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ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Jonathan Soto Rodríguez 17040222

Luis Alfonso Ramirez Ozuna 17040345
Instituto Tecnológico de Durango
electrónica de Potencia
Resumen Unidad I
Ingeniero Solano Salazar Gerardo Rafael
6 de septiembre de 2021
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TEMARIO
1.1. Antecedentes de la Electrónica de Potencia.
1.1.1. Terminología y principios de operación de la familia de los tiristores,
(SCR, TRIAC, UJT, PUT, ETC.).
1.1.2. Clasificación y características voltaje corriente de los tiristores,
(dispositivos, símbolo, características eléctricas y su clasificación en
unidireccionales y bidireccionales.
1.2. Circuitos de Disparo.
1.2.1. Circuitos de disparo sin aislamiento: Redes Pasivas, (resistivas y RC).
1.2.2. Circuitos de disparo con aislamiento.
1.2.2.1. Acoplados ópticamente.
1.2.2.2. Acoplados magnéticamente.
1.2.3. Circuitos de disparo con dispositivos Digitales.
1.2.3.1. Timer.
1.2.3.2. Divisores de frecuencia.
1.2.3.3. Detectores de cruce por cero.
2. Convertidores de AC – DC.
2.1. Rectificador monofásico no controlados.
2.1.1. Media onda.
2.1.2. Onda completa.
2.2. Rectificador trifásico no controlado.
2.2.1. Media onda.
2.2.2. Onda completa.
2.3. Parámetros de rendimiento.
2.4. Rectificador monofásico controlado.
2.4.1. Convertidor unidireccional.
2.4.2. Semi convertidor.
2.4.3. Convertidor completo.
2.4.4. Convertidor dual.
2.5. Rectificador trifásico controlado.
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3. Convertidores AC-AC.

3.1. Principio del control de abrir y cerrar.

3.2. Principio del control de fase.
3.3. Control trifásico de media onda y de onda completa.
3.4. Cicloconvertidor monofásico y trifásico.
3.5. Control trifásico de media onda y onda completa.
3.6. Cicloconvertidor monofásico y trifásico.

4. Convertidores DC – DC.

4.1. Características y principio de operación.

4.2. Clasificación por: modulación, operación de cuadrantes, configuración,
otros.
4.3. Modulador de Ancho de Pulso.
4.4. Reguladores DC - DC en modo conmutado.
4.5. Control de motores de CD.
4.6. Fuentes conmutadas.
5. Convertidores DC –AC.
5.1. Bases de operación de un inversor.
5.2. Inversor monofásico de medio puente.
5.3. Inversor con salida rectangular.
5.4. Inversor monofásico puente completo.
5.5. Parámetros de rendimiento.
5.6 Inversor trifásico.
5.7 UPS.
5.8 Variador de velocidad.

Programa oficial del TECNM para electrónica de potencia Tema 1

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1. Introducción a la Electrónica de Potencia y Circuitos de Disparo.

1.1. Antecedentes de la Electrónica de Potencia.
1.1.1. Terminología y principios de operación de la familia de los
tiristores, (SCR, TRIAC, UJT, PUT, ETC.).
1.1.2. Clasificación y características voltaje corriente de los
tiristores, (dispositivos, símbolo, características eléctricas y
su clasificación en unidireccionales y bidireccionales.
1.2. Circuitos de Disparo.
1.2.1. Circuitos de disparo sin aislamiento: Redes Pasivas,
(resistivas y RC).
1.2.2. Circuitos de disparo con aislamiento.
1.2.2.1. Acoplados ópticamente.
1.2.2.2. Acoplados magnéticamente.
1.2.3. Circuitos de disparo con dispositivos Digitales.
1.2.3.1. Timer.
1.2.3.2. Divisores de frecuencia.
1.2.3.3. Detectores de cruce por cero.
1.2.3.4. Microcontroladores.
1.2.3.5. Moduladores de Ancho del Pulso.
1.2.3.6. Módulos de potencia características y aplicación.
1.3. Variador de velocidad

1. INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE
POTENCIA Y CIRCUITOS DE DISPARO.
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Durante muchos años ha existido la necesidad de controlar la potencia eléctrica

de los sistemas de tracción y de los controles industriales impulsados por
motores eléctricos; esto ha llevado a un temprano desarrollo del sistema Ward –
Leonard con el objetivo de obtener un voltaje de corriente directa variable para
el control de los motores e impulsores. La electrónica de potencia ha
revolucionado la idea del control para la conversión de potencia y para el
control de los motores eléctricos.

