de ellos.
Debemos tener en cuenta también los elementos que se van a utilizar y la forma
como influyen de manera directa en los circuitos que se van a montar.

Se dará una breve explicación del concepto del transistor, retomando la


funcionalidad del transistor NPN y de canal N. Luego se tomaran los datos de los
circuitos que se han montado previamente y finalmente se simularan los
resultados obteniendo así unas conclusiones las cuales mostraran algunas ideas
nuevas a las cuales se ha llegado a partir de la experimentación.
OBJETIVOS

 Diseñar un amplificador multietapa, usando transistores JFET y BJT en las


diferentes configuraciones correspondientes a cada uno de ellos con una
ganancia de voltaje total de -1000, y una resistencia de carga de 10kΩ.

 Utilizar de manera correcta los implementos a usar y determinar cada una


de sus características para darle así un óptimo uso a cada instrumento.

 Implementar de manera correcta el circuito para obtener la señal de salida


correspondiente a la primera etapa, la cual tendrá una ganancia de voltaje
de -10, y la segunda etapa que tendrá una ganancia de -100 voltios, que se
necesitan para observar los fenómenos que se dan a partir de esta
experiencia.

 Determinar que tipo de configuración satisface las especificaciones dadas


anteriormente.
MARCO TEORICO

AMPLIFICADORES MULTIETAPA

Un amplificador multietapa es un amplificador constituido por un conjunto de


amplificadores básicos conectados en cascada. La técnica de análisis de este
amplificador es sencilla ya que se reduce básicamente a analizar un conjunto de
etapas básicas y a partir de sus modelos equivalentes (tensión o corriente)
obtener el modelo equivalente del amplificador completo. El acoplo entre las
etapas básicas puede ser realizado básicamente de dos maneras: directamente o
acoplo DC y a través de un condensador. El primero exige estudiar conjuntamente
la polarización de cada una de las etapas lo que complica su análisis en continua.
Sin embargo, el amplificador multietapa carece de frecuencia de corte inferior. El
acoplo a través de un condensador aísla en DC las etapas básicas a costa de
introducir una frecuencia de corte inferior. Este ultimo acoplo solo es usado en
aquellos amplificadores realizados con componentes discretos.

Un aspecto importante a tener en cuenta en amplificadores multietapa, si se desea


un amplificador de altas prestaciones, es el impacto del acoplo de impedancias
entre los amplificadores básicos. Como ejemplo, el amplificador multietapa de la
figura esta constituido por: tres etapas básicas representadas a través de su
modelo en tensión, un circuito de entrada y una resistencia de carga. La
impedancia de entrada del amplificador completo es Zi=Zi1, es decir, la
impedancia de entrada de la primera etapa, y su impedancia de salida Zo=Zo3 es
la impedancia de salida de la ultima etapa. La expresión de la ganancia del
amplificador, teniendo en cuenta que vi=vi1, vo1=vi2, vo2=vi3 y vo3=vo, es:
La ecuación anterior tiene varios términos. El primero indica la adaptación de
impedancias entre la etapa básica 1 y la 2, el segundo entre la 2 y la 3, y el último
entre la 3 y la resistencia de carga. Un buen amplificador en tensión debe tener,
además de altos valores de AV1, AV2 y AV3, un acoplo de impedancias adecuado
para que las fracciones de la ecuación, no reduzcan la ganancia de tensión a un
valor muy bajo. Para ello, es condición necesaria que se verifique Zi2>>Zo1,
Zi3>>Zo2 y RL>>Zo3. Extrapolando esta condición se puede decir que un
amplificador de tensión ideal debe verificar que Esta
misma conclusión se obtiene si se analiza el circuito de entrada de forma que la
ganancia en tensión referido al generador vs viene dada por:

La ecuación indica que para evitar una fuerte reducción en esta ganancia es
necesario que Zi1>>RS.
Nótese que si RS>> Zi1 entonces la
Un análisis similar se puede realizar a un amplificador multietapa basado en
modelos equivalentes de corriente de las etapas básicas. Su impedancia de
entrada es Zi=Zi1 y de salida Zo=Zo3. La expresión de la ganancia en corriente
del amplificador, teniendo en cuenta que ii=ii1, io1=ii2, io2=ii3 y io3=io, es:

y referida a is:

Un buen amplificador en corriente debe tener, además de altos valores de AI1, AI2
y AI3, un acoplo de impedancias adecuado. Para ello, es condición necesaria que
se verifique Zi2<<Zo1, Zi3<<Zo2, RL<<Zo3 y Zi1<<RS. Un amplificador de
corriente ideal debe verificar que Estas condiciones son
antagonistas a las necesarias para un amplificador en tensión. Esto significa que
un buen amplificador de corriente es un mal amplificador de tensión y, viceversa,
un buen amplificador en tensión no puede ser de corriente.
MATERIALES

Los materiales que se usaron para desarrollar la práctica, fueron:

 Osciloscopio
 Generador de señales
 Fuente de poder DC
 Transistor 2N3904
 Transistor JFET K117
 Resistencias
 Condensadores
 Varios (pinzas, cable, etc.)

PROCEDIMIENTO

Como se desea diseñar un amplificador multietapa, en el cual su primera etapa


consta de un JFET en configuración de auto polarización con una ganancia de
voltaje de -10, y una resistencia de carga de 1KΩ, proveniente de la ultima etapa
del amplificador que consta de un BJT configurado en modo de emisor común, con
una resistencia de carga de 10kΩ, y una ganancia de voltaje de -100V, teniendo
en cuenta las especificaciones dadas por el fabricante, para dichos transistores,
obteniendo como resultado, la configuración mostrada en la figura 1.

