These Iaiche

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA

RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE LARBI BEN M’HIDI –OUM EL BOUAGHI

FACULTE DES SCIENCES EXACTES ET DES SCIENCES DE LA
NATURE ET DE LA VIE
DEPARTEMENT DES SCIENCES DE LA MATIERE
N° d’ordre :……..
Série :…….
Thèse
Présentée pour l’obtention du diplôme de

Doctorat en sciences
Spécialité : Physique
Option : Sciences des Matériaux
Thème :
E
Etude des couches minces ZnAl2O4, corrélation
élaboration-propriétés et application
Soutenue le : 27/04/2016
Par :
Sabrina IAICHE
Devant le jury composé de :
Président : R. GUEMINI Professeur Université Larbi Ben M’hidi - Oum El Bouaghi

Rapporteur : A. DJELLOUL Professeur Université Abbès Laghrour - Khenchela
Examinateur : M. ZAABAT Professeur Université Larbi Ben M’hidi – Oum El Bouaghi
Examinateur : N. ATTAF
AProfesseur Université Mentouri 1 - Constantine
mes Parents,
Examinateur : L. CHEKOUR Professeur Université Mentouri 1 - Constantine
Examinateur : C. BOUMAZA Professeur Université Abbès Laghrour - Khenchela
A mes parents,
A mon Epoux et mes Filles,
A ma famille et belle famille,
Et à tous ceux qui m’ont soutenu.

Remerciements
Mes Remerciements vont en premier lieu à ALLAH le tout Puissant pour la santé, la
volonté et la patience qu’il m’a donné le long de ses six ans.
J’exprime ma sincère reconnaissance à Monsieur le Professeur A. Djelloul de

m’avoir accueillie au sein de son laboratoire (LASPI2), d’avoir guidé ce travail et d’être
toujours présent par ses conseils et directifs. Merci pour votre efficacité et présence, je tiens
à vous renouveler mes remerciements de m’avoir encadré tout au long de cette thèse et
pour votre précieux soutien. Il m’est particulièrement agréable de remercier Monsieur le
Professeur N. Benali, directeur de notre laboratoire de recherche.
Je tiens également à remercier Monsieur R. Guemini Professeur à l’université

L’aarbi Ben M’hidi – Oum El Bouaghi d’avoir accepté de présider le jury de soutenance.
Je suis sensible à l’honneur que me feront Messieurs L. Chekour et N. Attaf

Professeurs à l’Université Mentouri 1 – Constantine et M. Zaabat Professeur à l’Université
L’arbi Ben M’hidi – Oum El Bouaghi en acceptant de participer au jury, je leurs adresse
mes vifs remerciements.
Ma gratitude va de même pour Monsieur C. Boumaza, Professeur à l’Université

Abbès Laghrour – Khenchela pour toute la sympathie et le dynamisme qu’il fait régner au
sein de notre équipe de recherche et d’avoir accepté de participer au jury.
Des immenses reconnaissances et remerciements vont du fond de mon cœur à

Messieurs A. Bouabelleou, M. S. Aida Professeurs aux Universités Mentouri 1 –
Constantine et K. Loucif Professeur à l’Université Ferhat Abbes – Sétif pour leur
générosité de donner et d’aider ainsi que de m’avoir toujours ouvert leurs laboratoires.
Qu’ils trouvent ici l’expression de ma profonde gratitude.
Ce travail à de plus bénéficier de l’attention de Monsieur le Professeur D.

Alamarguy, que je remercie le plus sincèrement possible pour les analyses de spectroscopie
électronique XPS faites au laboratoire de Génie Electronique de Paris. Merci pour votre
efficacité et professionnalisme. Une attention particulière et des vifs remerciements sont
adressés à Monsieur N. Kellil Attaché de recherche à l'UDES - Bou Ismail pour son aide et
disposition.
Je souhaite plus particulièrement remercier chaleureusement mes parents qui m’ont

toujours assisté affectivement et moralement, ainsi que Nabil pour sa sagesse et
compréhension et mes fillettes Imtinène et Nour Maya pour leur amour. Je ne peux oublier
mes chaleureux beaux-parents et belles sœurs Sabah, Moufida, Nassima, Samira, Ibtissem
et Hannou. A mes tendres et formidables Sœurs Sonia, Nedjoua et Doudou, Hichem,
Sofiane, Samir et Tarek pour leur présence. Et aux petits de la famille...
Je suis très heureuse de pouvoir remercier Monsieur Bekha Enseignant à
l’Université de Khenchela pour l’aide qu’il m’a apporté ainsi que Monsieur H’ssen. Mes
amies, Fouzia, Amel, Assia, Sonia, Dounia, Mériama, Chahrazed et Lilia- merci pour vos
contributions, Farida, Nassima, Saida et Fériel. Hayet, Amani, Fahima, Samia, Sana.
Merci pour vos soutiens et bien vaillance.
Que ceux qui ont contribué de près ou de loin à l’élaboration de ce travail se voit ici
remercier du temps et de l’attention qu’ils ont accordé.
Sommaire
Sommaire
Sommaire
Introduction générale 1
Chapitre I : Etude bibliographique

I.1 Les spinelles 4
I.1.1 Généralité 4
I.1.2 Spinelles en couches minces

5
I.2 Propriétés structurales de l’aluminate de zinc 6
I.2.1 Structure 6
I.2.2 Inversion de structure 10
I.3 Propriétés électriques de ZnAl2O4 13
I.4 Absorption optique de ZnAl2O4 15
I.5 Propriétés catalytiques de ZnAl2O4 18
I.6 Propriétés luminescentes et dopage de ZnAl2O4 22
I.7 Applications de ZnAl2O4 26
I.8 Dépôt de l’aluminate de zinc 27
I.8.1 Méthodes de dépôt de ZnAl2O4 27
I.8.2 Spray pyrolyse 31
I.8.2.a Principe et cinétiques impliquées dans le spray pyrolyse 32
I.8.2.b ZnAl2O4 préparé par le spray pyrolyse 33

I.8.2.c Processus impliqués dans le dépôt par spray pyrolyse 33
I.8.2.d Modèles de dépôt d’oxydes mixtes par spray pyrolyse 38
I.8.3 Contraintes dans les dépôts minces 40
I.9 Aperçu sur l’oxyde de zinc 42
Chapitre II : Techniques expérimentales

II.1 Elaboration des échantillons 45
II.1.1 Conditions de dépôt 45
II.1.1.1 Principe général du procédé spray 45
II.1.1.2 Montage expérimental de déposition 45
Sommaire
II.1.1.3 Préparations des solutions 46

II.1.1.4 La réalisation de la déposition de films 48
II.1.2 Substrat utilisé 49
II.1.2.1 Nettoyage des substrats 50
II.1.3 Traitements thermiques 50
II.2 Techniques de caractérisation 51
II.2.1 Diffraction des rayons 51
II.2.1.1 Introduction (les rayons X) 51
II.2.1.2 Méthodes de mesure 52
II.2.1.2.1 Principe de base de la mesure – Méthode des poudres 52
II.2.1.2.2 Diffractomètre Bragg-Brentano 53
II.2.1.2.3 Chambre Debye-Scherrer 54
II.2.1.2.4 Montages spécifiques 55
II.2.1.3 Recherche et sélection de phase 57
II.2.1.3.1 Signature caractéristique d’une phase 57
II.2.1.3.2 Analyse d’un échantillon inconnu 58
II.2.1.3.3 Problèmes d’identification 59
II.2.1.3.4 Bilan 62
II.2.1.4 Principes physiques de la diffraction 63
II.2.1.4.1 Diffusion des rayons X 63
II.2.1.4.2 Interférences des rayons X 64
II.2.1.4.3 Loi de Bragg 65
II.2.1.4.4 Repérage des pics : 2 ou d 69

II.2.1.4.5 Cristallites diffractant 69
II.2.1.4.6 Décalage de pics – mesure de contraintes et ajustement de paramètres 70
II.2.1.4.6.1 Zéro du goniomètre 70
II.2.1.4.6.2 Hauteur de l’échantillon 71
II.2.1.5 Mesure de contraintes 72
II.2.1.6 Diffractomètre utilisé 75
Sommaire
II.2.2 Spectroscopie d’absorption infra-rouge à transformée de Fourier (FTIR) 76

II.2.2.1 Modes de vibration 77
II.2.2.2 Condition d'obtention de pics 78
II.2.2.3 Interprétation d’un spectre 79

II.2.2. 4 Les informations utiles 82
II.2.2.5 Elaboration des pastilles 82

II.2.3 Microscopie électronique à balayage 83
II.2.3.1 Principe générale 84
II.2.3.1 Interaction électron-matière 86
II.2.5 Analyse thermique 89

II.2.5.1 TGA (Analyse ThermoGravimétrique) 90
II.2.5.2 DSC (Calorimétrie Différentielle à Balayage) 90
II.2.5.3 DTA et DSC (analyse thermique différentielle) 91
II.2.6 Spectrométrie de photoélectrons X (XPS) 91
II.2.6.1 Introduction 91
II.2.6.2 Principe 91
II.2.6.3 Signification 92
II.2.6.4 Description de l’analyse 92
II.2.6.5 Résultats obtenus 93
II.2.7 Spectroscopie UV-visible 94
Chapitre III Résultats et discussion

Partie 1
III.1 Synthèse de ZnAl2O4 par les sels de nitrates 96
III.1.1 Rapport molaire égal à 1/2 96
III.1.1.1 Etude en fonction de la température de recuit 96
Ts = 530°C
III.1.1.2 Etude en fonction de la température de chauffage du substrat 99
Conclusion de la partie III.1.1 108
III.1.2 Rapport molaire 1 108
Sommaire
III.1.2.1 Etude en fonction de la température de recuit 108

Ts = 530°C 108
Conclusion de la partie III.1.2 109
Partie 2
III.2 Synthèse de ZnAl2O4 à partir du sulfate d’aluminium et chlorure de zinc hydraté 115
III.2.1 Décomposition thermique de Al2(SO4)3.14H2O et Al2(SO4)3.18H2O 115
III.2.1.1 Analyse thermogravimétrique et thermique différentielle (TG-DTG) 115
III.2.1.2 Analyse par diffraction des rayons X (DRX) et par spectroscopie infrarouge à
transformée de Fourrier (FTIR) 118
III.2.2 Dépôt et étude de l’oxyde ZnAl2O4 et système ZnO/ ZnAl2O4 124
III.2.2.1 Effet des concentrations des précurseurs 124
III.2.2.2 Effet de la température de chauffage du substrat 135
III.2.2.3 Effet de la température de recuit 137
III.2.2.4 Effet de la température de calcination du précurseur 145
III.2.2.5 Effet du volume du solvant 147
Conclusion de la partie III.2 149
Partie 3
III.3 Dépôt des couches minces à partir de l’acétate de zinc et d’aluminium 151
III.3.1 Effet de la température du recuit sur la nature cristalline des phases et la

morphologie 151
III.3.2 Propriétés structurales et micro-contraintes des dépôts 165
III.3.3 Propriété optique des dépôts 174
III.3.3.1 Traitement des spectres de transmission UV/visible 174
III.3.3.2 Modèle optique 174
III.3.3.3 Propriétés optiques des films minces ZnO/ZnAl2O4 178

III.3.3.4 Détermination de l'indice de réfraction et le gap optique 182
Conclusion de la partie 3 187

Conclusion générale 189
Références 194
Introduction
générale
Introduction générale
L’idée principale de départ de ce travail de thèse consistait en la synthèse d’un

oxyde complexe de type spinelle en couches minces par voie chimique susceptible de
présenter des propriétés optiques adéquates à l’emploi technologique, à caractériser ses
propriétés physico-chimiques ainsi que son organisation structurale. La maîtrise des
différents paramètres entrants dans le procédé d’élaboration (température du substrat, choix
des précurseurs, températures de recuits thermiques …etc.) nous a directement mis face à la
compréhension des phénomènes physico-chimiques menant aux dépôts finaux. Notre
démarche s’est ensuite développée à corréler les conditions relatifs aux modes préparatoires
et propriétés finales, de contrôler la reproductibilité des expériences et de vérifier la
stabilité thermo-structurale des différentes phases et oxydes présents au cours de
l’élaboration.
Le choix de notre composé d’étude s’est porté sur l’aluminate de zinc connu par la
formule chimique ZnAl2O4, faisant parti de la famille des oxydes de métaux de transition
qui possèdent d’intéressantes propriétés optiques, électriques, catalytiques et luminescentes.
En couches minces, ces derniers trouvent des applications dans de nombreux dispositifs
optoélectronique [1], dans les écrans plats électroluminescents et panneaux d'affichage
couleur à écran plasma qui émettent les trois couleurs ou radiations de base (bleu, vert et
rouge) lors de leurs fonctionnement. ZnAl2O4 est également d’un grand intérêt
technologique grâce à sa combinaison de propriétés désirables ; notamment une résistance
mécanique et une stabilité thermique élevées, une faible température de frittage et de
surface d’acidité, son hydrophobicité ainsi qu’une meilleure diffusion [2, 3]. Cette richesse
en caractéristiques lui ouvre un grand champ d’utilisation comme, matériau de haute
température, catalyseur, support de catalyseur, pigments céramiques et revêtement de
contrôle optique et thermique pour engins spatiaux [4, 5]. Les films de ZnAl2O4 peuvent
être utiles pour la protection contre la corrosion à haute température par l’amélioration de la
résistance à la corrosion des substrats métalliques. Activés avec les ions de lanthanides ou
de métaux de transition, les phosphores ZnAl2O4 peuvent représenter d’excellents
dispositifs fluorescents grâce à leurs propriétés luminescentes uniques résultantes de leurs
stabilité chimique et thermique ainsi que leurs hauts rendements d’émission quantiques [6,
7]. Très récemment, des résultats suggèrent que l’aluminate de zinc nano-structuré en
1
dépôts minces ou en poudre a un grand potentiel d’être utilisé comme un biomatériau ; dans
les implants dentaires, les cavités orales et dans le domaine de l’ingénierie des tissus (de
types individuels) par les applications médicales de substitutions [8].
L’activité photo-catalytique des catalyseurs dépend énormément du comportement de

l’adsorption et l’efficacité de séparation des pairs e- et h+. Le couplage entre l’oxyde de zinc
(ZnO), qui est considéré comme un excellent photo-catalyseur pour la dégradation des
polluants organiques et inorganiques ainsi que les déchets dangereux dans l’eau et l’air (due
à sa photo-sensitivité, non-toxicité et ses valeurs de gap optique direct 3,2 eV et indirect
2,45 eV), avec un second semi-conducteur non-sensitive de large bande interdite a prouvé
que c’était une méthode efficace pour améliorer leurs activités photo-catalytiques. En
particulier le mélange entre la structure de bande interdite de ZnO et ZnAl2O4 (Eg = 3,8 eV)
assure l’efficacité de séparation des pairs e- et h+ photo-générées. Le système ZnO/ZnAl2O4
est utilisé comme catalyseur, senseurs de gaz polluants, toxiques et combustibles, support
adsorbant pour la remédiation environnementale et la dégradation des déchets des
matériaux biologiques, dans la dé-colorisation des polluants textiles ; tels que le méthyle
orange (MO) et le bleu de méthylène (MB) sous irradiations UV où le mélange d’oxydes
exhibe une meilleure performance catalytique que le ZnO seul.
Un des problèmes majeurs au cours de la synthèse des oxydes ternaires spinelles

complexes, en particulier l’aluminate de zinc, est le comportement complexe de
dissolution-précipitation et de transformation en raison duquel les paramètres de traitement,
y compris la température et le temps de réaction, le choix et la concentration en précurseurs
doivent être bien contrôlées. La seconde complexité en est la taille-allure des particules
obtenues lors de l’élaboration et leur étroite relation avec les différentes propriétés physico-
chimiques étudiées. L’aluminate de zinc ou le système d’oxydes ZnO/ZnAl 2O4 sont un
matériau et un mélange stables à haute température très délicats à synthétiser.
Le manuscrit de cette thèse comporte trois chapitres ; le premier est relatif à une
synthèse bibliographique sur l’aluminate de zinc, la structure cristalline du ZnAl2O4, ces
propriétés physiques et ses principales applications ainsi qu’un aperçu sur les différentes
méthodes de synthèse du spinelle de zinc en poudres ou en couches minces, leurs
conditions de préparation et précurseurs de départ notamment par la voie de spray pyrolyse
ultrasonique (USP).
2
Le deuxième chapitre présente, dans une première partie, les conditions de
préparation des composites et couches minces de l’oxyde ZnAl2O4 et les différentes étapes
de dépôt et dans une seconde partie il dresse les différentes techniques utilisées pour la
caractérisation de nos produits de dépôts par spray pyrolyse.
Le troisième chapitre aborde en détails, les résultats de dépôt des différents

spécimens menant à la formation de la phase spinelle et le système d’oxydes mixtes
ZnO/ZnAl2O4, l’évolution de leurs natures cristallines en fonction de la température de
substrat et du recuit thermique ainsi que la composition des solutions de départ pour les
différents processus de préparation par la technique USP. Les mécanismes de formation du
spinelle de zinc sont également explicités dans cette partie du manuscrit.
Un accent est porté sur le développent d’un nouveau processus de synthèse de l’oxyde
ternaire ZnAl2O4 en phase unique et en mélange de phases avec l’oxyde de zinc, soit le
système ZnO/ZnAl2O4, en utilisant un nouveau précurseur du métal d’aluminium. La
nouvelle source des ions d’Al est un produit intermédiaire formé lors de la calcination du
sel de sulfate d’aluminium hydraté (alun) [Al2(SO4)3.18H2O] avant la production des
alumines de transition et de l’oxyde d’aluminium le plus stable - Al2O3. Une étude
détaillée de la décomposition thermochimique des hydrates de sulfate d’aluminium
[Al2(SO4)3.14H2O] et [Al2(SO4)3.18H2O] est développée dans ce chapitre par spectroscopie
infrarouge à transformer de Fourier et diffraction de rayons X ainsi que les analyses
thermiques différentielles et thermogravimétrique. Les résultats relatifs à ses études
thermochimiques apportés au sein de cette thèse confirment la présence du sulfate de
l’oxyde d’aluminium Al2O(SO4)2 comme produit de la décomposition thermique de l’alun
solide mère. Les conditions d’obtention du sulfate d’alumoxane ; en terme de température
et de temps de calcination sont également reportées.
Nous terminons ce manuscrit par une conclusion dans laquelle nous dégageons
l’ensemble des résultats significatifs que nous avons obtenus durant ce parcours de thèse.
Les perspectives envisageables pour l’application de notre matériau ou pour le nouveau
précurseur employé dans ce travail sont suggérées à la fin du manuscrit.
3
Chapitre I
Etude bibliographique
Chapitre I Etude bibliographique
Ce chapitre introductif se propose d’établir un aperçu sur l’état des connaissances
de l’aluminate de zinc. Après une présentation de notre oxyde et de ses quelques-unes de
ses différentes propriétés notamment structurales et des nombreuses applications qui en
découlent, nous portons notre attention sur les méthodes d’élaboration, parmi les plus
utilisées, pour l’obtention de ce matériau sous forme de couches minces ou de poudre. Nous
développerons ensuite le procédé de dépôt par spray ultrasonique, qui sera utilisé
ultérieurement pour réaliser les échantillons dont repose notre étude. Nous dresserons enfin
une revue sur les types de contraintes pouvant exister dans les films minces ainsi qu’un
aperçu sur l’oxyde de zinc et ses principales caractéristiques.
I.1 Spinelles
I.1.1 Généralités
L’aluminate de zinc (ZnAl2O4), une espèce minérale d’origine naturelle connue sous le nom
commun de la gahnite (d’après Johan Gottlieb Gahn 1745-1818, minéralogiste suédois) ou
également le spinelle de zinc, est un membre de la famille des spinelles. Le groupe des spinelles est
composé d'oxydes doubles répondant à la formule générale MO(M′2O3) ou MM′2O4. Le métal
bivalent M peut être Mg, Fe, Zn, Mn, Co, Ni, et le métal trivalent M′ Al, Fe, Cr, V, Ga, In. Par
ailleurs, des métaux quadrivalents peuvent entrer dans la composition des spinelles naturels tels que
Ti et Ge. Une grande variété de composition existe dans la nature ; les remplacements
isomorphiques sont nombreux, mais les ions bivalents à grand rayon ionique tels que Ca, Ba, Sr, Pb
et les ions monovalents Na et K n'entrent pas en tant que constituants majeurs dans la composition
de ces minéraux. On divise le groupe des spinelles naturels en trois séries d'après la nature de
l'élément trivalent : spinelles alumineux, spinelles ferrifères, spinelles chromifères. Les spinelles
se rencontrent fréquemment comme minéral accessoire dans les roches plutoniques,
métamorphiques et volcaniques, et également comme minéral détritique, dans de nombreux
sédiments. Les minéraux du groupe du spinelle sont parmi des oxydes minéraux les plus
importants et représentent une source notable de métaux pour l’industrie extractive. Il
existe de nombreuses solutions solides entre ces composés, dont certains sont très rares
dans la nature, néanmoins un grand nombre de représentants ont été préparés
synthétiquement et les travaux ne cesses d’avancer sur les solutions solides et leurs
domaines de stabilité en fonction de la température et autres paramètres. L’avantage
principal de trouver ou former les solutions solides est que leurs propriétés physiques
changent d’une façon continue avec la composition. Les oxydes spinelles représentent un
4
très grand groupe de matériaux apparentés structurellement [8]. La plupart sont cubiques,
de structure basée sur l’empilement 3C et les deux types de cavités, octaédrique et
tétraédrique, sont occupés à la fois, mais partiellement. Du point de vue structural, les ions
oxygène forment très approximativement un assemblage du type cubique compact à faces
centrées, les cations occupant des sites octaédriques et tétraédriques de ces assemblages.
Cette particularité de la structure explique des propriétés telles que l’isotropie optique,
l’absence de clivage, les propriétés magnétiques et électriques [9, 10]. En raison de leurs
caractéristiques chimiques et leur résistance à l’irradiation, Les composés à structure
spinelle sont de bons candidats comme matrice de stockage et incinération pour les
actinides mineurs (Curium, par exemple). Or, les céramiques sont des matériaux complexes
vis-à-vis de leur comportement sous irradiation. D’un point de vue fondamental, les
structures spinelles constituent un bon système pour analyser la richesse des interactions
ions covalentes présentes dans les céramiques et due à l’influence de la chimie des éléments
qui les composent tout en conservant des polyèdres de coordination et des topologies
simples [11]. On distingue les spinelles « normaux » (N) des spinelles « inverses » (I),
selon que les deux cations trivalent occupent deux octaèdres ou bien un octaèdre et un
tétraèdre – le cation bivalent allant alors dans la cavité laissée libre par le cation trivalent.
En général, les oxydes sont la base de plusieurs matériaux fonctionnels et intelligents
‘smart’. La synthèse et la fabrication de dispositifs en utilisant les oxydes fonctionnels ont
récemment attiré beaucoup d'attention parce que les propriétés physiques de ces matériaux
peuvent être réglées. En effet, par la variation du rapport des cations aux anions ou le
dopage avec des atomes d'impuretés, les propriétés électriques, optiques, magnétiques et
chimiques peuvent être modérées [12].
I.1.2 Spinelles en couches minces (revêtements)
Les revêtements spinelles ont bénéficiés d’une attention significative ces dernières
années en vue de leurs remarquables propriétés magnétiques, réfractaires, semi-
conductrices et catalytiques [13, 14]. Dépendant sur le choix des cations M et M′ ainsi que
leurs rapports, les spinelles peuvent être de bons conducteurs électroniques présentant un bon
rapport du coefficient de dilatation thermique (CTE) avec le substrat. La pertinence de différentes
compositions de spinelles pour l’application comme couches à potentiel conducteur/protecteur
notamment pour les interconnections en acier inoxydable a été évaluer par plusieurs recherches
5
[14]. On entend dire par ces compositions, une variétés de spinelles incluant NiCr2O4,
MnCr2O4 et CoCr2O4 contenant l’élément de Cr qui ont une excellente capacité à absorber les
espèces de Cr, qui migrent des échelles de plus fortes concentrations vers la surface, et dont
les deux premiers possèdent une résistivité électronique inférieure à celle du chrome.
L’addition des éléments réactifs et leurs oxydes (REOs) aux spinelles peut inhiber et
réduire considérablement le taux d’oxydation. En effet, d’amples observations
expérimentales montrent que l’ajout de faibles quantités d’éléments réactifs (par exemple,
Y, La, Hf, etc.) ou leurs oxydes sous la forme de particules dispersées réduit efficacement
le taux d’oxydation à haute température et améliore grandement l’adhérence de l’oxyde au
métal pour l’alumine et les composés de chrome [15, 16]. Les mécanismes par lesquels les
(REOs) améliore la résistance à l’oxydation ne sont pas encore pleinement compris.
Néanmoins, il a été démontré que les impuretés, surtout le soufre, dans les alliages tend à
ségréger à l’échelle de l’interface métal-oxyde et affecte l’échelle de l’adhésion du métal.
Les éléments réactifs forment des composés réfractaires stables avec S et empêchent sa
migration et ségrégation inter-faciale. En outre, les ions des éléments réactifs, qui ont une
grande affinité avec l’oxygène migrent à travers les joints de grains à la surface où l’activité
de l’oxygène est plus élevée. Au cours de leurs migration à travers les joins de grains
d’oxyde, relativement les gros ions réactifs ségréguent aux joint de grains de l’oxyde, où ils
bloquent les voies de diffusion des courts circuits pour la migration de cations formants les
oxydes (exemple ; Cr). Inhiber la migration des cations vers l’extérieur, alors, empêche
l’injection de lacunes dans l’interface et la nucléation des cavités interfaciales.
Les procédés de revêtement pour les spinelles par suspension incluant le spray et la
pulvérisation par plasma ont été les principales méthodes au cours de ces dernières années.
Récemment, l’électrodéposition de métaux suivie par le traitement thermique/oxydation a
été considéré comme une nouvelle technique pour les films spinelles. L’adhérence des
couches aux substrats, la difficulté à synthétiser de fines et homogènes poudres spinelles et
la porosité du revêtement sont des problèmes lors de l’utilisation des techniques de
projection et spray par plasma.
I.2 Propriétés structurales de l’aluminate de zinc

I.2.1 Structure
6
Le spinelle normal ZnAl2O4 est un exemple typique, de la formule générale
(A)[B]2O4, où A et B sont des ions divalents et trivalents, respectivement. L’aluminate de
zinc se cristallise dans le système cubique, dans l’espace de groupe Fd3m. La maille
unitaire de la structure cristalline spinelle comporte 32 anions O2- disposée en un sous-
réseau de bravais cubique à faces centrées (cfc). A l’intérieur de ce réseau d’anions, les
cations ont 64 interstices sites tétraédriques (A) et 32 octaédriques [B], dont 8 sites
tétraédriques et 16 octaédriques seulement sont occupés par les cations A2+ et B3+,
respectivement [17-20]. Les choix conventionnels pour l’origine de la maille unitaire dans
les spinelles sont soit à la position du site de cation-A ou bien à celle de lacune octaédrique
reportés par Sickafus et al. (1999) [21], c’est la plus petite maille cubique multiple qui peut
décrire la structure. Elle contient 8 groupes formulaires de type AB2O4. Puisque la maille
unitaire est une maille rhomboédrique contenant deux groupes AB2O4 et elle n’est pas
commode pour décrire la structure [18]. La figure 1.1 représente la maille élémentaire de la
structure spinelle de paramètre a divisée, selon son paramètre, en 8 cubes appelés octants
d’arêtes a/2. Les anions oxygènes sont positionnés de la même manière dans tous les
octants : ils forment les sommets d’un tétraèdre inscrit dans un cube d’arête 𝑎√3⁄4 le long
de la direction [111]. Les sites B occupés se situent dans un octant sur deux. Comme les
atomes d’oxygène, sont situés au quart de la diagonale de l’octant en partant de quatre des
huit sommets de l’octant. Ils forment un tétraèdre inscrit dans un cube d’arête a/4. Les
petits cubes sont également contenus dans la partie arrière de la maille unitaire de la
figure.1.1. La structure spinelle peut être formuler chimiquement par : (A2+)[B3+]2O4,
AB2O4 ou AO.B2O3. En général, la taille relative des cations, les énergies de Madelung
calculées à partir de l'énergie du réseau cristallin et la stabilité du champ de ligand pour les
cations de métaux de transition déterminent la structure cristalline des composés de spinelle
[22].
Les coordonnées des anions d’oxygène à chaque équipoint ne sont pas spéciaux : ils
varient en fonction d’un seul paramètre, le paramètre de position d’anions, u. Selon le
rapport de rayon atomique des cations A/B, le sous-réseau d’anions se dilate ou se contracte
en faisant varier u jusqu’à ce que le volume des cavités tétraédriques et octaédriques
correspond au rayon des cations constitutifs. Comme u augmente de sa valeur idéale, les
anions se déplacent le long de la direction [111] à partir des tétraèdres vers les cubes
contenant des sites B occupés (coordonnées de cations tétraédriques), ce qui augmente le
7
Fig.1.1 Schéma de la maille élémentaire de la structure spinelle AB2O4

(ou ZnAl2O4)
volume de chaque site tétraédrique, alors que les sites octaédriques deviennent de façon
correspondante plus petits. Pour un arrangement parfait cubique à faces centrées, la valeur
du paramètre d’anions vaut u=3/8 si l’origine de la maille unitaire est pris sur un site de
cation-A ou égal à u=1/4 si l’origine est aux coordonnées octaédriques (0,125, 0,125,
0,125) [17]. La figure 1.2 de deux octants adjacents montre le paramètre d’anion u et les
positions des anions et cations dans la maille élémentaire. La position idéale des anions
n’est jamais presque réalisée, et la valeur de u pour la majorité des spinelles connus est
située entre 0,375 et 0,385 [18]. Les distances entre les cations de métal (Zn, Al) en sites
tétraédriques et octaédriques et les anions de l’oxygène pour la gahnite pure, non dopée,
(M-O) sont égales à 1,953 et 1,913 (Å), respectivement.
La représentation en trois dimensions 3D de la structure spinelle AB2O4 est illustrée sur la
figure 1.3. Les tétraèdres partagent des sommets avec les octaèdres alors que les octaèdres
partagent des arêtes entre eux. Les tétraèdres, sites de coordinance [4], occupent les
interstices, figure 1.4. Les octaèdres sont liés entre eux par des arêtes et forment des chaines
alors que les tétraèdres sont isolés les uns des autres. La figure 1.5. est une vue en fil des
sites de coordinance [6], soit les octaèdres. Des rubans d’octaèdres formants des
empilements croisés et décalés entre une couche et la suivante sont montrés sur cette figure.
8
Fig.1.2 Deux cubes adjacents de la maille élémentaire de la structure spinelle AB2O4

et le paramètre d’anion u
En général, la taille relative des cations, les énergies de Madelung calculées à partir de
l'énergie du réseau cristallin et la stabilité du champ de ligand pour les cations de métaux de
transition déterminent la structure cristalline des composés de spinelle [23].
Les tableaux 1.1 et 1.2 regroupent les propriétés cristallines et physico-chimiques de
ZnAl2O4. Le tableau 1.3 liste les abréviations du tableau 1.3.
Nom Composition Structur Groupe Z Cl d Maille

e d’espace
Chimique
2,438  = 99°
Gahnit ZnAl2O4 8
e Cubique Fd3m 2,861 4,60 8,062 Å  = 60°30`
1,429  = 88° 30`
Tableau 1.1 Propriétés cristallines de ZnAl2O4 [24]
Nom Composition Masse Densité Conductivité Coefficient Solubilité Forme

moléculaire électrique de dilatation cristalline,
Chimique ou masse thermique (g100cm3) propriétés
(g/mol) volumique  (S cm-1) (CTE)
et et indice de
synonymes (g/cm3)  (10-6°C-1) réfraction n
eau eau autres
9
chaude froide solvants
cub, vert ; 1,790

Aluminate ZnAl2O4 10E-6 8,7 i i s a, alc,
183,34 4,58
a acét
Tableau 1.2 Constantes physico-chimiques de l’aluminate de zinc [24]
Abréviation Signification
a acide
acét acétique
alc alcool
cub cubique
i insoluble
s soluble
m. n. minéral nature
Tableau 1.3 Liste des abréviations
I.2.2 Inversion de structure
Les spinelles peuvent démontrés un certain degré de désordre de cations que

Verwey et Heilmann (1947) ont décrit en introduisant un paramètre d’inversion,  [22]. Ce
paramètre est défini en tant que la fraction des cations trivalents du métal B3+ aux cations
des sites octaédriques (ou bien la fraction de cations divalents métalliques A2+ sur les sites
cationiques octaédriques). De cette façon, la formule développée pour les spinelles peut
s’écrire comme IV
[A1-B]VI[A2-B]O4 avec 0    1. Dans les composés où les cations
montrent des préférences fortes du site, les spinelles peuvent présenter deux configurations
ordonnées, l'état normal, avec  = 0, et l'état inverse,  = 1 [23, 25]. Inversement, lorsque la
différence d'énergie du site n’est pas trop grande, la distribution de cations exhibe un
désordre partiel avec des valeurs intermédiaires de  [25].
O’Neill et Dollase (1994) ont réalisés une étude structurale détaillée de l’aluminate de zinc
sous, forme de poudre, recuit dans la gamme de température allant de 700 à 1400°C et
10
refroidi rapidement dans l’eau [26]. Il a été constaté que le paramètre de la maille
élémentaire a a connu une légère augmentation et le paramètre de positionnement de
l’oxygène a diminué un peu suite au recuit, ce qui a entrainé une légère augmentation du
paramètre d’inversion  entre 0,01 et 0,06 en fonction de la température de recuit. Aussi le
paramètre cristallin de la maille unitaire de la poudre recuite à 1200°C a été trouvé égal, au
sein de l’écart-type standard, au paramètre de la maille de l’échantillon monocristallin
recuit à la même température. A partir de ces investigations, il a été conclu que la gahnite
possède en général une structure spinelle normale indépendamment de la température [17,
Fig.1.3 Structure spinelle, ZnAl2O4 représentation en 3D
Fig.1.4 Sites tétraédriques des cations (en vert) Zn2+ dans ZnAl2O4 vue en 3D
11
Fig.1.5 Sites octaédriques des cations (en rouge) Al3+ dans ZnAl2O4 vue en 3D
26]. Le tableau 1.4 inclut le taux d’inversion des cations dans l’aluminate de zinc non
déformé et d’autres spinelles avec différents métaux de transition obtenu par voie solide.
D’après ces données qui indiquent la fraction de cation A2+ occupant des sites octaédriques,
 = 0 indiquant que ZnAl2O4 est un spinelle de type normal ou direct [19]. D’autre part,
ZnAl2O4 est reporté comme étant une structure spinelle normale parfaite ou qui se cristallise
dans cette structure près normale avec moins de 1% de désordre cationique [23, 27, 28].
Kashii et al. ont étudié les cinétiques de la réaction d’échange de site des cations Al 3+ entre
les sites tétraédriques et octaédriques dans les spinelles MgAl2O4 et ZnAl2O4 en poudre
naturelle et synthétique [23]. Dans le spinelle ZnAl2O4, les auteurs rapportent que le degré
de désordre de cations observé et sa variation avec la température sont assez petits, ce qui
est cohérent avec des mesures thermodynamiques précédentes, en revanche le mécanisme
d'échange de cations est encore mal connu [23].
B3+ A2+
Zn2+ Mn2+ Fe2+ Co2+ Ni2+ Cu2+ Mg2+
Al3+ 0 0,3 0 0 0,75 0,4 0
Cr3+ 0 0 0 0 0 0 0
12
Fe3+ 0 0,2 0,2 1 1 1 0,9
Mn3+ 0 0 0,67 0 1 0 0
Co3+ - - 0 0 - - -
Tableau 1.4 Distributions des cations dans un réseau de type spinelle (A2+)[B3+]2O4 :
les valeurs indiquent la fraction de cation A2+ occupant des sites octaédriques
Parmi les principaux facteurs qui influencent l’inversion de cations, on note :
- La température
- Les rayons atomiques des cations
- La charge des cations
- La contribution électrostatique à l’énergie du réseau
- Et les effets du champ cristallin
Le dopage de la gahnite peut provoquer une augmentation non uniforme du paramètre de la
maille unitaire. Par exemple, le dopage par le cobalt induit la structure spinelle inverse à
seulement 4% de Co, et le paramètre d’inversion augmente avec le taux de dopage de Co2+.
De plus, les distances Métal-oxyde dans les octaèdres (Al, Co)O6 ont une influence
dominante sur le paramètre de maille de la gahnite dopée-Co [17]. Les résultats de
Basavaraju et al. basés sur l’affinement de spectres DRX et de spectroscopie d’absorption
de rayons X (XANES), X-ray absorption near edge structure (XANES) spectroscopy,
reportent que ; varier l'occupation des sites pour le composé AZ n’a donné aucune allusion
d’inversion cationique [28]. L’affinement Rietveld sur le composé ZnAl2O4 : Cr3+ s’est
effectué seulement avec le modèle de la structure spinelle normale, la tentative d’adapter
également le modèle de spinelle inverse a donné des occupations non physiques. Il a été
également observé que l’AZ présente des distances de liaison Al-O (DRX) et Cr-O
(EXAFS) similaires n’indiquant aucune déformation visible dans l’environnement local des
ions Cr3+. Dans la même étude, l’affinement Rietveld a abouti à ~45% d’inversion de site
cationique dans le spinelle MgGa2O4 : Cr3+ tandis que l'occupation cationique n'a pas varié
pour ZnGa2O4 : Cr3+.
I.3 Propriétés électriques de ZnAl2O4
13
Le désordre dans la configuration électronique est responsable de l’existence des
états électroniques localisés à l’intérieur du matériau. Parce que les porteurs de charges sont
localisés, la technique employant le courant alternatif est souvent utilisée pour sonder leurs
comportements et la conductivité a. c. est alors mesurer [29]. Muhammad Abdul Jamel et
al. ont étudiés la conductivité de nanoparticules d’aluminate de zinc dans un intervalle de
température entre 30 et 120°C [30]. A toutes les températures, la conductivité a. c. de
ZnAl2O4 devient plus importante avec l’augmentation de la fréquence. Dans un matériau
diélectrique, il n’y a pas de porteurs de charges libres et, par conséquent, il ne peut y avoir
de conduction de courant continu (d. c. conduction) par le moyen de la mobilité des charges
libres. La conduction d. c. est à travers un mécanisme de saut entre des charges entre des
états électroniques bien définis. Dans lequel, les électrons subissent des sauts d’un site à
l’autre entre états liés. La mécanique de saut est supportée par l’augmentation de la
fréquence et la conductivité a. c. augmente à des fréquences plus élevées.
Même si le matériau est diélectriquement idéal et n’a pas de porteurs de charges
libres, il peut contenir une petite concentration de ces charges et la conductivité mesurée
découle de deux facteurs, à savoir la conduction a. c. et la conduction d. c. La conductivité
totale et a. c sont dépendantes de la fréquence angulaire  du signal appliqué. Comme on
l’a signalé la a. c () totale augmente considérablement avec la fréquence, alors la
contribution de la a. d est négligeable dans l’aluminate de zinc. En plus, la fréquence est
liée à a. c et le coefficient de proportionnalité est le facteur s, ce paramètre est indépendant
de la température après calcul dans le spécimen ZnAl2O4. En général, le paramètre s peut
jeter la lumière sur deux mécanismes de conduction distincts (QMT) et (CBH). Dans le
premier mécanisme, la conduction peut être à travers un tunnel quantique (quantum
mechanical tunneling) (QMT) des porteurs de charges à travers des barrières de séparation
de sites localisés et dans un tel cas, le paramètre s est indépendant de la température [31].
Le second mécanisme de conduction, est à travers la corrélation de saut dans la même
barrière (correlated barrier hopping) (CBH). En (CBH), s diminue avec l’augmentation de
la température. Le (QMT) est le mécanisme possible de a. c de l’aluminate de zinc.
L’absorption de l’énergie de chauffage ou thermique augmente la mobilité des électrons
prenant part à la conduction par saut (hopping conduction).
R. Samkaria et al [32] dans leurs étude sur la conductivité du spinelle ZnAl2O4 nano-
dimensionné ; ont révélé que la conduction est dû à des petits ou modeste sauts de polarons.
14
Dans le même travail, la résistivité électrique DC mesurée dans la gamme de température
303-373 K augmentait avec l’élévation de la température et la concentration de l’yttrium.
La substitution des ions Y+3 aux sites octaédriques B était confirmée par spectroscopie
infra-rouge à transformer de Fourrier FTIR. Quant à l’analyse de la variation du module
électrique a montré que le système ZnAl2-2xY2XO4 (x=0,00, 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05,
0,07 et 0,10) exhibait une relaxation du type non-Debye.
La permittivité électrique (r) qui est une propriété physique qui décrit la réponse
d’un milieu donnée à un champ électrique appliqué est liée à la polarisabilité électrique des
molécules ou atomes constituant le matériau. Elle intervient dans de nombreux domaines,
notamment dans l’étude de la propagation des ondes électromagnétiques.
La permittivité diélectrique de ZnAl2O4 exhibe une dispersion dans la région à basses
fréquences, une polarisation interfaciale de type Maxwell-Wagner peut-être la raison de ce
phénomène [30]. Chaque grain de la pastille étudiée pouvait être possédant des
caractéristiques cristallines parfaites donc ayant une faible résistivité électrique que les
joins de grains (JG). Ceci est exactement le modèle présenté dans la théorie de Koop’s. La
polarisation interfaciale de type Maxwell-Wagner existe dans les joins de grains, autours
des grains, par accumulation de charges dans ces régions de haute résistance. Ce type de
polarisation existe dans tous les matériaux polycristallins condensés qui sont hétérogènes
dans leurs compositions (Pohl 1978). Avec l’augmentation de la température, les charges
acquirent une plus grande mobilité en résultat de l’activation thermique et cela peut
engendrer une plus grande accumulation de charges dans les (JG), parce que les joints de
grains ont une plus faible conductivité électrique. La grande accumulation de charges aux
températures élevées dans les (JG) entraine la raison de l’augmentation de la permittivité
diélectrique.
Les matériaux ZnAl2O4 et MgAl2O4 de type spinelle possèdent de très bonnes
propriétés aux hyperfréquences ; en contrepartie, leurs coefficients de fréquence en
température ou de stabilité thermique sont assez élevés (f = -75 à -79 ppm/deg). En effet,
ils présentent une permittivité assez faible (r = 9-14) et de pertes diélectriques de l’ordre
de (tan  = 2,10-4) ; le produit (Qf) du facteur de qualité Q et la fréquence f est de l’ordre
de 50 000 à 60 000 à 12 GHz. Les monospinels de Zn2+ (ZnAl2O4) et Mg2+ (MgAl2O4) ont
une permittivité relative (r = 8,5 – 8,7) et un produit (Qf) aux environs de 56 000-70 000
(tan  = de 1,7.10-4 à 2.10-4) pour des fréquences voisines de 10-12 GHz [33]. Ces
15
propriétés permettent à ces céramiques d’être utilisés comme résonateurs diélectriques dans
les circuits micro-ondes pour concentrer les champs électriques ; notamment dans les
appareils employés dans la technologie la plus récente de la communication sans fil.
Il a été observé que la permittivité diélectrique de l’aluminate de zinc est plus petite
que celle de d’autres membres de la famille des spinelles. La ferrite de zinc et de
manganèse ont de plus importantes valeurs de permittivité diélectriques. L’aluminate de
zinc possède des dimensions cristallines inférieures aux ferrites. Plus la dimension est
petite, moins est la séparation de charge électrique dans les cristaux quand un champ
électrique est appliqué. La composante de la polarisation diélectrique dans la gahnite est
plus faible comparée aux ferrites.
I.4 Absorption optique de ZnAl2O4
L’absorption optique pour les transitions des électrons dans les semi-conducteurs
(SC) a comme procédés principaux ; les transitions inter-bandes (absorption fondamentales)
et les transitions à travers les impuretés et les défauts du réseau [34]. Quand le semi-
conducteur est illuminé, les électrons absorbent les photons et subissent des transitions vers
les niveaux élevées. Si l’énergie de la lumière incidente (hv) est supérieure à celle du gap
optique du matériau (hvEg), alors les électrons de la bande de valence sont excités dans la
bande de conduction. L’absorption optique résultante à partir de telles transitions bande à
bande est connue sous le nom de l’absorption fondamentale. La limite de l’absorption
fondamentale est déterminée par le gap optique du semi-conducteur.
Le pourcentage de la lumière incidente absorbée par un semi-conducteur particulier
dépend de la probabilité de transition des électrons entre les bandes de valence et de
conduction. Cette probabilité dépend fortement de la structure de bandes du SC.
L’évaluation des dispersions optiques et des autres constantes optiques des semi-
conducteurs sont d’une importance considérable pour les applications dans les dispositifs
optiques intégrés tel que les commutateurs, les filtres et les modulateurs, etc., où l’indice de
réfraction du matériau est le paramètre clé pour la conception du dispositif.
La largeur de la bande interdite optique de l’aluminate de zinc polycristallin est entre 3,8-
3,9 eV [35, 36]. Les propriétés optiques (l’énergie du gap optique Eg, le coefficient
d’absorption α, l’indice de réfraction n etc.,) des matériaux en couches dépendent
énormément de leurs moyens de déposition. Moins est la rugosité de la surface, moins la
16
lumière est dispersée et plus sera la transmission des photons d’énergie inférieure à Eg.
L’énergie du gap direct de 3,84 eV a été observée dans des nanoparticules de ZnAl2O4
préparés par sol gel à combustion, ce qui est légèrement supérieure à celle reportée pour ce
même composé dans son état massif suggérant un décalage vers le bleu (blue shift) qui peut
être attribuer au confinement quantique due à la petite taille des particules préparées de
l’aluminate de zinc [30]. Généralement, les valeurs d’Eg des semi-conducteurs nano-
dimensionnés augmentent avec la diminution de la taille de particule. Dans le cas des semi-
conducteurs tel que l’aluminate ou la gallete (ZnGa2O4) de zinc, les nanoparticules ne
possèdent pas une bande de conduction consistante en une pléthore de niveaux d’énergie
mais ils ont des niveaux d’énergie explicites et spécifiques. Dû à cette quantification,
l’énergie du gap optique des semi-conducteurs nano-clusturés (amas) (boîtes quantiques :
quantum dots) augmente par un taux inversement lié à la taille de cristallites [37]. Ce
phénomène, comme cela été indiqué, est expérimentalement manifesté par un déplacement
vers le bleu du front d’absorption quand la taille de particules diminue.
La transmittance de la lumière au niveau des courtes longueurs d’ondes inférieures à 520
nm se produit quand le film n’est pas uniforme, par exemple quand il y a des trous
(pinholes) dans le film. La nature du substrat, la taille des grains et les traitements
thermiques jouent également des rôles importants sur la transmittance optique. Lorsque le
film est soumis à un traitement thermique, les propriétés optiques sont entièrement
augmentées. L’augmentation de la transmittance est due à une augmentation de la taille des
cristallites du film et elle peut affecter la largeur de la bande interdite. En effet, R.
Chandramohan et al. ont enregistré une augmentation de la transmittance optique (de 50 à
80 % dans la région visible) et du gap optique direct (de 3,48 à 3,61 eV) des couches
minces ZnAl2O4 avec l’augmentation de la température de recuit (de 0 à 400°C pendant 1
heure sous air) [38]. L’élévation de l’énergie Eg peut être attribuée à la faible teneur en
oxygène de la surface des films après traitement thermique. L’indice de réfraction n et le
coefficient d’extinction k des films ZnAl2O4 ont connus une certaine variation avec
l’application du recuit thermique, tel que le montre les graphes de la figure 1.6, indiquant
un changement rapide de l’énergie d’absorption des films non recuits [38]. En général,
l’indice de réfraction du ZnO en couches minces diminue à plus de régime de longueur
d’onde notamment après l’incorporation de l’Al dans la matrice de ZnO. La corrélation
entre la variation de l’énergie du gap optique et le taux de dopage en Al des couches de
17
ZnO, peut être attribuée à l’accroissement Burstein-Moss de l’énergie du gap Eg avec
l’augmentation de la concentration des porteurs dans les semi-conducteurs [39].
Fig.1.6 L’indice de réfraction et coefficient d’extinction des films minces ZnAl2O4