La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control. el

control se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de
los sistemas de lazo cerrado. la energía tiene que ver con el equipo de potencia
estática, rotativo o giratorio para la generación, transmisión y distribución de la
energía eléctrica. ocupando dispositivos y circuitos de Estado sólido requeridos
en el procesamiento de señales para cumplir con los objetivos de control
deseados. la electrónica de potencia se puede definir como la aplicación de la
electrónica en estado sólido para el control de conversión de la energía
eléctrica, basándose en primer término la conmutación de dispositivos
semiconductores de potencia. con el desarrollo de la tecnología los conductores
de potencia, las capacidades de manejo de la energía y la velocidad de
conmutación de los dispositivos de potencia ha mejorado considerablemente. el
desarrollo de la tecnología de los microprocesadores, microcomputadoras tiene
un gran impacto sobre el control y síntesis en la estrategia del control para
dispositivos semiconductores de potencia, es así como un equipo de electrónica
de potencia moderno utiliza semiconductores de potencia que pueden
compararse con la microelectrónica y tiene el poder de la inteligencia de una
fracción del cerebro.

1.1 ANTECEDENTES DE LA ELECTRÓNICA DE

POTENCIA.
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La historia de la electrónica de potencia empezó en el año 1900, con la

introducción del rectificador de arco de mercurio. luego apareció gradualmente
el rectificador de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla
controlada, el ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. estos dispositivos se aplicaron
al control de la energía hasta la década de 1950.

La primera revolución electrónica inicia en 1948 con la invención del transistor

de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los señores Bardeen, Brattain
y Shockley. La mayor parte de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales
tienen su origen en esta invención. a través de los años la microelectrónica
moderna ha evolucionado a partir del uso de conductores de silicio. el siguiente
gran parteaguas en 1956 también provino de los Bell Telephone Laboratories: e
invención del transistor de disparo PNPN, que se definió como un tiristor como
un reflector controlador de silicio (SCR por sus siglas en inglés).

la segunda revolución electrónica empezó en 1958 con el desarrollo del tiristor

comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era
en la electrónica de potencia. desde entonces, se han introducido muy diversos
tipos de dispositivos semiconductores de potencia y técnicas de conversión. la
revolución de la microelectrónica nos dio la capacidad de procesar una gran
cantidad de información a una velocidad increíble. electrónica de potencia nos
está dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energía
con una eficiencia cada vez mayor. debido a la fusión de la electrónica de
potencia que es el músculo con la microelectrónica que es el cerebro se ha
descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia y se
descubrirán aún más.

1.1.1 TERMINOLOGÍA Y PRINCIPIOS DE

OPERACIÓN DE LA FAMILIA DE LOS
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TIRISTORES, (SCR, TRIAC, UJT, PUT,

ETC.).

1.1.1.1. SCR.
Rectificadores controladores de silicio

ILUSTRACIÓN 1
SIMBOLO Y ILUSTRACIÓN 2 GRAFICA DE
CONSTRUCCION DEL COMPORTAMIENTO DEL SCR
SCR Tipo de tiristor formado de cuatro capas
semiconductoras con estructura PNPN o bien
inverso. posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta se
encarga de controlar el paso de corriente entre ánodo y cátodo. Funciona
básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente unidireccionalmente. En el instante en que se aplique una tensión, el
tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se des
excita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se
necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.
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Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del

control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrónico.

· Circuitos de retardo de tiempo.

· Fuentes de alimentación reguladas.

· Interruptores estáticos.

· Controles de motores.

· Recortadores.

· Inversores.

· Ciclo conversores.

· Cargadores de baterías.

· Circuitos de protección.

· Controles de calefacción.

· Controles de fase.

1.1.1.2. TRIAC.
¿Qué es un TRIAC?
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El TRIAC es un componente electrónico que se utiliza para el control de la

corriente, básicamente puede hacer la función de interruptor de un transistor,
pero este componente lo hace en corriente alterna a diferencia del transistor que
lo hace en corriente directa.

símbolo y forma física:

ILUSTRACIÓN 3 SÍMBOLO Y FORMA DEL TRIAC

¿Cómo funciona un TRIAC?

El funcionamiento de este componente es bastante sencillo de comprender, ya

que cuenta con tres terminales, dos ánodos y una puerta o mejor conocida en
inglés como gate. En los ánodos se coloca la corriente alterna junto con el
elemento que se quiere controlar, ya sea un motor, una lámpara, un horno, etc.
Puede ser cualquier cosa que funcione con corriente alterna, por último, una vez
que colocamos una corriente dentro de la terminal gate este se activa para
actuar como un interruptor cerrado, para desactivarlo basta con quitar la
corriente de todo el circuito.

