Practica 7 DyCE

Manual de Prácticas
Dispositivos y Circuitos
Electrónicos
División: Ingeniería Eléctrica Departamento: Electrónica
Práctica 8
Transistor Bipolar de Juntura (TBJ)
Configuraciones básicas y análisis en
señal grande
Nombre completo del alumno Firma

Delgado Jiménez Carlos Nahum
Torthon Flores Diana Laura
Villegas Lugo Kevin Salvador
N° de brigada: Fecha de elaboración: 09-Noviembe- Grupo:1

2021
Cuestionario Previo
1.- ¿Cuáles son las zonas de operación del MOSFET?
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de operación

diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET N
de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región de corte, región
óhmica y región de saturación.
Región de corte.
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el transistor
MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-
Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conducción entre Drenador y Surtidor, de modo que el
MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Región óhmica.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on) viene dado por
la expresión:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID)
específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A; entonces,
Rds(on)= 1V = 10 Ohms

100mA
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor. El

valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión entre la Puerta
y el Surtidor (VGS).
Región de Saturación.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión entre el
Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de saturación (V ds
sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas características
proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su
corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensión que haya entre el
Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de
corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o estrangula, lo

que sucede cuando:
VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de conducción,
bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del Drenador y desaparece. La
corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al campo eléctrico entre
ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
2.- ¿Qué conocemos como Voltaje de arranque o de umbral (Vth)?

El voltaje de umbral es el punto en el que un dispositivo eléctrico está configurado para
activar cualquiera de sus operaciones. Esto normalmente ocurre dentro de un transistor
que monitorea continuamente la fuente de energía en busca de cambios, ignorando
aquellos que son débiles o que se filtran inadvertidamente a través del sistema. Una vez
que la carga de la electricidad entrante es suficiente para cumplir con el estándar
preestablecido, se alcanza el voltaje de umbral y se permite que la energía fluya por todo
el dispositivo para habilitarlo. Todo lo que esté por debajo del umbral predefinido se
contiene y se trata como una carga fantasma.
3.- Arme el siguiente circuito para obtener el voltaje de arranque?
Variar V1 hasta que la corriente se de 1mA, en ese momento se obtiene Vth.

El circuito simulado nos queda de la siguiente manera:
Para que la corriente llegara a 1 mA debemos tener un valor de V1= 2.145 V que
es lo que se muestra en la simulación
Con los datos anteriores podemos decir que Vth= 2.145 [V]
4.- Arme el siguiente circuito y llenar la tabla.

En la tabla se medirá Id.
6.00E-02
5.00E-02
4.00E-02
3.00E-02
2.00E-02
1.00E-02
0.00E+00
1 2 3 4 5 6 7 8 9
5.- Arme el siguiente circuito para obtener la curva de operación del
MOSFET.
Para este caso grafique (Vgs , Id) (x,y), Para este caso Vgs es 2, 2.1,2.2, 2.3,2.4,
2.5, 2.6, 2.7, 2.8, 2.9, 3,4 y 5. Puede agregar 1 y 1.5.
El circuito simulado nos queda de la siguiente manera:
La tabla con las mediciones nos queda:

Vgs Id
1 1.78E-10
1.5 1.78E-10
2 1.78E-10
2.1 5.04E-10
2.2 0.002015
2.3 0.004532
2.4 0.008056
2.5 0.012585
2.6 0.018119
2.7 0.024657
2.8 0.032199
2.9 0.040743
3 0.050052
4 0.053604
5 0.054165
Y la gráfica nos queda de la siguiente forma:
Aquí podemos notar como a pesar de un cambio de voltaje, la corriente

permanece constante, no es hasta que cruzamos los 2 V que la corriente Id
comienza a aumentar, para luego llegar a un punto de saturación en él no se
estabiliza por completo, sin embargo, en la gráfica podemos notar como la línea se
hace cada vez más horizontal.
Conclusiones:
Delgado Jiménez Carlos Nahum:

El modelo MOSFET es muy importante para regular un voltaje de entrada a un
componente eléctrico,en la practica lo observamos de manera teorica y
experimental sus modos de corte, zonas de saturación y las de no saturación,
Torthon Flores Diana Laura:

A través de esta práctica logramos caracterizar el MOSFET, pudimos observar de
manera gráfica las zonas de operación de este, comprobamos de manera práctica
el voltaje de arranque, pues en el circuito 1 podemos ver como necesitamos 2.1 V
para obtener un 1mA, y en el ejercicio 3 logramos observar que en la curva la
zona óhmica comienza a partir de los 2.1 V, finalmente creo que se logró observar
el comportamiento y funcionamiento del MOSFET y sus características.
Villegas Lugo Kevin Salvador:
Pudimos observar los modos de operación del MOSFET, como sus modos de
corte, zonas de saturación y las de no saturación, concluyo que las gráficas
presentadas coinciden con las gráficas vistas en teoría.

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Transistor Bipolar de Juntura (TBJ)

Configuraciones básicas y análisis en

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1.- ¿Cuáles son las zonas de operación del MOSFET?

La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de operación

Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A; entonces,

Rds(on)= 1V = 10 Ohms

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor. El

Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).

O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o estrangula, lo

VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación

2.- ¿Qué conocemos como Voltaje de arranque o de umbral (Vth)?

Variar V1 hasta que la corriente se de 1mA, en ese momento se obtiene Vth.

4.- Arme el siguiente circuito y llenar la tabla.

La tabla con las mediciones nos queda:

Y la gráfica nos queda de la siguiente forma:

Aquí podemos notar como a pesar de un cambio de voltaje, la corriente

Delgado Jiménez Carlos Nahum:

Torthon Flores Diana Laura:

Villegas Lugo Kevin Salvador:

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