1

Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701

Práctica 1 - Dispositivos en conmutación.

Laboratorio de Electrónica de Potencia.

Practice 1- switching devices.

Power Electronics Laboratory.

Autor 1: Juan Diego Romero Cabrera.

Autor 2: Jaime Andres Lasso Rosero.
Autor 3: Hamilton González Rodriguez.
Facultad de Ingenierías, Universidad Tecnológica de Pereira, Pereira-Risaralda, Colombia.
Correo-e: [email protected] , [email protected], [email protected]

Resumen— En el presente documento se muestra Prácticamente, la Electrónica de Potencia se puede definir

detalladamente los propósitos generales que tienen los de varias maneras: se ocupa de los dispositivos de estado
dispositivos de conmutación. En esta primera práctica virtual sólido y circuitos para procesar señales y así cumplir con
se enfoca en dar una teoría básica y concreta en el
los objetivos de control deseados, el arte de convertir
comportamiento y característica de: los diodos, sus tiempos
de conmutación, transistores, especificaciones de los circuitos
energía eléctrica de una forma a otra; de manera eficiente,
propuestos, etc. Por último se hace un análisis de las limpia, compacta y robusta a fin de utilizarla para
simulaciones propuestas en este trabajo mediante las señales satisfacer las necesidades deseadas.
que se muestra en el osciloscopio cuando se modifica el valor
de la frecuencia. La electrónica de potencia tiene un importante lugar en la
tecnología moderna y ahora se utiliza en gran variedad de
Palabras clave— Conmutación, diodo, transistor, tiempo de productos de alta potencia, como controles de
retardo, tiempo de subida, tiempo de almacenamiento, calentamiento, controles de iluminación, controles de
tiempo de caída, puntos calientes y RED SNUBBER. motores, artículos de potencia, sistemas de corriente
directa y alto voltaje (HVDC).
Abstract— This document shows the general purposes of
switching devices in detail. In this first virtual practice, he
II. OBJETIVOS.
focuses on giving a basic and concrete theory on the behavior
and characteristics of: diodes, their switching times,
transistors, specifications of the proposed circuits, etc. ● Análisis de las características y comportamiento de
Finally, an analysis of the simulations proposed in this work los dispositivos semiconductores en modo de
is made by means of the signals shown on the oscilloscope conmutación.
when the frequency value is modified.
● Que el estudiante tenga un pensamiento analítico
Key Word— Switching, Diode, Transistor, Delay Time, Rise acerca de los cambio de valores de un circuito como:
Time, Store Time, Fall Time, Hot Spots, and RED Frecuencia, parámetros de tiempo de conmutación.
SNUBBER.
● Utilizar diferentes métodos de aprendizaje como el
I. INTRODUCCIÓN uso programas para el diseño de circuitos de manera
teórica (sin el uso práctico) e interpersonal de forma
La electrónica de potencia combina potencia, electrónica y virtual.
control. Esta rama comenzó con la introducción del
rectificador de arco de mercurio en el año 1900 y la III. CONTENIDO
primera revolución se inició en 1948 con la invención del
transistor de silicio por Bardeen, Brattain y Schockley en
3.1. TRABAJO PREVIO.
Bell Telephone Laboratories y gracias a ello se obtuvo el
desarrollo de la microelectrónica moderna a partir de los
semiconductores de silicio. 3.2. PREGUNTAS A DESARROLLAR
2.Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701

3.3. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA CON 8. Explique el efecto producido por las cargas
SIMULACIONES. inductivas, en modos de conmutación de los
transistores.
IV. CONCLUSIONES.
9. Defina el concepto de RED SNUBBER.
V. REFERENCIAS.
Explique algunos circuitos, para proteger al
VI. WEBGRAFÍA. transistor.

3.1. TRABAJO PREVIO. 10. Explique las diferencias entre los circuitos de
protección de los transistores mostrados en la
● MARCO TEÓRICO. figura 1.

1. Definir las principales características de un

Diodo de conmutación. Cuál es la diferencia
entre un diodo de propósito general y un
diodo de conmutación.