20V
+V

RC
RD R1 10k
10k 2k
C2 C3
10uF 10uF
C1
10uF
V1 2N5640 2N3904
-10m/10mV
RL
RG RS R2 10k
RE
1kHz 1Mk 8.7k 2k 50

Figura 1.

El modelo hibrido correspondiente al amplificador multietapa, mostrado en la figura


1, es el siguiente:
Para hallar el valor de las resistencias, y demás componentes de la última etapa
del circuito, se llevo a cabo mediante los siguientes cálculos, teniendo en cuenta
que el transistor BJT maneja un beta β aproximado de 200. Para dicha
configuración, asumimos:

Un voltaje de 20V Vcc


RL=RC =10KΩ
Av=-100

Fig. 2 Diagrama y parámetro hibrido correspondiente a la última etapa del


amplificador.

R  R L  I b  V in /  hie  re 
V 0   I b c

Rc  R L
  V
V 0
in

hie  re
RC || RL RC || R L
AV    = 
hie  re  hie   re

RC || RL R || RL
AV     C SI hib << Re y Rb << βRe
hib  re hib  e

RL  RC  10 K

RC || RL  5 K
AV   100   Re  50
RE Re
1 1
Rb   Re   200 500  1000  1K
10 10

VCC 20v 20v


I CQ    1.32mA
RAC  RDC 5050  10.050 15.100

Vb 
10.000 *1.32mA  0.7   50 *132mA  0.832v
200

R1=R2=2k Rb=R1||R2=1k

PARAMETROS JFET

Para la primera etapa del amplificador usamos el transistor FET del cual se tiene
en cuenta los siguientes parámetros:
IDss=12mA
vp=-1.5v
VDD=20v
AV=-10
2
 Vgs 
Id=Idss 1  
 Vp 

Id 12mA 5.33mA 1.33mA 0


VGS 0 -0.5 -1.0 -1.5

Seleccionar punto Q

IDSS 12mA
I DQ    6mA
2 2

20v
VGS Q  0.3Vp   10v
2
2 Id ss  Vgs Q  212mA   0.45 
gm  1    1    0.0161  0.3  11 .2ms
Vp  Vp  1.5   1.5 

Rm=89.28Ω

V DD  I 0 R0  VDS Q  I D RS

V DD  VDSQ 20  10
RS  R D    1666.6
IDQ 6mA
 R L || R D  R L || R D  R L || R D
AV   
1 1 1
Rs  1666.6  R D  1666.6  R D 
gm gm gm

 R D || R L 1000R D
 10   1666.6  10R D  892.8 
1666.6  R D  89.28 R D  1000

17558.8  10RD  RD  1000  1000RD   17558.8RD  17558800 10RD 2  10000RD  1000RD


2
7558.8RD  17558800  10 R D  1000 R D  0

2 2
6558.8RD  17558800  10 RD  10RD  6558.8RD  17558800

 6558.8   6558.8 2  41017558800 


RD 
2

 6558.8  27301.4
RD 
2

RD =10371.33Ω

I D RD  VGS  I D RS  VSS  0

20  10
RS   10371.3  8704.7
6mA

Posteriormente, se procedió a implementar el circuito, con los datos reales de


resistencias, obtenidos mediante los cálculos realizados anteriormente, y
aplicamos como señal de entrada al circuito, la función seno, determinada por un
voltaje pico de 10mv, y una frecuencia de 1khz.

Luego al comparar la señal de salida, en relación a la señal de entrada del circuito,


observamos, que el valor de esta aumenta, produciendo una amplificación, de la
señal aplicada en un comienzo.

Señal de entrada aplicada al circuito.


10.00mV
A: v1_1

7.500mV

5.000mV

2.500mV

0.000mV

-2.500mV

-5.000mV

-7.500mV

-10.00mV
0.000ms 0.500ms 1.000ms 1.500ms 2.000ms 2.500ms 3.000ms 3.500ms 4.000ms 4.500ms 5.000ms

Al llevar a cabo la simulación, en el circuit maker, nos fue imposible obtener las
formas de onda de salida, por lo tanto nos remitimos a revisar los cálculos, y no
encontramos el error.

CONCLUSIONES
De la práctica realizada anteriormente se puede concluir que:

 Es necesario tener un previo conocimiento, acerca de cómo funcionan cada


uno de los elementos que encontramos dentro del circuito, y la interacción
entre ellos, dependiendo de la corriente aplicada, ya sea alterna o continua.
Puesto que permite una mayor comprensión del funcionamiento del circuito
total.

 La conexión de fuentes de corriente, o de señales, además de los valores


aplicados a los elementos dentro de esté, deben ser óptimos, y acordes, a
la hoja de especificaciones del transistor que se utilice, para evitar que este
ingrese en modo de saturación, y sea imposible obtener los datos
deseados.

 Para realizar este tipo de amplificadores multietapa, las mejores


configuraciones para llevarlo a cabo son usando o dos transistores JFET, o
dos transistores BJT, o un JFET y un BJT, ya que de otra manera, si
colocamos en la primera etapa un BJT, y en la segunda un JET, no es una
forma optima de realizarlo, ya que el transistor JFET presenta una alta
impedancia de entrada, generando una resistencia de carga muy grande,
para la etapa que le corresponde al BJT, y no produce un optimo resultado,
en la forma de amplificar la señal, debido a sus modos de operación.

BIBLIOGRAFIA
 BOYLESTAD Robert, Electrónica teoría de circuitos. Prentice Hall, México 2004.
900pg.

 http://es.monografias.org/practicadeelectronica/transistores/amplificoperacional/

También podría gustarte