2020-2021 - Problemas - Hoja 8 - Introducción A Los Semiconductores (Enunciados)

E.T.S.
Ingeniería Informática Grados Ingeniería Informática, INdat

Universidad de Valladolid Curso 2021-2022
Problemas de Física Hoja 8: Introducción a los semiconductores
1.- Se tiene un semiconductor intrínseco de Si a T=300 K con una concentración intrínseca 𝑛𝑖 = 1010 e/cm3. Si las
movilidades de electrones y huecos son, respectivamente, μ𝑛 = 0.13m2/Vs y 𝜇𝑝 = 0.05m2/Vs, calcule qué tipo
de impurezas se debe añadir y en qué concentración si se desea tener un semiconductor extrínseco tipo P con una
conductividad el doble que la intrínseca.
2.- Una muestra de Ge está dopada con NA átomos/cm3 de una impureza aceptora. Si después se le añade la misma
concentración de impurezas donadoras se observa que la densidad de electrones libres se triplica en el proceso.
Calcule, en función de NA, las concentraciones de huecos y electrones.
3.- Un semiconductor intrínseco contiene 1014 pares electrón-hueco por cm3. Si las movilidades de electrones y
huecos son, respectivamente 𝜇𝑛 =0.2 m2/Vs y 𝜇𝑝 =0.06 m2/Vs, se piden: a) las concentraciones de n y p en el
semiconductor así como la concentración intrínseca y b) la resistividad del semiconductor. Cuando se añade al
semiconductor cierta impureza se obtiene un semiconductor extrínseco con una concentración de electrones
libres 106 veces mayor que la del intrínseco anterior. c) ¿Cuánto vale ahora la concentración de portadores
mayoritarios? Y d) ¿con qué concentración de impurezas ha sido dopado el semiconductor?
4.- Un hilo de Si, de longitud 2 m y diámetro 2mm que está dopado con una concentración de impurezas donadoras
100 veces mayor que la concentración intrínseca. Suponiendo que la movilidad de electrones y huecos es 𝜇𝑝 =
100m2/Vs y la concentración intrínseca vale 𝑛𝑖 = 1010 e/cm-3, calcule la intensidad que pasará por el hilo al
conectar sus extremos a una diferencia de potencial de 1.5 V.
5.- Se tiene un semiconductor intrínseco con movilidades 𝜇𝑛 = 𝜇𝑝 , concentración intrínseca 𝑛𝑖 y conductividad

intrínseca 𝜎𝑖 . Si se dopa solo con una concentración de impurezas aceptoras 𝑁𝐴 ≫ 𝑛𝑖 la conductividad pasa a ser
𝜎𝐴 = 10𝜎𝑖 . Si se dopa solo con una concentración de impurezas donadoras 𝑁𝐷 ≫ 𝑛𝑖 la conductividad pasa a ser
𝜎𝐷 = 17𝜎𝑖 . Calcule las concentraciones de impurezas 𝑁𝐴 y 𝑁𝐷 que satisfacen esas condiciones.
6.- Se tiene un semiconductor extrínseco tipo P que a T=300 K tiene una concentración intrínseca
𝑛𝑖 = 2.5 ⋅ 1019 𝑒/𝑚3
y una conductividad 𝜎 = 3.5𝛺−1 𝑚−1, siendo las movilidades de huecos y electrones 𝜇𝑛 = 𝜇𝑝 = 0.2 𝑚2 ⁄𝑉 𝑠.
Calcule la conductividad que tendría dicho semiconductor si se le añadiera unas impurezas aceptoras con una
concentración 𝑁𝐴 = 1.2 ⋅ 1019 𝑖𝑚𝑝⁄𝑚3 . Recuerde que la carga del electrón es 𝑞 = 1.602 ⋅ 10−19 𝐶.
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Universidad de Valladolid Curso 2021-2022
Problemas de Física Hoja 8: Introducción a los semiconductores
7.- Se tiene un semiconductor extrínseco de Ge cuya

concentración intrínseca a T=300 K es 𝑛𝑖 = 2.5 ⋅ 1013 𝑒/𝑐𝑚3 .
El semiconductor, que tiene forma de paralelepípedo, como se
ve en la figura, se dopa con impurezas con una concentración
𝑁𝐴 = 4 ⋅ 1013 𝑒/𝑐𝑚3 . a) Calcule la conductividad de dicho
semiconductor y la resistencia del material cuando es recorrido
por una corriente según la figura. b) Si cuando la corriente es
i=1 mA se aplica un campo magnético 𝐵 ⃗ = 1𝑘⃗ 𝑇, señale cómo
se desplazarían los portadores de carga debido al efecto Hall y
calcule el potencial Hall, señalando cuál es la superficie de
mayor potencial.
Datos : 𝜇𝑛 = 0.39𝑚2 /𝑉𝑠; 𝜇𝑝 = 0.05𝑚2 /𝑉𝑠; 𝐿 = 20𝑚𝑚; 𝑊 = 10𝑚𝑚; 𝐻 = 1𝑚𝑚

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5.- Se tiene un semiconductor intrínseco con movilidades 𝜇𝑛 = 𝜇𝑝 , concentración intrínseca 𝑛𝑖 y conductividad

𝑛𝑖 = 2.5 ⋅ 1019 𝑒/𝑚3

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7.- Se tiene un semiconductor extrínseco de Ge cuya

Datos : 𝜇𝑛 = 0.39𝑚2 /𝑉𝑠; 𝜇𝑝 = 0.05𝑚2 /𝑉𝑠; 𝐿 = 20𝑚𝑚; 𝑊 = 10𝑚𝑚; 𝐻 = 1𝑚𝑚

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