Cor9 10
Cor9 10
Cor9 10
La conductibilité σ intrinsèque d’un semi-conducteur est donnée par l’équation 9.57 du livre Des
Matériaux :
σ = n e eµ e + n t eµ t (9.57)
σ 8
ni = = = 8,32x10 20 m -3
e(µ e + µ t ) 1,602 x10 (0,04 + 0,02 )
−19
ni = 8,32x1020 m-3
La conductivité σ varie en fonction de la température selon l’équation 9.63 du livre Des Matériaux :
− Eg
σ = σ 0 exp
2kT
Si σT1 est la conductivité à 20 °C (T1 = 293 K) et σT2 est la conductivité à la température T2 cherchée, on
peut faire le rapport σT2/σT1 et prendre le logarithme de ce rapport :
σT − Eg 1 1
ln 2 = −
σT 2k T2 T1
1
−1
− 2k σ T 1
Donc : T2 = ln 2 +
E g σ T1 T1
T = 47 °C
Avec les valeurs données, on obtient ainsi la température cherchée (320 K):
La conduction extrinsèque σe (= 1000 S/m), qui est due aux électrons supplémentaires introduits par
l’azote, est bien supérieure à la conduction intrinsèque σi (= 8 S/m) du SiC. Dans l’équation 9.57 donnée ci-
dessus, on aura donc ne >> nt et l’équation 9.57 devient :
σ ≅ n e eµ e (9.57b)
σ
On en déduit donc le nombre d’électrons par unité de volume : ne =
eµ e
Comme un atome d’azote contribue d’un électron à la conduction, le nombre d’atomes d’azote N requis
par unité de volume sera égal à ne :
σ 1000 S/m
N = ne = = = 1,56x10 23 atomes/m 3
( −19
)(
2
eµ e 1,602 x10 C 0,04 m /V.s )
N = 1,56x1023 atomes/m3