en fonction de la variation des températures de recuit thermique [38]
Les spinelles ZnAl2O4 et MgAl2O4 sont similaires : le gap optique de ZnAl2O4 est
seulement entre 3,8-3,9 eV alors que celui de MgAl2O4 est 7,8 eV [36]. Zn2+ est un ion de
métal de transition typique de configuration électronique 3d10. Malgré le rayon ionique
similaire de Zn2+ (74 pm, nombre de coordination (CN) = 4) et Mg2+ (71 pm, CN = 4) et
leur état de valence identique, le cristal et/ou la structure électronique d'un matériau change
généralement de façon significative à cause de l’affinité entre le premier (Zn, Mg) et le
second métal (Al) ou lorsqu’une substitution se produit entre Zn2+ et Mg2+, un exemple
typique est le système Mg2SiO4-Zn2SiO4 : Mg2SiO4. Cela implique que Zn2+ joue un rôle
particulier dans le cristal et les changements de la structure électronique de ces systèmes.
I.5 Propriétés catalytiques de ZnAl2O4
La dégradation photo-catalytique des polluants organiques dans l’eau et l’air

comme, les colorants, le phénol, les pesticides et l’acétone en utilisant plusieurs matériaux
semi-conducteurs a attiré récemment beaucoup d’attention [40]. En effet, les nano-cristaux
de l’oxyde spinelle ZnAl2O4 ont été employées en tant que photo-catalyseurs dans la
dégradation du toluène gazeux. Son habilité photo-catalytique à dégrader les polluants dans
18
l’eau, par exemple les colorants, en fonction de la taille des pores de ses nano-poudres et
son effet sur le processus de photo-catalyse a été également investie. Les résultats ont
montrés que la dégradation du colorant textile (RR141) sous irradiation solaire sur les
poudres ZnAl2O4 est fortement influencée par la taille des pores de ses particules. Le taux
du colorant absorbé dégradé sur la surface du catalyseur est dû à la taille de pores de ses
particules. La taille des molécules du polluant a également une grande importance sur les
processus d’absorption et de photo-catalyse. V. Kumari et al. ont rapporté que le matériau
méso-poreux ZnAl2O4 présente une très bonne efficacité d’adsorption pour éliminer
(𝐴𝑠𝑂43− ) de l’eau contaminée à l’arsenic et que cette mésophase stable ZnAl2O4 a un
énorme potentiel à explorer dans la purification à grande échelle de l’eau souterraine [41].
Les propriétés électroniques et la valeur du gap optique, qui influe sur l’absorption du
polluant, sont également d’une grande importance dans l’amélioration des performances
catalytiques des matériaux.
Farhadi et al. [42] ont rapporté que des nanoparticules de ZnAl2O4, préparées par la
méthode de Co-précipitation peuvent être utilisées comme nouvel catalyseur, efficace et
hétérogénèment recyclable pour les réactions d’acétylation des alcools, le phénol et les
amines avec l’acétique anhydride et/ou le chlorure d’acétyle sous des conditions sans
solvants néfaste à la santé. Une acétylation sélective des groupes – NH2 en présence des
groupes – OH et – OH alcoolique en présence du – OH phénolique a été observé. La
structure du catalyseur AZ ne change pas après réaction et est sans perte d’activité. En
général, la protection des groupes fonctionnelles – OH et – NH2 est l’une des plus
importantes transformations de la chimie organique du point de vue de la recherche
fondamentale ou appliquée. Cette transformation est souvent performée avec l’acétique
anhydride et/ou le chlorure d’acétyle dans la présence soient de catalyseurs basiques ou
acétiques. Les systèmes catalytiques même étant homogènes et non-recouvrables
disponibles pour cette transformation présentent quelques inconvénients ; des temps de
réaction prolongés, un faible rendement, des conditions sévères, l’utilisation de solvant
toxiques, procédures compliquées, l’excès dans le besoin d’agents/catalyseurs et
l’utilisation de catalyseurs chers, explosifs et néfastes.
Une grande surface spécifique (BET), une porosité accessible sont des propriétés désirables
pour l’application de films ZnAl2O4 ; par exemple, les propriétés catalytiques des films
ZnAl2O4 sont largement dépendantes de leurs microstructures avec une grande surface
19
spécifique qui fournit plus de sites actifs pour l’adsorption des molécules de réactifs,
rendant le processus photo-catalytique plus efficace [2, 40]. Un grand BET a été enregistré
pour des nanoparticules sphériques minuscules d’une dimension de 5 à 7 nm dans l’étude
de Kumari et al. [41]. La grande structure poreuse est censée faciliter le transport de
molécules et de produits réactifs à travers l'espace intérieur en raison des réseaux poreux
interconnectés et à favoriser l’exploitation de la lumière d'excitation en raison de la surface
spécifique élargie et de la diffusion multiple au sein du réseau poreux [43, 44]. L’activité
photo-catalytique peut être attribuée à une grande surface spécifique et à la nano-
composition. Les systèmes nano-composites ZnO/ZnAl2O4 ou ZnO/CuO/ZnAl2O4 sont
énergétiquement favorables, surtout la seconde hétérojonction, à séparer les paires photo-
générées e- et h+. La séparation efficace des paires e- et h+ est considérée comme le facteur
clé pour les activités photo-catalytiques élevées [43]. Récemment, Yin et al. [45] et
Mortazavi et al. [46] ont rapporté que le dopage par de petites quantités de divers métaux
(métaux nobles) ou d'oxydes métalliques dans les matériaux détecteurs de gaz à base
d'oxyde peut améliorer la sensibilité de gaz en raison de l'activité catalytique des additifs. A
ce titre, il est estimé que le composite ZnO/ZnAl2O4 serait prometteur pour l'amélioration
de propriétés de détection de gaz compte tenu des effets synergiques entre l'un l'autre et la
propriété catalytique de ZnAl2O4 [47]. Kwon et al. [48] ont également indiqué que le ZnO
dopé par 4,0% en poids d’A12O3 est très sensible et sélectif de gaz de triméthylamine ; Yu
et al. [49] ont constaté que le ZnO/Zn2SnO4 présente des propriétés de détection plus élevés
aux CO2 et H2 que ZnO ou Zn2SnO4 seuls. Le développement d’oxydes composites est une
alternative aux inconvénients tels que la température de fonctionnement élevée, la mauvaise
stabilité à long terme et/ou une mauvaise sélectivité qui limites l’application des semi-
conducteurs les plus utilisés dans la détection de gaz (SnO2, Fe2O3, TiO2 et ZnO).
Les capteurs de gaz sont basés sur des oxydes métalliques semi-conducteurs qui changent
leur résistance électrique en présence de gaz sensibles à détecter. Quand le gaz R est
réducteur (CO2, NH3, H2S, H2O…etc.) une réaction d’oxydo-réduction avec les espèces
d’oxygènes ino-sorbées se produit selon :
R (adsorbé) + O-  RO (gaz) + 1 é (1.1)
L’interaction d’un gaz réducteur R avec la surface de l’élément sensible se traduit par la
formation d’une espèce oxydée de type RO qui désorbe en cédant un électron à la bande de
conduction du détecteur. Ce mécanisme d’adsorption-désorption du gaz induit une
20
augmentation du nombre de porteurs majoritaires, ce qui conduit à une chute brutale de la
résistivité électrique du capteur générant un signal permettant la quantification de la
concentration du gaz détecté [50]. Inversement, en présence de gaz oxydants tel que NO2
ou O3, l’interaction peut s’écrire selon les réactions suivantes :
NO2 + 2 é  O2- (adsorbé) + NO (1.2)
O3 +é  O- (adsorbé) + O2 (1.3)
Dans ce cas le nombre de porteurs diminue conduisant à une diminution de la conductivité
électrique [50].
Le tableau. 1.4 regroupe quelques types de gaz détectés par les oxydes métalliques (ZnO et
ZnAl2O4) ou le système du mélange d’oxydes ZnO/ZnAl2O4.
Guan et al ont étudié le pouvoir catalytique du système ZnO/ZnAl2O4 [47]. Les réponses au
gaz sont mesurées par l’observation du changement de la résistance du capteur dans
différents gaz. La valeur de la réponse du gaz est désignée par S = Ra/Rg, ou Ra est la
résistance du capteur dans l’air (résistance de base) et Rg est celle dans l’environnement du
gaz. Le temps nécessaire pour que la résistance du capteur change de Ra à Ra – 90% (Ra -
Rg) est le temps de réponse après que le trajet du gaz est introduit au senseur. Et le temps
prie par le capteur pour que Rg change vers Ra + 90% (Ra – Rg) est définie par le temps de
recouvrement après que l’air soit réintroduit. Soit les courbes enregistrées Ra/Rg en fonction
de la concentration de l’éthanol en ppm. Le composite ZnO/ZnAl2O4, calciné à 1000°C,
exhibe une plus grande réponse à l’éthanol que l’acétone et beaucoup plus grande qu’a
l’éthanédiol, le benzène et NH3 pour la même concentration de 500 ppm, voir la figure 1.7.
ZnAl2O4 acte en tant que catalyseur pour accélérer la réaction et les comportements de
recouvrement dans la détection de l'éthanol.
Capteur Gaz Température de Concentrations Réf

détection (°C) détectées
ZnO/ZnAl2O4 Ethanol 240 40 ppm [47]

(CH3CH2OH)
(en pastille)
ZnAl2O4 Ozone 25 [51]
(en poudre) (O3)
21
ZnAl2O4 [52]
NO2, NOx
et Zn-Al-Ga
(composite)
ZnAl2O4 H2O, CO 200-420 [53]
(en poudre)
ZnO/ZnAl2O4 Ammoniac 250-750 [54]

(NH3)
(en poudre)
ZnO H2, NO2 Ambiante [55]
(nanoparticules)
ZnO NO2, NH3 Ambiante [56]
(nanoparticules)
ZnO O3 25 2500 ppb [57]
ZnO NH3 30 50-90 ppm [58]
(nanoparticules)
Tableau. 1.4 Quelques types de gaz détectés par (ZnO et ZnAl2O4) ou ZnO/ZnAl2O4
Zaho et al. entreprennent le mécanisme de l’ozonation par le catalyseur ZnAl2O4 [51] par
l’ajout de 0,2 g du catalyseur à 200 ml de 300 mg/l d’une solution aqueuse de phénol (eau
contaminée) agitée ensuite exposée à l’ozone. Pour comparaison, les expériences
d’ozonation seule (sans le catalyseur) et d’adsorption sur le catalyseur (sans O3) sont
réalisées sous les mêmes conditions. La courbe de dégradation du phénol C/C0 en fonction
du temps (jusqu’à 60 min) a été enregistrée en ozonation. Pour la première fois, il a
démontré qu’en présence de ZnAl2O4, l’ozone se transforme en de très actifs radicaux
hydroxyles, cette transformation est responsable de la catalyse. Ces radicaux d’hydroxyle
ensuite réagissent avec le phénol dans une solution conduisant à l’amélioration de
22
Fig.1.7 Sélectivité de ZnO/ZnAl2O4-1000°C à 500 ppm de vapeurs [47]
l’élimination du phénol. Les groupes d’hydroxyle à la surface et l’eau chimisorbée du

catalyseur agissent en tant que sites catalytiques actifs pour la génération de groupes
d’hydroxyle. Ce résultat promouvoit une large application à l’ozonation catalytique dans le
traitement des eaux.
A partir des calculs théoriques de Xiang et al. sur GAZ, l’énergie d’adsorption pour
l’adsorption de NO2 à la surface est plus élevée que pour les molécules (H2O, O2, CH4, CO2
et N2) ce qui renvoi à ce que la stabilité d’adsorption de NO2 est plus importante.
L’enthalpie de la réaction de NO2 avec CH4 en présence d’O2 est plus grande qu’en son
absence. Le travail révèle que l’adsorption d’O2 réduit l’enthalpie de la réaction et cause
une plus faible température envers la réaction catalytique sélective (SCR) [52].
1.6 Propriétés luminescentes et dopage de ZnAl2O4
Dans les années récentes, la signification des nanostructures matériaux dans le

domaine de la luminescence a été bien connue à cause de leurs meilleures propriétés
optiques, électriques et structurales. Le choix d’une matrice hôte efficace est essentiel pour
achever la luminescence requise et les propriétés dosimétriques des matériaux. Les
phosphores hôtes à base de sulfites, d’oxydes, d’aluminates et de silicates ont été l’objet
d’étude que ce soit par leurs synthèses ou leurs propriétés luminescentes. Parmi ces
matériaux, les aluminates ont attiré l’attention pour leur grande stabilité envers les acides,
les alcalins et l’oxygène ainsi que leurs transparence à la lumière visible [59]. Due à sa
stabilité chimique et thermique, ZnAl2O4 peut émerger comme un choix alternatif aux
phosphores à base de sulfites. En effet, contrairement aux matériaux luminescents à base de
23
sulfure, les oxydes sont chimiquement inertes aux plasmas donc souvent utilisés dans les
dispositifs opérants dans le plasma et ne contamine pas les émetteurs à électrons dans le
domaine des dispositifs et écrans à émission [7]. Les nanostructures du matériau ZnAl2O4
sont censées présenter des propriétés optiques améliorées et de fluorescences généralement
absentes dans son état massif [60]. Par conséquent, la préparation et l'étude des propriétés
optiques et de fluorescence de poudre ZnAl2O4 en nanostructure est d'un grand intérêt. Par
rapport aux phosphores en poudre, les couches minces luminescentes présentent des
avantages tels que la meilleure stabilité thermique, une bonne adhérence au substrat, pas de
problèmes de dégazage et possèdent des propriétés uniformes dans toute la zone couverte
[61].
Les oxydes dopés par les lanthanides (métaux de terre rare) font partie des
matériaux luminescents les plus prometteurs. Le dopage des spinelles avec les ions de
métaux de terre rare et de transition (Er, Yb, Eu, Tb, Mn...etc.) crée de nouveaux centres
luminescents, qui ensuite améliore généralement l'efficacité de luminescence permettant le
réglage d'émission d'onde [6,7, 44, 62]. Les ions de lanthanides trivalents ont une
configuration électronique externe 5s2 5p6 4fn, où n varie de 1 (Ce3+) à 13 (Yb3+) et indique
le nombre d'électrons dans la sous couche électronique incomplète 4f [63]. Les électrons de
4fn sont les principaux responsables des propriétés optiques de lanthanides. Récemment,
beaucoup d’attention a été adressé aux propriétés luminescentes du ZnAl2O4 dopés par les
ions de lanthanides. En effet, les ions de lanthanides ont été largement utilisés et sont des
activateurs dans de différentes hôtes grâce à leurs efficiences luminescences élevées et très
proches lignes d’émission [64]. Le potentiel des éléments de terre rare à produire les trois
couleurs de base (bleu, vert et rouge) dans tous les dispositifs à couleur à mener à
l’apparition d’extensives études axées sur le dopage des matériaux II-VI activés avec les
ions de métaux de terre rare durant les quelques décennies précédentes. Ces ions de terre
rare ont des émissions efficaces dans le visible à l’échelle 4f, qui sont insensitives à la
grande étendue de l’influence de l’alentour des orbitales 5s et 5p. Parmi les ions de terre
rare, l’europium trivalent (Eu3+) est considéré un phosphore efficace émettant en rouge à
cause de sa transition 5𝐷0  7𝐹 j (j = 0, 1, 2, 3 et 4) [63, 64]. Une désactivation concentrée
avec l’accroissement de la concentration de l'activateur a été observée au-dessus de la
concentration de dopage optimum (0,85 % atomique) [7]. Une augmentation continue de
l'intensité d'émission PL avec l’élévation de la température de substrat dans la plage de
24
températures de substrat étudié par García-Hipólito et al. (jusqu'à 550°C) et que la
sensibilité des films est meilleure que celle des poudres [7]. L’onde de longueur 397 nm
excite les ions de dyspercium (Dy3+) résonnants à une émission radiative bleue localisée à
476 nm correspondante à la transition entre les états 4𝐹 9/2  6𝐻 15/2 et une émission jaune à
573 nm relative à la transition 4𝐹 9/2  6𝐻 13/2 [62].
Les méthodes de préparation et par conséquent, la morphologie, la pureté et la taille de
particules ont un effet sur les propriétés optiques et fluorescentes des matériaux dont
ZnAl2O4 [60]. Généralement, les plus petites particules ont relativement une grande surface
spécifique, et ont donc une plus grande quantité de liaisons insaturées et pendantes
(dingling) à la surface de la particule. Cela affecte les niveaux de défauts et propriétés de
fluorescence de la poudre. Avec une diminution de la taille des particules, les valeurs d’Eg
de semi-conducteurs de taille nanométrique augmentent menant à une évidente réduction de
l'intensité d’émission de fluorescence. Sous une excitation de 325 nm, des phosphores de
ZnAl2O4 préparés à partir de différents sels d’aluminium ; (AlCl3∙6H2O noté (S2),
Al2(SO4)3∙18H2O : (S1) et Al(NO3)3∙9H2O : (S3) par le procédé de gel de Polyacrylamide
modifié) montrent des émissions bleus qui s’accentuent avec la pureté de la phase de l’AZ
obtenue, respectivement (fig.1.8) [60].
Fig.1.8 Spectres de fluorescence d’échantillons ZnAl2O4 obtenus à partir de (S1)

Al2(SO4)3∙18H2O, (S2) AlCl3∙6H2O et (S3) Al(NO3)3∙9H2O [60]
Pour comprendre le mécanisme de fluorescence du système ZnAl2O4, Wang et al. ont

proposé un diagramme de bande schématique pour illustrer le procédé d’excitation et
d'émission basé sur leurs résultats expérimentaux [60]. La figure 1.9 illustre ce diagramme.
Il est connu que les orbitales Al3+ 2p et s situées à la partie supérieure des orbitales Al3+ 2p
25
forment le bord majeur de la bande de conduction (CB) de ZnAl2O4, et la bande
d'hybridation composé des orbitales O2- 2p et Zn2+ 3d compense le haut de la bande de
valence (VB). Lorsque la valeur d’Eg > λexc, (3,82 eV contre 325 nm) on peut voir qu’une
transition d'un électron se produit à partir de VB vers le niveau de l'énergie des défauts de
l’écart intra-bande (intra band gap defects IBGD) (Fig.1.9 (S1) et (S2)). Après cela,
l'électron sera entraîné par de transition continue de l’IBGD vers la CB. Ensuite, l'électron
sur la CB descend au bas niveau d'énergie au travers la perte d'énergie par la vibration de
relaxation (VR). Finalement, l'électron sur le niveau d'énergie faible subit à une
recombinaison radiative avec un trou dans la bande de valence, accompagné de trois
émissions de lumière bleue. L'impureté (SO42-) dans le spécimen S1 joue un rôle crucial
pour promouvoir la transition d'électrons à partir du (niveau d'impureté) IL à CB et
améliore les propriétés de fluorescence. Lorsque Eg < λexc, la transition d'un électron se
produit à partir de la VB au niveau de haute énergie (Fig.1.9 (S3)). Ensuite, l'électron sur le
niveau d'énergie élevé descend à la CB par conversion interne. En même temps, l'électron
sur la CB par VR descend au bas niveau d'énergie avec un accompagnement de perte
Fig.1.9 Diagramme de bandes schématique pour le mécanisme de fluorescence

d’échantillons ZnAl2O4 obtenus par (S1) Al2(SO4)3∙18H2O, (S2) AlCl3∙6H2O et (S3)
Al(NO3)3∙9H2O [60]
26
d'énergie. Enfin, l'électron sur le faible niveau d'énergie est soumis à une recombinaison
radiative avec un trou dans la bande de valence, accompagnée d'une série d'émissions de
lumière bleue.
I.7 Applications de ZnAl2O4
L’aluminate de zinc ZnAl2O4, est un composé semi-conducteur de large bande

optique bien connu (Eg = 3,8 eV) utilisé dans des dispositifs optoélectroniques UV, des
revêtements antithermiques pour les vaisseaux spatiaux, comme un matériau céramique
travaillant à haute température, un revêtement optique, ainsi qu’un conducteur transparent.
En catalyse, ZnAl2O4 est très utilisé comme catalyseur et support de catalyseur dans
la déshydratation, déshydrogénation, déidrocyclisation, hydrogénation la réduction
catalytique sélective et les isomérisations [65]. Il a également été extensivement employé
dans la condensation déhydrogénative des alcools normaux, la mutilation des composés
phénoliques et l’alkylation –N et 2–hydroxypéritine avec le méthanol [42]. Les
nanoparticules de l’aluminate de zinc ont également été employées comme catalyseur pour
l’oxydation de l’alcool benzyle avec une efficacité de conversion de 85 contre 60 % pour
les spécimens préparées par la méthode verte (utilisation de l’extrait de la plante - Opuntia
delinii) de traitement ou de chauffage par micro-ondes et la combustion conventionnelle
[66].
Le système ZnO/ZnAl2O4 est utilisé comme catalyseur [67, 68, 69], senseurs de gaz
polluants, toxiques et combustibles [69], support adsorbant pour la remédiation
environnementale et la dégradation des déchets des matériaux biologiques, dans la dé-
colorisation des polluants textiles ; tels que le méthyle orange (MO) et le bleu de méthylène
(MB) sous irradiations UV où le mélange d’oxydes exhibe une meilleure performance
catalytique que le ZnO seul.
ZnO/ZnAl2O4 peut être utilisé en tant qu’anode des batteries d’ion-Li [44]. ZnO seul n’est
pas un bon matériau d'anode pour les batteries à ion-Li, car il exhibe une pauvre cyclabilité
électrochimique-Li. Cependant, quand il est mélangé avec un dérivé spinelle tel
ZnO/ZnAl2O4 sa performance peut être améliorée.
ZnAl2O4 est d’un très grand intérêt en tant qu’un matériau hôte phosphorique [6, 7,
59, 62, 64] pour les applications des dispositifs luminescents. Les films minces ZnAl2O4
sont très utilisés dans les écrans plats électroluminescents [7, 64] et panneaux d'affichage
27
couleur à écran plasma [7]. Pour ces applications, il est nécessaire de déposer des
spécimens de bonne qualité émettant les trois radiations de base (bleu, vert et rouge).
ZnAl2O4 : Mn3+ a été également suggéré en tant qu’un bon vert-émettant phosphore
cathodoluminescent pour les applications écrans à émission de champ (FEDs) [64]. Les
phosphores semi-conducteurs dopés avec les ions de lanthanides, dont l’aluminate de zinc,
et qui possèdent d’intéressantes propriétés optiques leurs attribuant un potentiel
d’application dans le design des matériaux optoélectroniques et surtout d’efficaces
phosphores pour les écrans LED et panneau ou écran plat. Il est aussi utilisé pour préparer
des films minces de d’autres oxydes mixtes, en raison de la difficulté à contrôler le
processus et la vitesse des réactions rapides. Les films de ZnAl2O4 peuvent être utiles pour
la protection contre la corrosion à haute température par l’amélioration de la résistance à la
corrosion des substrats métalliques, puisque des dépôts d’AZ sur acier sont réalisables par
la méthode de micro-onde assistée par la technique hydro-thermique.
Très récemment, les résultats de l’étude de Suárez-Franco et al. (2013) suggèrent
que l’aluminate de zinc nano-structurés en dépôts minces ou composites a un grand
potentiel d’être utilisé dans les implants dentaires, les cavités orales et dans le domaine de
l’ingénierie des tissus (de types individuels) par les applications médicales de substitutions
[8]. L’étude a été mené dans le but d’investiguer l’effet de la morphologie de surfaces des
films minces de l’AZn, préparés par spray pyrolyse et des pastilles par réaction chimique
de co-précipitation, sur l’adhésion in vitro des cellules de matériaux, leurs fiabilité et leurs
interactions avec les cellules ostéoplastiques. Effectivement, la biocompatibilité et
l’attachement in vitro des cellules ostéoplastiques à ceux biocéramiques de la gahnite ont
été d’une très grande réponse et que les propriétés morphologiques améliorent la
fiabilité/prolifération des couches minces en comparaison avec les céramiques massifs du
spinelle de zinc jusqu’à 60 à 80 %.
I.8 Dépôt de l’aluminate de zinc

I.8.1 Méthodes de synthèse de ZnAl2O4
ZnAl2O4 est conventionnellement synthétisé par plusieurs méthodes, les plus

générales : réaction à l’état solide, entre oxydes de zinc et d'aluminium, qui requit souvent
des hautes températures de traitements et des temps de réactions très prolongés, par
exemple 1300°C et 5 à 10 heures ou 24h à 500°C, respectivement [44, 70]. La réaction à
28
l’état solide a également d’autres inconvénients surtout le mauvais control de la
stœchiométrie et la faible surface spécifique [2]. La réaction de l’état solide est de type :
AO + B2O3  AB2O4 (1.4). Les réactions de formation de spinelle sont généralement
réalisées au niveau des interfaces planes ou sous forme de mélanges de poudres de deux
oxydes binaires solides, ou un oxyde solide et une phase vapeur ou liquide, à des
températures élevées (>1000°C). Le processus de croissance des oxydes spinelles
classiques (ZnFe2O4, MgAl2O4, MgTi2O4) implique ce qu’on appelle le mécanisme
Wagner’s de contre-diffusion de cations. La migration de cations à travers l'interface de
réaction dans des directions opposées et le sous-réseau de l'oxygène restant essentiellement
fixe, voir figure 1.10a [44]. La réaction de ZnO avec Al2O3 donne le spinelle ZnAl2O4 est
cependant unique : le mécanisme de croissance comprend la diffusion à la fois de Zn et O
et un transfert efficace unilatéral de ZnO dans ZnAl2O4 (figure 1.10b). Cela signifie qu'un
plan marqueur inerte placé à l'interface initiale sera trouvée à l'interface ZnO/spinelle pour
la réaction ZnO-Al2O3, alors que dans le cas de la réaction MgO-Al2O3, le plan marqueur
est dans la couche de spinelle.
Fig.1.10 Schémas des deux principaux mécanismes de diffusion au cours de réactions

à l'état solide les spinelles de formation. (a) La contre-diffusion Wagner. (b) la
diffusion unidirectionnelle. La ligne pointillée indique l'interface initiale. Un plan
marqueur inerte, placés à l'interface initiale sera déplacé à l'interface du ZnO/spinelle
dans (b), et à l'intérieur de la couche de spinelle dans (a), divisant cette couche dans
un rapport de 1: 3 en raison de de la neutralité charge du flux global de diffusion [44]
Récemment, les voies chimiques ont été utilisées pour l’élaboration des poudres de
ZnAl2O4 comme la technique sol-gel qui consomme beaucoup de réactants, le procédé de
microémulsion ou Co-précipitation, la voie hydro-thermique qui nécessite usuellement de
29
longs temps de réactions quand les faibles températures sont appliquées (par exemple à
260°C pendant 20h) [71, 72]. Dans le cas de la méthode sol-gel, la procédure n’est
complètement pas économique à cause des précurseurs métal-organiques chers et la
nécessité d’emplois des post-traitements thermiques. Des fines poudres sont généralement
synthétisées par ces voies chimiques, seulement il est difficiles de les utilisées pour obtenir
des couches minces de l’oxyde ternaire ZnAl2O4. Tiang et al. ont développé une simple
procédure de préparation basée sur la technique d’évaporation induisant l’auto-assemblage
(EISA), evaporation-induced-self-assembly, utilisant le chlorure d’aluminium et de zinc
comme précurseurs inorganiques, triblock coopolymer Pluronic F-127 comme agent directe
de la structure. Dans la stratégie des auteurs, la vélocité d’hydrolysation des espèces
inorganiques peut être contrôlée par l’interaction de la liaison d’hydrogène des atomes H de
NH3.H2O et les atomes d’oxygène du surfactant EO [2]. Par conséquent, les précurseurs
inorganiques peuvent s’hydrolyser lentement pour produire des espèces inorganiques plus
petites que le sédiment massif. A cause de la même vélocité à l’hydrolysation des sels de
zinc et d’aluminium, l’introduction d’un agent surfactant avec les chlorures de zinc et
d’aluminium a été ajoutée pour l’obtention des films de l’AZ surtout que des couches
minces méso-poreuses (denses) de ZnAl2O4 ont été très peu synthétisées par la méthode
EISA au paravent de leur recherche.
La voie de préparation des nano-phosphores appelée verte connait une très grande demande
parce qu’elle est non-toxique, ses précurseurs utilisés sont environnementales et ne rejette
pas de produits non souhaités etc. [61]. Les méthodes biosynthétiques peuvent données une
taille et une allure mieux définies que d’autres méthodes conventionnelles. En générale, la
méthode de synthèse verte a été utilisée pour la préparation des nanoparticules d’or et
d’argent utilisant différentes extraction de plantes. La plante du latex, par exemple, agit
comme un agent stabiliseur et réducteur dans la synthèse des nanoparticules.
On a voulue se pencher sur la synthèse de ZnAl2O4 du côté du type des produits primaires
utilisés lors de son élaboration ainsi que les conditions de dépôt et de traitements
thermiques fournies pour différentes méthodes chimiques notamment la technique de
pulvérisation ultrasonique. Le tableau 1.6 regroupe les résultats de travaux de plusieurs
équipes concernant la préparation de l’aluminate de zinc sous forme de couches minces ou
composites. La première remarque est que l’espèce des précurseurs employés est souvent la
même, tourne autour des sels d’acétates de nitrates ou de chlorures de zinc et d’aluminium.
30
Le fait de cerner la synthèse avec des sels donnés ou de l’entreprendre avec le même mode
ne fait pas étendre n’importe quelle technique de synthèse et surtout ne réalise pas des
dépôts qui peuvent avoir des propriétés physicochimiques nouvelles.
Méthode de Sels de métaux T de dépôt (°C) T de recuit Phases Notes Réf

(°C)
synthèse
Film amorphe à
Spray 350°C
ultrasonique Acétate de zinc ZnAl2O4
pyrolyse + chlorure , Ts = ZnO à 500°C
d’aluminium 350-550 / 550°C [7]
5 µm d’épaisseur
Conc. (%) des sels

0,05 M
(a = b = c =
8,0859 Å)
500 – 850 Amorphe avant

(1h), recuit
Nitrate de zinc ZnAl2O4
Spray pyrolyse Zn(NO3)2 + air et sous , après Couches minces
nitrate atmosphère recuit à
contrôlée 800°C d’épaissseur-1,5
d’aluminum 450 [73
(H2 : N2 = µm
Al2(NO3)3 ]
5 : 95)
Conc. (%) des sels
0,1 M
Spray Acétate de zinc 300-550 / ZnAl2O4 Couches minces

ultrasonique + chlorure , à Ts =
pyrolyse 1 d’aluminium + (4 à 6 min) 550°C et Film amorphe à
ZnO à 300°C
H 2O 450°C
ZnO à 450°C
ZnAl2O4 à 550°C
d’épaissseur-5 µm
Diamètre des
particules d1 =
20±5 nm
[8]
Conc. (%) des sels
0,05 M
31
Spinelle en poudre
Précipitation Al(NO3)3.9H2O Taille des grains

chimique2 + de 8,5±2,0µm
Zn(NO3)2.6H2 Chauffage de 600 (14 h)
O la solution à des pastilles Conc. (%) des sels
250 (30min) sous 0,05 M
air
Al(NO3)3.9H2O Spinelle en poudre

+
Combustion Zn(NO3)2.6H2 Four 500 (5 ZnAl2O4 Faible surface
O + CH4N2O min) d’aire (32,91m2/g)
Urea / Phase [74
unique D = 29,75 nm ]
Al(NO3)3.9H2O 800-2h pour la ZnAl2O4 Spinelle en poudre

+ nucléation de , après sphérique
Sol-gel Zn(NO3)2.6H2 l’AZ 900-1100 recuit à [75
O 900°C D = 18 nm ]
(5h ou 10h)
ZnAl2O4 en films
minces après recuit
à 1000°C-5h à
partir de
Réactions
nanoparticules
hydrothermiqu
Microwave Al(NO3)3.9H2O 500-700 ZnAl2O4 d’AZ préparées
e de micro-
assisted + poudre hydrotermiquemen
onde
hdrothermal Zn(NO3)2.6H2 (5h)/poudre après t de micro-onde [3]
O (250°C-5 min à recuit à
1000 D = 2,4 nm
4h et P = 20 500-5h
(5h)/Couch
bar) Grande surface
e mince
d’aire (220 m2/g)
Zn(NO3)2.6H2 ZnAl2O4
O+ , après
Solution (70- 500-1000 recuit à Surface à
Tri-sec- 100°C/2h) (1h) 700°C microstructure
Sol-gel butoxyde interconnectée [7]
d’aluminium
Co- 700-4h Spinelle en poudre

précipitation1
ZnAl2O4 Surface d’aire1 :
Hydrothermiqu en 94,39 m2/g,
e Al(NO3)3.9H2O Réaction hyd.t poudre
+ h : 200°C-72h Surface d’aire2 :
2 Zn(NO3)2.6H2 / 254,76 m2/g [40
]
32
Micro-onde/ O Surface d’aire3 :
hydrothermique 279,68 m2/g
Al(NO3)3.9H2O Agitation 5h de ZnAl2O4 AZ en poudre

+ la solution à T
Zn(NO3)2.6H2 ambiante quand la Spécimens
O plante amorphe pour les 2
Chauffage par M : 400°C Opuntia méthodes sans
micro-ondes1 + H2O + delinii l’extraction de la
C : (2,45 GHz, / [66
est plante.
Chauffage par L’extraction de 80W-10min) ]
utilisée
combustion2 la plante R molaire Zn/Al =
Opuntia delinii
haw 1/2
Tableau 1.6 Etat d’art sur la synthèse de l’oxyde ZnAl2O4
I.8.2 Spray pyrolyse
Le spray pyrolyse est une technique de synthèse simple et délicate principalement

des poudre (employée par la compagnie Seattle Specialty Ceramics ensuite Praxair) [77],
des revêtements céramiques [78] et des films épais et minces d’oxydes et de matériaux
supraconducteurs [79]. Cette méthode d’un côté a le puissant avantage de combiner des
grands taux de déposition dans un environnement ne nécessitant pas un vide et un bas coût
de matériels [79] et d’un autre côté l’habilité de former des nanoparticules multi-composées
puisque des solutions de différents sels de métaux peuvent être mixé et pulvériser. Elle a
également des avantages comparée à d’autres techniques similaires (chimiques) comme le
dépôt sur des géométries complexes de substrat, le revêtement relativement d’une haute,
large et uniforme qualité ainsi que l’incorporation transparente dans un processus CMOS
standard [80]. Le spray pyrolyse combine les aspects procédant en phase gazeuse et en
précipitation de solution. La technique implique la formation d’un aérosol de gouttelettes
du précurseur qui est délivré par un flux de gaz à travers une zone chauffée [77].
Les couches minces peuvent être déposées en utilisant des méthodes physiques ou
chimiques. La pulvérisation pyrolyse est une technique qui utilise une solution liquide pour
les dépôts de couches minces. Elle se caractérise par étant facile mais très sensible aux
paramètres opératoires. Le schéma général simplifié pour le dépôt par pulvérisation
33
pyrolyse est représenté sur la figure 1.11, où trois étapes principales peuvent être examinées
(dont est divisé le dépôt de couches minces par spray pyrolyse) :
1) Atomisation de la solution.
2) Transport aérosol de la gouttelette.
3) Décomposition du précurseur pour initier la croissance du film.
Fig.1.11 Représentation schématique du procédé de déposition de spray pyrolyse [80]
I.8.2.a Principe et cinétiques impliquées dans le spray pyrolyse
Le principe de base du spray pyrolyse chimique est que quand la gouttelette de la

solution pulvérisée atteint le substrat chauffée, en raison de la décomposition pyrolytique
de la solution, des films adhérents sont théoriquement déposés [81]. Dans ce processus la
solution est atomisée en de fines gouttelettes connues par l’aérosol et pulvérisées par le
moyen de l’air arrivant ainsi sur le substrat. A l’intérieure de la zone chauffée, le solvant
s’évapore et les réactions prennent dans chaque particule pour former un produit de
particule. Des particules denses et sphériques de taille nanométrique (de 20-1000 nm)
peuvent être générées facilement dans un grand volume par cette méthode. Le phénomène
entrant dans la préparation de films minces d’un oxyde de métal dépend de l’hydrolysation
de surface du précurseur de métal sur une surface de substrat chauffé conformément avec
l’équation, MClx + yH2O  MOy + xHCl (1.5) dans le cas où le précurseur est un chlorure
du métal M, tel que Zn, Cd ou In…etc., qui formera le film d’oxyde. La formation du film
dépend de la génération de la gouttelette, la réaction et l’évaporation du solvant qui se
rapporte à la taille de la gouttelette. Quand la gouttelette se rapproche du substrat, juste
avant que le solvant ne soit complètement retiré, ceci est la condition idéale pour la
préparation du film [81].
I.8.2.b ZnAl2O4 préparé par le spray pyrolyse
34
García-Hipólito et al. ont été les premiers à investir, en début de la décennie
précédante (2003), dans les propriétés luminescentes des couches minces de l’aluminate de
zinc [7]. Les travaux leur précédents, de Matsui et al. et Zawadski et al. en (2001) et Stek et
al. en (2000) ont traités les propriétés luminescentes des poudres de ZnAl2O4 [82, 83 et 84].
Des films luminescents de ZnAl2O4 : Eu (0 à 30 at. %) ont été déposés par la technique de
spray pyrolyse ultrasonique [7]. La solution de départ utilisée était à base de l’acétate de
zinc et le chlorure d’aluminium et les températures de substrats (Ts) entre 350 et 550 °C. La
phase crystalline de l’AZ n’apparaît que pour Ts = 550°C. Lou et al. ont utilisés les nitrates
de Zn et d’Al hydratés et une température de substrat relativement basse de 450°C [73]. Le
recuit à une grande température (800°C) était capital pour donner ZnAl2O4. Suárez-Franco
et al. ont réalisés des dépôts par USP avec des Ts de 300, 450 et 550°C. Ces derniers étaient
amorphes à 300, relatifs au ZnO à 450°C et ZnAl2O4 de bonne qualité cristalline à 550°C.
I.8.2.c Processus impliqués dans le dépôt par spray pyrolyse
Il y a trop de processus qui se produisent successivement ou simultanément pendant

la formation de film par spray pyrolyse (SP) [80, 81, 85, 86]. Ceux-ci comprennent
l’atomisation d’une solution de précurseur, le transport et l'évaporation des gouttelettes,
diffusion sur le substrat, séchage et décomposition du sel de précurseur. Cela rend la
technique simple en sa pratique mais complexe par les phénomènes qui s’y impliquent.
Viguié et Spitz classifient les processus de dépôt par spray chimique selon le type de
réaction [85]. Dans le processus A, la gouttelette éclabousse sur le substrat, s’évapore et
laisse un précipité sec dans lequel se produit la décomposition, c’est le régime de la plus
basse température. Dans le processus B, le solvant s’évapore avant que la gouttelette
n’atteint la surface et le précipité vient frapper sur la surface où se produit la décomposition
(régime à température élevée). Dans le processus C, le solvant s’évapore quand la
gouttelette se rapproche du substrat, puis le solide fond et s’évapore (ou se sublime) sans
décomposition et la vapeur se diffuse vers le substrat pour subir une réaction hétérogène là,
tel un procédé CVD (T est plus élevée). Dans le processus D, à des températures encore
plus élevées, le composé métallique s’évapore avant d'atteindre le substrat, et la réaction
chimique a lieu en phase vapeur [85]. La figure 1.12 est une schématisation des
modifications physiques et chimiques que les gouttelettes éprouvent lors du transport de
l’aérosol.
35
- L’atomisation dans la technique de spray pyrolyse est habituellement produite par : un jet
d’air, ultrasoniquement ou électro-statiquement [78, 87]. L'augmentation de la pression du
liquide provoque une augmentation directe du diamètre moyen des gouttelettes
Fig.1.12 Modifications des gouttelettes pulvérisées pyrolytiquement durant leur

transport à partir de la buse de pulvérisation au substrat [80]. Selon la température
[85] ou la taille des gouttelettes sont variées [88], il y a quatre chemins potentiels que
la gouttelette peut prendre en se déplaçant vers le substrat (A-D)
[80, 87]. La taille de la gouttelette produite n’est liée à aucune propriété du fluide de la
solution et ne dépend que de la densité de charge du fluide. La vélocité initiale de départ de
la gouttelette est un paramètre important car elle détermine le débit auquel les gouttelettes
atteignent la surface du substrat, le taux de chauffage de la gouttelette et le temps que la
goutte reste en transport. Il a également été déterminé que le débit a une très faible
influence sur les caractéristiques de projection. Les modes cône-jet et multi-jets sont les
plus importants pour le dépôt de pulvérisation [89].
- Dans la forme d'aérosol, les gouttelettes sont transportées avec l'objectif que le plus grand
nombre possible de gouttelettes atteignent la surface. Des résultats expérimentaux indiquent
que les particules solides peuvent se former lorsque la température du réacteur est faible,
lorsque la concentration en précurseur de la solution est élevée et lorsque la vitesse du gaz
porteur (N2) d'écoulement est faible, se reporter à la figure 1.12 [87, 90]. Comme la
gouttelette traverse le milieu ambiant, il existe quatre forces agissant simultanément sur
36
elle, décrivant son trajet. Ces forces sont la force gravitationnelle, électrique, thermo-
phorétique et de Stokes selon Sears et al. [91]. Les atomiseurs ultrasoniques sont entraînés
électriquement ; un générateur électrique est mis en vibration à des fréquences ultrasonores
à travers une buse de titane. L'augmentation de la fréquence peut entraîner des gouttelettes
de petites tailles. Pour le dépôt de spray pyrolyse utilisant les atomiseurs à ultrasons et
électrique (ESD), la force électrique est la principale composante qui entraîne les
gouttelettes vers le bas. La force électrique agissant sur une goutte est généralement de
plusieurs ordres de grandeur plus grande que la force de gravitation [92] est donnée par
l’équation :
Fe = qd E, (1.6)
Où E est l'intensité du champ électrique généré et qd est la charge de la gouttelette, qui
dépend de son changement temporel, elle est donnée par :
𝑡 4
𝑞𝑑 = 8𝜋√𝛾𝜖0 𝑟 3 ⋅ 𝑡+𝑡 , 𝑡0 = 𝑏𝑑𝑖𝑣𝐸 (1.7)
0
Où γ est la tension de surface liquide-gaz, qd est la permittivité électrique, et b est la

mobilité ionique [80, 88].
La force thermo-phorétique est une force retardatrice, causant significativement la
diminution la vitesse à l'approche du substrat chauffé. La force thermo-phorétique repousse
les gouttelettes loin d'une surface chaude, parce que les molécules de gaz chaud du côté de
la gouttelette rebondissent avec une énergie cinétique supérieure à celle du côté plus froid.
[91]. Cette force dépend du gradient thermique dans l'environnement de transport. Les
forces thermo-phorétiques conservent la plupart des gouttelettes loin de la surface dans le
processus de pulvérisation non-électrostatique. Il a été conclu que le film croissant à partir
de la vapeur de gouttelettes passe très près du substrat chaud de la même manière que le
dépôt chimique en phase vapeur. Les gouttelettes qui frappent le substrat forment un dépôt
poudreux. Les auteurs suggèrent que le forcing des gouttelettes proche du substrat tout en
évitant le contact réel permettrait d'améliorer l'efficacité de la croissance du film [87, 91].
L'équation régissant la force de la thermo-phorétique force est donnée par :
2𝑟
3𝜋𝜂𝑎 3𝜅 ∇(𝑇𝑑 )
𝑎
𝐹𝑡 = ⋅ 2𝜅2 +𝜅 ⋅ , (1.8)
𝜌𝑎 𝑎 𝑑 𝑇𝑎
Où ηa est la viscosité de l'air, Td est la température des gouttelettes, Ta est la température de

