EMB20P03A

 
 
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:  D
BVDSS  ‐30V 
RDSON (MAX.)  20mΩ 
ID  ‐35A  G
 
UIS, Rg 100% Tested  S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 

PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  UNIT 

Gate‐Source Voltage  VGS  ±25  V 

TC = 25 °C  ‐35 
Continuous Drain Current  ID 
TC = 100 °C  ‐26  A 

Pulsed Drain Current1  IDM  ‐70 

Avalanche Current  IAS  ‐10 

Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=‐10A, RG=25Ω EAS  5 

mJ 
2
Repetitive Avalanche Energy   L = 0.05mH  EAR  2.5 

TA = 25 °C  42 
Power Dissipation  PD  W 
TA = 100 °C  16 

Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C 

THERMAL RESISTANCE RATINGS 

THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT 

Junction‐to‐Case  RJC    3 
°C / W 
3
Junction‐to‐Ambient   RJA    62.5 
1
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2
Duty cycle  1％ 
 
 

2013/9/18 
p.1 
 EMB20P03A
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 

PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  UNIT

MIN  TYP MAX

STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = ‐250A  ‐30      V 
Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = ‐250A  ‐1  ‐1.5 ‐3 
Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±20V      ±100 nA
VDS = 0V, VGS = ±25V      ±500
Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = ‐24V, VGS = 0V      ‐1  A
VDS = ‐20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C      ‐10 
1
On‐State Drain Current   ID(ON)  VDS = ‐5V, VGS = ‐10V  ‐35      A 
1
Drain‐Source On‐State Resistance   RDS(ON)  VGS = ‐10V, ID = ‐20A    17 20 
mΩ
VGS = ‐4.5V, ID = ‐10A    25 34 
Forward Transconductance1  gfs  VDS = ‐5V, ID = ‐20A    24   S 

DYNAMIC 
Input Capacitance  Ciss      1407  
Output Capacitance  Coss  VGS = 0V, VDS = ‐15V, f = 1MHz    208   pF

Reverse Transfer Capacitance    Crss    164  

Gate Resistance  Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    4.5   Ω 
Total Gate Charge1,2  Qg(VGS=10V)     20.3  
Qg(VGS=4.5V) VDS = ‐15V, VGS = ‐10V,    9.8   nC
1,2 ID = ‐20A 
Gate‐Source Charge   Qgs    3.2  
1,2
Gate‐Drain Charge   Qgd    4.9  
Turn‐On Delay Time1,2  td(on)      10  
Rise Time1,2  tr   VDS = ‐15V,      8    nS
1,2
Turn‐Off Delay Time   td(off)  ID = ‐1A, VGS = ‐10V, RGS = 2.7Ω    25  
1,2
Fall Time   tf      6   

SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 

Continuous Current  IS        ‐35 

A 
3
Pulsed Current   ISM        ‐70 
Forward Voltage1  VSD  IF = ‐20A, VGS = 0V      ‐1.3 V 
Reverse Recovery Time    trr  IF = IS, dlF/dt = 100A / S    32   nS
Reverse Recovery Charge  Qrr      26   nC

2013/9/18 
p.2 
 EMB20P03A
 
 
1
Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2
Independent of operating temperature. 
3
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB20P03A for DPAK(TO‐252) 
 
 
   

 
B20 B20P03: Device Name 
 
P03
ABCDEFG ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

2013/9/18 
p.3 
 EMB20P03A
 
 
 

On‐Region Characteristics On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
50 2.4
V   = ‐ 10V
GS
‐ 5.0V 2.2
‐ 7.0V
40

Drain‐Source On‐Resistance
2.0

              R         ‐Normalized
‐ 4.5V
‐I  ‐ Drain Current( A )

1.8
30
V    = ‐ 4.5 V
GS
1.6

DS(ON)
20 ‐ 5 V
1.4
‐ 6 V
D

1.2
10
‐ 7 V
1.0
‐ 10 V
0 0.8
0 1 2 3 0 10 20 30 40 50
‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )
DS
‐ I   ‐ Drain Current( A )
D