El funcionamiento del TRIAC es muy parecido al de un transistor ya que para

activar estos componentes debes sobre pasar el corriente umbral en la terminal
gate.

ILUSTRACIÓN 4 CIRCUITO DE
USO DEL TRIAC
 10

¿Cómo se conforma un TRIAC?

Como ya lo mencionamos antes cuenta con 3 terminales, las cuales son

2 ánodos y una Gate. El símbolo del triac son dos diodos conectados como un
puente rectificador uno a la inversa del otro, solo que estos diodos son
especiales ya que están configurados por 2 materiales P y 4 materiales N.

ILUSTRACIÓN 5 CONSTRUCCIÓN DEL

TRIAC

Aplicaciones del TRIAC.

Si bien su funcionamiento es fácil de entender y sus aplicaciones radican para

encender o desactivar cualquier dispositivo que funcione con corriente alterna,
como, por ejemplo: control de iluminación, atenuador de luces, control de
motores, etc.
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Aunque también se puede utilizar para controlar la velocidad de un motor

activándolo y desactivándolo miles de veces para disminuir la su velocidad a
esto se le conoce como modulación por ancho de pulso o PWM en inglés (pulse
width modulation).

1.1.1.3. UJT.
Transistor de Unión Única
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El transistor de unión única o sus siglas UJT del inglés significa (Uni Junction
Transistor). Es un componente electrónico de conmutación a base de
semiconductores en sus 3 terminales. El transistor Unij unction es un
dispositivo muy simple que consiste en una lámina de silicio del tipo n; con un
contacto en cada extremo (base 1 y base 2) y con un contacto rectificador para
el terminal del emisor; formando la única unión dentro del dispositivo de ahí el
nombre de única unión.

El transistor de unión única también se le conoce como un diodo de doble base.

Pero con características de conmutación únicas de UJT, que lo hacen muy

diferente de los BJT y FET convencionales; el cual actúa como transistor de

conmutación en lugar de amplificar las señales debido a la forma en que está
construido. Presenta una resistencia negativa en sus características que lo
emplea como osciladores de relajación en una variedad de aplicaciones. La
principal desventaja del transistor de unión única es su incapacidad para
proporcionar una amplificación adecuada.

En el transistor de unión única; la unión PN está formada por una barra de

silicio tipo N ligeramente dopada con material tipo P fuertemente dopado en un
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lado. El contacto óhmico en cualquiera de los extremos de la barra de silicio; se

denomina Base 1 (B 1 ) y Base 2 (B 2 ) y el terminal tipo P se denomina
emisor.

La unión del emisor se coloca de manera que esté más cerca de la terminal Base
2 que de la Base 1. Los símbolos de UJT y JFET se parecen a los mismos;
excepto que la punta de flecha del emisor representa la dirección en la que fluye
la corriente convencional, pero funcionan de manera diferente.

El circuito equivalente simplificado muestra que el canal de tipo N consta de

dos resistencias RB2 y RB1 en serie con un diodo equivalente; D que
representa la unión PN. La unión PN del emisor se fija a lo largo del canal
óhmico durante su proceso de fabricación.

Para el potencial del emisor indicado en el lado izquierdo del punto máximo; el
valor de IE nunca excede el IEO (el valor está en microamperios). El IEO
actual sigue más o menos el ICO de corriente de fuga inversa del transistor
bipolar convencional. Esta región, se denomina región de corte; como se ve en
la imagen siguiente. Tan pronto como se logra la conducción a VE = VP, el
potencial de emisor VE disminuye a medida que aumenta el potencial de IE; lo
cual está precisamente de acuerdo con la resistencia decreciente RB1 para
aumentar la corriente IE.
 14

Ventajas de este Transistor (UJT)

Las ventajas del transistor Unijunction incluyen:

 Bajo costo en su construcción.

 Cuenta con características de resistencia negativa.

 Requiere un valor bajo de corriente para la activación.

 Un voltaje de activación estable.

 Dispositivo de absorción de baja potencia.

Aplicación del Transistor de Unión Única

En circuito para control de velocidad es una de sus aplicaciones más típicas

del UJT para producir un conjunto de pulsos para disparar; controlar el
tiristor, circuitos de activación y circuitos osciladores. Podemos utilizarlos
para ajustar la velocidad de los motores; utilizando UJT como circuito de
activación en combinación con SCR, Triacs, tambien para circuitos de
control de fases. Para generadores de pulsos de dientes de sierra,
suministros regulados por voltaje / corriente y en circuitos basados en
temporizadores.
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1.1.1.4. PUT.
Semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del
UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo”
debido a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base
de tiempos, pero es más flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de
tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante
de tiempo RC.

