EL-2207 Elementos Activos 1

Instituto Tecnológico de Costa Rica

Escuela de Ingeniería Electrónica
EL-2207 Elementos Activos

Profesor: Dr.-Ing. Paola Vega Castillo

Capítulo 4. El Transistor MOSFET

4.1 El concepto de transistor y transistor MOSFET

Un transistor se define como un dispositivo de al menos tres terminales en el

cual una terminal controla el flujo de corriente entre las otras dos. La palabra
transistor proviene de la combinación de los términos resistor (resistencia) y
transfer (transferencia), siendo una resistencia controlada. El término Transfer
indica que hay una variable de entrada y una variable de salida; una variable de
control que se aplica a una terminal controlando así la corriente que fluye entre
las otras 2.

El transistor MOSFET es un dispositivo electrónico semiconductor de cuatro

terminales. El acrónimo MOSFET se deriva del nombre “metal oxide
semiconductor field effect transistor. Este acrónimo se explica al
descomponerlo en dos partes: MOS, por las siglas en inglés de metal-óxido-
semiconductor y se refiere al sistema de materiales que al estar en contacto
hace posible el efecto de campo, y FET es el acrónimo en inglés de field effect
transistor. Como el nombre lo indica, el MOSFET es un dispositivo basado en
el efecto de campo, es decir, se utiliza un campo eléctrico para controlar la
cantidad de corriente que fluye entre dos terminales. En el caso del MOSFET,
el transistor es una resistencia controlada por voltaje.

El MOSFET es un dispositivo unipolar; esto significa que el flujo de corriente se

debe solamente a un tipo de portadores de carga, o más exactamente, está
dominado por un tipo de portadores de carga. Contrariamente, en el caso
bipolar, como en el transistor bipolar de junta, se necesita una corriente de
electrones y una corriente de huecos para su operación.

El MOSFET es el dispositivo semiconductor más importante debido a que los

dispositivos de efecto de campo son los que dominan la industria electrónica,
representando un 80% del mercado, por ello cualquier nueva tecnología será
comparada con el MOSFET.

El principio de funcionamiento del MOSFET, llamado efecto de campo, fue

patentado en 1925 por Julius Lillienfeld. El transistor MOSFET fue concebida
en 1928 también por Lillienfeld; la patente le fue otorgada en 1930. Sin
embargo, no fue sino hasta muchos años después que la tecnología de
materiales logró producir un material aislante (SiO2) de la calidad necesaria
para implementar el transistor MOSFET. Se logró fabricar una capa de dióxido
de silicio suficientemente delgada para lograr el efecto de campo pero que a
pesar de su reducido espesor se comportara como un buen aislante eléctrico y

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con poca contaminación de iones metálicos del proceso de fabricación, pues

esta contaminación altera la tensión de activación del transistor (VTH).

La implementación del MOSFET ocasionó una revolución en la industria

microelectrónica, hasta entonces dominada por el BJT (bipolar junction
transistor). Esta revolución tomó especial fuerza con la introducción de la
tecnología CMOS (complementary metal oxide semiconductor) en 1960, así
como con la introducción de la teoría de escalamiento de Robert H. Dennard en
los años 60`s, haciendo posible la integración a gran escala que no hubiera
sido posible utilizando transistores BJT.

La tecnología CMOS se originó cuando se logró fabricar una tina N en un

substrato P. Esto permitió fabricar transistores NMOS y PMOS en una sola
oblea de silicio, y es la tecnología que utilizamos actualmente.

Debido al continuo escalamiento del MOSFET, para indicar el grado de avance

de una tecnología se habla de generaciones tecnológicas, las cuales se
diferencian por el concepto de dimensión crítica F (feature size). La dimensión
crítica es la dimensión más pequeña que puede fabricarse con el silicio
policristalino de compuerta en el plano de la oblea. Así, por ejemplo, en la
generación de 14nm el valor de F es de 14nm.