2. Definir las principales características de un

transistor de conmutación, Cuál es la
diferencia entre un transistor de propósito
general, uno de conmutación, y uno de
potencia. Figura 1.
Circuitos de protección de los transistores.
3. Definir los principales parámetros de los
tiempos de conmutación: 11. Calcule los valores para Rs y Cs de la red de
snubber para los circuitos de la figura 1.
- Tiempo de retardo (Delay Time, td).
3.2. PREGUNTAS A DESARROLLAR.
- Tiempo de subida (Rise time,tr). 1. Una de las características principales de un
diodo de conmutación son:
- Tiempo de almacenamiento (Storage time,
ts). - Sus grandes velocidades de suicheo cuando se
energiza (ON) un circuito y desenergiza (OFF).
- Tiempo de caída (Fall time, tf).
-Funcionan respondiendo una tensión específica,
invierte sus direcciones hacia adelante y hacia
4. Definir el concepto de “puntos calientes”. atrás, lo cual permite que la tensión pase a través
de un circuito.
5. Definir que es tiempo de apagado ( toff) y
tiempo de encendido (ton).

6. ¿Qué parámetro define a un dispositivo -Este diodo de conmutación es muy usado en

rápido o de conmutación? protección de polaridad inversa y en las industrias
de automoción y telecomunicaciones.
7. Definir el modo de operación de los
transistores. El diodo de propósito común es un componente
electrónico que solo permite el flujo de la electricidad
en un solo sentido, debido a esto su funcionamiento
se parece a un interruptor el cual abre o cierra los
circuitos, mientras que “un diodo de conmutación es
3
Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701
adecuado para conmutar una pequeña señal de hasta
100 mA, actuando como rectificador. Por el
contrario, un diodo rectificador se utiliza para la
rectificación de línea de CA (de corriente alterna a
corriente continua). Los diodos de conmutación están
diseñados para manejar un voltaje de menos de
decenas de voltios.”

2. El transistor de conmutación rápida, corta, apaga

y baja tensión de saturación, es adecuado para la
conmutación y amplificación.

El transistor de propósito general tiene como

propiedad más destacada, que se aproxima a una
fuente dependiente de corriente: dentro de Gráfica 1.
ciertos márgenes, la corriente en el terminal de Corriente en el diodo VS tiempo.
colector es controlada por la corriente en el
terminal de base. 4.
Los puntos calientes o “Hotspots” en inglés, son
El funcionamiento y utilización de los transistores fenómenos térmicos que ocurren comúnmente y se
de potencia es idéntico al de los transistores refieren a áreas dentro de recintos eléctricos que no
normales, teniendo como características se enfrían por la convención forzada. Son un
especiales las altas tensiones e intensidades que resultado de no tener un flujo de aire que prevenga
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias alcanzar el calentamiento de algunos puntos.
a disipar.
5.
Existen tres tipos de transistores de potencia: Tiempo de encendido: Es la suma del tiempo de
Bipolar, Unipolar o FET (Transistor de Efecto de retardo y del tiempo de subida definidos
Campo), IGBT. anteriormente.

3. Tiempo de apagado: Es la suma del tiempo de

- Tiempo de retardo (Delay Time,td ): El tiempo almacenamiento con el tiempo de caída.
tomado por la corriente del colector para
alcanzar desde el valor inicial al 10% de su valor 6.
final. Los parámetros de un dispositivo de conmutación
semiconductor de potencia, es pasar de estado
conductor a no conductor mediante un pulso de
voltaje inverso.
- Tiempo de subida (Rise time,tr):El tiempo
tomado por la corriente del colector para alcanzar del La principal característica es determinada por
10% de su valor inicial hasta el 90% de su valor la correlación interna de funciones e
final. interacciones de su sistema integrado.

-Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): El 7.

intervalo de tiempo entre el borde posterior del pulso Los transistores pueden trabajar como
de entrada y el 90% del valor máximo de la salida. amplificadores, toma una pequeña corriente
en un extremo (corriente de entrada) y
produce una corriente mucho mayor en el
Tiempo de caída (Fall time, tf):Tiempo tomado para
otro lado (corriente de salida), es una especie
que la corriente del colector alcance del 90% de su de elevador de corriente.
valor máximo hasta el 10% de su valor inicial.
4.Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701

También funciona como interruptor , si no - Figura 1a: Diodo Zener en paralelo con el
hay corriente de base, tampoco hay corriente transistor (la tensión nominal Zener ha de ser
en el colector ni en el emisor. superior a la tensión de la fuente Vcc).

8. Cuando la tensión del generador pasa por - Figura 1b: Diodo antiparalelo con carga RL.
cero, convirtiéndose en positiva, el transistor
se polariza en directa, la inductancia evita - Figura 1c: Red RC polarizada en paralelo con
que la corriente del colector cambie el transistor (RED SNUBBER).
inmediatamente. “Para adaptarse, el voltaje
del colector cae inmediatamente a lo largo de La figura 1a y 1b limitan la tensión en el transistor
la abscisa y se mueve a la intersección de durante el paso de saturación a corte, proporcionando
corriente cero de la característica del a través de los diodos un camino para la circulación
colector; el cambio de voltaje del colector de la intensidad inductiva de la carga.
involucrado es inducido por la reacción
inductiva a un intento de cambiar la En la tercera protección, al cortarse el transistor la
corriente.” intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y por
el condensador Cs, el cual tiende a cargarse a una
9. Las redes “Snubbers” se utilizan para tensión Vcc. La red RC consigue que la tensión en el
proteger los tiristores contra sobretensiones, transistor durante la conmutación sea inferior a la de
“para suprimir transitorios indeseables y la fuente, alejándose su funcionamiento de los límites
eliminar problemas en los circuitos de por disipación y por avalancha secundaria.
conmutación con elementos inductivos y
capacitivos. La conmutación en estos 11. Para calcular el valor de Cs se utiliza la siguiente
circuitos puede producir EMI (interferencias ecuación:
electromagnéticas) que afecten a otros
equipos y si no se suprimen las
sobretensiones transitorias se pueden exceder
los límites de los dispositivos y producir su
degradación o destrucción.”

Algunos ejemplos de las red snubber son:

Ecuación 1.
Los circuitos Snubber son muy utilizados Cálculo de Cs despreciando las pérdidas.
para evitar encendidos accidentales en los
TRIAC, estos deben asegurarse de que se Donde:
apaguen correctamente al final de cada
medio ciclo de la corriente en el circuito L= 100 mH (Valor asumido).
principal. Vcc=12 V
R= 250 Ohm (Valor asumido).
Ic(sat)=Vcc/R => Ic(sat)= 12V/250 Ohm
=> Ic(sat)=48 mA

Por ello:

Cs=(100mH*(48 mA)^2)/(12 V)^2

Cs= 20 uF

Figura 2.
Circuito Snubber para una aplicación con 3.3. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA CON
TRIAC. SIMULACIONES.

10.
5
Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701
1. Implemente el circuito de la figura Nº2.

Figura 3.
Figura 2. Circuito de conmutación con Transistor.
Circuito de conmutación con Diodo.
Aplique como señal de entrada Vi una onda
2. Aplique como señal de entrada Vi una onda cuadrada, al circuito de la figura Nº3. Utilice un
cuadrada, al circuito de la figura Nº2. Utilice Transistor de propósito general T=TIP31, Rc= 47 , 5
un Diodo de propósito general D= 1N4004, vatios, Rb= 250 . para:
R= 250 Ω. Para
a. Vi=5 V Frecuencia= 1000 Hz.
a. Vi=5 V Frecuencia= 1000 Hz. b. Vi=5 V Frecuencia= 10000 Hz.
b. Vi=5 V Frecuencia= 10000 Hz. c. Vi=5 V Frecuencia= 20000 Hz.
c. Vi=5 V Frecuencia= 20000 Hz. d. Vi=5 V Frecuencia= 50000 Hz.
d. Vi=5 V Frecuencia= 50000 Hz.
Obtenga: Para la tensión en la resistencia Rc, en cada
Mida: Para la tensión en la carga Vo en cada caso:
caso:
- Tiempo de retardo (Rise time, td).
- Tiempo de subida (Rise time, tr).
- Tiempo de subida (tr).
- Tiempo de recuperación inversa (trr).
- Tiempo de caída (Fall time, tf).
- Tiempo de caída (Fall time, tf).
5. Repita el punto 4, utilizando el mismo
3. Implemente el circuito de la figura Nº2, y transistor de propósito general, pero usando
usando un diodo rápido repita todo el la red Snubber de la figura 4b. Use los
procedimiento del numeral 2. valores calculados para Rs y Cs. Qué
especificaciones debe tener el diodo. Mida
Observe y compare los resultados obtenidos los mismos parámetros del caso anterior y
en cada caso y saque conclusiones. compare los resultados obtenidos en ambos
casos. Concluya al respecto.
4. Implemente el circuito de la figura Nº3.
Dibuje las formas de onda para la tensión y
la corriente en la carga y para Vce en cada
caso.
 6.Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701