l'air, ρa est la masse volumique de l'air et κa et κd sont la conductivité thermique de l'air et la
gouttelette, respectivement. Il convient de noter que (1.8) est seulement valable pour des
37
gouttelettes dont le rayon est plus grand que le moyen libre parcours des molécules d'air
[80]. Siefert et al. ont calculé que seulement les gouttelettes, avec un rayon plus grand que
5 µm, contribuent à la formation de leur film à une température de substrat de 430 °C [93].
Cette valeur dépend de la composition de la solution, la tension appliquée et la température
de dépôt. Le solvant est entièrement vaporisé en petites gouttelettes qui auront pour
conséquence la formation de poudre. L'évaporation du solvant pendant le transport conduit
à une réduction et à l'élaboration d'un gradient de concentration à l'intérieur de la
gouttelette. Le précurseur précipite sur la surface de la gouttelette, lorsque la concentration
en surface est supérieure à la limite de solubilité. La précipitation se produit en raison de
l'évaporation rapide du solvant et la lente diffusion du soluté. Il en résulte la formation
d'une substance poreuse et par la suite des particules creuses, qui ne sont pas souhaitées
dans la formation du film, car ils augmentent la rugosité du film [80]. L'augmentation de la
température du gaz entraîne un gradient de concentration abrupt à l'intérieur de la
gouttelette [94]. Les particules creuses indésirables se forment lorsque les gouttelettes sont
grandes et la concentration en nombre de gouttelettes est faible. Les petites gouttelettes
produisent des particules solides, car la distance de diffusion pour le soluté est plus courte,
ce qui conduit à une distribution plus uniforme de la concentration à l'intérieur de la
gouttelette [95]. Oh et Kim ont montré que le rendement de dépôt et la zone revêtue
augmentent avec la quantité de la solution pulvérisée, soit le nombre de gouttelettes
(augmenter le temps de dépôt) [96].
- La décomposition du sel joue un rôle important dans la technique de pulvérisation
pyrolyse. Bien que tous les processus se produisent pendant le dépôt, le procédé C, dépôt
pareil que le CVD est souhaitable pour obtenir un film dense de haute qualité [80]. Comme
le précipité atteint le voisinage immédiat du substrat, il est converti en un état de vapeur et
il est soumis à une réaction hétérogène [88]. En outre, un modèle similaire au dépôt CVD
est suggéré (par Filipovic1 et al.), lorsque les gouttelettes peuvent être considérés comme
un flux et non pas en tant que particules individuelles et quand elles s’évaporent près de la
surface avant de contacter la plaquette entièrement sous forme liquide [80]. Le taux de
croissance dans un procédé de dépôt par pulvérisation est linéairement dépendant du temps
de pulvérisation et de façon logarithmique dépendant sur la température du substrat [90].
Il est souvent suggéré que le procédé CVD modifié se produit dans la formation de film
près de la surface du substrat. Toutefois, de nombreuses observations contredisent
38
l'implication d'un modèle avec un caractère CVD. Des efforts supplémentaires sont
nécessaires pour clarifier le modèle de dépôt de film plus en détail [87]. Selon Perednis et
Gauckler, Choy et al. ont proposé un modèle appelé le processus de dépôt de spray
électrostatique assisté en phase vapeur [87, 97]. Des films CdS poreux et amorphes ont été
obtenus en dessous de 300°C (processus I). A des températures de substrat élevées
(450°C) des films en poudre ont été produits en raison de la vaporisation et décomposition
du précurseur avant d'atteindre le substrat (processus III). A 300-450°C, les deux processus
peuvent se produire. Les auteurs suggèrent qu’à la température optimale (400-450°C) le
solvant s’évapore à proximité sur le substrat, et le précurseur est volatilisé près de la
proximité immédiate du support et adsorbé sur la surface, suivie d'une décomposition pour
donner un film dense avec une bonne adhérence (procédé II). Cela correspondrait à
nouveau à une réaction de CVD hétérogène. La présence de grandes particules sur la
surface a été attribuée aux très grosses gouttelettes qui ne pourraient pas se décomposer par
la voie CVD quand ils arrivent au niveau du substrat. Stryckmans et al. proposent que
l’acétylacétonate d’Mg (Mg(acac)2) se décompose en un fragment organique gazeux
(C5H7O2) et un composé liquide contenant du magnésium (MgC5H7O2) [98]. Le composé
contenant Mg se dégrade lentement pour former MgO et des résidus organiques et fragment
gazeux est dégradé en molécules plus petites à 265°C. Entre 265 et 600°C, MgC5H7O2 est
partiellement évaporé. Des films lisses ont été déposés dans la gamme 350-420°C,
cependant quelques fissures ont été observées.
En résumé, selon Perednis et Gauckler la qualité et les propriétés des films sont
principalement fonction des paramètres du procédé spray pyrolyse. Le paramètre le plus
important est la température de surface du substrat. Les films sont rugueux et plus poreux
quand la température du substrat est élevée. Si les températures sont trop basses les films
sont fissurés. Entre les deux, des films lisses denses peuvent être obtenus. La température
de dépôt influe également sur la cristallinité, la texture et d'autres propriétés physiques des
films. La solution (types et concentration de précurseurs, types et quantités de solvants et
leurs points d’ébullitions, aditifs) est un second paramètre important de la pulvérisation qui
affecte la morphologie et les propriétés des dépôts.
I.8.2.d Modèles de dépôt d’oxydes mixtes par spray pyrolyse
39
Il est souvent supposé qu'un mécanisme CVD est actif dans la formation de films
denses. Cependant, la formation de films à partir de nitrates non volatiles, des températures
de dépôt faibles, et des lamelles (splats) observées sur la surface du film contredit un
procédé CVD. Matsuzaki et al. ont préparés des films YSZ en utilisant volatile octylates de
zirconium et d'yttrium comme précurseurs à des températures inhabituellement élevées de
substrat 600-750°C [99]. Deux réactions possibles pour la croissance du film ont été
considérées, à savoir les précurseurs atteignent la surface du substrat à l'état liquide et
pyrolyse, ou les gouttelettes se transforment en vapeurs et forment le film par le procédé
CVD. Afin de choisir le mécanisme de croissance, la teneur en oxyde d'yttrium dans le film
a été mesurée. La solution et le film déposé contenaient des teneurs semblables de l’yttrium
après mesure et également aucune dépendance en température de la teneur de l’yttrium
dans le film. Ces deux faits sont en contradiction avec un mécanisme CVD. Les pressions
de vapeur des précurseurs d'yttrium et zirconium sont différentes, et donc des teneurs
différentes en yttrium sont attendues dans le film et dans la solution. Etant donné que la
pression de vapeur varie avec la température et que la dépendance en température de la
teneur en yttrium dans le film est prévue. Comme cela n'a pas été le cas, ils ont proposé un
mécanisme de dépôt sans caractère CVD.
Plusieurs approches ont été utilisées pour développer des méthodes mathématiques
du procédé de spray pyrolyse. Une approche implique les modèles descriptifs qui
considèrent principalement la physique et les étapes du procédé [100, 101]. Nakaruk et al.
ont posé un modèle conceptuel du procédé supporté expérimentalement par le dépôt USP et
le recuit de couches d’oxyde de titane. La température de dépôt et la taille initiale des
gouttelettes sont les principaux paramètres qui contrôlent les propriétés du film [100].
L'évaporation et la croissance des particules ont été modélisées à l'aide d’approches
différentes. La formation de particules solides dans la synthèse de pulvérisation a été
étudiée [102] et un modèle a été proposé pour l'évaporation des gouttelettes et les propriétés
physiques transitoires de la gouttelette [103]. Une approche (CFD) ; Dynamiques du Fluide
Computationnelle a été appliquée pour étudier le processus de dépôt [104, 105]. Le taux de
croissance dans un procédé de dépôt par spray est linéairement dépendant du temps de
spray et logarithmique dépendant de la température du substrat [80] selon :
𝑑𝐷
= 𝐴1 𝑒 (−𝐸⁄𝑘𝐵 𝑇) , (1.9)
𝑑𝑡
40
où D est l'épaisseur du film, A1 est le coefficient du taux de croissance, T est la
température, t est le temps et kB est la constante de Boltzmann.
Les paramètres utilisés dans la modélisation associés aux étapes principales (l’atomisation,
l’évaporation, la réaction chimique et la croissance) de la technique sont listés dans le
Tableau 1.7.
Modèle Type Input Output Réf
P (pression)
Spray
Modèle Ts (température du subatrat) T (Température)
CFD
Vi (vitesse initiale de la gouttelette) mi (Masse initiale de la gouttelette) [104]
dd (Diamètre initiale de la gouttelette)

Évaporation
P (pression)
Modèle
Décomposition/ T (Température)
math
Réaction mi (Masse initiale de la gouttelette) mf (Masse finale de la gouttelette) [102]
dd (Diamètre initiale de la gouttelette)
Modèle
Dépôt/ math
T (Température) xR,f (Fraction finale du sel réactant)
Croissance C (Concentration initiale du df (diamètre finale de la gouttelette) [15]

précurseur) dérivée à partir de mf
Df (Épaisseur finale du film)
Modèle
math
Di (Épaisseur initiale du film) dérivée
à partir de df Df (Épaisseur finale du film) [80]
Tableau 1.7 Modèles du procédé de spray pyrolyse [107]
Un modèle a été développé pour la croissance à la fois de (ZnO) seul et de l'oxyde mixte
(ZnO+In2O3) et corroboré par les données expérimentales par Khatami et al. [107].
L’approche dans ce modèle pendant l’étape de décomposition/Réaction est que la pyrolyse
du précipité commence avant que le précipité n’atteint le substrat et la nucléation et
croissance de films minces sur le substrat se produisent plus tard. Ensuite, une mince
41
couche continue d'oxyde de métal est synthétisée par la croissance des germes. La réaction
chimique pour le système considéré peut être formulée sans l’intermédiaire de composés
liquides de métaux :
ZnCl2 + H2O  ZnO + 2HCl(g) (1.10)
2In(NO3) + 3H2O  In2O3 + 6H(NO3) (1.11)
Les résultats prédits démontrent les rôles importants que la température, la concentration et
la durée de dépôt jouent sur la croissance de film. Les résultats indiquent qu’augmentant la
concentration de précurseurs, les particules se développent plus rapidement et se
développent en cristaux de grandes dimensions. A faible concentration, les particules sont
plus petites et la distribution de taille est moins homogène. La précision du modèle
s’améliore de manière significative aux températures élevées de substrat pour lesquelles la
vitesse de réaction est proche de l'état stœchiométrique.
I.8.3 Contraintes dans les dépôts minces
Le stress intrinsèque élevé dans les films minces peut causer des problèmes
d'adhérence et compromettre leur fiabilité à long terme [108]. Les contraintes dans les films
minces ont trois origines principales : intrinsèques, thermiques et mécaniques. Les
contraintes intrinsèques et thermiques sont souvent désignées comme des contraintes
résiduelles [109]. Aux températures de substrat inférieures à 20% du point de fusion, la
contrainte intrinsèque en raison de l’ordre structurel incomplet domine [108].
- Contraintes thermiques résultent de la différence de dilatations thermiques, quand le film
et le substrat présentent des coefficients de dilatation thermique (CTE) différents. Le stress
thermique survient en raison du changement de température [108, 109]. En raison que les
dépôts de films sont généralement faits au-dessus de la température ambiante, le stress
thermique apparait lors du refroidissement de la température
de dépôt à l’ambiante [108].
- Contraintes intrinsèques résultent de la microstructure du film durant le dépôt ou la
croissance [108, 109]. Ces contraintes ne sont pas dues au désaccord de maille ou
thermique et sont donc appelées intrinsèques ou de croissance. Elles apparaissent lors du
dépôt par un procédé (physique ou chimique) puisque la température de dépôt peut être en
dessous, au-dessus ou égale à la température ambiante, selon le procédé.
42
Le stress intrinsèque peut être de tension ou compression selon le mode auquel les atomes
sont déposés sur le substrat. Le stress de tension est dû aux micro-vides dans le film mince,
en raison de l'interaction attractive d'atomes à travers les vides, figure 1.13.
Lorsque les films ont des interfaces parfaitement cohérentes avec leurs substrats, à savoir,
lorsque les réseaux cristallins dans le film et les substrats sont parfaitement alignés, les
contraintes épitaxiales (résiduelles) surviennent [110].
Fig.1.13 Contrainte de tension, schéma conceptuel. Le film se veut ‘plus petit’ que le
substrat pour s’y adapter parce qu'il a été ‘tendu’ [108]
Le stress de compression est dû lorsque des ions lourds ou les particules énergétiques
frappent le film en cours de dépôt. Il est généralement attribué au mécanisme ‘atomic
peening’ dans lequel les atomes neutres réfractés bombardent le film de plus en plus à des
pressions de pulvérisation basse, figure 1.14.
Fig.1.14 Contrainte de compression, schéma conceptuel. Le film tend à devenir ‘plus

grand’ que le substrat pour s’ajuster, car il a était ‘compressé’ [108]
Les mécanismes qui génèrent les contraintes intrinsèques ne sont pas bien caractérisés
quantitativement. Ils comprennent la croissance des grains, l'annihilation de défaut, la
transformation de phase, les effets de stress de surface et l'évaporation d'un solvant.
a- Effets du stress de surface ; la contrainte de surface f provoque une pression à l'intérieur
d’un petit cristallite plus grande qu’à l'extérieur. Initialement, un cristallite de faible
dimension a un paramètre de maille <af. Cependant, comme le cristallite croît le paramètre
augmente à af. Comme le cristallite est contraint par le substrat à ce stade, une contrainte de
compression est générée dans le film.
43
b- Stress généré par la coalescence des joints de grains ; Dans les premiers stades de la
croissance du film, le film se compose de petits cristallites. Quand ces cristallites
coalescent, une contrainte de tension est générée. Comme les cristallites croient, leur écart
diminue, jusqu'à ce qu'il devienne si petit que la cohésion commence à se développer entre
les eux. À certains endroits, les interactions entre les cristallites sont assez fortes pour
combler l'écart par déformation élastique (des cristallites) [111, 112].
c- Génération de stress en raison de la croissance des grains ; les joints de grains sont moins
denses que le réseau de grain. Par conséquent, l'élimination des joints de grains mène à une
densification du film et à des contraintes de tension dedans. La réduction de l’aire des joints
de grains fournit une force motrice pour la croissance des grains. D'autre part, la croissance
du grain mène à l'augmentation du stress du film [113].
d- Génération de stress due à l’annihilation de l’excès de lacunes ; quand un film est déposé
à basse température, la diffusion est faible et la concentration des lacunes est beaucoup plus
élevée qu’à l'équilibre. Lorsque l’excès de lacunes est anéanti, le changement de volume
associé entraine une contrainte dans le film. Le volume tend à diminuer, donc le film
développe sur le substrat une contrainte de tension [109]. Le stress dépend du site de
l’annihilation.
e- Effets des impuretés ; l'oxygène en général, a l'effet le plus important sur le stress dans
les films métalliques et tend à réduire la contrainte de tension.
f- Effet de la transformation de phase ; les transformations de phase entraînent souvent des
changements de volume, et donc, le stress change.
En résumé, les contraintes intrinsèques naissent parce que généralement les films sont
déposés dans des conditions hors d'équilibre. Les contraintes dans les petits cristallites
peuvent être assez élevés.
I.9 Aperçu sur l’oxyde de zinc
ZnO est semi-conducteur de bande interdite directe d’énergie 3,37 eV (3,4 eV). Il
cristallise selon la structure hexagonale compacte du type würtzite [114]. .Les paramètres
cristallins de la structure ainsi que les principales caractéristiques physico-chimiques
basiques des matériaux ZnO sont regroupés dans le tableau 1.8. Le dopage peut changer la
largeur de la bande interdite ; exemple, le doage par Cd l’abaisse (aussi bas que ~3,0 eV),
alors que l’Mg l’augmente (aussi haut que ~4,0 eV) [115]. Le gap optique du ZnO peut être
44
réglé par une substitution bivalente sur le site de cations pour produire des hétéro-
structures. Le dopage en d'électrons de ZnO non dopée a été attribué aux interstitiels de Zn,
les lacunes d'oxygène ou d'hydrogène. Les niveaux de défauts intrinsèques qui conduisent à
un dopage de type n se situent approximativement de 0,01 à 0,05 eV en dessous de la bande
de conduction. Les propriétés optiques de ZnO, étudiés en utilisant la photoluminescence la
photoconductivité et l'absorption reflètent une grande énergie de liaison d’exciton (~60
meV) et des états de gap découlant des défauts ponctuels [115]. La richesse en
caractéristiques de l’oxyde de zinc et sa synthèse facile lui attribue une grande attention et
application en tant que ; capteur, transistor à émission de champ, photo-détecteur
ultraviolet, dans les systèmes biomédicaux tel que détecteur ultrasensible de séquences
d'ADN [116-120]. L'utilisation d’ensembles de nano-tiges ZnO dans les capteurs
photoconducteurs UV est attractif pour des applications pratiques en raison de la diversité
des méthodes de fabrication de ces nano-tiges, leur grande disponibilité de surface et des
excellentes propriétés physiques et chimiques [121, 122, 123]. La synthèse des nano-tiges
peut se faire par voies (physique ou chimique) ; CVD, PLD ou MOCVD. Plus de
développement doit être pris en compte pour réduire le nombre de défauts et améliorer la
qualité de surface des réseaux de nano-tiges de ZnO préparées.
Propriété Valeur
Paramètres de maille à 300 K :
a0
0,32495 nm
c0
0,52069 nm
a0/ c0
1,602 (1,633 pour la str. hexagonale compacte)
u
0,345
Densité 6,606 g/cm3
Phase stable à 300°K Würtzite
Point de fusion 1975°C
45
Conductivité thermique 0,6, 1-1,2
Coefficient d’expansion linéaire (/°C) a0 : 6,5 x 10-6, c0 : 3,0 x 10-6
Indice de réfraction 2,008, 2,029
Énergie du gap 3,4 eV
Concentration de porteurs intrinsèque <106 /cm3
Énergie de liaison d’exciton 60 meV
Masse effective d’électron 0,24
Mobilité Hall de l’électron à 300°K 8,656

pour une faible conductivité de type n
Masse effective de trou 0,59
Mobilité Hall du trou à 300°K pour 8,656

une faible conductivité de type p
Taux de dopage (de l’ordre de 1020 atomes/cm3)
Résistivité électrique (de l’ordre de 10-4 .cm par dopage)
Tableau 1.8 Propriétés de ZnO würtzite [115]
46
47
Chapitre II
Techniques
Expérimentales
Chapitre II Techniques expérimentales
Ce chapitre décrit les conditions expérimentales selon lequel ce travail de mémoire
s’est déroulé. La première partie aborde les conditions de dépôt et de traitements
thermiques des films ZnAl2O4 par la méthode de spray pyrolyse. La seconde partie est
relative aux méthodes de caractérisation employées surtout pour l’identification structurale
de nos spécimens.
II.1 Elaboration des échantillons

II.1.1 Conditions de dépôt
Au niveau du «Laboratoire de Structures, Propriétés est Interactions Inter

Atomiques» (LSPI2) de l’université de Khenchela ont été préparés les échantillons sur
lesquels porte notre étude. Ces derniers ont été synthétisés par la méthode de spray
ultrasonique.
II.1.1.1 Principe général du procédé spray
Une solution de différents composés réactifs est vaporisée puis projetée, à l’aide
d’un atomiseur, sur un substrat chauffé. La température du substrat permet l’activation de
la réaction chimique entre les composés. L’expérience peut être réalisée à l’air ou dans une
enceinte sous un vide, environ, de 50 Torr.
La description de la formation des films par la méthode spray pyrolyse peut être résumée
globalement comme suit :
(1) Formation des gouttelettes à la sortie du bec.
(2) Décomposition de la solution des précurseurs sur la surface du substrat chauffé par
réaction de pyrolyse.
Le dépôt de couches minces par la technique de spray pyrolyse se traduit par la
pulvérisation d’une solution d’un sel de métal sur un substrat chauffé. Les gouttelettes
arrivant sur le substrat conduisant à la formation d’un dépôt après décomposition et
réaction chimique en surface.
II.1.1.2 Montage expérimental de déposition
Il s’agit d’un bâti monté au niveau du laboratoire. Ce dernier est construit à partir
d’un ensemble de dispositifs simples et assez peu couteux où les bienveillants responsables
ont apportés certaines modifications et une mise au point de façon à réaliser des films
homogènes. Le schéma de l’ensemble du système de dépôt est montré sur la figure (II.1).
45
Les principaux éléments du montage sont :
1. Alimentation électrique de l'atomiseur à ultrasons.
2. Transducteur piézoélectrique et sonde d'atomisation.
3. Un porte substrat + chauffage par effet joule + Régulateur de température.
4. Bloc de mesure de la température.
5. Chambre à compte-gouttes.
6. Rampe à molette qui régule le débit.
7. Flacon porte solution.
Fig. II.1 Dispositif complet de dépôt de couches minces par la technique de Spray
ultrasonique.
II.1.1.3 Préparation des solutions
Pour aboutir à un dépôt de l’aluminate de zinc par SPC, plusieurs étapes sont
essentielles. Ces étapes consistent en la préparation des solutions, le nettoyage du substrat,
la réalisation de la déposition du film et ensuite le traitement thermique des différents
échantillons réalisés.
Il y a deux solutions à préparer à partir de précurseurs (nitrates) qui représentent les sources
de métaux et réactifs solides dans les solutions employées dans la pulvérisation, selon des
concentrations de sels bien différentes. On fait dissoudre ses sels de métaux dans le solvant
qui est l’eau distillée sans agitation magnétique ni chauffage. Les précurseurs en poudre
choisis pour leurs abondances dans la préparation de nos solutions sont les nitrates de zinc
et d’aluminium hydratés soit [Zn(NO3)2.6H2O] et [Al(NO3)3.9H2O].
46
Le contrôle des concentrations de sels dans la solution à déposer en pratique est traduit par
leurs pesés. On pèse les poudres dans une balance analytique d’une précision de 0,0001 g.
On a préparé deux solutions qu’on a noté Sol 1 et Sol 2, où on a dissout les nitrates de zinc
et d’aluminium dans l’eau distillée avec des concentrations précises. Le rapport molaire
dans les solutions Sol 1 et Sol 2 respectivement est égal à nZn(NO3)2.6H2O/nAl(NO3)3.9H2O =1/2 et
nZn(NO3)2.6H2O/nAl(NO3)3.9H2O=1 respectivement. Le tableau 2.1 donne la composition des deux

solutions par les concentrations des deux précurseurs constituants chacune des solutions et
le volume de l’eau distillée correspondant. On y ajoute aux solutions préparées quelques
gouttes d’acide acétique.
nZn(NO3)2.6H2O : est le nombre de Moles de Zn(NO3)2.6H2O dans la sol 1
nAl(NO3)3.9H2O: est le nombre de Moles de Al(NO3)3.9H2O dans la sol 2
Solutions
Paramètres Sol 1 Sol 2
Concentration de 0,006 M 0,006 M

Zn(NO3)2.6H2O
Concentration de 0,012 M 0,006 M

Al(NO3)3.9H2O
Volume de H2O 10 ml 10 ml
Tableau 2.1 Composition par les sels de métaux et le volume du solvant dans les
solutions utilisées ; sol 1 et sol 2
Un deuxième processus de dépôt a été mené en utilisant le produit de calcination du sel de

sulfate d’aluminium hydraté. On a préparé trois solutions qu’on a noté Sol 1, Sol 2 et Sol 3
où on a dissout les sels de zinc et d’aluminium dans l’eau distillée avec des concentrations
précises. Pour comprendre l’effet du solvant sur la nature cristalline des phases déposées et
améliorer l’adhérence des dépôts, on a dissous les solutions Sol 2 et Sol 3 dans un volume
d’eau plus important ; V2 égal à 1l comparé au premier volume V1 de 100 ml. Le tableau
47
2.2 donne la composition des 03 solutions en concentration des deux précurseurs
constituants chacune de ces solutions et le volume de l’eau distillée correspondant. On a
ajouté aux solutions préparées quelques gouttes d’acide acétique. La température de surface
du substrat est de Ts = 570°C (sol 1) et du chauffage du substrat est de Tcs = 570°C (sol 2)
et 600°C (sol 3). Le chauffage de la plaque s’arrête instantanément dès que la température
souhaitée est affichée par le régulateur. La température de la plaque est généralement
estimé inférieure à celle à la surface du substrat réellement.
Solutions
Paramètres Sol 1 Sol 2 Sol 3
Concentration de
C1= 0,06 M C`1 = 0,06 M C`1 = 0,06 M C`1 = 0,06 M C`1 = 0,06 M
ZnCl2.2H2O
Concentration
C2 = 0,12 M C`2 = 0,06 M C`2 = 0,06 M C`2 = 0,06 M C`2 = 0,06 M
d’Al2(SO4)3.18H2O calciné (à
795°C-3h dans Sol 1 et Sol 3)
et (à 785°C-3h dans Sol 2)
Volume de H2O V1 = 100 ml V1 = 100 ml V2 = 1000 ml V1 = 100 ml V2 = 1000 ml
Tableau 2.2 Composition par les sels de métaux et le volume du solvant dans les
solutions utilisées ; sol 1, sol 2 et sol 3
Un troisième processus de dépôt a été également employé pour améliorer la qualité des
dépôts, en préparant une solution à base d’acétate d’aluminium (C2H5AlO4) et de chlorure
de zinc hydratés de pureté (99,9%) et en apportant des modifications au bâti de
pulvérisation. Quelques gouttes d’acide acétique (CH3COOH) pour empêcher la formation
des hydroxydes. La synthèse est faite par une double pulvérisation simultanée des deux
solutions comportant des sources de métaux différents. Le temps de dépôt était pendant
03h1/2 avec un très faible débit contrôlé par un régularisateur de débit adapté. Les dépôts
ont été réalisés à l’air libre. Le recuit de la série d’échantillons obtenus est entre 450 et
650°C durant 2 heures. La température de chauffage du substrat était de 450°C.
48
II.1.1.4 La réalisation de la déposition de films
Après la préparation des solutions et le nettoyage des substrats, qui sera décrit par
la suite, vient la mise en pratique du dépôt de films par pulvérisation ultrasonique des
solutions. Pour ce faire, le montage doit être fonctionnel et les conditions de dépôt bien
étudier. Les conditions expérimentales d’un dépôt par spray ultrasonique sont
principalement la température de chauffage du substrat Ts, et le temps de dépôt t.
D’autres conditions peuvent être signalé mais qui ont un impact
sur la qualité du dépôt (la rugosité, l’homogénéité, la transparence...etc.) et non pas sur sa
nature cristalline, comme la distances atomiseur-substrat et le débit du dépôt…etc. Dans
notre travail de synthèse, les dépôts ont été réalisés avec un débit de 0,2 ml/min et le pH des
deux solutions est de valeur égale à 8.
Le tableau 2.3 regroupe les conditions jugées essentielles dans le cas des dépôts par les sels
de nitrates. A savoir, Ts et t ainsi que la désignation de chaque échantillon.
Désignation des Conditions de dépôt

échantillons
Ts (°C) t (min)
Sol 1 530 (Trect) 530 30
Sol 1 Sol 1 490 (Trect) 490 30
Sol 1 430 (Trect) 430 30
Sol 1 410 (Trect) 410 30
Sol 2 Sol 2 530 (Trect) 530 30
Tableau 2.3 Conditions expérimentales de dépôt : Ts température de chauffage du

substrat et temps de dépôt
II.1.2 Substrat utilisé
Les couches minces de ZnAl2O4 ont été déposés sur les substrats de lames de verre
sodocalcique polies deux faces (couvre-objets pour microscope) destinés pour la
49
caractérisation optique. La qualité du dépôt et par suite celle du composé final dépend de la
propreté et de l'état du substrat. Les films sont donc effectués sur des substrats de verre qui
ont une résistivité de 1013 cm. Les substrats de verre sont découpés suivant des formes
rectangulaires de dimensions (41,5 cm2 de longueur la largeur) et de 1,2 mm d’épaisseur.
Le quartz a été aussi utilisé pour supporter le traitement thermique à haute température.
II.1.2.1 Nettoyage des substrats
Le nettoyage des substrats est donc une étape très importante avant le dépôt des
films : il faut éliminer toute trace de graisse et de poussière et vérifier, à l’œil, que la
surface du substrat ne comporte, ni rayures ni défauts de planéité. Ces conditions sont
indispensables à la bonne adhérence du dépôt sur le substrat, et à son uniformité (épaisseur
constante).
Pour effectuer l’étude de préparation des couches minces de ZnAl2O4, nous avons utilisé
des substrats en verre ; pour ce faire, il est indispensable de passer par le procédé de
nettoyage des substrats car la formation et en général les caractéristiques physico-
chimiques sont très sensibles aux techniques de préparation de la surface et peuvent être
modifié.
Le procédé du nettoyage de la surface des substrats est comme suit :
* Les substrats sont coupés à l’aide d’un stylo à pointe en diamant.
* Dégraissage dans un bain de trichloréthylène pendant 5min.
* Rinçage à l’eau distillée et puis à l’acétone pendant 15 min.
* Rinçage à l'eau distillée.
* Lavage dans le méthanol à température ambiante dans un bain à l’ultrason pour éliminer
les traces de graisses et d’impuretés collées à la surface du substrat, ensuite ils sont nettoyés
dans un bain d’eau distillée par ultrason.
* Séchage à l’aide d’un séchoir.
Le dégraissage est à la base de tous les traitements de surface. Son objectif est d’éliminer
les matières graisses et également les poussières et autres agents formant une couche
intermédiaire de faible cohésion.
II.1.3 Traitements thermiques
50
L’étape final mais cruciale dans la synthèse des spécimens est le recuit thermique
qui est un chauffage à une température donnée Trec pendant un temps donné. Le recuit passe
par un cycle ; d’une montée en température de 20 °C/min à la température de recuit (on va
la désignée par Trec dans notre rédaction) pendant un temps t (palier) est enfin un
refroidissement à la température ambiante (le refroidissement peut être contrôler et lent ou
bien rapide par une trempe). Les recuits de nos films à Trec = 700°C pendant 01-h ont été
effectués dans un four classique de type Protherm.
Le cycle de chauffage, pour tous les essais à l’exception des échantillons désignés par les
références qui sont des échantillons de références pour les deux solutions Sol 1 et Sol 2
respectivement, est comme suit :
- Montée en température à vitesse de 20 °C / min jusqu’à 700 °C
- Maintient à la température de recuit pendant 01 heure
- Refroidissement rapide à l’air
II.2 Techniques de caractérisation
Dans le but d’identifier structuralement nos échantillons et par la suite d’en

conclure les bonnes conditions de dépôts par UPC, notamment la température de chauffage
de substrat Ts, et les concentrations des sels de métaux leurs correspondantes pour une
cristallinité du spinelle ZnAl2O4 nous avons eu recours à la méthode de diffraction des
rayons X (DRX) consolidée par la technique d’analyse de spectroscopie d’absorption infra-
rouge à transformée de Fourier (FTIR) et d’en apprendre l’usage. La microscopie
électronique à balayage pour la morphologie équipé de la diffraction des électrons X (EDX)
qui permet de caractériser l’échantillon (globalement ou ponctuellement) du point de vue de
sa composition chimique en éléments constituants ainsi que la spectrométrie de
photoémission des rayons X et spectroscopie UV-visible.
II.2.1 Diffraction des rayons X
II.2.1.1 Introduction (les rayons X)
51
Les rayons X sont surtout connus du grand public pour l'imagerie médicale :
radiographies et tomographie (scanner). Cependant, outre le fait qu'ils traversent
facilement la matière, les rayons X ont d'autres propriétés intéressantes, ils
interagissent de manière particulière avec la matière. Ceci permet de faire de
l'analyse chimique.
Une première utilisation des rayons X pour l'analyse chimique est déjà présentée sur ce
site : il s'agit de l'analyse élémentaire par fluorescence X ; cette technique permet de savoir
quels sont les atomes qui composent l'échantillon à analyser et en quelles proportions. Mais
elle ne dit pas comment sont organisés ces atomes, sous quelle forme chimique ils sont.
La diffraction des rayons X permet, elle, de connaître l'organisation de la matière. Par
exemple, on peut distinguer les différentes alumines (oxydes d'aluminium) bien qu'elles
aient tous exactement la même composition élémentaire. Cependant, cette technique ne
peut s'utiliser que sur la matière cristalline, c.-à-d. Principalement les roches, les métaux,
les céramiques, et certains produits organiques.
Une forme cristallographique donnée d'un composé chimique est appelée une «phase». En
fait, le terme de phase est plus large et regroupe une quantité de matière homogène, ayant
les mêmes caractéristiques physiques et chimiques. La méthode d'analyse s'appelle donc
«recherche (ou identification, ou reconnaissance) de phases».
Par ailleurs, la diffraction des rayons X sur la matière cristalline permet d'avoir accès à des
informations physiques sur les cristaux, notamment leur taille et leur orientation. Dans un
premier temps, nous verrons la méthode de reconnaissance de phase (analyse chimique),
avec les problèmes qui peuvent survenir. Puis, nous verrons les autres informations que l'on
peut retirer des mesures [124].
II.2.1.2 Méthodes de mesure
II.2.1.2.1 Principes de base de la mesure - Méthode des poudres
La méthode générale consiste à bombarder l'échantillon avec des rayons X, et à

regarder l'intensité de rayons X qui est diffusée selon l'orientation dans l'espace. Les rayons
X diffusés interfèrent entre eux, l'intensité présente donc des maxima dans certaines
directions ; on parle de phénomène de «diffraction». On enregistre l'intensité détectée en
fonction de l'angle de déviation 2θ ("deux-thêta") du faisceau ; la courbe obtenue s'appelle
le «diffractogramme» (scan), voir figure II.2.
52
Fig. II.2 Diffractométrie X : mesure de l'intensité en fonction de l'angle 2θ de

déviation
L'échantillon est une poudre homogène isotrope, ou bien un solide composé de minuscules
cristaux soudés entre eux ; on parle de fait de «méthode des poudres» (on verra plus loin
que l'on fait aussi de la diffraction sur monocristaux).
La source de rayons X est un tube sous vide, ou «tube de Coolidge», muni d'un dispositif
permettant de ne sélectionner qu'une seule longueur d'onde (filtre, monochromateur) ; on
travaille en monochromatique. Plusieurs montages différents permettent la mesure [125].
II.2.1.2.2 Diffractomètre Bragg-Brentano
C'est le montage le plus courant. L'échantillon se présente comme une plaquette ;

cela peut être effectivement une plaquette solide, ou bien une coupelle remplie de poudre
avec un niveau bien plan.
Dans la configuration dite «θ-θ» ("thêta-thêta"), l'échantillon est horizontal et immobile, le
tube et le détecteur de rayons X bougent symétriquement, figure II.3. Si 2θ est la déviation
du faisceau, l'angle entre l'horizontale et le tube vaut donc θ de même que l'angle entre
l'horizontale et le détecteur, d'où le nom du montage.
Fig. II.3 Définition des angles dans le montage de Bragg-Brentano
53
Comme le tube à rayons X est la partie la plus lourde, on préfère souvent garder le tube fixe
et faire bouger l'échantillon et le détecteur. On a alors le montage dit «θ-2θ» ("thêta-deux-
thêta"), puisque le plan de l'échantillon fait un angle θ avec le faisceau incident, et le
détecteur fait un angle 2θ avec le même faisceau, figure II.4 [126].
Le montage de Bragg-Brentano présente l'avantage de récolter le plus d'intensité ; en effet,
le faisceau sort divergent du tube, et du fait de la géométrie, il reconverge sur le détecteur.
En fait, la convergence n'est pas parfaite (il faudrait un échantillon courbe et non pas plan),
on parle donc de focalisation approchée (parafocussing).
Il y a au moins deux moteurs, un pour positionner le détecteur, et un pour le porte-
échantillon (θ-2θ) ou pour le tube à rayons X (θ-θ). Ce dispositif s'appelle un «goniomètre»,
puisqu'il sert à régler les angles d'incidence et de diffraction.
Fig. II.4 Montage θ-θ et θ-2θ
Le tout est bien entendu enfermer dans un bâti blindé afin de confiner les rayons X (une
exposition prolongée aux rayons X peut provoquer des cancers).
II.2.1.2.3 Chambre Debye-Scherrer
Cette chambre, représentée sur la figure II.5 est la plus simple dans le principe.
L'échantillon se présente sous forme d'un tube de verre, ou «capillaire», rempli de poudre.
Il est éclairé par une source fixe de rayons X. Il est au centre d'un cercle qui est un support
pour un film photographique.
Les rayons X diffractés forment des cônes, donc en impressionnant le film, cela donne des
cercles, ou «anneaux de Debye». On peut ensuite obtenir un tracé comme celui de la figure
II.5 en traçant le niveau de noir en fonction de l'angle de déviation [127].
54
Fig. II.5 Chambre de Debye-Scherrer
Pour la chambre Debye-Scherrer, le faisceau incident est un fin cylindre ; afin de ne pas
surcharger la figure, nous n'avons donc pas représenté le tube à rayons X mais le
collimateur qui met en forme le faisceau. Ainsi, l'inscription "tube à rayons X" signifie qu'il
y a un tube (non représenté) à gauche du dispositif, alors que sur les schémas de
diffractomètres Bragg-Brentano, l'inscription désigne le dessin tube (un rectangle ouvert).
Notons que l'on peut maintenant remplacer le film photographique par un détecteur en
mouvement, on obtient alors un signal de même nature que pour le diffractomètre Bragg-
Brentano. En fait, le diffractogramme figure II.6 peut être vu comme une "coupe" du film
photographique.
Fig. II.6 Cliché de Debye-Scherrer - rapport avec une courbe I = f (2θ)
II.2.1.2.4 Montages spécifiques
Il existe des montages spécifiques pour certaines applications. Ce sont des

adaptations des diffractomètres Bragg-Brentano, puisque ces appareils offrent le plus de
souplesse et sont plus modernes que les chambres de Debye-Scherrer [128].
55
Détecteur spatial
Les détecteurs classiques sont dits "ponctuels", c.-à-d. qu'ils ne mesurent l'intensité qu'en un
point (une position 2θ unique, moyennant l'ouverture du détecteur). Pour avoir des mesures
plus rapides, il existe des déteurs spatiaux, qui mesurent l'intensité sur une plage angulaire
(en anglais, on les appelle PSD, position sensitive detector). La plupart des détecteurs
permettent d'avoir un diffractogramme de quelques degrés de large, ce qui permet de suivre
un pic en temps réel ; mais ils permettent aussi de faire un balayage rapide, c.-à-d. une
mesure d'un diffractogramme complet en faisant bouger le détecteur ; un point 2θ donné du
diffractogramme est mesuré pour plusieurs positions du détecteur (tant que le point est dans
la fenêtre d'acquisition), il suffit alors d'additionner les intensités pour le-dit point, on a
ainsi une grande intensité (donc un bon rapport signal/bruit) tout en ayant une mesure
rapide [129].
Inel fabrique même un détecteur courbe couvrant 120°, ce qui permet d'acquérir un
diffractogramme instantané (figure II.7).
Il existe aussi des détecteurs 2d, qui mesurent des portions d'anneaux de Debye. Notons que
l'on n'est plus en géométrie de Bragg-Brentano, puisque les conditions de focalisation ne
sont plus respectées [130].
Faisceau parallèle
Les rayons X qui sortent du tube sont divergents, ce qui impose d'avoir un échantillon plan
(sinon, ils ne reconvergent pas sur le détecteur). Cela n'est pas toujours possible, par
exemple si l'on veut faire une mesure non destructive sur une pièce. Il faut alors travailler
non plus en faisceau divergent, mais en faisceau parallèle. On utilise pour cela un miroir
parabolique, voir figure II.8, le principe est semblable à celui d'un projecteur de lumière
(ex. phare de voiture).
Il ne s'agit pas à proprement parler de miroir puisque les rayons sont déviés par diffraction
et non par réflexion. Notons que l'on n'est plus non plus en géométrie de Bragg-Brentano, le
faisceau étant parallèle, il ne converge pas sur le détecteur.
56
Fig. II.7 Diffractomètre Inel, muni du détecteur courbe (le tube est à droite et le
détecteur à gauche)
Fig. II.8 Montage en faisceau parallèle avec un miroir parabolique
Contrôle de la température et de l'atmosphère

Il est possible de mettre une enceinte étanche autour du porte échantillon, enceinte munie
d'une fenêtre en polymère laissant passer les rayons X (figure II.9). On peut ainsi contrôler
la température (chauffage par une résistance chauffante, refroidissement par azote liquide)
ainsi que l'atmosphère : air dont on contrôle l'humidité, gaz inerte ou gaz réactif, vide... On
57
peut ainsi suivre l'évolution des phases en fonction de la température et des réactions
chimiques et suivre la déviation des pics (dilatation, relâchement des contraintes).
Fig. II.9 Montage avec une enceinte étanche permettant de contrôler la température et
l'atmosphère
II.2.1.3 Recherche et sélection de phase

II.2.1.3.1 Signature caractéristique d'une phase
Si l'on prend une phase pure on parle en anglais de scan - balayage) est toujours le
même. Le diffractogramme (courbe I = f (2θ) diffère d'une phase à l'autre. Il s'agit donc
d'une véritable signature de la phase.
Pour chaque phase, on peut ainsi constituer une fiche selon la figure (II.10), une liste de pic
(2θ, I) (position et hauteur des pics). La hauteur I est la hauteur relative par rapport au pic le
plus grand de la phase, en % (le pic le plus grand a alors pour hauteur 100) ou en ‰ (le pic
le plus grand a alors pour hauteur 1000) - par convention, le pic le plus grand d'une phase
est souvent appelé «pic à 100 %», même si la fiche indique les hauteurs en ‰. Pour les
distinguer, les pics d'une signature sont désignés par trois nombres entier h, k et l placés
entre parenthèse, appelés «indices de Miller». On a donc un pic (100) ("un-zéro-zéro"), un
pic (110) ("un-un-zéro"), un pic (1-10) ("un-moins-un-zéro") etc... La signification de cette
notation est vue plus loin [130].
58
Fig. II.10 Fiche d'une phase : signature caractéristique
II.2.1.3.2 Analyse d'un échantillon inconnu
Si l'on a un produit inconnu, il suffit de mesurer son diffractogramme, puis de le comparer

au catalogue de fiches dont on dispose. S’il s'agit d'un mélange de produit, on aura une
superposition des différentes fiches.
Dans la pratique, le plus grand catalogue dispose de plus de 140 000 fiches, il faut donc des
algorithmes informatiques puissants pour sélectionner les fiches les plus proches du
diffractogramme. Il se peut que plusieurs fiches, plusieurs signatures différentes, soient
semblables et donc permettent d'expliquer le diffractogramme. Dans ce cas, seule une
connaissance de l'échantillon - son histoire, sa composition élémentaire ... - peut permettre
de choisir le ou les bons candidats. Il se peut aussi que la signature du produit soit altérée,
soit parce que des pics sont cachés par les pics d'une autre phase (superposition de pics),
soit parce que le produit n'est pas pur. Dans tous les cas, l'algorithme informatique ne peut
que proposer des fiches probables, le choix final des fiches à retenir appartient entièrement
à l'utilisateur. Il y a donc deux étapes, recherche (informatique) et sélection (manuelle) des
phases probables (search/match).
Le diffractogramme est considéré comme expliqué si chaque pic visible correspond à un
pic d'une des fiches sélectionnées, se reporter à la figure II.11 [131].
59
Fig. II.11 Diffractogramme expliqué par plusieurs fiches ; on remarque que le pic
(111) de la thénardite est superposé au pic (111) de la phase spinelle, par ailleurs, il
reste encore des pics n'appartenant pas à une fiche reconnue par l'utilisateur, le
traitement de la mesure n'est donc pas encore terminé
II.2.1.3.3 Problèmes d'identification

Plusieurs problèmes peuvent venir perturber l'analyse des résultats ; soit on va
sélectionner une "mauvaise" fiche (c.-à-d. on croît identifier une phase, mais elle n'est pas
dans l'échantillon), soit l'algorithme informatique ne va pas proposer une solution "réaliste".
Ceci vat être principalement dû à quatre phénomènes:
 un décalage des pics, le diffractogramme est décalé en 2θ par rapport aux
signatures ;
 une variation des hauteurs relatives des pics d'une même phase ;
 la ressemblance entre les signatures de plusieurs phases ;
 une phase est présente en petite quantité.
Décalage des pics
Si le diffractomètre est bien réglé, alors le décalage des pics a deux origines, voir figure II.
12 :
 la hauteur de l'échantillon n'est pas bonne (problème de préparation).
En effet, la surface analysée de l'échantillon doit se trouver au niveau de référence
de l'appareil. Si la surface analysée se trouve au-dessus ou en dessus de ce niveau,
cela va entraîner un décalage des pics. Si l'échantillon est sous forme de poudre, on
60
peut y ajouter une poudre de référence (un étalon interne), et utiliser la position des
pics de cette phase pour recaler le diffractogramme ; mais la meilleure solution
consiste en une préparation soignée de l'échantillon (c'est parfois difficile en raison
de la quantité de produit disponible, ou bien de la forme de l'échantillon) [132].
 le produit n'est pas pur, alors que la fiche correspond à un produit pur.
La signature correspond à la structure cristalline du produit. Si cette structure est
altérée, alors la signature le sera aussi, on aura donc un décalage des pics.
Variation des hauteurs relatives
La fiche de référence indique la hauteur relative des pics. Il est très fréquent que ces
hauteurs relatives ne soient pas respectées. Cela ne gêne en général pas l'identification de la
phase. Cependant, il arrive parfois que certains pics soient absents, il s'agit d'un cas extrême
de non-respect de la hauteur "théorique".
Fig. II.12 Décalage de pics entre le diffractogramme et la signature
La différence de hauteur relative par rapport à la fiche a trois origines figure II.13 :
 L'orientation préférentielle. L'échantillon est constitué d'une multitude de
monocristaux, que l'on appelle «cristallites». Dans le cas d'une poudre, un grain de
poudre peut être constitué de plusieurs cristallites agglomérées. Dans le cas d'un
solide non pulvérulent, les cristallites sont soudées entre eux. La méthode des
poudres repose sur le fait que les cristallites sont orientées de manière aléatoire. Si
ceci n'est pas vrai, alors les hauteurs relatives des pics varient. Cela peut être un
problème de préparation, par exemple lorsque les grains de poudre sont sous forme
de plaquettes ou de disques, mais cela peut être aussi une caractéristique de
61
l'échantillon (on parle alors de «texture»). Le cas caricatural est celui du
monocristal.
 Les cristallites sont trop grosses. Si les cristallites sont très gros (c.-à-d. font plus de
60 μm de diamètre), alors il n'y a que peu de cristallites présents sous le faisceau X,
donc statistiquement, toutes les orientations ne sont pas représentées. C'est donc
comme s'il y avait une orientation préférentielle.
 La superposition de pics. Il se peut que deux signatures aient un pic au même
endroit, ou bien très voisins. Alors, la hauteur du pic mesuré sera la somme des
hauteurs des pics générés par les deux phases, voir figure II.14 [132].
Fig. II.13 Variation des hauteurs relatives des pics entre le diffractogramme et les
signatures
62
Ressemblance des signatures (isotypes)
Fig. II.14 Signatures semblables (isotypes) - périclase MgO ou hydrure de fer-titane