Funcionamiento

Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en

conducción. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es
insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica
llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su

disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo,
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es decir, la conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus
terminales. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajación, el voltaje de
compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del
voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp
está fijado por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar al modificar
el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del ánodo Va es menor que el
voltaje de compuerta Vg, se conservará en su estado inactivo, pero si el voltaje de
ánodo excede al de compuerta más el voltaje de diodo Vag, se alcanzará el punto
de disparo y el dispositivo se activará. La corriente de pico Ip y la corriente de
valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de
alimentación en VBB. En general Rk está limitado a un valor por debajo de
100 ohm.

Gráficos corrientes picos y valle vs resistencia de compuerta

Rk=RB1RB2/(RB1 + RB2)

Aplicaciones

El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de

relajación para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de
fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de
resistencia de temporización o pequeños valores de capacitancia, en
aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en
circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido
a un proceso de realimentación positiva de elementos activos, presentan
menores tiempos de conmutación que los UJT donde este proceso se debe a un
cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyección de portadores.
En consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos
de la potencia adecuada.
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1.1.2 CLASIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS

VOLTAJE CORRIENTE DE LOS TIRISTORES,

(DISPOSITIVOS, SÍMBOLO, CARACTERÍSTICAS

ELÉCTRICAS Y SU CLASIFICACIÓN EN

UNIDIRECCIONALES Y BIDIRECCIONALES.

DIODO.

ILUSTRACIÓN 1
ILUSTRACIÓN 2 CURVA
SIMBOLO DEL
CARACTERISTICA DEL
DIODO.
DIODO.
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Proveniente del griego: dos caminos, dispositivo con dos terminales, permite el
flujo de corriente unidireccionalmente, generalmente se refiere al diodo
semiconductor, el más común.

Los diodos poseen dos terminales, el Ánodo y cátodo, este elemento permite el
flujo de corriente en un solo sentido, una analogía podría ser la de una tubería
que permite que fluya el agua a través de una válvula de no retorno y que la
misma agua no pueda regresar.

El diodo posee una linea de uno de sus extremos este viene a representar su
extremo negativo, si polarizamos entonces un diodo tenemos:

Polarización directa, la cual se comporta como un conductor

Polarización inversa, en la cual se comporta como un circuito abierto.

Aplicaciones del diodo semiconductor

- Rectificador de media onda

- Rectificador de onda completa
- Rectificador en paralelo
- Duplicador de tensión
- Limitador
- Circuito fijador
- Multiplicador de tensión
- Divisor de tensión

BJT.
¿Qué es un Transistor BJT?

El transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) es el más común de los

transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos
casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.
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El nombre transistor se obtiene de la combinación de las palabras “transfer” y

“resistor”. El motivo del nombre se debe a que es un “resistor” que puede
amplificar una señal eléctrica mientras es “transferida” de su terminal de
entrada al terminal de salida.

¿Cómo se constituye, y que tipos de BJT existen?

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo

de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada
tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor,
con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a esta, en un factor que se
llama amplificación.

Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada

transistor. Entonces:

Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de

amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).

Ic = ß x Ib
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Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib, pero se
redondea al mismo valor que Ic, sólo que la corriente en un caso entra al
transistor (PNP) y en el otro caso de sale él (NPN), o viceversa.

Relación entre la corriente de base y el voltaje de alimentación

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente de base Ib aumenta
ligeramente cuando se cambia Vcc.

Curva de transferencia de un transistor bipolar

Curva de transferencia de un transistor real para una corriente de base dada

se muestra en la imagen a la izquierda.

Curvas de transferencia del transistor bipolar para diferentes corrientes de

base. Ver zonas de saturación y de corte (imagen de la derecha)

En la imagen de la derecha las corrientes de base (Ib) son ejemplos para

poder entender que a más corriente la curva es más alta.

De las curvas del transistor se deduce que:

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– Cuando la corriente de base (Ib) es cero, el transistor no conduce (Ic = 0).

Igualmente se puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el
colector y el emisor (VCE) es el voltaje de alimentación.

– Cuando la corriente de base (Ib) es diferente de cero, el transistor conduce (Ic

es diferente de cero). Igualmente se puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El
voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es un voltaje que está entre el
mínimo (aproximadamente cero) y un máximo (aproximadamente el voltaje de
alimentación). El valor del voltaje depende del valor Ib.
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MOSPHET.
¿Qué es un MOSPHET?

