Tarea 03 - A00104454

Nombre:
Pedro José González Delgado
ID:
А00104454.
Asignatura:
TEC504-2439
Tema:
Transistores
Maestro:
Encarnación Morrobel, Gorki Ernesto
Fecha de entrega:
11/03/2022.
1- Definir que es un transistor y sus usos en la ingeniería electrónica.
Se llama transistor (del inglés: transfer resistor, “resistor de transferencia”) a un
tipo de dispositivo electrónico semiconductor, capaz de modificar una señal
eléctrica de salida como respuesta a una de entrada, sirviendo como
amplificador, conmutador, oscilador o rectificador de la misma.
Es un tipo de dispositivo de uso común en numerosos aparatos, como relojes,
lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre todo, como
componente de los circuitos integrados (chips o microchips).
Los transistores tienen su origen en la necesidad de controlar el flujo de la
corriente eléctrica en diversas aplicaciones, como parte de la evolución del
campo de la electrónica. Su antecesor directo fue un aparato inventado por
Julius Edgar Lilienfeld en Canadá en 1925, pero no sería hasta mediados de
siglo cuando podría implementarse usando materiales semiconductores (en
lugar de tubos al vacío).
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de

radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de

alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura
de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)

Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales
llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga
el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
2- Explicar la construcción y funcionamiento de:
A) Los transistores BJT.
Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction
Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten
controlar el paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la
electrónica, pero comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos,
amplificadores de señales o como conmutadores de baja potencia. Como
ejemplo se usan para controlar motores, accionar reveladores y producir
sonidos en bocinas. Estos transistores son muy comunes y de uso general los
cueles pueden encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano
como en radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc.
B) Los transistores FET.

Los transistores de efecto de campo son muy utilizados en electrónica, su uso
se ha extendido mucho en los circuitos integrados y en circuitos de alta
frecuencia, y presentan algunas ventajas con respecto al transistor bjt,
especialmente cuando es considerable el ruido.
FET significa “transistor de efecto de campo”, cuyo acrónimo es:
 Field
 Effect
 Transistor
El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales
controlado por voltaje, es decir que se basa en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un canal, en otras palabras, la corriente se
controla mediante un voltaje, mientras que el transistor bjt es un dispositivo
controlado por corriente.
C) Los transistores de la familia MOS.