H0,06FeTi
Phase en très petite quantité
Si une phase est présente en très petite quantité dans un mélange, alors les pics
qu'elle génère dans le diffractogramme sont très petits. Ils peuvent être noyés dans le bruit
de fond (notion de limite de détection), ils peuvent être noyés dans les pics d'une autre
phase, et les algorithmes peuvent avoir du mal à faire ressortir la fiche correspondante : un
petit pic est-il le pic à 1 % d'une phase abondante dans l'échantillon, ou bien le pic à 100 %
d'une phase minoritaire Figure II.15.
Fig. II.15 Phase minoritaire - il s'agit du même diffractogramme, mais l'échelle des
intensités est dilatée d'un facteur environ 60 dans la représentation de droite
II.2.1.3.4 Bilan
La recherche de phases nécessite fréquemment une connaissance a priori de

l'échantillon : composition élémentaire, phases attendues, domaine d'application (p.ex.
géologie, cimenterie, métallurgie)... Le logiciel informatique extrait quelques dizaines de
63
fiches parmi plus de cent mille, aidant l'utilisateur à choisir celles qui correspondent le
mieux à la problématique, c.-à-d. dont la signature "colle" au diffractogramme et qui sont
cohérente avec la nature supposée de l'échantillon.
L'identification des phases peut être compliquée en raison de possible décalages de pics, de
variation des hauteurs relatives, de la faible quantité de certaines phases, de possibles
superpositions de pics et de signatures semblables (isotypes).
L'analyse des phases d'un échantillon repose donc sur trois points importants :
 une mesure de qualité (bonne préparation de l'échantillon, bons paramètres de
mesure, appareil bien réglé) ;
 une base de données de signatures adaptées au problème ("complète" dans le cas
d'un échantillon totalement inconnu) et un algorithme de présélection performant ;
 la compétence et l'expérience de l'utilisateur pour le choix des phases [133].
II.2.1.4 Principes physiques de la diffraction
II.2.1.4.1 Diffusion des rayons X
Les rayons X sont une onde électromagnétique. Les rayons X interagissent avec le
nuage électronique des atomes. Parmi les interactions possibles, il y a la «diffusion
élastique», ou «diffusion Rayleigh» figure II.16.
Dans la diffusion élastique, les rayons X rebondissent simplement sur le nuage
électronique, ils sont diffusés dans toutes les directions de l'espace, en gardant la même
énergie, la même longueur d'onde.
Fig. II.16 Diffusion élastique : les photons X rebondissent en gardant la même énergie
On peut décrire ceci de la manière suivante : les ondes électromagnétiques mettent en

mouvement le nuage électronique par rapport au noyau de l'atome. Ceci crée un dipôle
64
vibrant figure II.17, qui rayonne lui-même des ondes de même fréquence à la manière d'une
antenne.
Fig. II.17 Diffusion élastique : modèle du dipôle vibrant
II.2.1.4.2 Interférences des rayons X
Lorsque les rayons X frappent un morceau de matière, ils sont donc diffusés par
chacun des atomes de la cible. Ces rayons X diffusés interfèrent entre eux, voir figure II.18.
Si les atomes sont ordonnés, c.-à-d. placés à des intervalles réguliers (ce qui caractérise les
cristaux), alors ces interférences vont être constructrices dans certaines directions (c.-à-d.
les ondes s'additionnent), destructrices dans d'autres (c.-à-d. les ondes s'annulent). Ces
interférences d'ondes diffusées forment le phénomène de diffraction.
Fig. II.18 Interférence des ondes diffuées - phénomène de diffraction
Donc, pour certains angles de déviation 2θ du faisceau, on détecte des rayons X

(interférences constructrices), ce sont les pics du diffractogramme ; ces angles de déviation
sont caractéristiques de l'organisation des atomes dans la maille cristalline. Dans les autres
directions, on ne détecte pas de rayon X, c'est la ligne de fond du signal.
65
II.2.1.4.3 Loi de Bragg
Si l'on calcule les directions dans lesquelles on a du signal, on s'aperçoit que l'on
obtient une loi très simple : si l'on trace des plans imaginaires parallèles passant par les
atomes, et si l'on appelle d la distance entre ces plans (ou «distance interréticulaire») Figure
II.19, alors les interférences sont constructrices si :
2dsin(θ) = nλ (2.1)
où θ est la moitié de la déviation, n est un nombre entier appelé «ordre de diffraction», et λ

est la longueur d'onde des rayons X (souvenez-vous que l'on travaille en
monochromatique). C'est la loi de Bragg.
Fig. II.19 Loi de Bragg donnant les directions où les interférences sont constructrices
Si le faisceau de rayons X qui éclaire l'échantillon est ponctuel (ou tout du moins est un fin
cylindre), il y a alors une symétrie de révolution autour de l'axe du faisceau. Les rayons
diffractés forment donc des cônes dont l'axe est le faisceau incident, figure II.20. Dans le
cas d'une chambre de Debye-Scherrer, les anneaux de Debye qui impressionnent le film
sont les traces de ces cônes.
66
Fig. II.20 Cônes de diffraction et anneaux de Debye dans une chambre de Debye-
Scherrer
Dans le cas d'un diffractomètre de Bragg-Brentano, le détecteur de rayons X enregistre un

maximum lorsqu'il se trouve sur un cône. (Sur l'image ci-dessous de la figure II.21, les
cônes devraient bien sûr être tronqués sous l'échantillon, car les rayons X sont absorbés par
l'échantillon et le porte-échantillon. J'ai volontairement négligé ce point pour des raisons de
clarté.)
Fig. II.21 Cônes de diffraction et signal détecté dans un diffractomètre de Bragg-

Brentano
Par la loi de Bragg, on peut donc associer chaque pic à un plan atomique imaginaire. On
sait que ces plans peuvent être désignés par des indices de Miler (hkl). On peut donc de
67
même associer ces indices (hkl) aux pics de diffraction. On parle d'«indexation des pics»
(figure II.22).
Note : forme du faisceau incident
Dans le cas d'une chambre de Debye-Scherrer, le faisceau incident est un fin cylindre, le
trait qui sert à le représenter dans ce document est donc pertinent.
Dans le cas d'un diffractomètre de Bragg-Brentano, le faisceau est divergent comme le
montre la figure II.23 et à une section rectangulaire (la fenêtre de sortie du tube est un
rectangle d'environ 1 cm de large pour 1 mm de haut).
Fig. II.22 Indexation des pics : association d'un pic de diffraction et d'un plan (hkl)
Si l'on regarde le dispositif de profil, on considère par approximation que l'échantillon, le

tube et le détecteur se trouvent sur un cercle, appelé «cercle de focalisation de Rowland»,
donc si le cône d'un des rayons incidents passe par le détecteur, les cônes des autres rayons
aussi. On peut donc assimiler tous ces rayons aux rayons centraux, et donc représenter le
faisceau entier par un trait unique passant par le centre de l'échantillon (figure II.24).
Fig. II.23 Divergence du faisceau : faisceau à section rectangulaire
68
Fig. II.24 Divergence du faisceau : tous les cônes de diffraction passent par un même
point, en l'occurrence le détecteur
Notons que le cercle de focalisation est le cercle imaginaire passant par l'échantillon, le
tube et le détecteur. Il est donc différent pour chaque position angulaire. Ce cercle possède
une propriété géométrique : si l'on prend n'importe quel point A de ce cercle, l'angle tube-A-
détecteur est toujours le même (et si O est le centre du cercle, il vaut la moitié de l'angle
tube-O-détecteur, car les deux secteurs angulaires interceptent le même arc - propriété
classique de la géométrie du cercle). Ceci explique pourquoi, en faisant l'approximation que
la surface de l'échantillon épouse le cercle de Rowland, selon la figure II.25, si un des
points de l'échantillon est en condition de Bragg, tous les points le sont puisque les
faisceaux ont la même déviation.
L'effet de la largeur du faisceau est étudié plus loin, mais il peut être négligé dans un
premier temps. La fenêtre du détecteur est elle aussi rectangulaire.
69
Fig. II.25 Cercles de focalisation de Rowland : le cercle est différent pour chaque
déviation 2θ
II.2.1.4.4 Repérage des pics: 2θ ou d
D'après la loi de Bragg énoncée ci-dessus (2.1), on voit qu'il y a une relation unique
entre la déviation 2θ et la distance inter-réticulaire d (si l'on ne considère que le premier
ordre de diffraction, n = 1). Un pic est présent en 2θ s'il existe, dans le cristal, des plans
atomiques parallèles espacés d'une distance ;
d = λ/(2.sinθ)
On peut donc dire que le pic représente une distance d. Ceci présente l'avantage d'être
indépendant de la longueur d'onde λ des rayons X utilisés. En effet, si l'on mesure un même
échantillon avec deux longueurs d'ondes différentes, les positions en 2θ des pics seront
différentes, par contre, les d seront les mêmes.
Pour cette raison, de nombreux utilisateurs affichent les diffractogrammes en (d, I). Par
ailleurs, les listes de pics des signatures des produits sont toujours indiquées en (d, I).
II.2.1.4.5 Cristallites diffractant
Les rayons X d'un cône de diffraction donné (c.-à-d. pour une déviation 2θ donnée)
proviennent de la diffraction de certaines cristallites.
Rappelons qu'une poudre ou un échantillon massif polycristallin contiennent des domaines
semblables en tous points à un monocristal ; ces domaines de cohérence sont nommés
«cristallites» (dans certains domaines de la science des matériaux, on parle de «grains»,
mais il y a une ambiguïté avec les grains de poudre, un grain de poudre peut être constitué
de plusieurs cristallites).
70
Pour une incidence donnée, seules certaines cristallites contribuent à un cône donné, ce sont
les cristallites dont les plans (hkl) correspondant à l'angle de déviation 2θ vérifient les
conditions de Bragg (figure II.26).
Fig. II.26 Cristallites diffractant dans le cas d'une incidence fixe (chambre de Debye-
Scherrer) - les plans (hkl) en condition de Bragg sont surlignés par des traits noirs
Donc, chaque cône provient de cristallites orientées de manière différente. Pour que le
diffractogramme soit caractéristique des phases en présence et d'aucun autre paramètre, il
faut donc que toutes les orientations cristallines soient représentées, et que les grains sous le
faisceau soient suffisamment nombreux pour avoir une analyse statistique [134].
Notons que les plans (hkl) contribuant au signal sont nécessairement orthogonaux à la
bissectrice entre le faisceau incident et le faisceau diffracté (bissectrice que l'on appelle
aussi «vecteur de diffraction»). Dans le cas d'un diffractomètre de Bragg-Brentano, les
plans diffractants sont donc parallèles à la surface de l'échantillon comme le montre la
figure II.27.
II.2.1.4.6 Décalages de pics - mesures de contraintes et ajustement de paramètres
Le décalage des pics par rapport à la position théorique (de la signature) peut créer
des problèmes pour l'identification des phases, mais cela peut aussi être une source
d'informations sur les caractéristiques physiques de l'échantillon.
II.2.1.4.6.1 Zéro du goniomètre
La première source de décalage possible est un mauvais réglage de l'appareil. Il faut

donc ajuster avec précision le zéro du goniomètre. Les appareils actuels sont stables et n'ont
besoin d'être réglés que lorsque l'on modifie le dispositif (ex. changement de pièces,
modification de la configuration, ajout d'accessoires).
71
Fig. II.27 Cristallites diffractant dans le cas d'une incidence et d'une détection
symétriques (diffractomètre de Bragg-Brentano) - les plans (hkl) en condition de
Bragg sont surlignés par des traits noirs
Si le goniomètre est mal réglé, cela se traduit par un décalage uniforme, c.-à-d. que tous les
pics de toutes les phases sont décalés de la même quantité, d'un bout à l'autre du
diffractogramme [135].
II.2.1.4.6.2 Hauteur de l'échantillon
Lorsque l'on a un diffractomètre de Bragg-Brentano, la surface de l'échantillon doit

se trouver à un niveau précis. Si cette surface se trouve au-dessus ou en-dessous, alors,
l'angle de déviation 2θ du faisceau diffère de l'angle calcué par l'appareil à partir de la
position du tube et du détecteur (dans le cas d'un θ-θ, à partir de la position du porte-
échantillon et du détecteur dans le cas d'un θ-2θ). Les pics seront décalés d'une valeur Δ2θ
par rapport à leur position attendue, voir figure II.28, et cet écart varie en fonction de
l'angle de déviation lui-même :
Δ2θ = -2.cos(θ).h/R (2.2)
Où h est l'erreur de hauteur et R est le rayon du goniomètre.

Si l'acquisition se fait entre 0 et 70 ° (pour 2θ), cos(θ) passe de 1 à 0.82, donc le décalage
sera quasiment le même sur tout le diffractogramme, il sera difficile de distinguer s'il s'agit
d'un problème de goniomètre ou un problème de hauteur d'échantillon.
72
Fig. II.28 Ecart sur la position du pic lorsque l'échantillon n'est pas à la bonne
hauteur
II.2.1.5 Mesures de contraintes
Les contraintes, ce sont les forces internes à la matière. Si ces forces induisent des
déformations de la maille cristalline (déformation élastique), elles vont faire varier les
distances interréticulaires d, et donc décaler la position des pics. Si l'on mesure le décalage
des pics, on peut donc en déduire l'état de contrainte de l'échantillon figure II.29. Les
contraintes internes peuvent être source d'imperfection, de dégradation des pièces
mécaniques, c'est la raison pour laquelle elles sont beaucoup étudiées en métallurgie.
N.B. : la section suivante ne concerne que les diffractomètres à détecteur mobile, pas les
chambres de Debye-Scherrer.
Ainsi, en mesurant la position du pic, on peut en déduire la déformation de la maille, et si
l'on connaît les coefficients d'élasticité on peut calculer la valeur de la contrainte.
Cependant, les plans diffractants sont les plans parallèles à la surface de l'échantillon. On
ne peut donc mesurer que les contraintes perpendiculaires à la surface, donc ;
 avec la géométrie de Bragg-Brentano, seules les contraintes perpendiculaires à la
surface peuvent être mesurées,
 or, il n'y a pas de contrainte perpendiculaire à une surface libre (cf. théorie de
l'élasticité), on ne pourra éventuellement voir un décalage que si les rayons X
pénètrent profondément.
73
Fig. II.29 Ecart sur la position du pic dû à une contrainte
Dans le cas général, les contraintes sont anisotropes, et plutôt parallèles à la surface. Il faut
donc rompre la géométrie de Bragg-Brentano, en inclinant l'échantillon ; ainsi, le vecteur de
diffraction est incliné par rapport à la surface, on mesure l'écartement des plans non
parallèles à la surface. Il y a deux manières de procéder pour l'inclinaison. On peut incliner
l'échantillon latéralement (tilt), autour de l'axe qui est l'intersection du plan du faisceau
(plan contenant les faisceaux incident et diffracté) et la surface de l'échantillon, d'un angle
χ. On parle de «montage chi» (prononcer "ki") figure II.30 ; ceci permet d'avoir la plus
grande amplitude de mesure (χ varie de 0 à 90 ° en théorie, dans la pratique, l'intensité est
trop faible vers 90 °), mais nécessite un montage spécial, appelé «berceau d'Euler» ou
«montage 4 cercles», voir figure II.31.
On peut aussi incliner l'échantillon selon l'axe perpendiculaire au plan du faisceau d'un
angle Ω. On parle «montage Oméga» ou de «rocking curves» (figure II.32). Ce montage
peut se faire avec un appareil classique, puisqu'Ω est en fait l'angle d'incidence des rayons
X ; on est limité en angle d'inclinaison (les faisceaux incident et diffracté sont à la limite
angente à la surface), mais comme on utilise en général des déviations 2θ importantes (le
décalage du pic est plus marqué aux angles élevés), on dispose d'une amplitude correcte.
74
Fig. II.30 Montage chi : inclinaison latérale, ce ne sont pas les mêmes cristallites qui
diffractent
Fig. II.31 Berceau d'Euler ou montage 4 cercles : on peut incliner l'échantillon

latéralement, notez qu'ici le plan du faisceau est horizontal
Quelle que soit la méthode d'inclinaison, on fait ensuite tourner l'échantillon dans son plan
(axe perpendiculaire à sa surface, spin) d'un angle φ (phi). Une fois l'échantillon dans cette
position, on effectue un balayage autour du sommet du pic afin de pouvoir localiser celui-
ci. On fait ceci pour plusieurs valeurs de χ/Ω et de φ, ce qui permet d'avoir la "cartographie
angulaire" des contraintes, et donc de calculer le tenseur des contraintes [136].
75
Fig. II.32 Montage Oméga : inclinaison de l'incidence du faisceau, ce ne sont pas les
mêmes cristallites qui diffractent
II.2.1.6 Diffractomètre utilisé
Dans notre travail nous avons utilisé un diffractomètres de types Brucker AXS D8
ADVANCE (figure II.33) Les rayons X ont été produits à partir d’une source de radiations
CuKα, ayant une longueur d’onde de 1,5418 Å, avec une tension d’accélération de 30 keV
et un courant de 40 mA.
Fig. II.32 Diffractomètre de rayons X type D08 ADVANCE
76
II.2.2 Spectroscopie d’absorption infrarouge à transformée de Fourier (FTIR)
L'IR concerne le nombre et le type de liaisons chimiques. Son domaine s'étend de

4000 à 400 cm-1. Chaque liaison d'une molécule vibre en permanence à une fréquence qui
dépend : Du type d'atomes et de type de la liaison. Seules les vibrations qui font varier le
moment dipolaire de la molécule (puisque Moment Dipolaire = Charge×Distance)
absorbent les radiations infrarouges. Et donc les molécules qui n'absorbent pas dans l'IR
sont celles qui n'ont pas de moment dipolaire permanent. Par ailleurs, dans la zone du
proche infrarouge, les absorptions ne sont pas dues aux vibrations fondamentales des
molécules, mais aux vibrations harmoniques et aux vibrations de combinaisons. Chaque pic
d'absorption est donc caractéristique d'un certain type de liaison et on distingue les
vibrations de stretching, généralement intenses de 4000-2000 cm-1 les vibrations de bending
de 2000-1500 cm-1, la région de 1500-600 cm-1 étant en général qualifiée d'empreinte
digitale [137].
Lorsque la fréquence de la radiation infrarouge est égale à la fréquence de résonance de la
liaison, il y a absorption de l'énergie lumineuse et amplification des vibrations. La
fréquence de vibration entre deux atomes dépend de la force de la liaison qui les unit et de
leur masse atomique respective (m1 et m2) selon la loi de Hooke (qui décrit les
mouvements d'un ressort) :
1 f m1  m2 
  , (2.3)
2 C m1m2
oû  = fréquence de vibration (cm-1), C= vitesse de la lumière (cm sec-1), f = constante de

force de la liaison (dyne cm-1), m1 et m2 = masse (g) des atomes 1 et 2.
Chaque type de liaisons possède une fréquence de vibration propre. Le spectre IR est donc
extrêmement important par son habilité à identifier les groupements. Certains d’entre eux
possèdent une fréquence extrêmement caractéristique qui permet de les identifier à coup
sûr, comme -OH et C=O.
Les énergies utilisées en spectroscopie IR sont moins importantes qu'en spectroscopie UV-
visible. Cette énergie ne sert plus à exciter les électrons de valence mais à exciter les
différents modes de vibrations des liaisons. En effet, quand on soumet une molécule à une
radiation infrarouge, la structure moléculaire se met à vibrer : ceci à pour effet de modifier
les distances interatomiques (vibrations de valence ou d'élongation) et les angles de valence
77
(vibrations de déformation). La déformation nécessite moins d'énergie que l'élongation. On
trouve en effet les vibrations de déformations pour un nombre d'onde compris entre 600
et 1500 cm-1, tandis que les vibrations d'élongations se trouvent entre 1500 et 4000 cm-1.
II.2.2.1 Modes de vibration
Dans la plupart des ouvrages, les modes de déformation sont donnés en anglais.
Nous les feront figurer entre parenthèses : les vibrations d'allongement (stretching) et les
vibrations de déformation (bending).
Deux familles de modes de vibrations sont observables en IR : les modes d’élongation
(symétrique ou antisymétriques) et les modes de déformation (torsion, cisaillement…). Ces
derniers mettent en jeu des variations d’angles entre les liaisons atomiques [138].
1. Vibrations d'allongement ou d'élongation
Pour un système à trois atomes non alignés on a 2 modes de vibrations d'allongement : une
vibration symétrique et une antisymétrique. Il existera une fréquence pour chacun de ces
deux modes.
Vibrations d’allongements symétrique et antisymétrique
Vibration symétrique (νs) Vibration antisymétrique (νas)
2. Vibrations de déformation
On distingue les déformations dans le plan et les déformations hors du plan.
 Déformations dans le plan. Il s'agit de la modification de l'angle de liaison [138].
Vibrations de déformation β et δ
Rotation β (rocking) Cisaillement δ (scissoring)
 Déformation hors du plan.

Vibrations de déformation hors plan
78
Balancement ω (wagging) Torsion τ (twisting)
Sachant qu'à chaque vibration correspond une bande sur le spectre, un spectre IR devient
rapidement complexe.
Certaines bandes sont néanmoins atténuées ou éliminées, à cause des faits suivant :
 si la vibration n'entraîne pas de variation du moment dipolaire (cas des
molécules à haute symétrie),
 si les vibrations se produisent à des fréquences trop proches,
 si l'absorption est trop faible.
II.2.2.2 Condition d'obtention de pics
La mécanique quantique nous montre que seules les transitions vibrationnelles au
cours desquelles il y variation du moment dipolaire de la molécule peuvent faire apparaître
un pic d'absorption en IR. Une technique complémentaire de la spectroscopie IR, la
spectroscopie Raman, peut elle faire apparaître ces pics. On précise que la spectroscopie
Raman est basée sur une technique de diffusion ; la diffusion se fait avec échange d'énergie
et cette variation d'énergie (quantifiée) est mesurée par un détecteur [138].
Modélisation des liaisons
Le modèle utilisé est celui de l'oscillateur harmonique. Ce modèle est limité mais permet de
faciliter la compréhension des phénomènes observés en spectroscopie IR.
Energie de vibration
L’énergie de vibration Ev est quantifiée :
EV  hV nV  12  ; (2.4)
V : fréquence vibratoire ; nV : nombre quantique de vibration, nV = 0, 1, 2, 3...
Dans l’état fondamental : E V0  12 hV
L’énergie de transition entre le niveau vibrationnel fondamental nV = 0 et un niveau
vibrationnel nV quelconque : E  h  hV nV  12   12 hV  hV nV (2.5)
79
Un spectre d’absorption (IR) est donc constitué de la fréquence fondamentale ;  0 pour la
transition nV = 0 → nV = 1 (souvent la plus intense) et les harmoniques : V = 2N, 3N, etc.

Le nombre de modes de vibrations dépend du nombre de degrés de liberté de la molécule
(3n - 5 pour les molécules linéaires, 3n - 6 pour les autres), c’est-à-dire du nombre d’atomes
qui composent la molécule :
 Molécules diatomiques : 1 vibration d’allongement
 H2O : 3n - 6 = 9 - 6 = 3 modes de vibrations : 1 élongation symétrique, 1
élongation antisymétrique, 1 déformation.
Remarque : on distingue les modes de vibration d’allongement des modes de vibration de
déformation [139].
II.2.2.3 Interprétation d'un spectre
Le spectre IR s'étale en général de 4000 à 600 cm-1. Certains spectroscopes
descendent en dessous des 600 cm-1. De nombreuses bandes sont dues aux différents modes
de vibration des liaisons. Le spectre IR se complique encore davantage à cause des
harmoniques (overtone en anglais) et des résonances de Fermi.
Les harmoniques apparaissent à des fréquences qui sont des multiples de la vibration
fondamentale. Par exemple, la vibration de déformation de la liaison ≡ C-H des alcynes
absorbe entre 610 et 700 cm-1. Et bien sur le même spectre on observe un pic entre 1380 et
1220 cm-1 qui correspond à une harmonique. Les pics attribués aux résonances de Fermi
sont dus à un couplage entre une fréquence fondamentale et une harmonique.
Nos spectres IR ont été enregistrés à l’université Mohemed Khider de Biskra, sur un
spectromètre à transformée de Fourier, FTIR – 8400 SPerkin figure II.33. Les spectres ont
été enregistrés en mode absorbance.
80
Fig. II.33 Spectromètre FTIR – 8400 SPerkin
Les spectres IR mesurent donc l’absorbance A, grandeur dépendante du rapport entre

l’intensité de départ Io et l’intensité transmise It (loi de Beer-Lambert), en fonction de la
fréquence de vibration.
I 
A   log 0  , (2.6)
 It 
Il est possible d’exprimer la variation d’absorption due à l’échantillon avec le rapport

T=It/I0 où T est appelé la transmittance [140].
La spectrométrie d’absorption infrarouge a connu un regain d’intérêt avec l’apparition des
spectromètres à transformée de Fourier. Mais son usage s’est souvent limité à l’étude des
substances organiques, alors qu’elle est nettement sous-utilisée pour l’analyse des produits
inorganiques. De nos jours, l'obtention de spectres complets est beaucoup plus rapide,
fournissant des informations sur l’hydratation des produits, les différentes matières
organiques et les divers types de composés inorganiques présents. Cependant la recherche
de produits inorganiques peut se faire de manière très efficace, sur de faibles quantités par
micro prélèvement, à condition d’avoir des produits soigneusement broyés. Les pastilles de
diamètre 5 mm analysent en routine de 10 à 100 g de produit ; en dessous, on travaille en
3 mm (ou moins). L’utilisation d’un support en bromure de césium et d’un spectromètre
allant dans l’infrarouge lointain jusqu’à 200 cm-1, permet d’identifier la plupart des produits
inorganiques, que ceux-ci soient amorphes, mal ou bien cristallisés. La spectrométrie
infrarouge ne fait, elle, aucune différence entre composés organiques et inorganiques. Elle
81
voit seulement les mouvements (vibrations par exemple) des atomes les uns par rapport aux
autres. L’important est que les informations concernant les divers types de composés se
trouvent être séparées, la fréquence dépendant de la masse des atomes aussi bien que de la
longueur des liaisons. Ces informations peuvent être traitées indépendamment. De manière
générale, la masse des groupements d’atomes à l’origine d’une bande augmente de
l’infrarouge proche à l’infrarouge lointain, c'est-à-dire de = 2,5m à 50m en longueur
d’onde, ou encore, en prenant 1/, de 4 000 à 200 cm-1 en nombre d’ondes (*).
Schématiquement, les groupements O-H sont les premiers à apparaître entre 4000 et 3000
cm-1, suivis des liaisons organiques (surtout entre 3000 et 1000 cm-1), puis les groupements
CO3, SO4, SiO4, de 1550 à 600 cm-1, et enfin les oxydes métalliques entre 600 et 200 cm-1.
Par ailleurs, cette technique prend en compte la symétrie des groupements d’atomes et de la
maille cristalline, ce qui permet de distinguer les variétés allotropiques d’un même
composé chimique. La spectroscopie infrarouge complète ainsi les informations obtenues à
partir de méthodes d'analyse dites classiques telles que la diffraction de rayon X ou la
microscopie électronique à balayage. C'est la conjugaison de toutes les données qui permet
de comprendre, d'analyser et d'affiner au mieux la structure des films [140].
L'infrarouge (IR) concerne le nombre et le type de liaisons chimiques. Chaque liaison d'une
molécule vibre en permanence à une fréquence qui dépend du type d'atomes de la liaison et
du type de la liaison. Seules les vibrations qui font varier le moment dipolaire de la
molécule absorbent les radiations infrarouges. Et donc les molécules qui n'absorbent pas
dans l'IR sont celles qui n'ont pas de moment dipolaire permanent. Par ailleurs, dans la zone
du proche infrarouge, les absorptions ne sont pas dues aux vibrations fondamentales des
molécules, mais aux vibrations harmoniques et aux vibrations de combinaisons.
Chaque pic d'absorption est donc caractéristique d'un certain type de liaison et on distingue
- les vibrations de stretching, généralement intenses de 4000-2000 cm-1.
- les vibrations de bending de 2000-1500 cm-1.
- la région de 1500-600 cm-1 étant en général qualifiée d'empreinte digitale (fingerprint
region).
La position de la bande d'absorption dépend de ;
- la masse des atomes attachés à la liaison (plus les atomes sont gros plus faible est la
fréquence).
- la force de cette liaison (plus forte est la constante plus élevée est la fréquence).
82
Il faut plus d'énergie pour étirer une liaison que de la déformer, donc les bandes dues au
stretching ont lieu à des fréquences plus élevées que celles dues au bending.
L'intensité de la bande dépend de l'existence de plusieurs groupes du même type, de la
valeur du moment dipolaire du groupe fonctionnel et de la variation du moment dipolaire.
Plus il y a de groupes du même type et plus la liaison est polarisée, plus forte sera l'intensité
[140].
II.2.2. 4 Les informations utiles
A chaque molécule correspond un spectre IR différent qui peut être utilisé comme
un descripteur moléculaire en QSAR.
En prenant une précision de 2 cm-1, notre descripteur sera composé de 1800 points
(correspondants à des fréquences) et dont la valeur correspondra à l'intensité (et donc une
grande partie aura des valeurs nulles).
Vu le volume conséquent de données, il est nécessaire de réduire ces 1800 valeurs par une
méthode de réduction des données (Acp, Afc, ondelettes...).
Les spectres infrarouges sont cependant très complexes et on ne peut attribuer toutes les
ondes. On utilise les bandes principales, tant par leur présence que par leur absence [141].
Mode de vibration ω (cm-1)
OH stretching 3300-2500
C-H stretching 3000-2850
OH bending 1630-1640
Al=O stretching 1345-1700
Al-O stretching 732
Al2O3 amorphe 1000-540
CO2 2400
H2O 1400-1900
II.2.2.5 Elaboration des pastilles
On procède au pesage (en routine, une pesée de 10 à 100 g) à l’aide d’une balance
automatique au g. Le broyage doit être soigné, d’une durée standardisée (10 minutes par
83
exemple). Il se fait en présence de bromure de césium (23  2 mg pour une pastille de 5

mm de diamètre). Ce dernier est indispensable pour obtenir des spectres dans l’infrarouge
lointain (jusqu’à 200 cm-1). L’opération se fait dans un mini-mortier en alumine
monocristalline (-Al2O3), incolore, saphir ou rubis suivant la couleur de l'échantillon.
Après broyage, on procède immédiatement au pastillage à l’aide d’un moule approprié (5
ou 3 mm de diamètre) placé sous une presse hydraulique.
L'élaboration des pastilles se décompose en 3 étapes.
La pesée : Pour respecter la loi de Beer-Lambert, la masse de produit à analyser (par
grattage du film de son substrat) doit se situer entre : 40 et 150 µg pour les pastilles de Ø
5mm, 5 et 40 µg pour les pastilles de Ø 3mm. On ajoute au produit une masse de bromure
de césium (20-25 mg pour le Ø 5mm, 10 mg pour le Ø 3mm), transparent à l'infrarouge
jusqu'à 200 cm-1, qui sert à agglomérer. Les pesées s'effectuent dans la salle des balances,
avec la microbalance de précision METLER et dans une coupelle en or.
Le broyage : Il a pour but de bien repartir le produit dans la pastille afin que la surface de
produit traversée par le rayon soit maximale. Le temps de broyage optimum est de 10
minutes. Un pilon en saphir monocristallin est utilisé lors du broyage du mélange. Mettre
en place le piston et le miroir inférieur de telle sorte que les surfaces mirées doivent être en
contact avec l'échantillon.
Après broyage, la poudre obtenue est transférée dans la presse appropriée. Ensuite, on met
une très faible quantité de CsBr dans le mortier, le broyer et l'ajouter dans la presse à
pastiller, ceci lave le mortier et permet de récupérer un maximum de produit. Après mise en
place du miroir supérieur, du socle et du joint, la presse est prête.
La mise en presse : Après la mise en place de la presse et le raccordement à la pompe à
vide, la pression est de 0.4 tonnes pour le Ø 3mm pendant 4 minutes et de 1.2 tonnes pour
le Ø 5mm pendant 5 minutes.
II.2.3 Microscopie électronique à balayage (MEB)
Le microscope électronique à balayage est un microscope électronique qui permet

de visualiser des objets en relief.
Le microscope électronique à balayage (MEB ou SEM en anglais pour scanning électron
microscopy) utilise un fin faisceau d’électrons, émis par un canon d’électrons. Des lentilles
électromagnétiques permettent de focaliser le faisceau d’électron sur l’échantillon.
L’interaction entre les électrons et l’échantillon provoque la formation d’électron
84
secondaire de plus faible énergie, ils sont amplifiés puis détectés et convertis en un signal
électronique, ce processus est réalisé en chaque point de l’échantillon par un balayage du
microscope. L’ensemble des signaux permet de reconstruire la topographie de l’échantillon
et de fournire une image en relief.
La préparation des échantillons est contraignante, ils doivent être déshydratés puis subir un
traitement pour devenir conducteur (fixation des tissus, nettoyage) l’échantillon est ensuite
placé sur le porte-objet.
II.2.3.1 Principe générale
Le pouvoir de résolution (capacité à distinguer des détails fins) de l’œil humain

avec un microscope optique est limité par la longueur d’onde de la lumière visible (photon)
ainsi que par la qualité de la lentille grossissante.
Les plus puissants microscopes optiques peuvent distinguer des détails plus fins, il faut
diminuer la longueur d’onde qui éclaire les cibles. Dans le cas du microscope électronique,
on n’utilise pas des photons, mais des électrons, dont les longueurs d’ondes associées sont
beaucoup plus faibles.
À partir des années 1980, le tube cathodique synchronisé avec le MEB a progressivement
disparu pour céder la place à une acquisition numérique d’image.
La figure II.34 illustre le schéma de principe d’un MEB : une sonde électronique fine
(faisceau d’électrons) est projetée sur l’échantillon à analyser. L’interaction entre la sonde
électronique et l’échantillon génère des électrons secondaires, de basse énergie qui sont
accélérés vers un détecteur d’électrons secondaires qui amplifie le signal. À chaque point
d’impact correspond un signal électrique. L’intensité de ce signal électrique dépend à la
fois de la nature de l’échantillon au point d’impact qui détermine le rendement en électrons
secondaires et de la topographie de l’échantillon au point considéré. Il est ainsi possible, en
balayant le faisceau sur l’échantillon, d’obtenir une cartographie de la zone balayée.
La sonde électronique fine est produite par un « canon à électrons » qui joue le
rôle d’une source réduite par des « lentilles électroniques » qui jouent le même rôle vis-à-
vis du faisceau d’électrons que des lentilles conventionnelles, photonique dans un
microscope optique.
85
Fig. II.34 Schéma de principe « historique » de la microscopie à balayage
Des bobines disposées selon les deux axes perpendiculaires à l’axe du faisceau et
parcourues par des courants synchronisés permettent de soumettre la sonde à un balayage
du même type que celui de la télévision. Les lentilles électroniques, qui sont généralement
des lentilles magnétiques et les bobines de balayage forment un ensemble que l’on appelle
la colonne électronique.
Dans les MEB modernes, la cartographie d’électrons secondaires est enregistrée
sous forme numérique, mais le MEB a pu être développé dès le début des années 1960, bien
avant la diffusion des moyens de stockage informatique, grâce à un procédé analogique qui
consistait, comme sur le schéma de la figure II.35, à synchroniser le balayage du faisceau
d’un tube cathodique avec celui du MEB, en modulant l’intensité du tube par le signal
secondaire. L’image de l’échantillon apparaissait alors sur l’écran phosphorescent du tube
cathodique et pouvait être enregistré sur une pellicule photographique. Les MEB modernes
sont équipés d’un détecteur d’électrons X à dispersion d’énergie (EDS) qui permet de
détecter la composition chimique de l’espèce analysée à travers un signal sous forme de
spectre quantifié.
Un microscope électronique à balayage est essentiellement composé d’un canon à
électrons et d’une colonne électronique, dont la fonction est de produire une sonde
électronique fine sur l’échantillon, d’une platine porte-objet permettant de déplacer
l’échantillon dans les trois directions et de détecteurs permettant de capter et d’analyser les
86
Fig. II.35 Schéma d’un MEB équipé d’un détecteur de rayons X « EDS » (à dispersion
d’énergie)
rayonnements émis par l’échantillon. En outre l’appareil doit nécessairement être équipé
d’un système de pompes à vide.
II.2.3.1 Interaction électron-matière
En microscopie optique classique, la lumière visible réagit avec l’échantillon et les

photons réfléchis sont analysés par des détecteurs ou par l’œil humain. En microscopie
électronique, le faisceau lumineux est remplacé par un faisceau d’électrons primaires qui
vient frapper la surface de l’échantillon et les photons réémis sont remplacés par tout un
spectre de particules ou rayonnements : électrons secondaires, électrons rétrodiffusés,
électrons Auger ou rayons X. Ces différentes particules ou rayonnements apportent
différents types d’informations sur la matière dont est constitué l’échantillon (Figure III.
34) [141].
Fig. II.36 Interaction électron-matière
- Électrons secondaires
Lors d’un choc entre les électrons primaires du faisceau et les atomes de
l’échantillon, un électron primaire peut céder une partie de son énergie à un électron peu lié
de la bande de conduction de l’atome, provoquant ainsi une ionisation par éjection de ce
87
dernier. On appelle électron secondaire cet électron éjecté, figure II.36. Ces électrons
possèdent généralement une faible énergie (environ 50 eV). Chaque électron primaire peut
créer un ou plusieurs électrons secondaires [27].
Fig. II.36 Électron secondaire
De par cette faible énergie, les électrons secondaires sont émis dans les couches
superficielles proches de la surface. Les électrons qui peuvent être recueillis par les
détecteurs sont souvent émis à une profondeur inférieure à 10 nanomètres. Grâce à cette
faible énergie cinétique, il est assez facile de les dévier avec une faible différence de
potentiel. On peut ainsi facilement collecter un grand nombre de ces électrons et obtenir des
images de bonne qualité avec un bon rapport signal/bruit et une résolution de l’ordre de
40 Å pour un faisceau de 30 Å de diamètre.
Étant donné qu’ils proviennent des couches superficielles, les électrons secondaires sont
très sensibles aux variations de la surface de l’échantillon. La moindre variation va modifier
la quantité d’électrons collectés. Ces électrons permettent donc d’obtenir des
renseignements sur la topographie de l’échantillon. En revanche, ils donnent peu
d’information sur le contraste de phase.
-Électrons rétrodiffusé
Les électrons rétrodiffusés (back-scattered electrons) sont des électrons résultant

de l’interaction des électrons du faisceau primaire avec des noyaux d’atomes de
l’échantillon et qui ont réagi de façon quasi élastique avec les atomes de l’échantillon . Les
électrons sont réémis dans une direction proche de leur direction d’origine avec une faible
perte d’énergie, figure II.37.
Ces électrons récupérés ont donc une énergie relativement élevée, allant jusqu’à 30 KeV, et
beaucoup plus importante que celle des électrons secondaires. Ils peuvent être émis à une
plus grande profondeur dans l’échantillon. La résolution atteinte avec les électrons
88
rétrodiffusés sera donc relativement faible, de l’ordre du micromètre ou du dixième de
micromètre.
De plus, ces électrons sont sensibles au numéro atomique des atomes constituant
l’échantillon. Les atomes les plus lourds (ceux ayant un nombre important de protons) ré-
émetteront plus d’électrons que les atomes plus légers. Cette particularité sera utilisée pour
l’analyse en électrons rétrodiffusés. Les zones formées d’atomes avec un nombre atomique
élevé apparaîtront plus brillante que d’autres, c’est le contraste de phase. Cette méthode
permettra de mesurer l’homogénéité chimique d’un échantillon et permettra une analyse
qualitative [141].
Fig. II.37 Électron rétrodiffusé
-Électrons Auger
Lorsqu’un atome est bombardé par un électron primaire, un électron d’une couche
profonde peut être éjecté et l’atome entre dans un état excité. La désexcitation peut se
produire de deux façons différentes : en émettant un photon X (transition radiative) ou en
émettant un électron Auger (effet Auger). Lors de la désexcitation, un électron d’une
couche supérieure vient combler la lacune créée par l’électron initialement éjecté. Durant
cette transition, l’électron périphérique perd une certaine quantité d’énergie qui peut être
émise sous forme de photon X ou peut alors être transmise à un électron d’une orbite plus
externe et donc moins énergétique. Cet électron périphérique se retrouve à son tour éjecté et
peut être récupéré par un détecteur (figure II.38).
Fig. II.38 Électrons Auger
89
Les électrons Auger possèdent une très faible énergie et sont caractéristiques de l’atome qui
les a émis. Ils permettent ainsi d’obtenir des informations sur la composition de
l’échantillon et plus particulièrement de la surface de l’échantillon ainsi que sur le type de
liaison chimique, dans la mesure évidemment où le MEB est équipé d’un détecteur
d’électrons réalisant une discrimination en énergie. Ce sont des MEB spécialisés qui sont
équipés d’analyseurs en énergie. On parle alors d’« analyse Auger » ou de « spectrométrie
Auger ». Le niveau de vide des microscopes électroniques Auger doit être bien meilleur
que pour les MEB ordinaires, de l’ordre de 10-10 Torr [141].
- Rayon X
L’impact d’un électron primaire à haute énergie peut ioniser un atome à une
couche interne, figure II.39. La désexcitation, le remplissage de l’ordre énergétique de la
structure électronique, se produit avec émission de rayons X. L’analyse de ces rayons
permet d’obtenir des informations sur la nature chimique de l’atome.
Fig. II. 39 Rayon X
II.2.5 Analyse Thermique
L'analyse thermique est universelle, d'application générale, capable d'une grande

précision et adaptable à des microquantités. Elle est introduite dans la calorimétrie à
balayage différentiel (DSC), l’analyse thermique différentielle (DTA), la thermogravimétrie
(TG), l’analyse thermomécanique, analyse mécanique dynamique et, dans certains cas, la
diffraction des rayons X a température contrôlée. Parmi eux, TG est probablement la plus
facile à comprendre. Un schéma de cet instrument et montré sur la figure II.40.
Le "grand" appareil sur la photo suivante montre une balance thermique actuelle, le modèle
92-16.18 de Setaram, qui est utilisée dans notre travail. En fait, il combine
thermogravimétrie avec ATD, où la différence de température entre un échantillon et une
référence, d'une substance inerte est enregistrée ou les deux sont chauffés à la même
90
vitesse. Par cette disposition, TG et ATD des scans de ce même échantillon peut être
entreprises simultanément, jusqu'à la limite de température de 1300°C. La température
élevée est hors de portée de DSC en raison de considérations pratiques dans la conception
des fours ; En effet, certaines TG/ATD spécial peuvent prélever des échantillons jusqu'à
2000°C.
Fig. II.40 Schéma de TG et la balance thermique (modèle 92-16.18) de Setaram
II.2.5.1 TGA (Analyse ThermoGravimétrique)
La thermogravimétrie est une technique mesurant la variation de masse d’un

échantillon lorsqu’il est soumis à une programmation de température, sous atmosphère
contrôlée. Cette variation peut être une perte de masse (émission de vapeur) ou un gain de
masse (fixation de gaz, oxydation…).
1. L’échantillon est pesé et la ligne de base est établie
2. L’échantillon est soumis à la montée en température
3. À différentes températures, des réactions chimiques peuvent libérer des espèces gazeuses
ou former des oxydes entraînant une variation de masse de l’échantillon
4. Ce changement de masse est enregistré en fonction de la température.
II.2.5.1 DSC (Calorimétrie Différentielle à Balayage)
L’analyse enthalpique différentielle est une technique déterminant la variation de

flux thermique émis ou reçu par un échantillon lorsqu’il est soumis à une programmation de
température, sous atmosphère contrôlée. Lors d’une chauffe ou d’un refroidissement, toute
transformation intervenant dans un matériau est accompagnée d’un échange de chaleur : la
91
DSC permet de déterminer la température de cette transformation et dans quantifier la
chaleur. La technique est la même que pour la DTA si ce n’est que les températures sont
mesurées à partir de plateaux de grande surface sur lesquels repose le creuset de référence
(vide) et le creuset contenant l’échantillon. C’est la DSC par flux de chaleur. Cette
technique permet, par exemple, de mesurer la chaleur spécifique.
II.2.5.2 DTA et DSC (analyse thermique différentielle)
Un grand nombre de transitions (fusion, cristallisation, transition vitreuse…) ne

s’accompagnent pas d’une variation de masse. Ces transitions qui ne sont pas détectée par
l’analyse thermogravimétrique le sont par les analyses thermique et enthalpique
différentielles. L’analyse thermique différentielle est une technique mesurant la différence
de température entre un échantillon et une référence (matériau inerte thermiquement) en
fonction du temps ou de la température, lorsqu’ils sont soumis à une programmation de
température, sous atmosphère contrôlée. Avec la méthode DTA, toute transformation est
détectable pour toutes les catégories de matériaux.
1. L’échantillon et la référence sont soumis à la montée en température
2. Quand l’échantillon subit un changement de phase, sa réponse en température va varier
par rapport à la référence
3. Le thermocouple va mesurer cette variation. Celle-ci va être enregistrée DT= f (T)
4. Le type de réaction (exo ou endothermique) va produire un pic.
II.2.6 Spectrométrie de photoélectrons X (XPS)
II.2.6.1 Introduction
La spectroscopie de photoélectrons (XPS) permet d'obtenir la composition chimique

d'une surface d'un matériau sur une profondeur variant de 1 nm à 10 nm. Tous les éléments
sauf l’hydrogène et l'Hélium sont détectables. La nature des liaisons chimiques et les
pourcentages atomiques sont obtenus par traitement des données. Cette technique d’analyse
est non destructive.
II.2.6.2 Principe
L’interaction de photons d’une source X avec la matière rend instables les atomes
qui la composent. Cet apport d’énergie, pour peu qu’il soit suffisant, permet aux électrons
qui gravitent autour du noyau de rompre l’attraction qui les maintient sur leurs orbitales. Ils
92
quittent alors l’atome avec une énergie cinétique Ec. Propulsés dans la matière, ils
parcourent une distance qui est fonction de cette énergie et du matériau dans lequel ils
évoluent. Si leur énergie est suffisante, certains électrons atteignent la surface, sont extraits
du matériau et passent dans le vide. Les électrons émis sont collectés et comptés en
fonction de leurs énergies cinétiques. La relation El =hν-Ec-Wtravail de sortie permet de
déterminer l’énergie de liaison El des électrons et d’identifier les atomes dont ils
proviennent [142]. Ces grandeurs sont reportées sur le schéma de la figure II.41 ci-dessous.
Fig. II.41 Bilan énergétique pour l’XPS
II.2.6.3 Significations
Surface analysée de quelques mn à quelque 10 de microns
Résolution latérale : entre 15 et 20 μm
Epaisseur d’un échantillon : <1 cm
Seuil de détection : 0.1 % atomique
EAl = 1486,6 eV, largeur de raie : ΔE = 1,3 eV
EMg =1253,6 eV, largeur de raie : ΔE = 1,1 eV
Quantification : +/- 10%, tous éléments sauf l’hydrogène
Analyse sous ultravide : entre 10-9 et 10-10 mbar
Analyse des échantillons conducteurs et isolants
II.2.6.4 Description de l’analyse
Dans un premier temps, on identifie sur un spectre couvrant la gamme d’énergie de

la source (ex 148,6 eV pour l’Aluminium), l’ensemble des orbitales, puis on effectue, pour
chaque élément identifié, une analyse fine d’une de ses orbitales. Une analyse dure en
93
moyenne de une à quatre heures, dans le cas de nos analyses fines le scan était de 8 heures
et plus. Les spectres obtenus sont traités par ordinateur (figure II.42).
Fig. II.42 Exemple de traitement informatique pour les spectres des orbitales O 1s et
C 1s
II.2.6.5 Résultats obtenus
Ces résultats sont obtenus sur une épaisseur de 1 à 10 nm selon les conditions est
expérimentales : éléments présents (sauf l’hydrogène), pourcentage atomique de chaque
élément, nature et quantification des liaisons chimiques entre ces éléments, cartographie
chimique-résolution 3 μm.
Les enregistrements XPS ont réalisés par un appareil de type PHI 5000 VersaProbe
Scanning XPS Microprobe, figure II.44, de source de rayon X : Al K monochromaté
(h=1486,6 eV), 15kV, 39,3W, diamètre du faisceau: 200 µm. Le décapage était par ion
Ar+ à 2kV sur 2mm x 2mm. L’analyse des spectres détaillés de chaque élément Al, Zn, O,
C, Si et C nécessite un scan répété jusqu’à 20 cycles (allant jusqu’à quelques heures).
Spectre de survol : pass energy 187.85 eV, step : 0.4 eV,
Spectres détaillés : pass energy 23.5 eV, step : 0.1 eV,
Neutralisation de charge: combinaison d'électrons à 1 eV et d'ions à 6 eV
94
Fig. II.43 Ensemble de spectroscopies électroniques XPS/Auger/UPS - Phi 5000