Un MOSFET es un transistor, un componente eléctrico que se encarga

de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada dada.

Existen diferentes tipos de MOSFET, dependiendo de la forma cómo están

construidos internamente, cada uno con su símbolo característico.

¿Paraqué sirve un MOSPHET?

Un MOSFET sirve para regular el voltaje de entrada a un componente

electrónico. En el caso de una placa base, que es donde nos hemos centrado, la
regulación del voltaje depende del MOSFET y de otros componentes cercanos a
él.

¿Cómo funciona el MOSPHET?

El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal

llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador
(drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada
tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate).

Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando

no hay tensión en la puerta no conduce.

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado

por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no
corriente entre drenador y fuente.
 23

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos

eléctricos en el interior del dispositivo.

Modos de operación del MOSPHET

El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres

diferentes regiones de operación, dependiendo de las tensiones en sus
terminales.

Los modos de operación son: el Corte, Región lineal o

óhmica y Saturación o activa.

Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen

las siguientes regiones:

Región de corte:

Cuando VGS < Vth

Donde Vth es la tensión de umbral del

transistor.

De acuerdo con el modelo básico del

transistor, en esta región el dispositivo
se encuentra apagado.

No hay conducción entre la fuente y el

drenador, de modo que el MOSFET se
comporta como un interruptor abierto.
 24

Región de lineal u óhmica

Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que

la tensión de umbral, se crea una región de
agotamiento en la región que separa la fuente y el
drenador.

Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán

portadores minoritarios (huecos en PMOS,
electrones en NMOS) en la región de agotamiento,
que darán lugar a un canal de conducción.

Región de saturación

Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera

cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta
sufre un estrangulamiento en las cercanías del
drenador y desaparece.

La corriente que entra por el drenador y sale por la

fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo
 25

eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial

entre ambos terminales.

IGBT.
¿Qué es un IGBT?

Es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado

en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características
de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo.

¿Cómo funciona un IGBT?

La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusión

de una capa P+ que forma el colector del IGBT, gracias a la estructura interna
puede soportar tensiones elevadas, típicamente 1200V y hasta 2000V (algo
impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensión de puerta. La
velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs,
pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias
bastante elevadas.

Estructura de un IGBT

En términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en

el cual la región N- tiene su conductividad modulada por la inyección de
portadores minoritarios (agujeros), a partir de la región P+, una vez que J1 está
directamente polarizada.
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Esto
resulta en la formación de una capa de inversión en virtud de la puerta que
proporciona un canal de vinculación de la fuente a la deriva región del
dispositivo.

Los electrones se inyectan de la fuente en la región de la deriva, al mismo

tiempo, el cruce, que es sesgada hacia adelante.
 27

Curva característica de un IGBT, normal y en canal P

 28

1.2 CIRCUITOS DE DISPARO.

1.2.1 CIRCUITOS DE DISPARO SIN AISLAMIENTO:

REDES PASIVAS, (RESISTIVAS Y RC).
El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y
consiste en las salidas de un convertidor que depende de la forma de onda en
que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de conmutación, las
características del circuito de disparo son elementos clave para obtener la salida
deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia. El
diseño de un circuito excitador requiere conocer las características
de compuerta y las necesidades de dispositivos como tiristores
apagados por compuerta (GTO), transistores bipolares de unión (BJT),
transistores de efecto decampo metal-oxido semiconductor (MOSFET) y
transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).

EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET Los MOSFET son

dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muy
alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequeña, del orden de
los nano amperes. El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo
de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido
se puede reducir conectando un circuito RC como se ve en la figura, para cargar
con mayor rapidez la capacitancia de compuerta.
 29

EXCITADOR DE BASE PARA BJT

La velocidad de conmutación se puede aumentar reduciendo el tiempo de

activación y el tiempo apagado. Se puede reducir el tiempo de encendido
permitiendo un pico de la corriente de base durante la activación, dando como
resultado una B forzada baja al principio. Después de la activación puede
aumentar la B forzada baja hasta un valor suficientemente alto como para
mantener el transistor en la región de casi saturación. El tiempo de
desactivación se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo un
pico de la corriente de base durante la activación. Al aumentar el valor del
voltaje de pico de la corriente inversa IB2 disminuye el tiempo de
almacenamiento.

Las técnicas de uso común para optimizar la

activación de la base de un transistor son:

1) Control de encendido

2) Control de apagado

3) Control proporcional en base

4) Control por anti-saturación

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Control de encendido

La corrección de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la

ilustración siguiente. Cuando se conecta el voltaje de entrada, la corriente de
base se limita con el resistor R1.