4.2 Estructura del MOSFET

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales: compuerta, drenador,

surtidor (o fuente) y subtrato. Estas terminales se representan con las letras G
(gate), D (drain), S (Source) y B (bulk), respectivamente. La compuerta permite
controlar, por medio del efecto de campo, la cantidad de corriente que fluye
entre drenador y surtidor. La estructura del MOSFET se presenta en la figura 1.

G
D S
Polisilicio
SiO2

Si

B
Figura 1. Sección transversal de un transistor MOSFET

El substrato en el cual se fabrica el MOSFET es una oblea de silicio con

espesor de 100 a 800 µm. Normalmente se utilizan obleas tipo P debido a que
los transistores NMOS, que son los más rápidos, requieren un substrato P. En
la figura 1 el substrato se representa con el color verde claro.

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El MOSFET consiste en un substrato de silicio dopado, con dos regiones de

dopado complementario a del substrato a cada lado. Estas regiones
constituyen la fuente y el drenado del transistor y se muestran con color verde
oscuro en la figura 1. El color verde significa que las regiones de difusión, al
igual del substrato, son de silicio. El tono más oscuro indica que el dopado es
mayor. Como la figura 1 sugiere, la fuente y el drenador son idénticos desde el
punto de vista de su construcción. La definición de cuál de las regiones
constituye la fuente y cuál el drenador se obtiene al aplicar una diferencia de
potencial entre ambas terminales.

Sobre el substrato entre las regiones de difusión se coloca una capa delgada
de SiO2, representado en la figura 1 con la capa blanca sobre el substrato. El
espesor de la capa de óxido es menor que 10nm y disminuye con cada
generación tecnológica. El espesor mínimo de dióxido de silicio es de 1.2nm.
Desde hace unos 7 años se reemplazó el SiO2 por HfO2 en los transistores de
última generación.

Sobre la capa de SiO2 se encuentra una capa de silicio policristalino, formando

la compuerta del transistor; esta se representa con la capa de color rojo en la
figura 1. La compuerta tiene un espesor típico de 300nm. Aunque originalmente
se concibió que la compuerta del MOSFET fuera de metal, en la práctica se
utiliza silicio policristalino altamente dopado, de manera que sus propiedades
se acerquen a las de un metal.

La capa de óxido (SiO2) aísla eléctricamente la superficie del silicio de la capa

de silicio policristalino que constituye la compuerta, de forma que el substrato
bajo la compuerta experimente el efecto del campo eléctrico sin que haya
conducción de corriente entre compuerta y substrato. Esta capa de óxido se
refiere comúnmente como “óxido de compuerta” (gate oxide), mientras que el
término “polisilicio” (polysilicon), o simplemente “poli” (poly), es una abreviación
comúnmente adoptada en la literatura para el término silicio policristalino.

La figura 2 muestra las dos posibles variaciones en el dopado complementario

en la implementación del MOSFET.
G G
D S D S
Polisilicio Polisilicio
SiO2 SiO2
n+ n+ p+ p+
P N

B B
NMOSFET (NMOS) PMOSFET (PMOS)
Figura 2. Sección transversal de transistores NMOS y PMOS

Como muestra la figura 2, el substrato puede tener dopado p o dopado n,

mientras que las regiones de drenador y fuente están fuertemente dopadas
(pero sin llegar a ser degeneradas) complementariamente al dopado del

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substrato. Estas dos variaciones dan origen a los dos tipos posibles de
transistores MOSFET: NMOS y PMOS, donde el substrato está dopado
respectivamente, con aceptores y donadores, mientras que al activar los
transistores, el canal formado entre drenador y fuente es de tipo n en el NMOS
y de tipo p en el PMOS, como se verá más adelante.

4.3 Principio de funcionamiento del MOSFET

El principio de funcionamiento del MOSFET se analizará para el caso del

transistor NMOS. Este análisis podrá ser luego fácilmente extensivo al
transistor PMOS.