Figura 4.
Circuitos de Protección de los Transistores.

6. Implemente de nuevo el circuito de la figura

3 pero usando un transistor de conmutación.
Aplique como señal de entrada Vi una onda
Figura 5.
cuadrada y R=47 , 5 vatios, L= Inductancia
circuito de conmutación en el diodo en PROTEUS.
disponible en el laboratorio con núcleo de
hierro y que soporte 1 Amp. D= 1N4004. 2. Con base en el punto uno del procedimiento, se
Para: utilizó un osciloscopio para dar la señal de salida
de Vo con un Vi= 5 V y a diferentes frecuencias
a. Vi=5 V Frecuencia= 1000 Hz. de:
b. Vi=5 V Frecuencia= 10000 Hz.
c. Vi=5 V Frecuencia= 20000 Hz. Frecuencia 1= 1000 Hz
d. Vi=5 V Frecuencia= 50000 Hz. Frecuencia 2= 10000 Hz
Frecuencia 3= 20000 Hz
Dibuje las formas de onda para la tensión y la Frecuencia 4= 50000 Hz
corriente en la carga y para Vce en cada caso.
Se midió la tensión en la carga Vo para cada caso de señal
para hallar: Tiempo de subida, Tiempo de recuperación
Determine: inversa y tiempo de caída, Las siguientes señales anexadas
son para una frecuencia de 1000 Hz, los valores se
-Tiempo de retardo (Rise time, td). muestran en la tabla 1.

-Tiempo de subida (tr).

-Tiempo de caída (Fall time, tf).

7. Repita el punto 6, utilizando el mismo transistor

de conmutación, pero utilizando la red Snubber
de la figura 4c. Use los valores calculados para
Figura 6.
Rs y Cs. Qué especificaciones debe tener el Generador de señales aplicando una señal cuadrada a 1000
diodo. Hz.

Mida los mismos parámetros del numeral 6 y Para las señales de salida dadas de Vo se tuvieron que
compare los resultados obtenidos en ambos ampliar para mostrar un mejor comportamiento de los
tipos de tiempo:
casos. Concluya al respecto.
- Tiempo de subida de la tensión de la carga Vo a una
Nota:Para todos los circuitos implementados frecuencia de 1000 Hz.
Vcc=12 Voltios.

3.3 DESARROLLO DE LA PRÁCTICA CON

SIMULACIONES.

1. Se diseñó el siguiente circuito que se muestra en

la figura 5, conformado por un diodo 1N4004 y
una resistencia de 250 Ohms. En este diseño
ilustrado se aplicó una señal cuadrada con una
entrada Vi de 5 V con ayuda de un generador de
señales a diferentes frecuencias.

Gráfica 1.
Tiempo de subida con un valor de 4,31 us.
7
Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701
osciloscopio para dar la señal de salida de Vo con
-Tiempo de recuperación inversa de la tensión de la carga un Vi= 5 V y a diferentes frecuencias de:
Vo a una frecuencia de 1000 Hz.
Frecuencia 1= 1000 Hz
Frecuencia 2= 10000 Hz
Frecuencia 3= 20000 Hz
Frecuencia 4= 50000 Hz

Se midió la tensión en la carga Vo para cada caso de señal

para hallar: Tiempo de subida, Tiempo de recuperación
inversa y tiempo de caída, Las siguientes señales anexadas
son para una frecuencia de 1000 Hz, los valores se
muestran en la tabla 2.