Control de apagado

Si el voltaje de entrada de la figura se cambia a –V2 durante el apagado, el VC

se suma a V2 como el voltaje inverso a través del transistor. Por lo tanto, habrá
un pico de la corriente de base durante el apagado.

Control proporcional en base.

Si la corriente del colector cambia debido a un cambio en la demanda de carga,

la corriente de encendido de la base cambia en proporción a la corriente del
colector.

Control de saturación

Si el transistor se excita muy rápido, el tiempo de almacenamiento que es

proporcional a la corriente de base, aumenta, y se reduce la velocidad de
conmutación. Se puede reducir el tiempo de almacenamiento operando el
transistor con una saturación gradual, en lugar de muy rápida. Esto se puede
 31

hacer sujetador el voltaje de colector a emisor a un valor predeterminado, la

corriente del colector es:

IC = (VCC -VCM)/RC

1.2.2 CIRCUITOS DE DISPARO CON

AISLAMIENTO .

1.2.2.1 ACOPLADOS ÓPTICAMENTE.

 32

El foto-
acoplador permite conseguir un buen aislamiento eléctrico entre el circuito de
control y el de potencia. Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la
posibilidad de disparos espurios en las conmutaciones del interruptor de
potencia, debido a la capacidad parásita entre el LED y el fototransistor. Otro
problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y
del fototransistor que no debe superar la tensión de ruptura. Para minimizar
estos dos inconvenientes se pueden usar fibras ópticas, (inmunidad al ruido
EMI, aislamiento de alta tensión y evitan el efecto inductancia de los cables
largos). No permiten transportar potencia, sólo señal, por lo que será necesario
una fuente de alimentación auxiliar y
un amplificador.

Circuito de Control de Base, con Aislamiento Opto-acoplado de la Señal de

Control El diodo DA sirve para evitar la saturación completa del BJT de
potencia ya así acelerar su conmutación.
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Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Opto-acoplado de la Señal de

Control. Este circuito es útil para hacer funcionar interruptores MOS a
velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una
impedancia de salida alta). Para velocidades mayores pueden usarse circuitos
especializados con impedancia de salida mucho menor, por ejemplo,
IXLD4425, 3Amp y +/- 15v

1.2.2.2 ACOPLADOS MAGNÉTICAMENTE.

 34

El transformador de pulsos permite transportar una señal de cierta potencia, y a

veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentación auxiliar el problema
es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de
magnetización. Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con
D˜0.5 pueden conectarse directamente, conectándose bien a la puerta de
transistores de potencia, o en circuitos análogos a los vistos sustituyendo a foto-
acopladores.

La frecuencia del oscilador podría ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos
rectificadores serán de alta frecuencia, pero de señal.
 35

Circuito de Base con Señal de Control Aislada mediante Uso de

Transformadores de Pulso. Aplicación para Frecuencias de Trabajo Elevadas y
Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. Evita Fuente de alimentación.
Si T1 está conduciendo, ib sería negativa y, por tanto, T2 se cortará. La
corriente de magnetización por el transformador (por Lm) será transcurrido un
tiempo: ip≈VBB/Rp.

Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la
base, y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3
será: ib=icN3/N2. Además, durante el tiempo que está cortado T1 Cp se
descargará por Rp. Si en estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensión
aplicada al devanado 1 es VBB y la corriente ip por el transformador podrá ser
muy alta, de forma que:

ib= icN3/N2- ipN1/N2

Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformación, podrá hacerse la

corriente de base negativa y se cortará el transistor de potencia.
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1.2.3 CIRCUITOS DE DISPARO CON DISPOSITIVOS

DIGITALES.

1.2.3.1 TIMER.
Un temporizador es un aparato con el que podemos regular la conexión ó
desconexión de un circuito eléctrico después de que se ha programado un
tiempo. El elemento fundamental del temporizador es un contador binario,
encargado de medir los pulsos suministrados por algún circuito oscilador, con
una base de tiempo estable y conocida. El tiempo es determinado por una
actividad o proceso que se necesite controlar.

Se diferencia del relé, en que los contactos del temporizador no cambian de

posición instantáneamente. Podemos clasificar los temporizadores en:

De conexión: el temporizador recibe tensión y mide un tiempo hasta que libera

los contactos

De desconexión: cuando el temporizador deja de recibir tensión al cabo de un

tiempo, libera los contactos

Hay diversos tipos de temporizadores desde los que son usados en el hogar para
cocinar, hasta los que son usados en la automatización de procesos de
 37

industriales, tienen diferentes clases de componentes que tienen como fin la

misma función, pero cada uno sirve para algún proceso en específico:

Temporizador térmico que actúa por calentamiento de una lámina bimetálica, el

tiempo se determina por la curva que adquiere la lámina.