Versaprobe
II.2.7 Spectroscopie UV-visible
La spectrométrie UV-visible a été utilisée pour les dépôts de l’aluminate de zinc

repose sur l’interaction du rayonnement électromagnétique et la matière dans le domaine du
proche UV au très proche infrarouge IR soit entre 190 et 1100 nm (Tableau 2.4). Les
spectres enregistrés donnent la transmittance ou l’absorbance en fonction de la longueur
d’onde. Les spectres de transmission UV/visible des dépôts ont été réalisés au sein de notre
laboratoire (LASPI2) de l’université de Khenchela sur un spectrophotomètre de type
SpectroScan 80D ainsi qu’au laboratoire des « Couches Minces et Interfaces » (LCMI)
de l’Université Mentouri1 de Constantine.
95
Rayonnement UV-visible Infra-Rouge IR
proche et moyen – lointain
Longueur d’onde 10  400 – 400  800 800  50000 50000  106
en nm
Transitions transitions électroniques + transitions transitions

énergétiques vibrationnelles + vibrationnelles rotationnelles
rotationnelles + rotationnelles
Energie quelques eV  0,1  0,05
 E en eV
Rayonnement Longueur d’onde Sources Détecteurs (exemples)
en nm
UV 10 à 400 lampe à hydrogène Cellule photoémissive

à Cs3Sb ou CsI
lampe à deutérium
Photodiode au Si, Ge
visible 400 à 800 lampe à incandescence Cellule photoémissive
tungstène ou halogène à AgOCs
tungstène (lampe à iode)
Photodiode à InAs
thermopile à Bi-
Infrarouge 800 à 106 lampe à incandescence
Sn/Bi-Sb
aux oxydes de zirconium
96
ou de terres rares
Tableau 2.4 Rayonnement électromagnétique et transitions énergétiques
97
Chapitre III
Résultats et discussion
L’objet de ce chapitre est de présenter ainsi que de corréler les résultats obtenus
dans ce travail de thèse concernant l’élaboration et la caractérisation des dépôts de
l’aluminate de zinc et des différents oxydes et mélanges d’oxydes déposés par pulvérisation
ultrasonique. Nous présentons l’influence des paramètres de synthèse dont ; la température
de substrat Ts, celle du recuit thermique Trect et la concentration des sels de métaux sur la
formation de la gahnite ainsi que le volume du solvant.
Le chapitre des résultats est disposé en 3 parties selon le choix des précurseurs de métaux ;
la première partie concerne la préparation des dépôts à base des nitrates de zinc et
d’aluminium avec un rapport molaire entre les deux sels égal à 1⁄2 et 1. La seconde partie
est relative à la synthèse d’oxydes à travers le sulfate d’aluminium et le chlorure de zinc.
Quant à la troisième, les systèmes de mélange d’oxydes ont été élaborés à partir de l’acétate
d’aluminium et le chlorure de zinc hydratés.
Partie 1
III.1 Synthèse de ZnAl2O4 par les sels de nitrates
Les dépôts ont été réalisés dans un intervalle de température de substrat compris
entre 410 et 530°C ensuite recuits à des températures allant de 500 à 700°C. Pour
comprendre les effets conjugués de la température de chauffage du substrat et celle du
recuit thermique sur la qualité cristalline des couches, différentes méthodes de
caractérisation leurs ont été appliquées. La diffraction des rayons X consistée la principale
méthode d’analyse accompagnée de la microscopie électronique à balayage.
III.1.1 Rapport molaire égal à 1⁄2

III.1.1.1 Etude en fonction de la température de recuit
Ts = 530°C
Les spectres DRX des échantillons recuits entre 600-700°C pendant 01 heure de
temps et l’échantillon de référence (non recuit) sont reportés sur la figure (III.1.1).
L’échantillon brut ne présente aucun pic de diffraction reflétant qu’il est amorphe [8, 73].
L’apport du recuit thermique à 600, 630 et 700°C aux spécimens déposés à la même
température de surface du substrat fait apparaître la structure cristalline spinelle du semi-
conducteur ZnAl2O4 selon la carte (JCPDS No. 01-073-1961). (E. Muhammad Abdul Jamal
96
et al 2008) ont fait chauffer leur gel contenant les nitrates de zinc et d’aluminium hydratés à
180°C jusqu’à la formation d’une fine poudre [30]. Cette dernière analysée par DRX n’a
donnée aucune signature cristalline de l’aluminate de zinc mais correspondait à une phase
intermédiaire formée à 180°C. Ce composé serait une mixture des hydroxydes de zinc et
d’aluminium, aucune structure cubique n’a été détectée. (Lou et al 2004) ont également
constaté l’état amorphe de leurs spécimens sans recuit thermique lors de leur synthèse des
couches minces de la gahnite par SPC avec les sels de nitrates [73]. Les pics de diffraction
sont très précisément en accords avec ceux reportés par la fiche d’indexation. Ils
correspondent aux plans atomiques de notre spinelle, selon leurs positionnements en 2,
comme suit : (220), (311), (400), (422), (511) et (440) - cas du film recuit à 630°C-1h avec
une croissance selon l’orientation préférentielle la plus intense (311) normale à la surface
des dépôts. Les pics sont de plus en plus définis et fins avec l’augmentation de la
température indiquant également une bonne cristallinité de nos échantillons surtout pour
ceux qui ont subi un recuit à 700 et 630°C.
La température de chauffage du substrat la plus élevée utilisée lors du dépôt de ZnAl2O4
dans notre travail est de 530°C. Avec cette température, le premier objectif était de réussir
la synthèse de notre spinelle et ensuite analyser l’effet des conditions de dépôt sur sa
formation et sa croissance pour essayer de statuer le mécanisme de formation (notamment
avec la deuxième solution).
Selon [8, 30] les dépôts aux températures de substrats de 300 et 450°C présentent quelques
fissures. Par l’augmentation de la température de substrat entre (500-550°C), les fissures
disparaissent et relativement un matériau plus dense est obtenu. Ces défauts de surface ou
inconvénients peuvent être expliqué, parce qu’à hautes températures de substrats, les
radicaux déposés sont caractérisés par une grande énergie cinétique en surface, qui leur
permet une meilleure accommodation et conséquentiellement produit un meilleur traité et
matériau compact.
On remarque à partir de la figure (III.1.1) que la réaction chimique donnant la formation de
ZnAl2O4 pour la solution 1 (0,006 M Zn(NO3)2.6H2O + 0,012 M Al(NO3)3.9H2O + H2O)
après dépôt à Ts = 530°C est complète après un recuit à 600°C (et peut être pour une
température plus basse, si on aura fait l’essai).
97
Fig. III.1.1 Spectres de la diffraction des rayons X d’échantillons préparés à partir de

la solution 1 à Ts = 530°C non recuit et recuits entre 600-700°C durant 1heure : phase
unique ZnAl2O4
Après formation et élaboration du spinelle à Ts 500°C, on a cherché à minimiser
la température de chauffage du substrat comme c’est ce paramètre qui est le plus influant
dans la préparation des couches minces par spray pyrolyse et que le challenge dans la
synthèse de la gahnite, avec ces énormes applications, porte sur l’abaissement de cette
température d’élaboration. La plus basse température de substrat utilisée lors de la synthèse
des films de spinelle de zinc par spray pyrolyse (employant les précurseurs de nitrates de
métaux hydratés) trouvée dans la bibliographie et qui aboutit à la formation de ce composé,
à l’état cristallin, est de 450°C mais avec une température de recuit très élevée de 800°C
[7]. En examinant la courbe TGA (voir figure (III.1.2)), analyse thermogravimétrique, de la
solution à base de Zn(NO3)2.6H2O et Al(NO3)3.9H2O préparée par co-précipitation tirée de
la référence [42] on arrive à situer approximativement la température du début de la
réaction entre les ions des deux sels. Dans la méthode de co-précipitation, le précurseur co-
98
précipité à partir des nitrates de zinc et d’aluminium est Zn(OH2).2Al(OH)3. L’analyse
démontre que ce nouveau précurseur présente deux pertes de masse importantes. La
première perte qui se situe entre 50 et 100°C est attribuée à l’évaporation physique des
molécules d’eau adsorbées. La seconde perte de masse qui a lieu entre 200 et 550°C est due
quant à elle, a la décomposition de Zn(OH2).2Al(OH)3 anhydre en ZnAl2O4. La
décomposition du double hydroxyde se termine à 550°C. Jianhui et al. à partir de leur
mesure TG-DTA sur le précurseur à base de sels de nitrates d’Al, de Zn et de Cu et le
glucose ont attribué la perte de masse qui se produit entre 180-340°C ainsi que son
correspondant pic à 280°C à la décomposition des composés résiduels organiques et la
perte entre 340-600°C à la décomposition du nitrate et la synthèse des oxydes ZnO, CuO et
ZnAl2O4, puis indiquent que la perte de masse devient presque constante lorsque la
température est supérieure à 600 °C [43]. Ils notent également qu’un pic endothermique
correspondant à environ 720°C, est peut-être dû à la formation de la phase ZnAl2O4. Même
si on n’a pas le même mécanisme de formation ni la même méthode de synthèse, seulement
on peut avoir une gamme de température comme plateforme pour abaisser la température
de substrat. Les températures de substrats choisies dans le point suivant seront : TS = 410,
430 et 490°C.
Fig. III.1.2 Courbe TGA des précurseurs (sels nitrates) de ZnAl2O4 [42]
III.1.1.2 Etude en fonction de la température de surface du substrat Ts
Déjà à Ts = 410°C, l’aluminate de zinc commence à se former et la réaction entre

les nitrates des deux métaux est complète avec la température de recuit de 650°C pour les
99
deux températures de substrat de 410 et 490°C, puisqu’on ne constate sur la figure (III.1.3)
que la présence d’une seule phase cristalline ZnAl2O4, même carte d’indexation précédente.
Les pics de diffraction X pour le spécimen déposé à la température de substrat 490°C sont
plus intenses que ceux diffractés par les plans cristallins de la gahnite formée après dépôt à
Ts = 410°C, ce qui indique que l’état cristallin du matériau pour Ts = 490°C et meilleur que
quand Ts = 410°C.
(220)
50 ZnAl2O4 , Sol1 , 410°C (650°C - 1h)
ZnAl2O4 - Reference code: 01-073-1961
(311)
40
Intensité (u. a)
(511)
30
(440)
20
10
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
120
ZnAl2O4 , Sol1 , 490°C (650°C - 1h)
(311)
100 ZnAl2O4 - Reference code: 01-073-1961

(220)
80
Intensité (u. a)
60
(440)
(511)
40
20
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.1.3 Spectres DRX des deux couches déposées ; à Ts = 410 et 490°C et recuites à
la même température 650°C – 1h : phase présente ZnAl2O4
100
En élevant la température du traitement thermique à 700°C et en comparant les
diffractogrammes des deux échantillons élaborés à Ts = 410 et 430°C, dans les mêmes
autres conditions de travail de synthèse, on détecte la diffraction de la même phase
ZnAl2O4 caractérisée par des pics plus intenses donc ayant un état cristallin meilleur que
dans le cas -d’application du recuit thermique de 650°C, avec pratiquement la même taille
de cristallites non reportés (selon la largeur à mi-hauteur des pics) figure (III.1.4).
80
ZnAl2O4 , Sol1 , 430°C (700°C - 1h)
(311)
(220)
60
Intensité (u. a)
50
40
(511)
(422)
30
(440)
20
10
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
(311)
ZnAl2O4 , Sol1 , 410°C (700°C - 1h)

(220)

60
Intensité (u. a)
40
(511)
(440)
(400)
(422)
20
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.1.4 Spectres DRX des deux couches déposées ; à Ts = 410 et 430°C recuites à la
même température 700°C–1h : phase diffractée ZnAl2O4
101
Pour Ts = 430°C, la température de surface du substrat, on a voulu reportée
l’analyse de la diffraction des rayons X d’un dépôt réalisé avec cette température de
substrat et traité à la température de recuit 630°C pendant 02h40 min, figure (III.1.5). Avec
cette température de recuit qui est de 630°C on a constaté au paravent ; (section III.1.1
figure (III. 1.1)), pour le spécimen déposé avec Ts = 530°C (recuit à 630°C-1h) qu’il
présente la diffraction de la phase ZnAl2O4 pure indiquant que la réaction de formation est
complète par la présence des pics qui sont tous été attribués à cette phase. De même pour
l’échantillon déposé à Ts = 430°C, recuit durant 2h40min à 630°C, la courbe de sa
diffraction de rayons X illustre la signature de la phase (ZnAl2O4) selon la fiche (JCPDS
No. 01-073-1961). Le non enregistrement de la phase zincite (ZnO) est à noter. ZnO se
forme généralement à des températures plus basses et par des mécanismes plus simples
[143] que la gahnite.
100
ZnAl2O4 , Sol1 , 430°C (630°C - 2h40min)
(311)
80
(220)
Intensité (u. a)
60
40 (440)
(511)
(400)
(422)
20
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.1.5 Courbe DRX du dépôt à Ts = 430°C - recuit à la température

630°C pendant 2h40 min : phase formée ZnAl2O4
L’aluminate de zinc a plusieurs mécanismes de formation selon que la réaction est entre
deux oxydes ou un précurseur à base de zinc et un autre oxyde ou bien entre deux sels de
métaux ; du zinc et de l’aluminium (acétates, chlorures, nitrates.. etc.) ou ces sels combinés.
Dans le premier mécanisme, c’est la réaction entre ZnO avec le second oxyde qui est
généralement l’oxyde d’aluminium Al2O3, qui induit la formation de ZnAl2O4 [144, 145].
Alors que dans le deuxième processus, qui est le plus commun, la formation de ZnAl2O4 se
fait en deux étapes. La première étape consiste en l’hydrolysation des nitrates
102
[Zn(NO3)2.6H2O] et [Al(NO3)3.9H2O] de zinc et d’aluminium et la deuxième étape en la
réaction d’oxydation entre les hydroxydes [8, 61, 66] selon la relation principale suivante :
Zn2+ + 2Al3+ + 8 OH- (pH9 réf [8]) → Zn(OH)2 +2Al(OH)3 → ZnAl2O4.4H2O → ZnAl2O4 +
4H2O (3.1.1)
A titre de remarque, l’équipe [73] a synthétisé le mélange d’oxydes micrométriques
ZnO/ZnAl2O4 par voie hydrothermique assistée par le polyéthylène glucose comme agent
tempant et a travaillé avec un traitement thermique à 180°C – 24 heures. Le même
processus a été décrit en détail par (Yang et al. 2004) [146] ou des nanoparticules de
l’aluminate de zinc ont été successivement préparées par hydrolysation de la mixture du
chlorure d’aluminium héxahydraté et le chlorure de zinc dans de l’eau déionisée par le
procédé hydro-thermique. Il a été trouvé que la valeur du pH, la température de réaction
jouent des rôles cruciaux dans la formation des nanoparticules- ZnAl2O4. En fonction du
pH de la solution des précurseurs, le double hydroxyde (ZnAl-LDH) ZnAl layered double
hydroxyde, ZnO, la bohémite ou la gibssite peuvent être formés. Au pH  7 et T  120°C
ZnAl2O4 est synthétisé à travers le double hydroxyde (ZnAl-LDH). Pour les solutions à
faibles valeurs de pH (par exemple 3,5) et à 25°C, quelques-uns des ions Al+3 se
transforment en de petits Al(OH)2+ selon la relation ;
Al3+ + H2O → Al(OH)2+ + H+ (3.1.2)
En augmentant la température de réaction au-delà de 180°C, Al(OH)2+ sera transformer à
son tours en bohémite AlOOH, parce que les ions de zinc (Zn2+) restent toujours stables
dans les solutions à pH faible :
Al(OH)2+ + H2O → AlO(OH) + 2H+ (3.1.3)
Quand la solution est contrôlée au pH 7/180°C, ZnAl2O4 (AZ) est développé. L’évolution
de cette phase avec la température de réaction (pH 7) a été aussi investigué. A 25°C, il a été
trouvé que seulement Al(OH)3 est formé, indiquant que les ions Zn2+ restent dans l’état
ionique, selon :
Al3+ + H2O → Al(OH)03 + 3H+ (3.1.4)
En élevant la température de la réaction, à 120°C, Al(OH)3 réagira avec Zn2+ pour former le
double hydroxyde (ZnAl-LDH) indiquant que les ions Zn2+ peuvent remplacer ceux d’Al3+
dans Al(OH)3. Aux températures plus importantes (T 120°C), plus d’énergie est apportée à
ZnAl-LDHs entre 2 couches et favorise la réaction de ZnO et Al(OH)3.
103
Avec un pH10,5, les ions Al3+ sont facilement transformés en Al(OH)4- à 25°C, donc dans
les solutions ou le pH est grand, Zn2+ forment Zn(OH)2 et se transforment en Zn(OH)3-.
Selon la figure (III.1.6), correspondante au spécimen élaboré avec Ts = 410°C recuit à
690°C pendant 1 h, la présence de la phase ZnO après formation du spinelle (Trec = 650°C-
1h) est due peut-être, que dans ces conditions d’élaboration, la formation du ZnO est
favorable comparablement à l’AZ. La Ts du substrat à un grand rôle dans la stabilité de
l’AZ puisqu’à la température du recuit 700°C et Ts 530°C le spinelle est présent en phase
unique caractérisé avec un bon état cristallin (hypothèse1). Hou et al. dans leur étude sur la
formation de l’AZ (ZnAl2O4) et l’AZO (ZnO dopé-Al) par la technique de dépôt par
couches atomiques (Atomic layer deposition ALD) assignent qu’un processus de
compétition de la facile cristallisation du ZnO avec la formation de ZnAl2O4 cristallin est
observée avec l’accroissement de l'épaisseur de la sous-couche du ZnO [39]. Les auteurs
révèlent que l'épaisseur des sous-couches du ZnO joue un rôle important sur la priorité de la
cristallisation sélective des phases ZnAl2O4 et ZnO pendant le recuit à haute température
des multicouches ZnO/Al2O3. Il a été constaté que le film ZnAl2O4 pur sans la phase
d'impureté ZnO a été synthétisé par le recuit de la couche composite spécifique contenant
des sous-couches de ZnO et Al2O3 d’alternatif monocycle, soit pour des échantillons avec
les rapports de cycle ZnO/Al2O3 à 2:1 et 1:1. Quand le rapport de cycle est 3:1, 4:1 et 5:1,
où l'épaisseur de la sous-couche du ZnO est de plus de trois cycles ALD, la phase ZnO
apparaît et Al2O3 ou ZnAl2O4 cristallins ne sont pas détectables. Il en ressort que l'épaisseur
de la sous-couche du ZnO dans les films composites ZnO/Al2O3 est un paramètre crucial
pour le contrôle de la formation des phases ZnAl2O4 et ZnO au cours du processus de recuit
thermique. Compte tenu de la gravure au cours du cycle d’Al2O3, l'épaisseur mesuré de la
sous-couche ZnO est 0,91 et 2,01 Å dans les échantillons ZnO/Al2O3 avec les rapports de
cycle 2:1 et 1:1. Par comparaison à la longueur de la liaison Zn-O (1,98 Å), l'épaisseur
critique de la sous-couche du ZnO est limitée à une couche atomique pour la formation de
la phase ZnAl2O4. Cela peut être interprété par la réaction chimique à l’état solide pour la
synthèse de ZnAl2O4, ZnO + Al2O3 = ZnAl2O4, où une monocouche d’Al2O3 consomme
une couche atomique de ZnO. L’épaisse sous-couche ZnO, contenant des couches
atomiques excédentaires, a une priorité de former la phase cristalline ZnO dans les
multicouches ZnO/Al2O3 recuites, en raison que la cristallisation du ZnO a besoin d'énergie
bien inférieure à celle de la cristallisation ZnAl2O4. Ces résultats montrent que la présence
104
de liaisons ZnO en excès conduit à la formation de la phase cristalline ZnO en raison de la
cristallisation facile du ZnO. Le film multiple cristallin ZnAl2O4 est synthétisé par la
température de recuit élevée supérieure à 800 °C (entre 800-1100°C-0,5 h) [39]. Hypothèse
2 ; la présence de ZnO (Trec = 690°C-1h) après début de formation du spinelle indique que
la réaction de formation de l’AZ entre hydroxydes d’Al et de Zn et/ou réaction entre ZnO
solide (puisque les dépôts sont en poudre) et hydroxyde d’Al n’est pas achevée dans ces
conditions de dépôt et de traitement thermique. Ça rejoint la 1ère hypothèse : quand la Ts est
faible ça favorise l’apparition de ZnO en dépit de l’AZ, puisque avec Ts 490°C
(220) ZnAl2O4 , Sol1 , 490°C (690°C - 1h)
(311)
40
30
Intensité (u. a)
(440)
(422)
(511)
20
10
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
120
ZnO/ZnAl2O4 , Sol1 , 410°C (690°C - 1h)
(220)
ZnO - Reference code: 00-036-1451

(311)
80
Intensité (u. a)
(002)
60
(440)
(103)
40
(511)
(400)
(422)
20
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.1.6 Courbes DRX des dépôts avec Ts = 410°C et 490°C-recuit à la température
690°C-1h : mixture d’oxydes ZnO + ZnAl2O4 quand Ts est 410°C et AZ par 490°C
105
(recuit à 490°C), voir figure (III.1.6) et Ts 530°C (recuit à 490°C) il y a le spinelle seul.
Une 3ème hypothèse (rejeté) ; il y a peut-être un excès de Zn qui favorise la présence du ZnO
malgré le rapport molaire exacte 2:1 entre le Zn et l’Al quoique ce n’est pas le cas observé
pour la Ts 530°C.
Enfin pour la température de chauffage du substrat Ts = 490°C et la température de recuit
600°C, la réaction pour donner le spinelle de zinc n’a pas encore eut lieu, selon le spectre
de diffraction DRX du spécimen relatif à la figure (III.1.7). En effet, la DRX reflète la
présence de l’oxyde de zinc ainsi que des pics correspondants à la phase recherché
ZnAl2O4.
Donc, en général dans ce mécanisme de dépôt de l’AZ, ZnO se forme et coexiste avec le
spinelle quand la température de substrat est faible [(410°C) accompagnée d’un recuit léger
(700°C-1h) ou qui n’est pas étalé] ou Ts moyenne et un recuit faible [(490°C) suivie par
un recuit à (600°C-1h)], même si on se réfère aux énergies de formation des deux composés
cela converge dans le même sens.
100
ZnO/ZnAl2O4 , Sol1 , 490°C (600°C - 1h)
80
Intensité (u. a)
60
40
20
0
20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2 (°)
Fig. III.1.7 Diffractogramme DRX de l’échantillon déposé à Ts = 490°C - recuit à la

température 600°C pendant 1h : présence de la phase ZnO, 600°C n’est pas une
température suffisante pour l’apparition de ZnAl2O4 pur en travaillant avec Ts =
490°C
Les spectres infra-rouge à transformée de Fourier des dépôts préparés avec Ts 490
et 410°C recuits aux températures 700 et 650°C sont reportés sur la figure (III.1.8)
106
consolidant l’analyse par DRX en ce qui concerne l’effet de la température de recuit. Les
spectres exhibent une série de pics d’absorption dans la gamme 400-4000 cm-1. En
concordance avec les fréquences spécifiques des pics d’absorption, les groupes fonctionnels
existants dans l’échantillon peuvent être déduits. Les pics positionnés à 671, 554 et 500 cm-
1
sont relatifs à l’aluminate de zinc [60, 72, 147, 148]. Ces pics sont, plus exactement,
assignés aux modes de vibration Al-O ; (1) symétrique d’allongement ou d’élongation
(stretching), (2) symétrique de déformation (bending) et (3) asymétrique d’allongement
(stretching), respectivement [60]. Les spectres exhibent également une bande à 3445 cm-1
qui est assignée au mode de vibration des liaisons chimiques de groupes d’hydroxyles.
Trois pics de très faibles intensités à 2960, 2925 et 2853 cm-1 sont attribués aux vibrations
d’allongement C – H des groupes d’alcanes et une autre bande à 1618 cm-1 correspondante
à la vibration de la liaison H – O – H de l’eau adsorbée. Les pics IR autours de 1415 et
1116 cm-1 peuvent être assignés aux fonctionnalités du mode de vibrations d’élongation de
la liaison C=O [2]. Tandis que les très faibles bandes à (1384 et 875 cm-1, courbe rouge)
indiquent la présence du nitrate [75].
0.5
671
ZnAl2O4 , Sol1 , 490°C (700°C - 1h)
500
554
ZnAl2O4 , Sol1 , 410°C (650°C - 1h)
0.4 ZnAl2O4 , Sol1 , 490°C (650°C - 1h)
Absorbance
0.3
2925
1415
3445
1618
2853
2960
1384
1116
0.2
875
4000 3500 3000 2500 2000

1500 1000 500
Nombre d'onde (cm-1)
Figure III.1.8. Spectres FTIR en mode absorbance des dépôts de ZnAl2O4
Les deux analyses DRX et FT-IR sont en bon accord quant à l’effet de la
température de recuit. L’intensité des bandes devient de plus en plus importante au fur et à
107
mesure que la température de recuit augmente de 650 et 700°C pour la même température
du substrat. Cette intensification des bandes avec l’élévation de la température du substrat
de 410 à 490°C (spectres noire et rouge), correspondantes aux liaisons chimiques de notre
composé, renvoie à sa stabilité chimique. L’intensité des pics de vibration relatifs au
spinelle de zinc pour les deux spectres (bleu et rouge) ayant le même recuit thermique ne
suit pas les prévisions attendues.
Conclusion de la partie III.1.1 :
Il y a possibilité de former le spinelle ZnAl2O4, en poudre, par USP à travers une

solution de nitrates de zinc et d’aluminium de rapport molaire égale à 1/2 à faible
température 410°C par un recuit thermique à 700°C-1h avec une excellente cristallinité. A
la température de chauffage du substrat 530°C, la réaction de formation de ZnAl2O4 est
complète après un recuit à 600°C-1h, indiquant certainement que le début de sa formation
commence à s’effectuer à une température plus faible. Dans le mécanisme de formation de
la gahnite, l’oxyde de zinc apparaît avant la phase spinelle, coexiste avec elle avant que le
processus de formation ne se termine et ne fait apparaître que la phase unique ZnAl2O4.
III.1.2 Rapport molaire égal à 1

III.1.2.1 Etude en fonction de la température de recuit
Ts = 530°C
La superposition des spectres DRX des dépôts recuits entre 570 et 800°C sont
illustrés sur la figure (III.1.9). La séquence de formation et de croissance du spinelle de zinc
élaboré par la solution 2 à la température de substrat 530°C est possible. Les températures
de traitements sont relativement élevées pour la compréhension de ce mécanisme. Ce qu’on
peut noter à partir de l’analyse par la diffraction X c’est que la température de recuit de
570°C est suffisante pour la réaction compète de l’aluminate de zinc en phase unique. En
élevant la Trect par 20°C, c'est-à-dire quand elle devient égale à 590°C et 600°C, l’AZ existe
seul à ces températures de recuit. Ensuite, après réaction complète entre les ions
d’aluminium et de zinc, le mélange des phases ZnO et ZnAl2O4 apparaît à partir de 700°C,
peut-être un peu en dessous aussi (entre 670 et 700°C). A la température de recuit Trect de
800°C, la phase de l’aluminate de zinc existe mais pas seule. Le facteur responsable à la
réapparition du ZnO et la formation d’un mélange de phases est le rapport molaire entre les
108
atomes des deux métaux, soit le zinc et l’aluminium. Quand on travaille avec cette
proportion molaire, il y a toujours possibilité de former le spinelle mais l’excès d’ions de
Zn forme le ZnO de nouveau. Les pics de diffraction du ZnO sont bien clairement plus
larges à 700°C qu’à 800°C, soit les cristallites sont plus fins et croient de plus en plus que
Trect augmente.
La composition chimique EDX des films recuits à 600°C et 570°C et la
micrographie MEB du film recuit à 570°C sont reportés dans les figures (III.1.10),
(III.1.11) et (III.1.12), respectivement. Le rapport entre les pourcentages atomiques des
différents éléments est relatif à la stœchiométrie ZnAl2O4. Ce qui est en concordance avec
la DRX. Selon l’analyse chimique, faite sur le spécimen (Ts = 530°C et recuit à 570°C -
1h), le rapport des pourcentages atomiques n’est correspondant exactement à aucunes des
deux phases (contrairement à la DRX), puisque tout simplement l’analyse est globale sur
l’échantillon et elle n’est pas ponctuelle sur chaque grain ou agrégat de phase. L’image
MEB quant à elle transcrit un mécanisme de formation de la gahnite à partir des joins de
grains de la phase de l’oxyde de zinc (qui est peut-être amorphe) grâce à la différence de
contraste (zones plus claires, grises) aux bordures des grains ZnO qui sont d’une taille entre
1–5 µm. Ces observations sont en bon accord avec la littérature [8].
La figure (III.1.13) traduit la réapparition de l’oxyde de zinc à cause de l’excès de zinc par
rapport à l’aluminium après des recuits à 650°C et 600°C étalés pendant 2 heures suite à la
formation complète de la gahnite à 600°C - 1h avec la Ts de 530°C. Ce raisonnement ou
explication a été également assigné dans l’étude de Hou et al. [39].
Conclusion de la partie III.1.2 :
Quand le rapport molaire entre les sels de nitrates de Zn et d’Al est égal à 1 dans la
solution pulvérisée chimiquement, de bonnes couches structurellement de l’aluminate de
zinc ont été élaborées en utilisant une température de surface du substrat (Ts) égale à
530°C. La gahnite se forme par le même processus que la première solution ; réaction entre
hydroxydes d’Al et de Zn et/ou réaction entre ZnO et hydroxyde d’Al, seulement il y a une
réapparition du ZnO après la formation complète du spinelle de zinc contrairement à la
solution 1.
Le problème d’adhérence des dépôts au substrat rencontré quand R = 1/2 (dépôts sous
forme de poudre) a été partiellement surmonté.
109
Fig. III.1.9 Spectres de diffraction X de la série d’échantillons à partir de la solution 2

élaborés par SPC à Ts = 530°C et recuits pendant 1h à : a) 570°C, b) 590°C, c) 600°C,
d) 670°C, e) 700°C et f) 800°C. Existence de la gahnite pure pour (Trect = 570, 590 et
600°C) et des deux phases coexistantes ZnO et ZnAl2O4 pour (Trect = 700 et 800°C).
Faible diffraction de l’AZ pour Trect = 670°C
110
Element Wt % At %
OK 32.64 54.05
AlK 30.83 30.27
SiK 00.86 00.81
ClK 01.18 00.88
ZnK 34.50 13.98
Fig. III.1.10 Diffraction des électrons X EDX ; donnant la composition chimique

globale du film déposé par la sol 2 à Ts = 530°C – recuit à 600°C durant 1 heure
relative à la stœchiométrie ZnAl2O4 d’après le rapport des pourcentages atomiques
111
Element Wt % At %
OK 31.23 54.73
AlK 14.19 14.74
SiK 11.61 11.59
CaK 01.88 01.31
ZnK 41.10 17.63
Fig. III.1.11 Diffraction des électrons X EDX ; donnant la composition chimique

globale du film déposé par la sol 2 à Ts = 530°C – recuit à 570°C durant 1 heure
correspondante au mélange d’oxydes ZnO, ZnAl2O4 selon l’EDX : les proportions des
pourcentages atomiques des différents éléments ne correspondent pas à celles de la
gahnite ni au ZnO
112
Fig. III.1.12 Micrographie MEB du film déposé par la sol 2 à Ts = 530°C – recuit à
570°C durant 1 heure correspondante au mélange d’oxydes ZnO, ZnAl2O : la phase
spinelle est en claire entourant les grains de l’oxyde de zinc au début de sa formation
113
400
ZnO/ZnAl2O4 , Sol2 , 530°C (650°C - 2h)
(101)
(220)
(100)
300
(311)
Intensité (u. a)
(002)
250
(422)
200
150
100
50
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65
2 (°)
160 ZnO/ZnAl2O4 , Sol2 , 530°C (600°C - 2h)

(101)
120
(311)
(220)
Intensité (u. a)
(100)
(002)
80
(511)
(102)
(400)
(110)
(422)
40
25 30 35 40 45 50 55 60 65
2 (°)
Fig. III.1.13 Spectres de diffraction des rayons X des films déposé par la sol 2 à
température élevée de Ts = 530°C – recuits à 600°C et 650°C pendant 2 heures :
réapparition de la phase de l’oxyde de zinc à 650°C et 600°C-2h après formation
complète de ZnAl2O4 à 600°C-1h indiquant un excès des atomes de zinc ou une
défaillance d’atomes d’aluminium vue que le rapport molaire est égal à 1. Obtention
difficile du spinelle seul
114
Partie 2
III.2 Synthèse de ZnAl2O4 à partir du sulfate d’aluminium et chlorure de zinc hydratés

III.2.1 Décomposition thermique de Al2(SO4)3.14H2O et Al2(SO4)3.18H2O
III.2.1.1 Analyse Thermogravimétrique et thermique différentielle (TG-DTG)
La décomposition thermique du sulfate d'aluminium hydraté a été étudiée. La

décomposition se déroule, via un intermédiaire.
La décomposition thermique des hydrates de sulfate d'aluminium est un moyen possible
pour obtenir l'oxyde d'aluminium à grains fins et de haute pureté. Plusieurs auteurs ont
signalé que le sulfate d'aluminium se décompose en oxyde d'aluminium par l'intermédiaire
d'étapes intermédiaires [149, 150, 151], et non directement. Lorant et al. ont constaté que le
cation alumoxane (A12O4+) dans du sulfate d'alumoxane et les ions du sulfite (SO32-) sont
présents dans les produits intermédiaires formés lors de la décomposition thermique du
Al2(SO4)3.18H2O [152]. Son hypothèse a été confirmée par les résultats de Pysiak et
Pacewska [153, 154].
Fig. III.2.1 Courbes TG, DTG de Al2(SO4)3.14H2O : Vitesse de chauffage, 10°C/min ;

l'atmosphère, Argon, le poids de l'échantillon, 27,340 mg
115
Le sulfate d'aluminium hydraté en question, Al2(SO4)3.14H2O a la composition suivante,
(poids %) : composants principaux 97.106 ; Cl, 0,005 ; sels d'ammonium, 0,005 ; métaux
lourds (Pb), 0,004 ; Fe, 0,01 ; Cu, 0,002 ; Ni, 0,002 ; As, 0,0003 et autres.
Les courbes TG et DTG de la décomposition thermique de Al2(SO4)3.14H2O dans
l'atmosphère d'Argon à vitesse de chauffage de 10 °C/min sont présentés sur la figure (III.2.
1). L'analyse des courbes de TG et DTG montre que la dissociation
de sulfate d'aluminium se déroule en deux étapes. La première étape, se terminant en
la région de 300-350°C (figure (III.2.1)) est associée au processus de déshydratation
et le détachement de l'eau de cristallisation de la molécule de sulfate d'aluminium. En
comparant la perte de poids expérimentale (de 33,83 à 40,18 % en poids) et les possibilités
théoriques, démontre que le matériau de départ contient 14 molécules d'eau de
cristallisation. Dans la gamme de température 350-600°C, on peut observer de petits
changements dans la masse de l'échantillon. Ceci peut être expliqué par l'évolution lente de
l'eau cristalline de la structure du sulfate. Dans la deuxième étape, à des températures de
600 à 878°C, la désulfuration du sulfate d'aluminium a lieu, en accord avec l'intensité
endothermique sur la courbe DTG à 794 °C (voir figure (III.2.1)).
Au cours de désulfuration dans la plage de température 700-875°C dans l'atmosphère
d'argon à la vitesse de chauffage de 10°C/min, l'échantillon perd environ 72.6 % de son
poids, qui indique la décomposition complète du sulfate d'aluminium à l'oxyde
d'aluminium.
La figure (III.2.2) montre la courbe typique thermogravimétrique (TG) et sa dérivée
première soit la courbe thermique différentielle (DTG) pour le sel Al2(SO4)3.18H2O. Les
courbes TG et DTG sont indiqués par des lignes continues et en pointillés, respectivement.
La TG-DTG peut être interprété comme suit : la décomposition du sulfate d'aluminium
hydraté se déroule en plusieurs étapes. Les trois principales premières étapes sont les
réactions de déshydratation dans laquelle dix-huit moles d'eau sont perdues. Dans la plage
de 40 à 90°C, seule une petite perte de poids est observée (environ 6%). Cela est dû au fait
que pas toute l'eau est libérée. Lorsque la température augmente au-dessus de 90°C, les
grosses particules du sulfate d'aluminium hydraté se brisent, libérant la vapeur d'eau. Cela
se manifeste par la perte de poids rapide sur la courbe TG du sulfate d'aluminium hydraté
(≈24,5% entre 90 et 151°C). Jusqu'à la température de l'extrémité du troisième pic DTG
(380°C), la perte de poids cumulée de l'échantillon était de 46,5%, ce qui se rapproche de la
116
perte de poids théorique de la conversion d’Al2(SO4)3.18H2O en Al2(SO4)3 (48,6%). La
formation du sulfate d'aluminium se produit lorsque la température se situait entre 706 et
785°C. La perte de poids a augmenté avec l'augmentation de la température de traitement et
la formation d’Al2O(SO4)2 est observée à des températures comprises entre 785 et 800°C
(0,83 moles de SO4 quittent le sulfate d’aluminium à 795°C). La perte de poids théorique
dû à la conversion d’Al2(SO4)3.18H2O en Al2O(SO4)2 est de 60,6%. La dernière étape
principale inclut la décomposition des ions du sulfate au gaz ou vapeur de l'oxyde du
soufre. Le pic DTG avec des maxima à ≈ 808°C (environ 70,7% de la perte de poids) de
l'échantillon est dû à la formation de la phase - Al2O3. La perte de masse est poursuivie
jusqu'à environ 900°C (environ 84,7% de perte de poids), où α- Al2O3 se forme.
Fig. III.2.2 Courbe thermogravimétrique (TG) et thermique différentielle (DTG) du

sel Al2(SO4)3.18H2O à 5°C/min. Le nombre théorique des molécules d'eau et la perte
de poids associés à chaque unité Al2(SO4)3 sont indiqués.
Les produits intermédiaires et finaux de la décomposition thermique du sulfate d'aluminium

hydraté ont été analysés par analyse de phase aux rayons X et par absorption infrarouge.
117
Notre choix s’est porté sur les produits de calcination de l’alun Al2(SO4)3.18H2O à cause de
sa disponibilité dans notre laboratoire.
III.2.1.2 Analyse par diffraction des rayons X (DRX) et par spectroscopie infrarouge à
transformée de Fourrier (FTIR)
Les données de diffraction de rayons X indique que le produit final solide de

décomposition du sulfate d'aluminium par la calcination à 1000°C pendant 3h est un
mélange de  et - Al2O3 en bon accord avec les cartes standard des phases d’alumine  et 
(JCPDS No. 00-10-0425) et (JCPDS No. 00-046-1131), respectivement. La faible intensité
des pics de DRX montre qu'une grande partie de la matière est encore amorphe, figure
(III.2.3). L’analyse DRX du produit de la calcination du sel mère à 800°C durant 2h est
caractérisé par le pic correspondant au plan (217) de la phase - Al2O3 selon la référence du
modèle  (JCPDS No. 00-10-0425). La phase - alumine est à son début de formation par la
présence d’un seul pic de diffraction de faible intensité.
Fig. III.2.3 Spectres de diffraction des rayons X des produits de la décomposition

thermique d’Al2(SO4)3.18H2O par des calcinations aux températures 800 et 1000°C
pendant 2 et 3h respectivement.
118
De la littérature [153], il est connu que dans le même intervalle de température dans l'air,
on peut observer la présence de composés intermédiaires, tels que le sulfate et le sulfite
alumoxane. Pour expliquer ces hypothèses, les produits intermédiaires solides de
décomposition du sulfate d'aluminium à 785 et 795°C pendant 3h ont été analysés par
diffraction des rayons X et d'absorption infrarouge. Les résultats de l’analyse DRX sont
présentés dans la figure (III.2.4). La courbe relative au produit obtenu après calcination à
785°C montre qu’il est polycristallin. Les pics de diffraction présents dans le
diffractogramme DRX sont identiques à ceux de la carte de référence (JCPDS No. 01-077-
0066) du sulfate d'aluminium (Al2(SO4)3). Quand la température de calcination est élevée
de 785 à 795°C, l’intensité des pics de la phase du sulfate d’aluminium décroissent, et
plusieurs disparaissent. A 795°C, les résultats de la DRX, suggèrent que la phase du sulfate
d’aluminium est présente mais avec un taux plus faible qu’à 785°C. Les faibles intensités
des pics de la substance produite à 795°C révèlent qu’une large gamme d’elle est
pauvrement cristallisée. Matori et al. ont trouvé que la phase Al2(SO4)3 perde ses liaisons et
sa cristallinité après qu’Al2(SO4)3.18H2O soit calciné à 900°C [155]. Par ailleurs, la
persistance et l’allure du pic de DRX à la position 2 = 44,07° suggère que la nucléation de
la phase - alumine a débuté.
La figure (III.2.5) est le résultat de l’analyse FTIR des produits intermédiaires de la
calcination durant 3h de l'hydrate du sulfate d'aluminium Al2(SO4)3.18H2O à 785 ou 795°C.
Les spectres présentent des différences notables liées aux états de liaison moléculaire et
structurale de la poudre calcinée. Trois bandes sont attribuées au mode 3 (SO42-) pour le
sel chauffé à 785 ° C : 1150, 1181 et 1250 cm-1. Le groupe SO42- dans les minéraux de
sulfate peut présenter quatre modes de vibration infrarouge actifs, incluant une forte liaison
F antisymétrique (3) et une faible bande E symétrique (2). Ces bandes de vibration se
produisent généralement entre deux à quatre bandes 3 entre 960 et 1280 cm-1 et une ou
deux bandes 2 comprises entre 420 et 525 cm-1 [156]. La bande de vibration 2 la plus
faible apparaît à environ 500 cm-1. Il convient de noter que les principaux changements
dans les spectres FTIR observés dans les bandes sont situés entre 584 et 712 cm-1. En effet,
la courbe FTIR de sulfate d'aluminium hydraté calciné à 785°C comprend des bandes
d'absorption supplémentaires caractéristiques du triplet à 584-712 cm-1 par rapport au
spectre de la poudre calcinée à 795°C. Ces bandes peuvent être attribuées aux vibrations du
groupe (Al-O-Al)4+
119
Fig. III.2.4 Spectres DRX des produits finaux de la calcination de l’alun à 785 et
795°C durant 3 h.
[153]. En outre, le FTIR des sels calcinés présentent une bande à 3443 cm-1 et une faible
bande à 1638 cm-1, qui sont associées au mode de vibration des groupes hydroxyles liés
chimiquement et la vibration de déformation des molécules d'eau, respectivement. Trois
pics d'intensités très faibles situés à 2856, 2927 et 2960 cm-1 sont attribués aux vibrations
d'élongation C-H des groupes des alcanes [157].
La corrélation entre le spectre DRX et les résultats de l’analyse FTIR obtenus pour le sel
calciné à 795°C – 3h suggèrent que la phase métastable Al2O(SO4)2 présente à cette
température de la décomposition chimique du sulfate d’aluminium hydraté exhibe la
structure rhomboédrique du sulfate d’aluminium.
Par rapport au spectre IR de la matière de départ (comportant même 18 molécules
H2O) de la figure (III.2.6), les spectres infrarouges des produits intermédiaires du sulfate
d'aluminium chauffé entre 600 et 1200°C à la vitesse de chauffage de 5°C/ min (figures
(III.2.7)), présentent une bande d'absorption à 1181 cm-1 indique une teneur en sulfate dans
le composé qui diminue d’intensité d’autant que la température de calcination augmente.
Des
120
Fig. III.2.5 Spectres FTIR des produits de calcination (3 h, 785 ou 795°C) du sel
Al2(SO4)3.18H2O et celui du sel Al2(SO4)3.18H2O pour comparaison (ligne grise).
Fig. III.2.6 Spectre FTIR d’Al2(SO4)3.18H2O, produit de départ.