Los os transistores MOS (Metal Oxido Semiconductor) o MOSFET o
transistores de puerta aislada fueron la evolución lógica de los transistores
JFET.
Dependiendo del tipo de canal con el que se realicen y de la forma de
fabricarles recibieron diferentes nomenclaturas, a saber: NMOS y PMOS para
transistores MOS de canal N y canal P respectivamente; o bien VMOS para
los transistores MOS de potencia de estructura vertical. Existe una conexión
particular de transistores NMOS y PMOS conocida como inversor CMOS
(Complementary MOS).
Actualmente existen otros transistores derivados de los FET’s para
aplicaciones de alta velocidad, los MESFET (MEtal Semiconductor) o los
transistores de Arseniuro de Galio (GASFET).
Otra evolución de los transistores MOS es la BiCMOS. En ella se pretende
combinar en un mismo cristal de Silicio transistores bipolares de alta velocidad
con transistores CMOS. Los transistores CMOS se colocan al principio, para
mejorar la impedancia de entrada y la velocidad de conmutación, mientras
que, colocando a la salida los transistores bipolares podremos manejar cargas
con capacidades mayores que si se colocasen CMOS.
2- Explicar la diferencia entre los transistores BJT y transistores FET.
La principal diferencia entre BJT y FET es que, en un transistor de efecto de
campo, sólo la carga mayoritaria transporta flujos, mientras que en BJT los
flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios fluyen.
3- Buscar en la red o en una página de un fabricante una hoja de especificaciones
técnicas de un transistor cualquiera.
4- Explicar DETALLADAMENTE el funcionamiento de los transistores BJT en cada
uno de sus 3 estados (corte, activa y saturación).
Imagina que tenemos una tubería vertical que conecta dos puntos C y E. Estos
puntos están separados entre sí por un tapón, que obstruye la tubería, pero que
se puede empujar por la izquierda y retrocede a su posición de reposo en caso
de que se deje de empujar, gracias al muelle.
Para mover el tapón, se debe introducir una corriente a través de la tubería B.
entonces, lo que hagamos en B nos va a marcar los tres posibles estados del
transistor:
 Si no hacemos nada en B, el tapón estará en reposo, obstruyendo el paso
de C a E. En nuestro transistor, esto equivale a decir que, si por la base
no entra corriente, el colector y el emisor estarán aislados. A esto lo
llamaremos estado de corte. En esta situación, el transistor está
funcionando como un interruptor abierto.
 Si introducimos una pequeña corriente por B, se producirá un pequeño
desplazamiento del tapón, pudiendo pasar la corriente de C a E. En
nuestro transistor, esto significará que sí pasa corriente del colector al
emisor, simplemente introduciendo una pequeña corriente por la base. A
esta situación se le llama estado de activa o, simplemente, activa.
En el estado de activa, el transistor se comporta como un amplificador, puesto
que multiplica la corriente de base por un factor que se llama ganancia del
transistor, y que se representa por β ó hFE.
 Por último, si se introduce una corriente suficientemente grande por B,
produciremos el completo desplazamiento del tapón, y C y E quedarán
comunicados por completo. En el transistor, el paso de corriente del C al
E será el mayor que pueda producir. A este estado se le llama saturación,
y el transistor estará funcionando como un interruptor cerrado.
6- Investigar y explicar cómo se prueban los transistores BJT(NPN y PNP) mediante el
uso de un Tester digital.
Paso 1: Base a emisor
Conecta el cable positivo del multímetro a la BASE (B) del transistor y el cable negativo
del medidor al EMISOR (E) del transistor.
 Para un transistor NPN en buenas condiciones, el medidor debe mostrar una caída
de voltaje entre 0.45V y 0.9V.
 Si está probando el transistor PNP, debería ver en la pantalla «OL» o «Over Limit»
(por encima del umbral).
Paso 2: Base a colector
Mantén el cable positivo del multímetro en la BASE (B) y coloca el cable negativo del
medidor en el COLECTOR (C) del transistor.
 Para un transistor NPN en buenas condiciones, el medidor debe mostrar una caída
de voltaje entre 0.45V y 0.9V.
 Si estás probando el transistor PNP, deberás ver en la pantalla las letras «OL» (por
encima del umbral).
Paso 3: Emisor a base
Conecta el cable positivo del multímetro al EMISOR (E) del transistor y el cable negativo
del medidor a la BASE (B) del transistor.
 Para un transistor NPN en buenas condiciones, tendrás que ver «OL» o «Over
Limit» (por encima del umbral) en la pantalla.
 Si estás probando un transistor PNP, el medidor debe mostrar una caída de voltaje
entre 0.45V y 0.9V.
Paso 4: Colector a base
Conecta el cable positivo del multímetro al COLECTOR (C) del transistor. Conecta el
cable negativo del medidor a la BASE (B) del transistor.
 Para un transistor NPN en buenas condiciones, deberás ver en la pantalla «OL»
(Over Limit).
 Si estás probando con un transistor PNP, el medidor debe de mostrar una caída de
voltaje entre 0.45V y 0.9V.
Paso 5: Colector a emisor
Conecta el cable positivo del medidor al COLECTOR (C) y el cable negativo del medidor
al EMISOR (E).
 Si tienes un transistor NPN o PNP en buenas condiciones, se mostrará «OL» o
«Over Limit» en el medidor.
 Ahora cambia los cables (positivo para el emisor y negativo para el colector). Una
vez más, con un transistor NPN o PNP en buen estado debería leer «OL».

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 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de

 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de

 Detección de radiación luminosa (fototransistores)

B) Los transistores FET.

C) Los transistores de la familia MOS.

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