RAZOUK COURS MASTER ENG-PHOTOV-Chap3
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STRUCTURE ELECTRONIQUE
DE LA MATIERE ET SEMI-
CONDUCTEURS
Une mole de 𝐶 a une masse de 12 x 10–3 kg, soit 12 g qui contiennent NA = 6,023 x 1023 atomes de carbone.
12 1 1
.
1 u.ma g
NA 12 NA
E m .c 2
ψ (x,y,z) est une fonction qui n’a pas de signification physique, sa seule signification est mathématique.
L’énergie des états stationnaires ne peut prendre que certaines valeurs discrètes. Les fonctions d’ondes
associées à la situation d’un électron sont donc quantifiés. On obtient mathématiquement des solutions que
par introduction de 3 paramètres (analogues aux cstes d’intégration), qui sont 3 nombres entiers nommés n, l,
m et appelés nombres quantiques.
• n, nombre quantique principal (défini la taille et l’énergie de l’orbitale), est un entier strictement positif :
n=1,2, 3, …
• l, nombre quantique secondaire ou azimuthal (qui défini ou mesure des angles et caractérise la géométrie
de l’orbitale), est un entier positif qui ne peut prendre que des valeurs strictement inférieures à n : 0 ≤ l ≤
n–1.
• m, nombre quantique magnétique, peut prendre que toutes les valeurs entières comprises entre –l et +l :
–l≤m≤ +l, pour une valeur de l donnée, il y a donc (2l +1) valeurs de m possibles. m traduit l’orientation de
ces orbitales.
Pour chaque jeu de paramètres n, m, l, on a une solution à l’équation de Schrödinger, donc une fonction
d’onde (une orbitale) n,l,m et une valeur propre de l’énergie 𝐸 .
L’électron, particule élémentaire chargée, possède un moment magnétique, d’où un quatrième nombre quantique,
dit nombre quantique de spin : s = +½ ou –½ (conséquence de la rotation de l’électron sur lui-même)
Tableau récapitulatif
b) Règles de remplissage
L’ordre d’occupation des OA est déduit du calcul. Cependant, il existe deux règles simples permettant de retrouver
l’ordre d’occupation qui conduit à la configuration électronique de l’état fondamental d’un atome.
La règle du (n + l) croissant : les sous-couches se remplissent par valeurs croissantes de (n + l) ; pour deux
valeurs égales c’est l’OA correspondant à la plus petite valeur de n qui se remplit en premier.
nk (r ) e unk (r )
ik .r
Avec :
unk (r) sont fonctions propres de l’opérateur H k associées aux énergies Enk de l’équation de Schrödinger :
H (r ) Enk nk (r )
k nk
k sont des vecteurs réels.
Figure 27 : Allure possible de la branche En k pour une direction
particulière dans l’espace réciproque
La bande de conduction est au-dessus, séparée de la bande de valence par une bande interdite.
La bande de conduction est La bande de conduction est vide La bande de conduction est vide
partiellement remplie. Le solide et le gap est grand (de l’ordre de mais le gap est plus faible (de
contient donc des électrons 10 eV par exemple). Le solide ne l’ordre de 1 eV). Le solide est donc
susceptibles de participer aux isolant à température nulle, mais
contient alors aucun électron
phénomènes de conduction, il une élévation de température
capable de participer à la permet de faire passer des
est conducteur.
conduction. Le solide est isolant. électrons de la bande de valence à
la bande de conduction. La
conductivité augmente avec la
température : c’est la
caractéristique d’un semi-
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conducteur.
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Occupation des états électroniques : Statistique de FERMI
L’état fondamental est l’état du système au zéro absolu. Qu’advient-il si la température augmente
1
f (En ,T ) ( En )
e kBT
1
Paul DIRAC
Cette distribution donne la probabilité qu’un niveau d’énergie En soit occupé, dans le cas d’un gaz électronique idéal
en équilibre thermique.
kB : la constante de Boltzmann
= EF : appelée potentiel chimique est une fonction de la température.
A T = 0K A T 0K
Généralement, il n’y a une différence qualitative entre un isolant et un semi-conducteur : ces matériaux ont une bande
de valence complète et une bande de conduction vide, et ce qui les différencie, c’est la largeur de la bande interdite
Eg.
