UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE

TULANCINGO

TRABAJO 7
Nombre del alumno:

U Paulina Kim López Vargas

Carrera:
Ingeniería Robótica

P Nombre de la Asignatura:
Sistemas electrónicos de
interfaz

Nombre del Docente:

T José de Jesus Monter Vargas

Cuatrimestre:
Septiembre - Diciembre 2022

Tulancingo de Bravo, Hidalgo a 18 de octubre del 2022.

 Transistores MOSFET.
I. OBJETIVO.

Transistores MOSFET

II. MARCO TEÓRICO.

Un transistor Mosfet tiene 3 patillas. El mosfet conduce corriente eléctrica entre dos de sus patillas cuando
aplicamos tensión en la otra patilla. Es un interruptor que se activa por tensión.
Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato. Sobre este semiconductor
se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un semiconductor contrario al semiconductor usado
para el sustrato.
¿Cómo está construido un MOSFET de canal N?
Los MOSFET están fabricados por tres materiales semiconductores distintos 2 de ellos son del tipo N y uno de
ellos es de tipo P un material de tipo N es aquel que tiene un exceso de electrones es aquel dopado negativamente
y un material tipo P es aquel que tiene una falta de electrones y por lo tanto un exceso de huecos se le llama
huecos al lugar vacío que deja el electrón cuando no está y por lo tanto el material de tipo P esta dopado
positivamente por una falta de electrones. Son de silicio que es un semiconductor el cual se ocupa para actuar
como conductor o como dieléctrico dependiendo de condiciones externas.
A fuera de esta pastilla de silicio se encuentra una capa que recubre parte de la pastilla que está hecha de un
material dieléctrico que es óxido de silicio este material dieléctrico impide el paso de la corriente eléctrica por
encima de esta capa de material aislante se encuentra una capa de material conductor que es generalmente
aluminio
Está compuesto por 4 terminales, uno de ellos es el gate que se conecta a la capa del material conductor los
otros 2 se conectan a los materiales tipo N que se denominan drive (drenador) y source (fuente).
El último terminal es uno que se conecta a la capa de material tipo P que se denomina bari que generalmente
está unido internamente al de source (fuente).
Funcionamiento del transistor MOSFET
El mosfet contra el paso de corriente eléctrica entra un terminal llamado fuente y el otro llamado drenador
mediante la aplicación de una tensión eléctrica en una tercera terminal llamada puerta modificando la tensión
eléctrica aplicada a la puerta aparece o desaparece un canal conductor que conecta o desconecta la fuente y el
drenador permitiendo el cierre y la apertura del interruptor
¿Para qué se utiliza un MOSFET?
Estos dispositivos se utilizan en la conmutación de cargas de alta velocidad, dado su tiempo de respuesta
mínimo. Se utilizan para el control digital de cargas de mayor corriente y mayor voltaje que los valores
nominales que puede soportar un micro controlador. Son muy buenos en la amplificación de señales analógicas,
especialmente en aplicaciones de audio. Poseen múltiples funciones en diferentes tipos de aplicaciones en el
mundo de la electrónica.
¿Dónde se utiliza un transistor MOSFET?
Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones como reguladores de conmutación,
convertidores, controladores de motor, controladores de relé y controladores para alta transistores de
conmutación bipolar de potencia que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de la puerta. Se
pueden operar directamente desde circuitos integrados
 Diferencia entre BJT y MOSFET
Son similares (MOSFET y BJT) en funcionamiento, pero son diferentes cuanto a estructura interna y su
funcionamiento. Los BJT funcionan con señales de corriente, mientras que los MOSFET funcionan con señales
de voltaje lo cual, hace de los últimos la mejor herramienta para el control digital.

Ventajas de los MOSFET frente a los BJT

Los transistores de efecto de campo como MOSFET se han utilizado durante décadas. Comprenden los
transistores más comúnmente utilizados, que actualmente dominan el mercado de los circuitos integrados. Son
portátiles, usan poca energía, no consumen corriente y son compatibles con la tecnología de procesamiento de
silicio. Su falta de corriente de puerta da como resultado una alta impedancia de entrada. Una ventaja importante
adicional de MOSFET sobre BJT es que forma la base de un circuito con interruptores de señales analógicas.
Estos son útiles en los sistemas de adquisición de datos y permiten varias entradas de datos. Su capacidad de
conmutación entre diferentes resistencias ayuda a la relación de atenuación o cambia la ganancia de los
amplificadores operacionales. Los MOSFET forman la base de los dispositivos de memoria semiconductores,
como los microprocesadores.

Cómo usar un MOSFET

El MOSFET IRF está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de
comunicación, controladores de motor, controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta
potencia transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta.

III. ACTIVIDAD.

a) Elabore un resumen del video que se anexa a este documento de 8 cuartillas en formato APA, el resumen
deberá de incluir como mínimo 8 imágenes descriptivas relacionadas al video.

Los transistores FET (de efecto de campo) son la siguiente generación de transistores después de los BJT, y
dentro de este grupo de transistores están los JFET de canal n o canal p y los MOSFET; MOS refiere al material
utilizado en estos transistores (Metal Óxido Semiconductor).

Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos; incremental o de enriquecimiento, y decremental o de

empobrecimiento, ambos se sub dividen en canal p y canal n. A diferencia de los transistores BJT, que son
“dispositivos controlados por corriente” y que son utilizados en circuitos amplificadores, los FET son
“dispositivos controlados por voltaje” y son utilizados como conmutadores por su alta velocidad.

En la figura se muestran los símbolos de los transistores MOSFET según su tipo; como se puede observar tienen
3 terminales visibles. La puerta sería el equivalente a la base, el drenaje al colector y la fuente l emisor en los
BJT.

Para identificar si son N o P, se debe tomar en cuenta la dirección de la flecha en el símbolo, si está señalando
a la izquierda es tipo N y si está señalando a la derecha es tipo P; esto debido a que simboliza el diodo.
Los MOSFET más utilizados son los de enriquecimiento; éstos tienen el mismo tipo de encapsulado que los
BJT. En la siguiente imagen se muestra un transistor MOSFET de enriquecimiento canal N.

MOSFET de enriquecimiento canal N:

Este tipo de transistor se compone de lo siguiente: una compuerta de metal que es donde va conectada la puerta;
el óxido que se comporta como un aislante; sustrato de metal; y dos espacios n positivo a los que están
conectados el drenaje y la fuente. En la mayoría de transistores, internamente, el terminal fuente está conectado
al sustrato de metal tipo p, entre el terminal puerta y fuente se encuentra el óxido formándose así un
“condensador”, recordemos que este tipo de transistores son controlados por voltaje y no por corriente.

Para entender mejor su comportamiento, supongamos que el transistor va a estar conectado a una fuente y a una
resistencia. El terminal S queda con polaridad negativa y el D positiva, en estas condiciones no circula la
corriente a través del transistor ni por la resistencia ya que el terminal G aún no se encuentra conectado a un
nivel de voltaje mayor respecto al terminal S. Si enviamos una señal por el terminal G entonces quedará más
positivo que el sustrato de metal, por lo que atrae a los electrones del sustrato p y los acumula en la superficie,
bajo la capa de óxido. Si el voltaje VGS es mayor que el voltaje umbral del transistor VGSth se acumula una
cantidad suficiente de electrones para formar un canal n virtual y así permitir el paso de la corriente. Mientras
más sea el voltaje entrante por la puerta, mayor será el canal de electrones y así la corriente circulará desde el
drenaje hasta la fuente con mayor intensidad.

*Tómese en cuenta que en el ircuito de la derecha se toma la dirección del flujo de la corriente convencional y
en la del centro el real flujo de electrones (negativo a positivo).

Si se deja de enviar voltaje por la puerta, entonces el transistor deja de conducir.

Al igual que los transistores BJT, los transistores MOSFET presentan 3 modos de funcionamiento; Región
lineal, región de saturación y región de corte.

En la región de corte, el voltaje puerta fuente VGS es menor o igual al voltaje humbral VGSth. En esta región
el transisor se comporta como un circuito abierto entre drenaje y fuente, por lo que no hay una conducción de
corriente.

En la región de saturación el voltaje drenaje fuente VDS es igual al voltaje entre la puerta y la fuente menos el
voltaje humbral del transistor. En esta región el transisor se comporta como un cortocircuito entre drenaje y
fuente, por lo que conduce grandes cantidades de corriente.

En la región lineal el voltaje drenaje fuente VDS es menor al voltaje entre la puerta y la fuente menos el voltaje
humbral del transistor. En esta región el transisor se comporta como una resistencia de valor variable,por lo que
habrá una mayor dicipación de calor.

En las hojas de datos del transistor se pueden encontrar más especificaciones y características cocmo se muestra.
 *La tension umbral indica el voltaje en el que empieza a conducir.

Los transistores MOSFET son útiles para controlar motores CD con señales PWM, ya que pueden conmutar
rápidamente y mantener la señal cuadrada a l salida. Esta señal cuadrada se puede obrener de un circuito
integrado 555 o desde el Arduino. Un transistor BJT no puede mantener esta señl cuadrada, la distorsiona.
Como en el PWM lo que varía es el voltaje, el MOSFET es la mejor opción. Entre otras ventajaas con respecto
a los BJT,los MOSFET tienen: Alta velocidad de conmutación, pueden ser controlados por voltaje con
corrinwtw de puerta muy pequeña , son más estables con la temperatura, soportan corrientes muy altas por
drenaje fuente.

Algunas de sus desventajas son que se pueden dañar debido a la electricidad estática, y en general son menos
lineales que los BJT.

IV. CONCLUSIONES

Los transistores MOSFET podrían parecer iguales a los BJT por el encapsulado, sin embargo, tienen muchas
diferencias en su construcción como tal, por lo que se derivan a diferencias en aplicaciones. Su principal
característica es que son controlados por voltaje, no por corriente como los BJT. Por lo que es muy útil para
controlar la velocidad de motores CD por PWM.

Los MOSFET al igual que los BJT tienen 3 entradas; gate (puerta), drive (drenador) y source (fuente). Y sus 3
modos de funcionamiento; corte, saturación y lineal.