4.3.1 Análisis cualitativo

Primeramente se examinará el transistor sin aplicar ninguna tensión en sus

terminales. Como se muestra en la figura 3, existen uniones PN entre drenador
y substrato y entre fuente y substrato. Estos diodos están conectados en serie
por medio del substrato, pero dado que presentan direcciones de conducción
contrarias, impiden el flujo de corriente entre drenador y surtidor.

G
D S
Polisilicio
SiO2
n+ n+

B
Figura 3.

Al aplicar una tension de compuerta positiva, y con VGS > 0, la influencia del
campo eléctrico de la compuerta repele a los huecos cercanos a la superficie
del semiconductor, como se muestra en la figura 4.

+
+ +
+

-
Figura 4. Principio de activación del MOSFET

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De esta manera, se agotan los huecos en la superficie del substrato en la

región entre el drenador y la fuente. Este estado se conoce como agotamiento,
debido al agotamiento de portadores de carga mayoritarios en la superficie del
silicio entre drenador y fuente.

Conforme se continúa aumentando el voltaje de compuerta, electrones libres

del substrato se ven atraídos a la superficie. Cuando el voltaje de compuerta ha
alcanzado un valor conocido como el voltaje de umbral del transistor, la
concentración de portadores minoritarios en la superficie del substrato iguala a
la concentración de portadores mayoritarios con la que fue dopado el substrato.

Cuando esto ocurre, la superficie del substrato entre las regiones de difusión,
que fue dopada de tipo p, se comporta como un material de tipo n, debido a la
concentración de electrones en la superficie. Este fenómeno se conoce como
inversión, puesto que ahora la superficie se comporta como un material de
dopado opuesto al del substrato.

En estas condiciones, los electrones acumulados en la superficie del substrato

entre drenador y fuente forman un canal entre drenador y fuente, permitiendo el
flujo de corriente al aplicar un voltaje entre drenador y surtidor. El canal, es
decir, la superficie en estado de inversión, se comporta entonces como una
superficie del mismo tipo que las regiones de drenador y surtidor, por lo que ya
no existe impedimento para el flujo de corriente entre ambas terminales, como
se muestra en la figura 5. Una vez formado el canal, sólo se necesita una
diferencia de tensión entre drenador y surtidor para que fluya corriente.

Figura 5. NMOS con el canal formado

Por otra parte, si el voltaje de compuerta aplicado es negativo, los huecos del
substrato (portadores de carga mayoritarios) son atraídos a la superficie del
substrato, aumentando la concentración de huecos en la superficie. Este
fenómeno se conoce como acumulación. Puesto que no existe un canal entre
drenador y fuente, la corriente entre fuente y drenador es prácticamente cero.

4.3.2 Análisis cuantitativo

Para analizar el comportamiento del MOSFET desde el punto de vista

cuantitativo, debe considerarse primero el diagrama de bandas de energía del
sistema metal-óxido-semiconductor (MOS), como se muestra en la figura 5.

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Figura 5. Diagrama de bandas de energía del sistema de materiales MOS antes del
contacto

Al poner en contacto el metal, el óxido y el semiconductor, los niveles de Fermi

no se alinean debido a que el óxido impide el flujo de portadores de carga entre
el metal y el substrato. En los MOSFET modernos, el metal de la compuerta ha
sido reemplazado por silicio policristalino degenerado. En otras palabras, el
silicio policristalino ha sido dopado tan fuertemente, que su comportamiento se
aproxima al de un metal. Recuérdese aquí, que un semiconductor degenerado
es aquel en el cual el nivel de dopado es tan alto que el nivel de Fermi a menos
de 3kT de la banda de conducción (para dopado n) o de la banda de valencia
(para dopado p).