Lorsque la bande interdite est de l’ordre de 1eV, on observe une certaine conductivité électrique à température
ambiante. Cette énergie, quoique beaucoup plus grande que l’énergie thermique moyenne (kBT 0,0258 eV à
température ambiante kBT Eg), est suffisamment basse pour permettre, statistiquement, à certains électrons de
passer dans la bande de conduction.
l’agitation thermique ;
aux impuretés ;
aux différents défauts du réseau ;
MS Eg (eV) MX Eg (eV)
ZnS 3,54 GaP 2,25
ZnSe 2,58 GaAs 1,43
ZnTe 2,26 GaSb 0,68
Pour 𝑻 > 𝟎 K, certains niveaux au-dessus du niveau de Fermi peuvent être occupés. L’énergie nécessaire pour que
les électrons y accèdent est fournie par l'agitation thermique. L'ordre de grandeur de l'énergie d'agitation thermique,
liée à la température T, en K, est 𝒌B𝑻.
avec 𝒌B , la constante de Boltzmann, qui vaut : kB=8,6.10-5 eV.K-1 ou kB=1, 380 62.10-23J.K-1
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Figure 29 : Semi-conducteur
intrinsèque à T 0 K
Lorsqu'un électron passe de la bande de valence à la bande de conduction, il laisse un trou dans la bande de valence.
On dit qu’il y a génération thermique d’une paire électron-trou.
n p nq n n pq p p
(n la densité volumique des e-, p la densité volumique des trous, n la
mobilité des e- et p la mobilité des trous).
D’où ni q n p
n i2
p 0 car ND>>ni.2
ND
N D qn
Il faut noter que non seulement le nombre des électrons a augmenté, mais le nombre de trou a diminué. En effet, le
grand nombre des électrons libérés par les donneurs augmente le taux de recombinaison des électrons avec les
trous.
Après avoir fourni son cinquième électron périphérique les atomes donneurs, deviennent des ions positifs et restent
fixes dans le réseau cristallin.
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IV.2. Semi-conducteur extrinsèque type P
Si l’on introduit, dans un réseau de silicium, une impureté trivalent ( 3 électrons, exemple : B, Al, Ga, In), les atomes
d’impuretés ne peuvent établir que trois liaisons covalentes avec les atomes de Si voisins. On dit qu’ils fournissent un
trou. Une très faible énergie sera nécessaire (de l’ordre de 0,01 eV) pour qu’un électron d’une liaison voisine combler
ce trou, avec apparition d’un nouveau trou, etc. on parle de dopage de type P.
Chaque atome d’impureté peut libérer un trou, d’où un accroissement important de la concentration en porteur positifs
par rapport au SC intrinsèque.
n i2
n 0 car NA>>ni.2
NA
N A q p
La densité d’e- par unité de volume dans les niveaux de la bande de conduction s’écrit :
3
1/ 2
1 2 mn 2
E E dE
n D '( E ) f ( E ,T ) dE
C
Ec 2 2 2 Ec ( E n E F )
e kBT
1
Cette formule s’applique à tous les cas de semi-conducteur, que le semi-conducteur soit intrinsèque ou non.
Si EC> EF ou EC- EF>> kBT le semi-conducteur est non dégénéré. Ces conditions sont valables pour tous
( E EF )
les cas f ( E ,T ) e kBT
3
( E F EC ) ( E EC )
1 2 mn 2
E E
1/ 2
n 2 2
e kBT
e kBT
dE
2 Ec C
h
EV E C
Alors : ni N C . N V exp
2 k BT
EF EC EV EF
NC exp NV exp
B
k T B
k T
NC EV 2 E F EC NC
exp EV EC 2 E F k B T ln
NV k B T V
N
EV EC k B T N C
D’où : E F ,i ln
2 2 NV
EV E C
Cas particulier : AT= 0 K EF
2
Type N Type P
( EF EC ) ( EF Ev )
n NC e kBT
ND p NV e k BT
NA
ND NV
E F EC k B T ln( ) E F EV k B T ln( )
NC NA
ND NV
E F ,e EC k B T ln( ) E F ,e EV k B T ln( )
NC NA
Type N :
( EF ,e EC ) ( EF ,e EV ) ( EF ,e EV EF ,e EC )
NC
on a : n >> p NC e kBT
NV e kBT
e kBT
NV
NC ( E F , e EV E F , e EC ) NC
ln 2 E F ,e ( EV EC ) k B T ln
V
N k BT V
N
( EV EC ) k B T N C
E F ,e ln
2 2 NV
alors : EF ,e EF ,i
Type P :
On montre de la même façon que : EF ,e EF ,i
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VI. Jonction PN
On dispose de deux barreaux semi-conducteurs. Le premier de type N est juxtaposé au seconde de type P. C’est la
frontière des deux matériaux que l’on met en place une jonction PN
Une charge d'espace statique négative se crée coté P et une charge d'espace statique positive se crée coté N. Le lieu
ou réside cette charge d'espace est appelé zone de charge d'espace (ZCE) ou zone de déplétion.