On‐Resistance Variation with Temperature On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
1.6 0.06
I   = ‐20 A I   = ‐10 A
D
D
V   = ‐10V
GS 0.05
1.4
Drain‐Source On‐Resistance

Ω)

0.04
R        ‐ On‐Resistance(
       R        ‐ Normalized

1.2
0.03

1.0 T   = 125°C
DS(on)

A
0.02
DS(ON)

T   = 25°C
A
0.8 0.01

0.6 0
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150 2 4 6 8 10
T   ‐ Junction Temperature (°C)
J ‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
GS

Body Diode Forward Voltage Variation with
Transfer Characteristics Source Current and Temperature
60 100
V   = ‐ 5V
DS V    = 0V
GS
10
‐Is ‐ Reverse Drain Current( A )

45
‐ 55°C 25°C T   = 125°C
A
1
‐I  ‐ Drain Current( A )

T   = 125°C
A
30 0.1 25°C

‐55°C
0.01
15
D

0.001

0 0.0001
1.5 2 2.5 3 3.5 4 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
‐V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
GS ‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
SD

2013/9/18 
p.4 
 EMB20P03A
 
 

Gate Charge Characteristics Capacitance Characteristics
10 2000
I   = ‐ 20A
D f = 1 MHz
V   = 0 V
GS
‐ V    ‐ Gate‐Source Voltage( V )

8 1600

Ciss

Capacitance( pF )
6 1200
‐ 10V
V     = ‐ 5V
DS ‐ 15V

4 800
GS

2 400
Coss
Crss
0 0
0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25 30
Q   ‐ Gate Charge( nC )
g ‐ V   , Drain‐Source Voltage( V )
DS

M a x i m u m   S a f e   O p e r a t in g   A r e a Single Pulse Maximum Power Dissipation
1000 50
Single Pulse
R    = 3°C/W
θJC

40 T  = 25°C
C
P(pk),Peak Transient Power(W)

100 10
0 μ
1m S
it 10 S
i m m
      L)
10 S 30
‐I   ‐ Drain Current( A )

  0m
       ( O N
R DS 1S S
10 10
S
DC

20

1
V  G S  =   ‐ 1 0 V
10
D

S in g le  P u ls e
R    J C      =   3 ° C / W
T C     =  2 5 ° C
0 .1 0
0 .1 1 10 100
0.001 0.01 0.1 1 10 100
‐ V  D S    ‐   D r a i n ‐ S o u r c e   V o lt a g e (   V   )
t  ,Time (sec)
1

Transient Therm al Response Curve
1
Duty Cycle = 0.5
0.5
Transient Thermal Resistance
    r(t),Normalized Effective

0.3
0.2
0.2
 
0.1 0.1
  0.05
Notes :
0.05
  0.02
DM

0.03
  0.02
0.01 1.Duty Cycle,D = t2
2.R     =3°C/W
θ JC
t1

3.T  ‐  T   = P * R     (t)
  0.01
Single Pulse J C

4.R    (t)=r(t) * R
θ JC
θJC

θJC

‐2 ‐1
10 10 1 10 100 1000
  t  ,Tim
1 e ( m SEC )
 
 
 

2013/9/18 
p.5 
 EMB20P03A
 
 
 
 
Outline Drawing 
 
  E A
  E2 C
 

L
 
 
D2
D
  B2
H
 
L2

B1
 
D3

L1
 
P B L3
 
A1
 
 
 
 
Dimension  A  A1  B  B1  B2  C  D  D2  D3  E  E2  H  L  L1  L2  L3  P 

Min.  2.10  0.95  0.30  0.40  0.60  0.40  5.30 6.70 2.20 6.40 4.80 9.20  0.89  0.90  0.50 0.00 2.10

Max.  2.50  1.30  0.85  0.94  1.00  0.60  6.20 7.30 3.00 6.70 5.45 10.15 1.70  1.65  1.10 0.30 2.50

Footprint 
 
  7.00

 
7.00

 
 
2.00

1.50
2.50

 
2.3 2.3
 

2013/9/18 
p.6