Temporizador neumático, está basado en la acción de un fuelle que se

comprime al ser accionado por un electroimán. El fuelle ocupa su posición que
lentamente, ya que el aire entra por un pequeño orificio, al variar el tamaño del
orificio cambia el tiempo de recuperación y por consecuencia la temporización.

Temporizador electrónico, el principio es la descarga de un condensador

mediante una resistencia. Por lo general se emplean condensadores
electrolíticos.

Temporizador magnético, se obtiene ensartando en el núcleo magnético, un

tubo de cobre.

Circuito integrado 555

El 555 es de bajo costo y de grandes prestaciones. El 555 tiene diversas

aplicaciones, como: Control de sistemas secuenciales, divisor de frecuencias,
modulación por ancho de pulso, generación de tiempo de retraso, repetición de
pulsos, etc.
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En este caso, para lograr controlar la velocidad del motor, se utilizo un CI555
como un modulador de ancho de pulso (PWM).

Modulación por ancho de pulsos PWM

La modulación por ancho de pulsos es una técnica en la que se modifica el ciclo

de trabajo de una señal periódica, ya sea para transmitir información a través de
un canal de comunicaciones o para controlar la cantidad de energía que se envía
a una carga (un motor en este caso).

El ciclo de trabajo de una señal periódica es el ancho relativo de su parte

positiva en relación con el periodo.

Funcionamiento:
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1.2.3.2 DIVISOR DE FRECUENCIA.

Se dice divisor de frecuencia un circuito que recibe en entrada una señal de una
frecuencia determinada f y da una señal de salida de frecuencia f/n donde n es
un número entero. La necesidad de un divisor de frecuencia, ya que tiene tanto
con una y la misma señal de clock debe conducir circuitos en diferentes
frecuencias, y porque es más fácil para estabilizar por medio de un circuito en
el cuarzo un circuito dado a una tasa superior y luego obtener una frecuencia
más baja, que también se estabilizado, aunque no es un cristal de cuarzo a la
frecuencia deseada.

Conectando en cascada múltiples flip flops de tipo T se puede obtener divisores

de frecuencia múltiplos de 2 de acuerdo con la siguiente fórmula:

fn = f / 2n

Donde n es un número entero. Deseando obtener un divisor de 4, podemos

utilizar el siguiente esquema:
 40

Deseando obtener un divisor de 8 podemos utilizar el siguiente esquema:

Deseando, en su lugar, obtener un divisor que no sea el poder de 2, debe dejar

de contar los impulsos, cuando se ha alcanzado el número deseado. Como
vemos en la siguiente tabla:

CLOCK Q2 Q1 Q0

0 0 0 0

1 0 0 1

2 0 1 0

3 0 1 1

4 1 0 0

5 1 0 1

6 1 1 0

7 1 1 1

8 0 0 0

9 0 0 1
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Sí paro el divisor de frecuencia, cuando llegué a la combinación 101 igual al

número 5, me sale un divisor de a 5. Para realizar el circuito debe poner uno o
más puertas AND a cuyas entradas son para ser aplicado las salidas de los
correspondientes flip flop de tipo T, como en el siguiente esquema:

Para que la combinación 101 sea verdad es necesario que Q0 = 1; Q1 = 0; Q2 =

1; la puerta AND da en la salida 1, sólo cuando la combinación requerida es
cierta, poniendo a cero todos los tres flip-flops de tipo T.

Queriendo obtener un divisor de 10 puede ser conectado en cascada a un divisor

para un divisor de 5 un divisor de 2obtenendo 10 = 5 x 2. Cómo en el siguiente
diagrama:
 42

1.2.3.3 DETECTOR DE CRUCE POR CERO.

Muchos circuitos electrónicos operan con doble polaridad, el detector de cruce
por cero 'sensa' cuando se produce el cambio de polaridad.

Algo un poco más difícil es detectar el 'cruce por cero' de una señal electrónica
de una sola polaridad, en este caso se debe encontrar la 'componente de
continua' la cual dará el 'nivel de cero', y luego el circuito operará con tal nivel
para 'sensar' cuando la señal está por encima o por debajo de tal nivel

Algo aún más difícil es cuando la señal no posee 'nivel de continua' porque se lo
ha filtrado. En tal caso el circuito deberá trabajar por promedios, integrando la
señal y luego determinar el punto de cruce para determinar cuando la señal esta
por debajo del nivel promedio y cuando está por arriba de tal nivel.