Un champ électrique interne 𝐸 apparait dans la zone ZCE dit champ électrique interne dirigé de N vers P
Une barrière de potentiel (d.d.p = VN - VP) pour les trous et les électrons est constituée dans la zone ZCE et décroît dans le sens
du champ électrique.
Appliquons une telle différence de potentiel aux borne de la jonction revient à superposer au champ électrique
interne 𝐸 , un champ 𝐸 dirigé suivant le potentiel décroissante, donc en sens inverse de 𝐸 .
Le champ électrique résultant 𝐸 est donc plus faible en module que 𝐸 .
P N
-V
Figure 35 : Abaissement de la barrière
de potentiel Vb = Vn - Vp
Vb
ZEC
Le nombre de porteurs majoritaires qui peuvent franchir la barrière de potentiel est considérablement augmente.
Le courant de diffusion devient prépondérant. Ce courant de diffusion est appelé courant direct Id.
Le champ électrique externe 𝐸 crée par le générateur s’oppose au champ interne 𝐸 . Dès que le champ 𝐸
dépasse le champ 𝐸 , un courant des majoritaires s’établit à travers la jonction PN.
Il existe pour une jonction PN une tension de seuil qui est caractéristique du matériau.
Si : Vs = 0,55 V
Ge Vs = 0,15 V
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VI.1.1. Polarisation inverse
Une jonction PN est dite en polarisation inverse si par l’intermédiaire d’un générateur extérieur, on porte l’extrémité de
la région N à un potentiel supérieur à celui de l’extrémité de la région P.
Le champ électrique externe 𝐸 crée par le générateur est de même sens que le champ interne 𝐸 .
Le champ électrique résultant 𝐸 a son module plus élevé que celui de 𝐸 .
P N
+V
ZEC
Le nombre de porteurs majoritaires qui peuvent franchir la barrière de potentiel est diminué.
Le courant de saturation devient prépondérant. Ce courant est appelé courant inverse Ii ou courant de fuite.
Courant dû à une circulation de porteurs minoritaires, il grade toujours une valeur très faible.
A température ambiante, ce courant est très faible ( 100 nA). Comme il dépend du nombre des minoritaire; il est
fonction de la température : pour le silicium, il est négligeable en dessous de 110 °C, mais il devient si important
au-dessus de 175 °C qu’il interdit le fonctionnement de la jonction en diode. Pour le Germanium le fonctionnement
est impossible au-dessus de 85°C.
qV
I I s . exp 1
K BT
Avec :
q = e : charge de l’électron (1,6.10-19C)
T : température absolue
KB : constante de Botzman (1,38.10-23J/K)
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En polarisation direct (V positif), le terme constant est très vite négligeable, et le
courant direct Id peut se mettre sous la forme :
qV
I d I s .exp
B
K T
Figure 37 : Jonction PN en
polarisation directe
Ii = Is Figure 38 : Jonction PN en
polarisation inverse
Remarque :
L’influence de la température est beaucoup plus sensible en polarisation inverse qu’en polarisation directe. Ceci
s’explique aisément par le fait que le courant inverse est essentiellement un courant de minoritaires dont la
concentration est fonction rapidement croissante de la température.
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VI.1.4. Claquage d’une jonction PN
Figure 39 : Jonction PN
avec tension inverse élevée
Le claquage n’est pas toujours destructeur, il est même exploité dans les diodes Zener
Les seuil de tension, pour lequel se produit le claquage, dépend essentiellement de dopage en impuretés du
semi-conducteur.
Plus le semi-conducteur est dopé, plus faible est le seuil de claquage de la jonction PN.