121
bandes à 3443 et 1638 cm-1 caractéristique des vibrations d'élongation et de déformation de
l'eau, respectivement qui deviennent de moins en moins intenses que la température du
traitement de chauffage s’accentue.
Lors de l'examen des résultats IR, nous pouvons affirmer qu’Al2O(SO4)2 est un produit
intermédiaire de la décomposition du sulfate d'aluminium. Par conséquent, le mécanisme
suivant peut être proposé :
Al 2 SO4 3  Al 2 OSO4 2  SO2  0,5O2 3.2.1

Al 2 SO4 3  Al 2 O3  3SO2  1,5O2 3.2.2
Al 2 OSO4 2  Al 2 O3  2 SO2  O2 3.2.3
Les réactions ci-dessus, qui sont très dépendantes de la température, se déroulent en

parallèle.
A des températures supérieures à 700°C les premiers signes de la décomposition partielle
d’Al2(SO4)3 à Al2O(SO4)2 (réaction (3.2.1)) peuvent également être observés. Probablement
à ces températures la décomposition du composé étudié à l'oxyde d'aluminium est possible,
mais les réactions (3.2.2) et (3.2.3) se déroulent très lentement. Dans cette perspective, on
peut affirmer que dans les conditions ci-dessus la seule réaction (3.2.1) a lieu. La formation
dans la phase solide d’Al2O(SO4)2, selon la réaction (3.2.1), ainsi que de SO2 et O2, dans la
phase gazeuse, interrompt le courant de la réaction principale, eq. (3.2.2). En outre, ce qui
explique l'existence de maximum sur la courbe DTG (figure (III.2.2)).
On peut conclure que le sulfate d’alumoxane obtenu est microcristalline ou amorphe. Ces
résultats concordent avec les observations antérieures. Pysiak et Pacewska n'a pas identifié
les produits intermédiaires de la décomposition de sulfate d'aluminium basique par analyse
par diffraction des rayons X, probablement en raison des structures cristallines qui sont
développées insuffisamment.
Le domaine optimal des températures pour obtenir Al2O(SO4)2 est 785-795°C et pour la
formation d’Al2O3 est 800-1200°C pour l’alun de départ Al2(SO4)3.18H2O. Le sulfate
d’aluminium anhydre Al2(SO4)3 existe dans l’intervalle de températures 700-785°C.
122
2.0
Al2(SO4 )3.18H2O
 3 doublet
 4 doublet
600°C
700°C
1.5 650°C
800°C
Al-O
1000°C
Absorbance 1100°C
1.0 1200°C
777°C
H 2O
H 2O
0.5
0.0
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
Nombre d'onde, nm
Fig. III.2.7 Comparaison entre les spectres FTIR des produits de calcination à des
températures entre 600 et 1200°C du sel Al2(SO4)3.18H2O
III.2.2 Dépôt et étude de l’oxyde ZnAl2O4 et du système d’oxydes ZnO/ZnAl2O4

III.2.2.1 Effet des concentrations des précurseurs
Avant d’enchaîner avec les différentes conditions de synthèse de l’aluminate de zinc

(dans les prochains paragraphes), on ne peut pas passer sans porter une attention
particulière à l’élaboration du mélange d’oxydes ZnO / ZnAl2O4 avec toutes ces
importantes applications en photo-catalyse [67, 68, 69]. La caractérisation structurale des
spécimens déposés par la technique de spray pyrolyse ultrasonique en utilisant le précurseur
solide produit de la calcination d’Al2(SO4)3.18H2O à 795°C – 3h recuits à deux
températures différentes pendant 1h sont reportés sur la figure (III.2.8 (a) 700°C et (b)
650°C). Le difractogramme relatif au dépôt recuit à 700°C figure (III.2.8 (a)) révèle la
coexistence de l’oxyde de zinc et l’aluminate de zinc. Tous les pics sont bien définis,
indiquant la nature cristalline élevée des phases présentes dans l’échantillon. Chaque pic de
diffraction des deux phases est en bon agrément avec les courbes de diffraction standard
des structures hexagonale ZnO est cubique de ZnAl2O4 en accord avec les cartes (JCPDS
No. 00-036-1451) et (JCPDS No. 00-001-1146),
123
ZnO/ZnAl2O4 , Sol1 , 570°C (700°C - 1h)
(002)
800 (a) ZnAl2O4 - Reference code: 01-073-1961
600
(101)
Intensité (u. a)
(100)
400
(311)
(220)
(110)
(103)
(102)
200
(440)
(511)
(112)
(422)
(400)
(200)
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
(b) ZnO/ZnAl2O4 , Sol1 , 570°C (650°C - 1h)

(101)
1200
(002)
1000 ZnO - Reference code: 00-036-1451

(100)
800
Intensité (u. a)
(311)
600
(220)
(102)
(110)
400
(103)
(440)
(112)
(511)
(400)
(422)
(200)
200
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.2.8 Spectres DRX typiques de films composites préparés à partir de la solution
1 de rapport molaire 1 : 2 entre ZnCl2.2H2O et Al2O(SO4)2 recuits à (a) 700°C et (b)
650°C durant 1heure : mélange de phases ZnO/ZnAl2O4.
respectivement. Le tableau III.1 regroupe les données de la DRX des films ZnO/ZnAl2O4. Il
montre la structure polycristalline typique hexagonale ZnO. Le pic (002) a l’intensité la
plus grande. Les caractéristiques de ZnAl2O4 sont aussi présentées.
124
Les constantes de maille peuvent être calculées en utilisant les formules suivantes :
1 a
d hkl  (III.1) et d hkl  , (III.2)
4(h 2  k 2  hk ) l 2 h  k2  l2
2
 2
3a 2 c

avec d hkl  , (III.3)
2 sin  hkl
ou a et c sont les constantes de mailles et dhkl est la distance crystalline interréticulaire pour
les indices hkl. Avec les données du tableau III.1, les constantes de maille des films ZnO et
ZnAl2O4 ont été calculés ; a = b = 3,248 Å et c = 5,208 Å et 8,087 Å, respectivement et les
valeurs reportée sont a = b = 3,249 Å et c = 5,207 Å et 8,062 Å, respectivement, selon les
données des cartes JCPDS. Ce très proche accord indique la pureté de phase des deux
oxydes obtenus.
Tableau III.1 Données de la diffraction des rayons X pour le film composite

ZnO/ZnAl2O4 (recuit à 700°C)
Pos. FWHM Plans Identifiés (h k l) dhkl (Å) Intensité relative

[°2Th.] [°2Th.] (%)
31,3057 0,8839 220 ZnAl2O4 2,857 19,08
31,8155 0,1537 100 ZnO 2,813 31,48
34,5118 0,2024 002 ZnO 2,599 100,00
36.3725 0,2267 101 ZnO 2,470 53,29
36,8650 0,7104 311 ZnAl2O4 2,438 30,54
44,8092 0,6298 400 ZnAl2O4 2,023 2,24
47,6504 0,3149 102 ZnO 1,909 9,37
55,6419 0,6298 422 ZnAl2O4 1,652 3,65
56,7192 0,2362 110 ZnO 1,623 9,83
59,3661 0,6298 511 ZnAl2O4 1,557 6,27
62,9704 0,3149 103 ZnO 1,476 8,90
65,2577 0,4723 440 ZnAl2O4 1,430 9,10
68,0799 0,2880 112 ZnO 1,376 5,60
125
L'information sur la taille des cristallites (D) des films a été obtenue à partir de la
largeur à mi-hauteur des pics de diffraction à l'aide de la formule Scherrer [158] :
0.94
D , (III.4)
( hkl) cos ( hkl)
où λ, θ(hkl) et β(hkl) sont, respectivement, la longueur d'onde des rayons X (0,15418 nm),
l'angle de diffraction de Bragg et la largeur de ligne à mi-hauteur. Cette formule n’est pas
limitée par l’orientation préférentielle et est valide pour un profile de DRX ordinaire. Pour
améliorer les statistiques, les pics les plus intenses dans les profiles ont été choisis pour
déterminer la taille des cristallites.
Les tailles des cristallites moyennes du ZnO et ZnAl2O4 ont été estimés à 43 et 12
nm, respectivement.
L’affinement Rietveld vérifie la formation du film composite ZnO/ZnAl2O4 après
également un recuit à 650°C pendant 1h et qui est reporté sur la figure (III.2.9). Un
excellent accord est observé en termes de positions et intensités des pics entre les données
théoriques et expérimentales, comme il est illustré sur la figure (III.2.9). Les paramètres de
mailles obtenus à partir des analyses Rietveld des structures ZnO et ZnAl2O4 sont a = b =
3,250 Å et c = 5,20 Å et 8,097 Å, respectivement et les valeurs reportée sont a = b = 3,250
Å et c = 5,207 Å et 8,087 Å, respectivement, selon les données des cartes JCPDS. Ce très
proche accord indique la pureté de phase des deux oxydes obtenus.
La cristallinité de chaque phase dans le mélange d’oxydes est estimée par le logiciel
de comptage des diffractogrammes DRX (X'Pert HighScore). Cette estimation pour le
système traité à 650°C durant 1h, par exemple, est de 60% pour la phase ZnO et 40% pour
celle ZnAl2O4.
Conformément aux analyses de diffraction des rayons X du spécimen recuit
pulvérisé, les résultats FTIR du dépôt recuit thermiquement à 700°C durant 1h (voir figure
(III.2.10)) démontrent la présence du mélange de composés ZnO et ZnAl2O4. Les pics
d’absorption localisés à 675, 557 et 502 cm-1 sont caractéristiques de la structure régulière
spinelle avec les centres d'aluminium à coordinence octaédrique [148]. Quant au pic
d’absorption situé à 431 cm-1, correspondant à la fréquence de vibration de la liaison Zn –
O, est en entente avec les résultats obtenus avec la DRX et est signifiant du rouge décalé
126
(red schifted) comparé avec celui du ZnO massif fabriqué par le procédé Français (437,33
cm-1) [159, 160].
Fig. III.2.9 Affinement Rietveld du système du film composite ZnO/ZnAl2O4 recuit à

650°C durant 1h.
Fig. III.2.10 Spectre d’absorption FTIR du système ZnO/ZnAl2O4 déposé par USP et
recuit thermiquement à 700°C durant 1heure
127
La micrographie MEB du mélange recuit à 650 °C est reportée sur la figure
(III.2.11), où on observe la formation d’un dépôt assez dense et homogène. Un agrégat de
micrograins de contraste gris est probablement relatif à l’oxyde de zinc et la formation de
ZnAl2O4 se situe au niveau des joins de grains, d’un contraste plus clair, de ces micrograins
conformément à la bibliographie [68]. Le recuit pendant 1 heure favorise l’agglomération
des grains ZnO pour former des agrégats et la diminution des contacts intergranulaires. Des
clichés du top de la surface du dépôt composite relatif au système des deux oxydes
ZnO/ZnAl2O4 traité à 700°C pendant 1h à différents grossissements sont reportés en figure
(III.2.12 (a) et (b)) montrant la forme sphérique des agrégats de grains du mélange
composite par les deux phases ZnO et ZnAl2O4. Le grossissement de cette micrographie ne
permet pas d’estimer la taille des cristallites de nos deux phases mais seulement de
remonter à celle des agrégats de grains qui sont entre 5 et 10 μm. Les grains de l’oxyde de
zinc (zones de contraste gris) peuvent être estimés approximativement entre 2/5 et 7/5 μm.
Fig. III.2.11 Micrographie MEB correspondante au mélange d’oxydes

ZnO/ZnAl2O4 après recuit à 650°C-1h : la phase spinelle est en claire entourant les
grains de l’oxyde de zinc
128
Fig. III.2.12 Clichés MEB du dépôt traité à 700°C-1h du ZnO/ZnAl2O à : (a) faible 
5560 et (b) grand grossissement  20420 fois ; ZnAl2O se forme au JG du ZnO
129
Pour investiguer les propriétés physico-chimiques des niveaux de cœur du système
ZnO/ZnAl2O4, des analyses XPS ont été investiguées sur le film recuit à 700°C avant et
après pulvérisation de sa surface par les ions Ar+. Le spectre de survol XPS (figure
(III.2.13)) du mélange tel qu’il est déposé (traité thermiquement à 700°C-1h) indique la
présence des éléments Zn, O et Al. Toutefois, un peu de carbone et de soufre sont
incorporés dans le spécimen tel qu’il est déposé et avec moins de quantités après une
pulvérisation cathodique de la surface.
Fig. III.2.13 Spectre de survol XPS du composite ZnO/ ZnAl2O4 recuit à 700°C-1h tel
qu’il est deposé ; avant pulvérisation par les ions d’Ar+
La figure (III.2.14a) montre les spectres de survol XPS des films tel qu’il est déposé
(as-deposited) et nettoyé par pulvérisation cathodique (après 2 min, Ar+ pulvérisation (~ 2
nm)) (traités par un recuit à 700°C pendant une heure). L'analyse quantitative indique que
la composition des pourcentages atomiques en surface de Zn, Al et O changent de 15,3,
14,6, et 53,4% à 16,5, 18,0, et 57,3 at%, respectivement, après le nettoyage de la surface
par pulvérisation. Ces résultats sont en bonne accord avec les valeurs théoriques de Zn, Al
et O dans les composés ZnAl2O4 et ZnO, comprises dans les concentrations générales,
ajoutées à d'autres configurations d'oxygène négligeables comme la contaminante C-O. Les
concentrations quantitatives at. % des principaux éléments Zn, Al et O observées
130
convergent de manière significative avec le résultat DRX où on a démontré la coexistence
de phase spinelle et la phase wurtzite [36].
Un facteur important en ce qui concerne la propriété de surface des oxydes est la
ségrégation préférentielle d’un ion par rapport à un autre à la surface qui conduit à une
différence entre la composition à la surface et en volume et donc sur les propriétés
catalytiques. Le rapport atomique des éléments Zn/Al du film déposé est d'environ 1,04 : 1
et celui du film pulvérisé cathodiquement et nettoyé 2 min est de 0,91 : 1, déviant de la
valeur théorique de 1 : 1 calculée à partir de la formule chimique ZnO/ZnAl2O4. Ce résultat
montre que la composition atomique en surface Zn/Al est un peu différente de la
composition en volume.
La figure (III.2.14b) représente les spectres XPS dans la région Zn 2p pour ces
échantillons (tel qu’il est déposé et nettoyé par pulvérisation). Le spectre du niveau de cœur
Zn 2p pour le film mince montre un doublet, dont les énergies de liaison sont 1022,7 et
1045,9 eV (1022,0 et 1045,2 eV pour le nettoyé par pulvérisation) et qui peuvent être
identifié comme les lignes Zn 2p3/2 et Zn 2p1/2, respectivement. Les différences d'énergie
de liaison entre les deux lignes sont 23,2 eV (23,2 eV pour le nettoyé par pulvérisation), qui
est confortablement se trouve près de la valeur de référence standard de ZnO [161]. Les
positions des énergies de liaison Zn 2p3/2 et Zn 2p1/2 et la différence de l'énergie de
liaison, calculée à partir de l'analyse XPS, révèle l'oxydation des atomes de Zn à l’état
chimique Zn2+. Selon le doublet Zn2+ 2p recueilli avant le bombardement d'ions de la
surface, une forme de lignes similaires, mais une diminution de l'intensité et un changement
mineur dans les positions de l'énergie de liaison a été détectée, ce qui indique que
l'environnement de Zn à la surface supérieure est légèrement différente de Zn2+ en dessous
[162].
Une analyse XPS haute résolution du pic Al 2p révèle la nature de la liaison de
l'aluminium. La figure (III.2.14c) montre la comparaison des pics Al 2p de l'échantillon
avant et après le nettoyage par pulvérisation cathodique Ar+ pendant 2 min. Le centre de
déplacement (shift) du pic de 74,7 à 74,0 eV. L'énergie de liaison du signal Al 2p est
compatible avec la présence d'espèces Al3+.
La figure (III.2.14d) montre les spectres XPS dans la région Al 2s pour ces
échantillons (avant et après pulvérisation du film recuit à 700°C-1h). Il n'y a pas de
décalage considérable dans la valeur de l’énergie de liaison du Al 2s centrée autour de
131
119,5 et 118,8 eV pour le spécimen déposé et pulvérisé, respectivement, indiquant la
présence d'Al3+ sur la surface. Pour le film ainsi déposé, aucun changement dans la forme
de la ligne n’a été observée pour Al3+ à l'exception d'une diminution de l'intensité et un
changement mineur dans l'énergie de liaison, ce qui montre que l'environnement d’Al3+ à la
surface externe est légèrement différent d’Al3+ en dessous. La même tendance a été
observée pour le pic Zn 3s à 140,3 eV et 140,0 eV pour le dépôt avant et après
pulvérisation, respectivement.
Kim et al. ont rapporté que, lorsque la couche épitaxiale ZnO dopé par l’Al, le pic
intense O 1s à 530,6 eV est une caractéristique des ions O2- sur la structure wurtzite du
réseau hexagonal d’ions Zn2+, et le faible pic à 532,0 eV O1s est caractéristique de la phase
non-stœchiométrique Al-O [163]. Chen et al., Dans une investigation d’XPS et AES de
ZnO dopé Al, ont indiqué que les trois distinctes composantes de O1s peuvent être
attribuées à la présence d'oxygène lié pauvrement à la surface de ZnO (532,4 eV), les ions
O2- dans les régions déficientes en oxygène au sein du ZnO (531,25 eV) et les ions O2- sur
la structure de wurtzite du réseau hexagonal d'ion Zn2+ (530,15 eV), respectivement [164].
La dé-convolution des spectres XPS du spectre 1s O est représenté sur la figure (III.2.14e).
Le spectre du niveau O 1s du film initial semble être asymétrique et peut être mieux ajusté
en utilisant deux courbes Gaussiennes à 531,28 (FWHM 2,7) et 531,97 (FWHM 3,69), et
peut être attribué à l'oxygène du réseau cristallin ZnO [165] et de l'oxygène de ZnAl2O4
[161], respectivement. Le spectre du niveau O 1s du film pulvérisé peut être mieux ajusté
en utilisant deux Gaussiennes à 530,86 (FWHM 3,41) et 532,19 eV (FWHM 3,93). Dans le
cas du dépôt pulvérisé, l'intensité de l’énergie de liaison à 532,2 eV diminue
considérablement tandis que l'intensité du pic 532,19 eV augmente.
La figure (III.2.14f) montre le domaine de l'analyse dans la proximité des régions
des pics C 1s à 285,1 eV, S 2s et S 2p du spécimen avant et après nettoyage par
pulvérisation recuit à 700 °C-1h. Une diminution significative de l'intensité de la raie de
carbone est notée dans la courbe par rapport à la couche de surface après la pulvérisation
d’Ar+ est caractéristique de la pureté de l'échantillon en volume de la contamination par les
espèces de carbone. Tuan et al. expliquent cette observation par la réaction totale des
molécules de précurseurs métal-organiques et la désorption des ligands contenants du
carbone à partir de la surface, de sorte que le pic dans le spectre du film initial est
probablement due parce que les hydrocarbures adventices apparemment constitués sur
132
l'échantillon pendant le transfert dans l'air [166]. Une certaine teneur en soufre est détectée
dans la couche initiale, qui devient négligeable après la pulvérisation. La faible teneur en
soufre de la couche élaborée est probablement due à la décomposition de l’oxyde du sulfate
d'aluminium (Al2O(SO4)2).
Fig. III.2.14 Spectre XPS de survol du film ZnO/ZnAl2O4 initial (line noire) et
pulveriser (line rouge) recuit à 700°C-1h (a), Spectre Zn 2p XPS (b) , Spectre Al 2p
XPS (c), Spectres Al 2s and Zn 3s XPS (d), Spectre O 1s XPS (e) et spectres C 1s, S
2p and S 2s XPS (f) des films
133
Dans cette étude, la méthode du paramètre Auger modifié [161] (paramètre Auger
modifié = α' = énergie de liaison de la ligne majeure des photoélectrons ajoutée à l'énergie
cinétique de la ligne Auger majeure pour l'élément intéressé) a été utilisé pour déterminer
l'état chimique du zinc. On sait que les valeurs de α' situées à 2010 et 2014 eV sont
caractéristiques de l'état d'oxydation (Zn2+) et l’état métallique (Zn0), respectivement [161].
Pour les films ZnO/ZnAl2O4 initial et pulvérisé, les déplacements du paramètre α' sont
donnés dans le tableau III.2. Les valeurs de α' maintenues constantes au ~ 2010.2 eV,
s’éloigne de 2014 eV, indiquent l'existence de Zn2+ [167]. Les valeurs du paramètre Auger
modifié calculées de l'oxyde de zinc et le système ZnO/ZnAl2O4 sont identiques, mais
diffèrent de la valeur calculée de l'aluminate de zinc de 0,6 eV, comme on peut l'observer.
Cette différence n’est généralement pas considérée très prononcée et la différenciation entre
ZnO et ZnO/ZnAl2O4 et/ou ZnAl2O4 ne devient pas possible et nécessite d'autres données
que les valeurs de α' seul. Une même approche et déduction ont été rapportées par
Strohmeier et al. pour la distinction entre ZnO et Zn(OH)2 et/ou dans leur disque ZnAl2O4
zingué (zincated) étudié, où la différence entre les valeurs de α' obtenue pour ces composés
était de 0,4 eV [168]. Cependant, les valeurs calculées de O 1s pour le système
ZnO/ZnAl2O4 pulvérisé et le matériau ZnAl2O4 sont égaux et augmentent d’un électronvolt
par rapport à celle de l'oxyde ZnO. Comme on peut le voir dans le tableau III.2, les énergies
de liaison O 1s ont un déplacement chimique de 1,7 eV entre ZnO/ ZnAl2O4 (dépôt
pulvérisé) et le ZnO.
Tableau III.2 Energies de liaison (eV) XPS pour les composés de référence de zinc et
du système ZnO/ZnAl2O4 (recuit à 700°C). aFilm initial, b film pulvérisé et les valeurs
Auger dans l’énergie cinétique (KE). Le paramètre Auger = énergie de liaison Zn
2p3/2 + l’énergie cinétique Zn LMM
Echantillon Zn 2p3/2 Zn LMM paramètre Zn 2p1/2 Zn 3p Zn 3s O 1s Al 2p Al 2s S 2p S 2s C 1s

Auger Zn Auger
ZnO [21] 1021,5 988,6 2010,1 1044,6 88,6 139,5 530,2 / / / / 285,1
ZnAl2O4 [21] 1022,0 987,5 2009,5 1045,1 89,4 140,3 531,3 74,5 119,3 / / 285,1
ZnO/ ZnAl2O4a 1022,7 987,4 2010,1 1045,9 89,5 140,3 531,9 74,7 119,5 233,5 169,5 285,1
Iaiche et al.
ZnO/ ZnAl2O4b 1022,0 988,2 2010,2 1045,2 89,2 140,0 530,9 74,0 118,8 / 169,2 285,1
Iaiche et al.
134
III.2.2.2 Effet de la température de chauffage du substrat
Dans les procédés de dépôts chimiques des couches minces parmi lesquels fait
partie notre technique de synthèse d’oxydes qui est le spray pyrolyse ultrasonique, une
énergie du type thermique apportée par la chaleur de chauffage du substrat peut représenter
l’énergie d’activation des réactions chimiques entre les espèces en phase gazeuse [31] qui
peut amener à la formation de la couche selon le composé élaboré. Les figures (III.2.15) et
(III.2.16) représentent les spectres de diffraction des rayons X de spécimens déposés à
partir de la solution (2) ou solution Y employant des températures de chauffage de substrat
égales à 550 et 570°C. Le diffractogramme de l’échantillon élaboré à la température du
chauffage du substrat de 550°C est typique à une matière amorphe ne comportant aucun pic
de diffraction. Quant au dépôt préparé avec une température de chauffage du substrat ou
température de la plaque, un peu plus élevée que la première, reflète un spectre DRX de la
phase ghanite polycristalline par la présence des pics de diffraction des plans (220), (311),
(400), (422), (511) et (440) selon la carte (JCPDS No. 01-073-1961). On peut remarquer
également que le spécimen synthétisé à 570°C a été recuit et cristallisé à une température
plus basse qui est égale à 650°C pendant 1h, que celui élaboré à 550°C et qui a été recuit à
700°C durant le même temps. Cette observation suggère que la température de chauffage
du substrat peut avoir un effet plus important que celle du traitement thermique.
Le spray pyrolyse engendre beaucoup de processus qui apparaissent simultanément ou
séquentiellement. Les plus importants de ces derniers sont la génération et le transport
d’aérosol, évaporation du solvant, impact de gouttelettes et sa propagation sur le substrat et
la décomposition des précurseurs. La température de dépôt est impliquée dans tous les
processus susmentionnés, à l’exception dans la génération d’aérosol. En conséquence, la
température de surface du substrat est le paramètre principal qui détermine la morphologie
et les propriétés de la couche déposée. En augmentant la température, la morphologie de la
couche peut changer d’une structure fissurée (cracked structure) à une structure poreuse.
En effet, dans beaucoup d’études, la température de dépôt a été rapportée comme le
paramètre le plus important du spray pyrolyse [38].
D’une façon générale, la température de surface du substrat détermine la capacité des
atomes à diffuser. De hautes températures vont favoriser la croissance rapide de cristaux et
la croissance de cristaux sans défauts, tandis que de faibles températures impliquent une
sursaturation importante qui favorisent des structures désordonnées ou même amorphes.
135
Sol2 - V1 (H2O), 550°C (700°C - 1h)
400
Intensité (u. a)
200
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.2.15 Courbe DRX du dépôt préparé à la température de chauffage du substrat

Tcs = 550°C recuit à la température 700°C durant 1h
ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C (650°C - 1h)

(220)
300
(311)
200
Intensité (u. a)
(400)
(440)
(511)
(422)
100
15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.2.16 Courbe DRX du dépôt réalisé à la température de chauffage du substrat

Tcs = 570°C recuit à la température 650°C durant 1h
136
III.2.2.3 Effet de la température de recuit
Le recuit thermique est un traitement important dans l’élaboration des matériaux,

qui peut avoir plusieurs objectifs ; dont l’homogénéisation de la microstructure du composé
final à côté de l’apport énergétique des réactions chimiques entrant dans la formation du
spinelle. Fan et al. rapportent clairement que des températures de recuit souhaitables ou des
fenêtres de températures de recuit sont nécessaires pour contrôler les réactions de
croissance des oxydes spinelles, dont l’AZ, soit par le mélange de poudres solides ou le
contact d’un oxyde solide et une phase vapeur ou liquide [44]. La morphologie du produit
final de l’aluminate de zinc (ZnAl2O4) d’où son application dépend de la température du
recuit [44]. La qualité cristalline et les propriétés d’expansion thermiques des couches
ZnAl2O4 tendent généralement à changer et à s’améliorer à haute température [38]. Il a été
reporté que les conditions du processus du recuit comme la température et l’atmosphère du
chauffage peuvent avoir des effets significatifs sur les propriétés microstructurales [38],
optiques telles que la photoluminescence dans certain processus d’élaboration (comme
l’émission UV par l’augmentation de la cristallisation) [169, 170] (et l’émission verte
causée par la diffusion de l'hydrogène vers l’extérieure au cours du recuit à haute
température  700 °C : l'hydrogène peut passiver les centres de recombinaison radiative
donnant lieu à l'émission verte) [171], électriques [172], diélectriques et magnétiques du
ZnO [38, 173]. Le recuit peut également améliorer la substitution cationique, la cristallinité
et les propriétés physiques des nanoparticules de la ferrite (Zn1-xMgxFe2O4) [174].
En enchainant une série de recuits thermiques sur plusieurs dépôts issus des solutions 2 et 3
allant de 600 à 900°C, on met en évidence la formation de l’aluminate de zinc sous forme
de dépôt composite et couche mince ainsi que le rôle prépondérant du traitement thermique.
Notre analyse sera centrée en premier lieu sur l’optimisation de la température de chauffage
comme facteur essentiel dans l’élaboration de l’AZ.
La figure (III.2.17) schématise le diffractogramme des rayons X du produit de synthèse à
partir de la solution 2 recuit à 600°C pendant 1 heure. On constate facilement qu’à cette
dernière température de recuit la substance reste amorphe et ne cristallise pas puisque sur le
spectre en question on note la présence d’aucun pic de diffraction (à part la bosse du verre).
Donc l’aluminate de zinc ne se forme pas par un recuit à 600°C pendant 1heure, on peut
supposer, d’après [38], que le temps de dépôt n’est pas suffisant. L’équipe de
137
Chandramohan et al ont procédé à l’élaboration de ZnAl2O4 en couches minces par la
technique de double
Fig. III.2.17 Diffractogrames des rayons X des spécimens déposés à partir de la

solution à base du sel Al2(SO4)3.18H2O calciné à 785°C-3h (sol2) à la température de
chauffage du substrat 570°C - recuit pendant 1h à : a) 600°C, b) 650°C, c) 700°C, d)
800°C et e) 900°C. Phase unique ZnAl2O4 à 900°C, clairement diffractée
138
immersions (dip) (sol-gel) à partir de solutions chimiques à base de sulfates de zinc et
d’aluminium anhydres. Une émersion des substrats dans le bain chimique, pendant un
temps standardisé, et suivi d’une deuxième immersion dans de l’eau chaude pour
l’hydrogénation pendant la même durée. Le processus du trempage de solution (étape 1)
enchainé par l’immersion en eau chauffée (étape 2) est répété plusieurs fois. La couche
complexe déposée sur le substrat pendant l’immersion dans le bain du zincate de sodium
d’aluminium va se décomposé en ZnAl2O4 par l’immersion dans l’eau chaude, selon
l’équation ci-dessous. Le mécanisme de la réaction est proposé comme suit :
Al2(SO4)3 + ZnSO4 + 2NaOH  Na2Al2Zn(SO4)4(OH)2 (3.2.4)
Na2Al2Zn(SO4)4(OH)2+ 2H2O  ZnAl2O4 + 4H2SO4 (3.2.5)
L’addition du sulfate d’aluminium suivant un rapport Zn:Al égal à 10:1 dans la première
immersion de la solution mène à la formation des films ZnAl2O4. La couche non recuite
présente une structure cubique polycristalline relative à l’aluminate de zinc, mais avec une
intensité faible des plans diffractants et des propriétés optiques (transmittance optique,
énergie de la bande interdite..etc.) moins considérées qu’après des recuits à 200, 300 et
surtout 400°C à l’air pendant 01 heure. L’indice de réfraction et le coefficient d’extinction
ont également montrés quelques variations avec l’augmentation de la température du recuit.
L’apport du recuit thermique à 650°C durant 01 heure au spécimen déposé à la même
température de substrat et caractérisé par DRX, voir figure (III.2.17), fait apparaître la
structure cristalline spinelle du semi-conducteur ZnAl2O4 selon la carte (JCPDS No. 01-
082-1536). On remarque à partir de cette figure que la réaction chimique donnant la
formation de ZnAl2O4 par la solution 2 après dépôt à 570°C n’est certainement pas
complète après un recuit à 650°C. Quand les cristallites sont petites comme il est noté dans
ce cas de traitement, elles conduisent à de grandes réflexions, et les variations dans
l’espacement du réseau, dû à la contrainte de ce dernier, provoquent des élargissements des
pics de diffraction comme indiqué par Warren et al. (1969) [175, 176].
En élevant la température du traitement thermique à 700, 800 et ensuite 900°C pendant un
temps de maintien de 60 minutes, une succession de formation de phases se fait souligner
par l’analyse de la diffraction X, figure (III.2.17). En effet, à 700°C le pic positionné à 2 =
25,54° correspond au plan atomique (012) de la phase de l’alumine Al2O3- selon la fiche
(JCPDS No. 00-042-1468) et l’absence de toute trace du composé ZnAl2O4. L’échantillon
traité à 800°C, ne présente pas un bon état cristallin et il est en grande partie amorphe.
139
Néanmoins, une indexation des deux pics principaux ; (220) et (311) d’une intensité très
faible est notée à côté du pic à 21,18° relatif au substrat de quartz en se référant à la carte de
diffraction de référence du dioxyde de silicium (JCPDS No. 00-046-1045). Après un recuit
d’une heure à haute température de 900°C, la structure polycritalline de l’aluminate de zinc
réapparait sur la courbe DRX comme c’est indiqué sur la figure (III.3.10). Les plans
cristallographiques (hkl) diffractants suite au traitement thermique enregistrés et indexés
pour notre spécimen selon la fiche appropriée sont : (220), (311), (400), (331), (422), (511)
et (440) d’une intensité assez importante reflétant la bonne cristallinité du composé formé.
Il est important de noter que la présence de l’AZ à cette température de recuit et par un
temps de maintien de 60 min est en phase unique ne coexistant avec aucune autre phase
d’oxyde témoignant de la pureté cristalline du film déposé. On peut conclure que la
réaction chimique de formation de ZnAl2O4 est achevée (dans les conditions opératoires
appropriées à ce dépôt).
La synthèse de l’aluminate de zinc par l’apport du recuit thermique à différentes
températures engendre des caractéristiques structurales et donc chimiques différentes. Les
figures (III.2.18), (III.2.19) et (III.2.20) sont des spectres de l’analyse de spectroscopie
infra-rouge à transformée de Fourier (FTIR) de ZnAl2O4. L’intensité des bandes
d’absorptions positionnées à 681, 563 et 506 cm-1 du spinelle de zinc devient de plus en
plus importantes que la température de recuit augmente de 600, 650 et 900°C, figures
(III.2.19) et (III.2.20). Cette intensification des (bandes) ou liaisons chimiques de notre
composé renvoie à la stabilité chimique et par conséquent structurale, en corrélant avec les
analyses DRX des mêmes échantillons, en fonction de la température du traitement
thermique effectué. Le nombre de bandes principales relatifs à l’AZ augmente de deux à
trois selon que la cristallinité devient meilleure (III.2.20), ces 2 ou 3 bandes sont
généralement assignées par la plupart des études [2, 75, 177]. Cela suggère que la
température de recuit peut avoir un effet plus important sur l’état cristallin de la matière de
l’aluminate de zinc que le temps de maintien. Wan et al. reportent également que la source
d’Al influent sur la transmission de leurs bandes à 696 ou 700 cm-1 qui deviennent un faible
épaulement indiquant que la configuration [AlO6] domine dans le T-ZnOW (Tetra-needle-
like zinc oxide whiskers) traitée avec Al2(SO4)3·18H2O et AlCl3·6H2O qu’avec C9H21AlO3
[177]. Pour les nanoparticules non recuites et recuites, un décalage de bande de vibration
140
tétraédrique FTIR avec l'augmentation de la concentration de Mg se produit qui est dû aux
variations de la distribution cationique sur les sites du réseau [174].
1.0
581
ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C (900°C - 1h)
0.9
563
506
0.8
0.7
Absorbance
0.6
3438
0.5
0.4
3233
1139
1125
1156
0.3
1117
0.2
0.1
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
Fig. III.2.18 Graphe FTIR de l’échantillon déposé à 570°C – traité thermiquement à

la température 900°C pendant 1h : phase pure ZnAl2O4
0.9
ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C (900°C - 1h)
0.8
ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C (650°C - 1h)
0.7
ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C
(600°C - 2h15min)
Absorbance
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
Fig. III.2.19 Superposition de graphes FTIR des dépôts à Tcs = 570°C par la (sol2) à
base de la poudre Al2(SO4)3.18H2O calciné à 785°C-3h : ZnAl2O4
141
0.24 ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C (650°C - 1h)
0.22
ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C
0.20
(600°C - 2h15min)
Absorbance 0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
Fig. III.2.20 Superposition de graphes FTIR des dépôts recuits à 600°C-2h15min et

650°C-1h : ZnAl2O4
Tableau III.3 Principaux nombres d’ondes caractéristiques de l’oxyde préparé (AZ) et
intrusions
Nombre d’onde Vibration fondamentale/Oxyde Température de recuit Référence
cm-1
655, 550 et 490 groupes AlO6 du ZnAl2O4 450, 500 et 600°C-2h

(evaporation-induced
self-assembly
method) : couches
minces et poudre
1410 et 1101 C=O [2]
3199 modes de vibration du métal

attaché aux groupes d’hydroxyles
OH(H2O)
3438 et 1636
142
675, 574 ZnAl2O4 900°C-2h : [75]
1627 (OH) nano-poudres
696 ou 700 unités AlO4 ZnO : Al 700°C-4h [177]

méthode : état solide
670 à 500 unités AlO6
 : vibration d’allongement,  : vibration de déformation
Fig. III.2.21 Micrographies MEB de l’échantillon déposé à Ts2 – traité thermiquement

à la température 600°C pendant 2h 15min : phase pure ZnAl2O4
143
L’analyse de la morphologie du dépôt traité à 600°C pendant 2h15min par
microscopie électronique à balayage montre un dépôt assez dense de taille de grains
homogènes, figure (III.2.21). Le contraste des agrégats de particules micrométriques d’une
seule nuance est caractéristique de la présence d’une seule phase. La surface du film est
constituée de grains qui sont à peu près en forme sphérique. Certains agrégats de
microsphères sont creux et ouverts, Zhang et al. attribuent la formation des particules
sphériques creuses en raison de l'élimination du carbone par calcination [43, 68, 178]. Les
microsphères ne sont pas plates avec une superstructure rugueuse [179].
Le temps de recuit influe également sur la nature des phases pouvant être présente
dans un spécimen donné. En effet, le spectre de diffraction des rayons X de la figure (III.2.
21) qui est relatif au dépôt de la solution 2 recuit à la température de 600°C pendant deux
heures et 15 min correspond à la diffraction de la phase spinelle par la présence des pics
d’indices de Miller (111), (220), (311), (400), (422), (511) et (440) selon la carte de
référence du composé ZnAl2O4 (JCPDS 01-0373-1961) contrairement à l’échantillon recuit
durant une heure à la même température de traitement thermique. L’intensité des pics de
diffraction est peu importante à cause du début de formation de notre phase mais la
signature polycristalline de la matière est bien observée. La nécessité d’augmenter le temps
de maintien du traitement au-delà de 2h - 15 min est impérative pour améliorer l’état
cristallin de l’aluminate de zinc par un recuit à 600°C ou peut être détecté une autre phase.
Jianhui et al. ont signalé que les pics de diffraction pointus indiquent la pauvre cristallinité
et ce ; de leur spécimen synthétisé par voie hydro-thermique recuit à 500°C relatif au
mélange ZnO/CuO [43]. Alors que la plupart des pics de diffraction, peuvent être indexés à
des réflexions de CuO et de ZnO, sauf pour un pic mineur attribué à une quantité de
ZnAl2O4 traité à 600°C, ce qui indique que
l'échantillon est constitué de complexes ternaires CuO, ZnO et ZnAl2O4 [43].
144
ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C (600°C - 2h15min)

200
(220)
(111)
Intensité (u. a)
(311)
(400)
100
(422)
(440)
(511)
0
15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.2.21 Spectre DRX du dépôt pulvérisé par la sol2 recuit à 600°C pendant 2 h15
min : ZnAl2O4
Quant au recuit pendant 03 heures à 650 °C révèle le résultat surprenant de la formation de

la phase ZnO en coexistence avec ZnAl2O4 selon les fiches (JCPDS 00-036-1451) et
(JCPDS No. 01-073-1961) respectivement, se reporter à la figure (III.2.22). Les pics
correspondants à l’oxyde de zinc sont positionnés principalement à 2 égales à 32,08°,
34,85°, 36,52°, 47,83°, 56,97° et 63,29°. L’apparition du ZnO est due à l’excès d’atomes de
zinc par rapport aux atomes d’aluminium parce que l’extraction des ions Al du sulfate
d’aluminium anhydre est assez délicate depuis des décennies la difficulté d’extraire les ions
Zn du sulfate de zinc en plus d’une insolubilité de 35% a été signalée. Dans notre cas
également, il est important de souligner qu’une non dissolution du précurseur, source d’Al,
utilisé au-delà de l’ordre de 60 % influe certainement négativement sur la formation de
l’aluminate de zinc. Il est donc impératif de conclure que l’ajustement de la solution 2 est
un autre paramètre qu’il faut prendre en considération.
145
120
ZnO/ZnAl2O4, Sol2 - V1 (H2O), 570°C (650°C - 3h)
100
80
Intensité (u. a)
60
40
20
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.2.22 Spectre DRX du dépôt obtenu par la sol2 recuit à 650°C pendant 3h :
ZnAl2O4 + ZnO
III.2.2.4 Effet de la température de calcination du précurseur
Une autre série de films a été déposée en utilisant la poudre du sulfate d’aluminium
mère Al2(SO4)3·18H2O calcinée à 795°C-3h comme source d’Al avec une température
dechauffage du substrat Tcs = 600°C, les produits finaux de dépôts ont été recuits entre 650
et 900°C-1h, les courbes DRX réalisées sur ces dépôts sont présentées sur la figure
(III.2.23).
146
Fig. III.2.23 Courbes DRX à partir de la solution à base du sel Al2(SO4)3.18H2O

calciné à 795°C-3h (sol3) - recuit entre 650 et 900°C pendant 1h
Dans la fenêtre de température 800-900°C, une très faible présence de l’AZ se fait noter par
la diffraction de pics très faible en intensité mais néanmoins qui se distinct du bruit de fond.
La température de recuit de 900°C et contrairement au dépôt pulvérisé par le sulfate
anhydre Al2(SO4)3, (Al2(SO4)3·18H2O calcinée à 785°C-3h), n’est pas suffisante pour la
stabilité de l’oxyde ZnAl2O4. Le film issu de la solution 3 (Al2(SO4)3·18H2O calcinée à
795°C-3h) et recuit à 650°C-1h est relatif au mélange de phases ZnO/ZnAl2O4, on rappelle
que le même traitement thermique appliqué sur le dépôt préparé en employant le sulfate
anhydre était suffisant pour faire apparaître ZnAl2O4 en phase unique (Cf. figure (III.2.17)).
L’intensité des pics du ZnO en comparaison avec ceux du ZnAl2O4 est nettement inférieure
surtout pour le pic du plan (002), qui est tout de même le troisième pic d’intensité relative
du ZnO.
III.2.2.5 Effet du volume du solvant
Après étude de l’effet des principaux paramètres de dépôt par spray pyrolyse de
l’aluminate de zinc, l’effet du volume du solvant qui est H2O a été introduit dans le but
d’obtenir l’oxyde ZnAl2O4 en couche mince. Les spectres de diffraction des rayons X des
couches minces pulvérisées à partir de Al2(SO4)3 soit Al2(SO4)3·18H2O calcinée à 785°C-
3h, recuite entre 650 et 900°C-1h sont reportés sur la figure (III.2.24). Le spectre
correspondant au film mince recuit à 700°C est typique à la phase pure spinelle. La
présence des principaux
147
Fig. III.2.24 Diffractogrammes des rayons X de couches pulvérisées par la solution à

base du sel Al2(SO4)3.18H2O calciné à 785°C-3h (sol2) de volume 1l- recuit entre 650 et
900°C pendant 1h : disparition de l’AZ à 900°C
plans de diffraction caractérisés par une faible intensité reflète le début de formation de
cette phase. La dilution de la solution 2 dans un volume plus important d’eau nous fait
atteindre le but recherché ; d’obtention du spinelle de zinc en couche mince cristallisé (non
amorphe). Un autre résultat intéressant consiste en l’obtention des couches minces de
l’alumine la plus stable (Al2O3-) bien structurées (selon la fiche d’indexation (JCPDS 00-
036-1451)) dans les dépôts préparés par le précurseur Al2O(SO4)2 soit Al2(SO4)3·18H2O
calcinée à 795°C-3h, recuites à 650 et 700°C-1h, se référer à la figure. III.2.25 relative aux
analyses DRX.
148
 -Al2O3, Sol3 - V2 (H2O), 600°C (700°C - 1h)

Al2O3 - Reference code: 00-042-1468
(012)
1200
Intensité (u. a)
800
(024)
400
0
15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
-Al2O3, Sol3 - V2 (H2O), 600°C (650°C - 1h)

Al2O3 - Reference code: 00-042-1468
(012)
400
Intensité (u. a)
200
0
15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.2.25 Diffractogrammes des rayons X de spécimens pulvérisés par la solution à

base du sel Al2(SO4)3.18H2O calciné à 795°C-3h (sol3) de volume 1l- recuit à 650 et
700°C pendant 1h : Obtention des couches minces de l’alumine- 
Conclusion de la partie III.2 :
Une nouvelle source d’aluminium a été successivement employée dans le dépôt de

couches composites et minces de l’aluminate de zinc par spray ultrasonique mais
nécessitant des hautes températures de croissance.
149
Une étude de la décomposition thermochimique des hydrates de sulfate d’aluminium
Al2(SO4)3.14H2O et Al2(SO4)3.18H2O a été menée par chauffage dans l'atmosphère
al’AZmbiante dans la plage de température appropriée allant de 650 à 1200°C. Les
analyses TG-DTG et FTIR ont permis de détecter en détail l’existence des différents
composés Al2(SO4)3, Al2O(SO4)2 et Al2O3. Contrairement aux résultats obtenus par FTIR,
les données de diffraction RX ne peuvent pas permettre l'identification d’Al2O(SO4)2.
L’analyse DRX a permis toute fois de conclure que le sulfate d’alumoxane obtenu est
microcristalline ou amorphe aux températures de calcination de 785 et/ou 795°C.
Le domaine optimal des températures pour obtenir Al2O(SO4)2 à partir de la poudre
Al2(SO4)3.18H2O est 785-795°C et pour la formation d’Al2O3 est 800-1200°C. Le sulfate
Les produits de la calcination de l’alun à 785 et 795°C-3h ont été utilisés dans le dépôt de
films. Trois solutions ont été préparées : sol1 contient un mélange de ZnCl2.2H2O et
Al2O(SO4)2 produit de la décomposition à 795°C avec des concentrations égale à 1/2 entre
les deux précurseurs de métaux, respectivement. Sol2 contenant le même précurseur de zinc
et Al2(SO4)3 produit de la calcination à 785°C-3h avec la même concentration (rapport
entre les molarités égale à 1). Une troisième solution (sol3), mélange de ZnCl2.2H2O et
Al2O(SO4)2 avec un rapport entre les molarités égal à 1.
- La sol1 est favorable à la formation du système ZnO/ZnAl2O4 (en poudre) par un
recuit à 650 et 700°C-1h en utilisant une température de surface du substrat (Ts) de
570°C et un volume réduit du solvant (100 ml).
- La sol2 à conduit à la formation de ZnAl2O4 aux températures de recuit de 650, 800
et 900°C-1h où l’état cristallin est le meilleur avec une température de chauffage de
substrat (Tcs) de 570°C (soit une température réelle à la surface du substrat
inférieure d’100°C). Des films de nanoparticules, en poudre, de la ghanite sont
facilement obtenus via Al2(SO4)3.
- La sol3, la Tcs = 600°C et la Trec = 650°C ne font apparaître que le mélange
ZnO/ZnAl2O4 en poudre, à 900°C l’AZ n’apparaît pas et à 800°C sa présence est
très floue. Cette solution et ces conditions de synthèse engendrent l’obtention de
ZnO/AZ.
- L’effet du volume de H2O (1l) est retardataire quant à la formation de ZnAl2O4 par
la poudre Al2(SO4)3 surtout à hautes températures et un début de cristallisation et de
150
- Al2O3 au recuit de 650°C et une bonne croissance à 700°C-1h. Donc le

précurseur Al2O(SO4)2 est plus favorable pour le dépôt de bonnes couches minces
cristallines de l’alumine.
Le processus de synthèse de la ghanite, le mélange d’oxydes ZnO et ZnAl2O4 et les couches

