Scribd Logo
Cargar

¡Te damos la bienvenida a Scribd!

  • 4 vistas

    Marco Teorico

    Cargado por

    Rodrigo Villanueva

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    Marco Teorico

    Cargado por

    Rodrigo Villanueva
    4 vistas3 páginas

    Título original

    marco teorico[1]

    Derechos de autor

    © © All Rights Reserved

    Formatos disponibles

    DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    ¿Le pareció útil este documento?

    ¿Este contenido es inapropiado?

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como docx, pdf o txt
    4 vistas3 páginas

    Marco Teorico

    Cargado por

    Rodrigo Villanueva

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como docx, pdf o txt
    de 3

    A.

    Construcción básica de los


    Transistores
    A.Construcción básica de los Transistores

    Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor), JFET (Junction Field Effect Transistor) y
    MOSFET (Metal- oxide- semiconductor Field-effect transistor) son construidos
    principalmente con bases puras de silicio. Cada una de las bases son combinadas con
    “impurezas” o materiales intrínsecos para proporcionarle el funcionamiento característico y
    su tipo (NPN/PNP para los BJT y Canal N/P para los FET). Estas impurezas son
    llamadas material de tipo P (Galio) y material de tipo N (Arsénico) los cuales proporcionan
    “huecos” y electrones respectivamente a las bases de silicio. Estos huecos y electrones
    reaccionan y se mueven dependiendo de la magnitud de diferentes voltajes aplicados en
    las terminales conectadas a las bases de los transistores. Así, podemos realizar mediciones para
    determinar el estado del transistor, el tipo, sus terminales, parámetros y características.

    B.Pruebas de diodos

    Las pruebas de diodos es un método para determinar las terminales de transistores.


    Consiste en utilizar un multímetro y medir continuidad entre dos terminales. Al haber
    continuidad, se dice que la terminal positiva está conectada a un material de tipo P y la terminal
    negativa está conectada a un material tipo N

    C.El BJT

    El BJT se puede modelar como la unión de dos diodos conectados en oposición como se
    muestra en la figura Con las pruebas de diodos se puede determinar el tipo del transistor y una
    de las terminales: la base. Para determinar las otras terminales es necesario medir la
    resistividad que existe entre la base y las otras terminales conectando siempre la punta positiva
    del tester en la base si esta es de material tipo P o la punta negativa si la base es tipo N.
    En la construcción del transistor, el emisor está dopado con mayor cantidad de impurezas tipo N
    que el colector lo que indica que en el emisor existe una menor conductividad (mayor
    resistencia) que el colector. La resistencia más alta obtenida entre las dos mediciones indica
    que la terminal desconocida es el emisor del transistor y, por lo tanto, la otra terminal es el
    colector.
    D.El JFET

    El JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal que es capaz de controlar la
    corriente entre las otras dos. Estos basan su funcionamiento en la polarización de un
    campo eléctrico producido por un terminal de puerta y el canal de conducción de manera
    que mientras más negativa sea la tensión en la puerta, menor será la corriente por el canal. La
    ecuación de Schokley define su funcionamiento:

    Para determinar el estado del transistor, es necesario medir la resistividad del canal que existe
    entre las terminales drenador y fuente. Normalmente, esta resistencia debe ser un valor bajo.
    Además, se debe medir la resistencia de la fuente-compuerta en polarización directa. El valor de
    resistencia es bajo. Al medir en polarización inversa, el canal se cierra y la resistencia debe ser
    muy elevada.
    E.El MOSFET tipo Enriquecimiento

    El MOSFET presenta ciertas ventajas sobre el JFET, una de ellas es que desde su
    construcción física existe un aislamiento de la compuerta y el canal, lo que provee una mayor
    impedancia de entrada. A diferencia del JFET, el canal entre el drenador y la fuente inicialmente
    no está construido. Es necesario aplicar en la compuerta un voltaje positivo igual o mayor al
    voltaje de ruptura VGS(th) para que se forme el canal. Entre mayor es el voltaje en la
    compuerta, mayor es la corriente a través del canal. Este comportamiento lo define la ecuación
    de transferencia:

    donde k es la constante de construcción. Es posible determinar el estado del MOSFET midiendo


    la resistencia del canal entre la fuente y el drenador cuando el MOSFET está apagado. Esta
    resistencia debe ser baja. Cuando se le suministra un voltaje positivo en la compuerta, se
    crea el canal entre drenador y fuente y la resistencia del canal se reduce considerablemente.

    También podría gustarte