Gráfica 2.
Tiempo de recuperación inversa con un valor de 502,5 us.

-Tiempo de caída de la tensión de la carga Vo a una

frecuencia de 1000 Hz.

Figura 7.
Circuito de conmutación con diodo 1N4148 y una
resistencia de 250 Ohms en PROTEUS.

Para las señales de salida dadas de Vo se tuvieron que

ampliar para mostrar un mejor comportamiento de los
tipos de tiempo:

- Tiempo de subida de la tensión de la carga Vo a una

frecuencia de 1000 Hz.

Gráfica 3.
Tiempo de caída con un valor de 5,88 us.

KHz tr trr tf

1 4,31 us 502,5 us 5,88 us

10 575 ns 49,75 us 0,57 us

20 350 ns 24,92 us 0,4 us

Gráfica 4.
50 150 ns 10 us 0,2 us Tiempo de subida con un valor de 3,7 us.

Tabla 1. -Tiempo de recuperación inversa de la tensión de la carga

Valores de cada tipo de tiempo a diferentes frecuencias. Vo a una frecuencia de 1000 Hz.

3. Se diseñó el siguiente circuito que se muestra en

la figura 7, conformado por un diodo 1N4148 y
una resistencia de 250 Ohms. En este diseño
ilustrado se aplicó una señal cuadrada con una
entrada Vi de 5 V con ayuda de un generador de
señales a diferentes frecuencias, se utilizó un
8.Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701

Figura 8.
Circuito de conmutación con Transistor.

Luego, se midió la tensión y la señal de la resistencia Rc

para cada caso, los resultados se colocaron en la tabla 3
para frecuencias de 1 KHz, 10 KHz, 20 KHz y 50 kHz
para hallar los diferentes valores del tiempo de retardo,
subida y caída.

Las siguientes gráficas se trabajaron con un valor de

frecuencia de 1000 Hz.
Gráfica 5.
Tiempo de subida con un valor de 502,75 us.

- Tiempo de subida de la tensión de Rc a una

frecuencia de 1000 Hz.

KHz tr trr tf

1 3,7 us 502,75 us 4,9 us

10 425 ns 51,25 us 0,42 us

20 200 ns 25,4 us 0,3 us

50 100 ns 10 us 0,1 us
Tabla 2.
Valores de cada tipo de tiempo a diferentes frecuencias. Gráfica 6.
Tiempo de subida con un valor de 1,83 us.
En las gráficas dadas en las simulaciones, nos damos
cuenta de que cuando la frecuencia aumenta, el valor de tf - Tiempo de caída de la tensión de Rc a una
y trr va disminuyendo pero el tr da de forma relativa. frecuencia de 1000 Hz.

Entre más grande sea la frecuencia los valores de trr y tf

se van perdiendo (valores nulos).

4. Se diseñó un circuito de conmutación con transistor

en PROTEUS (como se muestra en la figura 8), en el
cual se aplicó un voltaje Vi de 5 V a diferentes
frecuencias.

Éste circuito está conformado por dos resistencia Rc de 47

Ohms y una Rb de 250 Ohms, un transistor de propósito
general TIP31 y un generador de señales.

Gráfica 7.
Tiempo de caída con un valor de 4,9 us a 1000 Hz.

KHz td tr tf
1 250 ns 1,83 us 4,9 us
10 75 ns 650 ns 525 ns
20 50 ns 675 ns 350 ns
50 25 ns 725 ns 275 ns
9
Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701
Tabla 3.
Valores de cada tipo de tiempo a diferentes frecuencias.

5. Se repitió el punto 4, utilizando el transistor de

propósito general pero usando la Red Snubber de
la figura 4b pero de forma simulada. Se usaron
los valores calculados de forma teórica con Rs=
10 Ohms y Cs= 20 uF.

Gráfica 9.
Tiempo de subida con un valor de 345 us a 1000 Hz.

