Practica 7 DyCE
Practica 7 DyCE
Practica 7 DyCE
Dispositivos y Circuitos
Electrónicos
División: Ingeniería Eléctrica Departamento: Electrónica
Práctica 8
señal grande
Región de corte.
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el transistor
MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-
Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conducción entre Drenador y Surtidor, de modo que el
MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Región óhmica.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on) viene dado por
la expresión:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID)
específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de conducción,
bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del Drenador y desaparece. La
corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al campo eléctrico entre
ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
5.00E-02
4.00E-02
3.00E-02
2.00E-02
1.00E-02
0.00E+00
1 2 3 4 5 6 7 8 9
5.- Arme el siguiente circuito para obtener la curva de operación del
MOSFET.
Para este caso grafique (Vgs , Id) (x,y), Para este caso Vgs es 2, 2.1,2.2, 2.3,2.4,
2.5, 2.6, 2.7, 2.8, 2.9, 3,4 y 5. Puede agregar 1 y 1.5.
El circuito simulado nos queda de la siguiente manera:
Conclusiones:
Pudimos observar los modos de operación del MOSFET, como sus modos de
corte, zonas de saturación y las de no saturación, concluyo que las gráficas
presentadas coinciden con las gráficas vistas en teoría.