Pero todas las explicaciones anteriores que 'claramente' explican los tipos de
detectores por cruce por cero, no te dicen para que sirve, y esa es la verdadera
pregunta.

Los detectores de cruce por cero se utilizan para detectar los tipos de señales, o
diferentes significados de señales. Algo muy simple sería considerar una señal
que 'en su parte positiva' indicará un 'uno lógico' y en su parte negativa un 'cero
lógicos'. El detector de cruce por cero es parte del circuito de detección 'por
nivel' para determinar si se ha recibido un 'uno' o un 'cero'.

Con señales analógicas los detectores de cruce por cero operan con formas de
ondas mucho más variantes que las del caso digital, se pueden utilizar para
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determinar el tipo de la forma de onda, el nivel promedio de la señal, ayudar a

integrar o diferenciar señales, etc.

Toda aquella 'función matemática' a aplicar a la señal que requiera determinar

el 'nivel de cero' de tal señal.
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1.2.3.4 MICROCONTROLADORES.
Circuito integrado programable, capaz de ejecutar las órdenes grabadas en su
memoria. Está compuesto de varios bloques funcionales que cumplen una tarea
específica. Un microcontrolador incluye en su interior las tres principales
unidades funcionales de una computadora: unidad central de procesamiento,
memoria y periféricos de entrada/salida.

Algunos microcontroladores pueden utilizar palabras de cuatro bits y funcionan

a velocidad de reloj con frecuencias tan bajas como 4 kHz, con un consumo de
baja potencia (mW o microwatts). Por lo general, tendrá la capacidad de
mantenerse a la espera de un evento como pulsar un botón o de otra
 45

interrupción; así, el consumo de energía durante el estado de reposo (reloj de la

CPU y los periféricos de la mayoría) puede ser solo de nanowatts, lo que hace
que muchos de ellos sean muy adecuados para aplicaciones con batería de larga
duración. Otros microcontroladores pueden servir para roles de rendimiento
crítico, donde sea necesario actuar más como un procesador digital de señal
(DSP), con velocidades de reloj y consumo de energía más altos.

Cuando es fabricado el microcontrolador, no contiene datos en la memoria

ROM. Para que pueda controlar algún proceso es necesario generar o crear y
luego grabar en la EEPROM o equivalente del microcontrolador algún
programa, el cual puede ser escrito en lenguaje ensamblador u otro lenguaje
para microcontroladores; sin embargo, para que el programa pueda ser grabado
en la memoria del microcontrolador, debe ser codificado en sistema numérico
hexadecimal que es finalmente el sistema que hace trabajar al microcontrolador
cuando este es alimentado con el voltaje adecuado y asociado a dispositivos
analógicos y discretos para su funcionamiento.

1.2.3.5 MODULADORES DE ANCHO DE PULSO.

La modulación por ancho de pulsos (también conocida como PWM, siglas en
inglés de pulse-width modulation) de una señal o fuente de energía es una
técnica en la que se modifica el ciclo de trabajo de una señal periódica (una
senoidal o una cuadrada, por ejemplo), ya sea para transmitir información a
través de un canal de comunicaciones o para controlar la cantidad de energía
que se envía a una carga.

El ciclo de trabajo de una señal periódica es el ancho relativo de su parte

positiva en relación con el período.
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La construcción típica de un circuito PWM se lleva a cabo mediante un

comparador con dos entradas y una salida. Una de las entradas se conecta a un
oscilador de onda dientes de sierra, mientras que la otra queda disponible para
la señal moduladora. En la salida la frecuencia es generalmente igual a la de la
señal dientes de sierra y el ciclo de trabajo está en función de la portadora.

La principal desventaja que presentan los circuitos PWM es la posibilidad de

que haya interferencias generadas por radiofrecuencia. Estas pueden
minimizarse ubicando el controlador cerca de la carga y realizando un filtrado
de la fuente de alimentación.

Aplicaciones

En la actualidad existen muchos circuitos integrados en los que se implementa

la modulación PWM, además de otros muy particulares para lograr circuitos
juguete funcionales que puedan controlar fuentes conmutadas, controles de
motores, controles de elementos termoeléctricos, choppers para señales en
ambientes ruidosos y algunas otras aplicaciones. Se distinguen por fabricar este
tipo de integradas compañías como Texas Instruments, National
Semiconductor, Maxim, y algunas otras más.