Preparatorio 5

POLARIZACIÓN CON TBJ
Alexander Lara
Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
[email protected]
Resumen—El presente documento es el Trabajo
Preparatorio para la practica 5: POLARIZACION
CON TBJ. Se presentan el análisis correspondiente a
las diferentes polarizaciones con TBJ.
I. Objetivos
 Analizar del comportamiento de un

TBJ.
 Identificar los parámetros de
operación de circuitos con transistores
TBJ en base a los resultados obtenidos
en la medición de voltajes y corrientes.
 Comparar los tipos de polarización Fig. 1 Transistor 3904
para transistores TBJ. Transistor 3906
II. Trabajo Preparatorio  Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc

 Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc
3.1Dibujar la curva de trabajo del transistor en  Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
papel milimetrado.  Collector Current − Continuous IC 200 mAdc
 Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate
Anexo above 25°C PD 625 5.0 mW mW/°C
 Total Power Dissipation @ TA = 60°C PD 250
3.2En papel milimetrado dibujar e identificar las mW
regiones de funcionamiento en las curvas
 Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate
características
above 25°C PD 1.5 12 W mW/°C
Anexo  Operating and Storage Junction Temperature
Range TJ, Tstg −55 to +150 °C
3.3Consultar las características más importantes
en el datasheet de los transistores 2N3904 y
2N3906.
Transistor 3904
 Voltaje de la base del colector (IE = 0) 60 V

 Voltaje Colector-Emisor (IB = 0) 40 V
 Voltaje de emisor-base (IC = 0) 6 V
 Corriente de colector 200 mA
 Disipación total en TC = 25 o C 625 mW
 Temperatura de almacenamiento -65 a 150 o C
Fig. 2 Transistor 3906
 Max. Temperatura de unión operativa 150 o C
3.4 Para los circuitos de las figuras 1,2,3, 4 y 5 VB  VBE  VE
obtener voltajes y Corrientes de polarización.
VE  0[v]
VB  0.7[v]
Malla de entrada:
5  VBE  I B RB
Malla de entrada:
5  0.7  I B  68k
5  VBE  I B RB  I E RE
I B  63.23[ A]
5  0.7  I B  68k  (   1) 1k  I B
IC    I B
I B  25.44[  A]
I C  100  (63.23*106 )
IC    I B
IC  6.323[mA]
I C  100  (25.44*106 )
I E  IC  I B
I C  2.544[mA]
I E  (6.323*103 )  (63.23*106 )
I E  IC  I B
I E  6.38[mA]
I E  (2.544*103 )  (25.44*106 )
Malla de salida: I E  2.57[mA]
12  VCE  IC RC Malla de salida:
12  VCE  IC RC  I E RE
VCE  12  IC 1k
VCE  12  IC 1k  I E 1k
VCE  5.677[v]
VCE  9.43[v]
12  VRC  VC 12  VRC  VC
VC  12  6.323 VC  12  2.544
VC  5.677[v] VC  9.456[v]
VB  0.7[v]
Malla de entrada:
12  VBE  I B R3
Malla de entrada:
12  0.7  I B  5.6k 12  VBE  I B RB  I E RE
I B  2.018[mA] 12  0.7  I B  5.6k  (  1) 1k  I B
IC    I B I B  106[ A]
I C  100  (2.018*103 ) IC    I B
IC  0.2018[ A] I C  100  (106*106 )
I E  IC  I B IC  10.6[mA]
I E  (0.2018)  (2.018*103 ) I E  IC  I B
I E  0.2038[ A] I E  (10.6*103 )  (106*106 )
Malla de salida:
I E  10.71[mA]
12  VCE  IC R4
Malla de salida:
VCE  12  IC  2.7k 12  VCE  IC RC  I E RE
VCE  532.86[v] VCE  12  IC  2.7k  I E 1k
12  VRC  VC
VCE  27.33[v]
VC  12  544.86 12  VRC  VC
VC  532.86[v] VC  12  28.62
VB  VBE  VE VC  16.62[v]
VE  0[v]
Malla de salida:
20  VCE  IC RC  I E RE
VCE  20  IC  2.2k  I E  4.7k
VCE  14.13[v]
20  VRC  VC
VC  20  1.858
VC  18.14[v]
3.5 Simular en Proteus los circuitos del literal 3.5

(tomarla captura de pantalla de la entrada y salida del
circuito).
Método Exacto:
R12
VTH  *Vcc
R11  R12
VTH  4.746[v]
RTH  R11 || R12
RTH  4271.186[]
Malla de entrada: Fig. 3 Simulación figura 1

VTH  VBE
IB 
RTH  (   1) R14
4.746  0.7
IB 
4271.186  (   1)  4.7k
I B  8.447[ A]
IC    I B
I C  100  (8.447 *106 )
I C  0.8447[mA]
Fig. 4 Simulación figura 2
I E  IC  I B
I E  (0.8447 *103 )  (8.447 *106 )
I E  0.853[mA]
III. Referencias
[1] Curva Característica de entrada. En línea. Disponible en:

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elecbasica=tema6=TEMA
6:htm
[2] Castro, S. Curva Característica del transistor. Noviembre 4,
2015. En línea. Disponible en:
https://prezi.com/raxxeecpktnr/curva-caracteristica-deltransistor/

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POLARIZACIÓN CON TBJ

 Analizar del comportamiento de un

II. Trabajo Preparatorio  Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc

 Voltaje de la base del colector (IE = 0) 60 V

Malla de salida: I E  2.57[mA]

12  VCE  IC RC Malla de salida:

VCE  20  IC  2.2k  I E  4.7k

3.5 Simular en Proteus los circuitos del literal 3.5

RTH  R11 || R12

Malla de entrada: Fig. 3 Simulación figura 1

I C  100  (8.447 *106 )

I E  (0.8447 103 )  (8.447 106 )

[1] Curva Característica de entrada. En línea. Disponible en:

Fig. 5 Simulación figura 3

Fig. 6 Simulación figura 4

Fig. 7 Simulación figura 5

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