Los datos trabajados con la RED SNUBBER son los que

se muestran en la tabla 4 y en la tabla 5 fueron son los
resultados de los tipos de tiempo dados a diferentes
frecuencias a nuestro programa.
Figura 9.
Circuito de conmutación con transistor. DATOS RED SNUBBER
R 250 Ohm
Vcc 12 V
Ics 0,048 A
L 100 mH
Cs 20 uF
Tabla 4.
Datos obtenidos del circuito de la figura 10.

KHz td tr tf
1 40 us 345 us 12,5 us
Gráfica 8. 10 5 us 35 us 10,5 us
Tiempo de caída con un valor de 12,5 us. 20 2,17 us 21,51 us 1,33 us
50 1,28 us 6,94 us 1,69 us
Tabla 5.
Valores de cada tipo de tiempo a diferentes frecuencias.

F (KHz) Ohm
1 10
10 1
20 0,5
50 0,2
Tabla 6.
Valores de Rs al cambio de la frecuencia.
Figura 10.
Circuito de protección de los transistores, Red RC 6. Éste punto dio lo mismo que el 4.
polarizada en paralelo con el transistor (RED
SNUBBER). 7. El último punto dio igual al punto 5.

- Cálculo del tiempo de subida de la figura 10

de la red RC polarizada en paralelo con el
transistor. IV. CONCLUSIONES.
10.Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año XX, Septiembre 4 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701

● El diferente uso y aplicación para cada diodo y el

modelamiento en el que se lo puede emplear
sabiendo sus características y se concretó el
conocimientos de los tiempos de conmutación
para el uso de estos.
● Se encontró una gran diferencia entre el diodo
rapido y el de propósito general en los tiempos de
subida y en el de bajada siendo el diodo rapido el
de menor tiempo.
● Se conocieron las aplicaciones de la red snubber
implementada a los circuitos como un filtro
amortiguador que elimina los picos muy altos de
tensión.
● A medida que se aumenta la frecuencia los tipos
de tiempo de conmutación se hacen más
pequeños, hasta llegar a un valor nulo.

V. REFERENCIAS.

[1] H. Rashid. Ed 4, Electrónica de Potencia, Pearson, 2015. Introducción

a la Electrónica de Potencia, pág. 2-5.

V.I WEBGRAFÍA
[1]https://es.rs-online.com/web/c/semiconductores/semiconductores-
discretos/diodo-de-conmutacion/, diodos de conmutación, consultado el
26/08/2020
[2]https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html#:~:text=Tiempo
%20de%20retardo%20(Delay%20Time,10%25%20de%20su%20valor
%20final, circuitos de protección de los transistores. Consultado el
26/08/2020

[3]https://1.bp.blogspot.com/-PC0dxtWPLqI/VHXswetbnhI/
AAAAAAAAHcg/t6nXGxAwbiE/s1600/diodo_tiempo%2Bde
%2Brecuperaci%C3%B3n%2Binverso.PNG, imagen de los tipos de
tiempo de conmutación. Consultado el 26/08/2020

[4]https://toshiba.semicon-storage.com/us/semiconductor/knowledge/
faq/diode/what-is-a-switching-diode.html#:~:text=A%20switching
%20diode%20is%20suitable,less%20than%20tens%20of%20volts. ,
Toshiba Electronic Devices and storage corporation, “What is a
switching diode?” [En línea],consultado el 26/08/2020.

[5]https://pdfs.semanticscholar.org/5e43/
e16e1883ec8accee6c9a94dfaa486f94efef.pdf , “Transistor switching with
a reactive load” , consultado el 27/08/2020

[6]https://upcommons.upc.edu/bitstream/handle/2099/8911/Article02.pdf
, “Diseño de redes snubbers, mediante técnicas de optimización, para la
protección de tiristores contra sobretensiones”. Consultado el 28/08/2020

[7]https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html#:~:text=Tiempo
%20de%20retardo%20, transistores de potencia. Consultado el 3/08/2020

[8]https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/65/
Triacsnubber.png, imagen del RED SNUBBER en los TRIAC.
Consultado el 5/08/2020