Al2O3 par spray pyrolyse à travers le sulfate d’aluminium est complètement nouveau.
Le système ZnO/ZnAl2O4 ou l’oxyde ZnAl2O4, en poudre, peuvent avoir de larges
applications dans les domaines de la catalyse et la photo-catalyse [68] dans l’eau et l’air
ainsi que la photo-dégradation des polluants organiques [67] (de par leurs pureté et tailles
nanométriques).
Partie 3
III.3 Dépôt des couches minces à partir du chlorure de zinc et l’acétate d’aluminium
III.3.1 Effet de la température du recuit sur la nature cristalline des phases et la
morphologie
151
La discussion qui va s’en suivre sera relative à l’évolution de la nature des phases
obtenues (entre amorphisme et mélange d’oxydes ZnO/ZnAl2O4) en fonction de la
température du recuit pour les spécimens déposés à partir de deux solutions différentes par
leurs compositions des sels de métaux de zinc et d’aluminium. Le dépôt ou la pulvérisation
des 2 solutions se fait simultanément et les films obtenus sont notés par la notation DCj (j =
1, 2, 3 et 4) sur les figures représentatives des résultats qui vont suivre.
Après un recuit à 450°C - 2h, selon le spectre DRX de la figure (III.3.1), on ne note aucune
signature cristalline relative surtout à l’oxyde de zinc en phase unique, qui se cristallise à
basse température, ni à l’aluminate de zinc. Ce qui nous amène à conclure que la matière
est amorphe ne présentant pas d’ordre cristallin.
100
DC1 450°C - 2h
80
Intensité (u. a)
60
40
20
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2 (°)
Fig. III.3.1 Spectre DRX du film préparé à partir de 2 solutions simultanément à la

basse température de chauffage du substrat de 450°C et recuit à 450°C-2h
A 500°C déjà, la cristallisation des 2 composés est notée par la présence des pics sur le
diffractogramme reporté sur la figure (III.3.2) correspondants aux plans (220), (311), (400),
(422), (511), (440), (620) et (633) pour la phase ZnAl2O4 conformément à la carte JCPDS
01-073-1961 et (100), (002), (101), (102), (110), (103), (112), (201) et (202) pour le ZnO
selon la carte JCPDS 00-036-1451.
152
ZnO/ZnAl2O4 DC2 500°C - 2h
(311)
(101)
120
Intensité (u. a)
(002)
(220)
(100)
80
(440)
(511)
(103)
(400)
(110)
(422)
(102)
(112)
(202)
(201)
40
(533)
(620)
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2 (°)
Fig. III.3.2 DRX du film pulvérisé par deux solutions à base de ZnCl2.2H2O et
C2H5AlO4 sources de Zn et Al, respectivement recuit à 500°C-2h : système
ZnO/ZnAl2O4
L’évolution de l’intensité des pics les plus diffractant surtout celui du plan (002) de la
phase ZnO et (311) pour ZnAl2O4 est plus importante quand on applique un traitement
thermique à la température 550°C durant 2 heures au film mince, se reporter à la figure
(III.3.3). Une séparation des pics positionnés à 31,734 et 36,298° des plans (100) et (101)
du ZnO commence également à s’observer.
Le spectre de diffraction indiqué sur la figure (III.3.4) ; de la couche mince recuite à
650°C-2h comporte des pics nettement plus distincts des phases ZnO et ZnAl2O4, ce qui
peut être caractéristique du bon ordre cristallin de ces phases. A 650°C, la séparation des
pics de la phase ZnO correspondant les plans (100) et (101). On note aussi l’augmentation
de l’intensité des pics de diffraction, notamment des plans (002) et (102) pour le ZnO et
(311) et (220) pour ZnAl2O4. L’accentuation de l’intensité après le recuit à 650°C reflète la
meilleure cristallinité des deux oxydes en question entre les différends recuits appliqués aux
dépôts entre 500 et 650°C pendant 2h.
153
200
(311)
(002)
(101)
160
(220)
Intensité (u. a)
(100)
120
(511)
(440)
80
(422)
(103)
(400)
(102)
(201)
(112)
40
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
2 (°)
Fig. III.3.3 DRX du film obtenu par pyrolyse d’aérosol des doubles solutions recuit à
550°C-2h : ZnAl2O4+ZnO
240
(002)

200
(311)
(101)
160
Intensité (u. a)
(220)
(100)
120
(112) (200)
(440)
(103)
(511)
80
(102)
(110)
(422)
(400)
(201)
(202)
(620)
40
0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2 (°)
Fig. III.3.4 Spectre DRX de la couche recuite à 650°C-2h : mélange ZnAl2O4 et

ZnO
154
La superposition des différents diffractogrammes correspondants aux couches minces
recuites à 450, 500, 550 et 650°C est reportée sur la figure (III.3.5). Le système d’oxydes
ZnO / ZnAl2O4 a été successivement et facilement obtenu à partir des pulvérisations, à très
basse température de chauffage de substrat égale à Tcs = 450°C durant 3h1/2, des deux
solutions à base des sels d’acétate de zinc et chlorure d’aluminium hydratés, précédemment
cités, ce qui ne signifie pas la formation simultanée des deux oxydes et reste à vérifier.
Aucune autre phase n’a été détectée témoignant de la pureté cristalline de notre système
d’oxydes synthétisé.
Fig. III.3.5 Superpositions des spectres DRX des couches minces pulvérisées
simultanément à partir de deux solutions différentes contenants les ions du zinc dans
l’une et les ions d’aluminium dans l’autre (un dépôt combiné ; DC) recuites à 450,
500, 550 et 650°C - 2h : mélange de phases ZnAl2O4 et ZnO
La dé-convolution (à l’aide de gaussiennes) des spectres DRX dans la gamme 2 entre 30

et 40 degrés des dépôts recuits à 500, 550 et 650°C, figure III.3.6, assigne la présence des
pics de diffraction correspondant aux plans (100) et (101) du ZnO ainsi que leur évolution
au cours des recuits appliqués. Dans le diffrctogramme du film recuit à 500°C, le pic
asymétrique majeur est constitué de deux pics positionnés à 36,229 et 36,856°
correspondants respectivement aux plans (101)/ZnO et (311)/ZnAl2O4. La croissance du
ZnO se fait facilement noter par l’apparition du fin pic positionné à 31,749° relatif au plan
(100)
155
Fig. III.3.6 Dé-convolution des spectres DRX dans la plage 30-40° des couches minces
pulvérisées et recuites à 500 et 550°C-2h et 30,5-40° du film mince recuit à 650°C-2h
156
chevauché en diffraction avec un second pic qui lui est très proche à 2 = 31,300°
correspondant au plan (220)/ZnAl2O4. Une légère croissance de l’AZ suite au recuit à
550°C par l’intensification de ses deux pics dans cette gamme d’angle, du plan (220) et
(311) à 36,824° après dé-convolution. Ce dernier pic de diffraction supporte un épaulement
situé à 36,161° correspondant toujours au plan (101)/ZnO par la dé-convolution. Après
recuit à la plus haute température 650°C, la dé-convolution du spectre de l’analyse DRX
engendre la présence de 5 pics de diffraction très bien séparés (en comparaison avec les
spectres de diffraction X relatifs aux autres recuits) qui prennent les positions suivantes :
31,270, 31,817, 34,510, 36161 et 36,824° correspondants aux plans respectivement
(220)/ZnAl2O4, (100)/ZnO, (002)/ZnO, (101)/ZnO et (311)/ZnAl2O4. Les décalages de ces
pics en leur positionnement 2 par rapport aux fiches d’indexation des phases ZnAl2O4 et
ZnO sont : 0,072 et 0,114° pour (220)/ZnAl2O4 et (311)/ZnAl2O4 et -0,047, -0,088 et 0,008°
pour (100)/ZnO, (002)/ZnO et (101)/ZnO. A 650°C les positions des pics du ZnO sont
parfaitement en correspondance avec celles de sa fiche de référence, tandis que la maille du
ZnAl2O4 est très peu contractée (même si les shifts sont dans l’ordre d’erreurs ou la limite
de détection du diffractomètre). Au recuit de 500°C, la matrice ZnAl2O4 est parfaitement
ordonnée selon les décalages de 0,031 et 0,075° relatifs aux plans (220) et (311). Le pic
correspondant au plan (002) du ZnO connait le plus grand décalage par un shift égale à -
0,1°, celui du plan (101) reste inconsidérable ; il est de 0,024°. On reporte également les
shifts des pics de diffraction du spécimen traité à 550°C et qui sont : 0,042 et 0,103° pour
(220)/ZnAl2O4 et (311)/ZnAl2O4 et 0,021, -0,034 et 0,092° pour (100)/ZnO, (002)/ZnO et
(101)/ZnO.
La topographie du film mince recuit à 450°C-2h, non reportée, est en accord avec le résultat
de l’analyse de diffraction des rayons X du même spécimen (figure (III.3.1)). Aucun ordre
cristallin de la matière n’apparaît à la surface de l’échantillon. Quant à la morphologie de la
surface de deux exemples des spécimens du mélange mixte ZnO + ZnAl 2O4 en couches
minces, on a reporté des micrographies du film recuit à la température de 550°C pendant 2h
avec différents grossissements, voir les figures (III.3.6) et (III.3.7) et du film recuit à la
température de 600°C pendant 2h, se reporter à la figure (III.3.8). Les figures relatives au
film mince recuit à 550°C montrent une surface d’un dépôt très dense néanmoins quelques
fissures apparaissent sur la couche, figure III.3.6. Le scan haute résolution des
157
Fig. III.3.6 Micrographies MEB du film mince recuit à la température de 550°C

pendant 2h à différents grossissements ; le grossissement en  25000 (b) et plus grand
que pour  10000 (a)
micrographies MEB, figure III.3.7 à l’échelle 100 nm que les grains de formes hexagonale
sont nanométriques de l’ordre de 100nm ou moins. A la température de recuit de 550 ° C, le
film s’est bien cristallisé, avec des joints de grains importants ou bien marqués qui
apparaissent sur la surface, comme le montre la figure III.3.7.
158
Fig. III.3.7 Micrographies MEB du film mince recuit à la température de 550°C

pendant 2h à différents grossissements ; le grossissement en  50000 (b) et plus grand
que pour  35000 (a)
159
La figure III.8 est le scan haute résolution MEB obtenu à un grossissement × 78929. La
figure III.8 montre, en effet une image MEB de la surface des couches minces
ZnO/ZnAl2O4 obtenue sur substrat de verre par pyrolyse d'aérosol à 450 °C et suivi d'un
recuit à 600°C. La figure reflète que la surface de la couche mince de ZnO/ZnAl2O4 est
entièrement couverte par des grains en forme de nano-tiges et des grains rectangulaires qui
semble presque arrondis, quand ils sont petits, distribués sur toute la surface du substrat.
La morphologie du film ZnO/ZnAl2O4 se compose de nano-tiges ramifiées bien définis

émergents perpendiculairement à la surface du film. L'image révèle que ces nano-grains ou
nano-fil (nano-tiges) sont uniformes et issues principalement dans la direction
perpendiculaire de la surface du film. Peu de nano-tiges peuvent être vu également de plus
en plus horizontalement à la surface du film. Les nano-tiges observées sont orientés ou
croient de manière aléatoire avec l'orientation verticale préférée [169]. Certaines
fonctionnalités hexagonales en forme nano-tiges peuvent être vu, ce qui implique la
présence de la structure cristalline de wurtzite ZnO. L'existence de la phase cubique
(ZnAl2O4) est identifiée clairement, des cristallites de forme cubique sont observées,
comme il a été également mise en évidence par DRX. Les nano-tiges ont des dimensions de
20 à 100 nm de diamètre et de 0.2 à 0.5 μm de longueur. Les fissures disparaissent à cette
température de recuit.
Il est très important de noter que le spinelle ZnAl2O4 se forme à haute température 900°C
et que la bonne cristallisation des deux phases ZnO et ZnAl2O4 est visualisée par l’analyse
de surface. Hou et al ont observé à partir de la topographie de leurs spécimens que la
surface du film commence à paine à se cristallisé pour former l’aluminate de zinc (en phase
uique), à la température de recuit de 800°C-0,5h (avec la présence de quelques fissures) et
qu’en dessous de cette température ; pratiquement à basse température de 700°C le film
avait une lisse surface [39]. Les grains dans les films du travail de Hou croient avec
l'augmentation de recuit pour atteindre des tailles voisines des nôtres (à 550°C) après un
recuit à 1000 et 1100°C. Le résultat d’obtention des couches minces ZnO/ZnAl2O4 à des
recuits thermiques faibles et une température de chauffage du substrat (Tcs) de 450°C, soit
une température réelle à la surface du substrat ou température du substrat (Ts) inférieure
d’environ 350°C en employant une technique chimique peu couteuse est performant.
160
Fig. III.3.8 Image MEB à haute résolution obtenue sur le film mince ZnO/ZnAl2O4
obtenu sur substrat de verre par pyrolyse d'aérosol à 450 °C et suivi d'un recuit à
600°C-2h
161
La figure III.9 montre les spectres obtenus par EDS des couches minces ZnO/ZnAl2O4 après
des traitements thermiques à 500°C, 550°C et 650°C. Le spectre EDS indique la présence des
différents constituants des échantillons principalement O, Zn et Al, mais révèle aussi le Si,
Mg et le Ca qui proviennent du substrat de verre.
Fig. III.3.9 Spectres EDS des films ZnO/ZnAl2O4 après des traitements thermiques à
500°C, 550°C et 650°C
L'intensité du pic à la fois Si, Mg et Ca varie d'un échantillon à l'autre. Cette variation est
attribuée aux différentes épaisseurs des films ZnO/ZnAl2O4.
En raison de la grande variation de la teneur en Zn et en Al qui est attribuée à la variation de
l'épaisseur du film et parce que le film et le verre contiennent de l'oxygène, la stœchiométrie
des films est mesurée uniquement à partir des signaux Al et Zn.
Pour calculer les pourcentages massiques, on exploite le fait que la hauteur d'un pic est
proportionnelle au nombre n des atomes rayonnants. Dans le spectre de référence d’un
élément donné, ce nombre n0 est déterminé par la densité de la substance ρ, son poids
atomique A, la surface irradiée S et l'épaisseur effective d de la couche radiographiée selon :
162

n0  S  d  (III.5)
A
Pour le nombre d'atomes n de chaque espèce dans le système de film biphasé, on a

l'expression suivante :
H  H
n  n0  V   (III.6)
H0 A H0
qui peut être utilisée dans une première approximation, avec H et H0 les hauteurs des pics
correspondants dans le spectre à analyser (figure III.9) ou dans le spectre de référence (figure
III.10), le volume irradié est V = S × d. Le pourcentage massique Ci de l’élément numéro i du
mélange d’oxydes est ainsi exprimé par :
Hi
i 
ni  Ai H 0i
Ci   (III.7)
i ni  Ai  i
H
i  i
H 0i i
Les pourcentages massiques des constituants Zn et Al dans les couches minces recuites à
500, 550 et 650°C pendant 2h sont reportés dans le tableau III.4.
Le pourcentage massique théorique des films ZnO/ZnAl2O4 en prenant en considération que
Zn et Al est 29,22% d’Al et 70,78% de Zn. Les résultats expérimentaux des pourcentages
massiques des films ZnO/ZnAl2O4 sont résumés dans le tableau III.5.
163
Fig. III.3.10 Spectres de référence EDS de Zn et Al
Tableau III.4 Détermination des pourcentages massiques C des constituants Al et Zn
T, recuit Elément ρ, g/cm3 Raie H H0 ρ×H/H0 C, %
500°C Zinc 7,14 Lα 4243 19000 1,594 63,41
Aluminium 2,72 Kα 4182 12361 0,920 36,59
550°C Zinc 7,14 Lα 2960 19000 1,112 64,44
Aluminium 2,72 Kα 2789 12361 0,613 35,56
650°C Zinc 7,14 Lα 2435 19000 0,915 70,81
Aluminium 2,72 Kα 1714 12361 0,377 29,19
164
Tableau III.5 Pourcentages massiques des phases ZnAl2O4 et ZnO dans les films
ZnO/ZnAl2O4
ZnO/ZnAl2O4 500°C 550°C 650°C
%massique de ZnAl2O4 74,0 72,3 62,0
%massique de ZnO 26,0 27,7 38,0
L’expression suivante est utilisée pour calculer fi (fraction volumique du i (de la phase i)) à
partir de la concentration :
C Zn dansZnO / ZnAl 2O 4  ZnO  VZnO

C Zn dansZnO   , (III.8)
2  ZnO  VZnO   ZnAl 2O 4  VZnAl 2O 4
 ZnO  f ZnO
CZn dansZnO  (III.9)
 ZnO  f ZnO   ZnAl 2O 4  f ZnAl 2O 4
ou ρi est la masse volumique du constituant i, et fi est la fraction volumique du constituant i

avec f ZnO  VZnO / Vt , f ZnA2O 4  VZnAl 2O 4 / Vt et f ZnA2O 4  f ZnO  1 et Vt est le volume total. Les
masses volumiques rapportées pour ZnO et ZnAl2O4 ont été utilisés (ρZnO = 5,61 g/cm3 et
ρZnAl2O4 = 4,62 g/cm3).
165
III.3.2. Propriétés structurales et micro-contraintes des dépôts
Les constantes de la maille et la microdéformation peuvent être calculées en

utilisant les formules :
1 
d hkl  , (III.1) d hkl  (III.3)
4(h  k  hk ) l
2 2 2 2 sin  hkl
 2
3a 2 c
c
et   , (III.10)
c
a  d hkl
d hkl  (III.2) et   , (III.11)
h2  k 2  l 2 d hkl
où a, et c sont les constantes de réseau,  est la microdéformation, et dhkl est la distance

interréticulaire.
La taille des cristallites et la microdéformation dans les films ZnO ont été calculées à partir
de la largeur intégrale et la position du pic (002).
Le calcul de la contrainte du film est basé sur le modèle de contrainte bi-axiale [180, 181,
182]. La microdéformation   (c film  cmassif / cmassif ) dans la direction de l'axe c, c'est-à-
dire perpendiculaire à la surface du substrat mesurée par DRX avec cmassif et cfilm sont les
constantes de la maille de la poudre ZnO standard (sans contrainte ; cmassif = 0,52069 nm) et
des films préparés. Pour calculer la contrainte  film du film parallèle à la surface du film, la
formule suivante a été utilisée, qui est valable pour un réseau hexagonal :
2
2C13  C33 (C11  C12 ) c film  cmassif
 film
XRD
  (III.12)
2C13 cmassif
Pour les constantes élastiques Cij, les données de ZnO monocristal ont été utilisées : C11 =
208,8, C33 = 213,8, C12 = 119,7, C13 = 104,2 GPa [182, 183]. Cela donne la relation
numérique suivante pour la contrainte provenant de la DRX :  film  233 [GPa] . Les
contraintes de tension sont positives et les contraintes de compression sont négatives. Les
valeurs négatives du stress montrent la dilatation de la structure et les valeurs positives du
stress assignent la contraction de la structure [182].
166
La valeur des contraintes résiduelles des couches ZnAl2O4 a été obtenue à partir de la
relation suivante [184] ;
1  v XRD a45  a0
 film  (III.13)
2E a0
Là, E est le module de Young, v est le coefficient de Poisson, a0 est le paramètre de maille
du matériau massif, a45° est le paramètre de maille mesuré en utilisant une analyse
asymétrique incliné de 45°, et a0° est la constante de réseau mesurée en utilisant un
balayage  / 2 symétrique. Les valeurs de E et v rapportées pour ZnAl2O4 [185] ont été
utilisés (E = 193 GPa et v = 0,3241).
L'information sur la taille des cristallites (D) des films a été obtenue à partir de la largeur à
mi-hauteur des pics de diffraction à l'aide de la formule Scherrer [158] :
0.94
D , (III.4)
( hkl) cos ( hkl)
où λ, θ(hkl) et β(hkl) sont, respectivement, la longueur d'onde des rayons X (0,15418 nm),
l'angle de diffraction de Bragg et la largeur de ligne à mi-hauteur.
Le recuit des couches ZnO/ZnAl2O4 peut changer l'orientation préférentielle. L'étude de ce
changement se fait par l’analyse des intensités en utilisant le coefficient de texture TC(hkl).
Selon les valeurs de TC, nous pouvons déterminer l'orientation préférentielle de la couche.
Lorsque 0 < TC(hkl) < 1 : absence de l'orientation préférentielle de la couche suivant la
direction (hkl) . Si TC = 1 : la couche est polycristalline avec absence de son orientation
préférentielle. Lorsque TC(hkl) > 1 : la couche est polycristalline avec une orientation
préférentielle suivant le plan (hkl).
Les valeurs de TC(hkl) de nos films (voir le tableau III.5), sont calculées en utilisant la
formule [38, 186, 187]:
I (hkl) / I 0 (hkl)
TC (hkl)  , (III.14)
(1 / n)n I (hkl) / I 0 (hkl)
où I(hkl) et I0(hkl) sont respectivement l'intensité relative du pic (hkl) et l'intensité standard
du pic (hkl) donnée dans les fiches (JCPDS data [Card. No. 00-036-1451] et [Card. No. 01-
073-1961]), n est le nombre de pics de diffraction.
167
Les valeurs de TC(hkl), montrent que les couches de ZnO dans ZnO/ZnAl2O4 ont une
orientation préférentielle suivant le plan (002) le long de l'axe c donc les cristallites sont
orientées préférentiellement suivant ce plan, mais cette orientation est plus intense pour un
recuit à 550°C. Choppali et al. ont trouvé un résultat similaire, le coefficient de texture
T(002) augmente avec l’accroissement de la température de recuit, ils suggèrent qu’il y a
une orientation préférentielle des cristallites le long du plan (002) qui devient tout à fait
distincte à 1000°C [187]. Ceci est supporté par la variation de FWHM du pic (002) du ZnO
de 0,443 à 0,326 quand le recuit augmente de 500 à 550°C où la structure wurtzit devient la
plus parfaite parmi les autres échantillons [170, 182, 188, 189]. Letaileur et al. ont observé
très peu de variations pour Trec<750 °C (entre 300 et 750°C) dans les films ZnO dopés par
l’Al, tandis que la taille des grains augmente de façon significative au-dessus de 800 °C qui
peut être induite par le développent (repening) d’Ostwald ; la diffusion de l'oxyde de zinc
devient significative à des températures supérieures à 800 °C et permet la formation de
grains plus gros. L’énergie de surface se trouve être la plus faible pour le cristal dans le cas
d’une orientation (002). Lorsque la température augmente, les atomes ont suffisamment
d’énergie pour diffuser et occuper une position normale dans le réseau, ce qui a pour
conséquence une augmentation de la cristallinité et de la taille des grains qui composent la
couche. Par conséquent, il est supposé (Čeh et al. 10) que dans le premier stade de
traitement thermique du ZnO des centres (embryons) cristallins nucléée, coalescent entre
eux et croissent en des gros grains [190]. ZnO devient progressivement presque un
monocristal parfait par la coalescence successive. Il est désordonné seulement près de
l'interface avec le substrat à cause du désaccord du paramètre de maille entre la phase qui
croie et le verre (misfit or mismatch), tel il a été le cas entre le film ZnO et le substrat Al2O3
en raison du désaccord du paramètre de réseau aussi grand que 18% [190]. A la température
de recuit (550°C), on observe que le paramètre cristallin c est en parfait accord avec sa
valeur standard (c0 = cmassif = 0,52069 nm). Les valeurs de TC(hkl), montrent que les
couches de ZnAl2O4 dans ZnO/ZnAl2O4 sont polycristallines avec absence d'orientation
préférentielle. Les cristallites sont orientées au hasard. La nucléation de ces cristaux
ZnAl2O4 avec la structure de type spinelle peut se produire avec plusieurs orientations
[190].
168
Tableau III.5 Résultatsde déconvolution du pic par la fonction
A   x  xC   2
I ( x)  exp   2   (III.15), F W H M
 w 2 l n 2() (III.16) et différents
w  2   w  
 
paramètres structuraux de ZnO/ZnAl2O4
Température Résultat de ZnO ZnAl2O4

de recuit déconvolution (100) (002) (101) (220) (311)
y0 / 11,563 11,563 11,563 11,563
xc / 34,522 36.228 31.310 36.855
w / 0,376 0,467 0,724 0,642
500°C A / 27,110 18,274 40,826 80,436
sigma / 0,188 0,233 0,362 0,321
FWHM / 0,443 0,549 0,852 0,756
Height / 57,457 31,220 44,993 99,905
I (%) 100,0 54,3 45,0 100,0
TC / 1,61 0,38 0,81 1,19
D, nm 19 11
a, nm 0,325 0 ,808
c, nm 0,519
ε% -0,201 0,280
σ, GPa 0,469 -0,292
y0 11,157 11,157 11,157 11,157 11,157
xc 31,749 34,455 36,160 31,300 36828
w 0,055 0,277 0,593 0,840 0,722
550°C A 1,074 33,432 21,815 61,625 102,582
sigma 0,027 0,138 0,296 0,420 0,361
FWHM 0,065 0,326 0,698 0,990 0,850
Height 15,316 96,157 29,325 58,468 113,245
I (%) 15,9 100,0 30,5 51,6 100,0
TC 0,29 2,38 0,32 0,87 1,12
D, nm 26 10
a, nm 0,326 0,809
c, nm 0,520
ε% -0,013 0,349
σ, GPa 0,031 -0,404
y0 12,394 12,394 12,394 12,394 12,394
xc 31,816 34,510 36,245 31,270 36,816
w 0,376 0,378 0,271 0,457 0,618
650°C A 24,325 67,664 20,566 48,604 98,056
sigma 0,188 0,189 0,135 0,228 0,309
FWHM 0,442 0,446 0,320 0,538 0,728
Height 51,609 142,451 60,359 84,778 126,534
I (%) 36,2 100,0 42,3 67,0 100,0
TC 0,57 2,04 0,38 1,00 0,99
D, nm 19 12
a, nm 0.325 0,809
c, nm 0.519
ε% -0.169 0,378
σ, GPa 0,393 -0,227
DRX 2Ө (°) 31,770 34,422 36,253 31,342 36,931
standard I (%) 57,0 44,0 100,0 66,1 100,0
169
On remarque que les contraintes sont en tension et varient entre 0,031 et 0,469 GPa pour les
couches ZnO dans ZnO/ZnAl2O4 (voir le tableau III.5). Kumar et al. ont observé que la
substitution du Zn par Mg, de rayon atomique plus petit, cause une contraction du réseau du
ZnO favorisant l’apparition du stress de tension [182]. En outre, la position du pic (002) de
diffraction est décalée en direction de l'angle supérieur quand la contrainte résiduelle dans
les couches minces est augmentée où la constante de la maille ‘c’ est réduite (avec une
augmentation des concentrations de magnésium pour l’étude de Kumar10). En effet, la
contrainte à 550°C prend la valeur la plus faible 0,031 GPa (film qui a la valeur de c la plus
proche de la poudre ZnO) contre 0,393 GPa à 650°C et 0,469 GPa quand le recuit est de
500°C où ZnO est le plus distordue. L’augmentation de la cristallinité et de la taille des
grains dans une couche mince de ZnO est donc suivie d’une diminution des contraintes
[189].
A 550°C, on remarque que le paramètre a du film est de 0,326 nm alors qu’il est de 0,325
nm quand Trec = 500 ou 650°C. Malevu et al. ont noté une réduction générale des deux
paramètres cristallins a et c (avec un ordre de précision de 0,02 nm) par estimation au
premier ordre de réflexion (n = 1) du plan (100) de leurs couches ZnO quand la température
de recuit augmente de 25 à 600°C (par variation de 200°C) [169], Ivetić et al. ont observé la
même allure de variation des constantes de maille de ZnO : Mg avec l’élévation de la
température de recuit appliquée de 700 à 1100°C [191] ce qui correspond à celle de notre
variation de a et c pour les recuits entre 550 et 650°C. Dans le dernier cas, cité comme
particulier, la diminution des paramètres cristallins a été attribuée à la variation dans la
nature et la concentration des imperfections natives qui cause leur compression [192]. Les
nanostructures de ZnO peuvent typiquement avoir un certain nombre de défauts tels que
des lacunes d'oxygène, des perturbations de réseau, etc. En raison du recuit ces défauts sont
supprimés et la maille se contracte. Les liaisons pendantes sur la surface du ZnO
interagissent avec des ions oxygène de l'atmosphère et en raison de l'attraction
électrostatique, cela conduit à un réseau qui est légèrement contracté [169, 192, 193]. Or,
O’Donnell et al. reportent que la réduction de la contrainte de traction dans les films de Cr
et NiV est possible, durant le dépôt, par la diminution ou le control de la rugosité de surface
des films déposés avec une distribution de taille de grains plus uniforme et une
microstructure plus dense [194]. La morphologie du film influe sur le type de contrainte.
O’Donnell et al. ont observé que le film de TiW déposé par pulvérisation montre une
170
modification de la structure d'une microstructure fibreuse dense à une structure comportant
des vides de colonnes isolées qui est associé à l’inversion de la contrainte de compression (-
1800 MPa) à celle de traction (+700 MPa). Il a été reporté, qu’après le dépôt, les couches
ZnO : Al (AZO) sont en légère contrainte de compression qui est relâchée au cours du
recuit et devient une contrainte résiduelle de traction . Nous devons préciser que les
contraintes thermiques liées au refroidissement de l’échantillon de la température de recuit
jusqu’à la température ambiante n’ont pas été pris en compte [189]. Comme le coefficient
de dilatation de ZnO (4,75x10-6 K-1) est moins élevé que celui du verre (9x10-6 K-1), il doit
en résulter des contraintes en compression dans la couche. Mais étant donné que nos
températures de recuit sont faibles, ces contraintes thermiques sont insuffisantes pour
annihiler les contraintes intrinsèques et on peut les négliger [195, 196]. La variation de la
taille des particules ZnO dans les films ZnO/ZnAl2O4 en fonction de la température de
recuit augmente de 19 à 26 nm (quand on passe du recuit de 500 à 550°C) puis 19 nm pour
le recuit de 650°C. Zak et al. ont enregistré une augmentation de la taille des particules du
ZnO en fonction de la température de recuit entre 600 et 750°C par microscopie
électronique en transmission (MET), leurs tailles estimées par DRX variaient de 25%, un
paramètre a qui ne change pas et une réduction de c [197]. Ils ont attribué le changement du
paramètre de réseau à la variation de la taille des particules et des effets de taille quantique.
Les contraintes sont compressives variant entre -0,227 et -0,404 GPa pour les couches
ZnAl2O4 dans les spécimens ZnO/ZnAl2O4 recuits entre 650 et 500°C, se reporter au
tableau III.5. Les couches obtenues après le recuit à 650°C sont dans la plus faible
contrainte de compression mesurée. La phase ZnAl2O4 dans le film recuit à 650°C est de
meilleure qualité du cristal que les autres films. En effet, FWHM du pic (311) varie de
0,850 (550°C) à 0,728, valeur la plus faible, quand le recuit appliqué devient 650°C.Aussi
la position du pic (311) est décalé en direction des angles inférieures (engendrant une
augmentation de la distance interréticulaire dhkl entre les plans (hkl)) au fur et à mesure que
la contrainte résiduelle de compression dans les couches minces est augmentée (ou la
constante du réseau ‘a’ augmente). La même observation d'une contrainte de compression a
été signalée par Kumar et al. (due à la dilatation du réseau ZnO) avec le remplacement de
Zn2 +
par l’ion Cd2+ de rayon atomique plus grand [182] et due à la possible insertion
d’atomes étrangers dans le réseau cristallin ZnO (ions argon rétrodiffusés lors de la
pulvérisation, atomes de zinc en position interstitielle….) [189]. La légère augmentation du
171
paramètre cristallin de l’AZ de 0,808 nm quand le recuit est de 500°C à 0,809 nm quand il devient
550 et 650°C est en accord avec la diminution des valeurs de contraintes calculées. Cette
augmentation de paramètre de maille après recuit peut être expliquée à l'aide de désordre de
surface dans les nanoparticules [174]. Les nanoparticules de surface jouent un rôle
important dans la détermination des propriétés physiques du réseau en raison de grand
rapport surface-volume. Le désordre de la surface dans les nanoparticules est dû à
l'annihilation de liaisons chimiques et des lacunes d'oxygène à différents sous-réseaux sur
la surface [174]. Avec la diminution de la taille des nanoparticules (D de l’AZ entre 12 et
10 nm), un tel désordre de surface devient plus prononcée [174, 197, 198]. Toutefois, pour
les nanoparticules recuites, les cellules unitaires à terminaison de surface s’achèvent après
l'obtention de l'O2 atmosphérique au cours du processus de recuit et réduisent les
contraintes superficielles. Par conséquent, l'augmentation du paramètre de maille des
nanoparticules recuites est due au désordre de surface qui est réduit [174]. D’autant plus,
qu’avec la diminution de la taille des nanoparticules, plus d'atomes se trouvent sur la
surface qu’au centre des nanoparticules en raison du grand rapport de surface au volume
des petites nanoparticules. Dorsey et al. supposent que la contrainte de film est en grande
partie le résultat de la perte de l'oxygène des films NiZn non recuits ainsi que Thang et al.
dans les couches minces CoFe2O4 pendant le dépôt par (PLD) [199, 200]. La contrainte de
compression produit un champ d'anisotropie magnétique plane (de l'ordre de 1.000 à 3.500
Oe) en fonction de la pression d’O2, (ce qui est cohérent avec les résultats de contrainte de
diffraction des rayons X de leurs mesures) sur les films de la ferrite NiZn non recuits, lors
du dépôt [199]. Les films de la ferrite NiZn (PLD) qui croient à 700°C présentent le plus
haut degré de qualité cristalline et les valeurs d'aimantation de saturation près du massif (les
valeurs les plus faibles) (i.e.,-5000 G). A basse pression O2 (<75 mTorr) les films, qui
croient à 700°C, sont sous une contrainte de compression significative. Le stress diminue
lorsque les films NiZn croient dans des pressions d’O2 plus élevées, mais la qualité
cristalline et la morphologie de surface se détériorent. D’une manière générale, les
traitements thermiques après dépôt sont des moyens très efficaces pour réduire les
contraintes internes de matériaux élaborés sous forme de couches minces, en raison de la
formation d’une phase cristalline plus large [170, 189].
172
Si on assemble deux matériaux élémentaires pour former un matériau composite, par
exemple, la structure de l'assemblage permet d'écrire des relations simples concernant le
comportement de l'assemblage. Dans le cas d'un assemblage parallèle de matériau A, avec
une fraction volumique fA et de matériau B avec une fraction volumique fB on pourra écrire
   A   B et   f A   A  f B   B (III.17)
Dans le cas d’un assemblage série de matériau A, avec une fraction volumique fA et de
matériau B avec une fraction volumique fB on pourra écrire :
  f A   A  f B   B et    A   B (III.18)
Pour les couches ZnO/ZnAl2O4 la contrainte moyenne est de la forme ;
    f ZnO   ZnO  f ZnAl2O4   ZnAl2O4 (III.19)
Le tableau III.6 regroupe les fractions volumiques des phases ZnO et ZnAl 2O4 formées dans
les films minces traités à 500, 550 et 650°C-2h. On remarque que les fractions du ZnO
augmentent avec l’élévation de la température de recuit et en parallèles les fractions
volumiques de l’AZ diminuent, en concordance avec les variations de leurs pourcentages
massiques donc des concentrations massiques des constituants Zn et Al dans les films en
fonction de la température de recuit appliqué et de la DRX.
Tableau III.6 Fraction volumique du ZnO et ZnAl2O4 dans les films ZnO/ZnAl2O4
Température de recuit f ZnO f ZnAl2O4

500°C 0,276 0,724
550°C 0,281 0,719
650°C 0,311 0,689
La contrainte moyenne dans les couches ZnO/ZnAl2O4 est représentée sur la figure III.3.11.
On remarque que les contraintes moyennes dans les couches ZnO/ZnAl2O4 sont
compressives et l'échantillon recuit à 650°C possède la plus faible valeur de la contrainte.
Cet aspect est du peut être à la grande fraction volumique de la phase ZnAl2O4 en
comparaison de celle de la phase ZnO.
173
Fig. III.3.11 Contrainte moyenne dans les couches ZnO/ZnAl2O4 en fonction de la

fraction volumique fZnO
174
III.3.3 Propriété optique des dépôts
Les caractérisations optiques sont basées sur la spectroscopie de transmission dans

l'UV-visible. Dans cette partie, nous allons décrire le traitement des spectres de
transmission optique. Il est alors possible de déduire après analyses de ces spectres l'indice
de réfraction et sa relation de dispersion n(λ), l'épaisseur des films d, le coefficient
d'absorption optique α(λ), et la bande interdite Eg.
III.3.3.1 Traitement des spectres de transmission UV/visible
La spectrométrie UV/visible permet également l'analyse de routine de films minces

destinés à des applications en optiques ou en microélectronique (estimation du gap de films
semi-conducteurs, des pertes optiques par diffusion ou absorption d'un dépôt,…).
Exemples d'utilisation de la technique :
• Mesure précise de l'épaisseur et des indices réel et complexe du dépôt de couches
minces optiques déposées sur substrat transparent (mesure en transmission) ou non (mesure
en réflexion) par l'exploitation des franges d'interférence produites par les réflexions
multiples aux interfaces film/air et film/substrat.
• Obtention de la courbe de dispersion d'indice en fonction de la longueur d'onde pour
des couches suffisamment épaisses et/ou présentant un indice suffisamment élevé grâce au
nombre et à l'intensité des franges d'interférence.
La spectrométrie UV/visible est donc complémentaire à d'autres méthodes de mesure
optique de l'épaisseur et de l'indice de réfraction telles que l'ellipsométrie.
III.3.3.2 Modèle optique
La dispersion de l'indice de réfraction joue un rôle très important dans les

communications optiques ainsi que la conception des composants optiques. Cependant il
est très important de déterminer les paramètres de dispersion des couches dans la région
transparente (coefficient d’extinction k~0). Les paramètres de dispersion ont été évalués en
utilisant l’ajustement du modèle basé sur un seul oscillateur proposé par Wemple et
DiDomenico [201] suivant la forme :
n2- 1 = Ed E0/(Ed2-E2), (III.20)
Où E = h = hc/λ (h ; la constante de Planck et  ; la fréquence du rayonnement

électromagnétique) est l’énergie du photon, E0 l’énergie de l’oscillateur harmonique et Ed
175
est l’énergie de dispersion. Il a été trouvé que le paramètre Ed qui est une mesure de
l’intensité des transitions optiques interbandes obéit à la relation empirique simple Ed =
βNcZaNe, où NC est le nombre de coordination du cation plus proche voisin de l’anion, Za
est la valence chimique formelle de l’anion, Ne est le nombre effectif de la valence
électronique de l’anion (usuellement Ne = 8) pour βi = 0,26 ± 0.04 eV. Les valeurs d’E0, Ed
et β du ZnO sont listés dans le tableau III. 7.
Tableau III.7 Paramètres de dispersion de ZnO Wurtzite (NC = 4, Za = 2, Ne = 8)

[201]
Cristal E0 (eV) Ed (eV) M-1 M-3, 10-2 (eV)-2 n∞ n at 598 nm β (eV)
ZnO 6,4 17,1 2,672 6,523 1,916 1,996 0,27
La dispersion de l'indice de réfraction peut être analysée par la relation :
S020
n2  1  (III.21)
1  0 /  
2
Où λ est la longueur d'onde de la lumière incidente, S0 est l’intensité moyenne de

l'oscillateur de la bande d’absorption avec la longueur d'onde de résonance λ0 qui est une
longueur d'onde moyenne de l'oscillateur. L'équation (III .21) peut être transformée en :
n2  1 
n2
 1 2 (III.22),
  20
2
où n et λ0 sont l’indice de réfraction haute fréquences et la longueur d'onde moyenne de

l'oscillateur, respectivement.
Quand les bandes d'absorption dans le visible et les régions d'infrarouge proches coexistent
(coefficient d'extinction k ≠ 0), les données de la dispersion de l'indice de réfraction
peuvent être analysées par la relation suivante :
n 1 k
2 2

n
2
  1 2 (III.23)
  20
2
176
Dans les cas où l'absorbance d'un système chimique révèle une bande d'absorption d'une
forme simple, une transition électronique est adaptée à décrire la même bande
correctement. Un profile de simple gaussienne centrée sur la transition verticale en question
est encore utilisé pour reproduire la structure de cette bande d'absorption. Cela suppose une
transition électronique verticale entre l'état Si et l'état Sj, une transition électronique en
longueur d'onde λi→j et intensité d'oscillateur fi→j, l'expression des spectres des bandes
résultant αi→j est proportionnel à une fonction gaussienne tel que ;
f i j    i  j  2  
 i  j    exp      (III.24),
     2  2 ln 2
 
Où ζ représente la largeur à la mi-hauteur de la fonction gaussienne ou la largeur de bande.