Debido al potencial de contacto de la banda MOS, es decir, la diferencia de

funciones de trabajo entre el material de la compuerta (metal o silicio
policristalino) y el substrato, el campo eléctrico resultante conlleva a una caída
de tensión en el óxido y en la superficie del semiconductor, la cual se
manifiesta en el diagrama de bandas como una deformación de bandas. El
potencial intrínseco de Fermi en la cercanía de la interfaz substrato-óxido se
conoce como potencial de superficie , y es la magnitud con la cual se describe
el comportamiento del MOSFET.

Desde el punto de vista de VGS y más exactamente del potencial de superficie

, se distinguen 4 regiones de operación:
• Acumulación
• Banda plana
• Agotamiento
• Inversión, en la cual se distinguen
– Inversión débil
– Inversión fuerte

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4.3.2.1. Región de acumulación

Si se aplica una tensión VGS en un transistor, tal que se atraen los portadores
mayoritarios del substrato a la región donde se formaría el canal, se obtiene la
condición conocida como acumulación. El canal no puede formarse y con ello
el transistor está apagado. Esto se muestra en la figura 6.

Figura 6. Diagrama de bandas de energía de un NMOS en acumulación

4.3.2.2. Región de banda plana

Para compensar la caída de tensión debido a la diferencia de funciones de

trabajo, debe aplicarse una cierta tensión de compuerta, conocida como
tensión de banda plana VFB (flat band voltage). Al aplicar este voltaje de
compuerta, la deformación de bandas desaparece. Este estado se conoce
como condición de banda plana (flat band condition) y se ilustra en la Figura 7.

La caída de tensión también se debe, en parte, a cargas parásitas en el óxido.

El voltaje de banda plana se calcula como:
Qox
VFB  M  S 
Cox
donde øm es la función de trabajo del material de la compuerta, øs es la función
de trabajo del substrato, Qox es la densidad de carga superficial de cargas
parásitas en el óxido (en general, en el aislante) y Cox´ es la capacitancia de
compuerta por unidad de área (F/ m2).

Figura 7. Diagrama de bandas de energía de un NMOS en banda plana

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4.3.2.3. Región de agotamiento

Al aumentar el voltaje de compuerta, se forma una zona de agotamiento en la

superficie del substrato cercana a la interfaz Si-SiO2. Al aumentar el voltaje de
compuerta, los huecos son repelidos de la superficie, lo cual se manifiesta en el
diagrama de bandas como un doblamiento de bandas en el que el nivel
intrínseco de Fermi se acerca al nivel de Fermi, como se muestra en la Figura
8. Para  S  B , el MOSFET se encuentra en la condición de acumulación.

Figura 8. Diagrama de bandas de energía de un NMOS en agotamiento

4.3.2.4. Región de inversión

Si el voltaje VGS continúa aumentando, el transistor entra en la condición de

inversión débil, en la que B   S  2B .

Una vez que el potencial de superficie ha alcanzado la condición  S  2B

se dice que el transistor está en la condición de inicio de la inversión fuerte.
Para  S  2B , el transistor está en la condición de inversión fuerte. En el
diagrama de bandas puede verse que en esta condición el nivel intrínseco de
Fermi en la cercanía de la superficie está ubicado debajo del nivel de Fermi.
Esto corresponde al diagrama de bandas de un material n, por lo que el
substrato, en la cercanía de la interfaz, se comporta como un material n. Esto
se ilustra en la Figura 9.

Por definición, la condición de inversión es aquel estado en el cual la

concentración de portadores minoritarios en la superficie del substrato iguala la
concentración de portadores mayoritarios del substrato.

Con creciente tensión de compuerta la concentración de electrones en la

superficie puede aumentar, pero la profundidad de la zona de agotamiento se
mantiene aproximadamente constante.

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Figura 9. Diagrama de bandas de energía de un NMOS en inversión

4.3.3 Tensión de umbral VTH

Por definición todos los voltajes del MOSFET toman como referencia la tensión
del surtidor. En términos generales, se define la tensión de umbral V TH como la
tensión entre compuerta y surtidor VGS necesaria para causar inversión de la
superficie del substrato, es decir, la formación del canal.