Ce paramètre est choisi empiriquement par comparaison avec l'expérience.
Dans un solide simple qui consiste en une matrice hôte et un ion impureté, le coefficient
d'absorption α de la solution solide peut être considéré comme la somme α = αh + αi, où αh
est le coefficient d'absorption de la matrice hôte tandis que αi est la contribution de l'ion
impureté dans le coefficient d'absorption. Le coefficient d'extinction k est relié au
coefficient d'absorption α par l'expression 4πk/λ.
Le coefficient d'extinction k dans la région transparente (λ ≥ λg) est [202] :
exp( B  /  )  1 k01   q

k  k0 g
(exp( B)  1)
 2 2
 
(1  (4 /  )  ((0   ) / 0 ) ) 4 
 0    i  j ( ) (III.25),
j 1 
où λg est la longueur d'onde de la région d'absorption (Eg (eV) = 1239,8/ λg (nm)) (III.26), i-
l'état de base, j-l'état excité et q est le nombre des états excités. le coefficient d'extinction k
dans la région des transitions interbandes (λ ≤ λg) est :
r
 
k  k1 1    k0 (III.27),
  
 g 
où k0, k1 B, λg, et sont les paramètres d’ajustage et r peut avoir les valeurs 1/2, 3/2, 2, et 3
dépendamment de la nature des transitions électroniques interbandes tel que les transitions
permise directe, interdites indirectes, permises indirects et interdites indirectes
respectivement [203, 204]. Pour ZnO, la valeur de r est toujours 1/2, i.e. l’absorption
fondamentale correspond à une transition permise directe.
177
Dans le but de calculer les constantes optiques à partir des données, on a besoin d'une
formule qui relie les valeurs mesurées T(λ) et l'épaisseur d aux composantes réelle et
imaginaire de l'indice de réfraction N=n-ik pour une couche absorbante sur un substrat
transparent. L'approche ordinaire consiste à considérer la réflexion et la transmission de la
lumière vaux trois interfaces air/couche/substrat/air de la structure multicouches et
exprimer les résultats en termes de coefficients de Fresnel.
Le système est plongé dans l'air d'indice de réfraction n0 = 1 en prenant en compte les
réflexions multiples aux trois interfaces, il apparait clairement, avec k2<<n2 que l'expression
de la transmittance T(λ) pour une incidence normale est donnée par [205, 206] :
A
T (III.28),
B  C  D 2
Où ;
A  16 2ns (n2  k 2 )
  
B  n  1  k 2 n  1 n  nS2  k 2
2
 
        
C  2 n 2  1  k 2 n 2  nS2  k 2  2k 2 nS2  1 cos   2k 2 n 2  nS2  k 2  nS2  1 n 2  1  k 2 sin  
  
D   2 n  1  k 2 n  1 n  nS2  k 2
2
 
  4 nd / 
  exp   d 
  4 k / 
 
  exp  12 2 /  2 1  n2 ,   exp  22 /  2  
Où σ est la racine de la moyenne des carrés de l'irrégularité de la surface.
Les paramètres n et k sont les parties réelles et imaginaires de l'indice de réfraction de la
couche. Connaissant l'indice de réfraction du substrat et mettant les valeurs de n et k
calculés par les équations (III.23), (III.25) et (III.27) dans l'équation (III.28), la valeur
théorique de la transmittance correspondant à TThéo peut être obtenue. Par application de la
méthode des moindres carrées de Levenberg-Marquardt, les données expérimentales de la
transmittance (Texp) sont complètement ajustées sur les données calculées de la
transmittance (Tthéo) par l'équation (III.28) par une combinaison du modèle de Wemple-
178
DiDomenico, le coefficient d'absorption de la transition électronique et le modèle de Tauc-
Urbach.
En minimisant la somme des carrées (| Texpt-Tthéo |) générées par des valeurs différentes
d'épaisseurs (d) et de longueurs d'onde du gap (λg) par la technique d'itération et en trouvant
les valeurs correspondantes à n et k, l'épaisseur exacte de la couche ainsi que l'énergie de la
bande interdite peuvent être calculées. La relation de l'indice de réfraction du verre du
substrat prise de la référence [207] est :
1.0396  2 0.23179  2 1.0104  2

n 1 2
2
  (III.29).
S
  6.0069  103 2  2.0017  104 2  1.0356  108
III.3.3.3 Propriétés optiques des films minces ZnO/ZnAl2O4
Les spectres de transmission optique des films minces de ZnO/ZnAl2O4 déposés sur
des substrats de verre ont été enregistré en fonction de la longueur d'onde dans la gamme
190-1800 nm (soit en énergie : 6,525-0,688 eV) et sont présentés sur la figure III.3.12.
La courbe solide dans la figure III.3.12 correspond à la courbe ajustée en utilisant l'équation
(III.28) et le cercle fermé représente les données expérimentales. Les figures révèlent un
bon ajustement raisonnable aux données expérimentales, ce qui implique une détermination
précise des paramètres de l'équation (III.28). Tous les films ZnO/ZnAl2O4 sont transparents
dans les régions visible (400-800 nm) et le proche infra-rouge (800-1500 nm) présentent
une transmission moyenne qui augmente avec la température du recuit d’environ 60 à 75 %
pour les couches traitées à 550 et 650°C [38, 121], figure III.3.12a. La fenêtre de la
température de recuits entre 500 et 550°C n’entraîne pas une variation sur la transparence
des films ; ce qui peut être due à leurs épaisseurs relatives pas autant que sur les shifts vers
le rouge (redshift) des limites d’absorption. Entre 600 et 550°C, l’épaisseur des dépôts
croît, ce qui en réduit donc la transmission [208]. La chute de la transmission pour les
longueurs d’ondes autour de 380 nm, correspond à l’absorption intrinsèque dans ZnO due
aux transitions d’électrons entre la bande de valence et la bande de conduction (O2p 
Zn3d) [197, 209]. La limite d'absorption est observée avec une pente inférieure et un
épaulement de l'absorption à environ 320 nm, la position du gap ou de la fente dans le
proche UV est associée au bord d’absorption dans ZnAl2O4, voir la figure III.3.12b. Les
seuils d’absorption de ZnO et ZnAl2O4 connaissent des décalages vers les grandes et faibles
longueurs d’ondes avec la variation de la température de recuit appliqué, corrélativement
179
aux changements des énergies de la bande interdite. Cela peut être dû à des changements
dans leurs morphologies, la taille (réduction qui engendre une diminution d’Eg) des
particules et les microstructures de surface [197]. Mote et al. et Sanyal et al. attribuent
l’amélioration de l’absorption des nanoparticules ZnO : Mn (diminution d’Eg) à la
réduction de la taille moyenne des cristallites, la formation d’un grand nombre de défauts et
l'amélioration du rapport de la surface d’air au volume ainsi que le clustering d’Mn [114,
210]. Letailleur et al. expliquent le très grand décalage vers le rouge de la limite
d'absorption observé dans leurs films ZnO : Al (avec une valeur finale 3,27 eV fermée à la
bande interdite optique de ZnO pur) à la ségrégation de l’Al beaucoup plus qu’à la
diminution de la densité de charge [170]. Dans leurs expériences, un recuit à 450 ° C et au-
dessus, donne suffisamment d'énergie aux atomes d'Al pour permettre la diffusion et donc
la ségrégation. La ségrégation d’Al conduit à un matériau différent (formation de secondes
phases isolantes ZnAl2O4 et ZnO) et donc à une autre structure de bande. Au cours de recuit
à des températures supérieures à 450 °C, la densité de porteurs de charge diminue ; cela
vide les niveaux inférieurs de la bande de conduction et pourrait expliquer la réduction de
l'énergie de la limite d'absorption [170]. Pour s’assurer que c’est la première raison qui est
la plus influente dans la réduction du gap, le film recuit à 950°C sous Argon à été recuit à
450°C sous H2 qui est considéré en tant qu’un réducteur et conduit l’augmentation de la
densité d’état de charge. Le traitement réducteur n’a engendré qu’un décalage de 10 meV
vers les grandes énergies.
La figure III.3.13 reflète la détermination du gap optique des couches minces ZnO/ZnAl2O4
déposées sur des substrats de verre.
La détermination du gap optique Eg est basée sur le modèle proposé par Tauc [203, 211],
où Eg est relié au coefficient d'absorption par :
 0 (h  Eopt ) n
 ( )  (III.30)
h
Où α(ʋ) est le coefficient d'absorption, α0 est une constante, n un constant qui dépend du
mécanisme de transition d'électron (transition directe ou transition indirecte) et dépendant
selon que la transition est autorisé ou interdite.
Les valeurs de n pour les transitions directes permises, indirects permises et directes
interdites sont n = 1/2, 2, et 2/3, respectivement. La valeur de Eopt et n peuvent être
180
déterminées en traçant une relation entre (αhʋ)1/n et hʋ comme le montre la figure III.3.13.
A partir de la figure III3.13, il peut être constaté que le n est égal à 1/2, ce qui est le trait du
comportement de la transition directe autorisée dans tous les échantillons étudiés [38, 170].
Les valeurs de d, n, Eg, rms et n∞ extraites par ajustement des résultats expérimentaux par
l'équation (III.28) sont listées dans le tableau III.8.
Corrélativement à la variation des paramètres cristallins entre les recuits à 550 et 650°C que
ce soit ‘c’ du ZnO ou ‘a’ du spinelle qui se rapproche de celles des poudres ZnO (0,5026
nm) et ZnAl2O4 (0,805 nm), la taille des cristallites augmentent avec l’augmentation de
l’épaisseur d du film ZnO/ZnAl2O4. Cette modification du réseau cristallin a pour origine la
coalescence de cristallites plus petites et la diminution des joints de grains.
Les valeurs de l’énergie de la bande interdite de ZnO est en parfait accord avec celles déjà
annoncée par d’autres auteurs (Eg = 3,24 ± 0,10 eV) [189, 212, 213, 214, 215, 216] et
restent proches de celle de ZnO massif 3,3 eV [217]. La technique USP peut prouver ses
performances en comparaison aux techniques de dépôt physique (Eg entre 0,23 et 0,32 eV
par PLD) [189]. La largeur de la bande interdite optique de l’aluminate de zinc
polycristallin est entre 3,8-3,9 eV [35, 36, 218, 219], les valeurs du gap de l’AZ dans nos
films sont très proches de cette gamme d’énergie. A hautes températures de recuit (600°C)
le gap est légèrement en dessus et à 550°C il est un peu inférieur. Bouzid et al. reportent
que la contrainte de compression provoque une augmentation de la largeur de bande, ce qui
correspond parfaitement aux variations de Eg et du stress de ZnAl2O4 dans nos couches
[159].
L’allure de variation d’Eg des deux phases dans les films ZnO/ZnAl2O4 est différente, quand
la taille des cristallites augmente. Entre 550 et 650°C Eg augmente, alors que pour ZnAl2O4
cette augmentation est proportionnelle à d, elle l’est inversement pour ZnO.
181
Fig. III.3.12 Spectres de transmittance (expérimental et théorique) des couches minces

ZnO/ZnAl2O4 déposées sur des substrats de verre
182
Fig. III.3.13 Détermination du gap optique des couches minces ZnO/ZnAl2O4 déposées
sur des substrats de verre
III.3.3.4 Détermination de l'indice de réfraction et le gap optique
Il est bien connu que l'indice de réfraction est sensible aux défauts structurels (par
exemple ; pores, dopants, inclusions..etc.), et il peut fournir des informations importantes
concernant la microstructure du matériau.
L'indice de réfraction et le coefficient d'extinction calculés des couches minces
ZnO/ZnAl2O4 en fonction de la longueur d'onde sont représentés sur la figure III.3.14, et se
trouve être inférieure à celle de ZnO pure massif [201]. Mais dans les deux cas, la relation
entre l'indice de réfraction et la longueur d'onde présentant la même tendance.
Les valeurs de l’indice de réfraction des couches minces ZnO/ZnAl2O4, dans le rang 1,74-
1,87 à 598 nm sont en bon accord avec celle de ZnAl2O4 1,79 [24] et un peu inférieures à
celle de ZnO massif 2,0 [220]. Tout de même ces valeurs sont très proches de celles
reportées (nZnAl2O4 entre 2,4 et 2,2) [38], (nZnO entre 1,81-1,91) [159] et (nZnO entre 1,91-
2,05) [189].
183
Généralement, l’indice de réfraction de ZnO en couches minces décroît au régime des
grandes longueurs d’ondes et aussi il est trouvé qu’il décroît après l’incorporation de l’Al
dans la matrice de ZnO [38].
L’indice de réfraction de ZnO augmente avec la température de recuit (quel que soit son
atmosphère) et diminue avec l’épaisseur du dépôt [189]. On sait que n est fonction de la
densité électronique qui augmente avec le recuit thermique. Donc la tendance de variation
de n observée entre (500 et 550°C) et (550 et 650°C) qui augmente en augmentant la
température de recuit est logique. Quant à l’indice de ZnAl2O4, il diminue avec la Trec [38].
Donc l’indice de réfraction n des couches minces ZnO/ZnAl2O4 augmente aux grandes
températures de recuit, conformément à la variation de celle de ZnO tandis qu’il est plus
proche de celui de ZnAl2O4.
Le coefficient d’extinction k des films préparés ZnO/ZnAl2O4 est de l’ordre de 10-2, il tend
à diminuer avec l’augmentation de la température de recuit conformément à la variation de
ZnAl2O4 (de même ordre de grandeur 10-2) dans le travail Chandramohan et al [38]. Kim et
al. ont observé une diminution de l’extinction et une amélioration de la transmission par le
recuit de céramiques ZnAl2O4 (très transparents) [221]. Ils ont attribués cela à la
remarquable diminution du coefficient d’absorption (dans une large gamme de longueurs
d’onde, en particulier dans la région UV (400 nm)) tandis que, l’augmentation du
coefficient de diffusion était faible (dans la région d’onde 500 nm). Donc, l’extintion
(diffusion + absorption) diminue et la transmission s’approuve. Le coefficient k du ZnO est
pratiquement indépendant de la température de recuit, il a tendance à augmenter très
légèrement avec celle-ci et est de l’ordre de 10-3 [189].
Il faut noter que les calculs sous-entend que 1-T est l’absorption de la couche, alors qu’en
fait une partie de la lumière incidente n’est ni absorbé, ni transmise mais est réfléchie. Cette
approximation est d’autant moins valable que l’épaisseur de la couche est plus faible.
La figure III.3.15 montre la variation de la largeur de la bande interdite en fonction de la
température de recuit. Pour chaque phase on remarque que les gaps connaissent un shift
vers les faibles valeurs d’énergie soit vers le rouge (red-shift) quand Trec passe de 500 à
550°C, puis progressivement vers les grandes valeurs correspondant à un shift vers le bleu
(bleu-shift) quand Trec est entre 550 et 650°C, on va essayer d’expliquer ces changements en
corrélation avec l’étude microstructurale comme suit ;
184
Fig. III.3.14 Indice de réfraction et coefficient d'extinction des couches minces

ZnO/ZnAl2O4 déposées sur des substrats de verre
Fig. III.3.15 Variation de la largeur de la bande interdite en fonction de la

température de recuit
185
Tableau III.8 Paramètres de dispersion des films obtenus par ajustement des données
expérimentales par l'équation (III.28)
ZnO/ZnAl2O4 épaisseur, Eg, n à 598 n∞ rms,

(nm) (eV) nm (nm)
T, recuit
ZnO : 3,245
500°C 377 1,744 1,700 52
ZnAl2O4 : 3,884
ZnO : 3,232
550°C 371 1,786 1,739 36
ZnAl2O4 : 3,752
ZnO : 3,295
600°C 357 1,745 1,700 57
ZnAl2O4 : 3,934
ZnO : 3,316
650°C 330 1,872 1,819 59
ZnAl2O4 : 3,948
La réduction de la valeur du gap de ZnO de 3,245 à 3,232 eV est une variation de moins de
2% dans l'intervalle et est à l'intérieur de l'incertitude de mesure. Néanmoins, la diminution
du stress au sein de la structure Wurtzite à 550°C favorise la diminution d’Eg [Bouzid81].
La diminution d’Eg est due également d’une part à réduction de la densité d’état de charge,
un résultat similaire a été reporté par Letailleur et al. dans les couches ZnO : Al et d’une
autre part à l’agglomération de l’Al, qui pouvait se trouver dans la structure du ZnO, au fur
et à mesure que le recuit augmente jusqu’à 550°C conduisant à la formation de ZnAl 2O4,
[170], la faible variation rend peut être cette hypothèse assez légère. Le shift vers le rouge
peut être expliqué également par la formation de défauts d’O2 [210]. Seulement, le faible
shift (2%) ne peut pas être attribuée de manière fiable à des effets liés aux défauts tels que
la désorption d’O2 (la formation des lacunes d’O2 et interstitiels d’O2) [182, 222], car il est à
l'intérieur de l'incertitude de mesure selon Malevu et al. [169].
186
Entre 500 et 550°C, le gap de ZnAl2O4 diminue à cause du désordre structural qui est lié à
l’augmentation des défauts (lacunes d’O2 et de lacunes de Zn) et la réduction de la taille des
cristallites [114, 182] et le stress compressif qui est le plus important à 550°C de la
structure cubique au début de sa formation (et où ZnO est le moins stressé) [159]. En
quelque sorte, la croissance de ZnO (à 550°C) retarde la croissance de l’AZ à la même
température de recuit.
Au-delà de 550°C, l’augmentation du gap optique de ZnO est principalement provoquée
par l’effet Burstein-Moss ; augmentation de la concentration des porteurs de charge [223].
En effet, la présence de donneurs d'électrons conduit à une augmentation de l'écart optique :
comme les premiers niveaux de la bande de conduction sont déjà remplis, les électrons de
la bande de valence ont besoin de plus d'énergie pour atteindre les premiers niveaux
inoccupés dans la bande de conduction, cela a été observé dans le ZnO : Al [170, 78] et
ZnO : Mg [182, 224] (cet effet est consistant avec l’accroissement de la conductivité
électrique [225]). L'effet de l'absorption d’O2 par un film ZnO, dénommé également le
processus Moss-Burstein, est reporté par plusieurs travaux [169, 121, 222, 226].
L’énergie de la bande interdite de ZnAl2O4 augmente après des recuits aux grandes
températures et est attribuée à l’amélioration de sa cristallinité et réorganisation structurale,
(par exemple avec la disparition de liaisons pendantes ou d'impuretés dans le matériau) [38]
et donc l’augmentation de la taille des grains [227, 228]. Comparativement à ce qui a été
reporté pour l’oxyde de zinc dans la littérature, le recuit thermique dans l'oxygène [121] et
l'air [189, 121, 229] améliore la stœchiométrie de ZnO ce qui diminue la concentration de
défauts, inclus dans le Zn interstitiel [121, 124], les lacunes de zinc et les défauts reliés à
l'oxygène (les lacunes et les interstitiels d'oxygène) [182, 230, 231]. Ces défauts (lacunes de
Zn et d’O2) sont créés durant le recuit de films dans la matrice de ZnO, de même pour la
matrice ZnAl2O4 dans nos films, par évaporation de l’oxygène (Ces lacunes d'oxygène
donneur devraient glisser le niveau de Fermi vers la bande de conduction) [182]. Pendant le
processus de recuit, les sites vacants dans le réseau de ZnO, qui sont le résultat de
l'évaporation des groupes OH partir de la surface (des nano-tiges), sont immédiatement
remplacé par O2 à partir de l’environnement. En raison de l'écoulement excessif de
l'oxygène, les molécules d'oxygène sont facilement adsorbées sur la surface [121].
187
Conclusion de la partie 3 :
Les résultats obtenus à partir de la synthèse employée pour les dépôts de cette
dernière partie sont surtout le type des spécimens sous forme de couches minces d’une
bonne adhérence et transparence à une température de chauffage du substrat et traitements
thermiques relativement moyennes. Les dépôts minces élaborés sont caractérisés par :
- Une apparition simultanée du système ZnO/ZnAl2O4 (de taille nanométrique 19 et

11 nm pour ZnO et ZnAl2O4, respectivement) en couches minces au recuit de
500°C, à priori selon la DRX, et un état d’amorphisme à 450°C. La non diffraction
de ZnO à cette dernière Trec suggère que durant la synthèse du mélange d’oxydes
ZnO/ZnAl2O4 la formation de ZnO est liée à celle de ZnAl2O4 qui la retarde. Même
si les couches ne sont pas en hétérostructures.
- Une meilleure qualité cristalline de la structure de ZnO à 550°C comparée aux films
traités à une faible ou forte température de recuit à l’air, suivant l’évolution de la
largeur à mi-hauteur du pic (002) de l’orientation préférentielle de cette phase.
- A 550°C, ZnO est moins stressé qu’aux autres températures de recuit et où le
paramètre ‘c’ est exactement égale à sa valeur standard reflétant le parfait état
structural de cet oxyde. A 500°C et surtout au-delà de 550°C un écart (diminution)
dans ‘c’ apparaît suite à la contraction de la maille engendrée par les contraintes de
tension.
- A 550°C ZnAl2O4 est le plus stressé, il se trouve sous des contraintes compressives,
son ordre est mal atteint quand ZnO se réorganise.
- Au recuit de 650°C, le réseau de la phase de la ghanite est beaucoup moins stressé
comparé aux autres températures de recuit entrainant une diminution de la
contrainte moyenne du film à cette température puisque la fraction volumique de
ZnAl2O4 dans ZnO/ZnAl2O4 est plus importante. ZnO contribue également à l’ordre
du système.
- Le recuit à la faible température de 500°C entraîne un désordre dans les mailles
respectives à ZnO et ZnAl2O4.
Le recuit thermique des films ZnO/ZnAl2O4 déposés pendant 2h entre 500-650°C influe sur
leurs croissance et organisation structurales simultanément.
188
L’étude des propriétés optiques des dépôts nous a permet de conclure à :
- Tous les films ZnO/ZnAl2O4 sont transparents dans les régions visible (400-800 nm)
et le proche infra-rouge (800-1500 nm) présentent une transmission moyenne qui
augmente avec la température du recuit d’environ 60 à 75 % pour les couches
traitées à 550 et 650°C.
- En premier lieu le recuit jusqu’à 550°C, engendre une diminution d’Eg du ZnO et
ZnAl2O4. Cette diminution, pour ZnO, est peut être due à l’agglomération d’Al dans
ZnO et la formation d’une 2ème phase et au désordre structurale de ZnAl2O4
(augmentation de défauts et diminution de la taille des cristallites) du à son déut de
formation.
- Pour Trec500°C, Eg du ZnO augmente, à cause de l’effet Bursteirn-Moss, puisqu’il
y a à la même température une augmentation de Eg de ZnAl2O4 qui est due à l’ordre
structural et la diminution, suite au recuit, de la densité de défauts (tel que les
lacunes d’O2 et d’hydroxydes OH).
- L’indice de réfraction des couches ZnO/ZnAl2O4 augmente aux grandes
températures de recuit, conformément à la variation de celle de ZnO, mais plus
- Le coefficient d’extinction des films ZnO/ZnAl2O4 est de l’ordre de 10-2, il tend à
diminuer avec l’augmentation de la température de recuit conformément à la
variation de ZnAl2O4.
- Les propriétés élevées d'absorption et la sensibilité de la lumière UV indiquent que
les échantillons préparés en couches minces sont appropriés pour des applications
de capteur photoconducteur UV [121].
189
Conclusion
générale
Conclusion générale
A travers l’étude qui entre dans le cadre de préparation de la présente thèse de

doctorat, nous avons acquis une expérience des dépôts des couches par la méthode de spray
pyrolyse ultrasonique (USP), disponible au « Laboratoire de Structures, Propriétés est
Interactions Inter Atomiques » (LSPI2) de l’université de khenchela. Dans le but
d’améliorer la qualité des films, de travailler avec des produits soft et de voir étendre cette
simple technique chimique de synthèse l’investigation dans la variation des types de sels
employés pour la préparation des solutions pulvérisées s’est vue croître.
La synthèse des couches d’oxydes notamment l’oxyde ternaire d’aluminate de zinc de

formule chimique ; ZnAl2O4 est très étroitement liée aux conditions de dépôt et de recuit
thermique. Les principaux paramètres modulables influant dans le procédé USP sont la
température de chauffage du substrat et les concentrations des précurseurs. Le traitement
thermique en est également un facteur capital dans la formation de l’aluminate de zinc en
phase unique ou en mélange de phases ZnO/ZnAl2O4.
Il y a possibilité de former le spinelle ZnAl2O4 à travers une solution de nitrates de

zinc et d’aluminium de rapport molaire égale à 1/2 à faible température de surface du
substrat 410°C par un recuit thermique à 700°C-1h avec une excellente cristallinité (elle
apparaît également à 650°C). A la température de chauffage du substrat 530°C, la réaction
de formation de ZnAl2O4 est complète après un recuit à 600°C-1h, indiquant certainement
que le début de sa formation commence à s’effectuer à une température plus faible. Dans le
mécanisme de formation de la gahnite, l’ZnO apparaît avant la phase ZnAl2O4, coexiste
avec elle avant que le processus de formation ne se termine et ne fait apparaître que la
phase unique ZnAl2O4. La phase unique ZnAl2O4 est obtenue facilement quand les
concentrations molaires de départ correspondent à la stœchiométrie de la gahnite. Une très
bonne stabilité thermochimique et une reproductibilité des couches ont été atteintes via ce
processus de préparation.
Quand le rapport molaire entre les sels de nitrates de Zn et d’Al est égal à 1 dans la solution
pulvérisée chimiquement, de bonnes couches structurellement de ZnAl2O4 ont été élaborées
en utilisant une température de surface du substrat (Ts) égale à 530°C. La gahnite se forme
par le même processus que la première solution ; réaction entre hydroxydes d’Al et de Zn
189
et/ou réaction entre ZnO et hydroxyde d’Al, seulement il y a une réapparition du ZnO après
la formation complète du spinelle de zinc contrairement à la solution 1.
Le problème d’adhérence des dépôts au substrat rencontré quand R = 1/2 (dépôts sous
forme de poudre) a été partiellement surmonté.
Un second nouveau processus de synthèse de l’AZ a été développé, caractérisé par sa
facilité mais nécessitant des hautes températures de croissance de la ghanite employant de
nouveaux précurseurs qui sont les produits de la calcination des sels de sulfate d’aluminium
hydratés. Une étude de la décomposition thermochimique des hydrates de sulfate
d’aluminium Al2(SO4)3.14H2O et Al2(SO4)3.18H2O a été menée par chauffage dans
l'atmosphère ambiante dans la plage de température appropriée allant de 650 à 1200°C. Pour
ce fait, nous avons étudié l’effet de la température sur les produits de décomposition. Les
phases de l’alumine : , , θ, -Al2O3, Al2(SO4)3 et Al2O(SO4)2 peuvent être obtenues en
chauffant le sel Al2(SO4)3.18H2O. Il a été établi que le sulfate d’aluminium se transforme en
−Al2O3 (phase stable) par l'intermédiaire de la séquence :
Al2(SO4)3.18H2O →Al2(SO4)3 →Al2O(SO4)2→ γ-Al2O3→ δ-Al2O3 → θ-Al2O3 →Alumine α
Les spectres DRX et FTIR ont été enregistrés pour chaque échantillon. Les principales
bandes IR ont été assignées en termes de déformation et d'allongement des modes d’AlO4
et AlO6, en cohérence avec l'évolution structurelle des phases, et en accord avec les études
précédentes sur l'alumine. Contrairement aux résultats obtenus par FTIR, les données de
diffraction RX ne peuvent pas permettre l'identification d’Al2O(SO4)2. Ces résultats
concordent avec des observations dans la littérature. Les structures cristallines ne sont pas
développées insuffisamment par la littérature. L’analyse DRX a permis toute fois de
conclure que le sulfate d’alumoxane obtenu est microcristalline ou amorphe aux
températures de calcination de 785 et/ou 795°C.
Néanmoins l’étude thermochimique de la décomposition thermique de Al2(SO4)3.18 H2O
par TG-DTG et les spectres FTIR ont permis de détecter en détail l’existence des différents
composés Al2(SO4)3, Al2O(SO4)2 et Al2O3.
Le domaine optimal des températures pour obtenir Al2O(SO4)2 à partir de la poudre
Al2(SO4)3.18H2O est 785-795°C et pour la formation d’Al2O3 est 800-1200°C. Le sulfate
Les produits de la calcination de l’alun à 785 et 795°C-3h ont été utilisés dans le
dépôt de films. Trois solutions ont été préparées : Sol1 contient un mélange de ZnCl2.2H2O
190
et Al2O(SO4)2 produit de la décomposition à 795°C avec des concentrations égale à 1/2
entre les deux précurseurs de métaux, respectivement. Sol2 contenant le même précurseur
de zinc et Al2(SO4)3 produit de la calcination à 785°C-3h avec la même concentration
(rapport entre les molarités égale à 1). Une troisième solution (Sol3), mélange de
ZnCl2.2H2O et Al2O(SO4)2 avec un rapport entre les molarités égal à 1.
- La Sol1 est favorable à la formation du système ZnO/ZnAl2O4 (en poudre) par un
recuit à 650 et 700°C-1h en utilisant une température de surface du substrat (Ts) de
570°C et un volume réduit du solvant (100 ml).
- La Sol2 à conduit à la formation de ZnAl2O4 aux températures de recuit de 650, 800
et 900°C-1h où l’état cristallin est le meilleur avec une température de chauffage de
substrat (Tcs) de 570°C (soit une température réelle à la surface du substrat
inférieure d’100°C). Des films sous forme de poudre de la ghanite sont facilement
obtenus via Al2(SO4)3. En perspective, le précurseur Al2(SO4)3 peut être utilisé dans
la synthèse de d’autres aluminates ou à leurs mélanges d’oxydes en nanopoudres.
- La Sol3, la Tcs = 600°C et la Trec = 650°C ne font apparaître que le mélange
ZnO/ZnAl2O4 en poudre, à 900°C l’AZ n’apparaît pas et à 800°C sa présence est
très floue. Cette solution et ces conditions de synthèse engendrent l’obtention de
ZnO/AZ.
- L’effet du volume de H2O (1l) est retardataire quant à la formation de ZnAl2O4 par
la poudre Al2(SO4)3 surtout à hautes températures et un début de cristallisation de -
Al2O3 au recuit de 650°C et une bonne croissance à 700°C-1h. Donc le précurseur
Al2O(SO4)2 est plus favorable pour le dépôt de bonnes couches minces cristallines
de l’alumine.
Le processus de synthèse de la ghanite, le mélange d’oxydes ZnO et ZnAl2O4 et les couches
Al2O3 par spray pyrolyse à travers le sulfate d’aluminium est complètement nouveau.
Dans l’étude du système d’oxydes par XPS, la méthode du paramètre Auger modifié
(paramètre Auger modifié = α' = énergie de liaison de la ligne majeure de photoélectrons
ajoutée à l'énergie cinétique de la ligne Auger majeure pour l'élément intéressé) a été utilisé
pour déterminer l'état chimique du zinc. Les valeurs de α' situées à 2010 et 2014 eV
caractéristiques de (Zn2+) et (Zn0), respectivement ont été notées. Pour les films
ZnO/ZnAl2O4 initial et pulvérisé, les déplacements de α' ont été calculés pour la première
fois en se référant à la bibliographie. Les valeurs de α' maintenue constante au ~ 2010,2 eV,
191
s’éloigne de 2014 eV, indique l'existence de Zn2+. Les valeurs de α' calculées du ZnO et du
système ZnO/ZnAl2O4 sont identiques, mais diffèrent de la valeur calculée de ZnAl2O4 de
0,6 eV. Cette différence n’est généralement pas considérée très prononcée et la
différenciation entre ZnO et ZnO/ZnAl2O4 et/ou ZnAl2O4 ne devient pas possible et
nécessite d'autres données que les valeurs de α' seul.
Un troisième processus de dépôt a été également employé pour l’obtention des films
minces, pour cela des modifications au bâti de pulvérisation ont été apportés. Les dépôts
ont été réalisés à partir de 2 solutions pulvérisées simultanément à base d’acétate
d’aluminium et de chlorure de zinc hydratés. On a étalé le temps de dépôt qui était de 03
heures et demi et contrôlé un très faible débit adapté qui a mené une favorisation de
l’organisation structurale par une diminution des contraintes thermiques. Le recuit de la
série d’échantillons obtenus était entre 450 et 650°C durant 2h. La température de
chauffage du substrat Tcs employée était assez faible de 450°C.
Les dépôts minces élaborés sont caractérisés par :
- Une apparition simultanée du système ZnO/ZnAl2O4 (de taille nanométrique 19 et
11 nm pour ZnO et ZnAl2O4, respectivement) en couches minces au recuit de
500°C, à priori selon la DRX, et un état d’amorphisme à 450°C. La non diffraction
de ZnO à cette dernière Trec suggère que durant la synthèse du mélange d’oxydes
ZnO/ZnAl2O4 la formation de ZnO est liée à celle de ZnAl2O4 qui la retarde. Même
si les couches ne sont pas en hétérostructures.
- Une meilleure qualité cristalline de la structure de ZnO à 550°C comparée aux films
traités à une faible ou forte température de recuit à l’air, suivant l’évolution de la
largeur à mi-hauteur du pic (002) de l’orientation préférentielle de cette phase.
- A 550°C, ZnO est moins stressé qu’aux autres températures de recuit et où le
paramètre ‘c’ est exactement égale à sa valeur standard reflétant le parfait état
structural de cet oxyde. A 500°C et surtout au-delà de 550°C un écart (diminution)
dans ‘c’ apparaît suite à la contraction de la maille engendrée par les contraintes de
tension.
- A 550°C ZnAl2O4 est le plus stressé, il se trouve sous des contraintes compressives,
son ordre est mal atteint quand ZnO se réorganise.
- Au recuit de 650°C, le réseau de la phase de la ghanite est beaucoup moins stressé
comparé aux autres températures de recuit entrainant une diminution de la
192
contrainte moyenne du film à cette température puisque la fraction volumique de
ZnAl2O4 dans ZnO/ZnAl2O4 est plus importante. ZnO contribue également à l’ordre
du système.
- Le recuit à la faible température de 500°C entraîne un désordre dans les mailles
respectives à ZnO et ZnAl2O4.
Le recuit thermique des films ZnO/ZnAl2O4 déposés pendant 2h entre 500-650°C influe sur
leurs croissances et organisation structurale simultanément.
L’étude des propriétés optiques des dépôts nous a permet de conclure à :
- Tous les films ZnO/ZnAl2O4 sont transparents dans les régions visible (400-800 nm)
et le proche infra-rouge (800-1500 nm) présentent une transmission moyenne qui
augmente avec la température du recuit d’environ 60 à 75 % pour les couches
traitées à 550 et 650°C
- En premier lieu le recuit jusqu’à 550°C, engendre une diminution d’Eg du ZnO et
ZnAl2O4. Cette diminution, pour ZnO, est peut être due à l’agglomération d’Al dans
ZnO et la formation d’une 2ème phase et au désordre structurale de ZnAl2O4
(augmentation de défauts et diminution de la taille des cristallites) du à son début de
formation.
- Pour Trec500°C, Eg du ZnO augmente, à cause de l’effet Bursteirn-Moss, puisqu’il
y a à la même température une augmentation de Eg de ZnAl2O4 qui est due à l’ordre
structural et la diminution, suite au recuit, de la densité de défauts (tel que les
lacunes d’O2 et d’hydroxydes OH).
- L’indice de réfraction des couches ZnO/ZnAl2O4 augmente aux grandes
températures de recuit, conformément à la variation de celle de ZnO, mais plus
- Le coefficient d’extinction des films ZnO/ZnAl2O4 est de l’ordre de 10-2, il tend à
diminuer avec l’augmentation de la température de recuit conformément à la
variation de ZnAl2O4.
Comme perspectives à cette étude et vue les propriétés élevées d'absorption dans la
région UV indiquent que les échantillons préparés en couches minces sont appropriés
pour des applications de capteur photoconducteur UV [121] et senseurs de gaz polluants
dans l’air.
193
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209
‫دراسة الشرائح الرقيقة ‪ ،ZnAl2O4‬االرتباط والتحضير والخصائص والتطبيق‬
‫ملخص‪:‬‬
‫قمنا في هذا البحث بتحضير شرائح أكسيد ثالثي لمعدني األلمنيوم والزنك يدعى ''ألومينات الزنك'' ذو الصيغة الكيميائية‬
‫‪ .ZnAl2O4‬طريقة التحضير تمت بواسطة الرش المهبطي باستخدام األمواج الفوق الصوتية لتشتيت المحاليل الى قطيرات‬
‫جد صغيرة‪ .‬االمالح المستعملة خالل هذه الد راسة تمثلت بترا ت الزنك وااللمنيوم‪ ،‬كلوريد الزنك ومنتجات التكليس من‬
‫ملح كبريتات األلومنيوم المائية ثم من خالل كلوريد الزنك وخالت األلومنيوم مذابة في الماء المقطر‪ .‬عدة عوامل أساسية‬
‫تأثر في الطبيعة البلورية والمورفولوجيا للعينات النهائية أهمها‪ :‬تركيز امالح المعادن األولية ودرجة تسخين المسند‬
‫ودرجة حرارة التسخين المطبق على الشرائح وحجم المذيب‪ .‬جودة الفيلم (مسحوق أو شريحة رقيقة) مرتبط ارتباطا‬
‫وثيقا بأنواع االمالح المستخدمة وظروف التنمية‪.‬‬
‫الظروف العملية للحصول على االكسيد الثالثي (مسحوق) تمثلت في درجة تسخين المسند من ‪ 410‬الى ‪ 530‬درجة‬
‫مئوية مقابل ‪ 700‬الى ‪ 650‬كدرجة حرارة التسخين المستمر لمدة ساعة‪ .‬النسبة بين التركيز المولي لمحلولي المعدنين‬
‫المستعملين أي نسبة عدد موالت ملح الزنك الى عدد موالت ملح االلومنيوم مساوية الى ‪ .2/1‬تميزت العينات المتحصل‬
‫عليها ببنية مكعبة وطور واحد موافق الى بنية االكسيد المدروس‪ .‬عامل البنية البلوري للشرائح مساوي الى حد كبير‬
‫العامل النظري في حدود ‪ 8.085‬انغشتروم او وحدة بنية بلورية‪ .‬البلوريات تميزت بأبعاد من رتبة النانومتر‪.‬‬
‫منتجات التحلل الحراري من كبريتات األلومنيوم المموهة ‪Al2(SO4)3‬عند ‪ 785‬م‪ °‬و‪ Al2O(SO4)2‬عند ‪ 795‬م‪ °‬لمدة ‪3‬‬
‫ساعات مستعملة كمصدر أليون األلمنيوم‪ ،‬مواتية لظهور الجسيمات متناهية الصغر لألكسيد ‪ ZnAl2O4‬مع التلدين في‬
‫‪ 900‬م‪-°‬ساعة وطبقة رقيقة لألكسيد ‪ Al2O3‬بعد التلدين عند ‪ 700‬م‪-°‬ساعة على التوالي‪.‬‬
‫تم استخدام عملية ترسب ثالثة أيضا للحصول على الطبقات الرقيقة‪ ،‬لهذا الغرض أجريت تعديالت في مبنى الرذاذ‪ .‬استند‬
‫التحضير على أساس بالرش في وقت واحد لمحلولين من مسا حيق خالت األلومنيوم وكلوريد الزنك‪ .‬أظهرت النتائج‬
‫التواجد في وقت واحد وفقا النعرا األشعة السينية‪ ،‬لنظام ‪( ZnO/ZnAl2O4‬النانومتري الحجم) على هيئة الشرائح‬
‫الرقيقة بعد التلدين في ‪ 500‬م‪ °‬لساعة وأشارت الى الجودة البلورية األفضل والنظام البلوري لتركيبة أكسيد الزنك في‬
‫‪ 550‬م‪ °‬ولتركيبة ألومينات الزنك عند ‪ 650‬م‪ .°‬األفالم الرقيقة ‪ ZnAl2O4/ZnO‬هي شفافة للغاية في منطقتي األشعة‬
‫تحت الحمراء القريبة والمرئية وحساسة للغاية المتصاص األشعة فوق البنفسجية‪ .‬مشيرة إلى أنها مناسبة لتطبيقات‬
‫االستشعار الضوئية الناقلة تحت األشعة فوق البنفسجية وأجهزة استشعار الغاز‪.‬‬
‫الكلمات المفتاحية‪ :‬الشرائح الرقيقة(المركب) ‪ ،ZnO/ZnAl2O4‬الرش المهبطي‪ ،‬درجة تسخين المسند ودرجة حرارة‬
‫التسخين‪ Al2(SO4)3،‬و‪ZnAl2O4،XPS ،Al2(SO4)3‬‬
Study of ZnAl2O4 thin layers, correlation elaboration-properties and application
Abstract:
This work was conducting in the way to develop and perform a simple and reproducible void on the
synthesis of zinc aluminate (ZA) transparent ternary oxide through ultrasonic spray chemical technique (SPC)
and the correlation between the physic-chemical properties of the obtained coatings with the preparation
conditions for application in optoelectronics or photo-catalysis.
The film quality (powder or thin film) is closely related to types of used precursors and operating
conditions. The formation of ZnAl2O4 depends on conditions of deposition and thermal annealing. The main
parameters influencing the SPC method are the substrate temperature (Ts), the type and concentrations of the
precursor and the volume of solvent. The heat treatment is also a crucial factor in the formation of ZA as a
single phase or ZnO/ZnAl2O4 mist. Zinc and aluminum hydrated nitrates salts with molar ratio (1: 2) result in
the formation of the AZ powder Ts (410°C) and a thermal annealing at 700°C-1h. When Ts increases, the
annealing temperature is lowered. The ratio (1: 1) induces the appearance of ZnO due to excess Zn.
The thermal decomposition products of the aluminum sulphate hydrate Al2(SO4)3.18H2O at 785°C
(Al2(SO4)3) and 795°C (Al2O(SO4)2)-3h employed as precursors, source of Al ion, are favorable for the
nanoparticles of gahnite by annealing at 900°C-1h and Al2O3 thin film by annealing at 700°C -1h, respectively.
The calculated modified Auger parameter α' values from the XPS technique for zinc oxide and ZnO/ZnAl2O4
system are identical but differed from the calculated value for the zinc aluminate by only 0.6 eV. This
difference is usually not considered very pronounced and the differentiating between ZnO and ZnO/ZnAl2O4
and/or ZnAl2O4 becomes not possible and exhibits other data than values alone.
A third deposition process was also used to obtain thin films, for this a modifications have been made
to the spraying built. The coatings were made from simultaneously sprayed two hydrous solutions based on
zinc chloride and aluminum acetate. A simultaneous appearance, a priori according to XRD, of ZnO/ZnAl2O4
thin-film system (nanosized) from the annealing at 500°C-2h. A better crystalline quality and order of the
structure of ZnO at 550°C and ZnAl2O4 to 650°C are noted. The ZnO/ZnAl2O4 films are highly transparent in the
visible and near infrared regions and highly sensitive to UV absorption indicating that they are suitable for UV
applications photoconductive sensor and gas sensors.
Key words: Zinc aluminate; spray pyrolysis; substrate temperature; heating treatment; Al2(SO4)3,
Al2O(SO4)2 precursors; ZnO/ZnAl2O4 thin films; XPS and modified Auger parameter α'
Etude des couches minces ZnAl2O4, corrélation élaboration-propriétés et application
Résumé :
Dès le début de son étude, l’intérêt s’est porté sur le développement et la maîtrise d’un processus
de synthèse de l’oxyde complexe ZnAl2O4 (ghanite) et la corrélation entre les propriétés physico-chimiques des
dépôts obtenus avec les conditions de préparation en vue d’application en optoélectronique ou photo-
catalyse.
La technique de dépôt utilisée est la pulvérisation chimique ultrasonique (USP), la qualité des films
(poudre ou couche mince) est étroitement liée aux types de précurseurs utilisés et aux conditions opératoires.
La formation de ZnAl2O4 (AZ) dépend des conditions de dépôt et de recuit thermique. Les principaux
paramètres influant dans le procédé USP sont la température du substrat (Ts), les concentrations des
précurseurs et le volume du solvant. Le traitement thermique en est également un facteur capital dans la
formation de l’aluminate de zinc en phase unique ou en mélange de phases ZnO/ZnAl2O4. Les sels de nitrates
de zinc et d’aluminium hydratés de rapport molaire (1 : 2) entraînent la formation de l’AZ en poudre à Ts
(410°C) et un recuit thermique à 700°C-1h. Quand Ts augmente, la température du recuit s’abaisse. Le rapport
(1 : 1) induit l’apparition du ZnO due à l’excès de Zn.
Les produits de décomposition thermochimique de l’hydrate de sulfate d’aluminium Al2(SO4)3.18H2O à

785°C (Al2(SO4)3) et 795°C (Al2O(SO4)2)-3h employés comme précurseurs, source d’ion Al, sont favorables pour
les nanoparticules de la gahnite par un recuit à 900°C-1h et d’ Al2O3 en couches minces par un recuit à 700-1h
,respectivement. Les valeurs du paramètre Auger modifié α' calculées à partir de la technique XPS du ZnO et
de ZnO/ZnAl2O4 sont identiques, mais diffèrent de la valeur calculée de ZnAl2O4 de 0,6 eV. Cette différence
n’est généralement pas considérée très prononcée et la différenciation entre ZnO et ZnO/ZnAl2O4 et/ou
ZnAl2O4 ne devient pas possible et nécessite d'autres données que les valeurs de α' seul.
Un troisième processus de dépôt a été également employé pour l’obtention des films minces, pour
cela des modifications au bâti de pulvérisation ont été apportés. Les dépôts ont été réalisés à partir de 2
solutions pulvérisées simultanément à base d’acétate d’aluminium et de chlorure de zinc hydratés. Une
apparition simultanée, à priori selon la DRX, du système ZnO/ZnAl2O4 (de taille nanométrique) en couches
minces à partir du recuit à 500°C-2h. Une meilleure qualité cristalline et ordre de la structure de ZnO à 550°C
et de ZnAl2O4 à 650°C sont notés. Les films ZnO/ZnAl2O4 sont très transparents dans les régions visible et
proche infra-rouge et hautement sensibles à l’absorption UV indiquant qu’ils sont appropriés pour des
applications de capteur photoconducteur UV et senseurs de gaz.
Mots clés : Aluminate de zinc ; Spray pyrolyse ; température de substrat ; recuit thermique ; précurseurs
Al2(SO4)3, Al2O(SO4)2 ; composites ZnO/ZnAl2O4 en films minces ; XPS et paramètre Auger modifié α'

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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA

UNIVERSITE LARBI BEN M’HIDI –OUM EL BOUAGHI

Présentée pour l’obtention du diplôme de

Président : R. GUEMINI Professeur Université Larbi Ben M’hidi - Oum El Bouaghi

A mon Epoux et mes Filles,

A ma famille et belle famille,

Et à tous ceux qui m’ont soutenu.

J’exprime ma sincère reconnaissance à Monsieur le Professeur A. Djelloul de

Je tiens également à remercier Monsieur R. Guemini Professeur à l’université

Je suis sensible à l’honneur que me feront Messieurs L. Chekour et N. Attaf

Ma gratitude va de même pour Monsieur C. Boumaza, Professeur à l’Université

Des immenses reconnaissances et remerciements vont du fond de mon cœur à

Ce travail à de plus bénéficier de l’attention de Monsieur le Professeur D.

Je souhaite plus particulièrement remercier chaleureusement mes parents qui m’ont

Chapitre I : Etude bibliographique

I.1.2 Spinelles en couches minces

I.8.1 Méthodes de dépôt de ZnAl2O4 27

I.8.2 Spray pyrolyse 31

I.8.2.a Principe et cinétiques impliquées dans le spray pyrolyse 32

I.8.2.b ZnAl2O4 préparé par le spray pyrolyse 33

Chapitre II : Techniques expérimentales

II.1.1.3 Préparations des solutions 46

II.2.1.4.4 Repérage des pics : 2 ou d 69

II.2.2 Spectroscopie d’absorption infra-rouge à transformée de Fourier (FTIR) 76

II.2.2.3 Interprétation d’un spectre 79

II.2.2.5 Elaboration des pastilles 82

II.2.3.1 Interaction électron-matière 86

II.2.5 Analyse thermique 89

Chapitre III Résultats et discussion

III.1.2.1 Etude en fonction de la température de recuit 108

Conclusion de la partie III.2 149

III.3.1 Effet de la température du recuit sur la nature cristalline des phases et la

III.3.3.3 Propriétés optiques des films minces ZnO/ZnAl2O4 178

Conclusion de la partie 3 187

L’idée principale de départ de ce travail de thèse consistait en la synthèse d’un

L’activité photo-catalytique des catalyseurs dépend énormément du comportement de

Un des problèmes majeurs au cours de la synthèse des oxydes ternaires spinelles

Le troisième chapitre aborde en détails, les résultats de dépôt des différents

I.1.2 Spinelles en couches minces (revêtements)

I.2 Propriétés structurales de l’aluminate de zinc

Fig.1.1 Schéma de la maille élémentaire de la structure spinelle AB2O4

Fig.1.2 Deux cubes adjacents de la maille élémentaire de la structure spinelle AB2O4

Nom Composition Structur Groupe Z Cl d Maille

1,429  = 88° 30`

Tableau 1.1 Propriétés cristallines de ZnAl2O4 [24]

Nom Composition Masse Densité Conductivité Coefficient Solubilité Forme

cub, vert ; 1,790

Tableau 1.2 Constantes physico-chimiques de l’aluminate de zinc [24]

Tableau 1.3 Liste des abréviations

I.2.2 Inversion de structure

Les spinelles peuvent démontrés un certain degré de désordre de cations que

Fig.1.3 Structure spinelle, ZnAl2O4 représentation en 3D

Zn2+ Mn2+ Fe2+ Co2+ Ni2+ Cu2+ Mg2+

Al3+ 0 0,3 0 0 0,75 0,4 0

Fe3+ 0 0,2 0,2 1 1 1 0,9

I.3 Propriétés électriques de ZnAl2O4

I.4 Absorption optique de ZnAl2O4

Fig.1.6 L’indice de réfraction et coefficient d’extinction des films minces ZnAl2O4

I.5 Propriétés catalytiques de ZnAl2O4