La tensión de umbral está determinada por las siguientes componentes:

1. El voltaje necesario para invertir la superficie (cambiando el potencial de
superficie), 2B
2. El voltaje necesario para compensar la carga de la zona de carga
QBO
COX 
espacial,

3. La diferencia de función de trabajo entre la compuerta y el substrato,

M  S
4. El voltaje necesario para compensar cargas parásitas en el óxido, así
QOX
COX 
como en la interfaz Si-SiO2,

Los componentes 3 y 4 fueron previamente contemplados al definir el voltaje de

banda plana VFB.

Matemáticamente, el voltaje de umbral se expresa como:

QBO QOX Q Q
VTH  VFB    M  S  2B  BO  OX
COX  COX  COX  COX 

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cuando el substrato y la fuente están conectados al mismo potencial, es decir

VBS=0.

4.4 Clasificación y simbología del MOSFET

El transistor MOSFET puede clasificarse de varias maneras, de acuerdo con:

• El tipo de canal, en PMOS (canal p, substrato n) y NMOS (canal n,
substrato p).
• El modo de operación, en transistor de enriquecimiento (normalmente
inactivo) y de empobrecimiento (normalmente activo).

El MOSFET de enriquecimiento es aquel en el cual el canal debe ser formado

aplicando una tensión de compuerta. Esto implica para un NMOS, una tensión
de umbral positiva, y para el PMOS, una tensión de umbral negativa.

Por el contrario, el MOSFET de empobrecimiento es aquel en el cual el canal

ya está formado, y se aplica una tensión de compuerta para remover el canal.
Esto implica, para NMOS una tensión de umbral negativa y para PMOS una
tensión de umbral positiva. Esto se ilustra en la Figura 10. La tensión de
umbral de un transistor puede ajustarse con un perfil de dopado especial en la
región del canal aplicando implantación iónica.

El MOSFET puede representarse con símbolos de tres o cuatro terminales. En

el símbolo de tres terminales, el substrato y el surtidor están conectados al
mismo potencial, razón por la cual no se muestra explícitamente la conexión el
substrato. En este símbolo, la flecha indica dirección de corriente técnica entre
drenador y surtidor. Si no se usan flechas, un círculo sin rellenar se añade a la
compuerta de los transistores PMOS. Estos símbolos se encuentran en la
Figura 11. El transistor de empobrecimiento se distingue por tener una línea
más gruesa entre drenador y surtidor.

Figura 10. Curvas características de entrada de los transistores NMOS y PMOS

de enriquecimiento y empobrecimiento

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Figura 11. Símbolos de tres terminales del transistor MOSFET

Por otra parte, el símbolo de cuatro terminales muestra explícitamente la

conexión del substrato. En este caso, la flecha en la terminal de substrato
apunta de la región P a la región N. Estos símbolos se encuentran en la Figura
12. El transistor de empobrecimiento se distingue por tener una línea más
continua entre drenador y surtidor.

Figura 12. Símbolos de cuatro terminales del transistor MOSFET

4.5 Curvas características del MOSFET

Para estudiar las curvas características del MOSFET es necesario definir

primero las dimensiones involucradas en las ecuaciones. Estas dimensiones
se muestran en la figura 13: el largo del canal L, el ancho del canal W y el
espesor del dieléctrico de compuerta (óxido) tox. Cuando se habla de
generaciones tecnológicas del MOSFET, la dimensión crítica F es, como una
primera aproximación, el valor del largo del canal L.

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Figura 13. Dimensiones importantes en un transistor MOSFET

Con base en la curva IV de salida del MOSFET, pueden distinguirse tres

importantes regiones de operación para aplicaciones analógicas, como se
muestra en la Figura 14:
• La región de corte
• La región lineal
• La región de saturación

Figura 14. Curva característica de salida del MOSFET

4.5.1 Región de corte

Cuando VGS  VTH , el MOSFET se encuentra operando en la región de corte o

subumbral. Aunque idealmente la corriente IDS es cero cuando el transistor está
en la región de corte, en realidad existe un flujo de corriente de fuga entre

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drenador y surtidor. Esta corriente se conoce como corriente de subumbral y

se calcula como sigue:

capacitancia de agotamiento.
Para VDS  4Vt , la corriente de subumbral puede aproximarse como sigue:
(VGS VTH )

I DS  I D 0 e mVt

La curva característica de entrada se muestra en la Figura 15. Esta misma

curva, pero ahora mostrando la región de subumbral, se muestra en la Figura
16. Un parámetro de gran importancia relacionado con la corriente de
subumbral es la llamada pendiente de subumbral S, que se define como:
1
 d (log I DS ) 
S   ln 10 Vt  m
 dVGS 

Figura 15. Curva característica de entrada del MOSFET

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S-1

Figura 16. Curva característica de entrada del MOSFET mostrando la región de

subumbral

La pendiente de subumbral S representa el cambio en VGS necesario para

obtener una variación de una década (un factor de 10) en IDS. Las unidades de
S son mV/ dec. S varía con la temperatura. Valores típicos de S a temperatura
ambiente (=300K) son de 80 a 85 mV/ dec. Por otra parte, S es
aproximadamente 100 mV/ dec a 100°C.

El valor ideal de S se obtiene al reducir la capacitancia de agotamiento a cero.

En este caso,
mV
S  ln10 Vt  m  ln 10 Vt 1  60
dec

con lo cual el valor ideal de S es de 60 mV/ dec.

4.5.2 Región lineal

En la región lineal el transistor se comporta como una resistencia (controlada),

como lo muestra la curva característica de salida (IDS vs VDS) de la figura 14.

En MOSFET opera en la región lineal en la condición

VGS  VTH  VDS , VGS  VTH

La ecuación que describe IDS en la región lineal es

El valor de la resistencia del MOSFET en la región lineal se obtiene con la

definición de resistencia:

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1
V  I 
R en este caso Rch   DS 
I  VDS 
donde Rch es la resistencia del MOSFET en la zona lineal y es llamada
resistencia de canal. Aplicando la definición anterior,
I DS
 K (VGS  VTH  VDS )
VDS
Por lo tanto:
1
Rch 
K (VGS  VTH  VDS )
lo cual para VDS  VDS sat puede aproximarse a:
1
Rch 
K (VGS  VTH )

4.5.3 Región de saturación

Por otra parte, en la región de saturación la corriente es, en el caso ideal,

independiente del voltaje, manteniendo un valor constante. Este
comportamiento corresponde al de una fuente de corriente. El paso de la
región lineal a la región de saturación está determinado por el voltaje de
saturación VDS sat:

VDS sat  VGS  VTH , VGS  VTH

El MOSFET se encuentra en la región de saturación cuando VDS VDSsat.

En la práctica, la modulación de ancho de canal se manifiesta como un

incremento de la corriente de drenador con valores crecientes de VDS. Este
comportamiento puede modelarse por medio de una fuente de corriente real.
La modulación de largo de canal consiste en el acortamiento del canal al
aumentar VDS, y dicho acortamiento disminuye la resistencia del canal,
aumentando la corriente del transistor.

Comparando el modelo de una fuente de corriente real y la ecuación de la

corriente de drenador en la región de saturación, se tiene:

El término independiente de VDS representa una fuente de corriente ideal,

mientras que el término dependiente de VDS representa una resistencia y

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permite modelar el efecto de largo de canal. En la ecuación, esto se manifiesta

en el término que contiene VDS y el coeficiente de modulación de largo de canal
. Como puede observarse en la ecuación, las unidades de  son V-1.
En el circuito equivalente de la figura 13, el efecto de modulación de largo de
1
canal está representado por la resistencia de salida rO  , con
 I DS sat
1
I DS sat  K (VGS  VTH ) 2 .
2

IDS
drenador
IDS – IDSsat IDS
IDSsat +
VDS -VDSsat
VDS – VDS sat ro

-
VDS
fuente
VDSsat
Figura 13. Modelo analógico en la región de saturación

4.6 Polarización del substrato

Puesto que el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales, debe

considerarse también la polarización del substrato. Como puede apreciarse en
la Figura 14, la presencia de las regiones de difusión en el substrato da origen
a diodos parásitos, los cuales deben mantenerse inactivos para operar el
transistor. Para ello, debe conectarse el substrato P en un NMOS al potencial
más bajo disponible en el circuito (por ejemplo, GND), y el substrato N en un
PMOS al potencial más alto disponible en el circuito (por ejemplo, VDD).

Figura 14. Diodos parásitos difusión-substrato

La Figura 15 muestra el diagrama de bandas de energía drenador-substrato-

surtidor de un transistor NMOS sin tensión aplicada y con el substrato
conectado al mismo potencial que el surtidor. Como se observa en la figura,

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existen barreras de energía (potencial de contacto) que impide el flujo de

portadores de carga.

Al aplicar una tensión VGS para lograr la inversión del substrato, el diagrama de
bandas de energía drenador-substrato-surtidor de un transistor NMOS se
modifica como se ilustra en la Figura 16. Como se observa en la figura, ahora
al aplicar una tensión VDS diferente de cero se posibilita el flujo de portadores
de carga. En este diagrama el substrato está conectado al mismo potencial
que el surtidor.

Figura 15. Diagrama de bandas drenador-substrato-surtidor de un transistor

NMOS sin tensión aplicada

Figura 16. Diagrama de bandas drenador-substrato-surtidor de un transistor

NMOS con tensión VGS positiva aplicada

Hasta ahora se ha estudiado el funcionamiento del MOSFET asumiendo que la

tensión del substrato es igual a la tensión de surtidor. Al aplicar una tensión
VBS  0 se altera la tensión de umbral del transistor. Si la tensión aplicada al
substrato favorece la inversión del substrato, la tensión de umbral disminuye.
Por el contrario, si la tensión aplicada al substrato favorece la acumulación, la
tensión de umbral aumenta. Esto se ilustra en las figuras 17 y 18,

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EL-2207 Elementos Activos 18

respectivamente. Esta alteración de la tensión de umbral se conoce como

efecto de cuerpo o efecto de substrato.

Figura 17. Diagrama de bandas drenador-substrato-surtidor de un transistor

NMOS con efecto de cuerpo disminuyendo la tensión de umbral

Figura 18 Diagrama de bandas drenador-substrato-surtidor de un transistor

NMOS con efecto de aumentando la tensión de umbral

La curva característica de entrada en la figura 19 muestra el efecto de cuerpo para

un transistor NMOS de enriquecimiento. El transistor opera en saturación. En este
caso, al tener una tensión VBS negativa, la tensión de umbral aumenta y la curva
característica se desplaza hacia la derecha, es decir, a valores más positivos de
VGS.

El voltaje de umbral tomando en cuenta el efecto de cuerpo se calcula como:

VTH VTH 0   ( 2B  VBS  2B )

Donde el factor  es el coeficiente de efecto de cuerpo (coeficiente de efecto de

substrato) y B es la diferencia entre el nivel de Fermi intrínseco y el nivel de Fermi
del substrato.

La permitividad del silicio Si es 11.70.

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EL-2207 Elementos Activos 19

2qN A si
 

Cox
 NA 
B  Vt  ln  
 ni 

Figura 19. Curva característica de entrada de un NMOS mostrando el efecto

de cuerpo

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